明 細 書
シクロへキサン誘導体および液晶組成物
技術分野
本発明は、 液晶性化合物および液晶組成物に関し、 さらに詳しくは結合基とし
5 てブチレン基を有する新規なシクロへキサン誘導体、 これらを含有する液晶組成 物およびこの液晶組成物を用いて構成した液晶表示素子に関する。
背景技術
液晶化合物の特性である屈折率異方性や誘電率異方性を利用した表示素子はこ れまで多数作られており、 時計をはじめ電卓、 ワープロ、 テレビ等に広く利用さ 10 れ、 需要も年々高くなつてきている。
液晶物質には固体相と液体相の中間に位置する固有の液晶相があり、 その相形 態はネマチック相、 スメクチック相またはコレステリ ック相に大別されが、 その うち表示素子用にはネマチック相が現在最も広く利用されている。 また液晶表示 に応用されている表示方式としては、 電気光学効果に対して T N (ねじれネマチ 15 ック) 型、 D S (動的散乱) 型、 ゲスト—ホスト型、 D A P型等がある。 特に、 最近では液晶表示のカラ一化が一段と進んでいることもあり、 T N型の中で薄膜 トランジスタ (T F T) 方式およびスーパーツイストネマチック (S T N) 方式 のものが主流となり、 これらを応用した表示素子が量産されている。
現在までに研究段階のものを含め多くの液晶化合物が知られているが、 単一の 20 液晶物質のみで表示素子に封入、 使用されているものは未だ存在しない。
これは、 表示素子用の材料として期待される液晶化合物は、 自然界の特に表示 素子として最も使用される頻度の高い室温を中心とする、 なるべく広い温度範囲 で液晶相を示す上、 使用される環境因子に対して十分安定でありかつ表示素子を 駆動させるに十分な物理的性質を持つものでなくてはならないのに対し、 単体で ,25 これらの条件を満たすものが見出されていないためである。
そこで、 現在では数種の液晶性化合物 (本願において、 液晶性化合物なる用語 ' は、 液晶相を示す化合物および液晶相を示さないが液晶組成物の構成成分として 有用である化合物の総称として用いられる。 ) を混合して上記した特徴を持つ組 成物を調製し、 材料として実用に供している。
これらの液晶組成物には、 使用環境下に通常存在する水分、 光、 熱、 空気等に 対しても安定であること、 電場および/または電磁放射に対して安定である上、 混合する液晶性化合物が互いに使用環境下で化学的に安定であること、 液晶組成 物はその屈折率異方性値 (△!!) 、 誘電率異方性値 (△£) 、 粘度 (7? ) 、 電導 度および弾性定数比
(K
33 :ベンド定数、 Κ, スプレイ弾性定数) 等の諸物性値が表示方式および素子の形状に依存して適当な値を取ることおよび 液晶組成物中の各成分が相互に良好な溶解性を持つこと等が必要とされる。 これらに加え、 現在カラーディスプレイの省電力化が要求されており、 その下 にあって特に必要とされている諸物性はしきい値電圧 (V
lh) と電圧保持率 (V HR) の改善である。
該 V,hを支配する因子の一つとして△£があり、 この値を大きくすることによ つて Vlhを低くすることができる。 また VHRは液晶パネル内の電気抵抗性に影 響を与える因子であり、 前者の低下は後者の低下をもたらす。 そして、 後者 (電 気抵抗性) の低下はディスプレイのコントラストを低下させることおよび特に低 電圧駆動ディスプレイの利用寿命を悪化させるので避けるべきである。 このよう に、 低い Vlhと高い VHRを達成することはカラ一ディスプレイの省電力化を含 む諸特性を改善する上で極めて重要な課題となってきた。
従来、 大きな Δεと高い VHRを有する化合物として、 下記の (a) および (b) 式に示すものがそれぞれ特開平 2 - 2 3 3 62 6号および特開平 5 - 3 1 0 6 0 5号により知られている。
(上記の各化合物において、 Rはアルキル基を表す。 )
これらの化合物は、 共に末端基として 3, 4, 5—トリフルォロ基を有してお
り、 比較的大きな Δεを示す。 しかし、 (a) 式で示される化合物は、 直環の 4 環構造を有することもあって他の既知の液晶性化合物との相溶性に乏しく、 さら に VHR、 特に 1 00°C以上の高温におけるそれは 90 %以下と、 要求値からは 著しく低いばかりか、 その温度依存性も良好とは言えない。
また、 (b) 式で示される化合物は、 相溶性については結合基にブチレン基を 有することの効果から良好となることが予想されるが、 反面、 該ブチレン結合揷 入による分子の直線性の損失から液晶レンジは非常に狭く、 要求特性を満たす化 合物とは言えない。
発明の開示
本発明の目的は、 前記した従来技術の欠点を解消し、 広い液晶相温度範囲を示 し、 大きな誘電異方性値と高い電圧保持率を有する上、 良好な相溶性を示す液晶 性化合物、 これを含む液晶組成物および該液晶組成物を用いて構成した液晶表示 素子を提供することである。
上記目的を達成するため、 本願で特許請求される発明は以下のとおりである。 ( 1 ) 一般式 ( 1 )
(式中、 R,は炭素数 1〜1 5のアルキル基を示し、 該基中の相隣接しない 1つ 以上のメチレン基 (一 CH2—) は一 0—、 一S—、 一 CH二 CH—、 一 C三 C
—によって置換されていてもよく、 L,、 L2、 L3および L4はそれぞれ独立して Hまたは Fを示し、 Xはハロゲン原子、 CF3、 OCF3、 OCHF2、 CNまた は NCSを示し、 Z,および Z2はそれぞれ独立して一 (CH2) 2—、 -CH = C H—、 一 C〇0—または共有結合を示す) で表されるシクロへキサン誘導体。 (2) L,と L2が共に Hである ( 1 ) に記載のシクロへキサン誘導体。
(3) 1^と L2が共に Fである ( 1) に記載のシクロへキサン誘導体。
(4) R,が炭素数 1〜1 5のアルキル基である (2) に記載のシクロへキサン 誘導体。
(5) R,が炭素数 1〜1 5のアルキル基である (3) に記載のシクロへキサン
誘導体。
( 6 ) ( 1 ) 〜 ( 5 ) のいずれかに記載のシクロへキサン誘導体を少なく とも 1 成分以上含む、 2成分以上からなる液晶組成物。
(7)第一成分として、 ( 1 ) 〜 (5) のいずれかに記載のシクロへキサン誘導 体を少なく とも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 (2) (3) および ( 4)
(式中、 R3は炭素数 1〜1 0のアルキル基を示し、 X,は F、 Cし OCF3、 OCF2H、 CF3、 CF2Hまたは CFH2を示し、 L,、 L2、 L3および L4は相 互に独立して Hまたは Fを示し、 Z3および Z4は相互に独立して— (CH2) 2—、 — CH = CH—または共有結合を示し、 aは 1または 2を示す。 ) からなる群か ら選択される化合物を少なく とも 1種類含有することを特徴とする液晶組成物。
(8) 第一成分として、 (1) 〜 (5) のいずれかに記載のシクロへキサン誘導 体を少なく とも 1種類含有し、 第二成分として、 一般式 (5) 、 (6) 、 (7) 、
(式中、 R
4は F、 炭素数 1〜1 0のアルキル基または炭素数 2〜1 0のァルケ 二ル基を示すが、 該アルキル基またはアルケニル基中の相隣接しない 1つ以上の
メチレン基 (― CH
2—) は酸素原子 (—0—) によって置換されていてもよい。 環 Aはトランス一 1 , 4—シクロへキシレン基、 1 , 4一フエ二レン基、 ピリ ミ ジン— 2, 5—ジィル基または 1, 3—ジォキサン一 2, 5—ジィル基を示し、 環 Bはトランス一 し 4—シクロへキシレン基、 1 , 4一フエ二レン基またはピ リ ミジン一 2, 5—ジィル基を示し、 環 Cはトランス一 1 , 4ーシクロへキシレ ン基または 1 , 4一フエ二レン基を示し、 Z
5は一 (CH
2)
2—、 一 C〇〇一ま たは共有結合を示し、 L
5および L
6は相互に独立して Hまたは Fを示し、 bおよ び cは相互に独立して 0または 1を示す。 )
(式中、 R5は炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示し、 L7は Hまたは Fを示し、 d は 0または 1を示す。 ) (7)
(式中、 R
6は炭素数 1〜 1 0のアルキル基を示し、 環 Dおよび環 Eは相互に独 立してトランス一 1 , 4—シクロへキシレン基または 1 , 4一フエ二レン基を示 し、 Z
6および Z
7は相互に独立して一 COO—または共有結合を示し、 Z
8は一 C 00—または一 C≡ C一を示し、 L
8および L
9は相互に独立して Hまたは Fを 示し、 X
2は F、 〇CF
3、 〇CF
2H、 CF
3、 C F
2Hまたは C F H
2を示すが、 X
2が〇CF
3、 OCF
2H、 CF
3、 CF
2Hまたは CFH
2を示す場合は L
8およ び L
9は共に Hを示す。 e、 f および gは相互に独立して 0または 1を示す。 )
(式中、 R7および R8は相互に独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基または炭素 数 2〜 1 0のアルケニル基を示すが、 該アルキル基またはアルケニル基中の相隣 接しない 1つ以上のメチレン基 (一 CH2—) は酸素原子 (一〇一) によって置 換されていてもよい。 環 Gはトランス一 1 , 4ーシクロへキシレン基、 1 , 4一
フエ二レン基またはピリ ミジン一 2, 5一ジィル基を示し、 環 Hはトランス— 1 , 4ーシクロへキシレン基または 1 , 4—フヱニレン基を示し、 Z3は一 C≡C一、 一 CO〇一、 一 (CH2) 2—、 一 CH=CH— C三 C—または共有結合を示し、 Z10は一 COO—または共有結合を示す。 )
FW 广
(式中、 R9および R,。は相互に独立して炭素数 1〜 1 0のアルキル基または炭 素数 2〜 1 0のアルケニル基を示すが、 該アルキル基またはアルケニル基中の相 隣接しない 1つ以上のメチレン基 (― CH2—) は酸素原子 (一〇一) によって 置換されていてもよい。 環 Iはトランス一 し 4ーシクロへキシレン基、 1 , 4 一フエ二レン基またはピリ ミジン一 2, 5一ジィル基を示し、 環 Jはトランス— 1, 4—シクロへキシレン基、 環上の 1つ以上の水素原子が Fで置換されていて もよい 1, 4一フエ二レン基またはピリ ミジン一 2, 5—ジィル基を示し、 環 K はトランス一 1 , 4ーシクロへキシレン基または 1 , 4一フエ二レン基を示し、 Ζ,,および Z13は相互に独立して一 COO—、 一 (CH2) 2—または共有結合を 示し、 Z12は一 CH=CH—、 一 C≡C一、 一 COO—または共有結合を示し、 hは 0または 1を示す。 ) からなる群から選択される化合物を少なく とも 1種類 含有することを特徴とする液晶組成物。
( 9) 第一成分として、 ( 1 ) 〜 (5) のいずれかに記載の液晶性化合物を少な く とも 1種類含有し、 第二成分の一部分として、 一般式 (2) 、 ( 3) および
(4) からなる群から選択される化合物を少なく とも 1種類含有し、 第二成分の 他の部分として、 一般式 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8) および ( 9) からなる 群から選択される化合物を少なく とも 1種類含有することを特徴とする液晶組成 物。
( 1 0) ( 6) 〜 ( 9) のいずれかに記載の液晶組成物を用いて構成した液晶表 示素子。
図面の簡単な説明
図 1は、 本発明化合物および比較化合物をそれぞれ用いた液晶組成物の各温度 における電圧保持率の測定結果を示す図である (X…実施例 1 3、 y…比較例
2) o
発明を実施するための最良の形態
本発明の一般式 ( 1 ) で示す液晶性化合物は、 分子内にブチレン基を特徴的に 有する四環系の誘導体である。 これらの液晶性化合物は、 表示素子が使用される 条件下において物理的および化学的に極めて安定である上、 低温下でも液晶組成 物への溶解性が良くかつ高い VHRと大きな△£を有している。 また、 分子構成 要素のうち、 置換基または側鎖の構造を適当に選ぶことにより所望の物性値を任 意に調整することが可能である。 よって、 本発明の液晶性化合物を液晶組成物の 成分として用いた場合、
1 ) VHRが高くかつその温度依存性が非常に小さい
2) V,hが低いのため低電圧駆動が可能
3) ネマチック温度領域が広い
などの特性を有する新規な液晶組成物を提供し得る。
本発明の一般式 ( 1 ) で示される化合物は、 次の式 ( 1一 a) 〜 ( 1一 k) の とおりに類別される。
901、 OAV :
) (ニリ
(上記各式中、 R>、 L,、 L2、 L3および L4は前記と同じ意味を表す) これらのうち、 式 ( 1 一 a) 、 ( 1— c) 、 ( 1 — e) および ( 1一 i ) で示 される化合物は、 特に広いネマチック温度領域と高い VHRを示す上、 大きな△ £を有する (低い Vlhとなり得る) ため、 TFTの低電圧化化合物として優れて いる。
上記式 ( 1一 a) 〜 ( 1一 k) に示す化合物のうち好ましいものとして、 ( 1 一 a ) は以下の ( 1 ー 3— 1 ) 〜 ( 1 — 3— 4 5) に、 ( l —b) は ( 1 — b— l ) 〜 ( l —b— 4 5) に、 ( 1一 c) は ( 1 — c— l ) 〜 (: 1 一 c一 4 5) に、 ( l— d) は ( 1一 d— 1 ) 〜 ( 1一 d— 4 5) に、 ( 1一 e) は ( 1— e— 1 ) 〜 ( 1 — e— 4 5 ) に、 ( 1一 j ) は ( 1— j一 1 ) 〜 ( 1 — j— 4 ) に、 ( 1— k) は ( 1 一 k— 1 ) 〜 ( 1一 k一 4) にそれぞれ展開される。
U
U
a.
〇AV
£s/96dr:/l290/ 6 o
6q) (I--
e6sso/9
u 0.
o 0 (卜?.
00
:<Kvlu<i
OAV
^— ^
01 I
U (リ. ι ζリ-
2
5
4^ 6 ◦ 00
(39l.
