WO1998012728A1

WO1998012728A1 - Plasma display discharge tube and method for driving the same

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Publication number: WO1998012728A1
Application number: PCT/JP1997/003299
Authority: WO
Inventors: Yoshifumi Amano
Original assignee: Technology Trade And Transfer Corporation
Priority date: 1996-09-18
Filing date: 1997-09-18
Publication date: 1998-03-26
Also published as: EP0867909A4; US6900780B1; KR19990067694A; EP0867909A1; JP3627151B2

Description

明細書

プラズマ表示放電管及びその駆動方法

技術分野

本発明はブラズマ表示放電管及びその駆動方法に関する。

背景技術

従来のプラズマ表示放電管（PDP) の構造は、大別して、 XYマトリックスを構成する複数の電極群の金厲表面が放電空問側に露出している構造の DC型 P DP と、 XYマ卜リックス電極群の表面を絶縁層で被覆した構造の AC型 PD Pがある。又、これらの DC型 PD P及び AC型 PD Pそれぞれの特徴を生かして構成したハイブリッド型 PD Pもある。

これらの PDPをメモリ動作駆動する駆動方法として、 DC型 PDPでは、一度放 ¾した放電セルは、空問に存在する準安定原子や荷電粒子の存在から再放電し易くなることを利用したパルスメモリ方式がある。

又、 AC型 P DPでは、 XY電極の表面の絶縁屑上に蓄積した荷電粒子、所謂壁電荷による壁電圧の差を利用して再放電させる壁電荷メモリ方式がある。

更に、本発明者の発明に係る従来のハイプリッド型 PD P (特公平 7— 7028

9号公報参照）は、図 1に示す如く、壁電荷メモリ方式ではあるが、 DC型の XY マトリックス電極によるアドレス放電で生じた電荷を全画素に共通の一対のメモリシー卜電極に壁電荷として蓄積した後、両メモリシート電極間で放電を継続する方法をとつている。

この図 1のメモリシート型 P DPについて簡単に説明する。この図 1では、前面ガラス板は図示を省略している。互いに交叉する如く所定間隔を置いて配された複数のァドレス電極であるアノード電極 31及び複数のァドレス電極であるカソ一ド電極 32は、共に電極自体がガス空間に露出してる DC型電極である。複数の力ソード電極 32は、背面ガラス板 BGP上に、印刷等の方法で被着形成される。複数のアノード電極 31は、透明電極であって、前面ガラス板上に被着形成される。これら複数のアノード電極 31及び複数の力ソード電極 32間に、それぞれ絶縁 iSで被覆された Λ C型電極であるメモリシート 3 3 、 3 4が⁷ ίレ ^に対 |>'，】する如く配されている。メモリシート 3 3 、 3 4は、金属板をエッチングして格子状に形成し、その'各^通孔の内壁を含む全而が、絶緣層で被覆される。

そして、複数のアノード電極 3 1及び複数の力ソード電極 3 2の各交叉する部分が、メモリシート 3 3、 3 4の貫通孔に対応するように、これら電極が配される。

互いに交叉する複数のアドレス電極 3 1 、 3 2間の交叉部の画素の放電によって発生した空間電荷を、メモリシ一ト 3 3、 3 4の貫通孔内の壁面に壁電荷として蓄積し、これを利用して両メモリシ一卜 3 3 、 3 4 こ A Cパルス電圧を印加して、持続的なメモリ放電表示を行なわせる。

更に、本発明者の発明に係る他の従来のハイプリッド型 P D P (特公平 3 - 5 0 3 7 8 ^公報参照）は、図 2に^す如く、 D C型の X Yマ卜リックスと、全両面共通の単一の卜リガ電極と呼ぶ A C電極を有しているが、この動作は D C型 P D Pの放電の立ち上げを補助する目的の所謂トリガ動作だけでメモリ機能はない。又、このトリガ電極は上述のメモリシ一卜と同様の構造の、例えば、金属メッシュ状電極を用いることもできるが、これもトリガ動作のみでメモリ動作を行なうには十分な構造ではなく、又、適当なメモリ駆動方法もなかった。

次に、この図 2の卜リガ方式の P D Pについて簡単に説明する。所定間隔を置いて IIいに対向する複数のアノード電極 4 1及び力ソード電極 4 2は共に D C型電極である。この P D Pは線順次駆動方式の D C型 P D Pであるが、放電電圧の低下と応答速度の改善の目的で、電極の全表面が絶縁照で被覆された A C型電極である卜リガ電極 4 5を設ける。

背面ガラス板 B G P上に全面べ夕のトリガ電極 4 5を厚膜印刷等で被着形成し、その表面に厚膜印刷等によって絶縁層 4 4を被着形成して被覆する。複数のカソード電極 4 2は、その絶縁層 4 4上に、厚膜印刷等によって被着形成する。

複数のアノード電極 4 1は前面ガラス板 F G P上に被着形成するが、これらは透明薄膜電極である。又、前面ガラス板 FG P上には、低融点ガラスの等の積層印刷によって、複数のバリアリブ 43が複数のアノード電極 41と並行に被着形成される。

この P DPは線順次駆動方式を採用しており、メモリ動作は行なわない。カソード電極 42の放電に先立ち、トリガ電極 45を負電位にし、しかる後、アノード電極 41及び力ソード電極 42間に放電を起こさせ、絶縁屑 44上に正の壁電荷を蓄積させる。力ソード電極 42が順次選択されて放電する際に、その正の壁電荷が微小な放電を起こすので、これがトリガとなって、主放電であるアノード電極 41及び力ソード電極 42問に放電が起きる。

上述の従来の技術において、 D C型 P D Pにおけるパルスメモリ方式に関しては、多くの研究成果が上がっているものの、未だ実用化には至っていない最大の理由は、正電荷、即ち、イオン衝撃による力ソードのスパッタリングであり、これは D C型 P D Pに共通する課題である。

又、上述の図 1に示した従来のメモリシ一卜型ハイブリッド PD Pにおいては、従来の DC型 PD Pや AC型 PD Fの問題点を改善する目的で発明されたものであるが、更に、幾つかの未解決の問題点があった。

