DE2439987A1 - Verfahren zum ausrichten von objekten durch elektrooptische vorrichtungen - Google Patents

Verfahren zum ausrichten von objekten durch elektrooptische vorrichtungen

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Description

Aktenzeichen der Anmelderin:
FI 973 006
Verfahren zum Ausrichten von Objekten durch elektrooptische Vorrichtungen . .
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ausrichten von Objekten durch elektrooptische Vorrichtungen mit Hilfe von Signalen, die durch an reliefartigen Ausrichtmarkierungen reflektiertes Licht erzeugt werden.
Stand der Technik
Auf vielen Gebieten der Technik, beispielsweise auf den Gebieten der Farbdrucktechnik oder bei der Herstellung integrierter Schaltungen müssen zwei oder mehr Objekte aufeinander ausgerichtet werden. Zur Erhöhung der Genauigkeit und der Arbeitsgeschwindigkeit erfolgt die Ausrichtung vollautomatisch mit Hilfe photoelektrischer Vorrichtungen. Bei der automatischen Ausrichtung von Masken auf mit Photolack überzogene Halbleiterplättchen werden durch das an den auszurichtenden Objekten reflektierte bzw. durchgelassene Licht elektrische Signale erzeugt,, die Anordnungen zur selbsttätigen Ausrichtung steuern. Bei der Ausrichtung von Belichtungsraasken auf die zu belichtenden, mit Photolack überzogenen Halbleiterplättchen sind sowohl auf den Masken als auch auf den Halbleiterplättchen als besondere Muster ausgebildete
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Markierungen vorgesehen, die beispielsweise aus einem in das Halbleiterplättchen beim ersten Belichtungs- und Ätzschritt eingeätzten reliefartigen Muster bestehen. Bei diesen Verfahren wird ein mit einer Oxydschicht überzogenes Halbleiterplättchen mit einer Photolackschicht versehen und durch eine erste Maske hindurch belichtet, die neben den im ersten Verfahrensschritt auf das Halbleiterplättchen aufzuzeichnenden Mustern auch weitere zur Ausrichtung in den folgenden Verfahrensschritten dienende Markierungsmuster enthält. Anschließend wird der Photolack entwickelt, um in den belichteten Bereichen die Oxydschicht freizulegen, die anschließend in diesen Bereichen geätzt wird. Dabei entstehen neben den im ersten Verfahrensschritt gewünschten Linienelementen der herzustellenden integrierten Schaltung auch die zur Ausrichtung in den nachfolgenden Verfahrensschritten erforderlichen Markierungen in Form eines als Relief ausgebildeten Musters. Da bei der Herstellung von integrierten Schaltungen die verwendeten Halbleiterplättchen in einer Vielzahl von aufeinanderfolgenden Schritten mit verschiedenen, beispielsweise aus Oxyden und Nitriden bestehenden Schichten überzogen werden, deren oberste in jedem Verfahrensschritt erneut mit einer durch eine Maske zu belichtenden Photolackschicht bedeckt wird, können bei der Ausrichtung mit Hilfe einer Strahlung mit einer Wellenlänge, die von der Wellenlänge der belichtenden Strahlung verschieden ist, durch die die reliefartigen Markierungen bedeckenden Schichten Störungen auftreten, die die Genauigkeit der Ausrichtung in Frage stellen. So ist es z.B. möglich, daß die Intensität der reflektierten Strahlen beim Durchtritt durch die in den einzelnen Schichten auftretenden Interferenzen verändert wird. Diese dünnen dielektrischen Schichten, die unterschiedliche Dicken und Materialzusammensetzungen aufweisen, bilden für den zur Ausrichtung verwendeten Lichtstrahl einen komplexen optischen Weg. Die nach dem zweimaligen Durchtritt des ausrichtenden Strahles erzeugten elektrischen Signale sind daher oft zu einer genauen Ausrichtung ungeeignet.