本発明により提供される液晶組成物は、 一般式 ( 1 ) で示される液晶性化合物 を少なくとも 1種類含む第一成分のみでもよいが、 該第一成分を 0. 1〜9 9. 9重量%の割合で含有することが、 優良な特性を発現せしめるために好ましい。 これに加え、 第二成分として既述の一般式 (2) 、 (3) および (4) からな る群から選ばれる少なくとも 1種類の化合物 (以下第二 A成分と称する) および Zまたは一般式 (5) 、 (6) 、 (7) 、 (8) および ( 9) からなる群から選 ばれる少なくとも 1種類の化合物 (以下第二 B成分と称する) を混合することが でき、 さらに、 V
th、 液晶相温度範囲、 Δη、 Δεおよび粘度等を調整する目的 で、 公知の化合物を第三成分として混合することもできる。
上記第二 Α成分のうち、 一般式 (2) 、 ( 3) および (4) に含まれる化合物 の好適例として、 それぞれ (2— 1 ) 〜 (2— 1 5) 、 (3— 1 ) 〜 (3— 4 8) および (4一 1 ) 〜 (4— 5 5) を挙げることができる。
vo 00 C
n. n.
O
ι
CSl∑0/96df/I3d 憲 6 OAV
o
) :
S (
-職
(上記各式中、 R 3は前記と同一の意味を示す。 )
これらの一般式 (2) 〜 (4) で示される化合物は、 △£が正を示し、 熱安定 性や化学的安定性が非常に優れている。
該化合物の使用量は、 液晶組成物の全重量に対して 1〜9 9重量%の範囲が適 する力、 好ましくは 1 0〜9 7重量%、 より好ましくは 4 0〜 9 5重量%である c 次に、 前記第二 B成分のうち、 一般式 (5) 、 ( 6) および (7) に含まれる 化合物の好適例として、 それぞれ (5— 1 ) 〜 (5— 24) 、 (6— 1 ) 〜 ( 6 ― 3) および (7— 1:) 〜 (7— 1 7) を挙げることができる。
eSZZ0/96df/13d W 190/ 6 ΟΛ\
(上記各式中、 R4、 R5および R6は前記と同一の意味を示す。 )
これらの一般式 (5) 〜 (7) で示される化合物は、 △£が正でその値が大き く、 組成物成分として特に Vlhを小さくする目的で使用される。
また、 粘度の調整、 Δηの調整および液晶相温度範囲を広げる等の目的や、 さ らに急峻性を改良する目的にも使用される。
また第二 Β成分のうち、 一般式 ( 8) および ( 9) に含まれる化合物の好適例 として、 それぞれ ( 8— 1 ) 〜 ( 8— 8 ) および ( 9一 1:) 〜 ( 9一 1 3) を挙 げることができる。
I
()93-
(上記各式中、 R7、 R 8は前記と同一の意味を示す。 )
一股式 (8) および (9) の化合物は△£が負かまたは若干正を示し、 前者は 主として粘度低下および/または△ n調整の目的で、 また後者は透明点を高くす る等のネマチックレンジを広げる目的および Zまたは Δη調整の目的でそれぞれ 使用される。
一般式 (5) 〜 (9) の化合物は、 特に STN表示方式および通常の ΤΝ表示 方式用の液晶組成物を調製する場合には、 不可欠な化合物である。
該化合物の使用量は、 通常の ΤΝ表示方式および STN表示方式用の液晶組成 物を調製する場合には 1〜99重量%の範囲が適するが、 好ましくは 1 0〜 97 重量 、 より好ましくは 40〜95重量%である。 また、 その際には (2) 〜
(4)式に示す化合物を一部併せて使用してもよい。
本発明に係る液晶組成物は、 これを TFT液晶表示素子に用いた場合、 その急 峻性ゃ視野角を改善することができる。
また、 本発明の (1) 式に示す化合物は低粘性であるため、 これを用いること により液晶表示素子の応答速度を改善することができる。
本発明に従い使用される液晶組成物は、 それ自体慣用な方法で調製される。 一般には、 種々の液晶成分を高温度下で互いに溶解させることにより調製され るが、 液晶成分を有機溶媒に溶かして混合したのち、 これから溶媒を減圧下に留 去することによつても得ることができる。
また、 本発明の液晶組成物は、 適当な添加物によって意図する用途に応じた改 良がなされ、 最適化される。 このような添加物は当業者によく知られており、 文 献等に詳細に記載されている。
例えば、 メロシアニン系、 スチリル系、 ァゾ系、 ァゾメチン系、 ァゾキシ系、 キノフタロン系、 アントラキノン系およびテトラジン系等の二色性色素を示すこ とができ、 これらを添加してゲストホスト (GH) モー ド用の液晶組成物として 使用することができる。
あるいは、 ネマチック液晶をマイクロカプセル化して作成した NCAPや液晶 中に三次元網目状高分子を作成したポリマーネッ 卜ワーク液晶表示素子 (PNL CD) に代表されるポリマ-分散型液晶表示素子 (PDLCD) 用の液晶組成物
として使用することもできる。 その他、 複屈折制御 (ECB) モー ドや動的散乱 (DS) モー ド用の液晶組成物として使用することもできる。
本発明化合物を含有するネマチック液晶組成物例として以下の組成物例 1〜 1 3を示すことができる。
組成物例 1
00 c3
組成物例 5
2%
組成物例 6
2nS- 12%
C3H7" " ~^F 12%
12%
•CN 4%
C2H5
C2HS~ 二 Q-OCH3 2%
C3H7 - _ - _ - C^Hs 10%
C3H7"~ ~0~ "CH3 8%
C3H7
C3H7 - ~ ~ "0CH3 3%
C3H7→0~"0~ "cn 5%
4%
組成物例 8
C3H7- )— - COOCH 5%
^
2%
•CN 29b
6%
C3H7 10%
CSHu ~ ~ ~C3H7 5% C3H7- ~)— ^-OCH3 4%
C2Hs - ~0~ "。CF3 6%
C3H7 ~ ~ - " 0CF3 6%
C5H„ ~ ~O~ ~0CF3 6%
CsH"" ~ ~^~f 5%
C3H7
8%
C2H3 -^" ^ " 0CF3 9%
C3H7 - ~ ~ "
0CF3 9%
組成物例 1 3
C4HC
本発明の一般式 ( 1 ) で示される化合物は、 従来公知の一般的な有機合成法によ つて製造することができる。
式 ( 1 一 a ) で示される化合物の製造:
以下により製造することができる。
すなわち、 特開平 5 - 3 1 0 6 0 5号に記載のあるシクロへキサノン誘導体 (丄) を合成原料とし、 これにテトラヒ ドロフラン (T H F ) ゃジェチルエーテ ル等のエーテル系溶媒中グリニャール試薬( ) を作用させた後、 酸触媒、 例え ば塩酸や硫酸等の鉱酸、 酢酸や p—トルエンスルホン酸等の有機酸またはアンバ —リスト等の非水性ィォン交換樹脂の存在下脱水処理し、 さらにラネーニッケル、 パラジウム、 ロジウムまたは白金等の白金系触媒の存在下水素還元を行い、 中間 体の( ) を得る。 これに一般に知られているリチォ化剤、 例えばアルキルリチ ゥム等を作用させてフエニル基の 4位をリチォ化し、 その後ハロゲン化亜鉛等を 作用させてメタル交換反応を行い、 続いてテトラキストリフエニルホスフィ ンパ ラジウム等のパラジウム系触媒の存在下に化合物(丄) を作用させ、 かく して目 的化合物の ( 1 一 a ) を製造することができる。
式 ( 1 一 b ) で示される化合物の製造:
,1-3 ,し, ,し 3
BBr3
MeQ HO
し 2 Oc L2^
すなわち、 ウィティ ッヒ反応を用いる公知の方法 ( ORGANIC REACTIONS Vol.1 4, Chap.3 P.270 等参照) に従い、 TH Fゃジェチルエーテル等のエーテル系溶 媒中でナトリウムメチラート、 カリウム一 t—ブトキシド (t— BuOK) また はブチルリチウム等の塩基の存在下、 メ トキシメチルトリフエニルホウホニゥム クロリ ドと前記誘導体(丄) を反応させて化合物 ( 1 0) を得る。 これに酸、 例 えば塩酸や硫酸等の鉱酸またはギ酸、 酢酸若しくは p—トルエンスルホン酸等の 有機酸を作用させることによりアルデヒ ド誘導体 (JJ_) を製造する。 次いで、 このものをニクロム酸ピリジニゥム (以下 PDCと略す) 、 ジヨーンズ試薬 (第 四版実験化学講座 (丸善) 、 23巻、 第 2章等参照) または活性二酸化マンガン 等の酸化剤で酸化させ、 カルボン酸誘導体 ( 1 2) を得る。
一方、 ァニソール誘導体( ) をアルキルリチウム等でリチォ化し、 生成物に ホウ酸トリメチルと水を順次作用させてボロン酸誘導体( ) を得る。 これに炭 酸ナトリウム等の塩基とパラジウム系触媒の存在下化合物(丄) を作用させて化 合物 (8) を得、 次いでこの化合物 (8) を三臭化ホウ素で脱メチル化すること
により化合物 ( ) を得る。
この化合物 (9) を、 N, N—ジンクロへキシルカルボジィ ミ ド (以下 DCC と略す) と 4—ジメチルァミノピリジン (以下 DMA Pと略す) の存在下で前記 のカルボン誘導体 ( ^_) に作用させ、 目的化合物例の ( 1一 b) を製造するこ とができる。
式 ( 1一 c) で示される化合物の製造:
(1) (n)
すなわち、 前記シクロへキサノン誘導体 (丄) をウィティ ッヒ—ホーナー反応 ( . Fieser et al. , Reagent for Organic Synthesis, Wiley, 1, 1217) に付し て化合物 (J_ ) とし、 次いでこれをパラジウム炭素触媒等の存在下で水素還元 して化合物 ( 1 4) とした後、 さらにジイソブチルアルミニウムヒドリ ド (以下 D I BALと略す) で還元することによりアルデヒ ド誘導体 ( _5_) を得る。 この誘導体 ( j_) にグリニャール試薬 (J _) を作用させて化合物 ( 1 7) を得、 これを順次脱水反応と水素還元に付して化合物 (U_) を得る。
この化合物 (1 8) に一般に知られているリチォ化剤、 例えばアルキルリチウ ム等を作用させてフヱニル基の 4位をリチォ化し、 その後ハロゲン化亜鉛等を作 用させてメタル交換反応を行い、 続いてテトラキストリフヱニルホスフィ ンパラ ジゥム等のパラジウム系触媒の存在下化合物 (JJ_) を作用させることにより、 目的化合物例の (1一 c) を製造することができる。
式 ( 1一 d) で示される化合物の製造:
以下により製造することができる。
(レ d) すなわち、 前記特開平 5 - 3 1 0605号に記載のある化合物 (H) におい て、 そのフヱニル基の 4位をブチルリチウムでリチォ化した後二酸化炭素を作用 させることにより、 カルボン酸誘導体 ( J_) を得る。 次いでこれに DCCと D MAPの存在下化合物 (ϋ) を作用させ、 目的化合物例の (1一 d) を製造す ることができる。
式 ( 1— e) で示される化合物の製造:
以下により製造することができる。
すなわち、 上記カルボン酸誘導体 (^J_) をエステル誘導体 とした後、 これを D I BALで還元してアルデヒド誘導体 (24) を得る。 次いでこれをゥ ィテツヒ反応、 すなわち THFゃジェチルエーテル等のエーテル系溶媒中ナ卜リ ゥムメチラート、 t一 B u OKおよびブチルリチウム等から選ばれる塩基の存在 下でメ トキシメチルトリフヱニルホウホニゥ厶クロリ ドと反応させ、 次いで塩酸 若しくは硫酸等の鉱酸またはギ酸、 酢酸若しくは p— トルェンスルホン酸等の有 機酸を作用させる反応に付し、 アルデヒ ド誘導体 ( _^) を得る。
次いで、 このものにグリニャール試薬 ( J_) を作用させて化合物 (27) を 得た後、 これを順次脱水および水素還元に付すことにより、 目的化合物例の ( 1 一 e) を製造することができる。
なお、 式 ( 1一 ί ) から ( 1— k) で示される化合物は、 上記 ( 1一 a) から ( 1 - e) に示される化合物の製造方法を参照するか、 または必要によりこれら と他の種々の既知反応操作を選択、 組み合わせることにより製造することができ
る。
このようにして得られる本発明の液晶性化合物 ( 1 ) は、 いずれも広い液晶相 温度範囲を示し、 大きな△£を有することによる低い Vlhと高い VHRを有しか つ他の種々の液晶材料と容易に混合するので、 STN型および TFT型のいずれ の表示方式にも適したネマチック液晶組成物の構成成分として極めて優れている c 以下、 実施例により本発明をより詳細に説明するが、 本発明はこれらの実施例 によりなんら制限されるものではない。
なお、 各実施例中において、 化合物の構造は核磁気共鳴スぺク トル (以下、 1 H— NMRと略す。 ) や質量スぺク トル (以下、 MSと略す。 ) 等で確認した c 前者において dは二重線、 mは多重線、 Jはカップリ ング定数を表し、 後者に おいて M +は分子イオンピークを表す。 また、 C rは結晶相を、 SBはスメクチッ ク B相を、 Nはネマチック相を、 I s 0は等方性液体相を示し、 相転移温度は全 て °Cで表示する。
実施例 1
3, 4, 5— トリフルォロ一 4' 一 (トランス一 4— (4一 (トランス一 4— プロビルシクロへキシル) プチル) シクロへキシル) ビフエニル ( ( 1 ) 式にお いて、 R,が C3H7、 Z,および Z2が共に共有結合、 L,および L2が共に H、 L3、 L4および Xが共に Fである化合物 (No. 1 1 ) ) の製造
窒素気流下、 マグネシウム 3. 7 7 g ( 1 5 5mmo 1 ) を 3 0分間加熱乾燥 し、 これに THF 3 0 m 1を加える。 そこへブロモベンゼン 2 0. 3 g ( 1 2 9 mm o 1 ) の THF溶液 5 0m lを 5 0〜6 0 °Cを保つように滴下し、 3 0分間 撹拌した。 放冷後、 室温で 4一 (トランス— 4—プロビルシクロへキシル) プチ ルシクロへキサノン 3 0. 0 gグラム ( 1 0 8m l ) の THF溶液 1 0 0m lを 滴下し、 1. 5時間撹拌した。 氷水 2 0 0 m 1に反応物を入れて反応を終了させ た後 6 N—塩酸 3 0 m 1を加え、 トルエン 4 0 0 m 1で抽出した。
有機層を水で 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシゥムで乾燥した後'减圧下で溶媒を 留去して濃縮し、 得られた残査をディーンスタークの脱水管を付した 5 0 0 m l のナスフラスコ中、 トルエン 3 0 0 m lに溶解し、 次いでこれにアンバーリスト 2. 0 0 gを加え 2時間加熱還流を行った。 室温まで冷却後、 アンバーリストを