例えば、電極板が 2枚必要なため、コストの低減が難しく、又、 2枚のメモリ電極間の静電容量が大きいことも、駆動上の難点であった。

一方、図 2に示した卜リガ電極型 DC型 P DPの一形態として、トリガ電極を上述のメモリシート型 F D Pのメモリシ一卜を 1枚にしたことに相当する金厲メッシュ構造のものも提案されているが、蛍光体塗布部分が限定されているために、低輝度であり、又、その動作は DC放電の立ち上がりを補助する卜リガ動作しか見い出されておらず、これを用いたメモリ駆動法は未だ発明されていなかった。

プラズマ表示放電管には、上述した DC型 PDP、八〇型？01³、ハイブリッド型 P DPの他に、 XY電極の一方が AC型、他方が DC型の半 AC型 FD Pもある。

これらの PDPをカラー化する場合には、放電セルの近傍に 3原色、即ち、赤、緑及び青の蛍光体を塗布する方法をとる。この場合、 0(：型？0 では、イオン衝撃を避けるために、蛍光体をアノード電極側に塗布するが、 A C型 P D Pでは、 X Y電極がィオン衝撃を受ける。

これを回避するために提案された 3電極 A C型 P D Pは、図 3に示す如く、サスティン放電（メモリ放電）を同一面で行なうようにして、蛍光体塗布面をその反対側の面に確保することで、上述のイオン衝撃の問題を軽減している。これは、 A C 型電極及び D C型 t 極を複合したハイプリッド型 P D Pであり、同様の形の P D P も各種提案されている。

図 3の 3電極 Λ C型 P D Pについて簡単に説明する。背面ガラス板 B G P上にァドレス用の複数の X電極 5 3が厚膜印刷等によって被着形成される。更に、背面ガラス板 B G P上に、複数の X電極 5 3と並行に複数の隔壁（バリアリブ） 5 6が低融点ガラスの積層印刷等によって被着形成される。 X電極 5 3に対応して、赤、緑及び青の蛍光体 5 7が各 X電極 5 3及び各隔壁 5 6の側面に塗布される。 X電極 5 3は蛍光体で被覆されても、粒子が粗いため、 A C型電極ではなくして、 D C型電極として動作する。

前面ガラス板 F G P上には互いに並行するそれぞれ複数のス卜ライプ状の Y電極

5 1及び Y c電極 5 2が形成され、その各表面が絶縁層及びその上の保護層で被覆されて、それぞれ A C型電極として動作する。

複数の X電極 5 3及び複数の Y電極 5 1は互いに交叉して X Yマトリックス電極を構成し、アドレス電極として機能する。 Y c電極 5 2全体が共通に結線されれ、 Y電極 5 1との問でメモリ放電を行なう。

複数の X電極 5 3に映像信号に応じた正のパルス電圧を印加し、複数の Ylt極 5 1に順次走査信号に応じた負のパルス電圧を印加して、その間に放電が起こると Y 電極 5 1上には正の壁電荷が蓄積する。しかる後、 Y電極 5 1と Y c電極 5 2との間に A Cパルス電圧を印加して、持続的なメモリ放電表示を行なわせる。

蛍光体層 5 7が表示放電電極と分離した X電極 5 3上にあるので、蛍光体 5 7が放電により発生するイオンによる衝撃を受けない特徴を有する。

これらの P D Pをメモリ動作駆動する方法としては、 D C型 P D Pでは、一度放電した放電セル空間に存在する準安定原子や荷電粒子の存在から、再放電し易くなることを利用したパルスメモリ方式の PDPがあり、乂、 AC型 PDPでは XY電極の表面の絶縁層上に蓄積した荷電粒子、所謂壁電荷による壁電圧の差を利用して、再放電させる壁電荷メモリ方式がある。

上述の従来の DC型 PDPでは、アノード電極と力ソード電極との役割が分離され、アノード側はイオン衝撃を受けないから、蛍光体を塗布することが可能であるが、本来メモリ機能を持たないため輝度が低いと言う問題があった。

又、 DC型パルスメモリ方式の PDPにおいては、正電荷、即ち、イオン衝撃によるカソードのスパッタリングがパネル寿命を短くする問題点があった。

又、 AC型 PDPは壁電荷を利用してメモリ機能を持つことが特徴であるが、 XY電極の両方がイオン衝撃を受けるため、蛍光体の塗布場所が極めて限定され、十分な輝度と寿命が確保できなかった。

これは上述した半 AC型 PDFも、動作は AC型 PD Pと同じために、問題点は A C型 P DPと同じであった。これを解決するために提案された 3電極 AC型 PDPは、電極の数が増加して高解像度化の妨げであるばかりでなく、輝度、歩留りの改善をも困難にしている。

かかる点に鑑み、本発明は、電極構造を単純化し、製造工程を削減することができると共に、従来発光効率が高く応答性に優れている DC型プラズマ表示放電管でのみしか実現できないとされていたパルスメモリ方式の駆動を可能とし、長寿命である AC型電極を有するプラズマ表示放電管を提案しょうとするものである。発明の開示

第 1の本発明は、複数のストライプ状のァノ一ド電極及び複数のストライプ状の力ソード電極を所定の間隔を置いて互いに交叉するように配し、その各交叉する部分の空間をそれぞれ画素として XYマ卜リックス電極を構成し、その複数の画素を画像に応じて選択的に励起して画像表示を行なうようにしたプラズマ表示放電管において、 XYマトリックス電極に対向して配された全画素に共通の AC型メモリ電極と、その AC型メモリ電極に対し、絶緣層を介して接触し、 AC型メモリ電極との間に形成される結合容量によって電力の供給を行なう A C型補助電極とを設け、 X Yマ卜リックス電極と A C型メモリ電極との問で、メモリ放電表示を行なわせるようにしたブラズマ表示放電管である。