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Aufgabe
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum gegenseitigen Ausrichten von zwei oder mehreren Objekten anzugeben, die zum Zwecke der Ausrichtung mit reliefartigen Markierungsmustern versehen sind und die im Verlaufe eines wiederholte Ausrichtungen erfordernden Verfahrens mit mehreren teils durchsichtigen, teils undurchsichtigen Schichten überzogen werden. Diese Aufgabe wird durch das im Anspruch 1 angegebene Verfahren gelöst.
Vorteile
Das erfindungsgemäße Verfahren hat gegenüber dem bekannten Stand der Technik den Vorteil, daß die zur Ausrichtung verwendete Strahlung durch die die reliefartigen Markierungen überziehenden dünnen Schichten in keiner Weise beeinflußt wird, so daß eine Erschwerung des AusrichtungsVorganges oder dessen Genauigkeit nicht eintritt. Bei der Ausrichtung von Masken und mit einer Photolackschicht überzogenen Halbleiterplättchen zur Herstellung von integrierten. Schaltungen wird die gemäß der Erfindung auf die Photolackschicht aufgebrachte reflektierende Schicht so ausgewählt, daß sie für Strahlungen mit den zur Ausrichtung verwendeten Wellenlängen reflektierend, für Strahlungen mit den zur Belichtung der Photolackschicht verwendeten Wellenlängen jedoch vollständig durchlässig ist. Da die bei der Herstellung von Halbleiterelementen auf die Halbleiterplättchen in den einzelnen Verfahrensschritten aufgebrachten Schichten im allgemeinen nur Bruchteile von ji dick sind, wird durch die für die ausrichtende Strahlung reflektierende Schicht die Form und die Größe der reliefartigen Markierungsmuster nur so geringfügig verändert, daß die Ausrichtgenauigkeit in keiner Weise beeinträchtigt wird,
Erläuterung der Erfindung
Die Erfindung wird anhand der Figuren erläutert.
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24399a?
£» zeigen:
Fig. 1 die schematische Darstellung einer Vorrichtung
zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens ,
Fign. 2,3 u. 4 Schnitte durch ein Halbleiterplättchen mit
Ausrichtmarkierungen und den in aufeinanderfolgenden Verfahrensschritten aufgebrachten Schichten,
Fig. 5 den Verlauf des prozentualen Anteils der Reflexion an einem mit einer Oxydschicht und einer Photolackschicht überzogenen, aus Silizium bestehenden Halbleiterplättchen als Funktion der Wellenlänge,
Fig. 6 den Verlauf des prozentualen Anteils der Reflexion an einem mit einer Oxydschicht, einer Photolackschicht und einer zusätzlichen Schicht überzogenen, aus Silizium bestehenden Halbleiterplättchen als Funktion der Wellenlänge,
Fig. 7 ein die bei der Ausrichtung eines mit einer
Oxydschicht und einer Photolackschicht überzogenen Halbleiterplättchen entstehenden Signale darstellendes Oszillogramm,
Fig. β ein die bei der Ausrichtung eines mit einer
Oxydschicht, einer Photolackschicht und einer reflektierenden Schicht gemäß der Erfindung überzogenen Halbleiterplättchens entstehenden Signale darstellendes Oszillogramm.
