JPH05310605A - シクロヘキサン誘導体 - Google Patents
シクロヘキサン誘導体Info
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- JPH05310605A JPH05310605A JP4110351A JP11035192A JPH05310605A JP H05310605 A JPH05310605 A JP H05310605A JP 4110351 A JP4110351 A JP 4110351A JP 11035192 A JP11035192 A JP 11035192A JP H05310605 A JPH05310605 A JP H05310605A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 低粘性で、電気的、化学的に安定であり、か
つ他の既知の液晶化合物との低温における相溶性が良好
な新規な液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物を
提供する。 【構成】 【化１】 〔式中Ｒは水素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分
岐アルキル基を示し、置換基Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 はそ
れぞれ独立して、Ｘ1 、Ｘ3 は水素原子またはハロゲン
原子を表わし、Ｘ2 は水素原子または炭素数１〜１５の
直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によっては１つの−
ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合であってもよ
く、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合が酸素原子に
置換されてもよい）、ハロゲン原子、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基を表わ
す〕で表わされるフェニルー４ーシクロヘキシルブチル
シクロヘキサン誘導体。 【効果】特に低温における相溶性が良好である本発明の
化合物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘
度を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を拡大する
ことができる。
つ他の既知の液晶化合物との低温における相溶性が良好
な新規な液晶化合物およびこれを含有する液晶組成物を
提供する。 【構成】 【化１】 〔式中Ｒは水素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分
岐アルキル基を示し、置換基Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 はそ
れぞれ独立して、Ｘ1 、Ｘ3 は水素原子またはハロゲン
原子を表わし、Ｘ2 は水素原子または炭素数１〜１５の
直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によっては１つの−
ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合であってもよ
く、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合が酸素原子に
置換されてもよい）、ハロゲン原子、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基を表わ
す〕で表わされるフェニルー４ーシクロヘキシルブチル
シクロヘキサン誘導体。 【効果】特に低温における相溶性が良好である本発明の
化合物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘
度を上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を拡大する
ことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシクロヘキサン誘導体に
関し、さらに詳しくはフェニルー４ーシクロヘキシルブ
チルシクロヘキサン誘導体および該化合物を有効成分と
して含有する液晶組成物に関する。
関し、さらに詳しくはフェニルー４ーシクロヘキシルブ
チルシクロヘキサン誘導体および該化合物を有効成分と
して含有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は液晶物質がもつ光学異方
性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表
示方法としてはＴＮ型（ねじれネマチック型）、スーパ
ーツイストネマチック型（ＳＴＮ型）、動的散乱型（Ｄ
Ｓ型）、ゲスト・ホスト型（ＧーＨ型）、ＤＡＰ型など
が知られている。また、これらの駆動方式にはスタティ
ック駆動方式、時分割駆動方式、アクティブマトリック
ス駆動方式、２周波駆動方式などが用いられている。こ
れら種々の液晶表示素子に用いられる液晶物質の性質は
種々異なるが、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光
等に安定であることは共通しており、また、室温を中心
としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、粘性が
小さく、表示素子中において早い応答速度、高コントラ
スト、さらに駆動電圧が低いことが要求され、また通
常、組成物として使用されることから他の液晶化合物と
の相溶性も良好であることが要求される。さらに表示素
子の種類によって最適な誘電率異方性（Δε）を有する
ようにしなければならない。しかし、これらの特性を単
一成分で満足する液晶化合物は現在のところ知られてお
らず、数種の液晶化合物や非液晶化合物を混合して得ら
れる液晶組成物を使用しているのが現状である。
性および誘電率異方性を利用したものであるが、その表
示方法としてはＴＮ型（ねじれネマチック型）、スーパ
ーツイストネマチック型（ＳＴＮ型）、動的散乱型（Ｄ
Ｓ型）、ゲスト・ホスト型（ＧーＨ型）、ＤＡＰ型など
が知られている。また、これらの駆動方式にはスタティ
ック駆動方式、時分割駆動方式、アクティブマトリック
ス駆動方式、２周波駆動方式などが用いられている。こ
れら種々の液晶表示素子に用いられる液晶物質の性質は
種々異なるが、いずれの液晶物質も水分、空気、熱、光
等に安定であることは共通しており、また、室温を中心
としてできるだけ広い温度範囲で液晶相を示し、粘性が
小さく、表示素子中において早い応答速度、高コントラ
スト、さらに駆動電圧が低いことが要求され、また通
常、組成物として使用されることから他の液晶化合物と
の相溶性も良好であることが要求される。さらに表示素
子の種類によって最適な誘電率異方性（Δε）を有する
ようにしなければならない。しかし、これらの特性を単
一成分で満足する液晶化合物は現在のところ知られてお
らず、数種の液晶化合物や非液晶化合物を混合して得ら
れる液晶組成物を使用しているのが現状である。
【０００３】ところで液晶化合物は組成物として使用さ
れることからその相溶性が重要であることは上述の通り
であるが、特に低温における相溶性は広い温度範囲での
駆動が要求される液晶表示素子において最も重要である
ものの１つである。従来の液晶化合物として下記の化合
物がそれぞれ開示されている。
れることからその相溶性が重要であることは上述の通り
であるが、特に低温における相溶性は広い温度範囲での
駆動が要求される液晶表示素子において最も重要である
ものの１つである。従来の液晶化合物として下記の化合
物がそれぞれ開示されている。
【０００４】
【化２】
【０００５】（I)ＵＳ−Ｐ ４，４０５，４８８の化合
物は２つのシクロヘキサン環およびベンゼン環が直接結
合した構造を有し、（II）および（III)の化合物は分子
内にエタン結合を有するものである。通常液晶分子のコ
ア部（主としてシクロヘキサン環およびベンゼン環）を
架橋するエタン結合は粘性を上げずに低温における相溶
性を保持する効果を有することが一般に知られている
が、同じエタン結合を有する化合物でもシクロヘキサン
ーベンゼン環を架橋した場合（化合物（II））とシクロ
ヘキサンーシクロヘキサン環を架橋した場合（化合物
（III)）とでその性状を比較すると、その効果の度合は
異なり、化合物（III)の場合、化合物（I)と比較しエタ
ン結合の挿入で充分な低温相溶性の効果が得られるのに
対して、化合物（II）の場合はそれが不十分である。さ
らに特開平３−６６６３２号公報において次のシクロヘ
キサンーベンゼン環を直鎖のブタン結合で架橋した化合
物が開示されている。
物は２つのシクロヘキサン環およびベンゼン環が直接結
合した構造を有し、（II）および（III)の化合物は分子
内にエタン結合を有するものである。通常液晶分子のコ
ア部（主としてシクロヘキサン環およびベンゼン環）を
架橋するエタン結合は粘性を上げずに低温における相溶
性を保持する効果を有することが一般に知られている
が、同じエタン結合を有する化合物でもシクロヘキサン
ーベンゼン環を架橋した場合（化合物（II））とシクロ
ヘキサンーシクロヘキサン環を架橋した場合（化合物
（III)）とでその性状を比較すると、その効果の度合は
異なり、化合物（III)の場合、化合物（I)と比較しエタ
ン結合の挿入で充分な低温相溶性の効果が得られるのに
対して、化合物（II）の場合はそれが不十分である。さ
らに特開平３−６６６３２号公報において次のシクロヘ
キサンーベンゼン環を直鎖のブタン結合で架橋した化合
物が開示されている。
【０００６】
【化３】
【０００７】化合物（IV）の場合もその性状の報告から
スメクチック性が強く、液晶分子のコアの架橋として挿
入されたブタン結合の特に低温における他液晶化合物に
対する相溶性の効果が不十分である。そこで本発明者ら
は液晶分子のコア連結部位へのアルキル基の導入を検討
した結果、シクロヘキサンーシクロヘキサン間をブタン
結合で架橋することによりスメクチック相を抑制しネマ
チック相を広げるとともに、低温における相溶性を向上
させることを見いだし、新規液晶性物質として請求項に
掲げる化合物を発明するに至った。
スメクチック性が強く、液晶分子のコアの架橋として挿
入されたブタン結合の特に低温における他液晶化合物に
対する相溶性の効果が不十分である。そこで本発明者ら
は液晶分子のコア連結部位へのアルキル基の導入を検討
した結果、シクロヘキサンーシクロヘキサン間をブタン
結合で架橋することによりスメクチック相を抑制しネマ
チック相を広げるとともに、低温における相溶性を向上
させることを見いだし、新規液晶性物質として請求項に
掲げる化合物を発明するに至った。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低粘
性で、電気的、化学的に安定であり、かつ他の既知の液
晶化合物との低温における相溶性が良好な新規な液晶化
合物およびこれを含有する液晶組成物を提供することに
ある。
性で、電気的、化学的に安定であり、かつ他の既知の液
晶化合物との低温における相溶性が良好な新規な液晶化
合物およびこれを含有する液晶組成物を提供することに
ある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は一般式
【００１０】
【化４】
【００１１】〔式中Ｒは水素または炭素数１〜１５の直
鎖もしくは分岐アルキル基を示し、置換基Ｘ1 、Ｘ2 お
よびＸ3 はそれぞれ独立して、Ｘ1 、Ｘ3 は水素原子ま
たはハロゲン原子を表わし、Ｘ2 は水素原子または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によっ
ては１つの−ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合
であってもよく、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合
が酸素原子に置換されてもよい）、ハロゲン原子、シア
ノ基、トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキ
シ基を表わす〕で表わされるフェニルー４ーシクロヘキ
シルブチルシクロヘキサン誘導体および該化合物を有効
成分として含有する液晶組成物である。
鎖もしくは分岐アルキル基を示し、置換基Ｘ1 、Ｘ2 お
よびＸ3 はそれぞれ独立して、Ｘ1 、Ｘ3 は水素原子ま
たはハロゲン原子を表わし、Ｘ2 は水素原子または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によっ
ては１つの−ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合
であってもよく、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合
が酸素原子に置換されてもよい）、ハロゲン原子、シア
ノ基、トリフルオロメチル基またはトリフルオロメトキ
シ基を表わす〕で表わされるフェニルー４ーシクロヘキ
シルブチルシクロヘキサン誘導体および該化合物を有効
成分として含有する液晶組成物である。
【００１２】本発明により提供される液晶組成物は、
（I)式で表わされる化合物を少なくとも一つ含む成分
（Ａ）に加えて、好ましくはΔε≧５である高誘電率異
方性の化合物を一つ以上含む成分（Ｂ）、｜Δε｜＜５
である低誘電率異方性の化合物を一つ以上含む成分
（Ｃ）、そして８０℃を越える透明点を有する化合物を
一つ以上含む成分（Ｄ）、さらに必要に応じてその他の
成分（Ｅ）からなる液晶誘電体である。
（I)式で表わされる化合物を少なくとも一つ含む成分
（Ａ）に加えて、好ましくはΔε≧５である高誘電率異
方性の化合物を一つ以上含む成分（Ｂ）、｜Δε｜＜５
である低誘電率異方性の化合物を一つ以上含む成分
（Ｃ）、そして８０℃を越える透明点を有する化合物を
一つ以上含む成分（Ｄ）、さらに必要に応じてその他の
成分（Ｅ）からなる液晶誘電体である。
【００１３】
【化５】
【００１４】
【化６】
【００１５】
【化７】
【００１６】
【化８】
【００１７】
【化９】
【００１８】
【化１０】
【００１９】
【化１１】
【００２０】
【化１２】
【００２１】
【化１３】
【００２２】
【化１４】
【００２３】
【化１５】
【００２４】
【化１６】
【００２５】
【化１７】
【００２６】
【化１８】
【００２７】
【化１９】
【００２８】
【化２０】
【００２９】
【化２１】
【００３０】本発明の化合物（Ｉ）の好ましい態様は、
次の一般式群（Ｉ−ａ）〜（Ｉ〜ｐ）により表わされる
化合物である。
次の一般式群（Ｉ−ａ）〜（Ｉ〜ｐ）により表わされる
化合物である。
【００３１】
【化２２】
【００３２】
【化２３】
【００３３】
【化２４】
【００３４】上式中ＲおよびＲ′はそれぞれ独立して水
素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基
を表わす。末端基にシアノ基を有する化合物（Ｉ−ａ）
および（Ｉ−ｂ）は誘電率異方性Δεが正に大きく、末
端基にフッソ原子を有する化合物（Ｉ−ｄ）、（Ｉ−
ｅ）および（Ｉ−ｆ）は誘電率異方性Δεが正に大きい
にもかかわらず、低粘性である。さらにトリフルオロメ
チル基あるいはトリフルオロメトキシ基を有する化合物
（Ｉ−ｌ）、（Ｉ−ｍ）、（Ｉ−ｎ）、（Ｉ−ｏ）およ
び（Ｉ−ｐ）は化学的に非常に安定であり、高保持率が
必要とされ、また、今後展開が期待されるアクティブ用
液晶材料としてそれら液晶組成物を構成する成分として
有用である。
素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基
を表わす。末端基にシアノ基を有する化合物（Ｉ−ａ）
および（Ｉ−ｂ）は誘電率異方性Δεが正に大きく、末
端基にフッソ原子を有する化合物（Ｉ−ｄ）、（Ｉ−
ｅ）および（Ｉ−ｆ）は誘電率異方性Δεが正に大きい
にもかかわらず、低粘性である。さらにトリフルオロメ
チル基あるいはトリフルオロメトキシ基を有する化合物
（Ｉ−ｌ）、（Ｉ−ｍ）、（Ｉ−ｎ）、（Ｉ−ｏ）およ
び（Ｉ−ｐ）は化学的に非常に安定であり、高保持率が
必要とされ、また、今後展開が期待されるアクティブ用
液晶材料としてそれら液晶組成物を構成する成分として
有用である。
【００３５】本発明の化合物は電気的に安定であり、か
つ、熱、空気、光などにも安定な化合物で、さらに種々
の置換基を選択することにより適切な誘電率異方性を有
する化合物を提供できる。さらに本発明の化合物はその
他の液晶化合物との相溶性も良好で、特に低温における
相溶性が良好な化合物であり、改良された特性を有する
液晶材料を提供することができる。 〔化合物の製法〕つぎに本発明の化合物の製造法は、製
造原料である４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４の製造と、
これを用いた各化合物の製造とに分けられる。
つ、熱、空気、光などにも安定な化合物で、さらに種々
の置換基を選択することにより適切な誘電率異方性を有
する化合物を提供できる。さらに本発明の化合物はその
他の液晶化合物との相溶性も良好で、特に低温における
相溶性が良好な化合物であり、改良された特性を有する
液晶材料を提供することができる。 〔化合物の製法〕つぎに本発明の化合物の製造法は、製
造原料である４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４の製造と、
これを用いた各化合物の製造とに分けられる。
【００３６】製造原料である４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４の製造はトランス−４−アルキルシクロヘキシルア
セチルクロリド１をエステル体２としたのち、水素化リ
チウムアルミニウムで還元しアルコール体３へと誘導す
る。３は臭化水素酸でブロム化を行ないブロム体４とし
たのち、ＤＭＳＯ中シアン化ナトリウムでシアノ化を行
ない、１−シアノ−２−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）エタン５を製造する。ついでニトリル体５を
加水分解し、カルボン酸誘導体６としたのち、酸触媒存
在下エステル化を行ない、４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）プロパン酸エチルエステル７を製造
する。さらに７は２から６への誘導操作を再度繰り返し
て一炭素増炭した４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）ブタン酸８へと誘導し、塩化チオニルを作用
させ４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）ブ
チリルクロリド９へと誘導する。酸クロリド誘導体９は
鉄（III)アセチルアセトネート存在下４−ブロモアニソ
ールから調製したグリニャール試薬と反応させ、４−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−１−（４
−メトキシフェニル）ブタン−１−オン１０へと誘導
し、１０を塩化アルミニウム存在下水素化リチウムアル
ミニウムで還元し１−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）−４−（４−メトキシフェニル）ブタン１１と
したのち、ジクロロメタン中三臭化ほう素を作用させて
フェノール誘導体１２を製造する。１２はシクロヘキサ
ン中、パラジウムー硫酸バリウム系触媒で加圧下核水添
を行ないシクロヘキサノール誘導体１３としたのち、ハ
ロゲン化炭化水素中次亜塩素酸ナトリウム水溶液で酸化
し目的物である４−〔４−（トランス−４−アルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４を製造で
きる。
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４の製造はトランス−４−アルキルシクロヘキシルア
セチルクロリド１をエステル体２としたのち、水素化リ
チウムアルミニウムで還元しアルコール体３へと誘導す
る。３は臭化水素酸でブロム化を行ないブロム体４とし
たのち、ＤＭＳＯ中シアン化ナトリウムでシアノ化を行
ない、１−シアノ−２−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）エタン５を製造する。ついでニトリル体５を
加水分解し、カルボン酸誘導体６としたのち、酸触媒存
在下エステル化を行ない、４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）プロパン酸エチルエステル７を製造
する。さらに７は２から６への誘導操作を再度繰り返し
て一炭素増炭した４−（トランス−４−アルキルシクロ
ヘキシル）ブタン酸８へと誘導し、塩化チオニルを作用
させ４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）ブ
チリルクロリド９へと誘導する。酸クロリド誘導体９は
鉄（III)アセチルアセトネート存在下４−ブロモアニソ
ールから調製したグリニャール試薬と反応させ、４−
（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）−１−（４
−メトキシフェニル）ブタン−１−オン１０へと誘導
し、１０を塩化アルミニウム存在下水素化リチウムアル
ミニウムで還元し１−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）−４−（４−メトキシフェニル）ブタン１１と
したのち、ジクロロメタン中三臭化ほう素を作用させて
フェノール誘導体１２を製造する。１２はシクロヘキサ
ン中、パラジウムー硫酸バリウム系触媒で加圧下核水添
を行ないシクロヘキサノール誘導体１３としたのち、ハ
ロゲン化炭化水素中次亜塩素酸ナトリウム水溶液で酸化
し目的物である４−〔４−（トランス−４−アルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４を製造で
きる。
【００３７】
【化２５】
【００３８】
【化２６】
【００３９】上記のように製造した４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノン１４を原料として種々のフェニル−４−シクロヘ
キシルブチルシクロヘキサン誘導体を製造することがで
きる。例えば前述の（Ｉ−ａ）で表わされる化合物は次
の製造方法にしたがって製造することができる。すなわ
ち、ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとテトラヒド
ロフラン（以下ＴＨＦと略す）中で反応させ、グリニャ
ール試薬を作ったのち、次にこのグリニャール試薬と４
−〔４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン１４とを反応させアルコール体
１５を製造する。この１５を非水用酸性イオン交換樹脂
を触媒として脱水反応を行ない、フェニル−４−〔４−
（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキセン１６を製造し、ついでラネーニッケル触媒、
加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を
精製しフェニル−４−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕トランスシクロヘキサン１７を
製造する。１７はジクロロメタン中無水塩化アルミニウ
ムを触媒としてオキサリルクロリドを作用させ４−〔ト
ランス−４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾイルクロリド１
８を製造する。１８はアンモニア水と反応させ酸アミド
体１９としたのち、ピリジン中ベンゼンスルホニルクロ
リドを作用させて目的物である４−〔トランス−４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリルへと誘導できる。
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノン１４を原料として種々のフェニル−４−シクロヘ
キシルブチルシクロヘキサン誘導体を製造することがで
きる。例えば前述の（Ｉ−ａ）で表わされる化合物は次
の製造方法にしたがって製造することができる。すなわ
ち、ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとテトラヒド
ロフラン（以下ＴＨＦと略す）中で反応させ、グリニャ
ール試薬を作ったのち、次にこのグリニャール試薬と４
−〔４−（トランス−４−アルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン１４とを反応させアルコール体
１５を製造する。この１５を非水用酸性イオン交換樹脂
を触媒として脱水反応を行ない、フェニル−４−〔４−
（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキセン１６を製造し、ついでラネーニッケル触媒、
加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を
精製しフェニル−４−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕トランスシクロヘキサン１７を
製造する。１７はジクロロメタン中無水塩化アルミニウ
ムを触媒としてオキサリルクロリドを作用させ４−〔ト
ランス−４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾイルクロリド１
８を製造する。１８はアンモニア水と反応させ酸アミド
体１９としたのち、ピリジン中ベンゼンスルホニルクロ
リドを作用させて目的物である４−〔トランス−４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリルへと誘導できる。
【００４０】
【化２７】
【００４１】また、例えば（Ｉ−ｂ）で表わされる化合
物は次の製造方法にしたがって製造することができる。
すなわち３−フルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中で反応し、グリニャール試薬を調製し、
つぎにこのグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−
４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノ
ン１４とを反応させアルコール体２０を製造する。この
２０を非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応
を行ない、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−
２−フルオロベンゼン２１へと誘導したのち、ついでラ
ネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再
結晶でトランス体を精製し４−〔４−トランス−〔４−
（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン２２を製造する。
２２にジクロロメタン中、無水塩化アルミニウムを触媒
としてオキサリルクロリドを作用させ４−〔４−トラン
ス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾイルクロ
リド２３を製造する。２３をアンモニア水と反応させ酸
アミド体２４としたのち、ピリジン中ベンゼンスルホニ
ルクロリドを作用させて目的物である４−〔４−トラン
ス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾニトリル
に誘導できる。
物は次の製造方法にしたがって製造することができる。
すなわち３−フルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中で反応し、グリニャール試薬を調製し、
つぎにこのグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−
４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノ
ン１４とを反応させアルコール体２０を製造する。この
２０を非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応
を行ない、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−
２−フルオロベンゼン２１へと誘導したのち、ついでラ
ネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再
結晶でトランス体を精製し４−〔４−トランス−〔４−
（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン２２を製造する。
２２にジクロロメタン中、無水塩化アルミニウムを触媒
としてオキサリルクロリドを作用させ４−〔４−トラン
ス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾイルクロ
リド２３を製造する。２３をアンモニア水と反応させ酸
アミド体２４としたのち、ピリジン中ベンゼンスルホニ
ルクロリドを作用させて目的物である４−〔４−トラン
ス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾニトリル
に誘導できる。
【００４２】
【化２８】
【００４３】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｄ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち、４−
ブロモフルオロベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ
中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリ
ニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応
させアルコール体２５を製造する。続いて非水用酸性イ
オン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４
−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕フルオロベンゼン２６
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼン
を製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち、４−
ブロモフルオロベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ
中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリ
ニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応
させアルコール体２５を製造する。続いて非水用酸性イ
オン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４
−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕フルオロベンゼン２６
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼン
を製造できる。
【００４４】
【化２９】
【００４５】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｅ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，４
−ジフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体２７を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，２−ジフル
オロベンゼン２８としたのち、ラネーニッケル触媒、加
圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精
製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−１，２−ジフルオロベンゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，４
−ジフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体２７を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，２−ジフル
オロベンゼン２８としたのち、ラネーニッケル触媒、加
圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精
製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−１，２−ジフルオロベンゼンを製造できる。
【００４６】
【化３０】
【００４７】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｆ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，
４，５−トリフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体２９を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，
２，６−トリフルオロベンゼン３０としたのち、ラネー
ニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶
でトランス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベン
ゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，
４，５−トリフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体２９を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，
２，６−トリフルオロベンゼン３０としたのち、ラネー
ニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶
でトランス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベン
ゼンを製造できる。
【００４８】
【化３１】
【００４９】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｇ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ア
ルキルブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ中
反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリニ
ャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応さ
せアルコール体３１を製造する。続いて非水用酸性イオ
ン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕アルキルベンゼン３２
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕アルキルベンゼン
を製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ア
ルキルブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ中
反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリニ
ャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応さ
せアルコール体３１を製造する。続いて非水用酸性イオ
ン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕アルキルベンゼン３２
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕アルキルベンゼン
を製造できる。
【００５０】
【化３２】
【００５１】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｌ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ブ
ロモベンゾトリフルオリドを削り状マグネシウムとＴＨ
Ｆ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグ
リニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反
応させアルコール体３３を製造する。続いて非水用酸性
イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゾトリフルオ
リド３４としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触
還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目
的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾト
リフルオリドを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ブ
ロモベンゾトリフルオリドを削り状マグネシウムとＴＨ
Ｆ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグ
リニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反
応させアルコール体３３を製造する。続いて非水用酸性
イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゾトリフルオ
リド３４としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触
還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目
的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾト
リフルオリドを製造できる。
【００５２】
【化３３】
【００５３】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｍ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち２−フ
ルオロ−４−ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体３５を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロベ
ンゼン３６としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接
触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゼン３７へと誘導する。３７を硫酸存在下、発煙
硝酸と反応させニトロ化を行ない、再結晶で１−ニトロ
体３８のみを精製したのち、パラジウムー炭素等の触媒
存在下、加圧下水素還元を行なってアニリン誘導体４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロア
ニリン３９を製造する。３９を硫酸水溶液で硫酸塩とし
たのち、氷冷下亜硝酸ナトリウムと反応させ、ジアゾニ
ウム塩としたのちヨウ化カリウムと反応させヨード誘導
体４０へと誘導する。４０を再結晶で精製後、触媒とし
てヨウ化第一銅存在下フルオロスルホニル（ジフルオ
ロ）酢酸メチルをＤＭＦ中作用させてトリフルオロメチ
ル化を行ない、再結晶で生成物を精製し目的の４−〔４
−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾ
トリフルオリドを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち２−フ
ルオロ−４−ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体３５を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロベ
ンゼン３６としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接
触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゼン３７へと誘導する。３７を硫酸存在下、発煙
硝酸と反応させニトロ化を行ない、再結晶で１−ニトロ
体３８のみを精製したのち、パラジウムー炭素等の触媒
存在下、加圧下水素還元を行なってアニリン誘導体４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロア
ニリン３９を製造する。３９を硫酸水溶液で硫酸塩とし
たのち、氷冷下亜硝酸ナトリウムと反応させ、ジアゾニ
ウム塩としたのちヨウ化カリウムと反応させヨード誘導
体４０へと誘導する。４０を再結晶で精製後、触媒とし
てヨウ化第一銅存在下フルオロスルホニル（ジフルオ
ロ）酢酸メチルをＤＭＦ中作用させてトリフルオロメチ
ル化を行ない、再結晶で生成物を精製し目的の４−〔４
−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾ
トリフルオリドを製造できる。
【００５４】
【化３４】
【００５５】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｎ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ト
リフルオロメトキシブロモベンゼンを削り状マグネシウ
ムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体４１を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕トリフル
オロメトキシベンゼン４２としたのち、ラネーニッケル
触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトラン
ス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ト
リフルオロメトキシブロモベンゼンを削り状マグネシウ
ムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体４１を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕トリフル
オロメトキシベンゼン４２としたのち、ラネーニッケル
触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトラン
ス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造できる。
【００５６】
【化３５】
【００５７】
【本発明の作用、効果】本発明の化合物は他の多くの液
晶化合物、すなわちエステル系、シッフ塩基系、ビフェ
ニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系、フッソ
系等の液晶化合物との相溶性がよく、特に低温における
相溶性が良好であるところから改良された特性を有する
液晶材料を提供することができる。また、本発明の化合
物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘度を
上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を拡大すること
ができる。
晶化合物、すなわちエステル系、シッフ塩基系、ビフェ
ニル系、フェニルシクロヘキサン系、複素環系、フッソ
系等の液晶化合物との相溶性がよく、特に低温における
相溶性が良好であるところから改良された特性を有する
液晶材料を提供することができる。また、本発明の化合
物を液晶組成物の成分として加えることにより、粘度を
上昇させずに液晶組成物の使用温度範囲を拡大すること
ができる。
【００５８】
【実施例】以下、実施例により本発明の化合物の製造法
および使用例についてさらに詳細に説明する。 実施例１ 〔４−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキサノンの製造〕 反応工程は、１）トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルアセチルクロリドのエステル化と還元、２）アルコー
ル体の臭素化、シアノ化、３）ニトリル体の加水分解と
エステル化、４）酸クロリドの合成とグリニャール反
応、５）ケトン体の還元と脱メチル化、６）フェノール
誘導体の核水添とシクロヘキサノールの酸化の６つの工
程に分別される。以下、各製造工程の詳細について記述
する。
および使用例についてさらに詳細に説明する。 実施例１ 〔４−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキサノンの製造〕 反応工程は、１）トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ルアセチルクロリドのエステル化と還元、２）アルコー
ル体の臭素化、シアノ化、３）ニトリル体の加水分解と
エステル化、４）酸クロリドの合成とグリニャール反
応、５）ケトン体の還元と脱メチル化、６）フェノール
誘導体の核水添とシクロヘキサノールの酸化の６つの工
程に分別される。以下、各製造工程の詳細について記述
する。
【００５９】１）攪拌機、冷却管、滴下ロートおよび温
度計を備えた三つ口フラスコ中エタノール１００mlおよ
びピリジン５０mlを添加したのち、攪拌下室温でトラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシルアセチルクロリドを３
０分を要して滴下した。滴下終了後さらに温浴中６０℃
に保ちながら１時間熟成させた。反応溶液は減圧下エタ
ノールを留去し濃縮後分液ロートに移し酢酸エチル（５
００ml）で抽出した。抽出層は飽和炭酸ナトリウム水
（２００ml）および水（４００ml）で順次洗浄後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去してエステ
ル体を含有する反応混合物１０７．９ｇを得た。反応混
合物は精製せずそのまま還元に使用した。滴下ロート、
窒素導入管および温度計を備えた三つ口フラスコに窒素
気流下テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す）２５
０mlおよび水素化リチウムアルミニウム１２．８ｇを添
加、攪拌しながら、氷冷下５℃まで冷却後、試料エステ
ル体１０７．９ｇのＴＨＦ溶液１２０mlを系中の温度が
０〜２５℃を保つように９０分を要して滴下し、さらに
同温度で２時間攪拌熟成させた。反応後、酢酸エチル７
０ml、水１００mlおよび６規定塩酸水溶液２００mlを順
次添加後、反応溶液を分液ロートに移しＴＨＦ層を分離
後水層をジエチルエーテル２００mlで抽出した。ＴＨＦ
およびジエチルエーテル層を混合し、６規定塩酸水溶液
１００ml、水２００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液１０
０mlおよび水２００mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し溶媒を留去して反応混合物８１．８ｇを得
た。得られたアルコール体は減圧蒸留を行ない留出温度
１６３〜１６６℃／１７mmHgの留分６９．８ｇを分取し
た。これが２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エタノールである。
度計を備えた三つ口フラスコ中エタノール１００mlおよ
びピリジン５０mlを添加したのち、攪拌下室温でトラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシルアセチルクロリドを３
０分を要して滴下した。滴下終了後さらに温浴中６０℃
に保ちながら１時間熟成させた。反応溶液は減圧下エタ
ノールを留去し濃縮後分液ロートに移し酢酸エチル（５
００ml）で抽出した。抽出層は飽和炭酸ナトリウム水
（２００ml）および水（４００ml）で順次洗浄後、無水
硫酸マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去してエステ
ル体を含有する反応混合物１０７．９ｇを得た。反応混
合物は精製せずそのまま還元に使用した。滴下ロート、
窒素導入管および温度計を備えた三つ口フラスコに窒素
気流下テトラヒドロフラン（以下、ＴＨＦと略す）２５
０mlおよび水素化リチウムアルミニウム１２．８ｇを添
加、攪拌しながら、氷冷下５℃まで冷却後、試料エステ
ル体１０７．９ｇのＴＨＦ溶液１２０mlを系中の温度が
０〜２５℃を保つように９０分を要して滴下し、さらに
同温度で２時間攪拌熟成させた。反応後、酢酸エチル７
０ml、水１００mlおよび６規定塩酸水溶液２００mlを順
次添加後、反応溶液を分液ロートに移しＴＨＦ層を分離
後水層をジエチルエーテル２００mlで抽出した。ＴＨＦ
およびジエチルエーテル層を混合し、６規定塩酸水溶液
１００ml、水２００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液１０
０mlおよび水２００mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネシ
ウムで乾燥し溶媒を留去して反応混合物８１．８ｇを得
た。得られたアルコール体は減圧蒸留を行ない留出温度
１６３〜１６６℃／１７mmHgの留分６９．８ｇを分取し
た。これが２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エタノールである。
【００６０】２） １）の操作で製造した２−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）エタノール６９．８
ｇおよび４７％ー臭化水素酸１０６．４ｇを攪拌機、温
度計および冷却管を備えた三つ口フラスコ中へ添加し、
１４．５時間加熱還流を行なった。反応溶液は氷冷水２
００ml中に添加して反応を終了させたのち、分液ロート
に移し酢酸エチル２５０mlで抽出した。抽出層は水２０
０ml、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００mlおよび水
３００mlで順次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後溶媒を減圧下留去して反応混合物を８４．０ｇ得
た。反応混合物は減圧蒸留を行ない、留出温度１６５〜
１６６℃／１５mmHgの留分を６０．２ｇ得た。これが１
−ブロモ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エタンである。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）エタノール６９．８
ｇおよび４７％ー臭化水素酸１０６．４ｇを攪拌機、温
度計および冷却管を備えた三つ口フラスコ中へ添加し、
１４．５時間加熱還流を行なった。反応溶液は氷冷水２
００ml中に添加して反応を終了させたのち、分液ロート
に移し酢酸エチル２５０mlで抽出した。抽出層は水２０
０ml、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液１００mlおよび水
３００mlで順次洗浄したのち、無水硫酸マグネシウムで
乾燥後溶媒を減圧下留去して反応混合物を８４．０ｇ得
た。反応混合物は減圧蒸留を行ない、留出温度１６５〜
１６６℃／１５mmHgの留分を６０．２ｇ得た。これが１
−ブロモ−２−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシ
ル）エタンである。
【００６１】冷却管、温度計、滴下ロートおよび攪拌機
を備えた三つ口フラスコにシアン化ナトリウム５９．９
ｇ、およびジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯ）４
８０mlを添加し、攪拌下シアン化ナトリウムを加熱溶解
後、１−ブロモ−２−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）エタン２４５．６ｇを滴下ロートから１時間
を要して滴下した。滴下終了後さらに８０℃に保ちなが
ら２時間加熱攪拌を行なった。室温まで冷却後、水５０
０mlを添加し反応を終了し、反応溶液を分液ロートに移
しトルエン１０００mlで抽出した。抽出層は水１５００
mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減
圧下留去して反応混合物２０２．６ｇを得た。これが３
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロピオニ
トリルである。
を備えた三つ口フラスコにシアン化ナトリウム５９．９
ｇ、およびジメチルスルホキシド（以下、ＤＭＳＯ）４
８０mlを添加し、攪拌下シアン化ナトリウムを加熱溶解
後、１−ブロモ−２−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）エタン２４５．６ｇを滴下ロートから１時間
を要して滴下した。滴下終了後さらに８０℃に保ちなが
ら２時間加熱攪拌を行なった。室温まで冷却後、水５０
０mlを添加し反応を終了し、反応溶液を分液ロートに移
しトルエン１０００mlで抽出した。抽出層は水１５００
mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減
圧下留去して反応混合物２０２．６ｇを得た。これが３
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロピオニ
トリルである。
【００６２】３） 温度計、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中エチレングリコール１５００mlに水
酸化カリウム水溶液（水酸化カリウム１５８．４ｇ／水
６０ml）を溶解し、２）で製造した３−（４−トランス
ペンチルシクロヘキシル）プロピオニトリル２０２．６
ｇを添加し、８時間加熱還流を行なった。反応終了後、
反応溶液を室温まで冷却したのち氷冷水１０００mlを添
加した。反応溶液を分液ロートに移し、ジエチルエーテ
ル２０００mlで抽出し、抽出層は水２０００mlで洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去
して反応混合物２１３．９ｇを得た。反応混合物は減圧
蒸留を行ない、２００〜２０１℃／１０mmHgの留分１７
４．３ｇを得た。これがカルボン酸誘導体３−（４−ト
ランスペンチルシクロヘキシル）プロピオン酸である。
続いて温度計、冷却管および攪拌機を備えた三つ口フラ
スコ中エタノール１０００mlに試料カルボン酸誘導体３
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロピオン
酸１７４．３ｇを添加溶解し、濃硫酸２３mlを添加して
４時間加熱還流を行なった。反応終了後未反応のエタノ
ールを反応系中より減圧下留去したのち、反応残渣を１
０００mlの氷冷水に添加し、酢酸エチル１０００mlで抽
出した。抽出層は水５００ml、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液５００mlおよび水１００mlで順次洗浄したのち無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反
応混合物１９０．６ｇを得た。これがエチルエステル誘
導体３−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロ
ピオン酸エチルエステルである。
た三つ口フラスコ中エチレングリコール１５００mlに水
酸化カリウム水溶液（水酸化カリウム１５８．４ｇ／水
６０ml）を溶解し、２）で製造した３−（４−トランス
ペンチルシクロヘキシル）プロピオニトリル２０２．６
ｇを添加し、８時間加熱還流を行なった。反応終了後、
反応溶液を室温まで冷却したのち氷冷水１０００mlを添
加した。反応溶液を分液ロートに移し、ジエチルエーテ
ル２０００mlで抽出し、抽出層は水２０００mlで洗浄
後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下溶媒を留去
して反応混合物２１３．９ｇを得た。反応混合物は減圧
蒸留を行ない、２００〜２０１℃／１０mmHgの留分１７
４．３ｇを得た。これがカルボン酸誘導体３−（４−ト
ランスペンチルシクロヘキシル）プロピオン酸である。
続いて温度計、冷却管および攪拌機を備えた三つ口フラ
スコ中エタノール１０００mlに試料カルボン酸誘導体３
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロピオン
酸１７４．３ｇを添加溶解し、濃硫酸２３mlを添加して
４時間加熱還流を行なった。反応終了後未反応のエタノ
ールを反応系中より減圧下留去したのち、反応残渣を１
０００mlの氷冷水に添加し、酢酸エチル１０００mlで抽
出した。抽出層は水５００ml、飽和炭酸水素ナトリウム
水溶液５００mlおよび水１００mlで順次洗浄したのち無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反
応混合物１９０．６ｇを得た。これがエチルエステル誘
導体３−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）プロ
ピオン酸エチルエステルである。
【００６３】
【化３６】
【００６４】３−（４−トランスペンチルシクロヘキシ
ル）プロピオン酸エチルエステルを１）〜３）と同様の
操作を再度繰り返して、一炭素増炭したカルボン酸誘導
体４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブタ
ン酸へと誘導した。
ル）プロピオン酸エチルエステルを１）〜３）と同様の
操作を再度繰り返して、一炭素増炭したカルボン酸誘導
体４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブタ
ン酸へと誘導した。
【００６５】
【化３７】
【００６６】４）冷却管および温度計を備えたナスフラ
スコに４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
ブタン酸１１０．３ｇおよび塩化チオニル９８．５ｇを
添加し３時間加熱還流を行なった。反応終了後アスピレ
ーター減圧下未反応の塩化チオニルを留去し、さらにト
ルエン１６０mlを添加後、再度アスピレーター減圧下ト
ルエンを留去して、酸クロリド誘導体４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）ブチリルクロリドを１０
３．３ｇ製造した。酸クロリド誘導体は次にグリニャー
ル反応に使用した。
スコに４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）
ブタン酸１１０．３ｇおよび塩化チオニル９８．５ｇを
添加し３時間加熱還流を行なった。反応終了後アスピレ
ーター減圧下未反応の塩化チオニルを留去し、さらにト
ルエン１６０mlを添加後、再度アスピレーター減圧下ト
ルエンを留去して、酸クロリド誘導体４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）ブチリルクロリドを１０
３．３ｇ製造した。酸クロリド誘導体は次にグリニャー
ル反応に使用した。
【００６７】温度計、冷却管、攪拌機および滴下ロート
を備えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム１３．８
９ｇおよびＴＨＦ１０mlを入れ、４−メトキシブロムベ
ンゼン９７．１ｇのＴＨＦ溶液１００mlを室温下１時間
を要して滴下し、滴下終了後５０℃に保ちながら２時間
攪拌しグリニャール試薬を調製した。つぎに別に用意し
た温度計、冷却管、攪拌機および滴下ロートを備えた三
つ口フラスコに４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ブチリルクロリド１０３．３ｇのＴＨＦ溶液２
００mlを入れ、ドライアイスーアルコール冷媒下−３０
℃まで冷却後、鉄（III)アセチルアセトネート２．８ｇ
を添加し溶解後、滴下ロートより上記調製したグリニャ
ール試薬を−３０〜−１０℃に保ちながら１時間を要し
て滴下した。滴下終了後さらに同温度で３時間攪拌熟成
させた後、６規定塩酸水溶液１００mlを添加し反応を終
了した。反応溶液を分液ロートに移したのちＴＨＦ層を
分離後、水層をトルエン３００mlで抽出し、抽出層およ
びＴＨＦ層を混合後水３００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液２００mlおよび水５００mlで順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去して反応混合物
を１４２．５ｇ得た。得られた反応混合物はヘプタンー
酢酸エチル混合溶媒を展開溶媒に用いてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを行ない、さらにヘプタンー酢酸
エチル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を１０
６．４ｇ得た。これが４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−１−（４−メトキシフェニル）ブタン
−１−オンである。
を備えた三つ口フラスコに削り状マグネシウム１３．８
９ｇおよびＴＨＦ１０mlを入れ、４−メトキシブロムベ
ンゼン９７．１ｇのＴＨＦ溶液１００mlを室温下１時間
を要して滴下し、滴下終了後５０℃に保ちながら２時間
攪拌しグリニャール試薬を調製した。つぎに別に用意し
た温度計、冷却管、攪拌機および滴下ロートを備えた三
つ口フラスコに４−（トランス−４−ペンチルシクロヘ
キシル）ブチリルクロリド１０３．３ｇのＴＨＦ溶液２
００mlを入れ、ドライアイスーアルコール冷媒下−３０
℃まで冷却後、鉄（III)アセチルアセトネート２．８ｇ
を添加し溶解後、滴下ロートより上記調製したグリニャ
ール試薬を−３０〜−１０℃に保ちながら１時間を要し
て滴下した。滴下終了後さらに同温度で３時間攪拌熟成
させた後、６規定塩酸水溶液１００mlを添加し反応を終
了した。反応溶液を分液ロートに移したのちＴＨＦ層を
分離後、水層をトルエン３００mlで抽出し、抽出層およ
びＴＨＦ層を混合後水３００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液２００mlおよび水５００mlで順次洗浄後、無水硫酸
マグネシウムで乾燥し溶媒を減圧下留去して反応混合物
を１４２．５ｇ得た。得られた反応混合物はヘプタンー
酢酸エチル混合溶媒を展開溶媒に用いてシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィーを行ない、さらにヘプタンー酢酸
エチル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を１０
６．４ｇ得た。これが４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）−１−（４−メトキシフェニル）ブタン
−１−オンである。
【００６８】
【化３８】
【００６９】５）温度計、冷却管、攪拌機および滴下ロ
ートを備えた三つ口フラスコにＴＨＦ５００mlを添加
し、氷冷下０℃以下としたのち無水塩化アルミニウム１
５４．８ｇおよび水素化リチウムアルミニウム２２．０
ｇを添加したのち、０〜５℃に保ちながら４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（４−メトキ
シフェニル）ブタン−１−オン１０６．４ｇのＴＨＦ溶
液１００mlを２時間を要して滴下した。滴下終了後同温
度で２時間攪拌し、さらに室温で１０時間攪拌した。反
応溶液に酢酸エチル１００ml、水１００mlおよび６規定
塩酸水溶液１００mlを添加し、反応を終了後、反応溶液
を分液ロートに移し、ＴＨＦ層を分離後水層を酢酸エチ
ル４００mlで抽出した。抽出層およびＴＨＦ層を混合
後、飽和炭酸ナトリウム水溶液２００mlおよび水５００
mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減
圧下留去して反応混合物を１１３．０ｇ得た。これが１
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）−４−（４
−メトキシフェニル）ブタンである。反応混合物をその
まま三臭化ホウ素と反応させた。温度計、冷却管、攪拌
機および滴下ロートを備えた三つ口フラスコに塩化メチ
レン７００mlを添加しドライアイスーアセトン冷媒下−
６０℃に冷却後、三臭化ホウ素１０７．５ｇ添加した。
添加終了後１−（４−トランスペンチルシクロヘキシ
ル）−４−（４−メトキシフェニル）ブタン１１３．０
ｇの塩化メチレン溶液５００mlを−６０〜−４０℃を保
ちながら２時間を要して徐々に滴下した。滴下終了後さ
らに同温度で１時間攪拌したのち１時間を要して徐々に
室温まで温昇させ、さらに水５００mlを添加し反応を終
了した。反応溶液を分液ロートに移したのち塩化メチレ
ン層を分離後、水１０００mlで洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後溶媒を留去して反応混合物８２．９ｇを
得た。反応混合物はヘプタンーエタノール混合溶媒から
再結晶を行ない白色結晶物を５７．０ｇ得た。これがフ
ェノール誘導体１−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）−４−（４−ヒドロキシフェニル）ブタンであ
る。
ートを備えた三つ口フラスコにＴＨＦ５００mlを添加
し、氷冷下０℃以下としたのち無水塩化アルミニウム１
５４．８ｇおよび水素化リチウムアルミニウム２２．０
ｇを添加したのち、０〜５℃に保ちながら４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）−１−（４−メトキ
シフェニル）ブタン−１−オン１０６．４ｇのＴＨＦ溶
液１００mlを２時間を要して滴下した。滴下終了後同温
度で２時間攪拌し、さらに室温で１０時間攪拌した。反
応溶液に酢酸エチル１００ml、水１００mlおよび６規定
塩酸水溶液１００mlを添加し、反応を終了後、反応溶液
を分液ロートに移し、ＴＨＦ層を分離後水層を酢酸エチ
ル４００mlで抽出した。抽出層およびＴＨＦ層を混合
後、飽和炭酸ナトリウム水溶液２００mlおよび水５００
mlで洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減
圧下留去して反応混合物を１１３．０ｇ得た。これが１
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）−４−（４
−メトキシフェニル）ブタンである。反応混合物をその
まま三臭化ホウ素と反応させた。温度計、冷却管、攪拌
機および滴下ロートを備えた三つ口フラスコに塩化メチ
レン７００mlを添加しドライアイスーアセトン冷媒下−
６０℃に冷却後、三臭化ホウ素１０７．５ｇ添加した。
添加終了後１−（４−トランスペンチルシクロヘキシ
ル）−４−（４−メトキシフェニル）ブタン１１３．０
ｇの塩化メチレン溶液５００mlを−６０〜−４０℃を保
ちながら２時間を要して徐々に滴下した。滴下終了後さ
らに同温度で１時間攪拌したのち１時間を要して徐々に
室温まで温昇させ、さらに水５００mlを添加し反応を終
了した。反応溶液を分液ロートに移したのち塩化メチレ
ン層を分離後、水１０００mlで洗浄し、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥後溶媒を留去して反応混合物８２．９ｇを
得た。反応混合物はヘプタンーエタノール混合溶媒から
再結晶を行ない白色結晶物を５７．０ｇ得た。これがフ
ェノール誘導体１−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）−４−（４−ヒドロキシフェニル）ブタンであ
る。
【００７０】
【化３９】
【００７１】６）オートクレーブ中試料１−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）−４−（４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン５７ｇをシクロヘキサン２００mlに溶
解し、硫酸バリウム担持パラジウムを触媒として水素圧
２５kg／cm2 で２時間接触水素添加反応を行なった。反
応終了後反応溶液から触媒をろ別したのち、溶媒を減圧
下留去して反応混合物を６０．３ｇ得た。これが１−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）−４−（４−
ヒドロキシシクロヘキシル）ブタンである。反応混合物
は精製せずそのまま次亜塩素酸ソーダによる酸化反応を
行なった。温度計および滴下ロートを備えたナスフラス
コ中試料１−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）
−４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）ブタン６０．
３ｇをクロロホルム２００mlに溶解し、室温中マグネチ
ックスターラーで攪拌しながら、２８％次亜塩素酸ソー
ダ水溶液６０mlを２０分を要して滴下した。滴下後さら
に同温度で１５時間攪拌し、水５００mlを添加し反応を
終了した。反応溶液を分液ロートに移し、クロロホルム
層を分離後、水層をさらにクロロホルム２００mlで抽出
し、クロロホルム層を混合後２規定水酸化ナトリウム水
溶液１００mlおよび水１６００mlで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後溶媒を減圧下留去して反応混合物を
５３．６ｇ得た。得られた反応混合物はトルエンを展開
溶媒にシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行
ない、白色結晶物４７．９ｇを得た。これが４−〔４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキサノンである。
ンスペンチルシクロヘキシル）−４−（４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン５７ｇをシクロヘキサン２００mlに溶
解し、硫酸バリウム担持パラジウムを触媒として水素圧
２５kg／cm2 で２時間接触水素添加反応を行なった。反
応終了後反応溶液から触媒をろ別したのち、溶媒を減圧
下留去して反応混合物を６０．３ｇ得た。これが１−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）−４−（４−
ヒドロキシシクロヘキシル）ブタンである。反応混合物
は精製せずそのまま次亜塩素酸ソーダによる酸化反応を
行なった。温度計および滴下ロートを備えたナスフラス
コ中試料１−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）
−４−（４−ヒドロキシシクロヘキシル）ブタン６０．
３ｇをクロロホルム２００mlに溶解し、室温中マグネチ
ックスターラーで攪拌しながら、２８％次亜塩素酸ソー
ダ水溶液６０mlを２０分を要して滴下した。滴下後さら
に同温度で１５時間攪拌し、水５００mlを添加し反応を
終了した。反応溶液を分液ロートに移し、クロロホルム
層を分離後、水層をさらにクロロホルム２００mlで抽出
し、クロロホルム層を混合後２規定水酸化ナトリウム水
溶液１００mlおよび水１６００mlで洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥後溶媒を減圧下留去して反応混合物を
５３．６ｇ得た。得られた反応混合物はトルエンを展開
溶媒にシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製を行
ない、白色結晶物４７．９ｇを得た。これが４−〔４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキサノンである。
【００７２】
【化４０】
【００７３】上記製造方法に準じてトランス−４−ペン
チルシクロヘキシルアセチルクロリドにかえてアルキル
基の異なるトランス−４−アルキルシクロヘキシルアセ
チルクロリドを用いて以下の４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
を製造することができる。 ４−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−オクチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ノニルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン 実施例２ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニト
リル（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ 1 ＝Ｘ3
＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＮのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加お
よび４）シアノ化の４つの工程に分別される。以下、各
製造工程の詳細について記述する。
チルシクロヘキシルアセチルクロリドにかえてアルキル
基の異なるトランス−４−アルキルシクロヘキシルアセ
チルクロリドを用いて以下の４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
を製造することができる。 ４−〔４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ブチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ヘキシルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ヘプチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−オクチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン ４−〔４−（トランス−４−ノニルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン 実施例２ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニト
リル（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ 1 ＝Ｘ3
＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＮのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加お
よび４）シアノ化の４つの工程に分別される。以下、各
製造工程の詳細について記述する。
【００７４】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．２ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
ブロモベンゼン７．３ｇのＴＨＦ溶液１０mlを３０分を
要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保
ちながら１時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調
製した。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１１ｇのＴＨ
Ｆ溶液２５mlを系内が４０〜６０℃を保つように３０分
を要して滴下し、さらに同温度で４時間攪拌熟成させ
た。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０ml
を添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移し
たのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlお
よび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物１２．５ｇを
得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキ
シル〕ベンゼン含有混合物である。得られた反応混合物
はそのまま次の脱水反応工程に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．２ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
ブロモベンゼン７．３ｇのＴＨＦ溶液１０mlを３０分を
要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保
ちながら１時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調
製した。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１１ｇのＴＨ
Ｆ溶液２５mlを系内が４０〜６０℃を保つように３０分
を要して滴下し、さらに同温度で４時間攪拌熟成させ
た。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０ml
を添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移し
たのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlお
よび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで
乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物１２．５ｇを
得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキ
シル〕ベンゼン含有混合物である。得られた反応混合物
はそのまま次の脱水反応工程に使用した。
【００７５】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕ベンゼン含有混合物１２．５ｇをトルエン
６３mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂
アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌しながら１時間
加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち
溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を１０．９ｇ得
た。得られた反応混合物をシリカゲルを充填したカラム
クロマトグラフィーで精製後、ヘプタンー酢酸エチル混
合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を８．２ｇ得た。これ
が４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゼンで
ある。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕ベンゼン含有混合物１２．５ｇをトルエン
６３mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂
アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌しながら１時間
加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち
溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を１０．９ｇ得
た。得られた反応混合物をシリカゲルを充填したカラム
クロマトグラフィーで精製後、ヘプタンー酢酸エチル混
合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を８．２ｇ得た。これ
が４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゼンで
ある。
【００７６】
【化４１】
【００７７】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕ベンゼン８．２ｇを酢酸エチル６０
mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．０ｇを添加
し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素
添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ別し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を７．５ｇ得た。得られた
反応混合物は常法により異性化を行ない、異性化反応混
合物を６．８ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製し、白
色結晶物を３．４ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トラ
ンス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕ベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕ベンゼン８．２ｇを酢酸エチル６０
mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．０ｇを添加
し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素
添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ別し、減圧
下溶媒を留去して反応混合物を７．５ｇ得た。得られた
反応混合物は常法により異性化を行ない、異性化反応混
合物を６．８ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製し、白
色結晶物を３．４ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トラ
ンス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕ベンゼンである。
【００７８】
【化４２】
【００７９】４）温度計、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシルベンゼンを３．４ｇをジクロロメタン３０mlに溶
解し、氷冷下−１０℃まで冷却後無水塩化アルミニウム
３．７ｇを添加した。つぎにマグネチックスターラーで
攪拌下−１０〜−５℃を保ちながら５分を要してオキサ
リルクロリドを３．５ｇ滴下した。滴下終了後１時間同
温度で攪拌したのち室温に戻しさらに３時間攪拌し、水
５０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロート
に移したのち、ジクロロメタン層を分離後、水層をさら
にジクロロメタン４０mlで抽出し、抽出層を混合後水５
０ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlさらに水１００
mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾
燥後溶媒を減圧下留去、濃縮して反応混合物を３．５ｇ
得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシルベ
ンゾイルクロリドである。反応混合物はそのまま１，４
−ジオキサン３mlに溶解し２５％ーアンモニア水２０ml
に添加して反応させたのち、生成した固形物をろ取分別
し、さらに水１００mlで洗浄後乾燥させ淡黄色結晶物を
３．９ｇ得た。これが酸アミド誘導体４−〔４−〔４−
トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシルベンズアミドである。乾燥した４
−〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシルベンズアミド３．
５ｇを温度計、攪拌機、冷却管および滴下ロートを備え
た三つ口フラスコ中攪拌しながら、ピリジン／トルエン
の１対１溶液３０mlに加熱溶解し、室温まで放冷後、室
温下ベンゼンスルホニルクロリド２．３ｇを５分を要し
て滴下した。さらに滴下終了後加熱還流を４時間行なっ
たのち室温まで放冷後、氷冷水５０ml中に反応溶液を添
加し反応を終了した。反応混合物を分液ロートに移した
のち有機層を分離後、水層をトルエン５０mlで抽出し
た。有機層を混合後６規定塩酸水溶液２０ml、水５０m
l、飽和炭酸ナトリウム水溶液４０mlさらに水１００ml
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下溶
媒を留去、濃縮して反応混合物を２．９ｇ得た。反応混
合物はヘプタンー酢酸エチル系混合溶媒を展開溶媒にシ
リカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製
後、ヘプタンー酢酸エチル系混合溶媒で再結晶を繰り返
し行ない、白色結晶物を１．２ｇ得た。これが目的物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
である。
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシルベンゼンを３．４ｇをジクロロメタン３０mlに溶
解し、氷冷下−１０℃まで冷却後無水塩化アルミニウム
３．７ｇを添加した。つぎにマグネチックスターラーで
攪拌下−１０〜−５℃を保ちながら５分を要してオキサ
リルクロリドを３．５ｇ滴下した。滴下終了後１時間同
温度で攪拌したのち室温に戻しさらに３時間攪拌し、水
５０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロート
に移したのち、ジクロロメタン層を分離後、水層をさら
にジクロロメタン４０mlで抽出し、抽出層を混合後水５
０ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlさらに水１００
mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。乾
燥後溶媒を減圧下留去、濃縮して反応混合物を３．５ｇ
得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシルベ
ンゾイルクロリドである。反応混合物はそのまま１，４
−ジオキサン３mlに溶解し２５％ーアンモニア水２０ml
に添加して反応させたのち、生成した固形物をろ取分別
し、さらに水１００mlで洗浄後乾燥させ淡黄色結晶物を
３．９ｇ得た。これが酸アミド誘導体４−〔４−〔４−
トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシルベンズアミドである。乾燥した４
−〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシルベンズアミド３．
５ｇを温度計、攪拌機、冷却管および滴下ロートを備え
た三つ口フラスコ中攪拌しながら、ピリジン／トルエン
の１対１溶液３０mlに加熱溶解し、室温まで放冷後、室
温下ベンゼンスルホニルクロリド２．３ｇを５分を要し
て滴下した。さらに滴下終了後加熱還流を４時間行なっ
たのち室温まで放冷後、氷冷水５０ml中に反応溶液を添
加し反応を終了した。反応混合物を分液ロートに移した
のち有機層を分離後、水層をトルエン５０mlで抽出し
た。有機層を混合後６規定塩酸水溶液２０ml、水５０m
l、飽和炭酸ナトリウム水溶液４０mlさらに水１００ml
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し減圧下溶
媒を留去、濃縮して反応混合物を２．９ｇ得た。反応混
合物はヘプタンー酢酸エチル系混合溶媒を展開溶媒にシ
リカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製
後、ヘプタンー酢酸エチル系混合溶媒で再結晶を繰り返
し行ない、白色結晶物を１．２ｇ得た。これが目的物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル
である。
【００８０】
【化４３】
【００８１】上記製造方法に準じて４−〔４−〔トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−〔トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕ベンゾニトリルを製造することができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−〔トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕ベンゾニトリルを製造することができる。
【００８２】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル 実施例３ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾニトリル（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｆ，Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＮのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加お
よび４）シアノ化の４つの工程に分別される。以下、各
製造工程の詳細について記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリ
ル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニトリル 実施例３ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾニトリル（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｆ，Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＮのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加お
よび４）シアノ化の４つの工程に分別される。以下、各
製造工程の詳細について記述する。
【００８３】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム２．８ｇ、ＴＨＦ１０ml
を入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しなが
ら３−フルオロブロモベンゼン２０．４ｇのＴＨＦ溶液
４０mlを５０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、
温浴中５０℃に保ちながら１時間攪拌し熟成させてグリ
ニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサ
ノン２５ｇのＴＨＦ溶液５０mlを系内が４０〜６０℃を
保つように４５分を要して滴下し、さらに同温度で４時
間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩
酸水溶液１００mlを添加し反応を終了した。反応溶液を
分液ロートに移したのち水２００ml、飽和炭酸ナトリウ
ム水溶液２００mlおよび水４００mlで順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応
混合物３１．５ｇを得た。これが４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒ
ドロキシシクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン含有
混合物である。得られた反応混合物はそのまま次の脱水
反応工程に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム２．８ｇ、ＴＨＦ１０ml
を入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しなが
ら３−フルオロブロモベンゼン２０．４ｇのＴＨＦ溶液
４０mlを５０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、
温浴中５０℃に保ちながら１時間攪拌し熟成させてグリ
ニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−（トランス
−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサ
ノン２５ｇのＴＨＦ溶液５０mlを系内が４０〜６０℃を
保つように４５分を要して滴下し、さらに同温度で４時
間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩
酸水溶液１００mlを添加し反応を終了した。反応溶液を
分液ロートに移したのち水２００ml、飽和炭酸ナトリウ
ム水溶液２００mlおよび水４００mlで順次洗浄し、無水
硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応
混合物３１．５ｇを得た。これが４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒ
ドロキシシクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン含有
混合物である。得られた反応混合物はそのまま次の脱水
反応工程に使用した。
【００８４】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン含有混合物３１．
５ｇをトルエン１６０mlに溶解し、触媒として非水用酸
性イオン交換樹脂アンバーリスト１．６ｇを添加し、攪
拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液は触媒
をろ別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を
３０．３ｇ得た。得られた反応混合物をシリカゲルを充
填したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を２
６．８ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス
ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１
−イル〕−２−フルオロベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゼン含有混合物３１．
５ｇをトルエン１６０mlに溶解し、触媒として非水用酸
性イオン交換樹脂アンバーリスト１．６ｇを添加し、攪
拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液は触媒
をろ別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を
３０．３ｇ得た。得られた反応混合物をシリカゲルを充
填したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を２
６．８ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス
ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１
−イル〕−２−フルオロベンゼンである。
【００８５】
【化４４】
【００８６】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２−フルオロベンゼン２６．８ｇ
を酢酸エチル１５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触
媒１０．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加を行なった。反応終了後、触媒
をろ別し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を２６．４
ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチ
ル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を１２．７
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕−２−フルオロベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２−フルオロベンゼン２６．８ｇ
を酢酸エチル１５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触
媒１０．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加を行なった。反応終了後、触媒
をろ別し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を２６．４
ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチ
ル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を１２．７
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕−２−フルオロベンゼンである。
【００８７】
【化４５】
【００８８】４）温度計、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゼン５．０ｇをジクロロメ
タン５０mlに溶解し、氷冷下−１０℃まで冷却後無水塩
化アルミニウム５．２ｇを添加した。つぎにマグネチッ
クスターラーで攪拌下−１０〜−５℃を保ちながら３０
分を要してオキサリルクロリドを４．９ｇ滴下した。滴
下終了後１時間同温度で攪拌したのち室温に戻しさらに
３時間攪拌し、水５０mlを添加し反応を終了した。反応
溶液を分液ロートに移したのち、ジクロロメタン層を分
離後、水層をさらにジクロロメタン５０mlで抽出し、抽
出層を混合後、水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液
５０mlさらに水１５０mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し溶媒を減圧下留去、濃縮して反応混合物
を５．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゾイルクロリドであ
る。反応混合物はそのまま１，４−ジオキサン５mlに溶
解し２５％ーアンモニア水２０mlに添加して反応させ
た。生成した固形物をろ取分別し、さらに水１００mlで
洗浄後乾燥させ淡黄色結晶物を４．９ｇ得た。これが酸
アミド誘導体４−〔４−〔４−トランス−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−２−フルオロベンズアミドである。乾燥した４−〔４
−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンズ
アミド４．５ｇを温度計、攪拌機、冷却管および滴下ロ
ートを備えた三つ口フラスコ中攪拌しながら、ピリジン
／トルエンの１対１溶液５０mlに加熱溶解し、室温まで
放冷後、室温下ベンゼンスルホニルクロリド３．０ｇを
３分を要して滴下した。さらに滴下終了後４時間加熱還
流を行なったのち室温まで放冷後、氷冷水５０ml中に反
応溶液を添加し反応を終了した。反応混合物を分液ロー
トに移したのち有機層を分離後、水層をトルエン５０ml
で抽出した。有機層を混合後６規定塩酸水溶液３０ml、
水５０ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlさらに水２
００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。この後減圧下溶媒を留去、濃縮して反応混合物を
４．３ｇ得た。反応混合物をヘプタンー酢酸エチル混合
溶媒を展開溶媒にシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーで精製後、ヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶し、白色結晶物を１．６ｇ得た。これが目的物
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕〕−２−フル
オロベンゾニトリルである。
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゼン５．０ｇをジクロロメ
タン５０mlに溶解し、氷冷下−１０℃まで冷却後無水塩
化アルミニウム５．２ｇを添加した。つぎにマグネチッ
クスターラーで攪拌下−１０〜−５℃を保ちながら３０
分を要してオキサリルクロリドを４．９ｇ滴下した。滴
下終了後１時間同温度で攪拌したのち室温に戻しさらに
３時間攪拌し、水５０mlを添加し反応を終了した。反応
溶液を分液ロートに移したのち、ジクロロメタン層を分
離後、水層をさらにジクロロメタン５０mlで抽出し、抽
出層を混合後、水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液
５０mlさらに水１５０mlで順次洗浄後、無水硫酸マグネ
シウムで乾燥し溶媒を減圧下留去、濃縮して反応混合物
を５．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロベンゾイルクロリドであ
る。反応混合物はそのまま１，４−ジオキサン５mlに溶
解し２５％ーアンモニア水２０mlに添加して反応させ
た。生成した固形物をろ取分別し、さらに水１００mlで
洗浄後乾燥させ淡黄色結晶物を４．９ｇ得た。これが酸
アミド誘導体４−〔４−〔４−トランス−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−２−フルオロベンズアミドである。乾燥した４−〔４
−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンズ
アミド４．５ｇを温度計、攪拌機、冷却管および滴下ロ
ートを備えた三つ口フラスコ中攪拌しながら、ピリジン
／トルエンの１対１溶液５０mlに加熱溶解し、室温まで
放冷後、室温下ベンゼンスルホニルクロリド３．０ｇを
３分を要して滴下した。さらに滴下終了後４時間加熱還
流を行なったのち室温まで放冷後、氷冷水５０ml中に反
応溶液を添加し反応を終了した。反応混合物を分液ロー
トに移したのち有機層を分離後、水層をトルエン５０ml
で抽出した。有機層を混合後６規定塩酸水溶液３０ml、
水５０ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlさらに水２
００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し
た。この後減圧下溶媒を留去、濃縮して反応混合物を
４．３ｇ得た。反応混合物をヘプタンー酢酸エチル混合
溶媒を展開溶媒にシリカゲルを充填したカラムクロマト
グラフィーで精製後、ヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶し、白色結晶物を１．６ｇ得た。これが目的物
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕〕−２−フル
オロベンゾニトリルである。
【００８９】
【化４６】
【００９０】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゾニトリルを製造すること
ができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゾニトリルを製造すること
ができる。
【００９１】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾニトリル 実施例４ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベ
ンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ1 ＝Ｘ
3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾニトリル ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾニトリル 実施例４ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベ
ンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ1 ＝Ｘ
3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【００９２】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４ーフルオロブロモベンゼン７．４ｇのＴＨＦ溶液１５
mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴
中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させてグリ
ニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサ
ノン９ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４０〜６０℃を保
つように３０分を要して滴下し、さらに同温度で４時間
攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸
水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液
ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。乾燥後溶媒を減圧下留去して反
応混合物９．４ｇを得た。得られた反応混合物をヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し、黄褐色結晶物
７．２ｇを得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラン
スプロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシ
シクロヘキシル〕フルオロベンゼンである。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４ーフルオロブロモベンゼン７．４ｇのＴＨＦ溶液１５
mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴
中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させてグリ
ニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサ
ノン９ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４０〜６０℃を保
つように３０分を要して滴下し、さらに同温度で４時間
攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸
水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液
ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥した。乾燥後溶媒を減圧下留去して反
応混合物９．４ｇを得た。得られた反応混合物をヘプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し、黄褐色結晶物
７．２ｇを得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラン
スプロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシ
シクロヘキシル〕フルオロベンゼンである。
【００９３】
【化４７】
【００９４】２）温度計、冷却管および攪拌機を備えた
三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプロ
ピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロ
ヘキシル〕フルオロベンゼン７．２ｇをトルエン２０ml
に溶解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバ
ーリスト０．３ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還
流を行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を
減圧下留去、濃縮し反応混合物を６．６ｇ得た。得られ
た反応混合物をシリカゲルを充填したカラムクロマトグ
ラフィーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒
から再結晶し淡黄色結晶物を５．３ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−（４−トランスプロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕フルオロベンゼン
である。
三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプロ
ピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロ
ヘキシル〕フルオロベンゼン７．２ｇをトルエン２０ml
に溶解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバ
ーリスト０．３ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還
流を行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を
減圧下留去、濃縮し反応混合物を６．６ｇ得た。得られ
た反応混合物をシリカゲルを充填したカラムクロマトグ
ラフィーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒
から再結晶し淡黄色結晶物を５．３ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−（４−トランスプロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕フルオロベンゼン
である。
【００９５】
【化４８】
【００９６】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕フルオロベンゼン５．３ｇを酢酸エ
チル７０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．５ｇ
を添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接
触水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ別
し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を５．１ｇ得た。
得られた反応混合物は常法に従って異性化を行ない異性
化反応混合物を４．５ｇ得た。反応混合物はトランス体
をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精
製し、白色結晶物を１．２ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−トランス−（４−トランスプロピルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼンであ
る。
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕フルオロベンゼン５．３ｇを酢酸エ
チル７０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．５ｇ
を添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接
触水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ別
し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を５．１ｇ得た。
得られた反応混合物は常法に従って異性化を行ない異性
化反応混合物を４．５ｇ得た。反応混合物はトランス体
をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精
製し、白色結晶物を１．２ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−トランス−（４−トランスプロピルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼンであ
る。
【００９７】
【化４９】
【００９８】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕フルオロベンゼンを製造することができる。
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕フルオロベンゼンを製造することができる。
【００９９】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フ
ルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン 実施例５ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−
ジフルオロベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フ
ルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン 実施例５ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−
ジフルオロベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１００】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，４−ジフルオロブロモベンゼン８．２ｇのＴＨＦ溶
液２５mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了
後、温浴中５０℃に保ちながら３．５時間攪拌し熟成さ
せてグリニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４０
〜６０℃を保つように３０分を要して滴下し、さらに同
温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したの
ち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反
応溶液を分液ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸
ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
して反応混合物を１３．８ｇ得た。得られた反応混合物
をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない黄
褐色結晶物９．８ｇを得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１
−ヒドロキシシクロヘキシル〕−１，２−ジフルオロベ
ンゼンである。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，４−ジフルオロブロモベンゼン８．２ｇのＴＨＦ溶
液２５mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了
後、温浴中５０℃に保ちながら３．５時間攪拌し熟成さ
せてグリニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４−
（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４０
〜６０℃を保つように３０分を要して滴下し、さらに同
温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したの
ち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反
応溶液を分液ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸
ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
して反応混合物を１３．８ｇ得た。得られた反応混合物
をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない黄
褐色結晶物９．８ｇを得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１
−ヒドロキシシクロヘキシル〕−１，２−ジフルオロベ
ンゼンである。
【０１０１】
【化５０】
【０１０２】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−１，２−ジフルオロベンゼン９．８ｇを
トルエン７０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン
交換樹脂アンバーリスト０．７ｇを添加し、攪拌しなが
ら１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ別
したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を８．５
ｇ得た。得られた反応混合物をシリカゲルを充填したカ
ラムクロマトグラフィーで精製したのち、ヘプタンー酢
酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を７．１ｇ
得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスーペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イ
ル〕−１，２−ジフルオロベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−１，２−ジフルオロベンゼン９．８ｇを
トルエン７０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン
交換樹脂アンバーリスト０．７ｇを添加し、攪拌しなが
ら１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ別
したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を８．５
ｇ得た。得られた反応混合物をシリカゲルを充填したカ
ラムクロマトグラフィーで精製したのち、ヘプタンー酢
酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を７．１ｇ
得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスーペンチ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イ
ル〕−１，２−ジフルオロベンゼンである。
【０１０３】
【化５１】
【０１０４】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−１，２−ジフルオロベンゼン７．
１ｇを酢酸エチル６０mlに溶解し、展開ラネーニッケル
触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、
触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を７．
３ｇ得た。得られた反応混合物は常法にしたがい異性化
を行ない、異性化反応混合物を６．５ｇ得た。反応混合
物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再
結晶で精製し、白色結晶物を１．５ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフル
オロベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−１，２−ジフルオロベンゼン７．
１ｇを酢酸エチル６０mlに溶解し、展開ラネーニッケル
触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、
触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を７．
３ｇ得た。得られた反応混合物は常法にしたがい異性化
を行ない、異性化反応混合物を６．５ｇ得た。反応混合
物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再
結晶で精製し、白色結晶物を１．５ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフル
オロベンゼンである。
【０１０５】
【化５２】
【０１０６】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−１，２−ジフルオロベンゼンを製造すること
ができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−１，２−ジフルオロベンゼンを製造すること
ができる。
【０１０７】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
１，２−ジフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフ
ルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフ
ルオロベンゼン 実施例６ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，
６−トリフルオロベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
１，２−ジフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフ
ルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジ
フルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２−ジフ
ルオロベンゼン 実施例６ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，
６−トリフルオロベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｘ2 ＝Ｆのもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１０８】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム０．９ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，４，５−トリフルオロブロモベンゼン７．４ｇのＴ
ＨＦ溶液２０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下
終了後、温浴中５０℃に保ちながら３．０時間攪拌し熟
成させてグリニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕
シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４
０〜６０℃を保つように３０分を要して滴下し、さらに
同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却した
のち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了した。
反応溶液を分液ロートに移したのち水１００ml、飽和炭
酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
して反応混合物を１３．５ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン含有混合物である。反応混合物は
そのまま脱水反応に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム０．９ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，４，５−トリフルオロブロモベンゼン７．４ｇのＴ
ＨＦ溶液２０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下
終了後、温浴中５０℃に保ちながら３．０時間攪拌し熟
成させてグリニャール試薬を調製した。熟成後４−〔４
−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕
シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液２５mlを系内が４
０〜６０℃を保つように３０分を要して滴下し、さらに
同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却した
のち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了した。
反応溶液を分液ロートに移したのち水１００ml、飽和炭
酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄
し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去
して反応混合物を１３．５ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン含有混合物である。反応混合物は
そのまま脱水反応に使用した。
【０１０９】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼン含有
混合物１３．５ｇをトルエン７０mlに溶解し、触媒とし
て非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト０．７ｇを
添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応
溶液から触媒をろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃
縮し反応混合物を１０．６ｇ得た。得られた反応混合物
はシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精
製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し
白色結晶物を８．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキセン−１−イル〕−１，２，６−トリフルオロ
ベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼン含有
混合物１３．５ｇをトルエン７０mlに溶解し、触媒とし
て非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト０．７ｇを
添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応
溶液から触媒をろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃
縮し反応混合物を１０．６ｇ得た。得られた反応混合物
はシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精
製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し
白色結晶物を８．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキセン−１−イル〕−１，２，６−トリフルオロ
ベンゼンである。
【０１１０】
【化５３】
【０１１１】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼ
ン８．５ｇを酢酸エチル６０mlに溶解し、展開ラネーニ
ッケル触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg
／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終
了後、触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物
を８．３ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー
酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製し、白色結
晶物を２．０ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼンで
ある。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼ
ン８．５ｇを酢酸エチル６０mlに溶解し、展開ラネーニ
ッケル触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg
／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終
了後、触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物
を８．３ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー
酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製し、白色結
晶物を２．０ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス
−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼンで
ある。
【０１１２】
【化５４】
【０１１３】上記製造方法に準じて４−〔４−〔トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−〔トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼンを製造す
ることができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−〔トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−１，２，６−トリフルオロベンゼンを製造す
ることができる。
【０１１４】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
１，２，６−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン 実施例７ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベン
ゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ 1 ＝Ｘ3
＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｃ2 Ｈ5 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
１，２，６−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６
−トリフルオロベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン 実施例７ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベン
ゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ7 、Ｘ 1 ＝Ｘ3
＝Ｈ、Ｘ2 ＝Ｃ2 Ｈ5 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１１５】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−エチルブロモベンゼン７．１ｇのＴＨＦ溶液１０ml
を３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴中
５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させてグリニ
ャール試薬を調製した。このようにしてできたものが４
−エチルフェニルマグネシウムブロミドである。熟成後
４−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液３０mlを
系内が４０〜６０℃を保つように３０分を要して滴下
し、さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷
下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を
終了した。反応溶液を分液ロートに移したのち水１００
ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００ml
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を
減圧下留去して反応混合物を１１．５ｇ得た。これが４
−〔４−〔４−（４−トランスプロピルシクロヘキシ
ル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕エチル
ベンゼン含有混合物である。反応混合物をそのまま次の
脱水反応工程に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−エチルブロモベンゼン７．１ｇのＴＨＦ溶液１０ml
を３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、温浴中
５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させてグリニ
ャール試薬を調製した。このようにしてできたものが４
−エチルフェニルマグネシウムブロミドである。熟成後
４−〔４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶液３０mlを
系内が４０〜６０℃を保つように３０分を要して滴下
し、さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷
下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を
終了した。反応溶液を分液ロートに移したのち水１００
ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水２００ml
で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を
減圧下留去して反応混合物を１１．５ｇ得た。これが４
−〔４−〔４−（４−トランスプロピルシクロヘキシ
ル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕エチル
ベンゼン含有混合物である。反応混合物をそのまま次の
脱水反応工程に使用した。
【０１１６】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕エチルベンゼン含有混合物１１．５ｇをト
ルエン６０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン交
換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌しながら
１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ取分
別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を１
０．３ｇ得た。得られた反応混合物はシリカゲルを充填
したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプタン
ー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を６．
６ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス−プ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−
イル〕エチルベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕エチルベンゼン含有混合物１１．５ｇをト
ルエン６０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イオン交
換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌しながら
１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒をろ取分
別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物を１
０．３ｇ得た。得られた反応混合物はシリカゲルを充填
したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプタン
ー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を６．
６ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス−プ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−
イル〕エチルベンゼンである。
【０１１７】
【化５５】
【０１１８】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕エチルベンゼン６．６ｇを酢酸エチ
ル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．０ｇを
添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触
水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ取し、
減圧下溶媒を留去して反応混合物を６．５ｇ得た。反応
混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶を行ない精製し、白色結晶物を１．５ｇ得た。
これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トランスプロ
ピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチル
ベンゼンである。
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕エチルベンゼン６．６ｇを酢酸エチ
ル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．０ｇを
添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触
水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ取し、
減圧下溶媒を留去して反応混合物を６．５ｇ得た。反応
混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶を行ない精製し、白色結晶物を１．５ｇ得た。
これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トランスプロ
ピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチル
ベンゼンである。
【０１１９】
【化５６】
【０１２０】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕エチルベンゼンを製造することができる。
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕エチルベンゼンを製造することができる。
【０１２１】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エ
チルベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼン 実施例８ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリ
フルオリド（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ 7 、Ｘ1
＝Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エ
チルベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼ
ン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕エチルベンゼン 実施例８ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリ
フルオリド（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ3 Ｈ 7 、Ｘ1
＝Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１２２】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−ブロモベンゾトリフルオリド７．１ｇのＴＨＦ溶液
１０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、
温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させて
グリニャール試薬を調製した。このようにしてできたも
のが４−トリフルオロメチルフェニルマグネシウムブロ
ミドである。熟成後４−〔４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇの
ＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように３
０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成さ
せた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０
mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移
したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０ml
および水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１１．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスプロピ
ルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘ
キシル〕ベンゾトリフルオリド含有混合物である。反応
混合物はそのまま次の脱水反応工程に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−ブロモベンゾトリフルオリド７．１ｇのＴＨＦ溶液
１０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下終了後、
温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟成させて
グリニャール試薬を調製した。このようにしてできたも
のが４−トリフルオロメチルフェニルマグネシウムブロ
ミドである。熟成後４−〔４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇの
ＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように３
０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成さ
せた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０
mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移
したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０ml
および水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウム
で乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１１．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスプロピ
ルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘ
キシル〕ベンゾトリフルオリド含有混合物である。反応
混合物はそのまま次の脱水反応工程に使用した。
【０１２３】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕ベンゾトリフルオリド含有混合物１１．５
ｇをトルエン６０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イ
オン交換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌し
ながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒を
ろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物
を１０．３ｇ得た。得られた反応混合物はシリカゲルを
充填したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプ
タンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を
６．６ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス
ープロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−
１−イル〕ベンゾトリフルオリドである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスプ
ロピルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕ベンゾトリフルオリド含有混合物１１．５
ｇをトルエン６０mlに溶解し、触媒として非水用酸性イ
オン交換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加し、攪拌し
ながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液から触媒を
ろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物
を１０．３ｇ得た。得られた反応混合物はシリカゲルを
充填したカラムクロマトグラフィーで精製したのちヘプ
タンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結晶物を
６．６ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランス
ープロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−
１−イル〕ベンゾトリフルオリドである。
【０１２４】
【化５７】
【０１２５】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕ベンゾトリフルオリド６．６ｇを酢
酸エチル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．
０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時
間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ
取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を６．５ｇ得
た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混
合溶媒から再結晶を行ない精製し、白色結晶物を１．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕ベンゾトリフルオリドである。
−トランスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕ベンゾトリフルオリド６．６ｇを酢
酸エチル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル触媒４．
０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時
間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、触媒をろ
取し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を６．５ｇ得
た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エチル混
合溶媒から再結晶を行ない精製し、白色結晶物を１．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスプロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕ベンゾトリフルオリドである。
【０１２６】
【化５８】
【０１２７】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕ベンゾトリフルオリドを製造することができ
る。
ス−４−プロピルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕ベンゾトリフルオリドを製造することができ
る。
【０１２８】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド 実施例９ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾトリフルオリド（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）
の製造｝ 反応工程は実施例３で合成した４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼンを原料に
して、１）ニトロ化およびその還元、２）よう素化およ
び３）トリフルオロメチル化の３つの工程に分別され
る。以下、各製造工程の詳細について記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド 実施例９ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾトリフルオリド（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）
の製造｝ 反応工程は実施例３で合成した４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼンを原料に
して、１）ニトロ化およびその還元、２）よう素化およ
び３）トリフルオロメチル化の３つの工程に分別され
る。以下、各製造工程の詳細について記述する。
【０１２９】１）温度計、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゼン７．５ｇをヘプタン１
０mlに溶解し、硫酸２mlを添加、室温下マグネチックス
ターラーで攪拌しながら硝酸２mlを添加した。添加後、
２０分室温で攪拌したのち、反応溶液を氷冷水１００ml
に移し入れ反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移
し、ヘプタン層を分離後、水層をさらにヘプタン５０ml
で抽出し、有機層を混合後、水２００ml、飽和炭酸ナト
リウム水溶液２００mlおよび水２００mlで順次洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃
縮し反応混合物８．１ｇを得た。反応混合物をヘプタン
ー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない、白色結晶物
を３．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロニトロベンゼンである。続
いてナスフラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４−
トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
シル〕−２−フルオロニトロベンゼン３．５ｇを酢酸エ
チル４０mlに溶解し、５％ーパラジウムー炭素触媒０．
３ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2で４時間
接触水素添加反応を行なった。反応溶液から触媒をろ別
したのち、溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物３．６
ｇを得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−ト
ランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕−２−フルオロアニリンである。
えた三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゼン７．５ｇをヘプタン１
０mlに溶解し、硫酸２mlを添加、室温下マグネチックス
ターラーで攪拌しながら硝酸２mlを添加した。添加後、
２０分室温で攪拌したのち、反応溶液を氷冷水１００ml
に移し入れ反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移
し、ヘプタン層を分離後、水層をさらにヘプタン５０ml
で抽出し、有機層を混合後、水２００ml、飽和炭酸ナト
リウム水溶液２００mlおよび水２００mlで順次洗浄後、
無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃
縮し反応混合物８．１ｇを得た。反応混合物をヘプタン
ー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない、白色結晶物
を３．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロニトロベンゼンである。続
いてナスフラスコ中４−〔４−〔４−トランス−（４−
トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
シル〕−２−フルオロニトロベンゼン３．５ｇを酢酸エ
チル４０mlに溶解し、５％ーパラジウムー炭素触媒０．
３ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2で４時間
接触水素添加反応を行なった。反応溶液から触媒をろ別
したのち、溶媒を減圧下留去、濃縮し反応混合物３．６
ｇを得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−ト
ランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕−２−フルオロアニリンである。
【０１３０】
【化５９】
【０１３１】２）温度計、冷却管および滴下ロートを備
えた三つ口フラスコ中に４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロアニリン３．２ｇおよび水
１０mlを入れ、室温下マグネチックスターラーで攪拌し
ながら、硫酸水溶液（Ｈ2 ＳＯ4 ２ｇ／１０mlＨ
2 Ｏ）を徐々に滴下し、さらに６０℃まで加熱後３０分
間攪拌しアニリン誘導体を硫酸塩とした。生成した硫酸
塩を氷冷下０℃まで冷却したのち、別に冷却しておいた
亜硝酸ナトリウム水溶液（１．１ｇ／１０mlＨ2 Ｏ）を
０℃を保ちながら５分を要して滴下した。滴下終了後０
〜２℃を保ちながらさらに１時間攪拌し生成したジアゾ
ニウム塩を熟成させた。熟成後さらに同温度で反応溶液
中によう化カリウム水溶液（ＫＩ ２．０ｇ／２mlＨ2
Ｏ）を滴下し、その後１時間攪拌を行ない、反応を終了
した。反応溶液を室温に戻したのち分液ロートに移し、
トルエン５０mlで抽出した。抽出層は飽和炭酸ナトリウ
ム水溶液３０mlおよび水１００mlで順次洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮し反
応混合物３．９ｇを得た。得られた反応混合物をペプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない、白色結晶
物を３．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロヨードベンゼンである。
えた三つ口フラスコ中に４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロアニリン３．２ｇおよび水
１０mlを入れ、室温下マグネチックスターラーで攪拌し
ながら、硫酸水溶液（Ｈ2 ＳＯ4 ２ｇ／１０mlＨ
2 Ｏ）を徐々に滴下し、さらに６０℃まで加熱後３０分
間攪拌しアニリン誘導体を硫酸塩とした。生成した硫酸
塩を氷冷下０℃まで冷却したのち、別に冷却しておいた
亜硝酸ナトリウム水溶液（１．１ｇ／１０mlＨ2 Ｏ）を
０℃を保ちながら５分を要して滴下した。滴下終了後０
〜２℃を保ちながらさらに１時間攪拌し生成したジアゾ
ニウム塩を熟成させた。熟成後さらに同温度で反応溶液
中によう化カリウム水溶液（ＫＩ ２．０ｇ／２mlＨ2
Ｏ）を滴下し、その後１時間攪拌を行ない、反応を終了
した。反応溶液を室温に戻したのち分液ロートに移し、
トルエン５０mlで抽出した。抽出層は飽和炭酸ナトリウ
ム水溶液３０mlおよび水１００mlで順次洗浄後、無水硫
酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮し反
応混合物３．９ｇを得た。得られた反応混合物をペプタ
ンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない、白色結晶
物を３．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−
（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロヨードベンゼンである。
【０１３２】
【化６０】
【０１３３】３）温度計、冷却管および窒素導入管を備
えたナスフラスコ中ＤＭＦ２５mlに４−〔４−〔４−ト
ランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロヨードベンゼン
３．５ｇを溶解させ、触媒としてよう化第１銅 ２．０
ｇおよびフルオロスルホニル（ジフルオロ）酢酸メチル
１７．１ｇを添加し、窒素雰囲気下７０〜８０℃を保ち
つつマグネチックスターラーで８時間加熱攪拌した。室
温まで冷却後、反応溶液から触媒をろ別したのち、反応
溶液を分液ロートに移し、水５０mlおよびトルエン５０
mlを添加し抽出した。抽出層は水５０ml、飽和炭酸ナト
リウム水溶液４０mlおよび水１００mlで順次洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮
し反応混合物３．１ｇを得た。得られた反応混合物をヘ
プタンー酢酸エチル混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、さらにヘプタ
ンーエタノール系混合溶媒から再結晶を繰り返して白色
結晶物を１．０ｇ得た。これが目的物４−〔４−〔４−
トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾトリフル
オリドである。
えたナスフラスコ中ＤＭＦ２５mlに４−〔４−〔４−ト
ランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロヨードベンゼン
３．５ｇを溶解させ、触媒としてよう化第１銅 ２．０
ｇおよびフルオロスルホニル（ジフルオロ）酢酸メチル
１７．１ｇを添加し、窒素雰囲気下７０〜８０℃を保ち
つつマグネチックスターラーで８時間加熱攪拌した。室
温まで冷却後、反応溶液から触媒をろ別したのち、反応
溶液を分液ロートに移し、水５０mlおよびトルエン５０
mlを添加し抽出した。抽出層は水５０ml、飽和炭酸ナト
リウム水溶液４０mlおよび水１００mlで順次洗浄後、無
水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去、濃縮
し反応混合物３．１ｇを得た。得られた反応混合物をヘ
プタンー酢酸エチル混合溶媒を展開溶媒に用いたシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、さらにヘプタ
ンーエタノール系混合溶媒から再結晶を繰り返して白色
結晶物を１．０ｇ得た。これが目的物４−〔４−〔４−
トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾトリフル
オリドである。
【０１３４】
【化６１】
【０１３５】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゾトリフルオリドを製造す
ることができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロベンゾトリフルオリドを製造す
ることができる。
【０１３６】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾトリフルオリド 実施例１０ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオ
ロメトキシベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＯＣＦ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
ベンゾトリフルオリド 実施例１０ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオ
ロメトキシベンゼン（（Ｉ）式においてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ
11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＯＣＦ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１３７】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン７．１ｇのＴ
ＨＦ溶液１０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下
終了後、温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟
成させてグリニャール試薬を調製した。このようにして
できたものが４−トリフルオロメトキシフェニルマグネ
シウムブロミドである。熟成後４−〔４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノ
ン１０ｇのＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保
つように３０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間
攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸
水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液
ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物
を１１．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキ
シシクロヘキシル〕トリフルオロメトキシベンゼン含有
混合物である。反応混合物はそのまま次の脱水反応工程
に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
４−トリフルオロメトキシブロモベンゼン７．１ｇのＴ
ＨＦ溶液１０mlを３０分を要して滴下反応させた。滴下
終了後、温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し熟
成させてグリニャール試薬を調製した。このようにして
できたものが４−トリフルオロメトキシフェニルマグネ
シウムブロミドである。熟成後４−〔４−（トランス−
４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノ
ン１０ｇのＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保
つように３０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間
攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸
水溶液４０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液
ロートに移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水
溶液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マ
グネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物
を１１．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキ
シシクロヘキシル〕トリフルオロメトキシベンゼン含有
混合物である。反応混合物はそのまま次の脱水反応工程
に使用した。
【０１３８】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕トリフルオロメトキシベンゼン含有混合物
１１．５ｇをトルエン６０mlに溶解し、触媒として非水
用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加
し、攪拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液
から触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応
混合物を１０．３ｇ得た。得られた反応混合物をシリカ
ゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製したの
ちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結
晶物を８．３ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−ト
ランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
セン−１−イル〕トリフルオロメトキシベンゼンであ
る。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕トリフルオロメトキシベンゼン含有混合物
１１．５ｇをトルエン６０mlに溶解し、触媒として非水
用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト０．６ｇを添加
し、攪拌しながら１時間加熱還流を行なった。反応溶液
から触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し反応
混合物を１０．３ｇ得た。得られた反応混合物をシリカ
ゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製したの
ちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡黄色結
晶物を８．３ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−ト
ランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
セン−１−イル〕トリフルオロメトキシベンゼンであ
る。
【０１３９】
【化６２】
【０１４０】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕トリフルオロメトキシベンゼン８．
３ｇを酢酸エチル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル
触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、
触媒をろ別し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を８．
５ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エ
チル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を３．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕トリフルオロメトキシベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕トリフルオロメトキシベンゼン８．
３ｇを酢酸エチル５０mlに溶解し、展開ラネーニッケル
触媒４．０ｇを添加し、室温下水素圧５〜１０kg／cm2
で２０時間接触水素添加反応を行なった。反応終了後、
触媒をろ別し、減圧下溶媒を留去して反応混合物を８．
５ｇ得た。反応混合物はトランス体をヘプタンー酢酸エ
チル混合溶媒から再結晶で精製し、白色結晶物を３．５
ｇ得た。これが４−〔４−〔４−トランス−（４−トラ
ンスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕トリフルオロメトキシベンゼンである。
【０１４１】
【化６３】
【０１４２】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造すること
ができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造すること
ができる。
【０１４３】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ト
リフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン 実施例１１ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロトリフルオロメトキシベンゼン（（Ｉ）式において
Ｒ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＯＣＦ
3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ト
リフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロ
メトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン 実施例１１ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロトリフルオロメトキシベンゼン（（Ｉ）式において
Ｒ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＯＣＦ
3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１４４】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼ
ン１０．９ｇのＴＨＦ溶液１５mlを２０分を要して滴下
反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保ちながら
２．５時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調製し
た。このようにしてできたものが３−フルオロ−４−ト
リフルオロメトキシフェニルマグネシウムブロミドであ
る。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶
液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように３０分を要
して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟
成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加
し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移したのち
水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水
２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１５．５ｇ得
た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシ
ル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン含有
混合物である。反応混合物はそのまま次の脱水反応工程
に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３−フルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモベンゼ
ン１０．９ｇのＴＨＦ溶液１５mlを２０分を要して滴下
反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保ちながら
２．５時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調製し
た。このようにしてできたものが３−フルオロ−４−ト
リフルオロメトキシフェニルマグネシウムブロミドであ
る。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇのＴＨＦ溶
液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように３０分を要
して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟
成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加
し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに移したのち
水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０mlおよび水
２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥
し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１５．５ｇ得
た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシ
ル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン含有
混合物である。反応混合物はそのまま次の脱水反応工程
に使用した。
【０１４５】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベン
ゼン含有混合物１５．５ｇをトルエン８０mlに溶解し、
触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト
０．８ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を行な
った。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留
去、濃縮し反応混合物を１４．５ｇ得た。得られた反応
混合物をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィ
ーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再
結晶し淡黄色結晶物を９．８ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロトリフ
ルオロメトキシベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベン
ゼン含有混合物１５．５ｇをトルエン８０mlに溶解し、
触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト
０．８ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を行な
った。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を減圧下留
去、濃縮し反応混合物を１４．５ｇ得た。得られた反応
混合物をシリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィ
ーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再
結晶し淡黄色結晶物を９．８ｇ得た。これが４−〔４−
〔４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロトリフ
ルオロメトキシベンゼンである。
【０１４６】
【化６４】
【０１４７】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２−フルオロトリフルオロメトキ
シベンゼン９．８ｇを酢酸エチル８０mlに溶解し、展開
ラネーニッケル触媒６．０ｇを添加し、室温下水素圧５
〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行なっ
た。反応終了後、触媒をろ別し、減圧下溶媒を留去して
反応混合物を９．７ｇ得た。反応混合物はトランス体を
ヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製
し、白色結晶物を２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４
−トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロトリフルオロ
メトキシベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２−フルオロトリフルオロメトキ
シベンゼン９．８ｇを酢酸エチル８０mlに溶解し、展開
ラネーニッケル触媒６．０ｇを添加し、室温下水素圧５
〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行なっ
た。反応終了後、触媒をろ別し、減圧下溶媒を留去して
反応混合物を９．７ｇ得た。反応混合物はトランス体を
ヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行ない精製
し、白色結晶物を２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４
−トランス−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロトリフルオロ
メトキシベンゼンである。
【０１４８】
【化６５】
【０１４９】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン
を製造することができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン
を製造することができる。
【０１５０】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
トリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
トリフルオロメトキシベンゼン 実施例１２ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−
ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン（（Ｉ）式に
おいてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｆ、Ｘ2 ＝ＯＣ
Ｆ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２−フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
トリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロ
トリフルオロメトキシベンゼン 実施例１２ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−
ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン（（Ｉ）式に
おいてＲ＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｆ、Ｘ2 ＝ＯＣ
Ｆ3 のもの）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。
【０１５１】１）グリニャール試薬の調製は常法に従っ
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモ
ベンゼン１１．８ｇのＴＨＦ溶液２５mlを３０分を要し
て滴下反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保ちな
がら２．５時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調
製した。このようにしてできたものが３，５−ジフルオ
ロ−４−トリフルオロメトキシフェニルマグネシウムブ
ロミドである。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇ
のＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように
３０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成
させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４
０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに
移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０
mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１６．
３ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペン
チルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロ
ヘキシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシ
ベンゼン含有混合物である。反応混合物はそのまま次の
脱水反応工程に使用した。
て行なった。温度計、冷却管および滴下ロートを備えた
三つ口フラスコにマグネシウム１．１ｇ、ＴＨＦ３mlを
入れて、室温下マグネチックスターラーで攪拌しながら
３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロメトキシブロモ
ベンゼン１１．８ｇのＴＨＦ溶液２５mlを３０分を要し
て滴下反応させた。滴下終了後、温浴中５０℃に保ちな
がら２．５時間攪拌し熟成させてグリニャール試薬を調
製した。このようにしてできたものが３，５−ジフルオ
ロ−４−トリフルオロメトキシフェニルマグネシウムブ
ロミドである。熟成後４−〔４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１０ｇ
のＴＨＦ溶液３０mlを系内が４０〜６０℃を保つように
３０分を要して滴下し、さらに同温度で５時間攪拌熟成
させた。熟成後氷冷下冷却したのち６規定塩酸水溶液４
０mlを添加し反応を終了した。反応溶液を分液ロートに
移したのち水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶液５０
mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグネシウ
ムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を１６．
３ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トランスペン
チルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロ
ヘキシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシ
ベンゼン含有混合物である。反応混合物はそのまま次の
脱水反応工程に使用した。
【０１５２】２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備え
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキ
シベンゼン含有混合物１６．３ｇをトルエン９０mlに溶
解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリ
スト０．８ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を
行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を減圧
下留去、濃縮し反応混合物を１５．５ｇ得た。得られた
反応混合物はシリカゲルを充填したカラムクロマトグラ
フィーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶し淡黄色結晶物を１３．１ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼンである。
た三つ口フラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシク
ロヘキシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキ
シベンゼン含有混合物１６．３ｇをトルエン９０mlに溶
解し、触媒として非水用酸性イオン交換樹脂アンバーリ
スト０．８ｇを添加し、攪拌しながら１時間加熱還流を
行なった。反応溶液から触媒をろ別したのち溶媒を減圧
下留去、濃縮し反応混合物を１５．５ｇ得た。得られた
反応混合物はシリカゲルを充填したカラムクロマトグラ
フィーで精製したのちヘプタンー酢酸エチル混合溶媒か
ら再結晶し淡黄色結晶物を１３．１ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−（４−トランス−ペンチルシクロヘキシ
ル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼンである。
【０１５３】
【化６６】
【０１５４】３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロ
メトキシベンゼン１３．１ｇを酢酸エチル８０mlに溶解
し、展開ラネーニッケル触媒８．０ｇを添加し、室温下
水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を
行なった。反応終了後、触媒をろ別し、減圧下溶媒を留
去して反応混合物を１３．０ｇ得た。反応混合物はトラ
ンス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行
ない精製し、白色結晶物を３．３ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフル
オロトリフルオロメトキシベンゼンである。
−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キセン−１−イル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロ
メトキシベンゼン１３．１ｇを酢酸エチル８０mlに溶解
し、展開ラネーニッケル触媒８．０ｇを添加し、室温下
水素圧５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を
行なった。反応終了後、触媒をろ別し、減圧下溶媒を留
去して反応混合物を１３．０ｇ得た。反応混合物はトラ
ンス体をヘプタンー酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行
ない精製し、白色結晶物を３．３ｇ得た。これが４−
〔４−〔４−トランス−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフル
オロトリフルオロメトキシベンゼンである。
【０１５５】
【化６７】
【０１５６】上記製造方法に準じて４−〔４−（トラン
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベ
ンゼンを製造することができる。
ス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンにかえてアルキル基の異なる４−〔４−（トラン
ス−４−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキ
サノンを用いて以下の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベ
ンゼンを製造することができる。
【０１５７】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン 実施例１３（使用例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％（重量、以下同じ） ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル４
０％ ４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は５２．３℃である。この液晶組成物をセル厚９μ
ｍのＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したもの
の動作しきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖ、誘電率異方
性値（Δε）は＋１０．７、屈折率異方性値（Δｎ）は
０．１１９、また粘度（η20）は２１．７ｃｐであっ
た。この液晶組成物を組成物Ａとする。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン 実施例１３（使用例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％（重量、以下同じ） ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル４
０％ ４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は５２．３℃である。この液晶組成物をセル厚９μ
ｍのＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したもの
の動作しきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖ、誘電率異方
性値（Δε）は＋１０．７、屈折率異方性値（Δｎ）は
０．１１９、また粘度（η20）は２１．７ｃｐであっ
た。この液晶組成物を組成物Ａとする。
【０１５８】組成物Ａを母液晶としてその８５％に本発
明化合物４−［４−トランス−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］ベン
ゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定した。そ
の結果Ｃｐ：６８．６℃、Δε：１０．５、Δｎ：０．