この第 1の本発明によれば、電極構造を. 純化し、製造工程を削減することができると共に、従来発光効率が高く応答性に優れている D C型プラズマ表示放電管でのみしか実現できないとされていたパルスメモリ方式の駆動を可能とし、長寿命である A C型電極を有するプラズマ表示放¾ ^を得ることができる。

第 2の本発明は、 X Yマトリックス電極からなる D C型アドレス電極と、その D C型ァドレス電極と対向して配された全画素に共通の A C型メモリ電極とを有するプラズマ表示放電管にメモリ放電表示を行なわせるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法であって、 1) C型アドレス電極によるアドレス動作期間に、 A C型メモリ電極の絶縁層上に、画像に応じた正極性、又は、负極性の壁電荷の分布を形成した後、メモリ表示期間に D C型アドレス電極の走査電極である Y電極に、 A C型メモリ電極の電位に対し交互に正及び負となる A Cサスティンパルス電圧を印加することによって、アドレス動作期間に A C型アドレス電極の絶縁層上に形成される壁電荷を基に持続的なメモリ放電表示を行なわせるようにしたブラズマ表示放電管の駆動方法である。

第 2の本発明によれば、従来は D C放電の補助的役割のトリガ動作しかできなかった全画素に共通な単一の A C型電極を有するハイプリッド型のプラズマ表示放電管を用いて、簡単な方法でメモリ動作が可能なプラズマ表示放電管の駆動方法を得ることができる。

第 3の本発明は、 X Yマトリックス電極からなる D C型アドレス電極と、その D C型ァドレス電極と対向して配された全画素に共通の A C型メモリ電極とを有するプラズマ表示放電管にメモリ放電表示を行なわせるようにしたブラズマ表示放電管の駆動方法であって、 D C型アドレス電極によるアドレス動作によって、 A C型メモリ電極の絶縁層上に、画像に応じた負極性の壁電荷を形成した後、メモリ動作期間に D C型ァドレス電極を構成する X及び Y電極のうちのいずれか一方に、 A C 型メモリ電極の電位に対して正となり、 A C型メモリ電極にはサスティン放電による正極性の壁電荷を形成しないような細い幅のサスティンパルス電圧を、 - -旦放電した空問の再放電電圧が低くなるプライミング効果が無くならないようなパルス期間で断続的且つ持続的に印加してなり、 D C型ァドレス電極と A C型メモリ電極との問で、持続的なメモリ放電表示を行なわせるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法である。

この第 3の本発明によれば、従来、 D C型プラズマ表示放電管のみに採用されていたパルスメモリ方式を、放電電極として長寿命の実績のある A C型プラズマ表示放電管の電極でも適用できるプラズマ表示放電管の駆動方法を得ることができる。又、この第 3の本発明によれば、第 2の本発明に比べて、 D C電極側は常に正極性であるから、イオン衝撃を受けることがなく、パネル寿命を延ばすことができる。

第 4の本発明は、第 3の本発明のプラズマ表示放電管の駆動方法において、連続する正極性の細い幅のサスティンパルス電圧の隣接するパルス間に、放電は起こらないが、 A C型メモリ電極上に不本意に形成された正極性の壁電荷を消去できる程度の負極性のパルス電圧を付加して、メモリ動作期間に D C型アドレス電極を構成する X及び Y電極のうちのいずれか -方に印加するようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法である。

第 4の本発明によれば、壁電荷を形成することなくメモリ機能を持たせる第 3の本発明の駆動方法に比べて、駆動動作が一層確実になる。

第 5の本発明は、隔壁を介して互いに交叉する複数のストライプ状 X電極及び複数のストライプ状 Y電極からなる X Yマ卜リックス電極を有し、複数の X電極及び複数の Y電極の交叉する部分の複数の画素を画像に応じて選択的に励起して放電発光させるようにしたプラズマ表示放電管において、 X Yマトリックス電極のうちの画面の縦方向に延在する複数の X電極の一部をガス空間に露出して D C型電極となし、隔壁及びその近傍部分に蛍光体が塗布され、隔壁を介して複数の X電極に対向するように、 X Yマトリックス電極のうちの画面の横方向に延在する複数の Y電極の表面全体を絶縁層で被覆して A C型電極となすと共に、 D C型電極に対し、 A C 型電極を表示面側に配したプラズマ表示放電管である。

この第 5の本発明によれば、電極構造を単純化し、製造工程を削減することができると共に、従来発光効率が高く応答性に優れている D C型プラズマ表示放電管でのみしか実現できないとされていたパルスメモリ方式の駆動を可能とし、長寿命である A C型電極を有するプラズマ表示放 ¾|管を得ることができる。

第 6の本発明は、隔壁を介して ¾いに交叉する複数のストライプ状 X電極からなる D C ¾極及び複数のストライプ状 Y電極からなる Λ C型電極から構成される X Y マトリックス電極を有し、複数の X電極及び複数の Y電極の交又する部分の複数の画素を画像に応じて選択的に励起して放' 発光させるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法であって、ァドレス期間中に線順次駆動法によって、 X Yマトリックス電極の交叉する部分の複数の画素に対応する A C電極の絶縁層上に、画像に応じた壁電荷を選択的に形成し、ァドレス期間の次のサスティン期間中に A C型電極に負極性のパルス電圧を印加して、 D C型電極のサスティン時のバイァス電位との問で、負の壁電荷のある画素のみに放電を励起するが、サスティンパルスの幅を略 1 /x sec以下に細くすることにより、負の壁電荷を消去した後、逆転して正極性の壁電荷ができるのを阻止し、続いて細い幅のサスティンパルスを連続して印加することで、画素の放電空間のプライミングを利用したパルスメモリ放電表示を行なうようにしたブラズマ表示放電管の駆動方法である。

