DE3402178A1 - Vorrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck - Google Patents
Vorrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueckInfo
- Publication number
- DE3402178A1 DE3402178A1 DE19843402178 DE3402178A DE3402178A1 DE 3402178 A1 DE3402178 A1 DE 3402178A1 DE 19843402178 DE19843402178 DE 19843402178 DE 3402178 A DE3402178 A DE 3402178A DE 3402178 A1 DE3402178 A1 DE 3402178A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- workpiece
- mask
- detector
- alignment
- mark
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
Dr. Werner Tabarelli Vaduz (Fürstentum Liechtenstein)
Vorrichtung zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück
Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung zum Projektionskopieren
von Masken auf ein Werkstück, insbesondere auf ein Halbleitersubstrat zur Herstellung von integrierten
Schaltungen, wobei die Muster der Masken über ein Projektionsobjektiv ein- oder mehrmals auf einer photoempfindlichen
Schicht des Werkstückes abgebildet werden, und Maske und Werkstück relativ zueinander ausgerichtet werden, indem
Ausrichtmuster der Maske und Justiermarken des Werkstückes dadurch in eine vorbestimmte räumliche Zuordnung gebracht
werden, daß zunächst die Relativlage eines Detektors
sowie des Ausrichtmusters der Maske zu
mindestens einer auf dem Tragtisch für das Werkstück angeordneten Referenzmarke bestimmt und dann die Justiermarke
des Werkstückes auf den Detektor abgebildet wird.
Grundsätzlich besteht die einfachste Art der gegenseitigen Ausrichtung einer Maske und eines Werkstückes darin, eine
auf der Maske angeordnete Marke mit einer Marke auf dem Werkstück durch das Projektionsobjektiv zur Deckung zu
bringen. In Abhängigkeit von den ein zur Herstellung integrierter Schaltungen dienendes Werkstück bedeckenden Lackschichten
kommt es dabei jedoch gelegentlich zu Interferenzerscheinungen, welche eine verläßliche Beurteilung der Genauigkeit
der Abbildung der beiden Marken aufeinander erschweren. In solchen Fällen muß auf Verfahren der eingangs
skizzierten Art zurückgegriffen werden, welche . rel.ativ zeitraubend sind und daher nicht für jedes Einzelfeld
des Werkstückes, sondern möglichst nur einmal bei der schrittweisen Belichtung eines ganzen Werkstückes, also
zur sogenannten Globaljustierung, verwendet werden.
Aus der europäischen Patentanmeldung 0035113 ist ein solches Verfahren bekannt geworden, bei welchem eine dem
Detektor zugeordnete Marke durch eine dem Projektionsobjektiv parallelgeschaltete Hilfsoptik auf die am Tragtisch ange-
ordnete Referenzmarke bzw. auf die Justiermarke des Werkstückes projiziert wird. Durch die selbe Hilfsoptik wird
die Genauigkeit dieser Abbildung überprüft. Da die Hilfsoptik im Gegensatz zum Projektionsobjektiv eine breitbandige
Belichtung erlaubt, treten hiebei keine wesentlichen Interferenzerscheinungen mehr auf. Die ungenaue
Kenntnis der gegenseitigen Zuordnung von Hilfsoptik und Projektionsobjektiv bildet jedoch eine Fehlerquelle.
Die Erfindung vermeidet bei einer Vorrichtung der eingangs erwähnten Art die Verwendung einer dem Projektionsobjektiv
parallelgeschalteten Hilfsoptik und erlaubt es, die hohe Präzision des Projektionsobjektivs auch für die Justierung
nutzbar zu machen. Dabei wird von der Überlegung ausgegangen, daß bei einer Beobachtung im Dunkelfeld das von
den Justiermarken zurückgeworfene Licht wesentlich höhere Ortsfrequenzen der Justiermarkenstruktur überträgt und die
auftretenden Interferenzerscheinungen entsprechend weniger störend sind. Allerdings wäre es nicht möglich, die Abbildung
einer Öffnung in der Maske auf eine Justiermarke des Werkstückes entweder durch die Öffnung in der Maske
oder durch einen eigenen Spalt abzutasten, da die Beobachtungsdauer
durch die geringe Lichtstärke des Dunkelfeldes hiedurch zu stark ansteigen würde. Das von der
Justiermarke zurückgeworfene Licht muß somit nach Ausblendung des direkt reflektierten Strahles auf einen
positionsempfindlichen Detektor, beispielsweise eine Vierquadranten-Diode geworfen werden. Die Anordnung dieses
Detektors am Maskenrahmen erlaubt es, die zur richtigen Einstellung erforderliche Verschiebung maskenseitig anstatt
werkstückseitig durchzuführen, was den an sich bekannten Vorteil hat, daß die Verschiebung um einen Betrag
erfolgt, der um so viel größer ist, wie die Maske im Vergleich zu ihrem durch das verkleinernde Projektionsobjektiv
erzeugten Abbild.
Insgesamt ist die Erfindung somit dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildung der Justiermarke des Werkstückes auf den
Detektor durch das Projektionsobjektiv hindurch erfolgt, wobei die direkt reflektierten Strahlen des die Justiermarke
sichtbar machenden Lichtes ausgeblendet werden, und daß der positionsempfindliche Detektor an der Unterseite
des die Maske tragenden Rahmens angeordnet ist.
Die Lichtstärke des auf den Detektor fallenden Lichtes kann erhöht werden, indem vorgesehen wird, daß die Justiermarken
des Werkstückes als- Beugungsgitter mit sich kreuzenden Linien ausgebildet sind und die Gitterkonstante so gewählt
wird, daß möglichst viele Beugungsordnungen vom Projektions-, objektiv erfaßt werden.
Der positionsempfindliche Detektor wird vorzugsweise als
Vierquadranten-Diode ausgebildet. Auch die Verwendung einer Rasterdiode käme in Frage. Vorteilhaft ist auch die Verwendung
einer Halbleiterbrückendiode (vgl. Markt & Technik Nr. 34, August 1983, S.28).
Die Ausblendung des von der Justiermarke direkt reflektierten Lichtes könnte prinzipiell durch Verwendung eines Lochspiegels
erfolgen, der den direkt reflektierten Strahl durchläßt und nicht zum Detektor ablenkt. Vorzugsweise ist jedoch
vorgesehen, daß die Belichtung der Justiermarke des. Werkstückes über einen Umlenkspiegel erfolgt, welcher das
Zentrum des von der Justiermarke ausgehenden Lichtkegels ausblendet.
Wird ein Justierlicht verwendet, dessen Wellenlänge von der des zur Entwicklung des Photolacks verwendeten Lichtes abweicht,
wird vorzugsweise vorgesehen, daß durch ein Paar von Spiegeln der Unterscheid der Brennweite des Projektionsobjektivs bei Justierlicht und Belichtungslicht kompensiert wird.
Weitere Einzelheiten der Erfindung werden anschließend anhand der Zeichnung erläutert. In dieser zeigt
Fig. 1 schaubildlich die Gesamtanordnung einer erfindungs-
— ψ —
gemäßen Einrichtung,
Fig. 2 eine Draufsicht auf die die Referenzmarke tragende Justierplatte,
Fig. 3 eine bekannte Einrichtung zur direkten Ausrichtung von Maske und Substrag,
Fig. 3a ein Detail von Fig. 3,
Fig. 3a ein Detail von Fig. 3,
Fig. 4 das von der Einrichtung nach Fig. 3 aufgenommene Signal Fig. 5 stellt in schematischer Vereinfachung den Strahlengang
des Lichtes dar, welches zur Abbildung einer Justiermarke des Werkstückes auf den am Maskenrahmen befestigten
Detektor führt.
In Fig. 1 sind die wesentlichen Teile einer Einrichtung zum partiellen Belichten eines Halbleitersubstrats dargestellt.
Das Werkstück 3 liegt hiezu auf einem Tragtisch 6, der als Schlitten ausgebildet und parallel zur mit Y bezeichneten
Richtung verschiebbar ist. Er wird durch einen Schlitten 5 getragen, der seinerseits in X-Richtung verstellt werden
kann. Kontrolliert werden diese Bewegungen durch Interferometer 12 und 13, welche Teil eines an sich bekannten
Laser-Interferometers mit dem.Laser 10 und dem Strahlteiler
11 bilden. Die Belichtung des Werkstückes 3 erfolgt, indem ein iYluster der Maske 2 über d.e.n Umlenkspiegel 4 und das
Projektionsobjektiv 1 auf das Werkstück projiziert wird.
Während dieses Belichtungsvorganges, welcher den auf dem Werkstück 3 befindlichen Photolack entsprechend dem Muster
der Maske verändert, befinden sich sowohl die Spiegel 24 und 15, wie auch der Spiegel 25, welche lediglich zur Einstellung
der gegenseitigen Lage von Maske 2 und Werkstück 3 dienen, außerhalb des Strahlenganges des Belichtungslichtes.
Um das Werkstück 3 gegenüber der Maske 2 auszurichten, sind sowohl auf der Maske Marken 27 als auch auf dem Werkstück
Marken 9 angebracht. Weitere Marken befinden sich auf der mit dem Tragtisch 6 verbundenen Justierplatte 8 und das
Zentrum des Detektors 16, welcher an der Unterseite des Rahmens 17 der Maske 2 angebracht ist, kann ebenfalls als
Marke aufgefaßt werden.
Die gegenseitige Ausrichtung der Maske 2 und des Werkstückes 3 mittels der dargestellten Einrichtung erfolgt, indem zunächst
die Marken 27 der Maske 2 mittels Justierlicht, das von einer nicht dargestellten Lichtquelle hinter
der Maske 2 kommt, auf die Justierplatte 8 abgebildet wird. Diese wird hiezu unter das Projektionsobjektiv 1 geschoben.
Details dieses an sich bekannten Justiervorganges werden anschließend anhand von Fig. 2-4 erläutert.
Nach der Ausrichtung der Maske 2 relativ zur Justierplatte 8 werden die Spiegel 24 und 15 mittels der Schwenkeinrichtung
14 und der Spiegel 25 mittels einer ähnlichen, aus Übersichtsgründen nicht dargestellten, Schwenkeinrichtung in die
in Fig. 1 dargestellte Position gebracht. Eine im Zentrum der Justierplatte 8 angebrachte Marke wird daraufhin mittels
des Justierlasers 7 über den Umlenkspiegel 25 und das Projektionsobjektiv 1 belichtet. Der Spiegel 25 ist elliptisch,
wodurch seine Projektion in Richtung der optischen Achse kreisförmig ist. Das von der Marke auf der Justierplatte 8
direkt reflektierte Licht gelangt nun in einer später anhand
von Fig. 5 genauer beschriebenen Weise nur insoweit über die Spiegel 24 und 15 zum Detektor 16, als es nicht vom Umlenkspiegel
25 ausgeblendet wird. Der Detektor 16 ist positionsempfindlich, d.h. das von ihm abgegebene Signal liefert eine
Anzeige dafür, wie genau das auftreffende Licht mit dem
Zentrum des Detektors zusammenfällt.
Da die relative Lage der bei den beschriebenen Vorgängen verwendeten Marken auf der Justierplatte 8 bekannt ist,
wird durch die Ausrichtung der Maske 2 zur Justierplatte 8 und durch die Feststellung der Relativlage des Detektors 16
zur Justierplatte 8 die Relativlage von Maske 2 und Rahmen 17
eindeutig festgelegt. Falls dabei der Tragtisch 6 oder der Rahmen 17 samt der Maske 2 bewegt werden müssen, werden die
entsprechenden Verschiebungen durch das Laser-Interferometer 10 - 13 oder durch die Längentaster 21 - 23, welche die Lage
des Rahmens parallel zu den Rahmenkanten und in Drehrichtung festhalten, registriert und gespeichert. Die Ausrichtung des
Werkstückes 3 kann nun erfolgen, indem die Justiermarken 9 auf dem Werkstück 3 unter das Projektionsobjektiv 1 gefahren
werden. Die genaue Ausrichtung des Werkstückes 3 erfolgt dann nicht durch Verschiebungen der Schlitten 5 und 6, die
wegen der Verkleinerungswirkung des Projektionsobjektivs äußerst klein sein müßten, sondern durch Verschiebung des
Rahmens 17 mittels der Antriebe 18 - 20. Diese verändern die Lage des Rahmens 17 parallel zu seinen Kanten sowie dessen
Winkellage in der Rahmenebene so lange, bis das von der Justiermarke 9 auf dem Werkstück 3 gestreute Licht auf den
Detektor 16 zentriert ist. Diese Zentrierung erfolgt ebenfalls unter Belichtung durch den Laser 7, wobei der Umlenkspiegel
25 wiederum die direkt reflektierten Strahlen ausblendet. Wie erwähnt, dient zur an sich konventionellen
gegenseitigen Ausrichtung von Maske 2 und Justierplatte 8, welche den ersten Schritt des beschriebenen Justiervorganges
bildet, eine Justierplatte 8, wie sie in Fig. 2 im einzelnen dargestellt ist. Es handelt sich um eine Glasplatte,
deren Kantenlänge beispielsweise 10 mm betragen kann und deren Dicke in der Größenordnung von 1 mm liegt. Auf
dieser Glasplatte befindet sich eine 0,5 μηη dicke Chromschicht in welche lieh tdurchlässige Zonen 26 eingeätzt
sind» auf welche die Ausnehmungen 27 der Maske 2 durch das Projektionsobjektiv 1 abgebildet werden sollen. Die Breite
der lichtdurchlässigen Zonen 26 kann beispielsweise 1,5 ρ betragen, deren Länge 2 mm. Die Abmessungen der zugehörigen
Ausnehmungen 27 der Maske sind bei einem Projektionsverhältnis von 10 : 1 natürlich zehnmal größer.
AO
Die bei der Dunkelfeldjustierung verwendete Marke 29 auf der Justierplatte 8 wird erst in Zusammenhang mit Fig. 5 im
Detail beschrieben.
Die direkte Ausrichtung der Ausnehmungen 27 der Maske 2 und der Marken 26 auf der Justierplatte 8 erfolgt beispielsweise
mittels der bekannten Einrichtung nach Fig. 3, indem ein Paar von Spiegeln 30,38 in jenen Bereich geschwenkt wird,
welcher bei der Projektionsbelichtung des Substrats 3 freigehalten werden muß, um den Belichtungsvorgang nicht zu stören.
Justierlicht, welches typischerweise eine Wellenlänge von 547 oder 578 nm aufweist und daher den Photolack auf dem
Substrat 3 nicht wesentlich beeinflußt, wird auf ein Fenster 27 in der Maske 2 gerichtet. Das Justierlicht gelangt über
den halbdurchlässigen Spiegel 38 und den Umlenkspiegel 30 durch das Projektionsobjektiv 1 auf die Justierplatte 8.
Wird nun auf deren Marken 26 ein Fenster 27 in der Maske projiziert, entsteht das Urbild des in Fig. 4 dargestellten
Musters auf der Justierplatte 8. Dieses wird mittels des Spiegels 30 durch den halbdurchlässigen Spiegel 38 hindurch
auf den Drehspiegel 36 geworfen. Dieser dreht sich um die Achtie 37 , wodurch das rückprojizierte Bild 27" der Marke
und das Bild 26' der Marke 26 über die Detektorebene 41 des Detektors 31 geführt wird, v/elche einen Spalt 42 aufweist.
Über eine Linse 40 wird der Spalt 42 auf einen Sensor 39 abgebildet, welcher ein der empfangenen Lichtstärke proportionales
elektrisches Signal abgibt. Das in Fig. 4 dargestellte Bild wird dabei in Querrichtung überstrichen. Das entsprechende
Signal steigt zunächst an, wenn das rückprojizierte
Bild des Fensters 27 in den Bereich des Spaltes 42 gelangt und sinkt nach der Zeit t. ab, wenn das Bild der
Marke 26 den Spalt 42 verdunkelt. Aus dem Verhältnis ^1:t?
läßt sich die Abweichung der Marke 26 von der Ideallage bestimmen, in welcher diese Marke genau in der Mitte des
Bildes 27' des Fensters 27 auf der Justierplatte 8 liegt.
Die Bestimmung der Lage des Detektors 16 relativ zur Justierplatte
8 erfolgt in gleicher Weise wie die Bestimmung der Lage des Werkstückes 3 relativ zum Detektor 16. Was bei der
folgenden Beschreibung von Fig. 5 im Zusammenhang mit der Justiermarke 9 auf dem Werkstück 3 gesagt wird, gilt also
in gleicher Weise für die Marke 29 auf der Justierplatte 8.
Beim Justiervorgang erfolgt die Belichtung der Marke 9 mittels Justierlichtes, das von einem He-Ne-Laser 7 ausgeht,
wobei der Lichtstrahl zunächst durch eine optische Einrichtung 33 verbreitert und dann durch einen kleinen Umlenkspiegel
25 in die Richtung der optischen Achse des Projektionsobjektivs 1 umgelenkt wird. Das vom Laser 7 kommende Licht
fällt als paralleles Strahlenbündel auf die Marke 9 und wird von dieser einerseits reflektiert, andererseits gestreut.
In der Ebene des Umlenkspiegels 25 entsteht dadurch das in Fig. 5 vereinfacht dargestellte Beugungsbild,
dessen nullte Ordnung mittels des Spiegels 25 ausgeblendet wird. Damit diese Ausblendung symmetrisch erfolgt, ist der
schräggestellte Spiegel 25 elliptisch ausgebildet. Das von der Marke 29 in den achsfernen Bereich des Projektionsobjektivs 1 gestreute Licht fällt innerhalb des vom Spiegel
25 erzeugten Dunkelfeldes auf den Detektor 16.
Wenn die Marke 9 so wie in der Darstellung nach Fig. 5 durch ein quadratisches Muster gebildet ist, ist auch ihr Abbild
35 auf dem Detektor 16 quadratisch. Von jedem der vier Quadranten der Diode 16 wird nun ein Signal ausgesandt,
welches von der Lichtstärke und der Größe der belichteten Fläche abhängt. Die Marke 9 ist dann in bezug auf die Diode
ausgerichtet, wenn die Signale, die von den einzelnen Quadranten 34 ausgesandt werden, gleich groß sind.
Wie erwähnt, besteht ein besonderer Vorteil der Erfindung darin, daß die Ausrichtung der Maske 2 zum Wafer 3 mit einer
Verschiebung der Maske 2 abgeschlossen werden kann. Hiezu
ist es nur nötig, zur Ausrichtung des Detektors 16 gegenüber der Marke 9 den Detektor 16 zu verschieben, welcher ja an
dem die Maske 2 tragenden Rahmen 17 befestigt ist.
Um eine möglichst hohe Lichtstärke der Abbildung 35 zu erhalten, empfiehlt es sich, die Marken 9 bzw. 29 in der in
Fig. 5 dargestellten Weise als Gitter mit sich kreuzenden Linien auszubilden, doch ist die Erfindung nicht auf diese
besondere Art von Marken eingeschränkt.
- Leerseite -
Claims (5)
1. Vorrichtung zum Projektionskopieren von Masken auf ein
Werkstück, insbesondere auf ein Halbleitersubstrat zur Herstellung von integrierten Schaltungen, wobei die
Muster der Masken über ein Projektionsobjektiv ein- oder mehrmals auf einer photoempfindlichen Schicht des
Werkstückes abgebildet werden, und Maske und Werkstück relativ zueinander ausgerichtet werden, indem Ausrichtmuster
der Maske und Justiermarken des Werkstückes dadurch in eine vorbestimmte räumliche Zuordnung gebracht
werden, daß zunächst die Relativlage eines
Detektors sowie des Ausrichtmusters
der Maske zu mindestens einer auf dem Tragtisch für das Werkstück angeordneten Referenzmarke bestimmt und dann
die Justiermarke des Werkstückes auf den Detektor
abgebildet wird, dadurch gekennzeichnet, daß die Abbildung der Justiermarke (9) des Werkstückes
(3) auf den Detektor (16) durch das Projektionsobjektiv (1) hindurch erfolgt, wobei die direkt reflektierten
Strahlen des die Justiermarke (9) sichtbar machenden Lichtes ausgeblendet werden, und daß der
positionsempfindliche Detektor an der Unterseite des die Maske (2) tragenden Rahmens (17) angeordnet ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Justiermarken (9) des Werkstückes (3) als
Beugungsgitter mit sich kreuzenden Linien ausgebildet sind.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
daß der Detektor (16) als Quadrantendiode ausgebildet ist.
4. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Belichtung der Justiermarke (9)
des Werkstückes (3) über einen Umlenkspiegel (25) erfolgt, welcher das Zentrum des von der Justiermarke (9) ausgehenden
Lichtkegels ausblendet.
5. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß durch ein Paar von Spiegeln (15,24) der Unterschied der Brennweite des Projektionsobjektivs
(1) bei Justierlicht und Belichtungslicht kompensiert wird.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843402178 DE3402178A1 (de) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | Vorrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck |
US06/656,876 US4619524A (en) | 1984-01-23 | 1984-10-02 | Device for the projection copying of masks |
JP60009338A JPS60164325A (ja) | 1984-01-23 | 1985-01-23 | 半導体基板にマスクを投影コピーする装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843402178 DE3402178A1 (de) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | Vorrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3402178A1 true DE3402178A1 (de) | 1985-07-25 |
Family
ID=6225653
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19843402178 Withdrawn DE3402178A1 (de) | 1984-01-23 | 1984-01-23 | Vorrichtung zum projektionskopieren von masken auf ein werkstueck |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4619524A (de) |
JP (1) | JPS60164325A (de) |
DE (1) | DE3402178A1 (de) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4888614A (en) * | 1986-05-30 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Observation system for a projection exposure apparatus |
JPS63304624A (ja) * | 1987-06-03 | 1988-12-12 | Hitachi Ltd | 縮小投影露光装置 |
JP2613901B2 (ja) * | 1987-12-17 | 1997-05-28 | 九州日本電気株式会社 | 縮小投影型露光装置 |
JPH03200317A (ja) * | 1989-12-27 | 1991-09-02 | Rohm Co Ltd | マスクアライメント装置 |
JPH04129229U (ja) * | 1991-05-17 | 1992-11-25 | 積水化学工業株式会社 | 這樋落し口の接続構造 |
JP2530080B2 (ja) * | 1992-03-14 | 1996-09-04 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置の評価装置およびその評価方法 |
JP6606479B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2019-11-13 | 株式会社ブイ・テクノロジー | マスク保持装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2900921C2 (de) * | 1979-01-11 | 1981-06-04 | Censor Patent- und Versuchs-Anstalt, 9490 Vaduz | Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück |
US4405229A (en) * | 1981-05-20 | 1983-09-20 | Censor Patent- Und Versuchs-Anstalt | Method of projecting printing on semiconductor substrate and workpiece including such substrate |
-
1984
- 1984-01-23 DE DE19843402178 patent/DE3402178A1/de not_active Withdrawn
- 1984-10-02 US US06/656,876 patent/US4619524A/en not_active Expired - Fee Related
-
1985
- 1985-01-23 JP JP60009338A patent/JPS60164325A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4619524A (en) | 1986-10-28 |
JPS60164325A (ja) | 1985-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69133544T2 (de) | Vorrichtung zur Projektion eines Maskenmusters auf ein Substrat | |
DE2651430C3 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Ausrichten eines Maskenmusters in bezug auf ein Substrat | |
DE1919991C3 (de) | Anordnung zur automatischen Aus richtung von zwei aufeinander einzu justierenden Objekten | |
DE60113154T2 (de) | Lithographisches Herstellungsverfahren mit einem Überdeckungsmessverfahren | |
DE2819400C2 (de) | ||
DE69817491T2 (de) | Lithographisches belichtungsgerät mit einer ausserhalb der belichtungsachse liegenden ausrichtungsvorrichtung | |
DE2905636C2 (de) | Verfahren zum Kopieren von Masken auf ein Werkstück | |
DE3512064C2 (de) | Gerät zur Messung von Überdeckungsfehlern | |
DE60113153T2 (de) | Verfahren zur Messung der Ausrichtung eines Substrats bezüglich einer Referenz-Ausrichtmarke | |
DE2802416A1 (de) | Optische vorrichtung | |
DE112006001713B4 (de) | Winkelmessvorrichtung und -verfahren | |
DE2260229C3 (de) | ||
DE3114682A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausrichten von einander beabstandeter masken- und waferelementen | |
DE10154125A1 (de) | Messverfahren und Messsystem zur Vermessung der Abbildungsqualität eines optischen Abbildunsgssystems | |
DE2536263A1 (de) | Anordnung zum orten von teilen, zum ausrichten von masken und zum feststellen der richtigen ausrichtung einer maske | |
DE3213338C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Justieren eines Substrates, insbesondere eines Halbleiterwafers | |
DE2900921C2 (de) | Verfahren zum Projektionskopieren von Masken auf ein Werkstück | |
EP0002668B1 (de) | Einrichtung zur optischen Abstandsmessung | |
DE2845603A1 (de) | Verfahren und einrichtung zum projektionskopieren | |
DE2439987A1 (de) | Verfahren zum ausrichten von objekten durch elektrooptische vorrichtungen | |
DE102009019140A1 (de) | Verfahren und Kalibriermaske zum Kalibrieren einer Positionsmessvorrichtung | |
DE69838564T2 (de) | Detektor mit mehreren Öffnungen für die Photolithographie | |
EP0025036B1 (de) | Verfahren zur scharfeinstellung eines maskenbildes auf ein werkstück | |
DE2854057A1 (de) | Ebenheits-messeinrichtung | |
DE2539206A1 (de) | Verfahren zur automatischen justierung von halbleiterscheiben |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: PERKIN-ELMER CENSOR ANSTALT, VADUZ, LI |
|
8128 | New person/name/address of the agent |
Representative=s name: LORENZ, E. SEIDLER, B. SEIDLER, M. GOSSEL, H., DIP |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |