WO1995026050A1 - Dünnschicht-solarzelle - Google Patents

Dünnschicht-solarzelle Download PDF

Info

Publication number
WO1995026050A1
WO1995026050A1 PCT/DE1995/000379 DE9500379W WO9526050A1 WO 1995026050 A1 WO1995026050 A1 WO 1995026050A1 DE 9500379 W DE9500379 W DE 9500379W WO 9526050 A1 WO9526050 A1 WO 9526050A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
doped
solar cell
tco
zno
Prior art date
Application number
PCT/DE1995/000379
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Claus Beneking
Marcus Kubon
Magnus Kolter
Original Assignee
Forschungszentrum Jülich GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Forschungszentrum Jülich GmbH filed Critical Forschungszentrum Jülich GmbH
Priority to US08/718,587 priority Critical patent/US5853498A/en
Publication of WO1995026050A1 publication Critical patent/WO1995026050A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H01L31/022483—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of zinc oxide [ZnO]
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Definitions

  • the invention relates to a thin-film solar cell based on the amorphous hydrogenated silicon and / or its alloys according to the preamble of claim 1.
  • Thin-film solar cells based on the amorphous hydrogenated silicon (a-Si: H) and / or its alloys are made suitable with the nip or pin doping sequence or in known modifications (for example by additionally built-in buffer layers) by layer deposition opaque or transparent substrates manufactured.
  • a solar cell can also be provided in the form of a stacked solar cell in a cascade arrangement (so-called stacked cell, e.g. p-i-n-p-i-n).
  • the band gap of the p-doped layer is also advantageously chosen to be higher than that of the i-layer for electrical improvement. This can be achieved, for example, by alloying the a-Si: H with N, C or O.
  • Transparent, conductive oxide layers the so-called Transparent Conductive Oxide (TCO) layers, such as ITO, SnO 2, ZnO, Ti0 2 , are usually used as contact layers on the light entry side a metal layer or a combination of both can also be selected.
  • TCO Transparent Conductive Oxide
  • the TCO-p contact can have a notable part of the total series resistance of an a-Si: H solar cell, so that the filling factor (FF) is increased and the efficiency y of the solar cell is disadvantageously increased is reduced.
  • FF filling factor
  • This object is achieved by the entirety of the features according to claim 1.
  • n-doped intermediate layer between the TCO and the p-doped layer and the microcrystalline line ( ⁇ c) formation of the intermediate layer contribute to an improved FF and reduced open circuit voltage V oc on TCO, in particular ZnO. It is advantageous to provide the p-doped layer microcrystalline alternatively or cumulatively.
  • a material with an increased band gap e.g. ⁇ c-SiC or ⁇ c-SiO is provided as the material for the inserted n-layer.
  • Layers does not exceed the layer thickness of an optimized p-layer on the same (TCO) substrate.
  • ZnO or TiO 2 is provided as the material for the TCO layer.
  • the use of ZnO or TiÜ2 as a TCO substrate or contact layer on the light entry side has the following advantages: a) ZnO or Ti ⁇ 2 allow a higher light coupling compared to Sn ⁇ 2_ because they are more transparent in the visible range of the spectrum and
  • ZnO or TiO 2 have better chemical stability compared to reduction by the hydrogen-containing low-pressure silane plasma which is usually used for the a-Si: H deposition.
  • the FF and V oc decay in the transition from Sn0 2 substrates to Sn0 -ZnO substrates (a) compared to b) and c); d) with e) for boron-doped ZnO),

Abstract

Die Erfindung betrifft eine Dünnschicht-Solarzelle auf der Basis des amorphen, hydrierten Siliciums und seiner Legierungen mit wenigstens einer aus aufeinanderfolgender p-, i- und n-dotierter Schicht bestehenden Schichtenfolge, einer der ersten p-dotierten Schicht benachbarten TCO-Schicht und einer mit der letzten n-dotierten Schicht verbundenen, metallischen Kontaktschicht. Zur Begünstigung des Wirkungsgrads der Solarzelle weist sie zwischen der TCO-Schicht und der mit dieser benachbarten p-dotierten Schicht eine n-dotierte Zwischenschicht auf, wobei wenigstens diese oder die ihr benachbarte, p-dotierte Schicht mikrokristallin ist. Im Ergebnis trägt diese Maßnahme dazu bei, daß der Füllfaktor verbessert und die Leerlaufspannung verringert wird.

Description

B e s c h r e i b u n g
Dünnschicht-Solarzelle
Die Erfindung betrifft eine Dünnschicht-Solarzelle auf der Basis des amorphen hydrierten Siliziums und/oder seiner Legierungen gemäß dem Oberbegriff nach An¬ spruch 1.
Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis des amorphen hy¬ drierten Siliziums (a-Si:H) und/oder seiner Legierungen werden mit der Dotierungsfolge n-i-p oder p-i-n oder in bekannten Abwandlungen (z.B. durch zusätzlich einge- baute Pufferschichten) durch Schichtabscheidung auf ge¬ eigneten opaken oder transparenten Substraten herge¬ stellt. Dabei kann eine solche Solarzelle auch in Form einer gestapelten Solarzelle in Kaskadenanordnung (sog. Stapelzelle, z.B. p-i-n-p-i-n) vorgesehen sein.
Für den Fall, daß der Lichteinfall von der p-dotierten Seite her erfolgt, wird aufgrund der unterschiedlichen Beweglichkeiten der Ladungsträgerarten n und p eine Verbesserung des Wirkungsgrades y der Solarzelle er- zielt.
Zur Verbesserung des Lichteintritts in die für die Lichtumwandlung maßgebliche, undotierte (i)-Schicht und auch zur elektrischer Verbesserung wird die Bandlücke der p-dotierten Schicht vorteilhaft höher als die der i-Schicht gewählt. Dies kann beispielsweise durch Le¬ gierungen des a-Si:H mit N, C oder O realisiert werden.
Als Kontaktschichten dienen auf der Lichteintrittsseite in der Regel transparente, leitfähige Oxidschichten, die sog. Transparent Conductiv Oxide(TCO)-Schichten, wie z.B. ITO, Snθ2, ZnO, Ti02• Auf der lichtabgewandten Seite kann ebenfalls eine TCO-Schicht, oder aber auch eine Metallschicht oder eine Kombination aus beiden ge¬ wählt werden.
Es ist bekannt, daß der TCO-p-kontakt einen beachtens- werten Anteil am gesamten Serienwiderstand einer a-Si:H Solarzelle haben kann, so daß nachteilig der sog. Füll¬ faktor (FF) erhöht und der Wirkungsgrad y der Solar¬ zelle reduziert wird.
In T. Soshida et al . , Proc. 10th European PV Solar
Energy Conf. Lisbon 1991, p. 1193 wird für das Kontakt¬ system ZnO-p zur Reduzierung des TCO-p-Kontaktwider- standes die Einfügung einer SiOx-"Rekombinations¬ schicht" zwischen ZnO und p vorgeschlagen. Quantitative Maßangaben für den dadurch angeblich erzielten Erfolg einer Verbesserung fehlen dabei jedoch.
Es ist Aufgabe der Erfindung, eine Solarzelle zu schaf¬ fen, die den bekannten Solarzellen gegenüber, insbeson- dere für ZnO oder Ti02 als TCO, einen insofern auch den Wirkungsgrad "y" der Solarzelle begünstigenden, niedrigen TCO-p-Kontaktwiderstand und damit verbunden einen erhöhten sog. Füllfaktor FF (bzw. eine erhöhte LeerlaufSpannung Voc) aufweist. Diese Aufgabe wird gelöst durch die Gesamtheit der Merkmale nach Anspruch 1.
Die Einfügung einer n-dotierten Zwischenschicht zwi- sehen TCO und p-dotierter Schicht und die mikrokristal¬ line (μc) Ausbildung der Zwischenschicht tragen zu einem verbesserten FF und verringerter LeerlaufSpannung Voc auf TCO, insb. ZnO, bei. Es ist dabei vorteilhaft, alternativ oder kummulativ die p-dotierte Schicht mi- krokristallin vorzusehen.
Zur Verringerung oder Vermeidung von Absorptionsverlu¬ sten ist gemäß Anspruch 2 als Material für die einge¬ fügte n-Schicht ein Material mit erhöhter Bandlücke (z.B. μc-SiC oder μc-SiO) vorgesehen.
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform der erfin¬ dungsgemäßen Solarzelle gemäß Anspruch 3 ergibt sich, wenn die Schichtdicken der n- und p-Schicht so gewählt werden, daß die Gesamtschichtdicke dieser beiden
Schichten die Schichtdicke einer optimierten p-Schicht auf demselben (TCO-)Substrat nicht übersteigt.
In diesem Falle tritt allenfalls gleichviel - oder we- niger - Lichtverlust auf, wie im Fall des TCO-p-Kontak- tes ohne eingefügte n-Schicht. Damit werden nicht nur der Füllfaktor und die LeerlaufSpannung Voc erhöht, sondern auch der Wirkungsgrad "y" der Solarzelle insge¬ samt verbessert.
In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform wird gemäß Anspruch 4 als Material für die TCO-Schicht ZnO oder Tiθ2 vorgesehen. Die Verwendung von ZnO oder TiÜ2 als TCO-Substrat bzw. Kontaktschicht auf der Lichtein- trittsseite weist folgende Vorteile auf: a) ZnO oder Tiθ2 erlauben eine höhere Lichteinkopplung gegenüber Snθ2_ weil sie im sichtbaren Bereich des Spektrums transparenter sind und
b) ZnO oder Tiθ2 besitzen eine bessere chemische Stabi¬ lität gegenüber Reduktion durch das für die a-Si:H-Ab- scheidung üblicherweise benutzte, Wasserstoffhaltige Niederdruck-Silanplasma.
Ausführungsbeispiele
Im folgenden sind in der Tabelle 1 Beispiele von präpa¬ rierten Test-Solarzellen auf (a-Si:H)-Basis darge¬ stellt.
Für jede Solarzelle sind
- die gemessenen LeerlaufSpannung Voc in milli-Volt, die sog. Kurzschlußstromdichte jsc in illi-Ampere
Figure imgf000006_0001
der Füllfaktor FF in %, sowie - der Wirkungsgrad y in % angegeben.
Tabelle 1 voc J SC FF y
(mV) mA/cm2 (%) (%)
a) Glas-Sn02-p-i-n-Ag 821 13,24 71,6 7,77 b) Glas-Sn02-ZnO-p-i-n- Ag 798 13,45 68,3 7,33 (10 nm undotiertes ZnO) c) Glas-Sn02-ZnO-p-i-n- Ag 804 13,48 68,2 7,4 (10 nm Aluminium-dotiertes ZnO) d) wie a) 829 13,5 71,2 7,95 e) Glas-Sn02-ZnO-p-i-n-Ag 755 13,65 55 5,5 (10 nm Bor-dotiertes ZnO) f) Glas-Sn02-SiOx(ρ)-p-i-n-Ag 827 12,8 70,7 7,49 g) Glas-Sn02-ZnO-SiOx(p)-p-i-n-Ag 820 13,05 65,8 7,05 (10 nm Aluminium-dotiertes ZnO) h) wie a) 840 14,0 69,2 7,8 i) Glas-ZnO:B-p-i-n-Ag
(ohne Sn02l) 780 15,6 66,1 8,1 j) Glas-Sn02-n(μc)-p-i-n-Ag 804 10,28 72,1 5,96 (15 nm n(μc) ) k) Glas-Sn02-ZnO- 802 10,47 71,4 5,99 n(μc)-p-i-n-Ag
(10 nm Aluminium-dotiertes ZnO)
(15 nm n(μc) ) 1) Glas-Sn02-n(μc)-p-i-n-Ag 807 12,25 72,3 7,15
(10 nm n(μc) ) m) Glas-Sn02-ZnO- 815 12,57 71,8 7,35 n(μc )-p-i-n-Ag
(10 n Aluminium-dotiertes ZnO) (10 nm n(μc) ) n) Glas-Sn02-n(μc)-p-i-n-Ag 817 11,65 71,1 6,76
(10 nm n(μc) ) o) Glas-Sn02-ZnO-n(μc)-p-i-n-Ag819 12,4 71,1 7,21
(10 nm, Bor-dotiertes ZnO) (10 nm n(μc) ) Versuche zeigen:
den FF- und Voc-Abfall beim Übergang von Sn02-Sub- straten zu Sn0 -ZnO-Substraten (a) verglichen mit b) bzw. c); d) mit e) für Bor-dotiertes ZnO),
den FF- und Voc-Abfall auch für den Fall, daß die TCO-Schicht ganz aus ZnO besteht (h), verglichen mit
daß die Einfügung einer p- oder undotierten SiOx- Schicht zwischen TCO und p das Problem nicht löst ( f), g), (sowohl im Falle einer undotierten als auch einer p-dotierten SiOx-Zwischenschicht waren die Werte bei der Konfiguration "g" schlechter),
die deutliche Verbesserung des FF und Voc besonders für Glas-Sn02-ZnO-Substrate durch Einfügung einer mikrokristallinen (μc) n-Schicht zwischen TCO und p- Schicht (k), im Vergleich mit b), c), e), g), i),
die weitere Verbesserung dadurch, daß die Dicke der (μc) n-Schicht verringert wurde (1), m) ) ,
den Nachweis, daß die Verbesserung auch auf Bor-do¬ tiertem ZnO erreicht wird (o) ) .

Claims

P a t e n t a n s p r ü c h e
1. Dünnschicht-Solarzelle mit wenigstens einer aus aufeinanderfolgender p-, un(i )- und n-dotierter Schicht bestehenden Schichtenfolge, einer der er¬ sten p-dotierten Schicht benachbarten TCO-Schicht und einer mit der letzten n-dotierten Schicht verbundenen, insbesondere metallischen Kontakt¬ schicht, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß zwischen der TCO-Schicht und der mit dieser benachbarten p-dotierten Schicht eine n-dotierte
Zwischenschicht vorgesehen ist und wenigstens die Zwischenschicht oder die ihr benachbarte, p- dotierte Schicht mikrokristallin ist.
2. Solarzelle nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Material für die n-dotierte Zwischen¬ schicht insbesondere mikrokristallines SiC oder SiO vorgesehen ist.
3. Solarzelle nach Anspruch 1 oder 2, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die Summe der Schichtdicken der mit der TCO- Schicht verbundenen Zwischenschicht und der mit dieser verbundenen p-dotierten Schicht die
Schichtdicke einer optimierten p-Schicht auf der¬ selben TCO-Schicht ohne Zwischenschicht nicht übersteigt.
4. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß als Material für die TCO-Schicht ZnO oder Ti02 vorgesehen ist.
5. Solarzelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t , daß die TCO-Schicht als Substrat ausgebildet ist, auf dem die die Solarzelle bildenden Schichten in
Stapelfolge angeordnet sind.
PCT/DE1995/000379 1994-03-24 1995-03-17 Dünnschicht-solarzelle WO1995026050A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/718,587 US5853498A (en) 1994-03-24 1995-03-17 Thin film solar cell

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4410220A DE4410220B4 (de) 1994-03-24 1994-03-24 Dünnschicht-Solarzelle
DEP4410220.8 1994-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1995026050A1 true WO1995026050A1 (de) 1995-09-28

Family

ID=6513743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE1995/000379 WO1995026050A1 (de) 1994-03-24 1995-03-17 Dünnschicht-solarzelle

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5853498A (de)
DE (1) DE4410220B4 (de)
WO (1) WO1995026050A1 (de)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6260563B1 (en) * 1999-05-20 2001-07-17 Danieli Technology, Inc. High speed pickling with recycling of acid
AU2001282935A1 (en) 2000-08-01 2002-02-13 First Usa Bank, N.A. System and method for transponder-enabled account transactions
US20030019942A1 (en) * 2001-07-24 2003-01-30 Blossom George W. System and method for electronically readable card having power source
US7073118B2 (en) * 2001-09-17 2006-07-04 Digeo, Inc. Apparatus and method for saturating decoder values
US20050263596A1 (en) * 2004-05-12 2005-12-01 Solicore, Inc. Portable charger, including portable sleeve, for an electronically readable card
US7671271B2 (en) * 2006-03-08 2010-03-02 National Science And Technology Dev. Agency Thin film solar cell and its fabrication process
US20080047603A1 (en) * 2006-08-24 2008-02-28 Guardian Industries Corp. Front contact with intermediate layer(s) adjacent thereto for use in photovoltaic device and method of making same
US20080115821A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 Li Xu Multilayer transparent conductive oxide for improved chemical processing
US8203071B2 (en) 2007-01-18 2012-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same
US7741144B2 (en) 2007-11-02 2010-06-22 Applied Materials, Inc. Plasma treatment between deposition processes
DE102009026149A1 (de) 2009-07-10 2011-01-27 Eppsteinfoils Gmbh & Co.Kg Verbundsystem für Photovoltaik-Module
CN101894871B (zh) * 2009-11-18 2012-09-05 湖南共创光伏科技有限公司 高转化率硅晶及薄膜复合型单结pin太阳能电池及其制造方法
CN103430326A (zh) * 2010-12-29 2013-12-04 Tel太阳能公司 微晶PIN结的SiOxN型层
EP2903032A4 (de) * 2012-09-28 2016-06-08 Kaneka Corp Photovoltaische dünnschichtvorrichtung und verfahren zur herstellung davon

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4453173A (en) * 1982-04-27 1984-06-05 Rca Corporation Photocell utilizing a wide-bandgap semiconductor material
US4776894A (en) * 1986-08-18 1988-10-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Photovoltaic device
US5078803A (en) * 1989-09-22 1992-01-07 Siemens Solar Industries L.P. Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide
JP2994812B2 (ja) * 1991-09-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 太陽電池
JPH05267700A (ja) * 1991-12-17 1993-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
JPH05175529A (ja) * 1991-12-26 1993-07-13 Showa Shell Sekiyu Kk アモルファスシリコン太陽電池

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
M. FARAJI ET AL.: "High mobility hydrogenated and oxygenated microcrystalline silicon as a photosensitive material in photovoltaic applications", APPLIED PHYSICS LETTERS., vol. 60, no. 26, 29 June 1992 (1992-06-29), NEW YORK US, pages 3289 - 3291 *
M. KUBON ET AL.: "Modification of TCO-p interface in a-Si:H solar cells by intermediate layers and plasma treatments", 12TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 11 April 1994 (1994-04-11), AMSTERDAM, NL, pages 1268 - 1271 *
S.R. KURTZ ET AL.: "Transparent conducting electrodes on silicon", SOLAR ENERGY MATERIALS, vol. 15, no. 4, May 1987 (1987-05-01), AMSTERDAM NL, pages 229 - 236 *
T. YOSHIDA ET AL.: "High efficiency double-junction tandem solar cells and their reliability tests", 10TH EC PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE, 8 April 1991 (1991-04-08), LISBON, PT, pages 1193 - 1196 *
W. MA ET AL.: "An optimum design of a-Si//poly-Si tandem solar cell", 23RD IEEE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE, 10 May 1993 (1993-05-10), LOUISVILLE, USA, pages 833 - 838 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE4410220A1 (de) 1995-09-28
US5853498A (en) 1998-12-29
DE4410220B4 (de) 2005-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3244626C2 (de)
EP0219763B1 (de) Solarzelle
DE19958878B4 (de) Dünnschicht-Solarzelle
WO1995026050A1 (de) Dünnschicht-solarzelle
EP1875517A1 (de) Heterokontaktsolarzelle mit invertierter schichtstrukturgeometrie
DE19932640A1 (de) Herstellen von photovoltaischen Dünnfilmmodulen mit hochintegrierten Verbindungsleitungen und Zweischichtkontakten
DE3438477A1 (de) Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
WO1993015527A1 (de) Integriert verschaltetes stapelzellensolarmodul
EP0054737B1 (de) Halbleiterbauelement für die Umsetzung von Licht in elektrische Energie
DE3732619C2 (de)
EP0164090B1 (de) Solarzelle
DE102009056594A1 (de) Antireflexionsbeschichtung sowie Solarzelle und Solarmodul
DE102008017312A1 (de) Photovoltaik-Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
EP0198196B1 (de) Solarzelle mit einem aus amorphen Silizium bestehenden Halbleiterkörper der Schichtenfolge p-SiC/i/n
DE3408317C2 (de) Solarzelle aus amorphem Silicium
EP2850661A1 (de) Heterokontakt-solarzelle und verfahren zu deren herstellung
DE2812547A1 (de) Fotoelement
DE3713957C2 (de)
DE3119631A1 (de) "photovoltaische solarzelle"
EP3114712A2 (de) RÜCKSEITENKONTAKTIERTE Si-DÜNNSCHICHT-SOLARZELLE
WO2019192656A1 (de) Bifazial-solarzelle, solarmodul und herstellungsverfahren für eine bifazial-solarzelle
DE4419273C2 (de) Dünnschicht-Solarzelle
DE3001463C2 (de) Halbleiterphotoelement
EP0172484B1 (de) Solarzelle mit einem aus amorphem Silizium bestehenden Halbleiterkörper der Schichtenfolge p-i-n
DE102011081655A1 (de) Dünnschicht-Solarzelle

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CA JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 08718587

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: CA