濾別し、 減圧下で溶媒を留去濃縮した後、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラ フィ一 (展開溶媒:ヘプタン) に付し、 ヘプタンから再結晶することにより (4 — (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキセニ ル) ベンゼン 24. 7 g (73. Om l ) を得た。
このものをトルエン ソルミ ックス ( 1 Z 1 ) の混合溶媒 20 0 m lに溶解し、 これにラネーニッケル 4. 0 0 gを加え、 水素圧 1 SkgZcm2の下、 室温で撹 拌した。 水素の消費量が 1 7 0 0 m l となったところで撹拌を終了した。 ラネ一 ニッケルを除去後、 減圧下で溶媒を留去し、 残查をシリカゲルカラムクロマトグ ラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 ヘプタンから再結晶することにより (トランス一 4一 (4— (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シ クロへキンル) ベンゼン 2 3. 9 g (7 0. 2mmo l ) を得た。
このもの 20. 0 gグラム (5 8. 7 mm 0 1 ) を THF 8 0 0 m 1に溶解し た後窒素気流下で一 3 0°Cまで冷却し、 これにこの温度を保ちながら n—ブチル リチウムに 6 Mの n -へキサン溶液 44. 0m l (70. 4mmo l ) を滴下 し、 1時間撹拌した。 次いで一 5 0 まで冷却後、 この温度を保ちながら塩化亜 鉛 0. 5Mの THF溶液 1 4 1 m 1 (70. 5mmo l ) を滴下し、 3 0分間撹 拌後室温まで昇温し、 室温で 1時間撹拌した。 これにテトラキストリフ ニルホ スフイ ンパラジウム ( 0 ) 2. 4 3 g (2. 1 1 mmo 1 ) を加え、 次いで 1 一 ブロモー 3, 4, 5— ト リ フルォロベンゼン 1 4. 9 g (7 0. 6 mmo 1 ) を 滴下した。 滴下後 3. 5時間加熱還流を行い、 放冷後反応物に水 4 0 0 m 1を加 え反応を終了させた。
反応溶液に 2 N -塩酸 6 0m 1を加えた後トルエン 4 0 0 m lで抽出し、 有機 層を飽和炭酸水素ナト リウム 20 0m l と水 2 0 0m lでそれぞれ 3回洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカ ゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 粗製の 3, 4,
5— トリ フルオロー 4' 一 (トランス一 4一 (4一 ( トランス一 4—プロビルシ クロへキシル) プチル) シクロへキシル) ビフエニルを得た。
このものをヘプタンから再結晶し、 標題化合物 1 1. 1 g (2 3. 6 mmo 1 ) を得た。
相転移温度: C r 9 4. 3 N 1 6 9. 4 I s o
NMR : 6 = 0. 4 0〜 2. 8 0 ( 3 5 H, m) , 7. 1 6 ( 2 H, d d, J = 9. 3, 6. 7 Hz) , 7. 2 7 (2H, d, J= 8. 5 Hz) , 7. 4 3 (2
H, d, J = 8. 5 Hz)
MS : m/e = 4 7 0 (M+)
実施例 2
3, 4, 5, 2 ' , 6 ' 一ペン夕フルオロー 4' 一 (トランス一 4— ( 4 - (トランス一 4—ペンチルンクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ビフエ二 ル ( ( 1 ) 式において、 R,が CsH, と Z2が共に共有結合、 L ,、 L2、 L3 、 L4および Xが共に Fである化合物 (No. 1 8) ) の製造
マグネシウム 3. 4 5 g ( 1 4 2mm 0 1 ) を窒素気流下で 3 0分間加熱乾燥 させた後 THF 3 0m 1に懸濁させ、 これに 1 一プロモー 3, 5—ジフルォ口べ ンゼン 2 2. 8 g ( 1 1 8 mm o l ) の THF溶液 5 Om 1を 5 0〜6 0°Cを保 つように滴下しながら 3 0分間撹拌した。 放冷後、 これに 4一 (トランス一 4一 ペンチルシクロへキンル) ブチルンクロへキサノ ン 3 0. 0 g ( 9 8. 5 mm o
1 ) の THF溶液 1 0 Om 1を室温で滴下し、 次いで湯浴上 6 0°Cに保ちながら
I . 5時間撹拌した。 反応物を氷水 2 0 0 m lに入れて反応を終了させた後、 こ れに 6 N—塩酸 3 0m 1を加え、 トルエン 4 0 0 m lで抽出した。 有機層を水 2 0 0m lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去 した後トルエン 3 0 Om 1に溶解し、 アンバーリスト 1. 8 O gを加え 2時間加 熱還流を行った。 アンバーリス トを濾別し、 減圧下で溶媒を留去した後、 残査を シリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒:ヘプタン) に付し、 ヘプタン から再結晶することにより し 3—ジフルォロ— 5— (4— (4— ( トランス一 4—ペンチルシクロへキシル) ブチル) シクロへキセニル) ベンゼン 2 8. 2 g ( 7 0. 0 mm o 1 ) を得た。
このものをトルエン/ソルミ ックス ( 1 / 1 ) の混合溶媒 2 0 0 m l に溶解し、 これにラネーニッケル 4. 0 0 gを加え、 水素圧 1 SkgZcm2の下室温で撹拌 した。 水素の消費量が 1 5 5 0 m l となったところで撹拌を終了し、 ラネーニッ ゲルを濾別した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 ヘプタンから再結晶することにより し
3—ジフルオロー 5— (トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4一ペンチルンクロ へキシル) ブチル) シクロへキシル) ベンゼン 1 1. 9 g (2 9. 4 mm o 1 ) を得た。
このもの 1 0. 0 g (24. 7mmo l ) を THF 4 0 0m lに溶解した後窒 素気流下で一 3 0でまで冷却し、 これにこの温度を保ちながら n—プチルリチウ ム 1. 6Mの n—へキサン溶液 1 8. 5m 1 (29. 8mmo l ) を滴下し、 1 時間撹拌した。 一 5 0°Cまで冷却後、 この温度を保ちながら塩化亜鉛 0. 5Mの 丁^1 溶液5 9. 2m 1 (2 9. 6mmo l ) を滴下し、 3 0分間撹拌した後室 温まで昇温し、 さらに室温で 1時間撹拌した。
これにテトラキストリフエニルホスフィ ンパラジウム ( 0 ) 1. 0 0 g ( 0. 8 6 8 mm o 1 ) を加え、 さらに 1ーブロモー 3, 4, 5— トリフルォ口べンゼ ン 6. 25 g (2 9. 8mmo 1 ) を滴下した。 滴下後 3. 5時間加熱還流を行 い、 放冷後反応物に水 2 0 0 m 1を加え反応を終了させた。 反応溶液に 2N -塩 酸 3 0m lを加え、 トルエン 2 0 0 m 1で抽出し、 有機層を飽和炭酸水素ナトリ ゥム 20 0 m 1および水 2 0 0 m 1で順次 3回洗浄した後無水硫酸マグネシゥ厶 で乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィ 一 (溶媒: トルエン) に付し、 粗製の 3, 4, 5, 2' , 6 ' 一ペン夕フルォロ - 4 ' - (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4一ペンチルシクロへキンル) ブ チル) シクロへキンル) ビフエニルを得た。 このものをヘプタンから再結晶し、 標題化合物 5. 6 4 g ( 1 0. 5mmo l ) を得た。
相転移温度: C r 1 1 8. 0 N 1 38. 2 I s o
N R : (5 = 0. 4 0〜2. 7 0 ( 3 9 H, m) , 6. 8 5 ( 2 H, d, J = 9. 5Hz) , 6. 9 8〜7. 2 3 ( 2 H, m)
MS : m/e = 5 3 4 (M + )
実施例 3
4一 トリフルォロメチル一 2 ' , 6 ' ージフルオロー 4' 一 (トランス一 4一
( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ビ フエニル ( ( 1 ) 式において、 R,が C3H7、 Z,と Z2が共に共有結合、 L,と
L2が共に F、 L3と L4が共に H、 Xが CF3である化合物 (No. 25 ) ) の製 造
4— (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル) プチルシクロへキサノ ンに替 え 4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチルシクロへキサノ ンを用 いる以外は実施例 2と同様にしてし 3—ジフルオロー 5— ( トランス— 4一
(4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキンル) ベ ンゼンを製造した。 このもの 5. 00 g ( 1 3. 3mmo 1 ) を THF 2 0 Om 1に溶解した後窒素気流下で一 30°Cまで冷却し、 これにこの温度を保ちながら n—ブチルリチウム 1. 6 Mの n—へキサン溶液 1 0. Om l ( 1 6. 0 mm o 1 ) を滴下し、 1時間撹拌した。 一 50°Cまで冷却後、 この温度を保ちながら塩 化亜鉛 0. 5MのTHF溶液3 5. 0m l ( 1 7. 5mmo l ) を滴下し、 3 0 分間撹拌後室温まで昇温し、 さらに室温で 1時間撹拌した。
これにテトラキストリフエニルホスフィ ンパラジウム (0) 0. 6 0 2 g (0. 52 1 mm o 1 ) を加え、 さらに 1—ブロモー 4一 トリフルォロメチルベンゼン 3. 5 9 g ( 1 6. Ommo 1 ) の THF溶液 3 0m 1を滴下した。 滴下後 4時 間加熱還流を行い、 放冷後反応物に水 200 m lを加え反応を終了した。 次いで これに 2 N—塩酸 1 5m 1を加え、 トルエン 1 5 0m 1で抽出し、 有機層を飽和 炭酸水素ナト リウム 5 0m 1 と水 5 0m 1で順次 3回洗浄した後、 無水硫酸マグ ネシゥ厶で乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 得られた濃縮残査をシリカゲル力 ラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 粗製の 4一 ト リ フルォ ロメチルー 2' , 6 ' ージフルオロー 4' - (トランス一 4一 ( 4 - (トランス — 4一プロビルシクロへキシル) プチル) シクロへキンル) ビフエニルを得た。 このものをヘプタンから再結晶し、 標題化合物 1. 22 g (2. 34 mmo 1 ) を得た。
相転移温度: C r 1 38. 4 N 1 53. 6 I s o
NMR : δ= 0. 54〜2. 74 ( 35 H, m) , 6. 8 6 ( 2 H, d, J= 9. 2 Hz) , 7. 4 5〜7. 9 0 ( 4 H, m)
MS : m/e = 520 (M+)
実施例 4
3, 2 ' , 6 ' — ト リフルオロー 4— ト リフルォロメ トキシ一 4' 一 (トラン スー 4一 (4一 (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキ シル) ビフエニル ( ( 1 ) 式において、 R^ C3H7、 Z,と Z2が共に共有結合、 L,、 L2および L3が共に F、 L4が H、 Xが OCF3である化合物 (No. 4 9) ) の製造
実施例 3で製造され、 用いられた 1 , 3—ジフルオロー 5— (トランス— 4— ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキンル) ブチル) シクロへキシル) ベ ンゼン 6. 1 6 g ( 1 6. 4 mmo 1 ) を THF 20 Om 1に溶解した後窒素気 流下で— 3 0°Cまで冷却し、 これにこの温度を保ちながら n—ブチルリチウム 1. '6Mの n—へキサン溶液 1 3. 0m l (2 1. 3mmo l ) を滴下し、 1時間撹 拌した。 — 5 0°Cまで冷却後、 この温度を保ちながら塩化亜鉛 0. 5Mの THF 溶液 4 0. 0m l (20. Ommo l ) を滴下し、 3 0分間撹拌後室温まで昇温 し、 さらに室温で 1時間撹拌した。
次いで、 これにテトラキストリフエニルホスフィ ンパラジウム ( 0 ) 0. 5 1 3 g ( 0. 4 4 4 mm o 1 ) を加え、 さらに 1ーブロモー 3—フルオロー 4ー ト リフルォロメ トキシベンゼン 5. 1 1 g ( 1 9. 7 mm 0 1 ) の THF溶液 3 0 m 1を滴下した。 滴下後 3. 5時間加熱還流を行い、 放冷後反応物に水 2 0 0 m 1を加えて反応を終了させた。 反応溶液に 2 N -塩酸 1 5m lを加え、 トルェ ン 20 0 m 1で抽出し、 有機層を飽和炭酸水素ナトリウム 1 0 0 m 1 と水 1 0 0 m 1で順次 5回洗浄した後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留 去させ、 得られた濃縮残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 粗製の 3, 2' , 6' — トリフルオロー 4一 トリフルォロメ トキシー 4' ― ( トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシ ル) ブチル) シクロへキシル) ビフヱニルを得た。 このものをヘプタンから再結 晶し、 標題化合物 3. 75 g ( 6. 7 6mmo l ) を得た。
相転移温度: C r 9 3. 3 N 1 64. 1 I s o
NMR : (5= 0. 4 0〜 2. 7 0 ( 35 H, m) , 6. 8 5 ( 2 H, d, J = 9.
