WO1989001713A1 - Metal vapor laser - Google Patents
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- H01S3/03—Constructional details of gas laser discharge tubes
- H01S3/031—Metal vapour lasers, e.g. metal vapour generation
Definitions
- the present invention relates to a metal vapor laser device, and more particularly to a metal vapor laser device that heats, vaporizes and excites a metal by gas discharge to obtain a laser output.
- FIG. 2 is a diagram illustrating a configuration of a device.
- reference numeral 100 denotes a discharge tube, and a pair of electrodes 1 and 1 facing each other for generating a gas discharge; an inner tube 2 on which particles 3 are disposed; an outer tube 4 where the particles 3 are arranged; A heat insulating layer 5 for preventing heat of the discharge generated in 1, 1 from escaping, a window 6 for taking out a laser beam provided on the pair of electrodes 1, 1 side, and an intermediate portion of the outer cylinder 4 It consists of an insulating break7.
- Reference numeral 200 denotes a pulse circuit, which includes a charging capacitor 8 connected to the outer tube 4 of the discharge tube 100 via a connection line a, a charging reactor 9 connected in series with the charging capacitor 8, and an anode.
- Diode 10 connected to one end of high-voltage power supply 11 and cathode connected to charging reactor 9; connected to connection between charging reactor 9 and charging capacitor 8 site La collected by filtration down 1 2 that, consist charging resistor 1 4 connected in parallel with the charging capacitor 8 Have been.
- the other end of the high-voltage power supply 11 is connected to the outer cylinder 4 via a connection line b.
- Et al is, the pulse control circuit 1 3 is connected to the site La. Collected by filtration of emission I 2 grid.
- the conventional metal vapor laser device is configured as described above, and the high-voltage power supply 11 charges the charging capacitor 8 to the charging capacitor 8 through the diode 10, the charging reactor 9, and the charging resistor I 4. .
- the silatron 12 is driven and turned on by the pulse control circuit I 3 , the high voltage charged in the charging capacitor 8 is applied to the pair of electrodes 1, 1 facing each other through the outer cylinder 4. Then, a gas discharge is formed in the inner tube 2. Since the heat energy of the discharge formed in the inner tube 2 is held by the heat insulating layer 5, the temperature of the inner tube 2 becomes
- the time to relax from the lower level to the ground level is very long, several hundred ⁇ sec, so the next pulse is applied after the relaxation is completed. Then, the pulse repetition rate decreases, and if the pulse repetition rate increases, the number of lower levels at the time of pulse application increases, so that the population inversion becomes incomplete and the efficiency of the steam laser decreases. there were.
- the conventional pulse laser device is formed as described above, if the reactor 2 is reduced or the discharge load fluctuates in order to increase the repetition frequency to several KHz, If the voltage of the charging capacitor 3 exceeds the holding voltage of the thyratron 7 before the thyratron 7 recovers, the thyratron 7 cannot be turned off. However, a short-circuit current flows from the high-voltage DC power supply 1 to the silatron 7, causing the high-voltage DC power supply 1 to be cut off, thereby significantly reducing the reliability of the pulse laser.
- the object of the present invention has been made to solve such a problem, so that the reliability is remarkably improved and the relaxation from the lower level to the ground level is promoted between each pulse. To make the population inversion at the next pulse more complete. Accordingly, an object is to obtain a metal vapor laser device having high efficiency even when the number of pulse repetitions is high.
- a metal vapor laser device is provided with a first pulse circuit for generating a first pulse voltage for causing laser oscillation, and provided separately from the first pulse circuit. And a second pulse circuit for generating a second pulse voltage delayed by a predetermined time.
- the lower-level atom and slow electrons Elastic collisions occur strongly, and as a result, the relaxation of lower-level atoms is promoted, and the population inversion becomes more complete when Norska is applied from the thyratron pulse circuit force. Even at high repetition rates, laser efficiency does not decrease.
- FIG. 1 is a configuration diagram of a conventional metal vapor laser device
- FIG. 2 is a configuration diagram of a metal vapor laser device according to an embodiment of the present invention
- FIG. 3 is a diagram of a second pulse generation circuit 16 in FIG. 4 is a circuit diagram
- FIG. 4 is a timing chart showing a voltage applied to the discharge tube 100 in FIG. 2, a timing chart showing waveforms of various parts
- FIG. 5 is a drawing in FIG. 1 is a circuit diagram of the pulse generating circuit 200
- FIG. 6 is a time chart showing waveforms of respective parts in FIG. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
- FIG. 2 is a block diagram showing the configuration of the copper vapor laser device according to one embodiment of the present invention.