Bei der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrene erfolgt die Ausrichtung mit Hilfe
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monochromatischen Lichtes. Ein mit einer Photolackschicht überzogenes Halbleiterplättchen 11, das durch eine Maske 13 hindurch belichtet werden soll, wird an zwei Punkten 12 und 14 durch die von einer Lichtquelle 15 ausgehende monochromatische kollimierte Strahlung beleuchtet. Die Wellenlänge der zur Ausrichtung dienenden Strahlung ist so gewählt, daß eine vorzeitige Belichtung der Photolackschicht nicht stattfindet. Diese Strahlung1 durchsetzt die Kondensorlinsen 17A und 17B, wird an den als halbversilberte Spiegel und Filter ausgebildeten Elementen 19A und 19B reflektiert, durchsetzt die Objektivlinsen 21A und 21B und wird von der Oberfläche des Halbleiterplättchens 11 durch diese Linsen zurückreflektiert, die in ihrer rückwärtigen Brennebene 23, in der sich die Elemente 19A und 19B befinden, ein Frauhofer1 sches Beugungsmuster erzeugen. Die undurchsichtigen Flächen 25A und 25B der Elemente 19A und 19B unterdrücken alle von den zu übertragenden Hustern stammenden X-Y-Linien und lassen im wesentlichen nur die Abbildungen der Linien 27 der Ausrichtmuster durch. Die gefilterten Abbildungen werden am Spiegel 29 reflektiert, um vergrößerte räumliche Abbildungen der Linien 27 in den Bereichen 3OA und 3OB zu erzeugen, die durch Linsen 31A und 31B weiter vergrößert und an ersten, auf einer durch einen Motor 37 angetriebenen Achse 35 befindlichen Spiegeln 33A und 33B reflektiert werden. Die Linsen 21A, 21B, 31A und 31B sind die Elemente von zwei zusammengesetzten Mikroskopen. Die Abbildungen der Linien werden durch Schlitze 39A, 39B, 39C und 39D durch die rotierenden Spiegel 33A und 33B abgetastet. Jeder Spalt liegt parallel zu den Linien des abtastenden Musters, um ein Maximum an Empfindlichkeit sicherzustellen. Parallel mit den abzutastenden Linien ausgerichtete Glasfaserbündel übertragen die Abbildungen zu einen Photomultiplayer 41. '
Kreuzt die Abbildung einer Linie die zugeordneten Spalten, so erzeugt der Photomultiplayer 41 Signale. Im vorliegenden Fall erzeugen aus zwei Gruppen von jeweils drei parallelen Linien mit unterschiedlichen Abständen bestehende Ausrichtmuster jede einzelne Signalgruppe. Der richtige Zeitpunkt des Kreuzens
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einer Linie wird durch die Signalfrequensänderung bestimmt, die durch einen Computer 43 ermittelt werden. Die Referenzzeit null wird wiederholbar durch einen nicht dargestellten, auf der Achse 35 angeordneten optischen Verschlüssler bestimmt, der das Starten von nicht dargestellten Zählern bewirkt, die bei jeder Umdrehung der Achse 35 bei der gleichen Drehlage von null an zu zählen beginnen. Die Zeiten werden im Computer 43 aufgezeichnet und gespeichert. Anschließend wird die Lage des Halbleiterplättchens errechnet und gespeichert. Der gleiche Vorgang wird für die oberhalb des Halbleiterplättchena 11 in einem nicht dargestellten Halter befestigte Maske 13 wiederholt. Das Halbleiterplättchen 11 wird so lange verschoben, bis die durch das Halbleiter plättchen erzeugten Signale mit den durch die Maske 13 erzeugten Signale übereinstimmen. Die Positionierung des HaIbleiterplättchens 11 erfolgt mit Hilfe eines Einstelltisches 45, der aus einer auf nicht dargestellten Walzenlagern um zwei Punkte drehbaren Platte 47 besteht. Vom Computer 43 gesteuerte Servomotoren 49, 51 und 53 bewegen das Halbleiterplättchen 11 schrittweise so lange, bis die durch die Ausrichtlinien 27 auf dem Halbleiterplättchen.11 erzeugten Signale innerhalb vorbestimmter Toleranzen mit den durch die entsprechenden Linien der Maske 13 erzeugten Signalen übereinstimmen. Ist dies der Fall, so wird die Photolackschicht auf dem Halbleiterplättchen 11 in an sich bekannter Weise durch die Maske 13 hindurch belichtet. Selbstverständlich ist es auch möglich, mit Hilfe des erfindungsgemäfien Verfahrens, auch andere Gegenstände als Masken und Halbleiterplättchen aufeinander auszurichten.
