WO1995024046A1

WO1995024046A1 - Thermistor a coefficient positif de temperature

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Publication number: WO1995024046A1
Application number: PCT/JP1995/000334
Authority: WO
Inventors: Hiroshi Sasaki; Shu-Ichi Takeda
Original assignee: Komatsu Ltd.
Priority date: 1994-03-04
Filing date: 1995-03-02
Publication date: 1995-09-08

Description

明細書正特性サ一ミス夕およびこれを用いたサ一ミス夕装置技術分野

本発明は、正特性サ一ミスタおよびこれを用いたサーミス夕装置に係り、特にその電極の構造に関する。

背景技術

B a T i 0₃ に Y, N d等を 0. 1 ~0. 3 at%添加した酸化物半導体は、大きな正の温度係数を有することから、 P T Cサーミス夕と呼ばれる。

この P T Cサーミスタは、大きな正の温度係数を有する温度領域を、 S r, P b等の添加で調整することができることから、温度の測定および過電流防止、モ一夕起動、カラー TV消磁用等の回路素子および低温発熱ヒータ等、広く様々な分野でなくてはならないものとなっている。

このようなサ一ミス夕は、その一例を図 23 (a) に示すように、 B a、 T i、 N dなどの金属の酸化物、炭酸塩、硝酸塩、塩化物等を焼結し、薄い円柱状等に成形せしめられたサ一ミス夕素体 1 1と、その上面と下面に形成された N i メッキ層からなる第 1の電極層 12 a、 12 bと、この上層に形成された銀を主成分とする第 2の電極層 13 a、 13 bとから構成されている。

ところでこのような正特性サ一ミスタは、通常、第 2の電極層 13 a、 13 b 間に電圧を印加して使用されるが、このとき電界の方向に向かって第 2電極層内の銀が移動析出する、いわゆるマイグレーション現象が生じる。特に第 2の電極層の外周縁が正特性サーミスタ素体 1の外周端まで達するように形成されている場台、正特性サーミスタ素体 1の外周面で電界の方向に向かって銀が移動析出し、ついには短絡を生じるという問題があつた。

そこでこの問題を解決するため、図 23 (b) に示すように、第 2電極層の外径を第 1電極層の外径よりも小さく形成した正特性サーミスタが提案されている。

しかしながら、この構造では、第 2の電極層の外形が第 1の電極層の外形よりも小さく設けられているため、第 1の電極層のうち第 2の電極層によって覆われていない部分は直接大気にさらされているため、酸化されやすく、次第にコン夕クト抵抗が上昇するという問題があった。

また、銀のマイグレーションは電界の方向に沿って移動する現象であるため従来例のように第 2電極層のみを外周より内側に設けたとしても第 2電極層中の銀が露出しているため、わずかではあるがマイグレーションが生じ、短絡の問題は緩和されるが完全に防止することはできなかった。

また、従来の正特性サ一ミスタはめつき法を用いて電極形成がなされているため、この方法では、電極形成に際して N iめっきをおこなう際にめつき溶液が焼結体内部に浸透し、抵抗値が減少する等、焼結体の特性を変化させることがある _c これは形成後ただちに特性変化として表れることもあれば、時間と共に徐々に表れることもある。サーミス夕の用途は、前述したように、温度の測定および制御、補償、利得調整、電力測定、過電流防止、モータ起動、カラー T V消磁用等、いずれも高精度の抵抗値制御が必要なものばかりであり、 R ± α %の範囲内にあるものを用いる必要がある。したがってこのめつき液の浸透による抵抗値変化の問題は深刻化してきている。

また、このようなめっき液の浸透を避けるため、メタル溶射法によりアルミ二ゥムなどの低融点金属を形成しこれを電極として用いる方法も提案されている。しかし、この方法も、電極形成時に急激な温度変化を伴うため、サーミス夕素体あるいは電極自体にクラックが発生するという問題を避けることができない。そこで、この問題を解決するため、本発明者らは特開平 6— 5 4 0 3号によつて、アルミニウムを主成分とする印刷電極あるいは蒸着膜を用いたサーミスタ電極構造を提案している。かかる構造によれば、アルミニウムを主成分としているため、マイグレーションを生じることが完全になくなる。また、印刷あるいは蒸着膜を用いているため、素子本体のわれひびが生じたりすることがなく、耐久性が向上する。しかしながら、第 1の電極がアルミニウムなどであるため電極自体の抵抗が大きくなり、比較的大電流が流れる回路には適さないという大きな問題がある。

また、サーミスタ素体の両主面の全面に第 1の電極としてニッケル電極を形成し、その周囲にギャップ領域を残して銀を主成分とする第 2の電極を形成し、このギヤップ領域を覆うようにアルミニウム—シリコンからなる第 3の電極を形成し、マイグレーションを防止するようにした電極構造も提案されている（特開平 5— 1 0 9 5 0 3 ) 。しかしながら、この構造では表面に凹凸が形成され、 2素子を重ねて使用する場合には十分な熱的接触を得ることができないので残留電流が大きいという問題があった。

また残留電流を小さくするため 2素子タイプにし、ヒータ用正特性サ一ミス夕で、コイル用正特性サーミスタを加熱する方法も提案されているが、この場合電極表面に凹凸があると素子間の熱接触が悪くなり、残留電流を小さくすることができないという問題がある。

このように従来の電極構造では、マイグレーションを防止すべく銀の使用を避けアルミニウムを用いると、接触抵抗が増大するという問題がある。

さらに、外縁部にギャップ領域を残して銀を主成分とする電極を形成し、このギヤップ領域をアルミニゥムーシリコンからなる電極で覆う構造では、銀が露出している部分があるため、マイグレーションの防止が不十分であり、また、表面に凹凸が形成され、 2素子を重ねて使用する場合には十分な熱的接触を得ることができないので残留電流が大きいという問題があった。発明の開示

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、組み立て作業性が良好で安定で信頼性が高くマイグレーションを完全に防止することができ、大電流の回路に適した正特性サ一ミスタを提供することを目的とする。

そこで本発明の第 1の特徴は、正特性サーミスタ素体の両主面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成された銀層を含む第 1の電極層と、前記第 1の電極層の表面および側面を覆うように形成されたアルミニゥムを主成分とする層からなる第 2の電極層とを具備したことにある。望ましくはこの第 2の電極層は、 5〜6 0 V o 1 %の導電性ホウ素化合物セラミックとアルミニゥムとを含む厚膜印刷層で構成する。なおここで用いられる導電性ホウ素化合物としては T i B ₂ のほか、 Z r B ₂ 、 H f B ₂ 、 V b B _Q 、 T a B₂ 、 C r B ₂ 、 M o B ₂ などの 2ホウ化物、 T i B、 Z r B、 H f B、 V B N b B、 T a B、 C r B、 Mo B、 WB、 N i Bの 1元ホウ化物または V ₃ B ₄ 、

^V3 ^B2 、 ^{N b}2 ^B3 、 ^{N b}3 ^B4 、 ^{T a} 3 ^B2 、 ^{T a} 3 ^B2 、 ^{C r} 3 ^B4 、 ^M o 3 B₂ 、 M o ₂ B₅ 、 W₂ B₅ 、 N i ₄ B₃ 、 B₄ C化合物のグループから選ばれる少なくとも 1種以上あるいはそれらの化合物などがある。

本発明の第 2の特徴は、正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単層または複数層の第 1の電極層と、前記第 1の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形成された主成分をアルミニゥムとする層からなる第 2の電極層とを具備したことにある。

本発明の第 3の特徴は、正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単層または複数層の第 1の電極層と、前記第 1の電極層の表面および側面を覆うように形成された銀を主成分とする第 2の電極層と、前記第 2の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形成されたアルミニウム層あるいは、 5〜6 Ovol%の導電性ホウ素化合物とアルミニゥムとを含む層からなる第 3の電極層とを具備したことにめ。

本発明の第 4の特徴は、正特性サーミスタ素体の両主面に形成された第 1の電極層と、第 1の電極層の端縁よりも内側に端縁がくるように形成された銀層からなる第 2の電極層と、第 2の電極層を覆うように形成されたアルミニウム層からなる第 3の電極層とを具備したことにある。

本発明の第 5の特徴は、サーミス夕素体の両主面に形成され、最外層がアルミニゥム層で構成された電極とからなる正特性サーミス夕と、正特性サ一ミス夕を挟持する端子とから構成され、この端子の少なくとも前記正特性サーミス夕と接触する領域がアルミニウムに対し融点 300°C以下の合金を形成しない物質で構成されていることにある。

望ましくはこの物質は、ニッケル、銀、銅、アルミニウム、チタンのいずれかまたはそれらの合金であることを特徴とする。

上記構成によれば、電気伝導性の良好な銀電極を使用しかっこの銀電極はアルミニゥム電極で完全に覆われているため、マイグレーションによる短絡のおそれもない。

なお、上記構成において電極の形成は蒸.着法、厚膜印刷法等のドライプロセスで形成される。したがって、電極形成時に溶液等によりサ一ミスタ素体の表面および裏面の露出部の汚染による特性変化を引き起こすことなく、密着性が高く接触抵抗の小さい電極を形成することが可能となる。

上記第 1の構成によれば、正特性サーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成された銀層を含む第 1の電極層が形成され、前記第 1の電極層の表面および側面を覆うようにアルミニウム層からなる第 2の電極層が形成されているため、電気伝導性を良好に維持し、かつ、マイグレーションの発生を完全に防ぐことができる。望ましくは、第 2の電極層を、 5〜6 0 V o 1 %の導電性ホゥ素化合物とアルミ二ゥムとを含む厚膜印刷層で構成するようにすれば、電極の焼成工程において酸素がトラップされても導電性が低下しないため、サーミス夕素体に直接第 2の電極が接触する領域でも良好な電気的接触性を維持することができる。

本発明の第 2の構成によれば、サーミス夕素体の表面の大部分でコンタク卜を形成することができるため、よりコンタクト抵抗を小さくすることができる。また第 1および第 2の電極層の端縁部を第 3の電極層で覆っているため、サ一ミス夕素体のわれやクラックの発生がより低減される。

本発明の第 3の構成によれば、第 2の電極層全面ではなく一部を除いて端縁および側面を覆うように第 3の電極層が形成されており、この構成でも第一の構成と同様マイグレーションを防止することができる。

本発明の第 4の構成によれば、サ—ミスタ素体の表面全体が第 1の電極層で覆われその上層に第 2の電極層が形成されているため、第 1の構成と同様に、サーミスタ素体のわれやクラックの発生がより低減される。

本発明の第 5の構成によれば、端子と電極とが接触する点すなわち接点では、電圧がォンするたびに大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があり、 2 0 0 °C程度まで上昇することになる力;'、端子の少なくとも正特性サ一ミスタと接触する領域表面をアルミニゥムと 3 0 0 °C以下の合金を作らない材質で構成しているため、剥離もなく良好に維持することができる。望ましくは、この弾性端子は、アルミニウムとの合金の融点の高い物質である、ニッケル、銀、銅、アルミニゥム、チタンのいずれかまたはそれらの合金を表面層に用いる。図面の簡単な説明

図 1は、本発明の第 1の実施例のサーミス夕を示す図

図 2 ( a ) 、 ( b ) は、同サ一ミス夕の製造工程図

図 3は、本発明の第 2の実施例のサーミス夕を示す図

図 4は、従来例のサーミスタを示す図（比較例）

図 5は、従来例のサーミス夕を示す図（比較例）

図 6は、マイダレ一ション試験のためのテスト装置を示す図

図 7は、図 6に示す装置を用いて行ったマイグレーション試験の結果を示す図図 8は、低温断続負荷試験を行うためのテスト装置を示す図

図 9は、図 8に示す装置を用いて行った低温断続負荷試験の結果を示す図図 1 0は、サージ電流テストを行うためのテスト装置を示す図

図 1 1は、図 1 0に示す装置を用いて行ったサージ電流テストの結果を示す図図 1 2は、端子材質による低温断続負荷試験結果の依存性を測定するためのテスト装置を示す図

図 1 3は、図 1 2に示す装置を用いて行った低温断続負荷試験の結果を示す図図 1 4は、図 1 2に示す装置を用いた低温断続負荷試験による剥離の状態を示す図

図 1 5は、アルミニウムとニッケル、銀、錫との合金の融点を示す図図 1 6は、アルミニゥムー錫台金の組成と融点との関係を示す図

図 1 7は、銀一アルミニゥム合金の組成と融点との関係を示す図

図 1 8は、アルミニウム一ニッケルの組成と融点との関係とを示す図図 1 9は、端子構造の例を示す図

図 2 0は、素子抵抗と最大サージ電圧との関係を測定した結果を示す図図 2 1は、本発明の第 3の実施例のサーミス夕を示す図

図 2 2は、本発明の第 4の実施例のサーミス夕を示す図図 23 (a) 、（b) は、従来例のサーミス夕を示す図発明を実施するための最良の形態

以下、本発明の実施例について図面を参照しつつ詳細に説明する。

実施例 1

図 1は本発明の第 1の実施例の正特性サ—ミスタを示す図である。

この正特性サーミスタは、チタン酸バリゥムを主成分とするサ一ミスタ素体 1 と、外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上面と下面に印刷法で形成された銀—亜鉛（A g— Z n) 層からなる第 1の電極層 2 a、 2 bと、この第 1の電極層 2 a, 2 bを覆うように印刷法で形成された銀層（A g) からなる第 2の電極層 3 a、 3 bと、この第 2の電極層 3 a, 3 bを覆うように印刷法で形成されたアルミ二ゥム—ホウ化チタン（A 1 - T i B₂ ) 層からなる第 3の電極層 4 a、 4 bとから構成されている。各電極層の膜厚は約 1 ◦ とした。次に、この正特性サ一ミスタの製造工程について説明する。

図 2 (a) および（b) は、本発明実施例のサーミス夕の製造工程を示す工程図であ o

まず、図 2 (a) に示すように、 T i O。、 B a C 0₃ 、 N d ₂ 0。の粉末を所定の割合で混合し、 700°C〜1 000°Cの温度範囲にて、仮焼後、粉砕し、冷間プレス法によってディスク状に加圧成形した後、 1 30 CTCで焼結し、直径 4. 47 mmのディスク状のサーミスタ素体 1を形成する。

続いて、図 2 (b) に示すようにこのサーミスタ素体 1の端面（電極形成面）にスクリーン印刷法により順次第 1〜第 3の電極層を塗布する。ここではまず A g 一 Z nペーストを用いてスクリーン印刷を行い、 18 CTC 1 0分の乾燥工程の後、続いて A gペーストを用いてスクリ―ン印刷を行い、 180°C 1 0分の乾燥、最後に A 1 - T i B„ ペーストを用いてスクリーン印刷を行い、 180 °C 1 0分の乾燥後、 550°C 1 0分の焼成工程を経て形成する。

ここで A 1 — T i B₂ ペーストは、平均粒径約 5 m のアルミニゥム粉末と平均粒径 3 m の T i B„ セラミック粉末とを 7 ： 3の混台比で混台し、バインダを混ぜ、ペースト状にした後、粘度を調整したものである。この様にして得られたサーミス夕は、露結水中でイオン化しない A 1を主成分とする電極層が A gを含む電極層を完全に覆っているため、高温多湿環境下で長時間使用しても銀のマイグレーションを生じることなく、信頼性を維持することができる。そして、サーミス夕素体と電極との電気的接触性が良好である。

またアルミニウムはマイグレーションを生じないため、素子の主平面全面に電極を塗布することができる。したがって突入電流の素子への流れ方が均一となり、従来に比べサージ電流または電圧印加時のわれ ·かけが発生しにくい。

実施例 2

図 3は本発明の第 2の実施例の正特性サーミスタを示す図である。

この正特性サーミスタは、チタン酸バリゥムを主成分とするサーミスタ素体 1 と、その上面と下面に全体を覆うように、真空蒸着法で形成された膜厚 0 . 3〜 2 のニッケル（N i ) 層からなる第 1の電極層 2 m、 2 m ' と、その外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにスクリ一ン印刷法で形成された銀層 ( A g ) からなる第 2の電極層 3 a、 3 bとこの第 2の電極層 3 a， 3 bを覆うように印刷法で形成されたアルミニゥム—ホウ化チタン（A 1 — T i B ₂ ) 層からなる第 3の電極層 4 a、 4 bとから構成されている。第 2および第 3の各電極層の膜厚は約 1 ◦ m とした。

形成に際しては前記第 1の実施例と同様に形成する。

この様にして得られたサーミス夕も前記実施例 1と同様、前述した効果を奏効する。

比較のためにこの本発明の第 1および 2の実施例において用いたのと同様のサ一ミス夕素体 1の外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるように印刷法で順次積層した銀一亜鉛層からなる第 1の電極層 2 a , bと、銀層からなる第 2の電極層 3 a , bを形成した電極構造を比較例 1として形成した（図 4 ) 。

また、比較例 2として、実施例 2のサ一ミス夕の第 3の電極層を省略し、他は同様に形成した。（図 5 ) 。

次に、マイグレーション試験を行うべく、図 6に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度 1 2 0て、湿度 9 5 R H %中で、 2 5 0 Vの電圧を 3 0分ォン、 3 0分オフし、 1 0 0 0サイクル印加した。そしてテスト後素子側面を E P M A分析し、銀のマイグレーションを検出した。その結果を図 7に表で示す。この表からあきらかなように、本発明の実施例 1および 2の構造の場合いずれもマィグレ一シヨンはみられなかったのに対し、比蛟例 1および 2では僅かに側面に銀が検出された。

次に、低温断続負荷試験を行うべく、図 8に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度— 2 0 で、 2 5 0 Vの電圧を 1分オン、 5分オフし、 1 0 0 0 サイクル印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有無および抵抗の変化率を測定した。この結果を図 9に表で示す。この表から明らかなようにいずれの例もわれやかけはなく、抵抗変化率も一 2 . 6〜一 1 . 9 %程度であり、いずれも判定は〇であつた。

次に、サージ電流テストを行うべく、図 1 0に説明図を示すようなテスト装置を用い、環境温度— 2 0て中で電圧を 2 5 0 Vから 5 0 Vおきに順次大きくしながら印加し、テスト後の素子のわれ、かけの有無を調べたその結果を図 1 1に示す。この結果からわかるように、テスト終了後、素子のわれ、かけは皆無であつた。

次に、この実施例 1のサーミスタを図 1 2に示すような端子 1 0に実装し、端子材質を測定するために低温断続負荷試験を行った。ここで端子の表面材質が二ッケルや銀のめっき層で構成されている場合は図 1 3に表で示すように試験後電極の剥離はなかった。ただし半田や錫で端子が形成されている場合は端子接触部に剥離が生じた。ここで剥離とは、図 1 4に示すように端子 1 0との接触部に相当する電極面に剥離 Rが生じることをいう。低温断続負荷試験では、電圧が印加されるたびに大電流が流れることによる発熱があるため、局所的な温度上昇があり、アルミニウムと錫や半田が合金化したものと考えられる。この結果からも、端子表面に用いる材質としてはアルミニゥムと合金化しないニッケルや銀を用いるのが望ましいことがわかる。

なおアルミ二ゥムとニッケル、銀、錫との合金の融点を図 1 5に表で示す。また図 1 6乃至図 1 8にそれぞれアルミニウム一錫合金の組成と融点との関係、銀一アルミニゥム合金の組成と融点との関係を示す図および、アルミニウム一二ッゲルの組成と融点との関係とを示す。ところで、接点では電圧がオンするたびに大電流による発熱があるため、局所的に温度上昇があり、 2 0 0 °C程度まで上昇するため、安全をみこむと、アルミ二ゥムと 3 0 0て以下の合金を作らない材質を用いるようにするのが望ましい。また端子の構造としては図 1 9に示すように弾性端子あるいは中央端子の表面全体をニッケル、銅、銀、アルミニウムなどのめっき層で構成する全面めつき法と、正特性サ一ミス夕との接触領域のみ上述したような金属からなるめっき層で構成する部分めつき法とがある。また、通常用いられる錫からなる端子を用いァルミニゥム電極層の少なくとも端子と接する部分に錫と台金化しない層をさらに設けてもよい。

次に、前記第 1および第 2の実施例では、 A 1に T i B ₂ を添加した例について説明したが、 T i B ₂ の添加量を変化させ、素子抵抗とわれかけを生じない、最大サージ電圧との関係を測定した。その結果を図 2 0に表で示す。

この結果から明らかなように添加量は 5 vo 1 ¾；以上で効果が現れるが 7 0 vo 1 %以上では焼成が困難となる。これは T i B ₂ の添加によってサーミスタ素体とアルミニゥムとのォーミック接触性が向上するため、最大サージ電圧が向上すると考えられる。なお実施例 2で示した構造ではサーミスタ素体とのォ一ミック接触はニッケル電極で得られるため、 T i B„ の添加による最大サージ電圧への効果はほとんどみられなかった。

これらの比較からも本発明によれば比抵抗が安定で信頼性の高いサーミス夕を得ることができる。

次に本発明の第 3の実施例について説明する。

この正特性サ一ミスタは、図 2 1に示すように、チタン酸バリウムを主成分とするサーミスタ素体 1と、外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上面と下面に順次、印刷法で形成された銀—亜鉛（A g— Z n ) 層からなる第 1の電極層 2 a、 2 bと、銀層（A g ) からなる第 2の電極層 3 a、 3 bと、第 2の電極層の端縁部近傍からこれら第 1および第 2の電極層の側面を覆うように印刷法で形成されたアルミニウム一ホウ化チタン（A l — T i B。）層からなる第 3の電極層 4 a、 4 bとから構成されている。各電極層の膜厚は約 1 0 πι としこの構成によれば、第 1および第 2の電極層は同じパターン形状で積層されているため、正特性サーミスタ素体の両主表面をより多く第 ] の電極層と接触せしめることができ、コンタクト抵抗が低減される。また、第 2の電極層全体を覆うこと無く形成されるため、材料が少なくてすみコス卜の低減をはかることができ o

次に本発明の第 4の実施例について説明する。

この正特性サ一ミス夕は、図 2 2に示すように、チタン酸バリウムを主成分とするサ一ミスタ素体 1と、外周縁からやや入り込んだ位置に端縁がくるようにその上面と下面に、印刷法で形成された銀一亜鉛（A g— Z n ) 層からなる第 1の電極層 2 a、 2 bと、前記第 1の電極層を覆うように印刷法で形成された銀層

( A g ) からなる第 2の電極層 3 a、 3 bと、第 2の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように印刷法で形成されたアルミニウム一ホウ化チタン（A 1 — T i B ₉ ) 層からなる第 3の電極層 4 a、 4 bとから構成されている。各電極層の膜厚は約 1 0〃m とした。

この構成によっても、安価で信頼性の高い正特性サ一ミスタを得ることができ o

なお本発明においてアルミニゥム層とは、純アルミ二ゥムに限定されること無く、アルミニウムを主成分とする層をいうものとする。産業上の利用可能性

以上説明してきたように、本発明によれば、マイグレーションによる短絡のおそれもなく、組み立てが容易で特性の安定な正特性サーミスタを得ることができ

Claims

請求の範囲

( 1 ) 正特性サ一ミス夕素体と、

前記正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サーミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単層または複数層の第 1の電極層と、

前記第 1の電極層の表面および側面を覆うように形成された主成分をアルミ二ゥムとする層からなる第 2の電極層とを具備したことを特徴とする正特性サーミス夕。

( 2 ) 前記第 2の電極層は、 5 ~ 6 0 V o 1 %の導電性ホウ素化台物とアルミニゥムとを含む厚膜印刷層で構成されていることを特徴とする請求の範囲 1に記載の正特性サーミスタ。

( 3 ) 正特性サ一ミスタ素体と、

前記第 1の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形成された主成分をアルミニゥムとする層からなる第 2の電極層とを具備したことを特徴とする正特性サ一ミスタ。

( 4 ) 前記第 2の電極層は、 5〜6 0 V o 1 %の導電性ホウ素化合物とアルミニゥムとを含む厚膜印刷層で構成されていることを特徴とする請求の範囲 3に記載の正特性サーミス夕。

( 5 ) 正特性サーミスタ素体と、

前記正特性サーミスタ素体の両主表面に、前記正特性サ—ミスタ素体の外周縁よりも内側に端部がくるように形成され、銀層を含む単層または複数層の第 1の電極層と、

前記第 1の電極層の表面および側面を覆うように形成された銀を主成分とする第 2の電極層と、

前記第 2の電極層の端縁部近傍から側面を覆うように形成された主成分をアルミニゥムとする層からなる第 3の電極層とを具備したことを特徴とする正特性サ一ミス夕。

( 6 ) 前記第 3の電極層は、 5 ~ 6 0 V o 1 %の導電性ホウ素化合物とアルミ二ゥムとを含む厚膜印刷層で構成されていることを特徴とする請求の範囲 5に記載の正特性サーミス夕。

( 7 ) 正特性サ一ミスタ素体と、

前記正特性サーミスタ素体の両主表面に形成された第 1の電極層と、前記第 1の電極層の端縁よりも内側に端縁部がくるように形成された銀を主成分とする第 2の電極層と、

前記第 2の電極層を覆うように形成された主成分をアルミニウムとする層からなる第 3の電極層とを具備したことを特徴とする正特性サーミスタ。

( 8 ) 前記第 3の電極層は、 5〜6 0 V o 1 %の導電性ホウ素化合物とアルミ二ゥムとを含む厚膜印刷層で構成されていることを特徴とする請求の範囲 7に記載の正特性サーミス夕。

( 9 ) 正特性サ一ミス夕素体と、

前記正特性サーミスタ素体の両主表面に形成され、最外層がアルミニゥム層あるいは、 5 ~ 6 O vol %の導電性ホウ素化合物とアルミニゥムとを含む層で構成された電極とからなる正特性サ一ミス夕と

前記正特性サーミスタを挟持する端子とから構成され、

少なくとも前記端子の前記正特性サ一ミス夕と接触する領域がアルミニウムに対し融点 3 0 0 °C以下の合金を形成しない物質で構成されていることを特徴とするサ一ミスタ装置。

( 1 0 ) 前記物質は、ニッケル、銀、銅、アルミニウム、チタンまたはそれらの 2つ以上の合金のいずれかであることを特徴とする請求の範囲 9記載のサーミス夕装置。