１２３、η20：２６．１ｃｐ、Ｖth：１．７２Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。 実施例１４（使用例２） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］フルオロベンゼ
ン１５％を混合し、その物性値を測定した。その結果Ｃ
ｐ：５８．８℃、Δε：９．７、Δｎ：０．１１３、η
20：２２．２ｃｐ、Ｖth：１．５８Ｖであった。また、
この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した
が結晶の析出は認められなかった。
明化合物４−［４−トランス−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］ベン
ゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定した。そ
の結果Ｃｐ：６８．６℃、Δε：１０．５、Δｎ：０．
１２３、η20：２６．１ｃｐ、Ｖth：１．７２Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。 実施例１４（使用例２） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］フルオロベンゼ
ン１５％を混合し、その物性値を測定した。その結果Ｃ
ｐ：５８．８℃、Δε：９．７、Δｎ：０．１１３、η
20：２２．２ｃｐ、Ｖth：１．５８Ｖであった。また、
この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した
が結晶の析出は認められなかった。
【０１５９】また、 ４−［トランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘ
キシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベンゼ
ン ３３％ ４−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベン
ゼン ３３％ ４−［トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベン
ゼン ３３％ なる組成の液晶組成物のＣｐは１１２．３℃である。こ
の液晶組成物をセル厚８．７μｍのＴＮセルに封入した
ものの物性値はＶth：２．３Ｖ、Δε：５．０、Δｎ：
０．０７９、η20：２５．８であった。この液晶組成物
を組成物Ｂとする。
キシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベンゼ
ン ３３％ ４−［トランス−４−（トランス−４−プロピルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベン
ゼン ３３％ ４−［トランス−４−（トランス−４−ペンチルシクロ
ヘキシル）シクロヘキシル］−１，２−ジフルオロベン
ゼン ３３％ なる組成の液晶組成物のＣｐは１１２．３℃である。こ
の液晶組成物をセル厚８．７μｍのＴＮセルに封入した
ものの物性値はＶth：２．３Ｖ、Δε：５．０、Δｎ：
０．０７９、η20：２５．８であった。この液晶組成物
を組成物Ｂとする。
【０１６０】組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測
定した結果、Ｃｐ：１０９．８℃、Δε：４．６、Δ
ｎ：０．０７８、η20：２２．６ｃｐ、Ｖth：２．４６
Ｖで、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放
置した場合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１５（使用例３） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］−１，２，６−
トリフルオロベンゼン１５％を混合しその物性値を測定
した。その結果Ｃｐ：５４．０℃、Δε：１０．２、Δ
ｎ：０．１１１、η20：２３．３ｃｐ、Ｖth：１．４７
Ｖであった。また、この組成物を−２０℃のフリーザー
に２０日間放置したが結晶の析出は認められなかった。
さらに組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した
結果、Ｃｐ：１０４．５℃、Δε：５．２、Δｎ：０．
０７７、η20：２６．２ｃｐ、Ｖth：２．１２Ｖで、こ
の組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場
合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１６（使用例４） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］トリフルオロメ
トキシベンゼン１５％を混合しその物性値を測定した。
その結果Ｃｐ：５７．８℃、Δε：９．８、Δｎ：０．
１１４、η20：２１．４ｃｐ、Ｖth：１．５７Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。さらに組
成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した結果、Ｃ
ｐ：１１０．２℃、Δε：４．８、Δｎ：０．０７９、
η 20：２３．２ｃｐ、Ｖth：２．４２Ｖで、この組成物
を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場合も結晶
の析出は認められなかった。
定した結果、Ｃｐ：１０９．８℃、Δε：４．６、Δ
ｎ：０．０７８、η20：２２．６ｃｐ、Ｖth：２．４６
Ｖで、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放
置した場合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１５（使用例３） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］−１，２，６−
トリフルオロベンゼン１５％を混合しその物性値を測定
した。その結果Ｃｐ：５４．０℃、Δε：１０．２、Δ
ｎ：０．１１１、η20：２３．３ｃｐ、Ｖth：１．４７
Ｖであった。また、この組成物を−２０℃のフリーザー
に２０日間放置したが結晶の析出は認められなかった。
さらに組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した
結果、Ｃｐ：１０４．５℃、Δε：５．２、Δｎ：０．
０７７、η20：２６．２ｃｐ、Ｖth：２．１２Ｖで、こ
の組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場
合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１６（使用例４） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−［４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル］トリフルオロメ
トキシベンゼン１５％を混合しその物性値を測定した。
その結果Ｃｐ：５７．８℃、Δε：９．８、Δｎ：０．
１１４、η20：２１．４ｃｐ、Ｖth：１．５７Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。さらに組
成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した結果、Ｃ
ｐ：１１０．２℃、Δε：４．８、Δｎ：０．０７９、
η 20：２３．２ｃｐ、Ｖth：２．４２Ｖで、この組成物
を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場合も結晶
の析出は認められなかった。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月２６日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３１】
【化２２】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３２】
【化２３】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】
【化２４】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】上式中ＲおよびＲ′はそれぞれ独立して水
素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基
を表わす。末端基にシアノ基を有する化合物（Ｉ−ａ）
および（Ｉ−ｂ）は誘電率異方性Δεが正に大きく、末
端基にフッソ原子を有する化合物（Ｉ−ｄ）、（Ｉ−
ｅ）、（Ｉ−ｆ）、（Ｉ−ｇ）および（Ｉ−ｈ）は誘電
率異方性Δεが正に大きいにもかかわらず、低粘性であ
る。さらにトリフルオロメチル基あるいはトリフルオロ
メトキシ基を有する化合物（Ｉ−ｎ）、（Ｉ−ｏ）、
（Ｉ−ｐ）、（Ｉ−ｑ）、（Ｉ−ｒ）および（Ｉ−ｓ）
は化学的に非常に安定であり、高保持率が必要とされ、
また、今後展開が期待されるアクティブ用液晶材料とし
てそれら液晶組成物を構成する成分として有用である。
素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基
を表わす。末端基にシアノ基を有する化合物（Ｉ−ａ）
および（Ｉ−ｂ）は誘電率異方性Δεが正に大きく、末
端基にフッソ原子を有する化合物（Ｉ−ｄ）、（Ｉ−
ｅ）、（Ｉ−ｆ）、（Ｉ−ｇ）および（Ｉ−ｈ）は誘電
率異方性Δεが正に大きいにもかかわらず、低粘性であ
る。さらにトリフルオロメチル基あるいはトリフルオロ
メトキシ基を有する化合物（Ｉ−ｎ）、（Ｉ−ｏ）、
（Ｉ−ｐ）、（Ｉ−ｑ）、（Ｉ−ｒ）および（Ｉ−ｓ）
は化学的に非常に安定であり、高保持率が必要とされ、
また、今後展開が期待されるアクティブ用液晶材料とし
てそれら液晶組成物を構成する成分として有用である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】
【化２７】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４２】
【化２８】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４４】
【化２９】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４５】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｆ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，４
−ジフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体２７を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，２−ジフル
オロベンゼン２８としたのち、ラネーニッケル触媒、加
圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精
製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−１，２−ジフルオロベンゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，４
−ジフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体２７を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，２−ジフル
オロベンゼン２８としたのち、ラネーニッケル触媒、加
圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精
製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕
−１，２−ジフルオロベンゼンを製造できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４６】
【化３０】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４７】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｈ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，
４，５−トリフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体２９を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，
２，６−トリフルオロベンゼン３０としたのち、ラネー
ニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶
でトランス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベン
ゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち３，
４，５−トリフルオロブロモベンゼンを削り状マグネシ
ウムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体２９を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−１，
２，６−トリフルオロベンゼン３０としたのち、ラネー
ニッケル触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶
でトランス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベン
ゼンを製造できる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】
【化３１】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４９】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｉ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ア
ルキルブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ中
反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリニ
ャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応さ
せアルコール体３１を製造する。続いて非水用酸性イオ
ン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕アルキルベンゼン３２
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕アルキルベンゼン
を製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ア
ルキルブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴＨＦ中
反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグリニ
ャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反応さ
せアルコール体３１を製造する。続いて非水用酸性イオ
ン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−〔４−
〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキセン−１−イル〕アルキルベンゼン３２
としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触還元を行
ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目的の４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕アルキルベンゼン
を製造できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】
【化３２】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｋ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ブ
ロモベンゾトリフルオリドを削り状マグネシウムとＴＨ
Ｆ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグ
リニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反
応させアルコール体３３を製造する。続いて非水用酸性
イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゾトリフルオ
リド３４としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触
還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目
的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾト
リフルオリドを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ブ
ロモベンゾトリフルオリドを削り状マグネシウムとＴＨ
Ｆ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、このグ
リニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを反
応させアルコール体３３を製造する。続いて非水用酸性
イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕ベンゾトリフルオ
リド３４としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接触
還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、目
的の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾト
リフルオリドを製造できる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】
【化３３】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｏ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち２−フ
ルオロ−４−ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体３５を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロベ
ンゼン３６としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接
触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゼン３７へと誘導する。３７を硫酸存在下、発煙
硝酸と反応させニトロ化を行ない、再結晶で１−ニトロ
体３８のみを精製したのち、パラジウムー炭素等の触媒
存在下、加圧下水素還元を行なってアニリン誘導体４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロア
ニリン３９を製造する。３９を硫酸水溶液で硫酸塩とし
たのち、氷冷下亜硝酸ナトリウムと反応させ、ジアゾニ
ウム塩としたのちヨウ化カリウムと反応させヨード誘導
体４０へと誘導する。４０を再結晶で精製後、触媒とし
てヨウ化第一銅存在下フルオロスルホニル（ジフルオ
ロ）酢酸メチルをＤＭＦ中作用させてトリフルオロメチ
ル化を行ない、再結晶で生成物を精製し目的の４−〔４
−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾ
トリフルオリドを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち２−フ
ルオロ−４−ブロモベンゼンを削り状マグネシウムとＴ
ＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したのち、この
グリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４−アルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン１４とを
反応させアルコール体３５を製造する。続いて非水用酸
性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行ない、４−
〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕−２−フルオロベ
ンゼン３６としたのち、ラネーニッケル触媒、加圧下接
触還元を行ない、さらに再結晶でトランス体を精製し、
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオ
ロベンゼン３７へと誘導する。３７を硫酸存在下、発煙
硝酸と反応させニトロ化を行ない、再結晶で１−ニトロ
体３８のみを精製したのち、パラジウムー炭素等の触媒
存在下、加圧下水素還元を行なってアニリン誘導体４−
〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロ
ヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロア
ニリン３９を製造する。３９を硫酸水溶液で硫酸塩とし
たのち、氷冷下亜硝酸ナトリウムと反応させ、ジアゾニ
ウム塩としたのちヨウ化カリウムと反応させヨード誘導
体４０へと誘導する。４０を再結晶で精製後、触媒とし
てヨウ化第一銅存在下フルオロスルホニル（ジフルオ
ロ）酢酸メチルをＤＭＦ中作用させてトリフルオロメチ
ル化を行ない、再結晶で生成物を精製し目的の４−〔４
−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキ
シル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゾ
トリフルオリドを製造できる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５４】
【化３４】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５５】また、本発明の化合物、例えば（Ｉ−ｑ）
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ト
リフルオロメトキシブロモベンゼンを削り状マグネシウ
ムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体４１を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕トリフル
オロメトキシベンゼン４２としたのち、ラネーニッケル
触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトラン
ス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造できる。
はつぎの方法にしたがって製造できる。すなわち４−ト
リフルオロメトキシブロモベンゼンを削り状マグネシウ
ムとＴＨＦ中反応させグリニャール試薬を調製したの
ち、このグリニャール試薬と４−〔４−（トランス−４
−アルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノン
１４とを反応させアルコール体４１を製造する。続いて
非水用酸性イオン交換樹脂を触媒として脱水反応を行な
い、４−〔４−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘ
キシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−イル〕トリフル
オロメトキシベンゼン４２としたのち、ラネーニッケル
触媒、加圧下接触還元を行ない、さらに再結晶でトラン
ス体を精製し、目的の４−〔４−トランス−〔４−（４
−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘ
キシル〕トリフルオロメトキシベンゼンを製造できる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５６】
【化３５】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００７６】
【化４１】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８５】
【化４４】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００９５】
【化４８】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１０３】
【化５１】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１０】
【化５３】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１１７】
【化５５】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２４】
【化５７】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３９
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３９】
【化６２】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４６
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１４６】
【化６４】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１５３】
【化６６】
【手続補正書】
【提出日】平成５年３月３０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１３】
【化５】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】
【化６】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】
【化７】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】
【化８】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１７】
【化９】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１８】
【化１０】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１９】
【化１１】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２０】
【化１２】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３０】本発明の化合物 (Ｉ) の好ましい態様は、
次の一般式群（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｓ）により表わされる
化合物である。
次の一般式群（Ｉ−ａ）〜（Ｉ−ｓ）により表わされる
化合物である。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正内容】
【００８９】
【化４６】 ＣＮ点６９．５〜７０．９℃、ＮＩ点１２４．７〜１２
５．９℃
５．９℃
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１２８】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリドＣＳｍ点７８．４〜７８．９℃、ＳｍＩ点９７．３〜９
８．２℃ ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド 実施例９ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾトリフルオリド（ (Ｉ) 式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）
の製造｝ 反応工程は実施例３で合成した４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼンを原料に
して、１）ニトロ化およびその還元、２）よう素化およ
び３）トリフルオロメチル化の３つの工程に分別され
る。以下、各製造工程の詳細について記述する。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベ
ンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリドＣＳｍ点７８．４〜７８．９℃、ＳｍＩ点９７．３〜９
８．２℃ ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフ
ルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフル
オリド 実施例９ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−フル
オロベンゾトリフルオリド（ (Ｉ) 式においてＲ＝ｎ−
Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｆ、Ｘ3 ＝Ｈ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のもの）
の製造｝ 反応工程は実施例３で合成した４−〔４−トランス−
〔４−（４−トランスペンチルシクロヘキシル）ブチ
ル〕シクロヘキシル〕−２−フルオロベンゼンを原料に
して、１）ニトロ化およびその還元、２）よう素化およ
び３）トリフルオロメチル化の３つの工程に分別され
る。以下、各製造工程の詳細について記述する。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１３４】
【化６１】 ＳｍＩ点７８．６〜８０．４℃
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１５７】４−〔４−トランス−〔４−（４−トラン
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン実施例１３ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−
ジフルオロベンゾトリフルオリド（ (Ｉ) 式においてＲ
＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｆ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のも
の）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。 １）グリニャール試薬の調製は常法に従って行った。温
度計、冷却管および滴下ロートを備えた三つ口フラスコ
にマグネシウム１．９ｇ、ＴＨＦ３mlを入れて、室温下
マグネチックスターラーで攪拌しながら４−ブロモ−
２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド１９．１ｇの
ＴＨＦ溶液２０mlを４０分を要して滴下反応させた。滴
下終了後、温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し
熟成させてグリニャール試薬を調製した。このようにし
てできたものが３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロ
メチルフェニルマグネシウムブロミドである。熟成後４
−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン１５ｇのＴＨＦ溶液３０mlを系
内が４０〜６０℃を保つように４０分を要して滴下し、
さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷
却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了
した。反応溶液を分液ロートに移したのち酢酸エチル１
００mlで抽出後、水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶
液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を
２２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシ
シクロヘキシル〕−２，６−ジフルオロベンゾトリフル
オリド含有混合物である。反応混合物はそのまま次の脱
水反応工程に使用した。 ２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備えた三つ口フラ
スコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕
−２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド含有混合物
２２．９ｇをトルエン１３０mlに溶解し、触媒として非
水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト１．１ｇを添加
し、攪拌しながら１時間加熱還流を行った。反応溶液か
ら触媒をろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し、
反応混合物を１９．８ｇを得た。得られた反応混合物は
シリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製
したのちヘプタン−酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡
黄色結晶物を２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキセン−１−イル〕−２，６−ジフルオロベンゾ
トリフルオリドである。
スエチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロトリフルオロメトキシベンゼン ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロトリフルオロメトキシベンゼン実施例１３ ｛４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチル
シクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−
ジフルオロベンゾトリフルオリド（ (Ｉ) 式においてＲ
＝ｎ−Ｃ5 Ｈ11、Ｘ1 ＝Ｘ3 ＝Ｆ、Ｘ2 ＝ＣＦ3 のも
の）の製造｝ 反応工程は、１）グリニャール反応、２）アルコールの
脱水反応、３）シクロヘキセン誘導体の接触水素添加の
３つの工程に分別される。以下、各製造工程の詳細につ
いて記述する。 １）グリニャール試薬の調製は常法に従って行った。温
度計、冷却管および滴下ロートを備えた三つ口フラスコ
にマグネシウム１．９ｇ、ＴＨＦ３mlを入れて、室温下
マグネチックスターラーで攪拌しながら４−ブロモ−
２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド１９．１ｇの
ＴＨＦ溶液２０mlを４０分を要して滴下反応させた。滴
下終了後、温浴中５０℃に保ちながら２．５時間攪拌し
熟成させてグリニャール試薬を調製した。このようにし
てできたものが３，５−ジフルオロ−４−トリフルオロ
メチルフェニルマグネシウムブロミドである。熟成後４
−〔４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキサノン１５ｇのＴＨＦ溶液３０mlを系
内が４０〜６０℃を保つように４０分を要して滴下し、
さらに同温度で５時間攪拌熟成させた。熟成後氷冷下冷
却したのち６規定塩酸水溶液４０mlを添加し反応を終了
した。反応溶液を分液ロートに移したのち酢酸エチル１
００mlで抽出後、水１００ml、飽和炭酸ナトリウム水溶
液５０mlおよび水２００mlで順次洗浄し、無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥し、溶媒を減圧下留去して反応混合物を
２２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４−（４−トラン
スペンチルシクロヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシ
シクロヘキシル〕−２，６−ジフルオロベンゾトリフル
オリド含有混合物である。反応混合物はそのまま次の脱
水反応工程に使用した。 ２）水抜き管、冷却管および攪拌機を備えた三つ口フラ
スコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペンチルシクロ
ヘキシル）ブチル〕−１−ヒドロキシシクロヘキシル〕
−２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド含有混合物
２２．９ｇをトルエン１３０mlに溶解し、触媒として非
水用酸性イオン交換樹脂アンバーリスト１．１ｇを添加
し、攪拌しながら１時間加熱還流を行った。反応溶液か
ら触媒をろ取分別したのち溶媒を減圧下留去、濃縮し、
反応混合物を１９．８ｇを得た。得られた反応混合物は
シリカゲルを充填したカラムクロマトグラフィーで精製
したのちヘプタン−酢酸エチル混合溶媒から再結晶し淡
黄色結晶物を２．９ｇ得た。これが４−〔４−〔４−
（４−トランス−ペンチルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキセン−１−イル〕−２，６−ジフルオロベンゾ
トリフルオリドである。
【化６８】 ＣＮ点５８．０〜６１．９℃、ＮＩ点６３．３〜６４．
９℃ ３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−
イル〕−２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド２．
９ｇをトルエンとソルミックスの１：１混合溶液３０ml
に溶解し、Ｐｄ／Ｃ ０．２ｇを添加し、室温下水素圧
５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行っ
た。反応終了後、触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して
反応混合物を３．１ｇ得た。反応混合物はトランス体を
ヘプタン−酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行い精製
し、白色結晶物を１．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４
−トランス−（４−トランスプロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフルオリドであ
る。
９℃ ３）ナスフラスコ中４−〔４−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキセン−１−
イル〕−２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリド２．
９ｇをトルエンとソルミックスの１：１混合溶液３０ml
に溶解し、Ｐｄ／Ｃ ０．２ｇを添加し、室温下水素圧
５〜１０kg／cm2 で２０時間接触水素添加反応を行っ
た。反応終了後、触媒をろ取し、減圧下溶媒を留去して
反応混合物を３．１ｇ得た。反応混合物はトランス体を
ヘプタン−酢酸エチル混合溶媒から再結晶を行い精製
し、白色結晶物を１．５ｇ得た。これが４−〔４−〔４
−トランス−（４−トランスプロピルシクロヘキシル）
ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾトリフルオリドであ
る。
【化６９】 ＳｍＩ点６８．５〜７１．０℃ 上記製造方法に準じて４−〔４−（トランス−４−ペン
チルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノンにかえ
てアルキル基の異なる４−〔４−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノンを用い
て以下の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスア
ルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリドを製造するこ
とができる。 ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスエチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド 実施例１４（使用例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％（重量、以下同じ） ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル４
０％ ４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は５２．３℃である。この液晶組成物をセル厚９μ
ｍのＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したもの
の動作しきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖ、誘電率異方
性値（Δε）は＋１０．７、屈折率異方性値（Δｎ）は
０．１１９、また粘度（η20）は２１．７ｃｐであっ
た。この液晶組成物を組成物Ａとする。
チルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノンにかえ
てアルキル基の異なる４−〔４−（トランス−４−アル
キルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキサノンを用い
て以下の４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスア
ルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
２，６−ジフルオロベンゾトリフルオリドを製造するこ
とができる。 ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスエチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスブチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘキシルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスヘプチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスオクチルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジ
フルオロベンゾトリフルオリド ４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスノニルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２，６−ジフ
ルオロベンゾトリフルオリド 実施例１４（使用例１） ４−（４−プロピルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％（重量、以下同じ） ４−（４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル４
０％ ４−（４−ヘプチルシクロヘキシル）ベンゾニトリル３
０％ なる組成の液晶組成物のネマチック液晶の透明点（Ｃ
ｐ）は５２．３℃である。この液晶組成物をセル厚９μ
ｍのＴＮセル（ねじれネマチックセル）に封入したもの
の動作しきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖ、誘電率異方
性値（Δε）は＋１０．７、屈折率異方性値（Δｎ）は
０．１１９、また粘度（η20）は２１．７ｃｐであっ
た。この液晶組成物を組成物Ａとする。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１５８】組成物Ａを母液晶としてその８５％に本発
明化合物４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベン
ゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定した。そ
の結果Ｃｐ：６８．６℃、Δε：１０．５、Δｎ：０．
１２３、η20：２６．１ｃｐ、Ｖth：１．７２Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。 実施例１５（使用例２） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン１５％を混合し、その物性値を測定した。その結果Ｃ
ｐ：５８．８℃、Δε：９．７、Δｎ：０．１１３、η
20：２２．２ｃｐ、Ｖth：１．５８Ｖであった。また、
この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した
が結晶の析出は認められなかった。
明化合物４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペ
ンチルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベン
ゾニトリル１５％を混合し、その物性値を測定した。そ
の結果Ｃｐ：６８．６℃、Δε：１０．５、Δｎ：０．
１２３、η20：２６．１ｃｐ、Ｖth：１．７２Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。 実施例１５（使用例２） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスプロピルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベンゼ
ン１５％を混合し、その物性値を測定した。その結果Ｃ
ｐ：５８．８℃、Δε：９．７、Δｎ：０．１１３、η
20：２２．２ｃｐ、Ｖth：１．５８Ｖであった。また、
この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した
が結晶の析出は認められなかった。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正内容】
【０１６０】組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測
定した結果、Ｃｐ：１０９．８℃、Δε：４．６、Δ
ｎ：０．０７８、η20：２２．６ｃｐ、Ｖth：２．４６
Ｖで、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放
置した場合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１６（使用例３） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン１５％を混合しその物性値を測定
した。その結果Ｃｐ：５４．０℃、Δε＝１０．２、Δ
ｎ：０．１１１、η20：２３．３ｃｐ、Ｖth：１．４７
Ｖであった。また、この組成物を−２０℃のフリーザー
に２０日間放置したが結晶の析出は認められなかった。
さらに組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した
結果、Ｃｐ：１０４．５℃、Δε：５．２、Δｎ：０．
０７７、η20：２６．２ｃｐ、Ｖth：２．１２Ｖで、こ
の組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場
合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１７（使用例４） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン１５％を混合しその物性値を測定した。
その結果Ｃｐ：５７．８℃、Δε：９．８、Δｎ：０．
１１４、η20：２１．４ｃｐ、Ｖth：１．５７Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。さらに組
成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した結果、Ｃ
ｐ：１１０．２℃、Δε：４．８、Δｎ：０．０７９、
η 20：２３．２ｃｐ、Ｖth：２．４２Ｖで、この組成物
を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場合も結晶
の析出は認められなかった。
定した結果、Ｃｐ：１０９．８℃、Δε：４．６、Δ
ｎ：０．０７８、η20：２２．６ｃｐ、Ｖth：２．４６
Ｖで、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放
置した場合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１６（使用例３） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−
トリフルオロベンゼン１５％を混合しその物性値を測定
した。その結果Ｃｐ：５４．０℃、Δε＝１０．２、Δ
ｎ：０．１１１、η20：２３．３ｃｐ、Ｖth：１．４７
Ｖであった。また、この組成物を−２０℃のフリーザー
に２０日間放置したが結晶の析出は認められなかった。
さらに組成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した
結果、Ｃｐ：１０４．５℃、Δε：５．２、Δｎ：０．
０７７、η20：２６．２ｃｐ、Ｖth：２．１２Ｖで、こ
の組成物を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場
合も結晶の析出は認められなかった。 実施例１７（使用例４） 使用例１に示す組成物Ａを母液晶として本発明化合物４
−〔４−トランス−〔４−（４−トランスペンチルシク
ロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフルオロメ
トキシベンゼン１５％を混合しその物性値を測定した。
その結果Ｃｐ：５７．８℃、Δε：９．８、Δｎ：０．
１１４、η20：２１．４ｃｐ、Ｖth：１．５７Ｖであっ
た。また、この組成物を−２０℃のフリーザーに２０日
間放置したが結晶の析出は認められなかった。さらに組
成物Ｂを母液晶として同様に物性値を測定した結果、Ｃ
ｐ：１１０．２℃、Δε：４．８、Δｎ：０．０７９、
η 20：２３．２ｃｐ、Ｖth：２．４２Ｖで、この組成物
を−２０℃のフリーザーに２０日間放置した場合も結晶
の析出は認められなかった。
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/30 7457−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ 7348−2Ｋ
Claims (12)
- 【請求項１】 一般式 【化１】 〔式中Ｒは水素または炭素数１〜１５の直鎖もしくは分
岐アルキル基を示し、置換基Ｘ1 、Ｘ2 およびＸ3 はそ
れぞれ独立して、Ｘ1 、Ｘ3 は水素原子またはハロゲン
原子を表わし、Ｘ2 は水素原子または炭素数１〜１５の
直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によっては１つの−
ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合であってもよ
く、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合が酸素原子に
置換されてもよい）、ハロゲン原子、シアノ基、トリフ
ルオロメチル基またはトリフルオロメトキシ基を表わ
す〕で表わされるフェニルー４ーシクロヘキシルブチル
シクロヘキサン誘導体。 - 【請求項２】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 が水素
原子であり、Ｘ2 がシアノ基、Ｘ3 が水素原子で表わさ
れる４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキ
ルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕ベンゾニ
トリル誘導体。 - 【請求項３】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 がフッ
ソ原子であり、Ｘ2 がシアノ基、Ｘ3 が水素原子で表わ
される４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアル
キルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−２−
フルオロベンゾニトリル誘導体。 - 【請求項４】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 および
Ｘ3 が水素原子であり、Ｘ2 がフッソ原子で表わされる
４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアルキルシ
クロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕フルオロベン
ゼン誘導体。 - 【請求項５】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 がフッ
ソ原子、Ｘ3 が水素原子であり、Ｘ2 がフッソ原子で表
わされる４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスア
ルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕−
１，２−ジフルオロベンゼン誘導体。 - 【請求項６】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 、Ｘ2
およびＸ3 がフッソ原子で表わされる４−〔４−トラン
ス−〔４−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブ
チル〕シクロヘキシル〕−１，２，６−トリフルオロベ
ンゼン誘導体。 - 【請求項７】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 が水素
原子またはフッソ原子であり、Ｘ2 が水素または炭素数
１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基（場合によって
は１つの−ＣＨ2 ＣＨ2 −結合が−ＣＨ＝ＣＨ−結合で
あってもよく、また、非隣接の１つの−ＣＨ2 −結合が
酸素原子に置換されてもよい）およびＸ3 が水素で表わ
される４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアル
キルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕アルキ
ルベンゼン誘導体。 - 【請求項８】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 が水素
原子またはフッソ原子、Ｘ2 がトリフルオロメチル基お
よびＸ3 が水素で表わされる４−〔４−トランス−〔４
−（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シ
クロヘキシル〕ベンゾトリフルオリド誘導体。 - 【請求項９】 請求項１において、Ｒが水素または炭素
数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 および
Ｘ3 が水素原子、Ｘ2 がトリフルオロメトキシ基で表わ
される４−〔４−トランス−〔４−（４−トランスアル
キルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシル〕トリフ
ルオロメトキシベンゼン誘導体。 - 【請求項１０】 請求項１において、Ｒが水素または炭
素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 がフ
ッソ原子であり、Ｘ3 が水素原子、Ｘ2 がトリフルオロ
メトキシ基で表わされる４−〔４−トランス−〔４−
（４−トランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シク
ロヘキシル〕−２−フルオロトリフルオロメトキシベン
ゼン誘導体。 - 【請求項１１】 請求項１において、Ｒが水素または炭
素数１〜１５の直鎖もしくは分岐アルキル基、Ｘ1 およ
びＸ3 がフッソ原子であり、Ｘ2 がトリフルオロメトキ
シ基で表わされる４−〔４−トランス−〔４−（４−ト
ランスアルキルシクロヘキシル）ブチル〕シクロヘキシ
ル〕−２，６−ジフルオロトリフルオロメトキシベンゼ
ン誘導体。 - 【請求項１２】 請求項１記載の化合物を少なくとも１
種含有する２種以上の成分からなる液晶組成物。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04110351A JP3137208B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | シクロヘキサン誘導体 |
| AT93106897T ATE145888T1 (de) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Cyclohexanderivate und diese enthaltende flüssigkristalline zusammensetzung |
| US08/053,417 US5468421A (en) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing the same |
| KR1019930007158A KR100281607B1 (ko) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | 올레핀 중합반응 촉매, 이의 제조방법 및 이의 용도 |
| DE69306296T DE69306296T2 (de) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Cyclohexanderivate und diese enthaltende flüssigkristalline Zusammensetzung |
| KR1019930007157A KR100266245B1 (ko) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | 사이클로헥산 유도체 및 이를 함유하는 액정 조성물 |
| EP93106897A EP0568040B1 (en) | 1992-04-28 | 1993-04-28 | Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04110351A JP3137208B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | シクロヘキサン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05310605A true JPH05310605A (ja) | 1993-11-22 |
| JP3137208B2 JP3137208B2 (ja) | 2001-02-19 |
Family
ID=14533568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04110351A Expired - Lifetime JP3137208B2 (ja) | 1992-04-28 | 1992-04-28 | シクロヘキサン誘導体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5468421A (ja) |
| EP (1) | EP0568040B1 (ja) |
| JP (1) | JP3137208B2 (ja) |
| KR (1) | KR100266245B1 (ja) |
| AT (1) | ATE145888T1 (ja) |
| DE (1) | DE69306296T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1997006124A1 (fr) * | 1995-08-09 | 1997-02-20 | Chisso Corporation | Derives du cyclohexane et compositions a cristaux liquides |
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| DE69519316T2 (de) * | 1994-03-24 | 2001-06-07 | Shinetsu Chemical Co | Silacyclohexanverbindungen als Zwischenprodukte zur Herstellung von Flüssigkristallinen Verbindungen des Silacyclohexan-Typ |
| US5665271A (en) * | 1995-02-13 | 1997-09-09 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Silacyclohexane compounds, preparation thereof, liquid crystal compositions comprising the same, and liquid crystal devices comprising the compositions |
| JPH08239665A (ja) * | 1995-03-02 | 1996-09-17 | Chisso Corp | 液晶組成物および液晶表示素子 |
| TW421669B (en) * | 1995-06-22 | 2001-02-11 | Chisso Corp | Alkenylcyclohexane derivatives, liquid crystal composition and liquid crystal display element |
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| TW473536B (en) * | 1996-12-16 | 2002-01-21 | Chisso Corp | Difluorophenyl derivatives, liquid-crystal compounds, and liquid-crystal composition |
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| US6366330B1 (en) | 1997-05-23 | 2002-04-02 | Kent Displays Incorporated | Cholesteric liquid crystal display that prevents image sticking |
| DE10008712B4 (de) * | 1999-02-27 | 2012-10-11 | Merck Patent Gmbh | Flüssigkristallines Medium und seine Verwendung |
Family Cites Families (10)
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|---|---|---|---|---|
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