In den Fign. 2, 3 und 4 werden die Verhältnisse bei der Abtastung von reliefartigen Markierungen mit und ohne überzügen veranschaulicht. In Fig. 2 ist ein Halbleiterplättchen 110 mit einer Siliziumdioxydschicht 113 bedeckt. Ausricht-Markierungen 115 und 117 sind in die Schicht 113 eingeätzt und bilden ein reliefartiges Muster. Durch die mit 19 bezeichneten Linien wird eine monochromatische kollimierte, zum Ausrichten des Halbleiterplättchens dienende Strahlung angedeutet, die am Halbleiter-
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plättchen 110 reflektiert wird. Die Beugung der auf Kanten 121, 122, 123 und 124 auftreffenden Strahlung führt zu einer Änderung der Strahlungsintensität, so daß bei Abtastung eines Reliefmusters die am Ausgang des Photodetektors auftretenden Signale ihre Amplitude ändern. Diese Signale werden, wie im Zusammenhang mit der Beschreibung der Fig. 1 angegeben, mit bei der Abtastung einer Maske entstehenden Signalen verglichen und bewirken eine korrekte Ausrichtung von Maske und Halbleiterplättchen.
In Fig. 3 werden die Verhältnisse wiedergegeben, die entstehen, wenn die ausrichtende Strahlung eine Photolackschicht 127 und eine zusätzliche dielektrische Schicht 125 durchsetzdr. Die Reflexionen der Strahlen 119 an den verschiedenen Flächen und Kanten erzeugen einen komplexen optischen Weg für die auftretende Strahlung, so daß zahlreiche Interferenzen zwischen den einzelnen Strahlen entstehen. Die Muster auf den einzelnen xu verarbeitenden Halbleiterplättchen sind in einem gewissen Umfang voneinander verschieden und die durch die Ausrichtmarkierungen bedingten Änderungen der reflektierten Intensitäten werden unter Umständen so geringfügig sein, daß keine brauchbaren Signale am Ausgang des Photomultiplayers entstehen können.
Fig. 4 stellt einen Schnitt durch ein Halbleiterplättchen dar, bei dem außer den in Fig. 3 dargestellten Schichten gemäß der Erfindung eine zusätzliche Schicht 129 aufgebracht wurde. Diese Schicht befindet sich auf der Photolackschicht 127. Die Dicke dieser Schicht ist so bemessen, daß die Umrisse des Reliefs der Ausrichtmarkierungen 115 und 117 erhalten bleiben. Das Material dieser Schicht ist so gewählt, daß ein genügender Anteil der zur Auerichtung verwendeten Strahlung zu den die Ausrichtung bewirkenden Elementen reflektiert wird, um ein eindeutiges elektrisches Steuersignal zu erzeugen. Gleichzeitig wird der Anteil der auffallenden Strahlung, der in oder durch die Schicht 129 dringt, in den Schichten 129, 127, 125 und 113 absorbiert. Das hat zur Folge, daß nur die an der Schicht 129 reflektierte Strahlung an dem durch den Photömultiplayer er-
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zeugten elektrischen Signal beteiligt ist, während alle anderen diese Schicht verlassenden Strahlungen vernachlässigbar sind. Die reflektierende Schicht 129 bewirkt somit, daß die ausrichtende Strahlung 119 auf ein reliefartiges Muster fällt, das von keinen reflektierenden, absorbierenden oder sonst das durch die reflektierte Strahlung erzeugte Signal verfälschenden Schichten bedeckt ist. Das Material der Schicht 129 ist außerdem so gewählt, daß es Strahlungen mit den zur Belichtung der Photolackschicht benötigten Wellenlängen möglichst ungehindert durchläßt.
Die reflektierende Schicht 129 kann sowohl aus organischen als auch aus anorganischen Verbindungen bestehen. Besonders vorteilhaft sind organische Farben, beispielsweise Rhodamin B (C00H01ClN0 O3J, Erythrosin oder Wasserblau. Es können aber auch Metallschichten aus Aluminium, Gold oder Silber verwendet werden. Die Auswahl des erforderlichen Materials hängt von einer Anzahl von Faktoren ab. Die wichtigsten dieser Faktoren sind die Wellenlängen der zur Ausrichtung und zur Belichtung verwendeten Strahlungen. Die überzüge müssen eine genügend hohe Reflektivität aufweisen, um verwertbare Signale erzeugen zu können. Das hat zur Folge, daß, je empfindlicher die die Ausrichtsignale erzeugenden optischen Elemente sind, desto geringere Anforderungen an die Reflektivität der Deckschicht gestellt werden können. Das Material der Deckschicht muß auch für die Wellenlängen der zum Ausrichten verwendeten Strahlung genügend undurchlässig sein, so daß alle diese Schicht durchsetzenden und an den darunterliegenden Schichten oder am Halbleiterplättchen reflektierten Strahlungsanteile beim zweiten Durchgang in dieser Schicht absorbiert werden. Bei Verwendung von Photolack muß das Material der Deckschicht genügend durchlässig für die die Belichtung bewirkenden Wellenlängen sein, damit zu lange Belichtungszeiten vermieden werden können. Die Durchlässigkeit spielt dagegen keine Rolle, wenn keine lichtempfindlichen Schichten verwendet werden oder wenn die reflektierenden Schichten unterhalb der Photolackschicht 127 angeordnet sind. Im Idealfall sollte die Schicht 129 100 % reflektierend für die ausrichtende Strahlung und 100 %
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durchlässig für die zur Belichtung des Photolacks verwendete Strahlung sein.
Aufgrund der oben gemachten Angaben ist ein Fachmann jederzeit in der Lage, die geeigneten Substanzen auszuwählen. Beispielsweise wird bei der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung eine aus Rhodamin B (C_OH_,ClN0O-) bestehende Schicht bei einer Strahlung mit einer Wellenlänge von 5145 A eine Reflektivität von 16 % und eine Absorbtion von 54 %, und bei einer Wellenlänge von 4358 8 eine Durchlässigkeit von 85 % aufweisen. Die einzelnen Schichten können in an sich bekannter Weise mit Lösungen durch Tauchen oder Schleudern aufgebracht werden. Im Falle von Metallschichten kann die Aufbringung mittels Aufdampfen oder Elektrolyse erfolgen. Die optischen Eigenschaften der Schichten ändern sich auch mit den Schichtdicken. So wir.d beispielsweise die Ref lektivität einer C28H31ClN2O -Schicht sich bei einer Wellenlänge von 5145 8 von 20% bei einer Dicke von 500 8 zu 15 % bei einer Dicke von 2000 8 ändern. Es hat sich erwiesen, daß Schichten mit Dicken von 500 8 bis 2000 8 bei den zur Ausrichtung verwendeten Wellenlängen genügend Absorption und Reflektivität aufweisen, ohne daß die Formen der von ihnen bedecken Reliefmuster verfälscht werden. Gleichzeitig ist ihre Durchlässigkeit für die zur Belichtung der Photolackschicht verwendeten Wellenlängen genügend gut.
Die optischen Eigenschaften verschiedener als Deckschichten verwendbarer Materialien, sind in Tabelle I aufgelistet. Dabei ist. die Wellenlänge der zur Ausrichtung verwendeten Strahlung 3650 8 und die Wellenlängen der zur Belichtung der Photolackschicht verwendeten Strahlung 4358 8. .
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TABELLE I
Optische Eigenschaften von als Deckschichten verwendbaren
Materialien
Material:
Dicke:
Erythrosin Aluminium
800 £
800 50 S
Bei Belichtungswellenlängen von
X = 3650 8 Tk = 4047 S /λ = 4358 Durchlässig- Durchlässig- Durchlässigkeit keit keit
74 %
82 %
83 % 89 %
85 %
39 % 35 % Bei Ausrichtwellenlängen von
X = 5145 S \ = '5445 £
Durchlässig- Reflektivität keit
%
%
%
%
%
%
973 K)
CO CD CD OO
Aus den Fign. 5 und 6 ergeben sich zusätzliche Vorteile der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren auszubringenden Deckschicht. Fig. 5 zeigt die Reflektivität eines, mit einer Siliziumdioxydschicht von 5000 α Dicke und einer Photolackschicht von 10 000 Ä Dicke überzogenen Halbleiterplättchehs. Fig. 6 ist eine entsprechende Darstellung, bei der jedoch die Photolackschicht mit einer 800 8 dicken Schicht von C28H31C^N2°3 ®°erzo<3en ist. Die gestrichelten senkrechten Linien stellen ein zur Ausrichtung dienendes Energiespektrum dar, das, selbst in einem monochromatischem System, aus einem Lichtband mit verschiedenen Wellenlängen besteht. Wie aus Fig. 5 ersichtlich, verändert sich die Energie der reflektierten Strahlung ganz wesentlich als Funktion der Wellenlänge. Demgegenüber ist bei der Darstellung nach Fig. 6, die die Verhältnisse beim Vorliegen einer Deckschicht wiedergibt, die Reflektivität nahezu konstant. Ein weiterer Vorteil der Erfindung liegt somit auch darin, daß die periodischen Energieänderungen innerhalb des Ausrichtenergiespektrums verringert werden.
Mit der in Fig. 1 dargestellten Vorrichtung wurde ein Siliziumhalbleiterplättchen auf eine Maske ausgerichtet, um eine Belichtung einer Photolackschicht in einem zweiten'Verfahrensschritt durchzuführen. Das Silizium-Halbleiterplättchen war mit einer 5OOO-6OOO Ä dicken Siliziumoxydschicht überzogen, in der Ausrichtmuster eingearbeitet waren. Diese Muster bestanden aus Ausnehmungen in der Oxydschicht, deren Grundfläche etwa 2000 S unter der Fläche der umgebenden Oxydschicht lag. Die Siliziumdioxydschicht war mit einer etwa 10 000 A dicken Photolackschicht überzogen, um eine 900 8-Stufe über den Ausrichtmustern zu erzeugen. In einigen Fällen ergaben sich bei der Abtastung befriedigende Ausrichtsignale. In vielen Fällenergaben sich aber, wie aus dem in Fig. 7 dargestellten Oszillogramm hervorgeht, ungenaue Signale mit sehr geringen Amplituden, die eine einwandfreie Ausrichtung der Maske und des Halbleiterplättchens nicht möglich machten. Daraufhin wurden die keine einwandfreien Abtast- und Ausrichtsignale liefernden Muster mit einer etwa 8OO S dicken Schicht aus trockenem C28H31ClN2O3 überzogen, die
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I I
durch Schleudern einer diese Substanz enthaltenen Lösung aus Isopropanol und anschließende Entfernung des Lösungsmittel aufgebracht wurde. Die mit dieser Schicht überzogenen Halbleiterplättchen ergaben bei Abtastung das in Fig. 8 dargestellte Osζillogramm. Die drei Maxima an der linken Seite stellen die durch die Ausrichtmuster auf dem Halbleiterplättchen erzeugten Signale und die drei Maxima an der rechten Seite, die durch die Ausrichtmuster auf der Maske erzeugten Signale dar. Diese Signale sind ausreichend, um die Maske und das Halbleiterplättchen für eine nachträgliche Belichtung des Photolacks einwandfrei auszurichten .
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Claims (9)

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Ausrichten von Objekten durch elektrooptische Vorrichtungen mit Hilfe von Signalen, die durch an reliefartigen Ausrichtmarkierungen reflektiertes Licht erzeugt werden,
dadurch gekennzeichnet, daß die reliefartigen Ausrichtmarkierungen mit einer reflektierenden Schicht überzogen werden, so daß nur an dieser Schicht reflektiertes Licht an der Erzeugung der elektrischen Ausrichtsignale beteiligt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1 zum Ausrichten einer Maske auf ein mit einer Photolackschicht überzogenes Halbleiterplättchen bei der Herstellung von integrierten Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht auf die das Halbleiterplättchen bedeckende Photolackschicht aufgebracht wird und daß die Deckschicht aus einem Material besteht, das für die Wellenlängen der ausrichtenden Strahlung reflektierend und für die Wellenlängen der die Belichtung der Photolackschicht bewirkenden Strahlung durchlässig ist.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht aus einem organischen . Farbstoff besteht.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht aus Rhodamin B besteht.
5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht aus Aluminium besteht.
6. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht aus Rhodamin besteht.
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7. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet/ daß die reflektierende Deckschicht aus Erythrosin besteht.
8. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die reflektierende Deckschicht für Wellenlängen über
5000 A* reflektierend und für Wellenlängen zwischen 3500 und 4500 8 durchlässig ist.
9. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die aus einem organischen Farbstoff bestehende reflektierende Deckschicht eine Dicke von 500-2000 R aufweist.
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