JPH05267700A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05267700A JPH05267700A JP3352883A JP35288391A JPH05267700A JP H05267700 A JPH05267700 A JP H05267700A JP 3352883 A JP3352883 A JP 3352883A JP 35288391 A JP35288391 A JP 35288391A JP H05267700 A JPH05267700 A JP H05267700A
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- semiconductor
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- silicon
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は光電変換装置または半導体装置の電
極での長期信頼性を有せしめんとする構造に関する。 【構成】 Ｐ型半導体またはＮ型半導体を有する半導体
装置であり、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の各々が
透光性導電膜と密接した構造のものにおいて、前記Ｐ型
半導体またはＮ型半導体は珪素非単結晶半導体層とSiX
C1-X（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層との二
層から成るものであり、前記Ｐ型半導体を構成する炭化
珪素半導体層は酸化錫透光性導電膜と密接されており、
前記Ｎ型半導体を構成する炭化珪素半導体層は酸化イン
ジュームを主成分とする透光性導電膜と密接されている
こと。
極での長期信頼性を有せしめんとする構造に関する。 【構成】 Ｐ型半導体またはＮ型半導体を有する半導体
装置であり、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の各々が
透光性導電膜と密接した構造のものにおいて、前記Ｐ型
半導体またはＮ型半導体は珪素非単結晶半導体層とSiX
C1-X（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層との二
層から成るものであり、前記Ｐ型半導体を構成する炭化
珪素半導体層は酸化錫透光性導電膜と密接されており、
前記Ｎ型半導体を構成する炭化珪素半導体層は酸化イン
ジュームを主成分とする透光性導電膜と密接されている
こと。
Description
【０００１】この発明は透光性導電膜とＰまたはＮ型の
非単結晶半導体との界面即ち電極近傍の構造に関する。
非単結晶半導体との界面即ち電極近傍の構造に関する。
【０００２】この発明はＰまたはＮ型の導電型を有し、
かつ透光性をアモルファス珪素に比べて大きく有する半
導体と、この半導体に密接して導電性を有する透光性導
電膜の電極とを密接させてオーム接触を有せしめるに際
し、この電極─半導体界面での反応による絶縁物の発生
を防ぐため、その間にアモルファス珪素よりも透光性を
有するSixC1-x （０＜ｘ＜１）で示される炭化珪素を介
在せしめ、熱化学反応の発生を防ぎ、高信頼性を得たも
のである。
かつ透光性をアモルファス珪素に比べて大きく有する半
導体と、この半導体に密接して導電性を有する透光性導
電膜の電極とを密接させてオーム接触を有せしめるに際
し、この電極─半導体界面での反応による絶縁物の発生
を防ぐため、その間にアモルファス珪素よりも透光性を
有するSixC1-x （０＜ｘ＜１）で示される炭化珪素を介
在せしめ、熱化学反応の発生を防ぎ、高信頼性を得たも
のである。
【０００３】この発明はＰＩ，ＮＩまたはＰＩＮ接合を
少なくとも１つ有する光電変換装置（以下ＰＶＣとい
う）またＮ（ソース）Ｉ（チャネル形成領域）Ｎ（ドレ
イン）またはＰＩＰ接合を有する絶縁ゲイト型電界効果
半導体（以下ＦＥＴという）上における電極での長期信
頼性を有せしめんとする構造に関する。
少なくとも１つ有する光電変換装置（以下ＰＶＣとい
う）またＮ（ソース）Ｉ（チャネル形成領域）Ｎ（ドレ
イン）またはＰＩＰ接合を有する絶縁ゲイト型電界効果
半導体（以下ＦＥＴという）上における電極での長期信
頼性を有せしめんとする構造に関する。
【０００４】従来、これら半導体装置においてはＰまた
