WO1999046643A1 - Verfahren für die belichtung mit im wesentlichen parallelem licht - Google Patents

Verfahren für die belichtung mit im wesentlichen parallelem licht Download PDF

Info

Publication number
WO1999046643A1
WO1999046643A1 PCT/EP1999/001523 EP9901523W WO9946643A1 WO 1999046643 A1 WO1999046643 A1 WO 1999046643A1 EP 9901523 W EP9901523 W EP 9901523W WO 9946643 A1 WO9946643 A1 WO 9946643A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
distance
mask
exposure
light
parallel light
Prior art date
Application number
PCT/EP1999/001523
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Elmar Cullmann
Original Assignee
Karl Süss Kg Präzisionsgeräte Für Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Karl Süss Kg Präzisionsgeräte Für Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co. filed Critical Karl Süss Kg Präzisionsgeräte Für Wissenschaft Und Industrie Gmbh & Co.
Publication of WO1999046643A1 publication Critical patent/WO1999046643A1/de

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • G03F7/70583—Speckle reduction, e.g. coherence control or amplitude/wavefront splitting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/7035—Proximity or contact printers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Definitions

  • the invention relates to a method for exposure with essentially parallel light.
  • the method can be used in near-field holography as well as in shadow projection.
  • a mask is placed in contact with or at a relatively short distance from an object to be exposed.
  • the small distance between the mask and the object causes interference in thin lamellae and interference fringes or Newton's rings can occur. These phenomena lead to defects in the pattern transfer from the mask to e.g. a layer of photo lacquer.
  • a method for near-field exposure with essentially parallel light is known from US Pat. No. 3,615,449.
  • the light enters a prism, is reflected at its diagonal interface and hits a mask in the oblique incidence.
  • a substrate to be exposed is arranged above the mask, which is set in motion during exposure to avoid interference fringes over a distance of a quarter wavelength of the light.
  • the goal is one Get light projection without diffraction.
  • the edges of a slit in the mask produce diffraction maxima that create parasitic lines alongside the intended exposure structures.
  • the invention has for its object to provide a method for exposure in which a negative influence of interference or diffraction on the image transmission from a mask on an object to be exposed is prevented.
  • the invention is based on the basic idea of continuously changing the distance between the mask and the object during exposure.
  • interference fringes such as e.g. in the form of Newton's see rings that e.g. of unevenness (small elevations of the photoresist layer), moved over the space between the mask and the object, so that transmission errors during exposure (e.g. interruptions) are prevented at defined points, and the interference fringes are smeared and only act as a background.
  • the invention has the effect that parasitic diffraction stripes are suppressed by slightly raising the background.
  • the advantage of the invention lies in a high level of image sharpness, for example by avoiding interference rings during exposure by means of near-field holography or by weakening or suppressing parasitic diffraction phenomena, for example in the case of shadow projection.
  • the invention can advantageously be implemented with simple means, for example with the already existing drive of an exposure device or by means of a piezo oscillating crystal. In this way, the method is also very inexpensive.
  • FIG. 2 shows the displacement of Newtonian rings below the exposure mask according to FIG. 1 by means of the method according to the invention
  • Fig. 3 shows the application of the method according to the invention in the exposure in the shadow projection.
  • FIG. 1 shows the application of the method according to the invention in near-field holography.
  • linearly polarized monochromatic and parallel light is emitted at an angle of e.g. 45 ° through a mask 1, which is arranged at a distance A above a substrate 2, 3, and the linear continuous light of the 0th order is brought into interference with the light diffracted by 90 °.
  • a standing wave arises and the structure of the mask, in this case the stripes b of the grating of mask 1, is transferred to a photoresist 2 with high sharpness. Under areas a of mask 1, the light is largely extinguished.
  • Fig. 2 shows Newton's see rings 4 below the mask 1. Blackened stripes mean light extinction. It can be seen that the Newton's rings in the light-transmitting areas (stripes b) cause undesirable intensity fluctuations.
  • the distance A in FIG. 1 is continuously changed by moving the mask 1, so that, as is shown in FIG. 1, the mask 1 changes in the range between the smallest distance A ', where it is, for example, in the Contact lithography rests on the photoresist and continuously moves a large distance A "back and forth (double arrow B).
  • Preferred frequencies of the distance change are 0.1 to 20 Hz, with 1.0 to 10 Hz being particularly preferred.
  • the distance is in the range one or a few wavelengths are changed. Distance changes of 5 to 10 ⁇ m are preferred. This means that the mask 1 in FIG. 1 is only slightly reciprocated about its zero position 0 relative to the wafer.
  • the interference fringes or the Newton 1 see rings over the exposure area, whereby a smear of the negative effect of the interference fringes occurs, so that they only act as a background and the sharpness of the practice pattern is retained.
  • the multiple travel of distance A causes, for example in FIG. 2, the Newton rings 4 to expand and contract radially (double arrows C).
  • the change in distance A '... A can be achieved with, for example, a mechanical drive already present in the exposure device and a corresponding control.
  • Very uniform vibrations can be achieved with a piezo crystal.
  • the method according to the invention can also be used for exposure by means of shadow projection.
  • Fig. 3 shows the application of the method according to the invention in the Exposure in the shadow projection.
  • the light is projected through a gap 5 of the mask 1 onto the photoresist layer 2 of a substrate 3, for example.
  • Curve 6, 6a shows the intensity distribution of the incident light on the photoresist layer 2.
  • diffraction maxima 6a are generated by diffraction at the edges 5a of the slot 5, which deteriorate the resolution of the incident light strip.
  • the distance A between the mask 1 and the object 2, 3 is continuously changed, for example by moving the mask 1 in the directions of the double arrow B. In practice, the distance A is preferably changed by moving the object 2, 3.
  • the curve of the light intensity 6, 6a moves from the inside to the outside and back. It is thereby achieved that the parasitic intensity maxima 6a are smeared at the edge.
  • the invention is used in shadow projection for disadvantages of shadow projection - the occurrence of diffraction phenomena at the slit edges that are inevitable with the mask - to compensate.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Holo Graphy (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