- the discharge tube 100 pulse control circuit 13 is the same as the conventional one.
- Reference numeral 200 denotes a first pulse circuit, which corresponds to the pulse circuit 200 in FIG. 15
- the delay circuit receives a signal from its input side connected to the pulse control circuit I 3 pulse control circuit I 3, delaying it by a predetermined time. 1 6 in the second pulse circuit, while being connected in parallel with the first pulse circuit 200, is connected to the output side of the delay times. ⁇ I 5.
- the output side of the second pulse circuit 16 is connected to the discharge tube 100, and receives a signal from the delay circuit 15 to apply a voltage to the discharge tube 100.
- FIG. 3 is a diagram showing a detailed circuit of the second pulse circuit IS of FIG.
- a connection line a is connected to one end of a primary side of a pulse transformer 22 having a turn ratio of n: 1 through a filter reactor 24, and a connection line b is connected to the above-described pulse trans- former. 22 is connected to the other end of the primary side.
- the filter capacitor 23 is connected in parallel with the filter reactor 24, and is protected by the filter capacitor 23 and the filter reactor 24. Circuit 26 is formed.
- One end of the primary side of the pulse transformer is connected to the positive side of the DC power supply 18 through a diode 20 of opposite polarity and a pulse charging reactor 19, and a capacitor 17 Self-extinguishing type switch
- the other end of the secondary side of the pulse transformer 22 is connected to the other end of the self-extinguishing type switch 25 via the pulse reactor 21.
- the negative pole of the DC power supply IS is connected to one end of the self-extinguishing switch 25 .
- the connection line C is connected to the self-extinguishing type switch 25 .
- FIG. 4 is a diagram showing a timing chart representing a furnace pressure applied to the discharge tube 100 according to one embodiment of the present invention.
- the apparatus yo is urchin configuration described above, receives the output signal outputted from the pulse control circuit 13, after a delay circuit 1 5 is delayed it for a predetermined time, the second pulse circuit 16 Give a signal.
- the second pulse circuit IS which has received a signal from the delay circuit I 5 is to conduct self-extinguishing type scan I pitch 25, applying a pulse to the discharge tube 100, and a pulse from a DC power source 18 shown in FIG. 3
- the pulse reactor 17 is charged with a DC voltage through the charging reactor 19 and the diode 20.
- Fig. 4 shows the voltage Vab applied to the connection line Shown for: At time to, a pulse voltage is applied to the discharge tube 100 from the pulse circuit 200 of ⁇ 1, and the laser oscillation is examined.
- the pulse Hettsui pressure is applied from the second Pulse circuit 16. Do it with a certain repetition.
- the filter reactor 24 and the filter capacitor 23 act to block the voltage from the first pulse circuit 200 and transmit the voltage from the second pulse circuit 16. It is a kind of pass-through filter.
- Voltage pulse width of the second Nono 0 pulse generating circuit 16 Power et al ⁇ is Ri Kima in capacitance C x of the y emission duct motor Nsu LX and Nono 0 Luz for co Nden support 17 of Nono 0 Luz for Li A-vector 21 ,
- the lower level atoms are relaxed to the ground level by superelastic collision between the lower level and the low-speed oven when the diameter of the inner tube 2 is large. That is,
- Cu is the ground level atom
- the voltage applied from the second pulse circuit IS is a low voltage that does not excite the copper ions to the upper level, the collision between the electrons and the copper atoms becomes severe due to the acceleration of the furnace. As a result, hyperelastic collisions between the lower level atoms and the electrons become active, thereby promoting the lower level relaxation.
- the voltage stored in the pulse capacitor 17 is applied to the discharge tube 100, but the DC power supply IS may be directly chopped.
- the self-extinguishing type switch 25 is used. However, even if it is not a non-self-extinguishing type switch, there is no groove as long as the switch can be turned off.
- FIG. 5 shows an embodiment of the first pulse circuit 200 in the embodiment of the present invention shown in FIG.
- 27 is an inverter
- 28 is a boosting transformer for boosting the output voltage from the inverter
- 29 is a first transformer connected to one end of the secondary side of this boosting transformer 28.
- Reference numeral 30 denotes a first capacitor connected to one end on the secondary side of the step-up transformer 28 via the first reactor 29, and the first capacitor 30 and the first capacitor 30 are connected to each other.
- the high voltage power supply 11 is constituted by the reactor 29 of FIG. 1, the step-up transformer 28 and the inverter 27.