はＮ型のアモルファス珪素上にアルミニュームを真空蒸
着方法で形成することが知られていた。しかしかかるア
モルファス珪素とアルミニュームとの電極を１００〜１
５０℃で加熱処理を５０時間位行うと、アルミニューム
が半導体中にマイグレイト（異常拡散）して、電気的劣
化をおこしてしまう。このため、ＰＩまたはＮＩ接合に
おいて、このアルミニュームがきわめて深くＰＩまたＮ
Ｉ接合にて至り、接合特性を変質させてしまっていた。
はＮ型のアモルファス珪素上にアルミニュームを真空蒸
着方法で形成することが知られていた。しかしかかるア
モルファス珪素とアルミニュームとの電極を１００〜１
５０℃で加熱処理を５０時間位行うと、アルミニューム
が半導体中にマイグレイト（異常拡散）して、電気的劣
化をおこしてしまう。このため、ＰＩまたはＮＩ接合に
おいて、このアルミニュームがきわめて深くＰＩまたＮ
Ｉ接合にて至り、接合特性を変質させてしまっていた。
【０００５】このため、ＰまたはＮ型半導体上にはこの
ような金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電膜
を形成することが試みられる。即ちＰ型アモルファス珪
素に対し透光性導電酸化膜（以下ＣＴＯという）の酸化
スズを、またＮ型アモルファス珪素に対し酸化インジュ
ームを主成分とするＣＴＯ即ちＩＴＯ（酸化スズを１０
重量％以下添加した酸化インジューム）を密接させた。
さらに必要に応じてこのＣＴＯ上に反射性金属であるア
ルミニュームまたは銀を形成させる方法が知られてい
る。
ような金属を真空蒸着させるのではなく、酸化物導電膜
を形成することが試みられる。即ちＰ型アモルファス珪
素に対し透光性導電酸化膜（以下ＣＴＯという）の酸化
スズを、またＮ型アモルファス珪素に対し酸化インジュ
ームを主成分とするＣＴＯ即ちＩＴＯ（酸化スズを１０
重量％以下添加した酸化インジューム）を密接させた。
さらに必要に応じてこのＣＴＯ上に反射性金属であるア
ルミニュームまたは銀を形成させる方法が知られてい
る。
【０００６】かくのごとき構造とすると、１５０℃で作
製しても５００時間までは電気特性の劣化を１０％以内
に防ぐことができた。しかし５００時間〜２０００時間
たつと、例えばＰＩＮ接合を有するＰＶＣにおいて、初
期の効率が８．３％（１．０５cn2 ）であったのが、そ
の変化量において５％（５００時間）〜２５％（２００
０時間）もの特性劣化（低下）がおこる。
製しても５００時間までは電気特性の劣化を１０％以内
に防ぐことができた。しかし５００時間〜２０００時間
たつと、例えばＰＩＮ接合を有するＰＶＣにおいて、初
期の効率が８．３％（１．０５cn2 ）であったのが、そ
の変化量において５％（５００時間）〜２５％（２００
０時間）もの特性劣化（低下）がおこる。
【０００７】その原因を詳細に検討していくと、Ｐまた
はＮ領域のアモルファス半導体とＣＴＯとの界面に酸化
珪素が薄く形成されてしまっていることが判明した。特
にＮ型アモルファス珪素においては、ＰＳＧ（リンガラ
ス）、Ｐ型アモルファス珪素においてはＢＳＧ（ホウ素
ガラス）が形成される。これらガラスは最終的に絶縁性
を有しており、アモルファス珪素は化学的に結晶半導体
に比べて不安定でありかつ反応しやすいため、アモルフ
ァス半導体特有の劣化特性であることが判明した。
はＮ領域のアモルファス半導体とＣＴＯとの界面に酸化
珪素が薄く形成されてしまっていることが判明した。特
にＮ型アモルファス珪素においては、ＰＳＧ（リンガラ
ス）、Ｐ型アモルファス珪素においてはＢＳＧ（ホウ素
ガラス）が形成される。これらガラスは最終的に絶縁性
を有しており、アモルファス珪素は化学的に結晶半導体
に比べて不安定でありかつ反応しやすいため、アモルフ
ァス半導体特有の劣化特性であることが判明した。
【０００８】本発明はかかる劣化の発生を防止して高信
頼性を有せしめることを目的としている。
頼性を有せしめることを目的としている。
【０００９】さらにＰＩまたはＮＩ接合においては、ま
たはＮ型半導体層がアモルファス珪素においては、その
電気伝導度は１０-7〜１０-5 (Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも０．３〜０．４ｅＶと大きい。
たはＮ型半導体層がアモルファス珪素においては、その
電気伝導度は１０-7〜１０-5 (Ωcm）-1であり、かつそ
の活性化エネルギも０．３〜０．４ｅＶと大きい。
【００１０】このため活性状態の真性または実質的に真
性（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが１０17cm-3以下で
ある、または意図的に３または５価の不純物を添加しな
い）のＩ型半導体との接合の内部電界を有せしめんとす
るには、かかるアモルファス珪素では不十分であり、さ
らにこのＰまたはＮ型半導体を透光して光をＩ型半導体
に注入せんとする時、この半導体層での光吸収損をより
少なくすることが求められている。
性（Ｐ型用ホウ素またはＮ型用リンが１０17cm-3以下で
ある、または意図的に３または５価の不純物を添加しな
い）のＩ型半導体との接合の内部電界を有せしめんとす
るには、かかるアモルファス珪素では不十分であり、さ
らにこのＰまたはＮ型半導体を透光して光をＩ型半導体
に注入せんとする時、この半導体層での光吸収損をより
少なくすることが求められている。
【００１１】これらのため、本発明においては、Ｉ層に
接する半導体は非単結晶半導体であって、特に微結晶ま
たは多結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体を用いることを
特徴としている。即ち電気伝導度が１０-1〜１０2(Ωc
m）-1有し、さらに光吸収係数も例えば５００nmにてア
モルファス珪素の３×１０-5 (Ωcm) -1であるものが１
×１０5(Ωcm) -1と１／３に減少させている。かかる５
〜２００Åの粒径の微結晶または２００〜２０００Åの
粒径の多結晶の珪素を用いている。
接する半導体は非単結晶半導体であって、特に微結晶ま
たは多結晶のＰまたはＮ型の珪素半導体を用いることを
特徴としている。即ち電気伝導度が１０-1〜１０2(Ωc
m）-1有し、さらに光吸収係数も例えば５００nmにてア
モルファス珪素の３×１０-5 (Ωcm) -1であるものが１
×１０5(Ωcm) -1と１／３に減少させている。かかる５
〜２００Åの粒径の微結晶または２００〜２０００Åの
粒径の多結晶の珪素を用いている。
【００１２】かくのごとくに結晶性を有するＰまたはＮ
型半導体を用いることにより、その成分中のアモルファ
ス分は約５０％となっているため、ＩＴＯとＣＴＯとの
反応をアモルファス珪素のみの場合に比べて約１／２と
することができる。しかしこれでも本質的には劣化特性
を有することには変わりなく、さらに抜本的な解決法が
求められていた。
型半導体を用いることにより、その成分中のアモルファ
ス分は約５０％となっているため、ＩＴＯとＣＴＯとの
反応をアモルファス珪素のみの場合に比べて約１／２と
することができる。しかしこれでも本質的には劣化特性
を有することには変わりなく、さらに抜本的な解決法が
求められていた。
【００１３】本発明はかかる目的のため、この微結晶性
のＰまたはＮ型半導体上に同一導電型のSixC1-x （０＜
ｘ＜１）をきわめて薄く形成せしめている。かくする
と、この炭化珪素が酸素に対しブロック（阻止）効果を
有し、ＣＴＯを構成している酸素が珪素中に拡散してPS
G,BSG を作ることを防ぐことができることが判明した。
のＰまたはＮ型半導体上に同一導電型のSixC1-x （０＜
ｘ＜１）をきわめて薄く形成せしめている。かくする
と、この炭化珪素が酸素に対しブロック（阻止）効果を
有し、ＣＴＯを構成している酸素が珪素中に拡散してPS
G,BSG を作ることを防ぐことができることが判明した。
【００１４】SixC1-x （０＜ｘ＜１）において、ｘ＝
０．９５〜０．８においてはその酸素のブロック作用に
十分であり、かつその厚さもトンネル電流を引き出す程
度の１００Å以下（代表的には平均膜厚１５〜４０Åと
推定される）の厚さで十分のブロック作用があった。そ
の結果、例えばPIN 結合を有さない光電変換装置を１５
０℃で保持し、１０００〜２０００時間をへても、その
劣化は０〜２％（１０００時間）ないし０〜３％（２０
００時間）と熱劣化をまったくなくすことができた。以
下に図面に従って本発明を示す。
０．９５〜０．８においてはその酸素のブロック作用に
十分であり、かつその厚さもトンネル電流を引き出す程
度の１００Å以下（代表的には平均膜厚１５〜４０Åと
推定される）の厚さで十分のブロック作用があった。そ
の結果、例えばPIN 結合を有さない光電変換装置を１５
０℃で保持し、１０００〜２０００時間をへても、その
劣化は０〜２％（１０００時間）ないし０〜３％（２０
００時間）と熱劣化をまったくなくすことができた。以
下に図面に従って本発明を示す。
【００１５】
【実施例】〔実施例１〕 図１（Ａ）は基板（１）、透
光性絶縁基板（１５）を通って光（１０）が照射された
ＰＶＣを示す。
光性絶縁基板（１５）を通って光（１０）が照射された
ＰＶＣを示す。
【００１６】図面において、ガラス基板（１）上に第１
のＣＴＯ（２）を形成した。図面ではこれをフッ素のご
ときハロゲン元素が添加された酸化スズ（３００〜２０
００Å）またはＩＴＯ（３００〜１５００Å）＋酸化ス
ズ（２００〜４００Å）の２層構造とした。さらに、こ
のＣＴＯ（２）上にＰ型のSixC1-x （０＜ｘ＜１ 例え
ばｘ＝０．８）をプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）により
SiH4とCH4 で実施した。その際、B2H6を０．５濃度％添
加して２００℃の温度で２０Ｗにて形成させた。その平
均厚さは約１００Åであった。
のＣＴＯ（２）を形成した。図面ではこれをフッ素のご
ときハロゲン元素が添加された酸化スズ（３００〜２０
００Å）またはＩＴＯ（３００〜１５００Å）＋酸化ス
ズ（２００〜４００Å）の２層構造とした。さらに、こ
のＣＴＯ（２）上にＰ型のSixC1-x （０＜ｘ＜１ 例え
ばｘ＝０．８）をプラズマ気相法（ＰＣＶＤ法）により
SiH4とCH4 で実施した。その際、B2H6を０．５濃度％添
加して２００℃の温度で２０Ｗにて形成させた。その平
均厚さは約１００Åであった。
【００１７】さらにこの上面にＩ型非晶質または半非晶
質珪素をPCVD法、光ＣＶＤ法、光プラズマ気相法または
ＬＴ ＣＶＤ法（低温気相法）（ＨＯＭＯ ＣＶＤ法と
もいう）またはこれらを組み合わせた気相法により０．
２〜０．８μ例えば０．５μの厚さに形成させた。この
時同時にホウ素を平均濃度が１０17cm-3以下添加し、か
つ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効率の向上を図
ることは有効であった。またこの水素およびハロゲン元
素が添加された珪素半導体中の酸素は少なくとも５×１
０19cm-3以下好ましくは５×１０18cm-3以下にし、酸素
による光照射劣化を防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在に
よる電気的導電性の低下を防いだ。
質珪素をPCVD法、光ＣＶＤ法、光プラズマ気相法または
ＬＴ ＣＶＤ法（低温気相法）（ＨＯＭＯ ＣＶＤ法と
もいう）またはこれらを組み合わせた気相法により０．
２〜０．８μ例えば０．５μの厚さに形成させた。この
時同時にホウ素を平均濃度が１０17cm-3以下添加し、か
つ濃度勾配をＰ型側に大きくして設け、効率の向上を図
ることは有効であった。またこの水素およびハロゲン元
素が添加された珪素半導体中の酸素は少なくとも５×１
０19cm-3以下好ましくは５×１０18cm-3以下にし、酸素
による光照射劣化を防ぎ、かつ酸化珪素絶縁物の存在に
よる電気的導電性の低下を防いだ。
【００１８】次にＮ型の非単結晶半導体層（５）をPH3
／SiH4＝１％，SiH4／H2＝３０％として、ＰＣＶＤ法に
より１０Ｗの出力で１００〜３００Å例えば２００Åの
厚さに形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜１５原子％添加されている）が形
成された。さらにこの上面にPH3 ／SiH4＝１％, CH4／
（SiH4+ CH4 ）＝５〜５０％とし、SixC1-x （例えばｘ
＝０．９５〜０．８）（２１）として作製した。この膜
厚は１００Å以下例えば３０Åとした。さらにこの後、
ＩＴＯを裏面電極（１９）として公知の電子ビーム蒸着
法により形成せしめた。これに対応したエネルギバンド
図を図１（Ｂ）に示す。
／SiH4＝１％，SiH4／H2＝３０％として、ＰＣＶＤ法に
より１０Ｗの出力で１００〜３００Å例えば２００Åの
厚さに形成せしめた。するとこの場合は微結晶性を含む
Ｎ型珪素（水素が５〜１５原子％添加されている）が形
成された。さらにこの上面にPH3 ／SiH4＝１％, CH4／
（SiH4+ CH4 ）＝５〜５０％とし、SixC1-x （例えばｘ
＝０．９５〜０．８）（２１）として作製した。この膜
厚は１００Å以下例えば３０Åとした。さらにこの後、
ＩＴＯを裏面電極（１９）として公知の電子ビーム蒸着
法により形成せしめた。これに対応したエネルギバンド
図を図１（Ｂ）に示す。
【００１９】かかる構造において、ＡＭ１（１００mW／
cm2 ）にて１．０５cm2 （３．５cm×３mm）において、
８．９１％（開放電圧０．８９Ｖ，短絡電流１８mA／cm
2 ，曲線因子０．５５）を得た。これを１５０℃で大気
中に放置すると、１０００〜２０００時間を経てその劣
化は初期に比べて０〜３％（１０００時間）、また０〜
５％（２０００時間）を試料数３０にて得ることがで
き、その劣化は３％以内で従来が２０％を越えていたこ
とに比べて実用上きわめて著しい信頼性の向上であっ
た。
cm2 ）にて１．０５cm2 （３．５cm×３mm）において、
８．９１％（開放電圧０．８９Ｖ，短絡電流１８mA／cm
2 ，曲線因子０．５５）を得た。これを１５０℃で大気
中に放置すると、１０００〜２０００時間を経てその劣
化は初期に比べて０〜３％（１０００時間）、また０〜
５％（２０００時間）を試料数３０にて得ることがで
き、その劣化は３％以内で従来が２０％を越えていたこ
とに比べて実用上きわめて著しい信頼性の向上であっ
た。
【００２０】〔実施例２〕 この実施例は図１（Ａ）に
対し、Ｎ型半導体上のＩＴＯ（７）上にさらに反射性電
極として銀（５００〜１０００Å）およびこの上にアル
ミニューム３０００Åを電子ビーム蒸着法により作製し
た。するとこの反射性電極により６００〜８００nmの長
波長光を照射してＩ型半導体層中に閉じ込めることがで
きるため、初期変換効率は９．８２％（開放電圧０．８
９Ｖ，短絡電流１９．３mA，曲線因子０．５７）を得る
ことができた。その信頼性特性に関しても、１５０℃、
１０００時間放置の条件でも初期値に比べて３％以下の
劣化しかなかった。
対し、Ｎ型半導体上のＩＴＯ（７）上にさらに反射性電
極として銀（５００〜１０００Å）およびこの上にアル
ミニューム３０００Åを電子ビーム蒸着法により作製し
た。するとこの反射性電極により６００〜８００nmの長
波長光を照射してＩ型半導体層中に閉じ込めることがで
きるため、初期変換効率は９．８２％（開放電圧０．８
９Ｖ，短絡電流１９．３mA，曲線因子０．５７）を得る
ことができた。その信頼性特性に関しても、１５０℃、
１０００時間放置の条件でも初期値に比べて３％以下の
劣化しかなかった。
【００２１】〔実施例３〕 図２はIG FETに本発明を用
いた例である。図面において、石英基板（１）上にＮ型
の珪素よりなるゲイト電極（厚さ０．２μ、巾５μ）を
第１のマスクにて作製した。さらにゲイト絶縁物をハロ
ゲン元素雰囲気で１１００℃の温度で酸化をして３００
〜１２００Åの厚さに作製した。さらにホウ素が１ＰＰ
Ｍの濃度に注入したＰ型の真性の半導体（Ｉ型珪素）を
公知のプラズマ気相法またはＬＴ ＣＶＤ法（ＨＯＭＯ
ＣＶＤ法ともいう）、光ＣＶＤ法のごときＬＰ ＣＶ
Ｄ法（減圧気相法）により０．３μの厚さに作製した。
いた例である。図面において、石英基板（１）上にＮ型
の珪素よりなるゲイト電極（厚さ０．２μ、巾５μ）を
第１のマスクにて作製した。さらにゲイト絶縁物をハロ
ゲン元素雰囲気で１１００℃の温度で酸化をして３００
〜１２００Åの厚さに作製した。さらにホウ素が１ＰＰ
Ｍの濃度に注入したＰ型の真性の半導体（Ｉ型珪素）を
公知のプラズマ気相法またはＬＴ ＣＶＤ法（ＨＯＭＯ
ＣＶＤ法ともいう）、光ＣＶＤ法のごときＬＰ ＣＶ
Ｄ法（減圧気相法）により０．３μの厚さに作製した。
【００２２】次に酸化珪素をＣＶＤ法にて１μの厚さに
作製した後、フォトレジストをコーティングし、下側よ
りレーザ光を照射してゲイト電極上方以外のレジストを
除去した。さらにレジストを除去して、酸化珪素のみを
残存させた。さらにこれら全面にプラズマ気相法により
微結晶のＮの珪素半導体を５００Åの厚さに（２１）と
して形成し、さらにSixC1-x （０＜ｘ＜１ ここではｘ
＝０．９）（２２）を１００Å以下の厚さここでは５０
Åの厚さに同一反応炉により連続して形成した。さらに
ＩＴＯを５００Åの厚さに電子ビーム蒸着法により形成
した。この後、酸化珪素をリフトオフ法により除去し、
ゲイト電極の両端とその両端とを概略一致させて、Ｎ型
半導体（２１）を形成させた。その結果、ソース（１
２）とドレイン（１４）とをゲイト電極（１１）とセル
ファラインをして形成させた。この場合、Ｎ（１２）、
Ｉ（１３）、Ｎ（１４）またはＮ（１４）、Ｉ（１
３’）、Ｎ（２０）のインバータ集積化構造を構成させ
ることができた。
作製した後、フォトレジストをコーティングし、下側よ
りレーザ光を照射してゲイト電極上方以外のレジストを
除去した。さらにレジストを除去して、酸化珪素のみを
残存させた。さらにこれら全面にプラズマ気相法により
微結晶のＮの珪素半導体を５００Åの厚さに（２１）と
して形成し、さらにSixC1-x （０＜ｘ＜１ ここではｘ
＝０．９）（２２）を１００Å以下の厚さここでは５０
Åの厚さに同一反応炉により連続して形成した。さらに
ＩＴＯを５００Åの厚さに電子ビーム蒸着法により形成
した。この後、酸化珪素をリフトオフ法により除去し、
ゲイト電極の両端とその両端とを概略一致させて、Ｎ型
半導体（２１）を形成させた。その結果、ソース（１
２）とドレイン（１４）とをゲイト電極（１１）とセル
ファラインをして形成させた。この場合、Ｎ（１２）、
Ｉ（１３）、Ｎ（１４）またはＮ（１４）、Ｉ（１
３’）、Ｎ（２０）のインバータ集積化構造を構成させ
ることができた。
【００２３】図面においてはこの後、シランとアンモニ
アとの水銀励起法による光ＣＶＤにより窒化珪素膜のパ
ッシベイション膜（１５）を５００〜１０００Åの厚さ
に形成させた。さらにポリイミド樹脂例えばＰＩＱ（１
６）を約２μの厚さに形成し、電極用穴開けをして、電
源（ＶDD）（１９）、接地（Ｖss）（１７）、出力（１
８）のアノートをアルミニュームにより作製した。
アとの水銀励起法による光ＣＶＤにより窒化珪素膜のパ
ッシベイション膜（１５）を５００〜１０００Åの厚さ
に形成させた。さらにポリイミド樹脂例えばＰＩＱ（１
６）を約２μの厚さに形成し、電極用穴開けをして、電
源（ＶDD）（１９）、接地（Ｖss）（１７）、出力（１
８）のアノートをアルミニュームにより作製した。
【００２４】このＰＩＱの穴あけの時、入力（ゲイト電
極（１１））、負荷のゲイト電極（１１’）にも穴あけ
を行い（図示せず）インバータ構造を有せしめた。
極（１１））、負荷のゲイト電極（１１’）にも穴あけ
を行い（図示せず）インバータ構造を有せしめた。
【００２５】図面において明らかなごとく、Ｎ型半導体
は微結晶または多結晶構造のＮ型半導体（２１）、SixC
1-x （０＜ｘ＜１）半導体（２２）、ＣＴＯ（２３）よ
りなり、かかるＮ─Ｎ─ＣＴＯ接合とした場合、このＦ
ＥＴまたＩＣを１５０℃、１０００時間の放置を行って
も、ＦＥＴ特性の劣化による変化がまったく見られず、
従来の単にＮ型珪素半導体上に金属を積層した場合に比
べてきわめて高信頼性を有せしめることができた。
は微結晶または多結晶構造のＮ型半導体（２１）、SixC
1-x （０＜ｘ＜１）半導体（２２）、ＣＴＯ（２３）よ
りなり、かかるＮ─Ｎ─ＣＴＯ接合とした場合、このＦ
ＥＴまたＩＣを１５０℃、１０００時間の放置を行って
も、ＦＥＴ特性の劣化による変化がまったく見られず、
従来の単にＮ型珪素半導体上に金属を積層した場合に比
べてきわめて高信頼性を有せしめることができた。
【００２６】本発明において、以上の実施例はＮ型非単
結晶半導体にＩＴＯ等の酸化インジュームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体─Ｐ型炭化珪
素（SixC1-x ０＜ｘ＜１）半導体─酸化スズのＣＴＯに
よる電極構造を同時に作ることは有効である。
結晶半導体にＩＴＯ等の酸化インジュームを主成分とす
る電極を作製した。しかしＰ型珪素半導体─Ｐ型炭化珪
素（SixC1-x ０＜ｘ＜１）半導体─酸化スズのＣＴＯに
よる電極構造を同時に作ることは有効である。
【００２７】以上の説明のごとく、本発明は光電変換装
置および絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ等の非単結
晶半導体を用いる半導体装置における電極構造におい
て、Ｉ型半導体に密接した電気伝導度のよい結晶性の非
単結晶半導体を形成し、さらにその上面に化学的にきわ
めて安定なSixC1-x （０＜ｘ＜１）の炭化珪素を設け、
この結果非単結晶珪素半導体とＣＴＯとの反応による絶
縁膜の形成を防ぐことができ、高信頼性の半導体層を作
ることが可能となった。
置および絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ等の非単結
晶半導体を用いる半導体装置における電極構造におい
て、Ｉ型半導体に密接した電気伝導度のよい結晶性の非
単結晶半導体を形成し、さらにその上面に化学的にきわ
めて安定なSixC1-x （０＜ｘ＜１）の炭化珪素を設け、
この結果非単結晶珪素半導体とＣＴＯとの反応による絶
縁膜の形成を防ぐことができ、高信頼性の半導体層を作
ることが可能となった。
【図１】 光電変換装置に本発明を応用した場合の縦断
面図を示す。
面図を示す。
【図２】 本発明構造を用いた絶縁ゲイト型電界効果ト
ランジスタの集積化構造の縦断面図である。
ランジスタの集積化構造の縦断面図である。
１ 基板 ２ ＣＴＯ ５ Ｎ型の非単結晶半導体 ７ ＩＴＯ
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｐ型半導体またはＮ型半導体を有する半
導体装置であり、前記Ｐ型半導体またはＮ型半導体の各
々が透光性導電膜と密接した構造のものにおいて、前記
Ｐ型半導体またはＮ型半導体は珪素非単結晶半導体層と
SiX C1-X（０＜Ｘ＜１）で示される炭化珪素半導体層と
の二層から成るものであり、前記Ｐ型半導体を構成する
炭化珪素半導体層は酸化錫透光性導電膜と密接されてお
り、前記Ｎ型半導体を構成する炭化珪素半導体層は酸化
インジュームを主成分とする透光性導電膜と密接されて
いることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１において珪素非単結晶半導体層
が微結晶性を有する珪素半導体であることを特徴とする
半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352883A JPH05267700A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3352883A JPH05267700A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151405A Division JPS6043869A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05267700A true JPH05267700A (ja) | 1993-10-15 |
Family
ID=18427107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3352883A Pending JPH05267700A (ja) | 1991-12-17 | 1991-12-17 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05267700A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4410220A1 (de) * | 1994-03-24 | 1995-09-28 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874080A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6043869A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1991
- 1991-12-17 JP JP3352883A patent/JPH05267700A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5874080A (ja) * | 1981-10-29 | 1983-05-04 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| JPS6043869A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4410220A1 (de) * | 1994-03-24 | 1995-09-28 | Forschungszentrum Juelich Gmbh | Dünnschicht-Solarzelle |
| DE4410220B4 (de) * | 1994-03-24 | 2005-02-17 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Dünnschicht-Solarzelle |
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