Es wird ein Verfahren für die Belichtung eines Objekts (2, 3) mit im wesentlichen parallelem Licht über eine Maske (1) zur Verfügung gestellt, wobei während des Belichtens der Abstand zwischen der Maske und dem Objekt kontinuierlich verändert wird. Die Vorteile der Erfindung liegen in der Vermeidung von Mängeln bei der Übertragung von Strukturen von einer Maske auf z.B. eine Photolackschicht infolge von Interferenz- oder Beugungserscheinungen.

Description

Verfahren für die Belichtung mit im wesentlichen parallelem Licht
Die Erfindung betrifft ein Verfahren für die Belichtung mit im wesentlichen parallelem Licht. Das Verfahren kann sowohl bei der Nahfeld-Holographie als auch bei der Schattenprojektion zum Einsatz kommen. Bei solchen Verfahren wird eine Maske in Kontakt mit oder in verhältnismäßig geringem Abstand zu einem zu belichtenden Objekt angeordnet.
Bei der Nahfeld-Holographie bewirkt der geringe Abstand zwischen der Maske und dem Objekt (Photolackschicht auf einem Substrat) Interferenzerscheinungen in dünnen Lamellen und es können Interferenzstreifen bzw. Newton' sehe Ringe auftreten. Diese Erscheinungen führen zu Mängeln bei der Musterübertragung von der Maske auf z.B. eine Photo- lackschicht .
Aus der US-3 615 449 ist ein Verfahren zur Nahfeldbelichtung mit im wesentlichen parallelem Licht bekannt. Das Licht tritt in ein Prisma ein, wird an dessen diagonaler Grenzfläche reflektiert und trifft im schrägen Einfall eine Maske. Oberhalb der Maske ist ein zu belichtendes Substrat angeordnet, das zur Vermeidung von Interferenzstreifen über einen Abstand von einer viertel Wellenlänge des Lichtes beim Belichten in Schwingungen versetzt wird.
Aus der DE-Al-32 12 393 ist ein Verfahren bekannt, mit dem störende Interferenzerscheinungen beim Ausrichten einer Maske und eines Substrates unterdrückt werden können. Dabei werden die Maske und das Substrat relativ zueinander bewegt, so daß eventuell auftretende Interferenzmuster räumlich und/oder im zeitlichen Mittel verschmiert werden.
Bei der Schattenprojektion, bei der senkrecht einfallendes Licht eine Maske durchdringt, ist es das Ziel, eine Lichtprojektion ohne Beugung zu erhalten. Die Kanten eines Schlitzes in der Maske erzeugen jedoch Beugungsmaxima, die parasitäre Linien neben den beabsichtigten Belichtungsstrukturen erzeugt.
In der US-4 389 094 soll dieses Problem gelöst werden, indem die Wellenlänge des einfallenden Lichtes als eine Funktion der Schlitzbreite gewählt wird, so daß nur Beugungen erster und zweiter Ordnung auftreten und parasitäre Beugungserscheinungen verhindert werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren für die Belichtung zur Verfügung zu stellen, bei dem ein negativer Einfluß von Interferenz oder Beugung auf die Bildübertragung von einer Maske auf ein zu belichtendes Objekt verhindert wird.
Die Aufgabe wird mit den Merkmalen der Patentansprüche gelöst.
Bei der Lösung geht die Erfindung von dem Grundgedanken aus, während des Belichtens den Abstand zwischen der Maske und dem Objekt kontinuierlich zu verändern.