第 6の本発明によれば、 A C型力ソード電極でもパルスメモリが可能となり、

D C型力ソード電極より長寿命の実績のある電極材料である M g 0等使用することできる。

図面の簡単な説明

図 1は従来のメモリシ一ト型プラズマ表示放電管を示す展開斜視図である。図 2 は従来の卜リガ方式のプラズマ表示放電管を示す展開斜視図である。図 3は 3電極 A C型プラズマ表示放電管を示す展開斜視図である。図 4は本発明の実施例のブラズマ表示放電管を示す展開斜視図である。図 5は図 4に示したプラズマ表示放電管の断面図である。図 6A〜Gは、図 4及び図 5に示したプラズマ表示放電管の駆動方法の実施例のその表示放電管の各部の電位を示すタイミングチヤ一卜である。図 7 A〜Gは、図 4及び図 5に示したプラズマ表示放電管の駆動方法の他の実施例のその表示放電管の各部の電位を示すタイミングチヤ一卜である。図 8A〜Gは、図 4及び図 5に示したプラズマ表示放電管の駆動方法の更に他の実施例のその表示放電管の各部の電位を示すタイミングチヤ一卜である。図 9は本発明の他の実施例のプラズマ表示放電管を示す展開斜視図である。図 10は図 9に示したプラズマ表示放電管の断面図である。図 1 1 A〜Gは、図 9及び図 10に^したプラズマ表示放電管の駆動方法の実施例のその表示放電管の各部の電位を示すタイミングチヤ一卜である。

発明を実施するための最良の形態

以下に、図 4の展開斜視図及び図 5の断面図を参照して、本発明の実施例を説明する。闵 4及び図 5において、 FGPは前面ガラス板（図 4では図示を略）、 BG Pは背面ガラス板で、これらガラス板 FGP, BGP間に、プラズマ表示放電管を構成する各要素が配されている。

前面ガラス板 FGP上には、前面ガラス板 FGP側から順次、メモリ電極としての透明電極層（前面電極） 1、絶縁屑 2及び MgO等からなる保護層 3が積層されている。

背面ガラス板 BG P上には、同一幅のストライプ状のァドレス電極である複数のアノード電極 1 1が一定間隔を置いて、印刷法等によって被着形成されている。背面ガラス板 BGP上には、複数のアノード電極 1 1を被覆する如く、例えば、ガラスからなる隔壁層 10が、例えば、印刷法によって、被着形成されている。隔壁層 10上には、複数のアノード電極 1 1と交叉する如く、同一の幅のストライプ状の複数の力ソード電極 9が、ニッケル等の導電ペース卜の印刷により、同一間隔で被着形成されている。そして、隔壁層 10には、複数の力ソード電極 9及び複数ァノード電極 1 1が交叉する部分に、それぞれアドレス放電セルを構成する貫通孔 1 2が穿設されている。これら複数の力ソード電極 9及び複数のアノード電極 1 1にて、 X Yマトリックス電極が構成される。

尚、力ソード電極 9及びアノード電極 1 1は、その互いに交叉する対向部間にァドレス放電を起こさせて、表示側に荷電粒子を供給するためのものであるから、その位置、即ち、上下関係は逆でも良い。

隔壁層 1 0上には、複数の力ソード電極 9を被覆する如く、絶縁層 8が被着形成されている。その絶縁層 8上には、前面ガラス板 F G Ρとの間のスペースを確保するために、例えば、格子形状の所定の厚さを有する絶縁材料からなるバリアリブ 6 が被着形成されている。そのバリアリブ 6の頂面上に、 A C型メモリ電極としての透明電極 1との間に形成される結合容量を通じて、その透明電極 1に ¾力供給を行なう、 A C型補助電極としての導電層 5が被着形成されると共に、その導電層 5を被覆する如く、そのバリァリブ 6の頂而上に絶縁層 4が被^形成されている。そして、絶縁層 8上及びバリアリブ 6の壁面には、蛍光体 7が被着-形成されている。即ち、バリアリブ 6にて囲まれた空問毎に、赤、緑及び青の蛍光体 7が順次循環的に塗布されている。

尚、バリアリブ 6は格子状でなくても、互いに平行な壁にて構成しても良い。この場合にも、バリアリブ 6にて囲まれた細畏ぃ空間毎に、赤、緑及び青の蛍光体 7 が順次循環的に塗布される。

又、バリアリブ 6全体を、例えば、 4 2 6合金、アルミニウム、チタン等の金属で形成し、その表面を絶縁層で被覆したものでも良く、その場合には、バリアリブ 6、導電層 5及び絶縁層 4を一体に形成することができる。

次に、このプラズマ表示放電管の駆動方法の概略を説明する。尚、その駆動方法の詳細は、図 6を参照して後述する。先ず、 X Yマトリックス電極を構成する複数のアノード電極 1 1及び力ソード電極 9の交叉する各貫通孔 1 2のうちの、表示すべき画像に応じて選択された貫通孔内にァドレス放電を起こさせる。このァドレス放電に基づいて発生した荷電粒子は、前面ガラス板 F G P側の電圧が与えられた透明電極 1に向かって拡散し、保護層 3上に壁電荷が形成される。次に、複数の力ソード電極 9にサスティンパルス電圧（メモリパルス電圧）を印加すると、壁電荷による電圧によって、画面に応じた選択的な放電が発生し、その放電がサスティンパルス電圧によって継続的に維持される。

上述の如く、プラズマ表示放電管を構成する各要素が配された前面ガラス板 F G P及び背面ガラス板 B G Pの各周辺をガラスフリッ卜等で封着し、その管体内にヘリウム、キセノン、ネオン、アルゴン等の放電ガスを適宜混^して封入する。サスティンパルス電圧による放電セルは、最大全画素が点燈する場合があるので、放電電極である透明電極 1にはかなり大きな ¾流を流さなければならない。しかし、透明電極 1を酸化インジユウムゃ酸化錫のように抵抗値の高い材料で形成する場合には、十分に大きな電流を流すことができない。

そこで、本発明では、透明電極 1及び導電屑 5間を外部端子に結線すると共に、両者を絶縁層 2及び 4を介して接触させることで、両者間に容量結合が形成される。このため、各画素に供給される電流は良好な導体である導線 ϋ 5から、画素近傍の静電容量を通じて十分に供給することができる。

又、駆動回路から画素への放電電流は上述のように供給されるが、画素において放^する場所、即ち、放電電極として動作する保護層 3である。これは、保護層 3 が M g〇である場合、これは力ソード材として放電電圧を低下させる機能を有し、導電層 5及び光体 7の表面より遙に放電電圧が低いためで、従って、電極上に乗ってはいても蛍光体 7がイオン衝撃を受けて劣化する心配はない。

この図 4及び図 5について説明したブラズマ表示放電管によれば、電極構造を単純化し、製造工程を削減することができると共に、従来は発光効率が高く応答性に優れている D C型プラズマ表示放電管でのみしか実現できないとされていたパルスメモリ方式の駆動を可能とし、長寿命である A C型電極を有するプラズマ表示放電管を得ることができる。

又、この図 4及び図 5について説明したプラズマ表示放電管によれば、メモリ電極である透明電極 1はべ夕の電極であるから、酸化インジユーム等の透明電極膜をストライプ状等にパターン形成するプラズマ表示放電管の工程は必要ない。

更に、導電層 5は背面側のバリアリブ 6の上又は、バリアリブ 6そのものであるので、前面ガラス板 FG P及び背面ガラス板 BG Pの周囲の接合が頗る容易である。

更に、表示放電に必要な電流は導電層 5から供給されるので、通常の PDPで行なわれている酸化インジユウムの透明導電膜にクロームや銅を積層した電極をバス電極として重ねるなどの工程は必要がなレ ^。

更に、前面ガラス板 FGF側には、光放射を遮る上述のバス電極等がないので高輝度である。

更に、表示放電は導電層 5ではなく、保護屑 3上で起こるので蛍光体 7はイオン衝撃を受けない。

次に、図 6を参照して、図 4及び図 5について説明したプラズマ表示放電管の駆動方法の実施例を説明する。尚、従来例として図 2で説明したメモリ機能を有しない卜リガ型プラズマ表示放電管に対しても、この実施例の駆動方法を実施例することができ，これによつてメモリ動作が可能となる。

図 6 Aはメモリ電極である透明電極 1の電位 Emを示す。図 6 Bはアドレス電極であるアノード電極 1 1の電位 E aを示す。図 6 C〜Fはアドレス電極である力ソード電極 9の異なるタイミングの ¾位 Ek 1、 Ek 2、、 Eknを示す。図 6 Fはアドレスセルの壁電位 Ew aを示す。図 6 Gは非アドレスセルの壁電位 Ewn aを示す。 16 A〜Gにおける各電圧は一例であり、これらに限られるものではない。尚、後述する図 7A〜G、図 8A〜Gにおいても、各電圧は一例であり、これらに限られるものではない。

ァドレス期間 Padでは、メモリ電極である透明電極 1及び導電層 5の電位 Em は、アノード電極 1 1及び力ソード電極 9間が放電した場合の放電維持電圧より高い電位、例えば、 + 50Vに設定して置く。所謂線順次駆動方式によって、画像信号に応じて、アノード電極 1 1及び力ソード電極 9間の選択された交叉部間にアドレス放電が生じると、放電を生じた画素（セル）の透明電極 1上の保護層 3上には選択的に負極性の壁電荷が蓄積される。

従って、 1枚の画面がァドレス終了した時点では画面全体に両像に応じた负極性電荷が蓄積されている。この状態で走杏側電極、即ち、 Y側電極の力ソード電極 9 に正極性のパルス電圧を印加すると、負の壁電荷を有する画素のみに放電が起き、その放電によって、負の壁電荷は逆転して正の壁電荷を蓄積することになる。従つて、複数の力ソード電極 9に順次負極性のパルス電圧を印加して再放^させ、継続して正の交流パルス電圧をサスティンパルス電圧（メモリパルス電圧）として力ソード電極 9に印加すれが、メモリ放電を維持できる。

更に述べると、電位 Emが 0 V及び + 50 Vに変化し、電位 Eaが 0V及び 10 0 Vに変化し、電位 E k 1がァドレス期間 P adでは一 100 V、 0 Vに変化し、サスティン期間 Pssでは一 100 V、 0 V、 + 1 50 Vに変化した場合について考える。

アドレスされセル（画素）の壁電位 Ewaは、例えば、負の蓄積電荷による電圧が— 30 Vであれば、 + 50 V— 30 V-+ 20 Vとなる。次にのサスティン期問 Pssで、メモリ電極 1の電位 Emを 0 Vにすると、このアドレスされたセルの壁電位 Ewは一 30 Vとなるので、非アドレスセル、即ち、アドレスされなかったセルとの間には、 30Vの差が生じる。

この状態でアドレス電極である力ソード電極 9には、例えば、 + 150Vのパルス電圧を印加すると、アドレスされたセルのみに + 180Vが印加されるので、放電が生じる。放電が起きたセルには、先とは逆極性の正の壁電荷がができるので、アドレスされたセルの壁電位は 90 Vになり、放電しなかったセルの壁電位 Ewは 0Vのままとなる。

従って、次にアドレス電極である力ソード電極 9の電位 Ek l〜Eknを一 10 0Vにすれば、 190V印加されるので、アドレスのみが再放電して、放電が継続する。

ここでは、サスティンパルスはサスティン期間 Pss中において、アドレス電極である力ソード 9側のみに正負のパルス電圧（一 100 V及び + 150 V) 印加している。

上述の説明では、放電開始電圧を 1 70 V、放電維持電圧を 120Vとして説明した。

尚、力ソード電極 9がメモリ電極 1側に位置する代わりに、アノード電極 1 1がメモリ ^極 1側にある場合も可能で、この場合は正のパルス電圧（+ 1 5 0 V) をアドレス電極であるアノード電極側に印加し、負のパルス電圧（一 1 0 0 V) をァドレス電極である力ソード電極に印加することになる。

図 6 Λ〜図 6 Gにおいては、説明の簡単化のため、アドレス期間及びメモリ期間を時間的に完全に分離して図示しているが，実際のプラズマ表示放電管の駆動においては、 1ラインの力ソード電極 9上の画素アドレスされた後、直ちにサスティンを開始しても良い。即ち、メモリ放電は全画素一斉に行なわず、ライン毎に時系列的に始めることも可能で、消去する場合も同様である。

この図 6 A〜Gについて説明したプラズマ表示放電^の駆動方法によれば、従来は D C放電の補助的役割の卜リガ動作しかできない全画素に共通の単一な A C型電極を有するハイプリッド型のプラズマ表示放電管を用いて、簡単な方法でメモリ動作が可能になる。

次に、図 7 A〜Gを参照して、図 4及び K 5について説明したプラズマ表示放電の駆動方法の他の実施例を説明する。図 7 A〜Gは、図 6 A〜Gと対応する電位をそれぞれ示す。尚、従来例として図 2で説明したメモリ機能を有しないトリガ型プラズマ表示放電管に対しても、この実施例の駆動方法を実施例とすることができ、これによつてメモリ動作が可能となる。

さて、図 6 A〜Gで説明したように負の壁電荷が存在する状態で、力ソード 9に正極性で細い幅、例えば、 1 /x sec以下の幅のサセティンパルスを印加する。かくすると、負の壁電荷の存在する画素には放電が起き、アドレスされなかった画素には放電が起きない。

しかし、図 6 A〜Gの場合におけるサスティンパルスとは異なり、パルスの幅が細いため、放電によって負の電荷は消滅するが、逆転して正の電荷が蓄積するには至らない。これは、従来の A C型プラズマ表示放電管における所謂細幅パルス消去法と呼ばれる方法に相当する。このようにして、壁電荷は消滅するが、放電空間は先の放電により荷電粒子や準安定原子、所謂プライミングに満たされていて、再放電が容易に起こる状態にある。この状態で同じく細い幅のパルス電圧を継続的に印加すると、始めに壁電荷の無かった画素には放電が発生しないから、アドレスされた画素のみに継続的なメモリ放電を行なうことが可能となる。

即ち、従来は同極性の連続パルスを印加するパルスメモリ動作を A C電極に対して行なおうとすると、壁電荷の蓄積のため、これができないとされていた。

しかし、この図 7 A〜図 7 Gについて説明した駆動方法によれば、 A C電極でも壁電荷を形成することなくパルスメモリ動作が可能である。

勿論、図 6 A〜Gについて説明したのと同様に、アドレスとメモリの動作をライン毎に時系列的に行なうことも可能である。

図 7 A〜Gについて説明した D C型の Y電極と全画素に共通の単一の A C型電極を持つプラズマ表示放電管、例えば、 A C型 X電極と D C型 Y電極及び X電極に並行で複数のストライプではあるが共通結線されているために実質的には単一の A C 型メモリ電極を有する所謂三電極放電型 A Cブラズマ表示放電管にも適用できることは言うまでもない。

図 7 A〜Gについて説明したプラズマ表示放電管の駆動方法によれば、従来、 D C型プラズマ表示放電管のみに採用されていたパルスメモリ方式を、放電電極として長寿命の実績のある A C型プラズマ表示放電管の電極にも適用できる。

又、図 6 A〜Gについて説明した駆動方法と比較すると、図 7 A〜Gについて説明した駆動方法の場合は、 D C電極側は常に正極性であるから、イオン衝撃を受けることがなく、パネル寿命を延ばすことができる。

尚、力ソード電極 9がメモリ電極 1側に位置する代わりに、アノード電極 1 1がメモリ電極 1側にある場合も可能である。又、細い幅のサスティンパルスは、ァノード電極 1 1に印加しても良い。

次に、パネルに印加するパルスの関係を示す図 8 A〜Gを参照して、図 4及び図 5について説明したプラズマ表示放電管の駆動方法の他の実施例を説明する。図 8 A〜Gの電位は、図 6 A〜Gの電位に対応する。尚、従来例として図 2で説明したメモリ機能を有しない卜リガ型プラズマ表示放電管に対しても、この実施例の駆動方法を実施例することができ、これによつてメモリ動作が可能となる。

このプラズマ表示放電管の駆動法は、図 7 A〜Gについて説明した駆動方法において、細い幅のパルスにも拘らず各セル毎の放電遅れや特性のばらつきのために若千の壁電荷が不本意に形成されてしまう場合の駆動法の改善方法である。

この正の壁電荷を消去し、パルスメモリ動作を確実におこなうためには、 D C電極に正極性の細い幅のサスティンパルスを印加した後、低い電圧の負極性のパルスを同じ ί'ΙΪ極に印加する。この場合の電圧は A C電極との間で再放電する程の電圧ではなく、又、パルス幅も上述の放電維持パルスより広くとって良い。こうすると、正の細い幅のサスティンパルスによる放電の直後の放 HI空問に残留する空間電荷を利用して Λ C電極上の正の壁電荷を消去できる。

この図 8 A〜Gを参照して説明したプラズマ表示放電管の駆動方法によれば、壁電荷を形成することなくメモリ機能を持たせる図 7 A〜 Gを参照して説明した駆動方法に比べて、駆動動作が確実になる。

以下に、図 9の展開斜視図及び図 1 ()の断面図を参照して、本発明の実施例のプラズマ表示放電管を説明する。図 9及び図 1 0において、 F G' Pは前面ガラス板、 B G Pは背面ガラス板で、これらガラス板 F G P、 B G P間に、プラズマ表示放電管を構成する各要素が配されている。

前面ガラス板 F G P上には、画面の横方向に延在する同一幅のストライプ状の透明な複数の Y電極（力ソード電極） 2 2を一定間隔を置いて、被着形成する。複数の Y電極 2 2は、酸化インジユウム、酸化錫等の材料が用いられるが、こられ材料は抵抗値の高い材料であるので、抵抗値の低いものが必要な場合には、酸化インジユウム、酸化錫等からなる複数の Y電極 2 2上に、クロ一ム、銅等の抵抗値の低い材料を重ねる如く被着形成する。

前面ガラス板 F G P上に複数の Y電極 2 2を被覆する如く、低融点ガラスペース卜の印刷及びその後の焼成等によって、絶縁層 2 3を被着形成する。その絶縁層 2 3上に、 M g Oの蒸着等によって、保護層 2 4を被着形成する。

背面ガラス板 B G P上には、ニッケルペース卜の印刷及びその後の焼成によつて、画面の縦方向に延在する同一幅のストライプ状の複数の X電極（アノード電極） 2 8を一定間隔を置いて被着形成する。

前面ガラス板 F G F上には、複数の X電極 2 8を被覆するように、低融点ガラスの印刷及びその後の焼成等によって、絶縁層 2 7を被着形成する。

絶縁層 2 7の複数の X電極 2 8及び複数の Y電極 2 2の交叉する部分に、それぞれセルを構成する小孔 2 9を設ける。尚、こられ小孔 2 9は、絶縁層 2 7の印刷時に同時に形成する。

複数の X電極 2 8の各間に位置する如く、絶緣層 2 7上に、低融点ガラスペース卜の積層印刷によって、断面が矩形の棒状の隔壁（バリァリブ） 2 5をそれぞれ被着形成する。

複数の小孔 2 9の内面を除いて、絶縁層 2 7及び複数の隔壁 2 5の表面に、蛍光体 2 6を被着形成する。この蛍光体 2 6は X電極 2 8毎に、赤、緑及び青蛍光体を順次循環的に塗り別けて、カラ一プラズマ表示放電符を構成するようにする。上述の如く、プラズマ表示放電管を構成する各要素が配された前面ガラス板 F G P及び背面ガラス板 B G Pの各周辺をガラスフリツト等で封着し、その管体内にヘリウム、キセノン、ネオン、アルゴン等の放電ガスを適宜混合して封入する。この図 9及び図 1 0について説明したプラズマ表示放電管によれば、電極構造を単純化し、製造工程を削減することができると共に、従来発光効率が高く応答性に優れている D C型プラズマ表示放電管でのみしか実現できないとされていたパルスメモリ方式の駆動を可能とし、長寿命である A C型電極を有するプラズマ表示放電管を得ることができる。

又、この図 9及び図 1 0について説明したプラズマ表示放電管によれば、半 A C 構造の 2電極型プラズマ表示放電管でありながら、アノード電極と力ソード電極とを分離しているので、力ソード電極を A C電極とすることで、表示放電時のイオン衝撃による劣化を防止できる。勿論アドレス期間、アドレスセット期間には X電極もイオン衝撃をうける場合が、これは表示放電時の衝撃に比べて無視できる程僅かである。

図 9及び図 1 0について説明したプラズマ表示放電管によれば、カラープラズマ表示放 fg管と、図 3の従来の 3極型 A Cプラズマ表示放電管と比較して明らかなように、ストライプ状の Y電極 2 2の数が半分で良く、製造上も輝度等の性能上も有利である。

次に、図 1 1 A〜Gを参照して、図 9及び図 1 0について説明したプラズマ表示放電管の駆動方法の実施例を説明する。図 1 1 Aはメモリ電極である透明電極 1の電位 E mを示す。図 1 1 Bはアドレス電極であるアノード' ig極 1 1の電位 E aを示す。図 1 1 C〜Fはアドレス電極である力ソード電極 9の異なるタイミングの電位

E k丄、 E k 2、、 E k nを示す。冈 1 1 Fはアドレスセルの壁電位

Ew aを示す。図 1 1 Gは非アドレスセルの壁電位 E w n aを示す。図 1 1 A〜G における各電圧は一例であり、これらに限られるものではない。

アドレス期間 P ad中は、サスティン期間 P ssに入る前に画像情報に応じて、点燈させるセル（小孔） 2 9の Y電極 2 2上に负の電荷を蓄積する動作である。これはいくつか異なる方法があるが、図 1 1 A〜Eのアドレス期間 Pad中のパルスの関係はその一例である。このあ場合、複数の X電極 2 8には信号に応じた正極性のパルス電圧を、又、複数の Y電極 2 2には走奄パルスとして負極性のパルス電圧を順次印加する。このように線順次に一画面をアドレスし終わると、アドレスされた、即ち、アドレス放電の起こったセルには、 Y電極 2 2上に正の電荷が画像に応じて分布した壁電荷として蓄積する。

続いてアドレスセット期間 Padsでは、 X電極 2 8を全て負極性、 Y電極 2 2を全て正極性とするパルス ¾圧を印加すると、上述のアドレス放電で選択されたセル、即ち、正の壁電荷のあるセルは電圧が重畳されて高い電圧が発生して放電する。このアドレス期間 Padの放電によって、アドレスされたセルの正壁電荷が逆転し、負の壁電荷が分布した状態が作られる。この間の壁電荷によるセルの絶縁層 2 7上の電位の変化は図 1 1 Eの波形図に点線で示される。回路構成上の問題がなければ、アドレスパルスの極性を X電極 2 8側を^、 Y¾ 極 2 2側を正極性とすることもできることは言うまでもないが、その場合には、ァドレスセッ卜期間は不要である。

さて、アドレス期間 P sd又はアドレスセット期間 Padsに続くサスティン期問 P ss において、上述の如く画像に応じた負の壁電荷が分布した状態で、 Y電極 2 2に負極性のサスティンパルス電圧を印加すると、電圧が重畳されて負の電荷のあるセルのみに放電が起こる。放電が起きると、帯電していた負の ¾電荷は直ちに消滅し、逆転して正の電荷が帯電し始める。

しかし、ここでサスティンパルス電圧の幅を約 1 secと細くすると、正の壁 ¾ 荷が带 ¾することなく放電が停止する。これは A C型プラズマ表示放電管で、細幅パルス消去法と呼ばれる方法である。 1

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上述の如く、アドレスされたセルに起こつた最初のサスティン放電によつて壁電荷が消去され、非アドレスセルと同じ状態になる。しかしながら、このサスティン放電の起こったセルの放電空間には、プライミング、即ち、荷電粒子及び準安定原子が存在しており、放電の起こらなかったセルより非常に放電し易く、低い電圧で再放電する。そこで、続けて ί¾極性のサスティンパルス電圧を連続して印加すると、アドレスセルのみに放電が継続することになる。即ち、 A C電極でもパルスメモリ動作が可能になる。

図 1 1 A〜Gのパルスタイミング図では、アドレス期間 Padとサスティン期間 P ssを完全に分離しているが、 Y電極 2 2の選択直後からサスティンパルス電圧を印加して、時系列的にサスティン放電に移行することも可能で、消去も同様である。図 1 1 A〜Gについて説明したプラズマ表示放電管の駆動方法によれば、 A C型力ソードでもパルスメモリが可能となり、 D C型力ソードよりの fi寿命の実績のある電極材料、例えば、保護層 2 4を兼ねた M g O膜の応用が可能である。

Claims

請求の範囲

1. 複数のストライプ状のアノード電極及び複数のス卜ライプ状の力ソード電極を所定の問隔を置いて互いに交父するように配し、その各交叉する部分の空間をそれぞれ画素として XYマトリックス電極を構成し、該複数の画素を画像に応じて選択的に励起して画像表示を行なうようにしたプラズマ表示放電管において、

上記 XYマ卜リックス電極に対向して配された全画素に共通の AC型メモリ電極と、

該 AC型メモリ電極に対し、絶緣層を介して接触し、上記 AC型メモリ電極との間に形成される結合容量によって電力の供給を行なう AC型補助電極とを設け、上記 XYマトリックス電極と上記 AC型メモリ電極との問で、メモリ放電表 ¾を行なわせるようにしたことを特徴とするプラズマ表示放電管。

2. XYマトリックス電極からなる DC型アドレス電極と、該 DC型アドレス電極と対向して配された全画素に共通の A C型メモリ電極とを苻するプラズマ表示放 ¾ 管にメモリ放電表示を行なわせるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法であつて、上記 DC型アドレス電極によるアドレス動作期間に、上記 AC型メモリ電極の絶縁層上に、画像に応じた正極性、又は、負極性の歷竜荷の分布を形成した後、メモリ表示期間に上記 DC型アドレス電極の走 2£電極である Y電極に、上記 AC 型メモリ電極の電位に対し交互に正及び負となる A Cサスティンパルス電圧を印加することによって、上記アドレス動作期間に上記 AC型ァドレス電極の絶縁層上に形成される壁電荷を基に持続的なメモリ放電表示を行なわせるようにしたことを特徵とするプラズマ表示放電管の駆動方法。

3. XYマ卜リックス電極からなる DC型アドレス電極と、該 DC型アドレス鼋極と対向して配された全画素に共通の A C型メモリ電極とを有するブラズマ表示放電管にメモリ放電表示を行なわせるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法であつて、上記 DC型アドレス電極によるアドレス動作によって、上記 AC型メモリ電極の絶縁層上に、画像に応じた負極性の壁電荷を形成した後、

メモリ動作期間に上記 D C型アドレス電極を構成する X及び Y電極のうちのいずれか一方に、上記 A C型メモリ電極の電位に対して正となり、上記 A C型メモリ電極にはサスティン放電による正極性の壁電荷を形成しないような細い幅のサスティンパルス電圧を、一旦放電した空間の再放電電圧が低くなるプライミング効果が無くならないようなパルス期問で断続的且つ持続的に印加してなり、

上記 D C型アドレス電極と上記 A C型メモリ電極との間で、持続的なメモリ放電表示を行なわせるようにしたことを特徴とするプラズマ表示放電管の駆動方法。

4 . 上記請求頃 3に記載のプラズマ表示放電管の駆動方法において、

上記連続する正極性の細い幅のサスティンパルス電圧の隣接するパルス間に、放電は起こらないが、上記 A C型メモリ電極上に不本意に形成された正極性の ¾電荷を消去できる程度の負極性のパルス電圧を付加して、上記メモリ動作期間に上記 D C型ァドレス電極を構成する X及び Y電極のうちのいずれか一方に印加するようにしたことを特徴とするプラズマ表示放電管の駆動方法。

5 . 隔壁を介して互いに交又する複数のストライプ状 X電極及び複数のストライプ状 Y電極からなる X Yマトリックス電極を有し、上記複数の X電極及び上記複数の Y電極の交叉する部分の複数の画素を画像に応じて選択的に励起して放電発光させるようにしたプラズマ表示放電管において、

上記 X Yマトリックス電極のうちの画面の縦方向に延在する上記複数の X電極の一部をガス空問に露出して D C型電極となし、

上記隔壁及びその近傍部分に蛍光体が塗布され、

上記隔壁を介して上記複数の X電極に対向するように、上記 X Yマトリックス竜極のうちの上記画面の横方向に延在する上記複数の Y電極の表面全体を絶縁層で被覆して A C型電極となすと共に、

上記 D C型電極に対し、上記 A C型電極を表示面側に配したことを特徴とするプラズマ表示放電管。

6 . 隔壁を介して互いに交叉する複数のストライプ状 X電極からなる D C電極及び複数のストライプ状 Y電極からなる A C型電極から構成される X Yマトリックス電極を有し、上記複数の X電極及び上記複数の Y電極の交叉する部分の複数の画素を画像に応じて選択的に励起して放電発光させるようにしたプラズマ表示放電管の駆動方法であって、

ァドレス期間中に線順次駆動法によって、上記 X Yマ卜リックス ¾極の交叉する部分の複数の画素に対応する上記 Λ C電極の絶縁層上に、画像に応じた壁電荷を選択的に形成し、

上記アドレス期間の次のサスティン期問中に上記 A C型電極に負極性のパルス電圧を印加して、上記 D C型電極のサスティン時のバイアス電位との間で、上記負の壁電荷のある画素のみに放電を励起するが、上記サスティンパルスの幅を略 1 sec 以下に細くすることにより、上記負の壁電荷を消去した後、逆転して正極性の壁電荷ができるのを阻止し、続いて上記細い幅のサスティンパルスを連続して印加することで、上記画素の放電空間のプライミングを利用したパルスメモリ放電表示を行なうようにしたことを特徴とするプラズマ表示放電管の駆動方法。