2Hz) , 7. 1 0〜7. 5 5 ( 3 H, m)
MS : m/e = 5 54 (M + )
実施例 5
トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) プチル) シ クロへキシルカルボン酸 3, 4, 5, 2' , 6 ' 一ペン夕フルオロー 4' ービフ ェニルエステル ( ( 1 ) 式において、 R,が C3H^ が C〇〇、 Z2が共有結 合、 L,、 L2、 L3、 L4および Xが共に Fである化合物 (No. 1 0 7 ) ) の製 造
3, 5—ジフルォロア二ソール 30. 0 g ( 20 8 mmo 1 ) を THF 5 0 0 m 1に溶解した後窒素気流下で一 5 0 Cまで冷却し、 これにこの温度を保ちなが ら n—ブチルリチウム 1. 6 Mの n—へキサン溶液 1 5 6 m 1 ( 25 0 mm o 1 ) を滴下し、 1時間撹拌した。 これにこの温度を保ちながらほう酸トリメチル 26. 0m l ( 25 Ommo I ) を滴下し、 2時間撹拌した後室温まで昇温し、 次いで水 5 0 m 1を加え 3 0分間撹拌した。 反応溶液をトルエン 8 0 0 m 1で抽 出し、 有機層を水 20 0 m 1で 3回洗浄した。 これを無水硫酸マグネシウムで乾 燥した後減圧下で溶媒を留去し、 2, 6—ジフルオロー 4ーメ トキシフヱ二ルポ 口ニックアシッ ド 24. 2 g ( 1 29mmo 1 ) を得た。 次にこれを N, N—ジ メチルホルムアミ ド (DMF) 5 0 0 m 1に溶解し、 塩化パラジウム 0. 92 1 g (5. 1 6mmo 1 ) と飽和炭酸ナトリウ厶水溶液 5 0m 1を加えた後窒素気 流下で 8 0°C付近まで昇温し、 この温度を保ちながら 1一プロモー 3, 4, 5 - トリフルォロベンゼン 32. 7 g ( 1 5 5 mm 0 1 ) を滴下した。 滴下後同温度 で 3時間撹拌し、 これに放冷後室温で水 5 0 0 m 1を加え反応を終了させた。 反 応溶液に 6 N—塩酸 1 0 0m lを加え、 トルエン 70 0 m 1で抽出し、 有機層を 水 20 Om lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 次いで減圧下溶 媒を留去し、 3, 5—ジフルオロー 4一 ( 3, 4, 5—トリフルオロフェニル) ァニツール 30. 2 gを得た。
このもの 3 0. 0 g ( 1 0 9mmo 1 ) をジクロロメタン 5 0 0 m 1に溶解し た後窒素気流下で一 5 0°Cまで冷却し、 これにこの温度を保ちながら三臭化ホウ 素 33. 1 g ( 1 32mmo 1 ) を滴下した。 滴下後 1時間撹拌し、 その後徐々 に室温まで昇温し、 さらに 3時間撹拌後、 反応物に水 5 0 Om lを加え反応を終 了した。 ジクロロメタン層 (有機層) を分離後、 これを水 1 0 Om lで 3回洗浄
し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 得られた濃縮残 査を酢酸ェチル エタノール (7Z3) の混合溶媒から再結晶し、 3, 4, 5, 2' , 6 ' —ペン夕フルォロ一 4' —ヒ ドロキシ一ビフエニル 25. 8 g (9 9. 2 mm o 1 ) を得た。
窒素気流下、 メ トキシメチルトリフエニルホスホニゥ厶クロリ ド 4 6. 3 g
( 1 35mmo 1 ) を THF 70 0 m lに溶解し一 5 0でに冷却した。 この溶液 に t一 Bu〇K 1 6. 7 g ( 1 4 9mmo 1 ) を加え、 1時間撹拌した。 この混 合物に 4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチルシクロへキサノン 3 0. 0 g ( 1 0 8mmo 1 ) の THF溶液 3 0 0 m 1を— 5 0°C以下を保ちな がら滴下した。 滴下後、 反応温度を徐々に室温まで昇温し、 さらに 5時間撹拌し た。 反応物に水を 20 0 m 1を加えて反応を終了させた後、 トルエン 1 0 0 0 m 1で抽出した。 有機層を水 1 0 0m lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで 乾燥した。 減圧下で溶媒を留去後、 得られた濃縮残査をシリカゲルカラムクロマ 卜グラフィ一 (展開溶媒: トルエン) に付し、 さらにヘプタンから再結晶して、 4 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ブチルシクロへキンリデンメチ ルエーテル 1 9. 9 g (64. 7mm 0 1 ) を得た。 このものとギ酸 2 9. 8 g ( 64 7mmo 1 ) をトルエン 5 0 Om 1に溶解し、 3時間加熱還流した。
反応物に水を 1 0 0m lを加えて反応を終了させた後、 有機層を水 2 0 0 m l で 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 得ら れた濃縮残査をヘプタンから再結晶し、 トランス一 4— ( 4一 ( トランス一 4一 プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキサン力ルバアルデヒ ド 1 7. 3 g (5 9. 1 mm o 1 ) を得た。
次にこのものを DMF 20 0 m lに溶解し、 PDC 4 4. 4 g ( 1 1 8 mm o 1 ) を加え、 室温で 7時間撹拌した。 反応物に水 1 5 0 0 m lを加えて反応を終 了させた後、 へキサン 1 0 0 0 m lで抽出した。 有機層を水 2 0 0 m 1で 3回洗 浄し、 減圧下で溶媒を留去し、 トランス一 4一 (4 - (トランス一 4—プロピル シクロへキシル) プチル) シクロへキサンカルボン酸 1 6. 9 gを得た。
このもの 1 6. 9 g (5 . 9mmo l ) と 3, , 5, 2' , 6 ' 一ペン夕 フルオロー 4 ' ーヒ ドロキシビフエニル 1 4. 3 g (5 5. 0 mm ο 1 ) および
D AP 2. 0 1 g ( 1 6. 5 mm o 1 ) をジクロロメタン 1 0 0 0 m 1に溶解 し、 窒素気流下、 氷浴上で撹拌した。 そこに DC C 1 3. 6 g (6 5. 9mmo 1 ) のジクロロメタン溶液 1 0 Om lを滴下し、 室温で 1 2時間撹拌した。 水 1 00 Om 1を加えて反応を終了させ、 折出した不溶物を濾別し、 濾液にトルエン 5 00 m lを加えた。 有機層を 2 N -水酸化ナ卜リゥム水溶液 3 0 Om 1で 2回、 水 5 0 Om 1で 5回、 飽和塩化アンモニゥム水溶液 3 0 Om 1 と水 5 0 Om 1で 順次 2回洗浄し、 次いで無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去 した後、 得られた濃縮残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: ヘプタン) に付し、 粗製の卜ランスー 4一 (4一 (トランス— 4一プロピルシク 口へキシル) ブチル) シクロへキシルカルボン酸 3 , 4, 5 , 2' , 6 ' 一ペン 夕フルオロー 4' ービフエニルエステルを得た。 このものをヘプタンから再結晶 し、 標題化合物 9. 97 g ( 1 8. 1 mm 0 1 ) を得た。
MS : m/e = 5 5 0 (M+)
実施例 6
3, 4, 5, 2' , 6' 一ペンタフルオロー 4' 一 ( 2 - (トランス一 4一
(4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ェ チル) ビフヱニル ( ( 1 ) 式において、 R,が C3H7、 が (CH2) 2、 Z2が 共有結合、 L,、 L2、 L3、 L4および Xが共に Fである化合物 (No. 1 97 ) ) の製造
窒素気流下、 ジェチルホスホノ酢酸ェチル 3 0. 3 g ( 1 3 5mmo I ) を T
HF 7 0 0 m 1に溶解し一 5 0 Cに冷却した。 この溶液に t一 BuOK 1 6. 7 g ( 1 4 9mmo 1 ) を加え、 1時間撹拌した。 この混合物に 4一 ( トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチルシクロへキサノ ン 3 0. 0 g ( 1 0 8 mm o 1 ) の THF溶液 30 0 m 1を一 5 0 °C以下を保ちながら滴下した。 滴下後、 反応温度を徐々に室温まで昇温し、 さらに 5時間撹拌した。 反応物に水を 20 0
1 m 1を加えて反応を終了させた後、 トルエン 1 0 0 0 m 1で抽出した。 有機層 を水 20 0 m 1で 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒 を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 さらにヘプタンから再結晶して 4— (卜ランス一 4一プロビルシクロへ
キンル) ブチルシクロへキシリデンカルボン酸ェチル 1 6. 2 g (4 6. 4 mm o 1 ) を得た。 このものをトルエン Zソルミ ックス ( 1 / 1 ) の混合溶媒 20 0 m lに溶解し、 パラジウム Z炭素触媒 0. 8 0 gを加え、 水素圧 1〜 2 kgZcm2 の条件下室温で撹拌した。 水素の消費量が 1 05 0 m l となったところで撹拌を 5 終了し、 パラジウム Z炭素触媒を濾別した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリ 力ゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 さらにヘプ夕 ンから再結晶することにより (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチルシクロへキシル) 齚酸ェチル 1 6. 0 g (4 5. 5mmo l ) を得た。 次にこのものを THF 4 0 0 m lに溶解した後窒素気流下で— 5 0°Cまで冷却
10 し、 D I BAL 1. 0 Mの n—へキサン溶液 54. 6m l ( 5 4. 6 mm o 1 ) を滴下後、 同温度で 1時間撹拌した。 反応物を氷水 5 0 0 m 1に加えて反応を終 了させた後、 2 N—塩酸 4 0 m 1を加え、 トルエン 5 0 0 m 1で抽出し、 有機層 を水 1 0 0m lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒 を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン)
15 に付し、 さらにヘプタンから再結晶して (4一 (トランス一 4一プロビルシクロ へキシル) ブチルシクロへキンル) 了セトアルデヒ ド 1 2. 6 g (4 4. 1 mm o 1 ) を得た。
窒素気流下で 30分間加熱乾燥したマグネシウム 1. 4 4 g (5 9. 2mmo 1 ) を THF 0m lに懸濁させ、 これに 1一プロモー 3, 5—ジフルォロベン
20 ゼン 9. 5 1 g ( 4 9. 3mmo 1 ) の THF溶液 20m 1を 5 0〜6 0°Cを保 ちながら滴下し、 30分間撹拌した。 放冷後、 室温で (4一 ( トランス— 4ープ 口ビルシクロへキシル) ブチルシクロへキシル) ァセトアルデヒ ド 1 2. 6 g (44. 1 mm 0 1 ) の THF溶液 3 5 m 1を滴下し、 湯浴上 6 0°Cに保ちなが ら 1. 5時間撹拌した。 氷水 5 0m 1に反応物を入れて反応を終了させた後、 6
,25 N—塩酸 1 0m lを加え、 トルエン 1 5 0 m 1で抽出した。 有機層を水 5 0 m 1 で 3回洗净し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、 減圧下で溶媒を留去した。
, 得られた濃縮残査をトルエン 1 0 0m 1に溶解し、 アンバーリスト 0. 6 3 gを 加え 2時間加熱還流を行った。 室温まで放冷後アンバーリストを濾別し、 減圧下 で溶媒を留去した後、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒:
ヘプタン) に付し、 さらにヘプタンから再結晶することにより 1 , 3—ジフルォ ロー 5— (2— (4一 (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチ ル) シクロへキシル) ェテニル) ベンゼン 1 1. 8 g (2 9. 3mmo l ) を得 た。 このものをトルエン/ソルミ ックス ( 1 Z 1 ) の混合溶媒 1 0 Om 1に溶 解し、 ラネーニッケル 2. 5 0 gを加え、 水素圧 1 ~2kg/cni2の条件下室温で 撹拌した。 水素の消費量が 6 5 0 m l となったところで撹拌を終了し、 ラネ一二 ッケルを濾別した。 減圧下で溶媒を留去濃縮し、 残査をシリカゲルカラムクロマ トグラフィー (展開溶媒:ヘプタン) に付し、 さらにヘプタンから再結晶するこ とにより 1, 3—ジフルオロー 5— (2— (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ェチル) ベンゼン 4.
5 0 g ( 1 1. 1 mm 0 1 ) を得た。
このものを THF 20 0 m lに溶解し、 窒素気流下一 30でまで冷却した後こ の温度を保ちながら n—ブチルリチウム 1. 6 Mの n—へキサン溶液 8. 3m 1 ( 1 3. 3mmo l ) を滴下し、 1時間撹拌した。
— 5 (TCまで冷却した後、 この温度を保ちながら塩化亜鉛 0. 5Mの THF溶 液 26. 6 m 1 ( 1 3. 3mmo l ) を滴下した。 30分間撹拌後室温まで昇温 し、 さらに室温で 1時間撹拌した後テトラキストリフエニルホスフィ ンパラジゥ ム (0) 0. 50 1 g (0. 4 3 3 mm 0 1 ) を加え、 次いで 1ーブロモー 3, 4, 5—トリフルォロベンゼン 2. 8 1 g ( 1 3. 3mmo 1 ) を滴下した。 滴 下後 4時間加熱還流を行い、 放冷後反応物に水 20 0 m lを加えて反応を終了さ せた。 反応溶液に 2 N—塩酸 1 5m lを加え、 トルエン 1 5 0m 1で抽出し、 有 機層を飽和炭酸水素ナ卜リゥム水溶液 5 0m lで処理した後水 1 5 0 m 1で 3回 洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。
減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶 媒:ヘプタン) に付し、 粗製の 3, 4, 5, 2' , 6 ' —ペン夕フルオロー 4' 一 (2— (トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブ チル) シクロへキシル) ェチル) ビフヱニルを得た。 このものをさらにヘプタン から再結晶し、 標題化合物 2. 4 5 g (4. 5 8mmo l ) を得た。
MS : m/e = 5 34 ( +)
8 o
実施例 7
3, 4, 5—トリ フルオロフェニル 2, 6—ジフルオロー 4一 ( トランス 4 — (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキンル) ベンゾアート ( ( 1 ) 式において、 R,が C3H?、 Z,が共有結合、 Z2が CO〇、 L,、 L2、 L3、 L4および Xがともに Fである化合物 (No. 28 7 ) ) の製造 実施例 3で製造され、 用いられた 1 , 3—ジフルオロー 5— (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ベ ンゼン 4. 5 0 g ( 1 1. 1 mmo 1 ) を THF 20 Om 1に溶解し、 窒素気流 下一 3 0 °Cまで冷却後、 この温度を保ちながら n—ブチルリチウム 1. 61\ の11 —へキサン溶液 8. 3m l ( 1 3. 3 mm o 1 ) を滴下して 1時間撹拌し、 そこ にドライアイス 2 0 gを加え 3 0分間撹拌した。 反応物に水 2 0 0 m lを加えて 反応を終了させた後 2 N—塩酸 1 5m lを加え、 ジェチルエーテル 2 0 0 m 1で 抽出した。 有機層を水 5 0m lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した c 減圧下で溶媒を留去し、 残査をヘプタンから再結晶して 2, 6—ジフルオロー 4 一 (トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) 安息香酸 4. 4 3 g ( 9. 8 8mmo l ) を得た。
このもの 2. 0 0 g ( 4. 4 6mmo l ) と 3, 4, 5— ト リフルオロフエノ ール 0. 6 6 1 g (4. 4 6mmo 1 ) および DMAP 0. 1 6 3 g ( 1. 34 mm o l ) をジクロロメタン 5 0m lに溶解し、 窒素気流下、 氷浴上で撹拌する c そこに DCC 0. 9 2 1 g ( 4. 4 6 mm o 1 ) のジクロロメタン溶液 1 0 m 1 を滴下し、 室温で 1 2時間撹拌した。 水 1 00m 1を加えて反応を終了させ、 折 出した不溶物を濾別し、 濾液にトルエン 5 0m 1を加えた。 有機層を 2N—水酸 化ナトリゥム水溶液 3 0 0 m 1で 2回、 水 5 0m 1で 5回、 飽和塩化アンモニゥ ム水溶液 3 0m lおよび水 5 0m l 2回で順次洗净し、 無水硫酸マグネシウムで 乾燥した。
減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶 媒: トルエン) に付し、 粗製の 3, 4, 5— トリフルオロフェニル 2, 6—ジ フルオロー 4一 (トランス 4一 (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキン ル) ブチル) シクロへキシル) ベンゾアートを得た。 このものをヘプタンから再
結晶し、 標題化合物 0. 95 8 g ( l . 74 mm 0 1 ) を得た。
MS : mZe = 5 5 0 (M+)
実施例 8
1, 2, 3, — トリフルオロー 5— (2— (2, 6—ジフルオロー 4— (トラ ンス一4— (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへ キシル) フエニル) ェチル) ベンゼン ( ( 1 ) 式において、 R,が C3H7、 Z,が 共有結合、 Z2が (CH2) 2、 L,、 L2、 L3、 L4および Xが共に Fである化合 物 (No. 377 ) ) の製造
実施例 7で製造され、 用いられた 2, 6—ジフルオロー 4一 (トランス一 4一 ( 4— (トランス— 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) 安 息香酸 2. 0 0 g ( 4. 4 6mmo 1 ) をエタノール 5 Om 1に溶解し、 濃硫酸 0. 1 m 1を加え 3時間加熱還流した。 減圧下にエタノールを留去し、 残液にト ルェン 5 Om 1 と水 5 Om 1を加えて抽出した後、 抽出層を飽和炭酸水素ナトリ ゥム水溶液 5 0 m 1、 次レ、で水 5 0 ミ リ リッ トルで 5回洗浄した後無水硫酸マグ ネシゥ厶で乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマト グラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 さらにヘプタンから再結晶し、 2, 6—ジフルオロー 4一 (トランス一 4一 ( - (トランス一 4—プロビルシクロ へキシル) プチル) シクロへキシル) 安息香酸ェチル 1. 8 7 g (3. 92mm o 1 ) を得た。
このものを THF 50m lに溶解し、 窒素気流下— 5 0°Cまで冷却し、 D I B
AL 1. 0Mの n—へキサン溶液 4. 7 m 1 (4. 70 mm o 1 ) を滴下後、 同 温度で 1時間撹拌した。 氷水 1 00m lに反応物を加えて反応を終了させた後、 2 N—塩酸 5 m 1を加え、 トルエン 1 0 Om 1で抽出し、 有機層を水 5 0m 1で 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 '减圧下で溶媒を留去し、 残査を シリカゲルカラムクロマトグラフィー (展開溶媒: トルエン) に付し、 ヘプタン で再結晶し、 2, 6—ジフルォロ— 4— (トランス一 4一 ( 4 - (トランス一 4 一プロビルシクロへキシル) プチル) シクロへキシル) ベンズアルデヒ ド 1. 5 8 g ( 3. 65mm 01 ) を得た。
窒素気流下、 メ トキシメチルトリフエニルホスホニゥムクロ リ ド 1. 5 0 g
(4. 38mmo l ) を THF 5 0m lに溶解し一 5 0°Cに冷却した。 この溶液 に t一 Bu〇K 0. 5 9 g ( 5. 2 6mmo l ) を加え、 1時間撹拌した。 この 混合物に上記 2, 6—ジフルォロ— 4— (トランス一 4— (4一 ( トランス一 4 一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ベンズアルデヒ ド 1. 5 8 g (3. 6 5mmo 1 ) の THF溶液 1 5m 1を一 5 0°C以下を保ちながら滴 下した。 滴下後、 反応温度を徐々に室温まで昇温し、 さらに 5時間撹拌した。 反 応物に水 1 Om 1を加えて反応を終了させた後、 トルエン 1 0 0m lで抽出した。 有機層を水 5 0 ミ リ リ ッ トルで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥した。 減圧下で溶媒を留去し、 残査をシリカゲルカラムクロマ トグラフィー (展開溶 媒: トルエン) に付し、 さらにヘプ夕ンから再結晶して 1一 ( 2—メ トキシェテ ニル) 一 2, 6—ジフルオロー 4— (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4ープ 口ビルシクロへキシル) プチル) シクロへキシル) ベンゼン 0. 9 4 7 g (2. 1 9 mm o 1 ) を得た。
このものをギ酸 1. 0 1 g (2 1. 9mmo 1 ) と共にトルエン 5 0m 1に溶 解し、 3時間加熱還流した。 反応物に水を 1 0 m 1を加えて反応を終了させた後、 有機層を水 3 0 m 1で 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシゥムで乾燥した。 減圧下で 溶媒を留去し、 へブタンで再結晶し、 (2, 6—ジフルオロー 4一 ( トランス一 4 - ( 4 - (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシ ル) フエニル) ァセ トアルデヒ ド 0. 8 0 0 g ( l . 9 1 mmo l ) を得た。
窒素気流下に 3 0分間加熱乾燥したマグネシウム 0. 0 7 0 0 g (2. 8 8m m o 1 ) を THF 5 m 1に懸濁させ、 これに 1ーブロモー 3, 4, 5— トリフル ォロベンゼン 0. 4 80 g (2. 28mmo 1 ) を 50〜6 0°Cを保つようにし て滴下し、 3 0分間撹拌した。
放冷後、 これに上記 (2, 6—ジフルォロ) — 4一 (トランス— 4— (4一
(トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) フエ二 ル) ァセトアルデヒ ド 0. 8 0 0 g ( l . 9 1 mm 0 1 ) の THF溶液 5 m 1を 室温で滴下し、 1. 5時間撹拌した。 氷水 1 0m 1に反応物を入れて反応を終了 させ、 6N—塩酸 0, 5m lを加え、 トルエン 3 0m 1で抽出した。 有機層を水 20m lで 3回洗浄し、 無水硫酸マグネシウムで乾燥後、 減圧下で溶媒を留去した c
残査にトルエン 3 0m 1 とアンバーリスト 0. 0 4 gを加えて 2時間加熱還流さ せた後アンバーリストを濾別し、 減圧下で溶媒を留去した後、 残査をシリカゲル カラムクロマトグラフィー (展開溶媒:ヘプタン) に付し、 さらにヘプタンから 再結晶することにより 1 , 2, 3 -トリフルォ口- 5— (2— (2, 6 -ジフル オロー 4— (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) フエニル) ェテニル) ベンゼン 0. 7 1 2 g ( 1. 3 4 mm o 1 ) を得た。
次にこのものをトルエン Zソルミ ックス ( 1 Z 1 ) の混合溶媒 2 0m 1に溶解 し、 ラネーニッケル 0. 1 6 5 gを加え、 水素圧 1〜2kg/cm2条件下室温で撹 拌した。 水素の消費量が 3 0m 1 となったところで撹拌を終了し、 ラネーニッケ ルを濾別した。 減圧下で溶媒を留去し、 残查をシリカゲルカラムクロマトグラフ ィ一 (展開溶媒:ヘプタン) に付し、 粗製の 1 , 2, 3— トリフルオロー 5— ( 2 - (2, 6—ジフルオロー 4一 (トランス一 4一 (4一 (トランス一 4ープ 口ビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) フエニル) ェチル) ベンゼン を得た。 このものをヘプタンから再結晶し、 標題化合物 0. 4 1 2 g (0. 7 7
1 mm o 1 ) を得た。
MS : m/e = 5 3 4 ( +)
実施例 1から 8および発明の詳細な説明の欄における説明を基に、 次の化合物 No. 卜 No. 8 3 8 (No. 1 1、 1 8、 2 5、 4 9、 1 0 7、 1 9 7、 2 8 7および 3 7 7についても併せ示した) を製造することができる。 なお、 各化 合物は、 一般式 ( 1 ) で示される化合物において、 パラメータである R,、 Z,、 Z2、 L2、 L3、 L4および Xを抽出することにより表示した。 パラメータ 表示が無の箇所は、 共有結合であることを意味する。
d d d d d UH50 81 d d d HE0 II d d d H d llH53 91 d d H d ZHE0 ζ\ d H d d H50 d H d d ZHE3 ει d d H H llHsつ Zl d =i H H TI d H H =) HS0 01 d H d H d 6 rl H H d d llH50 8 d H H d L
=) H d H H llHsD 9 r) H d H H 。 ζ d H H H H53 t d H H H d ZHE0 e d H H H H llHsD 6
H H H H -Ηε0 T
X *Ί εつ zl 'Z ιϋ
霞 6 ΟΛ\
C
0
24
し 1 し 2 し 3 u X
C3H7 H H H H OCF2H
H H H H OCF2H
C3H7 F H H H OCF2H
F H H H OCH2H
C3H7 H H F H OCF2H
H H F H OCF2H
C3H7 F H F H OCF2H
F H F H OCF2H
C3H7 H H F F OCF2H
H H F F OCF2H
C3H7 F F F H 〇CF2H
F F F H OCF2H
C3H7 F F F F 〇CF2H
szs e 0/6 οΔ一
li- U. LL U- u. U. LL ェ ェ
O 97/06124
Rt Z, Z2 し; し 2 し 3 X
145 C3H7 COO H H H H OCF2H
146 COO H H H H OCF2H
147 C3H7 COQ F H H H OCF2H
148 COO F H H H QCH2H
149 C3H7 COO H H F H OCF2H
150 COO H H F H OCF2H
151 C3H7 COO F F H H 〇CF2H
152 COO F F H H OCF2H
153 C3H7 coo F H F H OCF2H
154 coo F H F H OCF2H
155 C3H7 coo H H F F OCF2H
156 coo H H F F OCF2H
157 C3H7 coo F F F H OCF2H
158 C5Hn coo F F F H OCF2H
159 C3H7 coo F H F F OCF2H
160 coo F H F F OCF2H
161 C3H7 coo F F F F OCF2H
97/06124
R t Zi Z2 し 2 し 3 u X
181 C3H7 (CH^a H H H H F
182 CsH (CHa)2 H H H H F
183 (CH2)2 F H H H F
184 C5H" F H H H F
185 C3H7 H H F H F
186 (CH2), H H F H F
187 C3H7 F F H H F
188 Ljcn 1 1 (CH 'つ2/)つ2 F F H H F
189 C3H7 F H F H F
190 jcri 1 « 1 iCHつ F H F H F
191 C3H7 (CH2)2 H H F F F
192 し (CH2)2 Π Π Γ Γ Γ
193 C3H7 (CH2)2 F F F H F
194 CsHu (CH2)2 F F F H F
195 C3H7 (CH2)2 F H F F F
196 C5H (CH2)2 F H F F F
197 C3H7 (CH2)2 F F F F F
198 csHn (CH2)2 F F F F F
z, z2 し 1 し 2 し 3 u X
199 Cコ H7 (CH2)2 H H H H CF3
200 CsHn (CHa)2 H H H H CF3
201 C H7 (CH2)2 F H H H CF3
202 (CH2)2 F H H H CF3
203 C3H7 (CH2)2 H H F H CF3
204 C5H 1 1 (CH2)2 H H F H CF3
205 C3H7 (CH2)2 F F H H CF3
206 (CH2)2 F F H H CF3
207 C3H7 (CH2)2 F H F H CF3
208 C5Hn (CH2)2 F H F H CF3
209 C3H7 (CHa)2 H H F F CF3
210 (CH2)2 H H F F CF3
211 C3H7 (CH2)2 F F F H CF3
212 C5Hn (CH2)2 F F F H CF3
213 C3H7 (CH2)2 F H F F CF3
214 ( H2)2 F H F F CF3
215 C3H7 (CH2)2 F F F F CF3
216 (CH2)2 F F F F CF3
2, Z2 し】 し 2 し 3 X
217 Cコ H7 (CH2)2 H H H H OCF3
218 (CH2)2 H H H H OCF3
219 C3H7 (CHa)2 F H H H OCF3
220 (CH2)2 F H H H OCFコ
221 C3H7 (CH2)2 H H F H OCF3
222 CsHi i (CH2)2 H H F H OCF3
223 C3H7 (CH2)2 F F H H OCF3
224 (CH2)2 F F H H OCF3
225 C3H- (CH2)2 F H F H OCF3
226 (CH2)2 F H F H OCF3
227 C3H7 (CH2)2 H H F F OCF3
22S (CH2)2 H H F F OCF3
229 C3H7 (CH2)2 F F F H OCF3
230 (CH2)2 F F F H OCF3
231 C3H7 (CH2)2 F H F F OCF3
232 (CH2)2 F H F F OCF3
233 C3H7 (CH2)2 F F F F OCF3
234 C5Hn (CH2)2 F F F F OCF3
97/06124
R, 2, Z
7 し, し,2 し3 し X
2门
236 (CH^, H H H H OCF2H
237 C3H7 (CH2)2 F H H H OCF2H
238 5* M l (CHa), F H H H n OCH2H
239 (CH2)2 H H F H OCF2H
240 ^c jHi (CH2)2 H H F H OCF2H
24.1 (CH2)7 Π u Π 〇CF2H
V I '2/2 pr Γ u Π Π
243 し *¾H (CH iウ2ノ 2 H Π OCF2H Δ"Λ■す. C
ノ 2 H c
Π Π OCF2H
245 C3H (CH2) H H F F OCF2H
F F O
し SM11 (Gn2)2 H ί H O OCF2H
247 C3H7 (CH2)2 F F F H OCF2H
243 (CH2)2 F F F H OCF2H
249 C3H7 (CH2)2 F H F F OCF2H
250 C5Hl (CH2)2 F H F F OCF2H
251 (CH2)2 F F F F OCF2H
252 (CH2)2 F F F F OCF2H
z. z2 し 1 し 2 L3 X
253 C3H7 (CH2)2 H H H H CN
254 CSHU (CH2)2 H H H H CN
255 C3H7 (CH2)2 F H H H CN
256 C5H (CH2)2 F H H H CN
257 C3H7 (CH2)2 H H F H CN
258 (CH2)2 H H F H CN
259 C3H7 (CH2)2 F F H H CN
260 (CH2)2 F F H H CN
261 C3H7 (CH2)2 F H F H CN
262 (CH2)2 F H F H CN
263 C3H7 (CH2)2 H H F F CN
264 (CH2)2 H H F F CN
265 C3H7 (CH2)2 F F F H CN
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267 C3H7 (CHa)2 F H F F CN
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342 C5H COO F F F F 〇CF2H
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97/06124
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364 C5Hn (CH2)2 F H H H F
365 C3H7 (CH2)2 H H F H F
366 (CH2)2 H H F H F
367 C3H7 (CH2)2 F F H H F
368 (CH2)2 F F H H F
369 C3H7 (CH2)2 F H F H F
370 C5H11 (CH2)2 F H F H F
371 C3H7 (CH2)2 H H F F F
372 C5H (CH2)2 H H F F F
373 C3H7 (CH2)2 F F F H F
374 (CH2)2 F F F H F
375 C3H7 (CH2)2 F H F F F
376 CsHn (CH2)2 F H F F F
377 C3H7 (CH2)2 F F F F F
378 (CH2)2 F F F F F
97/06124
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379 C3H7 (CH2}2 H H H H CF3
380 C5H11 (CH2)2 H H H H CF3
381 C3H7 (CH2)2 F H H H CF3
382 (CH2)2 F H H H CF3
383 C3H7 ( 、CH2), H H F H CF3
384 (CH2)2 H H F H CF3
385 C3H7 (CH2), F F H H CF3
386 C5H 11 (CH2)5 F F H H CF3
387 C3H7 (CH F H F H CF3
388 C5H11 F H F H CF3
389 C3H- (CHa)2 H H F F CF3
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391 C3H7 (CH2)2 F F F H CF3
392 (CH2)2 F F F H CF3
393 C H7 (CH2)2 F H F F CF3
394 (CH2)2 F H F F CF3
395 C3H7 (CH2)2 F F F F CF3
396 C5HU (CH2)2 F F F F CF3
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397 H H H H OCFコ
398 (CH2)2 H H H H OCF3
399 C3H7 (CH2)2 F H H H OCF3
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401 C3H7 (CH2)2 H H F H OCF3
402 (CH^a H H F H OCF3
403 C3H7 (CH,)2 F F H H OCF3
404 (CH2)2 F F H H OCF3
405 C3H7 (CH2)2 F H F H OCF3
406 (Cト :2)2 F H F H OCF3
407 C3H7 (CH2)2 H H F F OCF3
408 C5H 11 (CH2)2 H H F F OCFつ
409 C3H7 (CH2)2 F F F H OCF3
410 (CH2)2 F F F H OCF3
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413 C3H7 (CH2)2 F F F F OCF3
414 (CH2)2 F F F F OCF3
97/06124
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429 C3H7 (CH2)2 F H F F QCF2H
430 (CHa)2 F H F F OCF2H
431 C3H7 (CH2)2 F F F F OCF2H
432 (CH2)2 F F F F OCF2H
97/06124
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445 C3H7 (CH2)2 F F F H CN
446 CsHn (CH2)2 F F F H CN
447 C3H7 (CH2)2 F H F F CN
443 (CH2)2 F H F F CN
449 C3H7 (CH2)2 F F F F CN
450 (CH2)2 F F F F CN
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97/06124
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507 C3H7 COO coo F H H H OCF2H
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509 C3H7 coo coo H H F H OCF2H
510 coo coo H H F H OCF2H
511 C3H7 coo coo F F H H OCF2H
512 coo coo F F H H OCF2H
513 C3H7 coo coo F H F H OCF2H
514 CQO coo F H F H OCF2H
515 C3H7 coo coo H H F F OCF2H
516 coo coo H H F F OCFoH
517 C3H7 coo coo F F F H OCF2H
518 CQO coo F F F H OCF2H
519 C H7 coo coo F H F F OCF2H
520 coo CQO F H F F QCF2H
521 C3H7 COQ coo F F F F 〇CF2H
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5H
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542 CQO (CHa)2 H H H H F
543 C3H7 COO (CHa)2 F H H H F
544 CSH11 COO (CH2)2 F H H H F
545 C3H7 COO (CH2)2 H H F H F
546 coo (CH2)2 H H F H F
547 C3H7 coo (CH2)2 F F H H F
548 coo (CH2)2 F F H H F
549 C3H7 coo (CH2)2 F H F H F
550 coo (CH2)2 F H F H F
551 C3H7 coo (CH2)2 H H F F F
552 coo (CH2)2 H H F F F
553 C3H7 coo (CH2)2 F F F H F
554 coo (CH2)2 F F F H F
555 C3H7 coo (CH2)2 F H F F F
556 coo (CH2)2 F H F F F
557 C3H7 coo (CH2)2 F F F F F
558 coo (CH2)2 F F F F F
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559 C3H7 COO (CH2)2 H H H H CF3
560 coo (CH2)2 H H H H CF3
561 C3H7 coo (CH2)2 F H H H CF3
562 coo (CH2)2 F H H H CF3
563 C3H7 coo (CH2)2 H H F H CF3
564 coo (CH2)2 H H F H CF3
565 C3H7 coo (CH2)2 F F H H CF3
566 CsHn coo (CH2)2 F F H H CF3
567 C3H7 coo (CH2)2 F H F H CF3
568 CsHn coo (CH2), F H F H CF3
569 C3H7 coo (CH2)2 H H F F CF3
570 5' 1 coo ( 、C"Hι ,つ2ノ)つ 2 H H F F CF3
571 C3H7 coo (CH2)2 F F F H CF3
572 coo (CHa)2 F F F H CF3
573 C3H7 coo (CH2)2 F H F F CF3
574 C5Hn coo (CH2)2 F H F F CF3
575 C3H7 coo (CH2)2 F F F F CF3
576 coo (CH2)2 F F F F CF3
z, し 1 し 2 し 3 X
577 Cコ H7 COO (CH2)2 H H H H QCF3
578 CsH COO (CH2)2 H H H H OCF3
579 C3H7 COO (CH2)2 F H H H OCF3
580 COO F H H H OCF3
581 C3H7 coo (CH2)2 H H F H OCFコ
582 csHu coo (CH^a H H F H OCF3
583 C3H7 coo (CH2)2 F F H H OCF3
584 coo (CH2)2 F F H H OCF3
585 C3H7 coo (CHj), F H F H OCF3
586 coo (CH,)2 F H F H OCF3
587 C3H7 coo (CH2)2 H H F F OCF3 し 5· 111 coo 「' 2 H H F F OCF-,
589 C3H7 coo (CH2)2 F F F H OCF3
590 coo (CH2)2 F F F H OCF3
591 C3H7 coo (CH2)2 F H F F OCF3
592 coo (CH2)2 F H F F OCF3
593 C3H7 coo (CH2)2 F F F F OCFコ
594 C5Hn coo (CH2)2 F F F F OCF
97/06124
Ri z, z2 し, L2 し 3 u X
595 C3H7 COO (CHa)2 H H H H OCF2H
596 C5H11 COO (CH2)2 H H H H OCF2H
597 C3H7 COO F H H H OCF2H
598 coo (CH2)2 F H H H OCH2H
599 C3H7 coo (CH2)2 H H F H OCF2H
600 CsHn coo (CH2)2 H H F H OCF2H
601 C3H7 coo (CH2)2 F F H H OCF2H
602 coo (CH2)2 F F H H OCF2H
603 Cコ H7 coo (CH2)2 F H F H OCF2H
604 coo (CH2)2 F H F H OCF2H
605 C3H- coo (CH2)2 H H F F OCF2H
606 coo (CH2)2 H H F F OCF2H
607 C3Hr coo (CH2)2 F F F H OCF2H
608 CsH coo (CH2)2 F F F H OCF2H
609 C3H7 coo (CH2)2 F H F F OCF2H
610 csHn coo (CH2)2 F H F F OCF2H
611 Cコ H7 coo (CH2)2 F F F F QCF2H
612 coo (CH2)2 F F F F OCF2H
7/06124
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613 C3H7 COO (CH2)2 H H H H CN
614 CsHii coo (CH2)2 H H H H CN
615 C3H7 coo (CH2)2 F H H H CN
616 coo (CH2)2 F H H H CN
617 C3H7 coo (CH2)2 H H F H CN
618 coo (CH2)2 H H F H CN
619 C3H7 coo (CH2)2 F F H H CN
620 coo (CH.2)2 F F H H CN
621 C3H7 coo (CH2)a F H F H CN
622 coo (CH2)2 F H F H CN
623 C3H7 coo (CH2)2 H H F F CN
624 C5H11 coo (CH2)2 H H F F CN
625 C3H7 coo (CH2)2 F F F H CN
626 csHu coo (CH2)2 F F F H CN
627 C3H7 CQO (CH2)2 F H F F CN
62S CQO (CH2)2 F H F F CN
629 C3H7 coo (CH2)2 F F F F CN
630 CQO (CH2)2 F F F F CN
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647 C3H7 (CH2)2 coo F F F F F
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650 (CH2)2 COO H H H H CF3
651 C3H7 (CH2)2 coo F H H H CF3
652 (CH2)2 coo F H H H CF3
653 C3H7 (CH2)2 coo H H F H CF3
654 CsHn (CH2)2 coo H H F H CF3
655 C3H7 (CH2)2 CQO F F H H CF3
656 (CH2)2 coo F F H H CF3
657 C3H7 (CH2)2 coo F H F H CF3
658 (CH2)2 CQO F H F H CF3
659 C3H7 (CH2)2 coo H H F F CF3
660 CsH (CH2)2 coo H H F F CF3
661 C3H7 (CH2)2 coo F F F H CF3
662 (CH2)2 coo F F F H CF3
663 C3H7 (CH2)2 coo F H F F CF3
664 (CH2)2 coo F H F F CF3
665 C3H7 (CH2)2 coo F F F F CFa
666 (CH2)2 CQO F F F F CF3
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668 (CH2)2 coo H H H H OCF3
669 C3H7 (CH2)2 coo F H H H OCF3
670 (CH2)2 coo F H H H OCF3
671 C3H7 (CH2)2 coo H H F H OCF3
672 (CH2)2 coo H H F H OCF3
673 C3H7 (CH2)2 coo F F H H OCF3
674 coo F F H H OCF3
675 C3H7 (CHつ)つ coo F H F H OCF3
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677 C3H7 (CH2)2 coo H H F F OCF3 f ui- /τ oα し 5H " H しリリ H H F F
679 C3H7 (CH2)2 coo F F F H OCF3
680 (CH2)2 coo F F F H OCF3
681 C3H7 (CH2)2 coo F H F F OCF3
682 (CH2)2 coo F H F F OCF3
633 C3H7 (CH2)2 coo F F F F OCF3
684 (CHa)2 coo F F F F OCF3
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685 (CH2)2 COO H H H H OCF2H
686 C5H11 (CH2)2 COO H H H H OCF2H
687 C3H7 (CH2)2 coo F H H H OCF2H
688 (CH2)2 coo F H H H OCH2H
689 C3H7 (CH2)2 coo H H F H OCF2H
690 (CH2)2 coo H H F H OCF2H
691 C3H7 (CH2)2 coo F F H H OCF2H
692 (CH2)2 coo F F H H
693 C3H7 (CH2)2 coo F H F H OCF2H
694 (CH2)2 coo F H F H OCF2H
695 C3H7 (CH2)2 coo H H F F OCF2H
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697 C3H7 (CH2)2 coo F F F H OCF2ェH
698 (CH2)2 coo F F F H OCF2H
699 C3H7 (CH2)2 coo F H F F 〇CF2H
700 (CH2)2 coo F H F F OCF2H
701 C3H7 (CH2)2 coo F F F F OCF2H
702 C5HU (CH2)2 coo F F F F OCF2H
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709 C3H7 (CH2)2 coo F F H H CN
710 (CH2)2 coo F F H H CN
711 C3H7 (CH2)2 coo F H F H CN
712 CsHn (CH2)2 coo F H F H CN
713 C3H7 (CH2)2 coo H H F F CN
714 (CH2)2 coo H H F F CN
715 C3H7 (CH2)2 coo F F F H CN
716 (CH2)2 coo F F F H CN
717 C3H7 (CH2)2 coo F H F F CN
718 (CH2)2 coo F H F F CN
719 C3H7 (CH2)2 coo F F F F CN
720 C5HU (CH2)2 coo F F F F CN
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2 H H H H F
723 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H H H F
724 (CH2)2 (CH2)2 F H H H F
725 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F H F
726 (CH2)2 (CH2)2 H H F H F
727 C3H7 (CH2), F F H H F
72S CsHn (CH2)2 (CH2), F F H H F
729 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F H F
730 (CH2)2 (CH2)2 F H F H F
731 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F F F
732 (CH2)2 (CH2)2 H H F F F
733 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F H F
734 (CH2)2 (CH2)2 F F F H F
735 C3H7 (CH2)2 (CH>2)2 F H F F F
736 (CH2)2 (CH^a F H F F F
737 C3H7 ( 2 (CH2)2 F F F F F
738 (CH2)2 (CH2)2 F F F F F
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739 (CHa)2 (CH2)2 H H H H CF3
740 (CH2)2 H H H H CF3
741 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H H H CF3
742 (CH2)2 F H H H CF3
743 C3H7 (CH2)2 H H F H CF3
744 C5H11 (CHa)2 (CH2)2 H H F H CF3
745 C3H7 (CH2)2 (CH2}2 F F H H CF3
746 (CH2)2 (CH-J2 F F H H CF3
747 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F H CF3
748 (CH2)2 (CH2)2 F H F H CF3
749 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F F CF3
750 (CH2)2 (CH2)2 H H F F CF3
751 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F H CF3
752 C5H11 (CH2)2 (CH2)2 F F F H CF3
753 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F F CF3
754 (CH2)2 (CH2)2 F H F F CF3
755 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F F CF3
756 (CH2)2 (CHa)2 F F F F CF3
し 1 し 2 L3 u X
757 C3H7 H H H H QCF3
758 C5H11 (CH2)2 (CHsJa H H H H QCF3
759 (CH2)2 (CH2)2 F H H H OCF3
760 (CH2)2 (CH2)2 F H H H OCF3
761 C3H7 (CH2)2 (CH2j2 H H F H OCFコ
762 (CH2)2 (CH2)2 H H F H OCF3
763 C3H7 (CH2)2 (CH^ F F H H OCF3
764 (CH2)2 (CH2)2 F F H H OCF3
765 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F H OCF3
766 (CH2)2 (CH2)2 F H F H OCF3
767 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F F OCF3
768 CsH (CH2)2 (CH2)2 H H F F OCF3
769 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F H OCF3
770 C5H (CH2)2 (CH2)2 F F F H QCF3
771 C3H7 (CH2)2 F H F F OCF3
772 (CH^a (CHa)2 F H F F OCF3
773 C;jH7 (CH2)2 (CH2)2 F F F F OCF3
774 CsH (CH2)2 (CH2)2 F F F F OCF3
z, ¾ し 1 し 2 し 3 u X
775 C3H (CH2)2 (CH2)2 H H H H OCF2H
776 (CH2)2 H H H H QCF2H
777 C3H7 (CH^ (CH2)2 F H H H OCF2H
778 (CH2)2 (CH2)a F H H H OCH2H
779 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F H OCF2H
780 (CH2)2 (CH2)2 H H F H OCF2H
781 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F H H OCF2H
782 (CH2)2 (CH2)2 F F H H OCF2H
783 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F H OCF2H
784 (CH2)2 (CH2)2 F H F H OCF2H
785 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F F OCF2H
786 (CH2)2 (CH2)2 H H F F OCF2H
787 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F H QCF2H
738 (CH2)2 (CH2)2 F F F H OCF2H
789 C3H7 (CH2)2 {C ^)2 F H F F OCF2H
790 (CH2)2 (CH2)2 F H F F OCF2H
791 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F F OCF2H
792 (CH2)2 (CH2)2 F F F F OCF2H
97/06124
Ri z, Z, し 1 し 2 し 3 X
793 C3H7 (CH2)2 ( H2)2 H H H H CN
794 (CH (CH2)2 H H H H CN
795 C3H7 (CH2)2 (CHa F H H H CN
796 CgH-i 1 (CH ), (CH2)2 F H H H CN
797 C3H7 (CH^a H H F H CN
798 CsH^ (CH2)2 H H F H CN
799 C3H7 (CH,), F F H H CN
800 5* * ^-" '2 2 (CH2)2 F F H H CN
801 C3H7
802 (CH2)2 (CH2)2 F H F H CN
803 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 H H F F CN
804 (CH,), H H F F CN
805 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F F F H CN
806 (CH2)2 (CH2)2 F F F H CN
807 C3H7 (CH2)2 (CH2)2 F H F F CN
808 (CH^a (CH2)2 F H F F GN
809 C3H7 (CHa)2 F F F F CN
810 (CH2)2 (CH2)2 F F F F CN
-NJ J 」 LI - LI H J
Mつ 」
ゴ HO=HD
コ J コ uws 7Q o ή d HO=HO HCD IZ8 d d HD=HD tlHsD 038 d d HD=HD lHc0 618
ND j HD=HO llHsD 818
NO d d HD=HD 112 c= 〇 d =i HD=HD "H
sつ 918 cdOO l d HO=HD -Ή
εο Π8 c=10 d HD=HD
llH
sD 8 ή d HD=HD
ZH
E0 Π8
d d ή d HD=HD Π8
X Ί ∑Z '2 ly
eszro/96dfi3d
し, し 2 し 3 X
827 F F F F F 828 F F F F F 829 F F F F F 830 F F F F F 831 ク F F F F OCF3 832 F F F F ◦CFコ 833 F F F F OCFコ 834 F F F .F OCF3 835 F F F F CF3 836 F F F F CFコ 837 F F F F CF3 838 F F F F CF3
実施例 9 (使用例 1 )
4— (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ベンゾニト リル 2 4重量% - (トランス一 4一ペンチルシクロへキシル) ベンゾニトリル 3 6重量% 4 - (トランス一 4一へプチルシクロへキンル) ベンゾニトリル 2 5重量% 4— ( 4一プロピルフエニル) ベンゾニト リル 1 5重量% からなるネマチック液晶組成物の透明点 (TN1) は 7 2. 4 °Cであった。 この液 晶組成物をセル厚 9〃mの TNセル (ねじれネマチックセル) に封入したものの 動作しきい値電圧 (V,h) は 1. 7 8 V、 誘電率異方性値 (△£) は 1 1. 0、 屈折率異方性値 (Z n) は 0. 1 3 7、 また 2 0°Cにおける粘度 η 20) は 2 7. 0 mP a · sであった。
この液晶組成物を母液晶 Aとし、 その 8 5重量部に実施例 1で得られた化合物 No. 1 1の 3, 4, 5— ト リ フルオロー 4' 一 (トランス一 4一 ( 4一 ( トラ ンスー 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ビフエ二ル 1 5 重量部を混合し、 その物性値を測定した。 その結果、 TN 1 6 2. 4°C、 △ £ : 1 4. 3、 Vth : l . 6 5 V, Δη : 0. 1 7 0、 η 20 7 4. 8 mP a · s (Vlh以外は外揷値) であった。 また、 この組成物を— 2 0°Cのフリーザーに 4 0日間放置したが、 結晶またはスメクチック相は認められなかった。
実施例 1 0 (使用例 2)
実施例 9で用いた母液晶 A 8 5重量部に実施例 2で得られた化合物 No. 1 8 の 3, 4, 5, 2' , 6 ' —ペン夕フルォロ一 4' 一 (トランス一 4— (4—
( 卜ランス一 4一ペンチルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ビフエ二 ル) 1 5重量部を混合し、 その物性値を測定した。 その結果、 TN 1 1 4. 4 。C、 △£ : 1 9. 0、 Vlh : 1. 6 3 V、 Δη : 0. 1 3 7, 7? 20 : 7 1. 4 m P a · s (Vth以外は外挿値) であった。 また、 この組成物を— 2 0°Cのフリー ザ一に 4 0日間放置したカ 、 結晶またはスメクチック相は認められなかった。 実施例 1 1 (使用例 3)
実施例 9で用いた母液晶 A 8 5重量部に実施例 3で得られた化合物 No. 2 5 の 4一 ト リフルォロメチルー 2' , 6 ' ージフルオロー 4' - ( トランス一 4— ( 4一 (トランス一 4一プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキシル) ビ
フエニル 1 5重量部を混合し、 その物性値を測定した。 その結果、 TN I : 1 3 2. 4°C, Δε : 1 3. 0、 Vl h : l . 6 4 V, Δη : 0. 1 3 5、 τ? 2。 : 7 5. 2 mP a · s (Vlh以外は外揷値) であった。
また、 この組成物を一 2 0 °Cのフ リーザーに 4 0日間放置したが、 結晶または スメクチック相は認められなかった。
実施例 1 2 (使用例 4)
実施例 9で用いた母液晶 A 8 5重量部に実施例 4で得られた化合物 N o. 4 9 の 3, 2' , 6 ' — ト リフルオロー 4一 トリフルォロメ トキシ一 4 ' 一 ( トラン ス一 4一 (4— (トランス一 4—プロビルシクロへキシル) ブチル) シクロへキ シル) ビフエニル 1 5重量部を混合し、 その物性値を測定した。 その結果、 TN 1 3 0. 4。。、 △£ : 1 3. 7、 Vlh : l . 6 6 V, Δη : 0. 1 2 8, 7? 20 : 7 6. 7mP a · s (Vlh以外は外揷値) であった。
また、 この組成物を一 2 0でのフリーザーに 4 0日間放置したが、 結晶または スメクチック相は認められなかつた。
比較例 1
母液晶 Aに混合するものを、 No. 1 1の本発明化合物に替え既述の (a) 式 に示す比較化合物 (ただし、 Rは C3H7である) とする以外は実施例 9と同様に して新たな組成物を調製し、 物性値を測定した。 その結果、 △£ : 1 2. 3、 V ,h : 1. 7 7であった。 また、 この組成物を— 2 0 °Cのフリーザーに放置したと ころ、 放置開始から 1 8日目に結晶の析出が認められた。
実施例 9と比較例 1の結果から、 前者で用いる本発明化合物例の No. 1 1の 化合物は後者で用いる従来化合物例のものに比し、 同じ四環系の化合物でありな がら△£は約 1 6 %も高く、 これにともない V,hは明らかに低い値 (約 7 %) を 示すことが知られる。 さらに、 相溶性についても大幅に良好であることが知られ る。
実施例 1 3 (使用例 5)
母液晶 Aに替え、 以下により調製される母液晶 Bを使用する以外は実施例 9と 同様にして新たな組成物を調製し、 このものにつき各温度毎の電圧保持率 (VH R) を測定した。
母液晶 Bの調製:下記の母液晶 B ,、 82ぉょび83を 1 : 1 : 2の割合で混合す る。
母液晶 B , :
1 , 2—ジフルオロー 4 一 ( トランス一 4 一 ( トランス一 4 —ェチルシクロへキ シル) シクロへキシル) ベンゼン、
1 , 2—ジフルオロー 4 一 (トランス一 4 一 ( トランス一 4 一プロビルシクロへ キシル) シクロへキシル) ベンゼンおよび
1 , 2—ジフルオロー 4— (トランス一 4 — ( 卜ランス一 4 —ペンチルシクロへ キシル) シクロへキシル) ベンゼン
の等量混合物。
母液晶 B2:
1 , 2—ジフルオロー 4一 (トランス一 4一 ( 2— (トランス一 4 ーェチルシク 口へキシル) ェチル) シクロへキシル) ベンゼン、
1 , 2—ジフルオロー 4一 (トランス一 4 一 ( 2— (トランス一 4 一プロビルシ クロへキシル) ェチル) シクロへキシル) ベンゼンおよび
1 , 2—ジフルオロー 4 一 (卜ランスー 4 一 ( 2 - (トランス一 4 —ペンチルシ クロへキシル) ェチル) シクロへキシル) ベンゼン
を 2 : 1 : 2の割合で混合したもの。
母液晶 B3 :
3, 4 —ジフルオロー 4 ' 一 (トランス一 4ーェチルシクロへキシル) ビフエ二 ル、
3, 4 —ジフルオロー 4 ' 一 (トランス一 4一プロビルシクロへキンル) ビフエ ニルおよび
3, 4 ージフルオロー 4 ' 一 (トランス一 4 一ペンチルシクロへキシル) ビフエ ニル
を 1 : 1 : 2の割合で混合したもの。
結果は図 1の Xに示す通りであつた。
比較例 2
母液晶 Bに混合するものを、 N o. 1 1の本発明化合物に替え既述の (a) 式
に示す比較化合物 (ただし、 Rは C3H7である) とする以外は実施例 1 3と同様 にして新たな母液晶を得、 このものにつき各温度毎の VHRを測定した。
結果は図 1の yに示す通りであつた。
図 1からも明かな通り、 比較例 2 (y参照) では VHRが 7 5°C付近から大幅 に低下し始めるのに対し、 本発明実施例 1 3 ( X参照) ではそれほど急激な低下 は見られず、 1 20°Cにおいて約 4 %も高い値を示すこと、 従って後者 (本発 明) の方が V H Rの温度依存性が小さいことが判る。
以下さらに使用例 (組成例) を示すが、 これらの例において、 化合物の表示は 下記表 1に示す定義に従い左末端基、 結合基、 環構造および右末端基の各欄に示 された基を記号の欄に示されたそれに対応させることにより行った (表中、 m、 nおよび kはそれぞれ整数を表す) 。 また、 化合物の含有量は、 特に規定のない 限り重量%を意味する。
組成例の特性値のうち、 Δη、 Δ £および V,hはそれぞれ測定温度が 2 5. 0 でにおける値である。
表 1
1 ) 左末端基 R— 記号 3) 結合基 一 Ζ , -,- Z n— 記号
C„H2n+1- n―
■C2H4
C„H2n+lO- ηθ ~
■C4Hg 4
"-nH2n+ iOv_mh2m― nOm—
-COO E
CH2-CH一 V一 — C≡C— 丁 CH2-CHC„H2n ~ Vn—
— CH=CH- V CnH2n+ 1 CH' CHCmH2^- nVm—
— CF20— CF20 CnH2n+i CH- CHCmH2^H- CHCkH2ic- nVmVk—
— OCF2— OCF2 FCnH2nCH-CHCmH2sr FnVm一
2) 環構造 ~( A A n 記号 4) 右末端基 一 X 記号
- F — F
B -CI — CL
-CN — C
B(F) 一 CF3 ― CF3 一。CF3 — OCF3 B(F,F) ~OCF2H ― OCF2H
— c nH2n+i ― n
H - CnH2n+ 1 —On
-COOCH3 — EMe
-CnH2nCH=CH2 ― n V
P
-CmH2mCH=CHCnH2n+1 — mVn
D - 3H6F — 3F
-CmH2mCH=CHCnH2nF — mVnF Ch -CH=CF2 ― VFF
-CH=CFCN — VFC 一 CmH2mCH- CHC„H2n CH- CH2一 mVnV
例 2 3~HB(F)TB-2
実施例 1 4 (使用例 6)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H4 HBB (F, F) -F 3. 0 %
5 -H4 HB (F, F) B (F, F) - F 4. 0 %
1 V 2 -BEB (F, F) -C 5. 0 %
3 -HB-C 1 8. 0 %
1 - BTB - 3 5. 0%
2 - BTB - 1 1 0. 0 %
3 -HH- 4 1 1. 0 % 3 -HHB- 1 1 1. 0 % 3 -HHB- 3 9. 0 % 3 -H2 BTB- 2 4. 0 % 3 -H2 BTB- 3 4. 0% 3 -H 2 BTB- 4. 0 % 3 -HB (F) TB- 2 6. 0 % 3 -HB (F) TB- 3 6. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
? 20= 1 6. 4 m P a · s
Δ n = 0. 1 5 7
Δ £ = 7. 1
V,h= 2. 1 6V
実施例 1 5 (使用例 7)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H4 HBB (F, F) - F 2. 0 %
5 -H 4 HB (F, F) B (F, F) - F 2. 0 %
3— H4 HB (F, F) B (F) 一 OCF 3 3. 0 %
3 -H4 HB (F, F) B-CF 3 3. 0 %
V 2 -HB - C 1 2. 0 %
1 V 2 -HB - C 1 2. 0 %
3 -HB - C 1 4. 0 %
3 - HB (F) - C 5. 0 %
2 - BTB - 1 2. 0 %
3 -HH- 4 8. 0 % 3 - HB - 02 1 0. 0 %
2 -HHB-C 3. 0%
3 -HHB-C 6. 0 % 3 -HB (F) TB- 2 8. 0 % 3 -H2 BTB- 2 5. 0 % 3 -H2 BTB- 3 5. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN1= 8 9. 4。C
Δ n = 0. 1 4 8
厶 ε = 8. 5
Vlh= 2. 2 1 V
実施例 1 6 (使用例 8)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H4 HB (F, F) B (F) -OCF 3 8. 0 %
201 一 BEB (F) - C 5. 0 %
301 - BEB (F) - C 1 3. 0 %
401 -BEB (F) - C 1 0. 0 %
501 -BEB (F) -C 1 0. 0 %
2 -HHB (F) — C 1 5. 0%
3 -HHB (F) -C 1 5. 0 % 3 -HB (F) TB- 2 4. 0 % 3 -HB (F) TB- 3 4. 0 % 3 -HB (F) TB- 4 4. 0 %
3 -HH- 4 8. 0 % 3 -HHB- 1 2. 0 % 3— HHB - 0 1 2. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであった。
TNI= 9 5. 3°C
7? 2 o = 8 5. 1 m P a · s
Δ n = 0. 1 4 3
△ £ = 2 9. 6
Vl h= 0. 9 V
実施例 1 7 (使用例 9)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した c
3 -H 4 HB (F, F) B - C F 3 2. 0 %
5 - P y B-F 4. 0 % 3 -P y B (F) 一 F 4. 0 % 2 - B B - C 5. 0 %
4 -BB-C 4. 0 %
5 - B B-C 3. 0 %
2 - P y B - 2 2. 0 %
3 - P y B - 2 2. 0 %
4 - P y B - 2 2. 0 %
6 - P y B -05 3. 0 % 6 - P y B - 06 3. 0 %
6 - P y B-07 3. 0 % 6 - P y B - 08 3. 0 %
3 - P y BB-F 6. 0 %
4 - P y B B-F 6. 0 %
5 - Py B B-F 6. 0 % 3 -HHB- 1 6. 0 %
3 -HHB - 3 8. 0 %
2 -H2 BTB- 2 4 0 % 2 -H2 BTB- 3 4 0 % 2— H 2 BTB— 4 5 0 %
3 -H 2 BTB- 2 5 0 % 3 -H2 BTB- 3 5 0 % 3 -H 2 BTB- 4 5 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであった TN1= 9 5. 7°C
7? 20 = 3 5. 2 m P a · s
厶 n = 0. 2 0 0
厶 ε = 6. 4
Vlh= 2. 3 0V
実施例 1 8 (使用例 1 0)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
5 -H 4 HB (F, F) B (F, F) - F 3. 0 % 3 -D B - C 1 0. 0 % -DB-C 1 0. 0 %
2 -BEB-C 1 2. 0 %
3 - B E B - C 4 0 % 3 -Py B (F) F 6 0 %
3 - HEB-04 8 0 %
4 - HEB-02 6 0 %
5 - HEB-01 6 0 %
3 - HEB-02 5 0 % 5 -HEB-02 4 0 % 5 -HE B- 5 5 0 %
4 - HE B - 5 5 , 0 %
10 - B E B - 2 4. 0 % 3 -HHB- 1 6. 0 %
3 -HHEBB-C 3. 0 % 3 -HBEBB-C 3. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであった。
TN.= 6 9. 4 °C
7? 20 = 3 8. 8 mP a · s
Δ n = 0. 1 1 9
Δ £ = 1 1. 2
Vlh= 1. 4 2V
実施例 1 9 (使用例 1 1 )
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した (
3 -H 4 HB (F, F) B-CF 3 6 0 % 3 -H 4 HB (F, F) B (F) -OCF 3 3 0 % 3 -HB-C 1 2 0 % 7 -HB-C 3 0 % 1〇 1 -HB-C 1 0 0 % 3 -HB (F) - C 7 0 %
2 - P y B - 2 2 0 %
3 - P y B - 2 2 0 %
4 - P y B - 2 2 0 %
1〇 1 一 HH - 3 7 0 %
2— BTB -〇 1 0 %
3 - HHB— 1 7 0 % 3 -HHB-F 4 0 %
3 -HHB - 01 4 0 % 3 -HB - 02 8 0 % 3 -H 2 BTB- 2 3 0 % 3 -H 2 BTB- 3 3 0 % 2 -Py BH- 3 4 0 % 3 - P y BH- 3 3 0 %
l 4 i
3 - Py BB - 2 3. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
1 N I = 7 9. 3 C
7? 20= 2 1. 0 m P a · s
Δη = 0. 1 3 6
厶 ε = 7. 6
V,h= 1. 9 6V
実施例 20 (使用例 1 2)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H4 HBB (F, F) 一 F 2. 0 %
201 - B E B (F) - C 5. 0 %
301 -BEB (F) - C 1 0. 0 %
501 -BEB (F) -C 4. 0 %
1 V2 -BEB (F, F) -C 1 0. 0 %
3 -HH- EMe 1 0. 0 %
3 -HB-02 1 8. 0 %
7 -HE B - F 2. 0 %
3 -HHE B - F 2. 0 %
5 -HHEB- F 2. 0 %
3 -HBEB-F 4. 0 %
201一 HBEB (F) 一 C 2. 0 %
3 - HBEB ( 3 F, 5 F) -C 4. 0 %
3 -HHB -F . 0 %
3 -HHB -01 4. 0 %
3 -HHB - 3 1 3. 0 %
3 -HEBEB-F 2. 0 %
3 -HEBEB- l 2. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
7? 20 = 3 5. 4 m P a · s
Δ n = 0. 1 1 6
Δ ε = 2 3. 0
Vth= 1. 1 9 V
実施例 2 1 (使用例 1 3)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB B (F, F) - F 2. 0 % 3 -H 4 HB (F, F) B-CF 3 4. 0 % 20 1 - B E B (F) -C 5. 0 %
30 1 - BE B (F) - C 1 0. 0 %
50 1 -BE B (F) -C 4. 0 % 1 V 2 - BE B (F, F) -C 1 2. 0 %
3 -HB - 02 1 7. 0 %
3 -HH- 4 3. 0 %
3 -HHB-F 3. 0 %
3 -HHB- 1 8. 0 %
3 - HHB - 0 1 4. 0 %
3 -HBE B-F 4. 0 % 3 -HHE B- F 7. 0 % 3 -H 2 BTB- 2 4. 0 %
3 -H 2 BTB- 3 . 0 %
3 -H 2 BTB- 4 . 0 %
3 -HB (F) TB- 2 5. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
7? 20 = 3 8. 8 m P a · s
Δ n = 0. 1 4 1
Δ ε = 2 5. 7
Vl h= 1. 1 9 V
実施例 2 2 (使用例 1 4)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB (F, F) B (F) - OCF 3 6. 0 %
2 - BEB - C 1 2. 0 %
3— BEB— C . 0 %
4一 BEB - C 6. 0 % 3 -HB - C 2 2. 0 % 3 -HEB-04 1 2. 0 %
4 - HEB-02 8. 0 %
5 - HE B - 01 8. 0 % 3 -HEB-02 6. 0 %
5 -HE B-02 5. 0 % 3 -HB - 02 4. 0 % 3 -HHB - 1 3. 0 % 3 -HHB-01 4. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN.= 6 2. 2"C
7? 2 o = 2 8. 3 mP a · s
Δ n = 0. 1 1 0
Δ ε = 9. 8
Vlh= 1. 3 9 V
実施例 2 3 (使用例 1 5)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
5 -H 4 HB (F, F) B (F, F) 一 F 3. 0 %
3 -H 4 HB (F, F) B (F) 一 OC F 3 5. 0 %
2 - B E B - C 7. 0 %
5 - B B - C 7. 0 %
7 - B B - C 7. 0 %
1 - BTB - 3 7 0 %
2 - BTB - 1 1 0 0 % 10- B E B - 2 1 0 0 % 10- B E B - 5 1 2 0 % 3 -HB-02 7 0 %
2 - HHB- 1 4 0 %
3 - HHB-F 4 0 % 3 -HHB - 1 7 0 %
3 -HHB - 01 4 0 % 3 -HHB - 3 6 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN1- 6 5. 5°C
? 20 = 2 1. 4 m P a · s
Δ n = 0. 1 4 9
Δ ε = 5. 9
Vth= 1. 9 1 V
実施例 24 (使用例 1 6)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB B (F, F) 一 F 5. 0 %
2 -HHB (F) -F 1 7. 0 %
3 -HHB (F) -F 1 7. 0 %
5 -HHB (F) -F 1 6. 0 %
2 -H 2 HB (F) 一 F 1 0. 0 %
3 -H 2 HB (F) - F 5. 0 % 5 -H 2 HB (F) -F 5. 0 %
2 -HB B (F) - F 6. 0 %
3 - HBB (F) — F 6. 0 % 5 -HBB (F) - F 1 3. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN1= 1 0 3. 5 °C
^ 20 = 2 8. 7 m P a · s
Δ n = 0. 0 8 8
Δ ε = 5. 5
Vth= 1. 9 8 V
実施例 2 5 (使用例 1 7)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB B (F, F) -F 2. 0 % 5 -H 4 HB (F, F) B (F, F) - F 3. 0 %
7 - HB (F) - F 5. 0 %
5 -H 2 B (F) - F 5. 0 %
3 -HB-02 1 0. 0 %
3 -HH- 4 5. 0 %
2 -HHB (F) -F 1 0. 0 % 3 -HHB (F) -F 1 0. 0 % 5 -HHB (F) - F 1 0. 0 % 3 -H 2 HB (F) -F 3. 0 % 2 -HB B (F) -F 3. 0 %
3 -HB B (F) - F 3. 0 % 5 -HB B (F) - F 3. 0 %
2 - H 2 B B (F) - F 5. 0 %
3 - H 2 B B (F) - F 6. 0 % 3 -HHB- 1 8. 0 % 3 -HHB-01 5. 0 % 3 -HHB - 3 4. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN1= 9 0. 9。C
7? 20 = 2 0. 0 mP a · s
厶 n = 0. 0 9 5
Δ £ = 3. 9
Vlh= 2. 5 0 V
実施例 2 6 (使用例 1 8)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB (F, F) B-CF 3 4. 0 %
3 -H4 HB (F, F) B (F) - OCF 3 5. 0 %
7 -HB (F, F) - F 3. 0 %
3 -HB-02 7. 0 %
2 -HHB (F) - F 1 0. 0 %
3 -HHB (F) -F 1 0. 0 %
5 -HHB (F) -F 1 0. 0 %
2 -HBB (F) — F 9. 0 %
3 -HB B (F) - F 9. 0 %
5 - HB B (F) -F 1 2. 0 %
2 -HB B-F 4. 0 %
3 -HBB-F 4. 0 % 5 -HB B - F 3. 0 % 3 -HBB (F, F) - F 5. 0 % 5 -HB B (F, F) - F 5. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN,= 8 8. 5 °C
7? 20 = 2 6. 5 m P a · s
厶 n = 0. 1 1 5
Δ £ = 6. 1
Vth=〖 . 7 6 V
施例 2 7 (使用例 1 9)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 -H 4 HB (F, F) B - C F 3 3. 0 % 7 -HB (F, F) 一 F 4. 0 %
3 -H 2 HB (F, F) - F 9. 0 %
4 -H 2 HB (F, F) 一 F 1 0 0 %
5 -H 2 HB (F, F) -F 1 0 0 %
3 - HHB (F, F) 一 F 1 0 0 %
4 - HHB (F, F) - F 5 0 %
3 -HH 2 B (F, F) 一 F 1 5 0 %
5 -HH 2 B (F, F) - F 1 0 0 % 3 -HBB (F, F) -F 1 2 0 %
5 -HB B (F, F) — F 1 2 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであった。
TN, = 7 5. 4。C
7? 2 o = 2 9. 2 mP a · s
厶 n = 0. 0 8 7
Δ ε = 8. 8
Vlh= 1. 5 0 V
実施例 2 8 (使用例 2 0)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
5 -H 4 HB (F, F) B (F, F) -F 4 0 % 3 -HB-CL 1 0 0 %
5 -HB-CL 4 0 % 7 -HB-CL 4 0 % 1 0 1 -HH- 5 5 0 %
2 -HBB (F) - F 8 0 %
3 -HBB (F) 一 F 8 0 % 5 -HB B (F) 一 F 1 0 0 %
4 - HHB-CL 8 0 %
5 - HHB-CL 8 0 %
3 -H 2HB (F) -CL 4 , 0 % 3 -HBB (F, F) - F 1 0. 0 % 5 -H 2 B B (F, F) 一 F 9. 0 %
3 -HB (F) VB - 2 4. 0 %
3 - H B (F) VB - 3 4. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
TN, = 9 2. 4 °C
7? 20= 2 1 . 6 m P a · s
Δη = 0. 1 2 9
Δ ε = 5. 5
V T H= 2. 1 7 V
実施例 2 9 (使用例 2 1 )
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 - H 4 H B (F, F) B - C F 3 2. 0 %
3 - H 4 H B B (F, F) - F 2. 0 %
5 - H 4 H B (F, F) B (F, F) - F 2. 0 %
3 - H 4 H B (F, F) B (F) - O C F 3 2. 0 %
3 -HH B (F, F) - F 9. 0 % 3 - H 2 H B (F, F) - F 8. 0 %
4 - H 2 HB (F, F) 一 F 8. 0 %
5 - H 2 H B (F, F) - F 8. 0 % 3 - H B B (F, F) - F 2 1 . 0 % 5 - H B B (F, F) - F 1 2. 0 % 3 - H 2 B B (F, F) - F 1 0. 0 % 5 - HH B B (F, F) - F 3. 0 % 3 - HH 2 B B (F, F) - F 3. 0 % 5 - HHE B B - F 2. 0 % 1 0 1 - H B B H- 4 4. 0 % 1 0 1 - HB B H- 5 4. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
7? 20 = 3 7. 7 m P a · s
l 4 9
Δ n = 0. 1 1 8
Δ ε = 9. 4
Vlh= 1. 5 8 V
実施例 3 0 (使用例 2 2 )
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3 - H 4 H B (F, F) B (F) 一 O C F 3 4. 0 %
5 -HB - F 1 2. 0 %
6 -HB - F 9. 0 %
7 -HB - F 7. 0 %
2 - HH B - O C F 3 7. 0 %
3 - HH B - O C F 3 7. 0 %
4 -HH B - O C F 3 7. 0 %
5 - HHB - O C F 3 5. 0 % 3 - HH 2 B - O C F 3 4. 0 % 5 - HH 2 B - O C F 3 . 0 % 3 -HH B (F, F) - O C F 3 5. 0 % 3 -HBB (F) -F 1 0. 0 % 5 -HB B (F) - F 1 0. 0 % 3 - HH 2 B (F) - F 3. 0 % 3 -H B (F) B H- 3 3. 0 % 5 -H B BH- 3 3. 0 % この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
7? 20 = 1 6. 0 m P a · s
Δ n = 0. 0 9 3
Δ ε = 4. 8
V L H= 2. 2 5 V
実施例 3 1 (使用例 2 3)
下記の化合物含量からなる液晶組成物を調製した。
3— H4 HB (F, F) B (F) 一〇CF 3 5. 0 %
2 -HHB (F) - F 2. 0 %
3 -HHB (F) 一 F 2. 0 %
5 -HHB (F) - F 2. 0 %
2 - HBB (F) - F 6. 0 %
3 -HB B (F) - F 6. 0 %
5— HB B (F) - F 1 0. 0 %
2 -H 2 B B (F) - F 9. 0 %
3 - H 2 B B (F) 一 F 9. 0 %
3 -HBB (F, F) - F 2 5. 0 %
5 -HB B (F, F) - F 1 4. 0 %
1 0 1 -HB BH- 4 5. 0 %
1 01 -HB BH- 5 5. 0 %
この液晶組成物の特性を求めたところ、 以下の通りであつた。
η 20= 3 7. 0 m P a · s
Δη= 0. 1 3 6
Δ ε = 7. 5
Vlh= 1. 8 2 V
産業上の利用可能性
以上説明した通り、 本発明の化合物は分子中央部にブチレン基を特徴的に有す る四環系の構造を示し、 これにより大きな△£を有する上 VHRに関しその温度 依存性を改善することができ、 また他の液晶性化合物との相溶性が優れたものと なる。
従って本発明の化合物を液晶組成物の成分として使用した場合、 低温において も他の液晶材料との相溶性に優れているという特徴に加え、 現在必要とされてい る低い V,hおよび使用温度下での高い VHRといった特性を合わせ持ち、 さらに は分子構成要素の六員環、 置換基および/または結合基を適当に選択することに より、 所望の物性を有する新たな液晶組成物を提供することが可能である。