DE2758149C2 - Interferometrisches Verfahren mit λ /4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder Ebenheitsmessung - Google Patents
Interferometrisches Verfahren mit λ /4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder EbenheitsmessungInfo
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Description
Genaue Abstands-, Dicken- und Ebenheitsmessungen werden in der Regel mit Hilfe interferometrischer
Verfahren durchgeführt, da diese Verfahren nicht nur zerstörungsfrei, relativ einfach und schnell sind, sondern
auch das höchste Auflösungsvermögen aufweisen. In letzter Zeit hat es sich jedoch gezeigt, daß das
Auflösungsvermögen dieser Verfahren für viele Anwendungen, insbesondere bei der Entwicklung und Fertigung von integrierten Halbleiterschaltungen nicht
ausreichend war, da die zu messenden Werte wesentlich kleiner als die halbe Wellenlänge des sichtbaren Lichts
sind. So sind beispielsweise die bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen in zahlreichen aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten aufzubringenden Photolackschichten in der Regel etwa 0,5 μηι bis
1,5 μπι dick. Aus verschiedenen Grümien, insbesondere
bei der Herstellung von integrierten Halbleiterschaltungen im Submikronbereich, ist es erforderlich, diese
Dicken jeweils mit einer Genauigkeit von mindestens ±10% einzuhalten. Da das Auflösungsvermögen aller
interferometrischer Verfahren in der Regel durch die halbe Wellenlänge des verwendeten Lichtes begrenzt
ist, entstehen bei der Überwachung der einzelnen Parameter während der Massenherstellung von integrierten Schaltungen Schwierigkeiten. Zwar wurden
vielfach besondere Verfahren, beispielsweise Mehrfarbeninterferometrie und Komparatorverfahren entwikkelt und vorgeschlagen, mit denen das Auflösungsvermögen der Interferenzverfahren zum Teil ganz
wesentlich erhöht werden konnte. Diese Verfahren erfordern aber einen hohen apparativen Aufwand uns
sind so kompliziert, langsam und störanfällig, daß sie nur in relativ wenigen Fällen und unter besonderen
Randbedingungen angewendet werden konnten. Ihre Verwendung bei der Überwachung und Steuerung von
großindustriellen Produktionsvorgängen ist daher in fast allen Fällen praktisch ausgeschlossen.
Es ist bereits in der DE-AS 26 36 211 ein interferometrisches Verfahren mit λ/4-Auflösung beschrieben, bei
dem der Meßstrahl unter einem vorgegebenen kleinen Winkel auf ein zur Meßebene paralleles Transmissionsgitter so gerichtet wird, daß eine am Gitter unmittelbar
reflexionsgebeugte und drei weitere an der Meßfläche reflektierte und am Gitter transmissionsgebeugte
Beugungsordnungen in Beobaebtungsrichtung verlaufen
und durch ihre Oberlagerung ein Interferenzlinienfeld
erzeugen, bei dem die Abstände zwischen den einzelnen Interferenzstreifen Abständen von einer
Viertel Wellenlänge der verwendeten Strahlung in der Objektebene entsprechen. Da das verwendete Gitter
sehr genau aufeinander und auf die Reflektivität der Meßfläche abgestimmte Reflexions- und Transmissionseigenschaften und eine auf die Einfallsrichtung des
MeOstrahls und die Beobachtungsrichtung abgestimmte Gitterkonstante haben und zu dem sehr nahe an
(maximal 1 mm) und sehr genau parallel zur Meßfläche angeordnet sein muß, sind die Einsatzmöglichkeiten für
dieses Verfahren begrenzt Insbesondere eignet es sich nicht zur Verwendung im Zusammenhang mit der
Überwachung und Steuerung der Fabrikation integrierter Halbleiterschaltungen, da bei einer Oberprüfung
großer Zahlen von Halbleiterplättchen durch die dabei unvermeidbaren Erschütterungen und Verschmutzungen
der Meßvorrichtung Meßfehler nicht auszuschließen sind. Da insbesondere eine Verschmutzung des sehr
empfindlichen Gitters durch die in geringem Abstand mit großer Geschwindigkeit an ihm vorbeigefiihrten
Halbleiterplättchen praktisch nicht zu vermeiden ist,
treten bei der Anwendung dieses bekannten Verfahrens zur Produktionsüberwachung und -Steuerung zwangsläufig
Schwierigkeiten auf, die einen Einsatz praktisch unmöglich machen.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren bzw. eine Vorrichtung zur Abstands-,
Dicken- und/oder Unebenheitsmessung mit besonders hohem Auflösungsvermögen anzugeben, das bei relativ
geringem apparativem Aufwand und geringen Anforderungen an die Geschicklichkeit der Bedienungsperson
weitgehend unempfindlich gegen Erschütterungen und Verschmutzungen ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die kennzeichnenden Merkmale des Verfahrensanspruchs 1
bzw. der entsprechenden Vorrichtungsansprüche 5 und 6 gelöst
Gegenüber den bisher vorgeschlagenen Vorrichtungen hat das erfindungsgemäße Verfahren den Vorteil,
daß der Abstand zwischen der Meßvorrichtung und der Meßfläche sehr groß — bis zu 1 m und mehr — sein
kann und daß somit zu Verschmutzungen und Dejustierungen führende Erschütterungen mit relativ
geringem Autwand von der Meßvorrichtung ferngehalten werden können. Da beim erfindungsgemäßen
Verfahren keine an die jeweiligen Randbedingungen anzupassenden Komponenten verwendet werden, ist
die Anwendungsbreite dieses Verfahrens ungleich größer als bei den bekannten Verfahren. Auch ist es im
Gegensatz zu allen bisher bekannten interferometrischen Verfahren möglich, das Auflösungsvermögen
durch einfache Änderung des Auftreffwinkels des Meßstrahis von A/2 auf A/4 und umgekehrt zu
verändern. Bei Wahl genügend großer Auftreffwinkel des Meßstrahls auf das Objekt kann das erfindungsgemäße
Verfahren auch zur Prüfung von Objekten mit schlecht reflektierender oder diffus streuender Oberfläche
verwendet werden.
Die Erfindung wird anschließend an Hand der Zeichnung näher erläutert
Es zeigt
Fig. IA und IB die schematische Darstellung von
Strahlengängen zur Erläuterung des erfindungsgemäßen Verfahrens,
F i g. 2 und 3 Ausführungsoeispiele der Erfindung,
F i g. 4 und 5 Interferenzlinienmuster.
Wie aus Fig. IA ersichtlich, wird eine aus ebenen Wellen bestehende kohärente Strahlung & unter einem Winkel θ| auf ein durchsichtiges, scheibenförmiges
Wie aus Fig. IA ersichtlich, wird eine aus ebenen Wellen bestehende kohärente Strahlung & unter einem Winkel θ| auf ein durchsichtiges, scheibenförmiges
5 Objekt 1 gerichtet und an dessen unterer und oberer
Fläche als Strahlung S1 bzw. als Strahlung Sfe reflektiert
Die durch Oberlagerung der Komponenten S\ und S2
entstehende Strahlung S' wird durch nicht dargestellte Mittel, wie aus F i g. 1B ersichtlich, erneut auf das Objekt
ι« 1, diesmal unter einem Winkel Θ2, gerichtet und an
dessen unterer und oberer Fläche als Strahlung S3 bzw.
5» reflektiert Die durch Oberlagerung der Komponenten
entstehende Strahlung S wird somit durch die Interferenz der Komponenten Si, S2, S3 und S4 gebildet
Ist die Dicke des Objektes 1 nicht konstant, so enthält die Strahlung S' ein Fizeau-Interferenzlinienmuster,
dem ein Interferenzlinienmuster überlagert wird, das durch die Reflexion der Strahlung S'an der unteren und
oberen Fläche des Objektes 1 entsteht Die Differenz Θ2-θι muß iuf die Dicke t/des Objekts 1 abgestimmt
sein.
Bei Dickenschwankungsmessungen an einer transparenten
oder semitransparenten Schicht mit der bekannten Fizeau-Interferenzmethode erklärt sich das über
r> dem Objekt in Reflexion sichtbare Interferenzmuster durch kohärente Überlagerung der an der Vorder- und
Rückseite der Schicht reflektierten Teilbündel. Der Grundgedanke der Erfindung besteht darin, ein wie
oben beschrieben erzeugtes Fizeau-Interferenzmuster
in einer Meßschicht mittels einer optischen Abbildung ein
zweites Mal auf die gleiche Meßschicht zu lenken und somit ein zweites Interferenzbild der Schichtdickenschwankungen
zu erzeugen. Bei gleichen Einfallswinkeln der zwei Beleuchtungsstrahlungen sind die zwei
Ii erhaltenen Interferenzmuster gleich. Fällt jedoch das
zweite Beleuchtungsiicht unter einem geringfügig anderen Winkel auf die Meßschicht, so beobachtet man
Unterschiede zwischen dem zuerst erhaltenen Muster und dem zweiten Interferenzbild. Je nach Größe der
Winkeldifferenz, d.h. je nach Phasenänderung im zweiten Beleuchtungsstrahl, tritt eine Aufspaltung der
A/2-Fizeaulinien auf und zwar von A/2 über alle Zwischenzustände bis hin zu einem A/4-Linienmuster
und bei weiterer Veränderung der Winkeldifferenz
4-, wiederum über alle Zwischenzustände bis zu einem
λ/2-Muster mit einer Umkehrung der Intensitäts-Verhältnisse zum ersten A/2-Bild.
Die Entstehung der Interferenzlinienmuster wird an Hand der folgenden Überlegungen erläutert.
-,n Die Überlagerung der beiden Komponenten Si und
S2, die durch Reflexion an der oberen und unteren Grenzschicht des Objektes 1 entstehen, führt allgemein
zu einem Fizeau-Interferenzlinienmuster mit dem Streifer ibiitand A/2.
-,-, Mit der üblichen komplexen Darstellung eines
Wellenfeldes
s (t) = A tf) c
i-lri
wobei
A Amplitude, γ die Phase und r der Ortsvektor am
Überlagerungsort ist, können die zwei Komponenten Si
und Si, die durch Reflexion entstehen, wie folgt
beschrieben werden:
S1 = S0 · c "
2 = S0 ■ e
2 = S0 ■ e
5b Amplitude der einfallenden Welle, d optische Dicke
der zu messenden Schicht, k = und λ die '"
Wellenlänge des Lichtes ist.
Die kohärente Überlagerung dieser Teilkomponenten liefert ein resultierendes Wellenfeld:
.S- = S, + S2 = Sn ■ c
Das so entstandene Wellenfeld 5' wird durch geeignete optische Maßnahmen zum Testobjekt 1
zurückgeleitet, so daß ein Lichtstrahl, der bei der ersten Reflexion im Punkt P der unteren Grenzfläche des
Objektes reflektiert wurde, zum Punkt P zurückgelangt. Auf diese Weise wird, wie in Fig. IB skizziert, das
Testobjekt erneut mit einem parallelen Wellenfeld 5' unter einem Winkel Θ2 beleuchtet. Dabei entstehen
durch Reflexion an der oberen und unteren Grenzfläche wieder zwei Anteile 53 und S4, die sich wie folgt
darstellen lassen:
S3 = S11(I + c
+ S11 ■ c
Die Überlagerung dieser beiden Komponenten führt
S = S, +■ S4 = S1,1
+ c
In der Richtung Θ2 entsteht dabei die Intensitätsverteilung:
= 2.S"r,(1 -COS(Z
11I(I +c "-.»—"
cos(2(/A■ ■ cosH1 Il
Diese Funktion beschreibt die Intensität in einem beliebigen Punkt der oberen Grenzschicht, dessen
Abstand von der unteren Grenzschicht gleich c/ist.
Die in F i g. 2 dargestellte Anordnung besteht aus einem Laser 2, Linsen 3 und 4 zur Aufweitung des
Laserstrahls 11, einer Linse 5, einem Hohlspiegel 6, sowie aus kleinen, verstellbar angeordneten, ebenen
Spiegeln 7 und 8. Der vom Laser 2 erzeugte Strahl 11 wird in der aus den Linse ι 3 und 4 bestehenden
Anordnung aufgeweitet und durch den Spiegel 7 über die Linse 5 als durch gestrichelte Linien angedeutetes
Parallelstrahlenbündel 12 unter einen Einfallswinkel Θ2
auf das zu untersuchende Objekt 1 gerichtet. Die an der unteren und der oberen Fläche des Objektes 1
reflektierten Komponenten des Strahlenbündels 12 gelangen, wie durch die mit Pfeilen versehene
nte diigcucuici, uuci uic i^ifiäC j tui'ü
Hohlspiegel 6 und werden von dort über die Linse 5 als ein durch punktierte Linien angedeutetes Parallelstrahlenbündel
13 erneut auf das Objekt 1 gerichtet. Der Einfallswinkel θι dieses Strahles ist vom Einfallswinkel
Θ2 des Strahles 12 verschieden. Die an der oberen und
unteren Fläche des Objekts 1 reflektierten Komponenten durchsetzen als ein durch strichpunktierte Linien
angedeutetes Strahlenbündel 14 die Linse 5 und gelangen als konvergentes Strahlenbündel zu dem
Spiegel 8, von wo sie als divergentes Strahlenbündel zu einer Auswertebene 9 gelangen.
Wie aus den Erläuterungen der F i g. 1A und 1B
hervorgeht besteht der vom Objekt 1, Fig. 2, reflektierte und durch ausgezogene Linien dargestellte
Strahl aus zwei miteinander interferierenden Komponenten, die als ein durch gestrichelte Linien angedeutetes
Strahlenbündel 13 erneut auf das Objekt 1 auftreffen. Durch die Reflexion dieser ein Interferenzfeld bildenden
Komponenten an der unteren und oberen Fläche des Objektes 1 erfolgt eine Aufspaltung dieser Strahlung in
zwei weitere Komponenten, die als ein durch strichpunktierte Linien angedeutetes Strahlenbündel 14 über
die Linse 4 und den Spiegel 8 zur Auswertebene 9 gelangen, wo sie ein aus vier Komponenten bestehendes
Interferenzmuster bilden. Bei geeigneter Wahl der auf die Dirke des Objektes 1 abgestimmten Einfallswinkel
θι und θ2 wird in der Auswertebene 9 ein Interferenzlinienmusjer
sichtbar, bei dem die Abstände zwischen zwei benachbarten Linien jeweils Dickenunterschieden
von λ/4 im Bereich des Objekts 1 entsprechen. Wie oben im Zusammenhang mit der Beschreibung der Fig. IA
und 1B erläutert, geht das im Bereich der Auswertebene
9 entstehende, aus λ/4-Linien bestehende Interferenzmuster bei einer durch eine Kippung der Spiegel 7 und 8
auftretenden Veränderung der Winkel θι und Θ2 in ein
aus λ/2-Linien bestehendes Interferenzmuster über, das bei einer weiteren Veränderung der Einfallswinkel Θ,
und Θ2 erneut in ein aus λ/4-Linien bestehendes Muster
übergeht.
Die in der Auswertebene entstehenden Interferenzmuster sind in den F i g. 4 und 5 dargestellt. Die
Interferenzlinien 41 entsprechen λ/4-Abständen in der Objektebene, während die mit 40 bezeichneten Interferenzlinien
λ/2-Abständen zugeordnet sind. In Fig.5 ist
mit a ein λ/2-Interferenzlinienmuster, mit b ein
λ/4-Interferenzlinienmuster und mit c ein λ/2-Interferenzlinienmuster
dargestellt. Aus Fig.4 ist der bei allmählicher Veränderung der Winkel θι und Θ2
stattfindende Übergang von einem aus λ/2-Interferenzlinien bestehenden Interferenzmuster zu einem aus
A/4-lnterferenzlinien 41 bestehenden Interferenzmuster
und der erneute Übergang zu einem aus λ/2-Interferenzlinien bestehenden Muster ersichtlich. Das in F i g. 4
mit a bezeichnete Muster stellt ein reines λ/2-Interferenzlinienmuster
dar, dessen Linien sich, wie in den mit b und c bezeichneten Interferenzmuster langsam verbreitern
und aufspalten, um in ein aus reinen λ/4-Interferenzlinien bestehendes Muster überzugehen, wie es
beispielsweise im mit d bezeichneten Muster der F i g. 4 dargestellt ist Der Übergang des mit d bezeichneten
Musters zu einem reinen λ/2-Interferenzlinienmuster ergibt sich aus den in Fi g. 4 mit e, /"und # bezeichneten
Mustern.
Die in Fig.3 dargestellte Anordnung besteht aus einem Laser 2Z Linsen 23 und 24, einem polarisationsunabhängigen
Strahlenteiler 27, einem polarisationsab-
hängigen Strahlenteiler 28, einer Linse 25, einem Hohlspiegel 26 und einem λ/4-Plättchen 29. Der vom
Laser 22 erzeugte Strahl wird durch die Linse 23 in einen divergenten Strahl 31 umgewandelt, der durch die
Linse 24 in ein Parallelstrahlenbündel umgewandelt wird. Ein Teil dieses parallel zur Zeichnungsebene linear
polarisierten Strahlenbündels durchsetzt den Strahlenteiler J7 und wird am polarisationsabhängigen Strahlenteiler 28 als durch gestrichelte Linien dargestelltes
Parallelstrahlenbündel 32 durch das λ/4-Plättchen 29 auf das Objekt 1 gerichtet. Die an der unteren und oberen
Fläche des Objekts 1 reflektierten Komponenten des Strahlenbündels 32 durchsetzen das λ/4-Plättchen 29 ein
zweites Mal und werden als senkrecht zur Zeichnungsebene linear polarisiertes Strahlenbündel durch die i>
Linse 25 auf den Hohlspiegel 26 gerichtet. Die am Hohlspiegel 26 reflektierte Strahlung wird durch die
Linse 25 in ein durch punktierte Linien 33 angedeutetes
r äräficiSiräiiicULfuriuci 33 fiäCn Γ/ίίΓΟπίΓίϋ uüi*C'il uüä
λ/4-PIättchen 29 auf das Objekt gerichtet. Beim Durchtritt durch das λ/4-Plättchen 29 wird die senkrecht
zur Zeichnungsebene linear polarisierte Strahlung in eine zirkulär polarisierte Strahlung umgewandelt. Die
an der unteren und oberen Fläche des Objekts 1 reflektierten Komponenten des Strahlungsbündels 33 2-.
durchsetzen als ein durch strichpunktierte Linien angedeutetes Strahlenbündel 34 das Λ/4-Plättchen 29
und werden dabei in ein parallel zur Zeichnungsebene linear polarisiertes Strahlenbündel umgewandelt, das
am polarisationsabhängigen Strahlenteiler 28 verlustlos nach rechts abgelenkt wird. Beim Auftreten auf den
polarisationsunabhängigen Strahlenteiler 27 wird ein Teil dieses Strahlenbündels nach unten abgelenkt und
erzeugt im Bereich einer Auswertebene 30 ein Interferenzlinienmuster, wie es beispielsweise in den
F i g. 4 und 5 dargestellt ist. Bei geeigneter Wahl der Einfallswinkel der auf das Objekt 1 auftreffenden
Strahlenbündel 32 und 33 besteht das in der Auswertebene 30 entstehende Interferenzmuster aus
λ/4-Interferenzlinien, die bei einer Änderung der
Einfallswinkel der Strahlenbündel 32 und 33 kontinuierlich in λ/2-, λ/4-, λ/2-, usw. Linien übergehen. Wie im
Zusammenhang mit den im Anschluß an die Beschrei-
LfUlIg UbI
17: — IA
1 15. in
ersichtlich, müssen die Einfallswinkel in geeigneter Weise an die Dicke des Objekts angepaßt sein.
Bei Objekten mit schlecht reflektierenden oder diffus streuenden Flächen kann es zweckmäßig sein, die
Einfallswinkel so weit zu vergrößern, daß eine eine Reflexion annähernde Streuung auftritt.
Claims (8)
1. Interferometriscbes Verfahren mit λ/4-Auflösung zur Abstands-, Dicken- und/oder Ebenheit?-
messung von transparenten oder semitransparenten Schichten, dadurch gekennzeichnet, daß
eine kollimierte, konvergente oder divergente Strahlung (So) unter einem ersten Einfallswinkel (θ|)
bzw. unter einem ersten Bereich von Einfallswinkeln ι ο (θ|) auf das Meßobjekt (1) gerichtet wird, daß die an
der oberen und unteren Fläche des Meßobjektes reflektierten Komponenten (S], Sj) der Strahlung
(Sa) zu einer neuen Strahlung (S') überlagert werden, daß diese Strahlung (S') unter einem zweiten, vom
ersten verschiedenen Einfallswinkel (θ2) bzw. unter
einem zweiten, vom ersten verschiedenen Bereich von Einfallswinkeln (Θ2) erneut auf das Meßobjekt
(1) gerichtet wird, daß die an der oberen und unteren Fläche des Meßobjekts reflektierten Komponenten
(S3, Sa) dieser Strahlung (S') mit den Komponenten
(S], S2) der ersten Strahlung (S0) zur Interferenz
gebracht werden und das sich ergebende Interferenzlinienmuster der durch die Überlagerung der
Komponenten (S], Si, Sj, St) entstehenden Strahlung
(SJ ausgewertet wird.
2. Interferometrisches Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der
beiden Einfallswinkel (62—61) der Strahlungen So,
S') auf die Dicke («) des Meßobjekts (1) abgestimmt ist
3. Interferoicetrisches Verfahren nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekernzeichnet, daß die
Einfallswinkel (d\, θ2) der Strahlungen (S0, S')
zwecks Änderung des Auf!äsun,!?ivermögens von jj
λ/2 zu λ/4 und umgekehrt steuerbar veränderbar sind.
4. Interferometrisches Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die
Einfallswinkel (θι, Θ2) zwecks Anpassung an die
Reaktivität der Meßfläche (1) steuerbar veränderbar sind.
5. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine als
Laser ausgebildete Lichtquelle (2), Linsen (3, 4) zur -r, Aufweitung des Strahlquerschnitts, einen Spiegel (7)
zur Ablenkung des Lichtstrahls in Richtung einer Linse (5), durch die ein auf das Meßobjekt (1) unter
einem Einfallswinkel (Θ2) fallendes Parallelstrahlenbündel (12) erzeugt wird, einen Hohlspiegel (6), der w
die an der oberen und der unteren Fläche des Meßobjekts (1) reflektierten Komponenten des
Paralielstrahlenbündels (12) durch die Linse (S)
hindurch als Parallelstrahlenbündel (13) unter einem
Winkel (θι) erneut auf das Objekt (1) richtet, und ,-, durch einen Spiegel (8), der die an der oberen und
der unteren Fläche des Objekts (1) reflektierten Komponenten dieses zweiten Paralielstrahlenbündels (13) als divergentes Strahlenbündel (14) zu einer
Auswertebene (9) lenkt. mi
6. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1 bis 4, gekennzeichnet durch eine als
Laser ausgebildete Lichtquelle (22), Linsen (23, 24) zur Aufweitung des Laserstrahls, einen polarisationsunabhängigen Strahlenteiler (27), einen polari- ir,
sationsabhängigen Strahlenteiler (28), ein im Wege des vom polarisationsabhängigen Strahlenteiler (28)
abgelenkten Strahlenbündels (32) angeordnetes λ/4-Plättchen (29), eine die an der oberen und der
unteren Fläche des Objekts (1) reflektierten Komponenten des Strahlenbündels (32) auf einen
Hohlspiegel (26) übertragende Linse (25), die die am Hohlspiegel (26) reflektierte Strahlung als Parallelstrahlenbündel (33) erneut nach Durchtritt durch das
λ/4-Plättchen auf das Objekt (1) richtet, wobei die an
der oberen und unteren Fläche des Objekts reflektierten Komponenten dieses Strahlenbündel
(33) nach Durchsetzen des λ/4-Plättchens (29) vom polarisationsabhängigen Strahlenteiler (28) in Richtung des polarisationsunabhängigen Strahlenteilers
(27) und von diesem in Richtung einer Auswertebene (30) abgelenkt werden.
7. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 oder 6, gekennzeichnet durch eine in der Auswertebene (9,
30) angeordnete Fernsehkameraröhre.
8. Vorrichtung nach den Ansprüchen 5 oder 6, gekennzeichnet durch eine in der Auswertebene (9,
30) angeordnete Photodetektoranordnung.
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