Auf diese Weise werden in der Nahfeld-Holographie Interferenzstreifen, wie z.B. in Form von Newton' sehen Ringen, die sich z.B. von Unebenheiten (kleinen Erhebungen der Photolackschicht) ausbreiten, über den Zwischenraum zwischen der Maske und dem Objekt bewegt, so daß Übertragungsfehler beim Belichten (z.B. Unterbrechungen) an definierten Stellen verhindert werden, und die Interferenzstreifen verschmiert und lediglich als Untergrund wirksam werden.
In der Schattenprojektion bewirkt die Erfindung, daß parasitäre Beugungsstreifen unterdrückt werden, in dem der Untergrund etwas angehoben wird. Der Vorteil der Erfindung liegt in einer hohen Abbildungsschärfe, z.B. durch die Vermeidung von Interferenzringen bei der Belichtung mittels Nahfeld-Holographie oder dem Abschwächen bzw. Unterdrücken von parasitären Beugungserscheinungen z.B. bei der Schattenprojektion. Vorteilhafterweise läßt sich die Erfindung mit einfachen Mitteln, z.B. mit dem bereits vorhandenen Antrieb einer Belichtungseinrichtung bzw. durch einen Piezoschwing- kristall, realisieren. Auf diese Weise ist das Verfahren auch sehr kostengünstig.
Im folgenden wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei der Belichtung mittels Nahfeld-Holographie,
Fig. 2 die Verschiebung Newton 'scher Ringe unterhalb der Belichtungsmaske gemäß Fig. 1 mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens, und
Fig. 3 die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei der Belichtung in der Schattenprojektion.
Fig. 1 zeigt die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens in der Nahfeld-Holographie. Bei dem bekannten Verfahren der Nahfeld-Holographie wird linear polarisiertes monochromatisches und paralleles Licht in einem Winkel von z.B. 45° über eine Maske 1, die im Abstand A über einem Substrat 2, 3 angeordnet ist, eingestrahlt und das geradlinig durchgehende Licht 0. Ordnung mit dem um 90° gebeugten Licht zur Interferenz gebracht. Es entsteht eine stehende Welle, und die Struktur der Maske, in diesem Falle die Streifen b des Gitters der Maske 1, werden mit hoher Schärfe auf einen Photolack 2 übertragen. Unter den Bereichen a der Maske 1 erfolgt eine weitgehende Auslöschung des Lichtes.
Kleine, häufig nicht vermeidbare Unebenheiten in der Substratoberfläche erzeugen durch Interferenzen in der dünnen Schicht zwischen Maske 1 und Photolack 2 Interferenzstreifen z.B. die bekannten Newton' sehen Ringe. Fig. 2 zeigt Newton' sehe Ringe 4 unterhalb der Maske 1. Geschwärzte Streifen bedeuten Lichtauslöschung. Es ist zu erkennen, daß die Newton 'sehen Ringe in den Licht übertragenden Bereichen (Streifen b) unerwünschte Intensitätsschwankungen hervorrufen.
Gemäß der Erfindung wird beim Belichten der Abstand A in Fig. 1 durch Bewegen der Maske 1 kontinuierlich verändert, so daß sich, wie in Fig. 1 dargestellt ist, die Maske 1 im Bereich zwischen einem kleinsten Abstand A' , wo sie z.B. in der Kontaktlithographie auf dem Photoresist aufliegt, und einem größten Abstand A" kontinuierlich hin- und herbewegt (Doppelpfeil B) . Bevorzugte Frequenzen der Abstandsänderung sind 0,1 bis 20 Hz, wobei 1,0 bis 10 Hz besonders bevorzugt sind. Der Abstand wird im Bereich einer oder einiger Wellenlängen verändert. Bevorzugt sind Abstandsänderungen von 5 bis 10 μm. Das bedeutet, daß die Maske 1 in Figur 1 nur wenig um ihre Nullage 0 relativ zum Wafer hin- und herbewegt wird bzw. schwingt. Im Ergebnis werden die Interferenzstreifen bzw. die Newton1 sehen Ringe über das Belichtungsgebiet geführt, wodurch eine Verschmierung des negativen Effekts der Interferenzstreifen auftritt, so daß sie nur noch als Untergrund wirken und die Schärfe der übertragenen Muster erhalten bleibt. Das mehrfache Durchfahren des Abstandes A bewirkt z.B. in Fig. 2 ein radiales Ausdehnen und Zusammenziehen (Doppelpfeile C) der Newtonringe 4.
Vorteilhafterweise kann die Abstandsänderung A' ...A" mit einem bereits in der Belichtungseinrichtung vorhandenen z.B. mechanischen Antrieb und einer entsprechenden Steuerung erreicht werden. Sehr gleichmäßige Schwingungen können mit einem Piezokristall erreicht werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann auch bei der Belichtung mittels Schattenprojektion zum Einsatz kommen. Fig. 3 zeigt die Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens bei der Belichtung in der Schattenprojektion. Das Licht wird durch z.B. einen Spalt 5 der Maske 1 auf die Photolackschicht 2 eines Substrates 3 projiziert. Die Kurve 6,6a zeigt die Intensitätsverteilung des einfallenden Lichtes auf der Photolackschicht 2. Dabei wird durch Beugung an den Kanten 5a des Schlitzes 5 parasitäre Beugungsmaxima 6a erzeugt, die die Auflösung des einfallenden Lichtstreifens verschlechtern. Mittels der Erfindung wird der Abstand A zwischen der Maske 1 und Objekt 2,3 z.B. durch Bewegen der Maske 1 in den Richtungen des Doppelpfeiles B kontinuierlich verändert. In der Praxis erfolgt die Veränderung des Abstandes A bevorzugt durch Bewegen des Objekts 2,3. Dabei wandert die Kurve der Lichtintensität 6, 6a von innen nach außen und zurück. Dadurch wird erreicht, daß die parasitären Intensitätsmaxima 6a am Rande verschmiert werden. Üblicherweise besteht bei der Schattenprojektion zwischen der Maske 1 und dem Objekt 2,3 ein Abstand von 50 bis 100 μm. Durch Abstandsänderungen von 10 bis 20 μm können dabei parasitäre Beugungsstreifen zuverlässig unterdrückt werden. Bei der Belichtung mit der Schattenprojektion kann es auch zu Abstandsänderungen bis zu 500 μm kommen. Im Unterschied zur Anwendung des Verfahrens in der Nahfeld-Holographie, wobei Materialunebenheiten bzw. Verunreinigungen, die zu Interferenzerscheinungen führen, durch das erfindungsgemäße Verfahren eliminiert werden, wird die Erfindung bei der Schattenprojektion dazu verwendet, Nachteile der Schattenprojektion - das Auftreten von Beugungserscheinungen an den Schlitzkanten, die bei der Maske unvermeidlich sind - auszugleichen.