- Reference numeral 31 denotes a first diode connected in parallel to the high-voltage power supply 11, and 32 denotes a second reactor connected to one end of the high-voltage power supply II, and an inductance of the first reactor 29 described above.
- the value shall be / of the inductance value of the second reactive solenoid 32.
- 33 this A second diode connected in series to the high-voltage power supply 11 via a second reactor 32 of the second type, and the cathode of the second diode 33 is connected to a second charging capacitor 34 via a second charging capacitor 34 .
- One end of the laser discharge tube 100 is connected.
- the capacity of the second capacitor 34 is set to I / 2 of the capacity of the capacitor 30 of 1.
- Reference numeral 35 denotes a silatron as a non-self-erasing switch connected in parallel to the high-voltage power supply 11, and 36 denotes a resistor connected in parallel to the laser discharge tube 100. The other end is connected to the other end of the high voltage power supply 11.
- FIG. 6 is a Thailand Mucha bets of each portion of the waveform of Figure 5.
- Time t 0 in I Nba Ichita 27 turns and generates a Yo I Do output of FIG. 6 (a)
- the first Daio in the first re ⁇ -vector 29 and the first capacitor 30 Voltage is applied through the gate 31, and a sinusoidal current flows as shown in Fig. 6 (b).
- the time Ru voltage of the first capacitor 30 is charged up to twice the secondary voltage V K of the booster ⁇ preparative lance 28.
- the polarity of the inverter 27 is reversed after the time t !, the first diode 31 is turned off, and the first reactor 29, the second reactor 32, the second diode 33, .
- the second charging co down capacitor 34 and the laser discharge tube 100 and the resistor 3 6 and parallel: 1 passage on the secondary side voltage V of the boosting preparative lance 28 (in this case 1 ⁇ 4 VK) and the first The 2V K voltage stored in the capacitor 30 is applied.
- the electric charge stored in the first capacitor 30 is divided into the first and second reactors 29 and 32 and the first and second reactors.
- the second charging capacitor 34 is charged through the resistor 36 according to the resonance waveform determined by the capacitors 30 and S4.
- V 0 is boosted up to four times V K. If set to or L r twice the L 2, ⁇ 2 when a half the resonance period is equal to the time I, the positive. Negative applied Toki ⁇ equals the step-up transformer 28 of the inverter 27 If V 0 is boosted to 4 V K at c time t 3 polarized never be, Sai La intoxicated 35 is turned on, the stored electrodeposition load to the second charging capacitor 34 is discharged laser It will be supplied to tube 100. Site La collected by filtration down 35 T 3 has elapsed after I converter 27 again operates on, the same operation is repeated hereinafter. Here time T 3 is the parameter which determines the actual repetition period.
- Maximum repetition frequency of the present system for example T 3 as zero In general, the recovery time of the silatron 35 is 10 to 20 ⁇ sec even for a large one, but if Ti is set to 10 to 20 sec or more, The recovery time can be secured, and the repetition frequency can be increased to several lOKHz.
- the charging voltage of the second capacitor 34 can be increased up to four times the output voltage v K of the step-up transformer 28 by utilizing the resonance between the reactor and the capacitor.
- K is only half of the output of the conventional high-voltage DC power supply, so that the boosting transformer 28 can be easily insulated, the boosting transformer 28 can be reduced in size, and the entire high-voltage power supply 11 can also be reduced.
- the charging capacitor voltage is usually about 10 to 20 KV, which is twice the power supply voltage Vo, so the power supply voltage V0 also needs to be about 5 to 10 KV.
- the DC power supply became larger and the entire device became larger, but the charging voltage could be increased up to four times. Therefore, the device can be downsized.
- the inverter 10 basically operates in a current resonance type, the switching of the inverter 10 is reduced, and the inverter 10 can be reduced in size.
- the boosting transformer driven by the high-voltage power supply by the inverter, the first reactor, and the first capacitor It is configured to perform double voltage rectification with a diode.
- the non-self-erasing type switch can secure the time g, and the reliability is significantly improved.
- the first reactor and the second reactor are installed on the secondary side of the boosting transformer. Even if it is installed on the next side, the same effects as in the above embodiment can be obtained.
- a thyristor may be used, and the same effect as that of the above-mentioned santan embodiment can be obtained.
- the second pulse circuit is provided separately from the first pulse circuit, and after the pulse voltage is applied from the first pulse circuit, the second pulse circuit is delayed for a predetermined time and the second pulse circuit is provided. Since the pulse voltage is applied again from, the time for the lower-level atoms to relax to the ground level is reduced, and as a result, when the next pulse is applied from the first pulse circuit, the population inversion increases.
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Description
明 細 書
金属蒸気レーザ装置
技術分野
この発明は、 金属蒸気レーザ装置、 特にガス放電によ つて金属を加熱、 気化および励起させてレーザ出力を得 る金属蒸気レーザ装置に関する ものである。
技 ' J
第 1図は、 例えば 「レーザー研究」 、 昭和5 6年 3 月号、 第 60頁〜第6 6頁に記載されている 「銅蒸気レーザーの製 作」 に示されている従来の鋦蒸気レーザ装置の構成を示 す図である。 図において、 100 は放電管で、 ガス放電を 生じさせるための対向する一対の電極 1 , 1、 鋦蒸気を 発生する鋦粒子 3が配置された内管 2、 外筒 4 、 上記一 対の電極 1 , 1 で生じた放電の熱の逃げを防ぐ断熱層 5、 上記一対の電極 1 , 1側に設け られている レーザ光を取 り出す窓 6、 上記外筒 4の中間部に設けられている絶縁 ブレイ ク 7から構成されている。 200 はパルス回路で、 放電管 100 の外筒 4 と接続線 a を介して接続される充電 用コ ンデンサ 8 、 この充電用コ ンデンサ 8 と直列に接続 される充電用 リ アク トル 9、 陽極が高圧電源 1 1の一端と 接続され、 陰極が充電用 リ アク トル 9 と接続されるダイ オー ド 1 0、 上記充電用 リ ア ク ト ル 9 と充電用コ ンデンサ 8 との接続部に接続されるサイ ラ ト ロ ン 1 2、 上記充電用 コ ンデンサ 8 と並列に接続される充電用抵抗 1 4から構成
されている。 また、 高圧電源 1 1の他端は接続線 b を介し て外筒 4 と接続されている。 さ らに、 サイ ラ. ト ロ ン I2の グリ ッ ドにはパルス制御回路 1 3が接続されている。
従来の金属蒸気レーザ装置は上記のよ うに構成され、 高圧電源 11から ダイォー ド 1 0および充電用 リ アク トル 9 及び充電用抵抗 I 4を通じて充竃用コ ンデンサ 8 に高圧電 圧が充電される。 次に、 パルス制御回路 I 3によってサイ ラ ト ロ ン 1 2が駆動されてオンする と、 充電用コンデンサ 8 に充電された高圧電圧は外筒 4 を通じて対向する一対 の電極 1 , 1 に印加され、 内管 2の中にガス放電を形成 する。 この内管 2 の中に形成された放電の熱エネルギー は断熱層 5 によって保持されるため、 内管 2 の温度は
1 5 0 0 °G程度の高温に上昇し、 鋦粒子 3 を蒸気にすると 共に内管 2 の中に鋦蒸気を充満させる。 対向する一対の 電極 1 , 1 によって形成されたガス放電によ り放電ブラ ズマの電子を加速し、 さ らに電子は内管 2の中に充満さ れた鋦騍子に衝突すると共に、 鋦原子の原子レベルを第 —共鳴準位である上準位に励起し、 準安定準位である下 準位へ励起される数は少ないため、 反転分布が形成され る 。 上準位にある鋦原子はレーザ発振を伴って下準位に 落ち、 さ らに下準位から基底準位にゆつく り と緩和する。 以上の動作を数 K H zで繰り返す。 レーザ光は窓 6 を通 して取り 出す。 また、 絶縁ブ レ イ ク 7は、 上記高圧電圧 を絶縁する。 ―
下準位から基底準位への緩和は内管 2の口径が小さい 場合は、 内管 2の壁と励起原子との衝突で行われ、 内管 2の口径が大きい場合は、 下準位原子と低速電子との超 弾性衝突にて行われ、 その寿命は数百 " s e c と長い。
上記のよ うな従来の鋦蒸気レーザ装《では、 下準位か ら基底準位に緩和する時間が数百 ^ s e c と非常に長いの で、 緩和が終了するのを待って次のパルスを印加すると パルス繰り返し数が小さ く な り、 またパルス繰り返し数 を高く するとパルス印加時の下準位の数が多く なるため 反転分布が不完全とな り鋦蒸気レーザの効率が低下する という問題点があった。
また、 従来のパルス レーザ装置は以上のよ う に搆成さ れているので、 繰り返し周波数を数 K H z まで上げるた めに リ アク ト ル 2 を小さ く した り、 放電負荷が変動した りすると、 サイ ラ ト ロ ン 7が回復する前に充電用 コ ン デ ンサ 3の電圧がサイ ラ ト ロ ン 7の保持電圧を越えてしま つてサイ ラ ト ロ ン 7が非導通とな り得ず、 高圧直流電源 1 からサイラ ト ロ ン 7 に短絡電流が流れて、 高圧直流電 源 1 を遮断させ、 パルス レーザの信頼性を著し く低下さ せるという問題点があった。
従って、 この発明の目的は、 かかる問題点を解決する ためになされた も ので 、 信頼性を著しく 向上させる と共 に、 各パルス の間で、 下準位から基底準位への緩和を促 進さ せ、 次のパルスでの反転分布をよ り完全な ものとす
ることで、 パルス ^り返し数が高い場合でも効率が高い 金属蒸気レーザ装 Λを得る ことを目的とする。
発明の開示
この発明に係る金属蒸気レーザ装置は、 レーザ発振を させる第 1のパル ス電圧を発生する第 1 のパルス回路と、 この第 1 のパルス回路とは別に設けられ、 前記第 1 のパ ルス電圧を所定時間遅延させた第 2 のパルス電圧を発生 する第 2 のパルス回路とを備えた ものである。
この発明においては、 第 1 のパルス回路から供給され る パルス と ノヽ0ルス と の間に第- 2 の パルス回路か ら発生さ れるパルス電圧を印加し、 下準位原子と低速電子との超 弾性衝突を強性的に生じさせ、 その結果、 下準位原子の 緩和が促進され、 サイ ラ ト ロ ンパルス回路力 > ら ノ ルスカ 印加される場合に反転分布がよ り完全なも のとなり 、 高 い繰り返しにおいても レーザ効率の低下を招かない。
図面の簡単な説明
第 1 図は従来の金属蒸気レーザ装置の構成図、 第 2図 は この発明の一実施例による金属蒸気レーザ装置の構成 図、 第 3 図は第 2 図の第 2のパルス発生回路 1 6の回路図、 第 4図は第 2図の放電管 100 に印加される電圧を示すタ ィ ムチ ャ ー ト 、 各部の波形を示すタ イ ム チ ャ ー ト 、 第 5 図は第 2図の第 1 のパルス発生回路 200 の回路図、 第 6 図は第 5図の各部の波形を示すタイ ム チヤー トである。 発明を実施するための最良の形態
この発明をよ り詳細に理解させるため、 以下、 添付図 面に従って説明する。
第 2 図は こ の発明の一実施例による銅蒸気レーザ装置 の構成を示すブ ロ ッ ク図である。 図において、 放電管 100 パル ス制御回路 13は、 従来のものと同様である。 200は 第 1 のパルス回路で、 ^ 1 図のパルス回路 200 に相当す る。 15は遅延回路で、 その入力側がパルス制御回路 I3に 接続されパルス制御回路 I3からの信号を受けて、 これを 所定時間だけ遅延させる 。 16は第 2のパルス回路で、 第 1 のパルス回路 200 と並列接続される と共に、 上記遅延 回.珞 I5の出力側に接続されている。 上記第 2 のパルス回 路 16は、 その出力側が放電管 100 と接続され、 遅延回路 15からの信号を受けて放電管 100に電圧を印加する。
第 3 図は第 2 図の第 2 のパルス回路 ISの詳細回路を示 す図である。 図において、 接続線 a はフ ィ ル タ リ アク ト ル 24を介して巻線比 n : 1 のパルス ト ラ ンス 22の一次側 の一端と接続される と共に接続線 bは上記のパルス トラ ンス 22の一次側の他端と接続されている。 フ ィ ル タ コ ン デンサ 23は フ ィ ル タ リ ア ク ト ル 24と並列に接続され、 こ の フ イ ソレ タ コ ン デンサ 23と フ ィ ル タ リ ァ ク ト フレ 24とで保 護回路 26を構成している。 上記パルス ト ラ ンス の.一次側 の一端は、 逆極性のダイ ォー ド 20およびパルス充電リ ァ ク ト ル 19を介して直流電源 18の正極側と接続される共に ノ ルス用コ ンデンサ 17を介して自己消弧型スィ ツチ 25の
一端と接読され、 上記パルス ト ラ ンス22の二次側の他端 は、 パル ス用リ アク ト ル 21を介して上記自己消弧型ス ィ ツチ 25の他端と接^されている。 ま 、 直流電源 ISの負 極側は自己消弧型ス ィ ツチ25の一端と接続されている。 さ ら に、 接続線 Cは上記自己消弧型ス ィ ツチ25と接続さ れている。
第 4 図はこの発明の一実施例による放電管 100に印加 される竃圧を表すタ イ ムチヤ一 トを示す図である。
次に動作を説明する。 上記のよ うに構成された鋦蒸気 レ一ザ装置において、 パルス制御回路 13から出力された 出力信号を受けて、 遅延回路 15が所定の時間だけこれを 遅延し 後、 第 2 のパルス回路 16に信号を与える。 遅延 回路 I5から信号を受けた第 2 のパルス回路 ISは、 自己消 弧型ス ィ ッチ 25を導通し、 放電管 100 にパルスを印加し、 そして第 3 図に示す直流電源 18からパルス充電リ アク 卜 ル 19、 ダイ ォー ド 20を通してパルス用コ ンデンサ 17に直 流電圧を充電する。 即ち、 これを更に詳し く説明する と、 遅延回路 15の信号を受けて自己消弧型スィ ッチ 25が導通 する と 、 パルス用コ ンデンサ 17に蓄えられてた電圧は、 パルス ト ラ ンス 22、 ノヽ。 ノレス用 リ ア ク ト ゾレ 21に印カロされる。 パルス ト ランス 22の二次側には、 一次側に対し n倍の電 圧が発生し、 フ ィ ルタ コ ンデンサ 23、 フ ィ ゾレタ リ ァ ク ト ル 24を通して放電管 100にパル ス電圧が印加される。 第 4図に、 接続線 a - b閭に印加される電圧 Vabを時間に
対して示す。 時刻 t oにおいて、 ^ 1 のパルス回絡 200 か らパルス電圧が放電管 100 に印加されレーザ発振を Ϊ尋る。 時刻 t0から所定時間 て だけ遅延され、 第 2 のパ ル ス回路 16からパルス竃圧が印加される。 それを一定の繰り返し で行う 。 フ ィ ルタ リ ア ク トル 24、 フ ィ ルタ コ ンデンサ 23 は第 1 のパルス回路 200 らの電圧に対しては阻止する よ うに働き、 第- 2のパルス回路 16からの電圧に対しては 伝達する よ う な 口一パス フ ィ ルタ と なつ Tい る。 第 2 の ノヽ0ルス発生回路 16力 らの電圧パルス幅 Τχ は、 ノヽ0ルス用 リ ア ク トル 21のイ ン ダク タ ンス L X と ノヽ0ルス用 コ ンデン サ 17の容量 Cx で決ま り 、
- T = π Lx · し x
となる。 電圧パルス幅 Tx の大き さは、 第 1 のパルス発 生回路 200 から出力される電圧パル スの幅よ り大き く な つている。
銅蒸気レーザ装置において、 下準位原子の基底準位へ の緩和は、 内管 2 の口径が大きい場合は下準位と低速竃 子との超弾性衝突によって行われる。 つま り 、
Cu + e (Si0w)→Cu + e(fas t)
こ こで、 Cu は下準位原子
Cu は基底準位原子
e(siow)は低速電子
e(fast) / ¾速 ¾
となる。
第 2 のパルス回路 ISから印加される電圧は、 銅 子を 上準位に励起しない低い電圧であるが、 竃子の加速は行 われる め電子と銅原子との衝突は激しく なる。 その結 果、 下準位原子と電子との超弾性衝突が活発になり 、 よ つて下準位の緩和が促進される。
なお、 上記実施例ではパルス用コ ンデンサ 17に蓄えら れた電圧を放電管 100 に印加したが直流電源 ISを直接チ ョッピングしても よい。
また、 上記実施例では自己消弧型スィ ツチ 25を用いた が非自己消弧型スィ ッチでなく て も スィ ッチのオフ状態 が得られれば溝わない。
次に、 第 5図は、 第 2図のこの発明の実^例における 第 1 のパルス回路 200 の一実施例を示すも のである。
図に於て、 27はィ ンバータ、 28はィ ンバータ 27よ り の 出力電圧を昇圧する昇圧用 卜 ラ ンス、 29はこの昇圧用 ト ランス 28の二次側の一端に接続された第 1 の リ アタ ト ル、 30は第 1 のリ アク トル 29を介して昇圧用 ト ラ ンス 28の 2 次側の一端に接^された第 1 のコ ンデンサで、 この第 1 の コ ンデンサ 30、 第 1 の リ ア ク ト ル 29、 昇圧用 ト ラ ンス 28およびィ ンバータ 27によ り高圧電源 11が構成される。
31はこの高圧電源 11に並列接続された第 1 のダイオー ド、 32は高圧電源 I Iの一端に接続された第 2 の リ アク トルで、 上記第 1 の リ ァク トル29の ィ ンダク タ ンス値は第 2 の リ ァク ト ゾレ 32のイ ンダク タ ン ス値の 1 / 2 とする。 33はこ
の第 2 の リ アク トル 32を介して高圧電源 11に直列に接続 された第 2 のダイ オー ドで、 この第 2 のダイ オー ド 33の 陰極には第 2の充電用コ ンデンサ34を介してレーザ用放 電管 100 の一端が接続されている。 そして、 上記第 2 の コ ンデンサ 34の容量は 1 のコ ンデンサ 30の容量の I/2 とする。 35は高圧電源 11に並列に接続された非自己消去 型ス ィ ッチと してのサイ ラ ト ロ ン、 36は レーザ用放電管 100 に並列接続された抵抗で、 レーザ用放電管 100 の他 端は高圧電源 11の他端に接続されている。
次に動作について説明する。 第 6 図は第 5 図の各部の 波形のタ イ ムチャー トである。 時刻 t0にィ ンバ一タ 27が オンし、 第 6 図(a)のよ う な出力を発生する と、 第 1 の リ ァク トル 29と第 1 のコ ンデンサ 30とに第 1 のダイォー ド 31を通して電圧が印加され、 ^ 6 図(b)のよ うな正弦波の 電流 が流れる。 時刻 には第 1 の コ ンデンサ 30の電圧 は昇圧^ ト ラ ンス 28の 2次側電圧 VKの 2倍まで充電され る。 時刻 t!後にイ ンバータ 27の極性が反転する と、 第 1 のダイ オー ド 31はオフ し、 第 1 の リ アク ト ル 29、 第 2 の リ アク トル 32、 第 2 のダイ オー ド 33、 第 2 の充電用 コ ン デンサ 34および レーザ用放電管 100 と抵抗3.6との並列: 1 路に昇圧用 ト ラ ンス 28の 2次側電圧 V ( この場合は ¼ = VK )および第 1 のコ ンデンサ 30に蓄えられた 2VK電圧力 印加される。 第 1 のコ ンデンサ 30に蓄えられた電荷は第 1 および第 2 の リ アク トル 29 , 32 と、 第 1 およ び第 2 の
コンデンサ 3 0 , S 4とによって決まる共振波形に従って抵 抗 36を通して第 6 図(c)のよ うに第 2の充電用コ ンデンサ 34に充電される。 こ こで第 1 の コ ンデンサ 30の容量を d, 第 2 の充電用コ ンデンサ 3 4の容量を C2、 第 1 の リ ア ク ト ル 29、 第 2 の リ ア ク トル 3 2のイ ンダク タ ンス値をそれぞ れ , とすれば、 t 3時の V0は d C2
C! + C2
Vo = 4 VK
とな り 、 V0は VK の 4倍まで昇圧されることになる。 ま た Lrを L2の 2倍に設定していれば、 共振周期の半分の時 閭丁2は時間 Ί と等しく なり 、 イ ンバータ 27の正 . 負印加 時閭は等しく なり昇圧トランス 28が偏 する ことはない c 時刻 t3にて V0が 4VKまで昇圧されると、 サイ ラ トロ ン 35がオンし、 第 2の充電用コ ンデンサ 34に蓄えられた電 荷はレーザ用放電管 100 に供給されることになる。 サイ ラ ト ロ ン 35がオンして T3経過後再びィ ンバータ 27が動作 し、 以下同様の動作を繰り返す。 ここで時間 Τ3は実際の 繰り返し周期を決定するパラ メータとなる。 また、 Τ3の 期間と Ί の期間ではサイ ラ ト ロ ン3 5は零バイァス状態で あり 、 Ί と Τ3によ り サイラ ト 口 ン 35の回復時間は確保で きる。 例えば Τ3を零として本方式の最大繰り返し周波数
を得た場合でも 、 一般的にサイ ラ ト ロ ン35の回復時間は 大型のも のでも 10〜20 ^sec であ る 力ゝ ら 、 Tiを 10〜20 sec 以上に設定しておけば、 回復時間は確保でき、 こ のと き繰り返し周波数は数 lOKHzまで上げる こ とができ る
また、 昇圧用 トランス 28の出力電圧 vKに対して第 2 の コ ンデンサ 34の充電電圧を リ ァ ク ト ル と コ ンデンサ との 共振を利用して 4倍まで上げる ことができ るため、 VK が従来の高圧直流電源の出力の半分で済み、 昇圧用 トラ ンス 28の絶縁が容易とな り 、 昇圧 ト ラ ンス 28が小型にな ると共に高圧電源 11全体も小さ く なる。 すなわち、 充電 用コ ンデンサ電圧は通常 2倍の電源電圧 Voとなる 10〜20 KV 程度であるから電源電圧 V0も 5〜10KV程度必要であ り、 絶縁設計等の問題から、 従来の高圧直流電源が大型 になると と もに装置全体が大き く なるという問題点があ つたが充電電圧を 4 倍まで上げる こ とができたため、 絶 緣対策から大型化していた高圧電源を小型化でき、 よつ て装置も小型化でき る。 またィ ンバータ 10は基本的に電 流共振型で動作するため、 ィ ンバータ 10のス ィ ツチ ン グ スが少なく な り 、 イ ンバータ 10も小さ く で き る。
以上のよ うに、 この発明の実施例による 1 のパルス 回路 200 によれば、 高圧電源をイ ン バータで駆動される 昇圧用 ト ラ ンス と第 1 の リ アク ト ルと第 1 の コ ンデンサ と ダイ オー ドとによ り倍電圧整流するよ う に構成したの
で、 非自己消去型ス ィ ツチの回 g時閭を確保でき信頼性 が著しく 向上するという効果がある 。
なお上記第 1 のパルス回路 200 の実施例では、 第 1 の リ アク ト ルおよび第 2 リ アク ト ルを昇圧用 ト ラ ンス の 2 次側に設置させたが、 昇圧用 ト ラ ンス の 1 次側に設置さ せて も 、 上記実施例と同様の効果を奏する。
また、 上記実施例では非自己消去型ス ィ ッ チと してサ イ ラ ト ロ ンを用いて説明したが、 サイ リ スタであっても よく 、 上記奐施例と同様の効果を奏する。
この発明は以上説明したとおり 、 第 1 のパルス回路と 別に第 2 のパルス回路を設け、 第 1 のパルス回路からパ ルス電圧が印加された後、 所定時閭遅延して第 2のパル ス回路から再びパルス電圧を印加するよ う にしたので、 下準位の原子が基底準位に緩和する時間が短縮され、 そ の結果第 1 のパルス回路からの次のパルス印加時に反転 分布がよ り完全なものとな り、 高繰り返しにおいても効 率の高い金属蒸気レーザ装置を得る ことができ る効果が ¾ Ό o
Claims
(1) 放電管を有する金属蒸気レーザ装置において、 レー ザ発振をさせる第 1 のパルス電圧を発生する第 1 のパル ス回路と、 前記第 1 のパルス電圧を所定時間遅延させた 第 2 のパルス電圧を発生する第 2 のパルス回路とを備え、 前記第 1 のパルス電圧を前記放電管に印加した後、 第 2 のパルス電圧を前記放電管に印加する よ う に し、 前記第 2 のパルス回路の出力電圧は前記第 1 のパルス回路の出 力電圧よ り小さ く なるよ うにしたこ とを特徴とする金属 蒸気レーザ装置。
(2) 上記第 1 のパルス回路は、 イ ンバータによ り駆動さ れる昇圧用 ト ラ ンス と この昇圧用 ト ラ ンスの出力電圧を 倍電圧整流する第 1 のコ ンデンサおよびダイ ォー ドとで 構成される高圧電源と、 レーザ用放電管と、 このレーザ 用放電管に並列接続され、 上記高圧電源の出力電圧が供 給される第 2 の充電用コ ンデンサと 、 この第 2 の充電用 コ ンデンザの電圧を上記レーザ用放電管に供給する非自 己消去型ス ィ ッチ とを備えたことを特徴とする特許請求 の範囲第 1項記載の金属蒸気レーザ装置。
(3) 上記第 2 の充電用コ ンデンサは上記第 1 の コ ンデン ザの 1 Z 2の容量とするこ と を特徴とする特許請求の範 囲第 2項記載の金属蒸気レーザ装置。
(4) 上記非自己消去型スイ ッチをサイ ラ ト ロ ンによ り構 成したこ とを特徴とする特許請求の範囲第 2項記載の金
属蒸気レーザ装置。
(5) 上記非自己消去型ス ィ ッ チをサイ リ スタ によ り構成 したこ とを特徴とする特許請求の範囲第 2項記載の金属 蒸気レーザ装置。
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