Claims

P a t e n t a n s p r u c h
1. Verfahren für die Belichtung eines Objekts (2,3) bei der Nahfeld-Holographie über eine Maske (1), wobei während des Belichtens die Maske (1) senkrecht zu dem Objekt
(2,3) kontinuierlich bewegt wird.
2. Verfahren für die Belichtung eines Objekts (2,3) bei der Schattenprojektion über eine Maske (1), wobei während des Belichtens der Abstand (A) zwischen der Maske (1) und dem Objekt (2,3) kontinuierlich verändert wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Maske (1) einen Abstand (A) zwischen ihr und dem Objekt (2,3) mehrfach im Bereich zwischen einem kleinsten Abstand (A1 ) und einem größten Abstand (A") durchfährt.
4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt (2,3) den Abstand (A) mehrfach im Bereich zwischen einem kleinsten Abstand (A' ) und einem größten Abstand (A") durchfährt.
5. Verfahren nach Anspruch 3 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß der kleinste Abstand nahezu 0 und der größte Abstand bis zu 500 μm betragen kann.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Objekt eine Photolackschicht (2) auf einem Substrat (3) ist.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandsänderung durch einen mechanischen Antrieb mit Steuerung für den Maske-Objekt- Abstand bewirkt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Abstandsänderung durch die Schwingung eines Piezokristalls bewirkt wird.
Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Frequenz der Abstandsänderung 0,1 bis 20 Hz, vorzugsweise 1 bis 10 Hz ist.
PCT/EP1999/001523 1998-03-09 1999-03-09 Verfahren für die belichtung mit im wesentlichen parallelem licht WO1999046643A1 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE1998110055 DE19810055A1 (de) 1998-03-09 1998-03-09 Verfahren zur Nahfeldbelichtung mit im wesentlichen parallelem Licht
DE19810055.8 1998-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1999046643A1 true WO1999046643A1 (de) 1999-09-16

Family

ID=7860222

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP1999/001523 WO1999046643A1 (de) 1998-03-09 1999-03-09 Verfahren für die belichtung mit im wesentlichen parallelem licht

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE19810055A1 (de)
WO (1) WO1999046643A1 (de)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10153851B4 (de) 2001-11-02 2006-11-16 Suss Microtec Lithography Gmbh Vorrichtung zum Ausrichten von Masken in der Fotolithographie
DE602005026968D1 (de) 2004-10-22 2011-04-28 Eulitha Ag System und verfahren zum erzeugen eines periodischen und/oder fastperiodischen musters auf einer probe
EP2711746A4 (de) * 2011-05-19 2015-04-01 Hitachi High Tech Corp Herstellungsverfahren für ein beugungsgitter, spektrophotometer und herstellungsverfahren für eine halbleitervorrichtung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615449A (en) * 1969-09-25 1971-10-26 Rca Corp Method of generating high area-density periodic arrays by diffraction imaging
DE2253492A1 (de) * 1971-11-01 1973-05-03 Rca Corp Projektionsverfahren zum erzeugen einer kopie einer photomaske
US4239790A (en) * 1979-09-12 1980-12-16 Rca Corporation Method of defining a photoresist layer
JPS56153738A (en) * 1980-04-30 1981-11-27 Fujitsu Ltd Method for contact exposure
DE3212393A1 (de) * 1982-04-02 1983-10-13 Karl Süss KG, Präzisionsgeräte für Wissenschaft und Industrie - GmbH & Co, 8046 Garching Verfahren zur interferenzverschmierung sowie ausrichtverfahren und -vorrichtung
FR2669128A1 (fr) * 1990-11-13 1992-05-15 Broussaud Georges Systeme holographique de duplication d'objets plans capable d'un pouvoir de resolution tres eleve.
FR2673009A1 (fr) * 1991-02-18 1992-08-21 Broussaud Georges Systeme holographique de duplication d'objets plans capable d'un pouvoir de resolution tres eleve.

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2465255B1 (fr) * 1979-09-10 1987-02-20 Roumiguieres Jean Louis Procede pour reporter sur un support l'ombre fidele d'un masque perce de fentes distribuees periodiquement, et application de ce procede notamment en photolithogravure

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615449A (en) * 1969-09-25 1971-10-26 Rca Corp Method of generating high area-density periodic arrays by diffraction imaging
DE2253492A1 (de) * 1971-11-01 1973-05-03 Rca Corp Projektionsverfahren zum erzeugen einer kopie einer photomaske
US4239790A (en) * 1979-09-12 1980-12-16 Rca Corporation Method of defining a photoresist layer
JPS56153738A (en) * 1980-04-30 1981-11-27 Fujitsu Ltd Method for contact exposure
DE3212393A1 (de) * 1982-04-02 1983-10-13 Karl Süss KG, Präzisionsgeräte für Wissenschaft und Industrie - GmbH & Co, 8046 Garching Verfahren zur interferenzverschmierung sowie ausrichtverfahren und -vorrichtung
FR2669128A1 (fr) * 1990-11-13 1992-05-15 Broussaud Georges Systeme holographique de duplication d'objets plans capable d'un pouvoir de resolution tres eleve.
FR2673009A1 (fr) * 1991-02-18 1992-08-21 Broussaud Georges Systeme holographique de duplication d'objets plans capable d'un pouvoir de resolution tres eleve.

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 006, no. 032 (E - 096) 26 February 1982 (1982-02-26) *

Also Published As

Publication number Publication date
DE19810055A1 (de) 1999-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0610183B1 (de) Belichtungsvorrichtung
DE10059268C1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung eines Koppelgitters für einen Wellenleiter
EP0610184A1 (de) Belichtungsvorrichtung.
DE3114682A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von einander beabstandeter masken- und waferelementen
DE2260229C3 (de)
DE2047316C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Speicherelektrode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE69837961T2 (de) Bestrahlungsvorrichtung für eine Orientierungsschicht für Flüssigkristallanzeigen
DE2338160A1 (de) Verfahren zur vorbereitung eines plaettchens fuer die halbleiterherstellung
EP0907906A1 (de) Lithographie-belichtungseinrichtung und lithographie-verfahren
DE10243559B4 (de) Photolithographie-Belichtungsvorrichtung und Photolithographie-Belichtungsverfahren
DE2116713B2 (de) Belichtungsverfahren zum Abbilden sehr fein strukturierter Lichtmuster auf Photolackschichten und dazu geeignete Belichtungsvorrichtung
DE19611726B4 (de) Blindstruktur zur Außeraxial-Belichtung
DE2739502A1 (de) Verfahren zur belichtung durch korpuskularstrahlen-schattenwurf
DE2758305C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Vermeidung von Zeilenstrukturen bei der Bildaufzeichnung
DE60319635T2 (de) Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
DE4426069A1 (de) Laser-Zeicheneinrichtung
DE2758149C2 (de) Interferometrisches Verfahren mit λ /4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder Ebenheitsmessung
DE10196379B3 (de) Mehrstrahl-Mustergenerator
DE102008017623A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Abbilden einer programmierbaren Maske auf einem Substrat
DE2723902A1 (de) Verfahren zur justierung einer halbleiterscheibe relativ zu einer bestrahlungsmaske bei der roentgenstrahl- fotolithografie
DE2140408A1 (de) Verfahren zur herstellung von hologrammen
WO1999046643A1 (de) Verfahren für die belichtung mit im wesentlichen parallelem licht
DE60038258T2 (de) Lasermustergenerator
WO1997048022A1 (de) Verfahren zur herstellung von eine räumlich gemusterte oberfläche aufweisenden druck- oder prägezylindern
DE10303902B4 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Justier-Mikroskops mittels verspiegelter Justiermaske

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN JP KR US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase