JP2006324039A - パルス発生装置および極端紫外光光源装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型・簡単な構造であって電流パルスの立ち上がり時間を短縮することができ、投入エネルギーを大きくすることが可能なパルス発生装置およびこれを用いたＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を提供すること。
【解決手段】 チャンバ１内に設けられた主放電電極３ａ、３ｂに高電圧パルス発生部２０から高電圧パルス電圧を印加し、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。高電圧パルス発生部２０はスイッチＳＷ1 〜ＳＷn とコンデンサＣ1 〜Ｃn の直列回路からなるユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を複数並列に接続したものである。コンデンサＣ1 〜Ｃn を充電し、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn にトリガ信号を与え、コンデンサＣ1 〜Ｃn に充電されていた電荷を放電させることにより、主放電電極３ａ、３ｂ間にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。
【選択図】 図２
【解決手段】 チャンバ１内に設けられた主放電電極３ａ、３ｂに高電圧パルス発生部２０から高電圧パルス電圧を印加し、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマを発生させ波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放射させる。高電圧パルス発生部２０はスイッチＳＷ1 〜ＳＷn とコンデンサＣ1 〜Ｃn の直列回路からなるユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を複数並列に接続したものである。コンデンサＣ1 〜Ｃn を充電し、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn にトリガ信号を与え、コンデンサＣ1 〜Ｃn に充電されていた電荷を放電させることにより、主放電電極３ａ、３ｂ間にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。
【選択図】 図２
Description
本発明は負荷にパルス状の電気エネルギーを供給するためのパルス発生装置および該パルス発生装置を用いた極端紫外光光源装置に関する。
半導体集積回路の微細化、高集積化につれて、その製造用の投影露光装置においては解像力の向上が要請されている。その要請に応えるため、露光用光源の短波長化が進められ、エキシマレーザ装置に続く次世代の半導体露光用光源として、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）光を放出するＥＵＶ光源装置が開発されている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とに大きく分けられる（例えば非特許文献１参照）。
ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットをパルスレーザで照射して発生する高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、電流駆動によって生成した高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源における放電方式には、非特許文献１に記載されているように、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源は、ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さく、かつ安価といった利点あり、実用化への期待も大きい。
上記した両方式のＥＵＶ光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料としては、例えば、現在１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンとＳｎ（錫）イオン、Ｌｉイオン等が有望と考えられている。
ＥＵＶ光源装置において、ＥＵＶ光を発生させる方法はいくつか知られているが、そのうちの一つにＥＵＶ放射種の加熱・励起により高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射されるＥＵＶ光を取り出す方法がある。
このような方法を採用するＥＵＶ光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：レーザ生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ Ｐｒｏｄｕｃｅｄ Ｐｌａｓｍａ：放電生成プラズマ）方式ＥＵＶ光源装置とに大きく分けられる（例えば非特許文献１参照）。
ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、固体、液体、気体等のターゲットをパルスレーザで照射して発生する高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、電流駆動によって生成した高密度高温プラズマからのＥＵＶ放射光を利用するものである。ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源における放電方式には、非特許文献１に記載されているように、Ｚピンチ方式、キャピラリー放電方式、プラズマフォーカス方式、ホローカソードトリガーＺピンチ方式等がある。ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源は、ＬＰＰ方式ＥＵＶ光源と比較して、光源装置の小型化、光源システムの消費電力が小さく、かつ安価といった利点あり、実用化への期待も大きい。
上記した両方式のＥＵＶ光源装置において、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種、すなわち、高密度高温プラズマ用原料としては、例えば、現在１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンとＳｎ（錫）イオン、Ｌｉイオン等が有望と考えられている。
図８にＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す。ＥＵＶ光源装置は、高温高密度プラズマ発生部を有するチャンバ１と、該チャンバ１に原料ガスを供給するとともにチャンバ１内を排気するガス供給・排気ユニット１１と、高電圧パルス発生部２０と、メインコントローラ３０から構成され、メインコントローラ３０は露光機の制御部４０からの指令によりＥＵＶ光源装置を制御する。
次に、上記光源装置の各部の構成および動作について説明する。
次に、上記光源装置の各部の構成および動作について説明する。
（１）ガス供給・排気系統
放電容器であるチャンバ１内に、ガス供給・排気ニット１１よりガス導入口４を介して放電用ガスが導入される。
放電用ガスは、チャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部２で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を形成するための原料ガスであり、例えば、キセノン（Ｘｅ）である。導入された放電用ガスはチャンバ１内を流れてガス排出口７に到達する。
ガス供給・排気ユニット１１は、真空ポンプ等のガス排気手段（不図示）を有しており、ガス排気手段は、チャンバ１のガス排出口７と接続されている。
すなわちガス排出口７に到達した放電用ガスは、ガス排気・供給ユニット１１が具えるガス排気手段により排気される。ここで、高温高密度プラズマ発生部の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。
この圧力調節は、例えば、以下のように行われる。まず、メインコントローラ３０がチャンバ１に備えられた不図示の圧力モニタより出力される圧力データを受信する。メインコントローラ３０は受信した圧力データに基づき、ガス・供給排気ユニット１１を制御して、チャンバ１内へのＸｅガスの供給量ならびに排気量を調節することにより、高温高密度プラズマ発生部２の圧力を所定の圧力に調節する。
放電容器であるチャンバ１内に、ガス供給・排気ニット１１よりガス導入口４を介して放電用ガスが導入される。
放電用ガスは、チャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部２で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を形成するための原料ガスであり、例えば、キセノン（Ｘｅ）である。導入された放電用ガスはチャンバ１内を流れてガス排出口７に到達する。
ガス供給・排気ユニット１１は、真空ポンプ等のガス排気手段（不図示）を有しており、ガス排気手段は、チャンバ１のガス排出口７と接続されている。
すなわちガス排出口７に到達した放電用ガスは、ガス排気・供給ユニット１１が具えるガス排気手段により排気される。ここで、高温高密度プラズマ発生部の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。
この圧力調節は、例えば、以下のように行われる。まず、メインコントローラ３０がチャンバ１に備えられた不図示の圧力モニタより出力される圧力データを受信する。メインコントローラ３０は受信した圧力データに基づき、ガス・供給排気ユニット１１を制御して、チャンバ１内へのＸｅガスの供給量ならびに排気量を調節することにより、高温高密度プラズマ発生部２の圧力を所定の圧力に調節する。
（２）電極部
チャンバ１内にはリング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとが絶縁材３ｃを介して配置される。チャンバ１は導電材で形成された第１の主放電電極側の第１の容器１ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極側の第２の容器１ｂから構成される。これらの第１の容器 1ａと第２の容器 1ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁されている。
チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地され、上記第１の容器１ａと第１の主放電電極３ａには、高電圧パルス発生部２０からおよそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。
その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極３ａ，３ｂ間の高温高密度プラズマ発生部２には、高温高密度のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
チャンバ１内にはリング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとが絶縁材３ｃを介して配置される。チャンバ１は導電材で形成された第１の主放電電極側の第１の容器１ａと、同じく導電材で形成された第２の主放電電極側の第２の容器１ｂから構成される。これらの第１の容器 1ａと第２の容器 1ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁されている。
チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地され、上記第１の容器１ａと第１の主放電電極３ａには、高電圧パルス発生部２０からおよそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。
その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極３ａ，３ｂ間の高温高密度プラズマ発生部２には、高温高密度のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
（３）高電圧パルス発生部
高電圧パルス発生部２０は、例えば、以下のように構成される。
図８の高電圧パルス発生部２０は、可飽和リアクトルからなる２個の磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３を用いた２段の磁気パルス圧縮回路を有する。コンデンサＣｌ、第１の磁気スイッチＳＲ２、コンデンサＣ２、第２の磁気スイッチＳＲ３により２段の磁気パルス圧縮回路を構成している。
磁気スィッチＳＲｌはＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子である固体スイッチＳＷでのスイッチングロスの低減用のものであり、磁気アシストとも呼ばれる。
また、昇圧トランスＴＲ２は予備電離ユニットに電力を供給するためのものである。
高電圧パルス発生部２０は、例えば、以下のように構成される。
図８の高電圧パルス発生部２０は、可飽和リアクトルからなる２個の磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３を用いた２段の磁気パルス圧縮回路を有する。コンデンサＣｌ、第１の磁気スイッチＳＲ２、コンデンサＣ２、第２の磁気スイッチＳＲ３により２段の磁気パルス圧縮回路を構成している。
磁気スィッチＳＲｌはＩＧＢＴ等の半導体スイッチング素子である固体スイッチＳＷでのスイッチングロスの低減用のものであり、磁気アシストとも呼ばれる。
また、昇圧トランスＴＲ２は予備電離ユニットに電力を供給するためのものである。
（３）構成およびＥＵＶ発生動作
図８に従って回路の構成と動作を以下に説明する。まず、高電圧電源ＣＨの電圧が所定の値Ｖｉｎに調整され、主コンデンサＣ０が充電される。このとき、固体スイッチＳＷはｏｆｆになっている。
主コンデンサＣ０の充電が完了し、固体スイッチＳＷがｏｎとなったとき、固体スイッチＳＷ両端にかかる電圧は主に磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる。磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる主コンデンサＣ０の充電電圧Ｖ０の時間積分値が磁気スイッチＳＲ１の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ１が飽和して磁気スイッチＳＲ１が入り、主コンデンサＣ０、磁気スイッチＳＲ１、昇圧トランスＴｒ２の１次側、昇圧トランスＴｒ１の１次側、固体スイッチＳＷのループに電流が流れる。同時に、昇圧トランスＴｒ１の２次側、コンデンサＣ１のループに電流が流れ、主コンデンサＣ０に蓄えられた電荷が移行してコンデンサＣ１に充電される。また、昇圧トランスＴｒ２の２次側に電圧が発生する。なお、予備電離ユニットの動作説明は後に述べる。
図８に従って回路の構成と動作を以下に説明する。まず、高電圧電源ＣＨの電圧が所定の値Ｖｉｎに調整され、主コンデンサＣ０が充電される。このとき、固体スイッチＳＷはｏｆｆになっている。
主コンデンサＣ０の充電が完了し、固体スイッチＳＷがｏｎとなったとき、固体スイッチＳＷ両端にかかる電圧は主に磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる。磁気スイッチＳＲ１の両端にかかる主コンデンサＣ０の充電電圧Ｖ０の時間積分値が磁気スイッチＳＲ１の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ１が飽和して磁気スイッチＳＲ１が入り、主コンデンサＣ０、磁気スイッチＳＲ１、昇圧トランスＴｒ２の１次側、昇圧トランスＴｒ１の１次側、固体スイッチＳＷのループに電流が流れる。同時に、昇圧トランスＴｒ１の２次側、コンデンサＣ１のループに電流が流れ、主コンデンサＣ０に蓄えられた電荷が移行してコンデンサＣ１に充電される。また、昇圧トランスＴｒ２の２次側に電圧が発生する。なお、予備電離ユニットの動作説明は後に述べる。
この後、コンデンサＣ１における電圧Ｖ１の時間積分値が磁気スイッチＳＲ２の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ２が飽和して磁気スイッチが入り、コンデンサＣ１、磁気スイッチＳＲ２、コンデンサＣ２のループに電流が流れ、コンデンサＣ１に蓄えられた電荷が移行してコンデンサＣ２に充電される。
さらにこの後、コンデンサＣ２における電圧Ｖ２の時間積分値が磁気スイッチＳＲ３の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ３が飽和して磁気スイッチが入り、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加される。
第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加されると、絶縁材３ｃの表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
さらにこの後、コンデンサＣ２における電圧Ｖ２の時間積分値が磁気スイッチＳＲ３の特性で決まる限界値に達すると、磁気スイッチＳＲ３が飽和して磁気スイッチが入り、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加される。
第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加されると、絶縁材３ｃの表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の大電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
このような放電動作が固体スイッチＳＷのスイッチング動作、高電圧電源動作によって繰り返し行なわれることにより、所定の繰り返し周波数でのＥＵＶ放射が行われる。
具体的数値例を示せば、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に−５ｋＶ〜−２０ｋＶの放電電圧が印加され、約１０Ｊ／ｐｕｌｓｅのエネルギーが数ｋＨｚの周波数で第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に与えられる。従って、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間には数十ｋＷのエネルギーが入力される。
ここで、磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３及びコンデンサＣ１、Ｃ２で構成される各段の容量移行型回路のインダクタンスを後段に行くにつれて小さくなるように設定することにより、各段を流れる電流パルスのパルス幅が順次狭くなるようなパルス圧縮動作が行われ、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に短パルスの強い放電が実現され、プラズマへの入力エネルギーも大きくなる。
具体的数値例を示せば、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に−５ｋＶ〜−２０ｋＶの放電電圧が印加され、約１０Ｊ／ｐｕｌｓｅのエネルギーが数ｋＨｚの周波数で第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に与えられる。従って、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間には数十ｋＷのエネルギーが入力される。
ここで、磁気スイッチＳＲ２、ＳＲ３及びコンデンサＣ１、Ｃ２で構成される各段の容量移行型回路のインダクタンスを後段に行くにつれて小さくなるように設定することにより、各段を流れる電流パルスのパルス幅が順次狭くなるようなパルス圧縮動作が行われ、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に短パルスの強い放電が実現され、プラズマへの入力エネルギーも大きくなる。
（４）予備電離
上記したように、高温高密度プラズマ発生部２の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。このような低い圧力下においては、電極構造によっては放電が発生し難くなり、結果としてＥＵＶ光の出力が不安定となる場合もある。
放電が発生し難い状況下で、安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。
図８には、第１の容器１ａに予備電離ユニット８が設けられている。予備電離ユニット８は、円筒形状の導電性材料からなる第１の予備電離部材８ａと、円筒形状の絶縁性材料からなり第１の予備電離部材８ａを囲むように配置されている第２の予備電離部材８ｂとから構成される。ここで、第１の予備電離部材８ａの先端周縁部には段差部が設けられている。
予備電離ユニット８は、高密度高温プラズマ発生部２に存在する放電用ガスを効果的に予備電離するように、高密度高温プラズマ発生部２の上方、かつ、同軸上に配置されている。このような配置により、予備電離ユニット８の第２の予備電離部材８ｂは第１の予備電離部材８ａに設けられた段差部により保持される。
導電性の第１の予備電離部材８ａは、高電圧パルス発生部に含まれる昇圧トランスＴｒ２の２次側の一端部と接続される。なお、昇圧トランスＴｒ２の２次側の他端部は、第１の容器１ａと接続される。
上記したように、高温高密度プラズマ発生部２の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。このような低い圧力下においては、電極構造によっては放電が発生し難くなり、結果としてＥＵＶ光の出力が不安定となる場合もある。
放電が発生し難い状況下で、安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。
図８には、第１の容器１ａに予備電離ユニット８が設けられている。予備電離ユニット８は、円筒形状の導電性材料からなる第１の予備電離部材８ａと、円筒形状の絶縁性材料からなり第１の予備電離部材８ａを囲むように配置されている第２の予備電離部材８ｂとから構成される。ここで、第１の予備電離部材８ａの先端周縁部には段差部が設けられている。
予備電離ユニット８は、高密度高温プラズマ発生部２に存在する放電用ガスを効果的に予備電離するように、高密度高温プラズマ発生部２の上方、かつ、同軸上に配置されている。このような配置により、予備電離ユニット８の第２の予備電離部材８ｂは第１の予備電離部材８ａに設けられた段差部により保持される。
導電性の第１の予備電離部材８ａは、高電圧パルス発生部に含まれる昇圧トランスＴｒ２の２次側の一端部と接続される。なお、昇圧トランスＴｒ２の２次側の他端部は、第１の容器１ａと接続される。
昇圧トランスＴｒ２の２次側から電圧パルスが第１の予備電離部材８ａとチャンバ１の第１の容器１ａとの間に印加されると、図８に示すように、第１の予備電離部材８ａの先端周縁部に設けられた段差部とこの段差部上方側の第１の容器１ａの内壁との間で沿面放電が発生し、チャンバ１内に導入された放電用ガスの電離を促進する。
ここで、円筒形状の導電性材料からなる第１の予備電離部材８ａは、放電用ガスを供給するガス供給経路も兼ねている。
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置に予備電離ユニットを組み合わせた例については、例えば特許文献１に開示されている。
ここで、円筒形状の導電性材料からなる第１の予備電離部材８ａは、放電用ガスを供給するガス供給経路も兼ねている。
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置に予備電離ユニットを組み合わせた例については、例えば特許文献１に開示されている。
（２）ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の動作
露光用光源として用いられるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、例えば、以下のように動作する。
露光機の制御部４０より、スタンバイ信号がメインコントローラ３０に出力される。メインコントローラ３０は、スタンバイ信号を受信すると、ガス供給・排気ユニット１１を制御してチャンバ１内に放電用ガス、例えば、Ｘｅガスを第１の予備電離部材８ａに設けられたガス供給路を介して、ガス導入口４よりチャンバ１内部に供給するとともに、高密度高温プラズマ発生部２におけるガス圧力を所定の圧力値に制御する。
次に、露光機の制御部４０より、発光指令信号がメインコントローラ３０に出力される。発光指令信号の出力間隔は、例えば、数ｋＨｚである。
メインコントローラ３０は、発光指令信号を受け取ると、トリガ信号を高電圧パルス発生部２０の固体スイッチＳＷのゲートに出力する。固体スイッチはｏｎ状態になり、上記したように、予備電離ユニット８で滑り放電が発生するとともに、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加され、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
プラズマから放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
露光用光源として用いられるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置は、例えば、以下のように動作する。
露光機の制御部４０より、スタンバイ信号がメインコントローラ３０に出力される。メインコントローラ３０は、スタンバイ信号を受信すると、ガス供給・排気ユニット１１を制御してチャンバ１内に放電用ガス、例えば、Ｘｅガスを第１の予備電離部材８ａに設けられたガス供給路を介して、ガス導入口４よりチャンバ１内部に供給するとともに、高密度高温プラズマ発生部２におけるガス圧力を所定の圧力値に制御する。
次に、露光機の制御部４０より、発光指令信号がメインコントローラ３０に出力される。発光指令信号の出力間隔は、例えば、数ｋＨｚである。
メインコントローラ３０は、発光指令信号を受け取ると、トリガ信号を高電圧パルス発生部２０の固体スイッチＳＷのゲートに出力する。固体スイッチはｏｎ状態になり、上記したように、予備電離ユニット８で滑り放電が発生するとともに、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加され、高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
プラズマから放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
露光用光源に適用されるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置には、ｐｕｌｓｅ−ｔｏ−ｐｌｕｓｅのエネルギー安定性、また、ＥＵＶ光放出位置安定性（ｐｏｉｎｔｉｎｇ ｓｔａｂｉｌｉｔｙ）が求められる。
エネルギー安定性、ＥＵＶ光放出位置安定性は、プラズマの安定性に大きく依存していると考えられる。プラズマを安定させるには、放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが望ましいと考えられる。
前記した主コンデンサＣ０、磁気スイッチＳＲ１、昇圧トランスＴｒ２の１次側、昇圧トランスＴｒ１の１次側、固体スイッチＳＷのループからなる高電圧パルス発生部２０において、短パルス化はコンデンサや固体スイッチＳＷに大きな負荷が掛かる。また回路ループのインダクタンスを小さくする必要があるので、事実上困難である。このため、高電圧パルス発生部２０においては、図８に示すような磁気パルス圧縮回路が設けられている。
エネルギー安定性、ＥＵＶ光放出位置安定性は、プラズマの安定性に大きく依存していると考えられる。プラズマを安定させるには、放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが望ましいと考えられる。
前記した主コンデンサＣ０、磁気スイッチＳＲ１、昇圧トランスＴｒ２の１次側、昇圧トランスＴｒ１の１次側、固体スイッチＳＷのループからなる高電圧パルス発生部２０において、短パルス化はコンデンサや固体スイッチＳＷに大きな負荷が掛かる。また回路ループのインダクタンスを小さくする必要があるので、事実上困難である。このため、高電圧パルス発生部２０においては、図８に示すような磁気パルス圧縮回路が設けられている。
一方、電流ピーク値をできるだけ大きくするためには第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂ間を流れる電流パルスの立ち上がり時間の短縮化が望まれる。
上記した電流パルスの立ち上がりの高速化を実現するためには、負荷を含めた放電回路の低インダクタンス化を実現しなければならない。具体的には、コンデンサＣ２、磁気スイッチＳＲ３、第１の主放電電極、第２の主放電電極を含む回路の低インダクタンス化を図る必要がある。
ここで、上記したように磁気スイッチＳＲ３は可飽和リアクトルからなる。第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂに印加される電圧は、−５ｋＶ〜−２０ｋＶと高電圧になるため、磁気スイッチＳＲ３を構成する可飽和リアクトルのコアも大型化する。また、数ｋＨｚの間隔で高電圧が印加され大電流が流れる磁気スイッチＳＲ３は、通電動作により加熱されるので、通常、オイル等の冷却用媒質に浸漬されて冷却される。冷却用媒質自体も水冷のラジエタ等で熱交換される。そのため、磁気スイッチＳＲ３の保持構造は大掛かりなものになる。
よって、コンデンサＣ２、磁気スイッチＳＲ３、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを含む回路ループの断面積の小型化には限界があり、回路ループのインダクタンスの低インダクタンス化を実現することは困難であった。
上記した電流パルスの立ち上がりの高速化を実現するためには、負荷を含めた放電回路の低インダクタンス化を実現しなければならない。具体的には、コンデンサＣ２、磁気スイッチＳＲ３、第１の主放電電極、第２の主放電電極を含む回路の低インダクタンス化を図る必要がある。
ここで、上記したように磁気スイッチＳＲ３は可飽和リアクトルからなる。第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂに印加される電圧は、−５ｋＶ〜−２０ｋＶと高電圧になるため、磁気スイッチＳＲ３を構成する可飽和リアクトルのコアも大型化する。また、数ｋＨｚの間隔で高電圧が印加され大電流が流れる磁気スイッチＳＲ３は、通電動作により加熱されるので、通常、オイル等の冷却用媒質に浸漬されて冷却される。冷却用媒質自体も水冷のラジエタ等で熱交換される。そのため、磁気スイッチＳＲ３の保持構造は大掛かりなものになる。
よって、コンデンサＣ２、磁気スイッチＳＲ３、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを含む回路ループの断面積の小型化には限界があり、回路ループのインダクタンスの低インダクタンス化を実現することは困難であった。
また、上記したように、例えば、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間には数十ｋＷのエネルギーが入力されるので、主コンデンサＣ０には数十ｋＶの電圧が印加され、固体スイッチＳＷには数ｋＡの電流が流れる。よって、主コンデンサＣ０、固体スイッチＳＷは大型化し、また、絶縁構造も複雑になる。
さらに、第２の磁気スイッチＳＲ３以外の磁気パルス圧縮回路の構成要素である第１の磁気スイッチＳＲ２、第２の磁気スイッチＳＲ３、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２は、第２の磁気スイッチＳＲ３と同様、通常、オイル等の冷却用媒質に浸漬されて冷却される。また、冷却用媒質自体も水冷のラジエタ等で熱交換される。そのため、磁気パルス圧縮回路全体の構造は大掛かりなものになる。
磁気アシストＳＲ１、トランスＴｒ１，Ｔｒ２も磁気パルス圧縮回路と同様、冷却が必要であり、これらの構造は大掛かりなものになる。
よって、高電圧パルス発生部２０は、大型の主コンデンサＣ０，固体スイッチＳＷやトランスＴｒ１，Ｔｒ２、磁気パルス圧縮回路を有するので、冷却構造等を取ることにより全体的に大型化するとともに、数十ｋＶの高電圧が各回路素子に印加されるので絶縁構造が複雑になる。
さらに、第２の磁気スイッチＳＲ３以外の磁気パルス圧縮回路の構成要素である第１の磁気スイッチＳＲ２、第２の磁気スイッチＳＲ３、コンデンサＣ１、コンデンサＣ２は、第２の磁気スイッチＳＲ３と同様、通常、オイル等の冷却用媒質に浸漬されて冷却される。また、冷却用媒質自体も水冷のラジエタ等で熱交換される。そのため、磁気パルス圧縮回路全体の構造は大掛かりなものになる。
磁気アシストＳＲ１、トランスＴｒ１，Ｔｒ２も磁気パルス圧縮回路と同様、冷却が必要であり、これらの構造は大掛かりなものになる。
よって、高電圧パルス発生部２０は、大型の主コンデンサＣ０，固体スイッチＳＷやトランスＴｒ１，Ｔｒ２、磁気パルス圧縮回路を有するので、冷却構造等を取ることにより全体的に大型化するとともに、数十ｋＶの高電圧が各回路素子に印加されるので絶縁構造が複雑になる。
ところで、露光装置は図示しないＥＵＶ強度モニタにより露光光の強度を測定し、測定データを基に露光対象物への露光量が所定の値となるように、ＤＰＰ方式露光用光源装置を制御する。
ＥＵＶ光の強度は、プラズマへの入力エネルギーと正の相関にある。このため、露光装置は、高電圧パルス発生部２０の主コンデンサＣ０の充電電圧を制御することになる。
一方、高電圧パルス発生部２０を構成するコンデンサと可飽和リアクトルとからなる磁気パルス圧縮回路においては、コンデンサの充電電圧（Ｖ）と電荷の転送時間（ｔ）との積であるＶｔ積の値が一定という関係がある。
露光量一定制御を行う場合、主コンデンサＣ０の充電電圧は必ずしも一定とはならず、変動する。そのため磁気パルス圧縮回路におけるコンデンサＣ１，Ｃ２の充電電圧も変動し、Ｖｔ積の値が一定という関係より、コンデンサＣ１，Ｃ２からの電荷の転送時間も変動する。
すなわち、露光装置の制御部４０から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間が変動する。露光装置がスキャン露光を行う場合、発光指令信号からＥＵＶ発光までの時間が変動すると露光に不具合が生じてしまう。
ＥＵＶ光の強度は、プラズマへの入力エネルギーと正の相関にある。このため、露光装置は、高電圧パルス発生部２０の主コンデンサＣ０の充電電圧を制御することになる。
一方、高電圧パルス発生部２０を構成するコンデンサと可飽和リアクトルとからなる磁気パルス圧縮回路においては、コンデンサの充電電圧（Ｖ）と電荷の転送時間（ｔ）との積であるＶｔ積の値が一定という関係がある。
露光量一定制御を行う場合、主コンデンサＣ０の充電電圧は必ずしも一定とはならず、変動する。そのため磁気パルス圧縮回路におけるコンデンサＣ１，Ｃ２の充電電圧も変動し、Ｖｔ積の値が一定という関係より、コンデンサＣ１，Ｃ２からの電荷の転送時間も変動する。
すなわち、露光装置の制御部４０から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間が変動する。露光装置がスキャン露光を行う場合、発光指令信号からＥＵＶ発光までの時間が変動すると露光に不具合が生じてしまう。
以上のように、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置においてプラズマを安定させるには、放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくし、また、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが望まれるが、従来の磁気圧縮回路を用いた高電圧パルス発生装置では、この要求に充分答えることができなかった。また、磁気圧縮回路を用いた高電圧パルス発生装置は小型化するのが困難であり、装置が大型化するいった問題があった。
本発明は上記のような事情を鑑みなされたものであって、その目的は、小型かつ簡単な構造であって電流パルスの立ち上がり時間を短縮することができ、さらに、投入エネルギーを大きくすることが可能なパルス発生装置を提供することである。また、このパルス発生回路を用い、主放電電極間を流れる電流パルスの立ち上がり時間の短縮でき、また、露光装置からの発光指令信号からＥＵＶ光が発光するまでの時間のばらつきを小さくすることができるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を提供することである。
本発明は上記のような事情を鑑みなされたものであって、その目的は、小型かつ簡単な構造であって電流パルスの立ち上がり時間を短縮することができ、さらに、投入エネルギーを大きくすることが可能なパルス発生装置を提供することである。また、このパルス発生回路を用い、主放電電極間を流れる電流パルスの立ち上がり時間の短縮でき、また、露光装置からの発光指令信号からＥＵＶ光が発光するまでの時間のばらつきを小さくすることができるＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置を提供することである。
本発明のパルス発生装置は、図１（ａ）に示す放電回路手段を１つのユニット回路部Ｕk として構成し、このユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を図１（ｂ）に示すように複数並列に接続してパルス発生装置を構成する。
上記図１（ａ）に示すユニット回路部Ｕk において、負荷にパルス状の電力エネルギーを供給するには、スイッチＳＷk を開状態として、直流電源ＣＨより、ダイオードＤk を介してコンデンサＣk を充電する。その後、スイッチＳＷk にトリガ信号（ｏｎ信号）を与え、コンデンサＣk に充電されていた電荷を放電させる。これにより、コンデンサＣk 、インダクタンスＬk 、スイッチＳＷk 、負荷、コンデンサＣk の経路で電流が流れ、負荷にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。
図１（ａ）に示すユニット回路部Ｕk を、例えばＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の高電圧パルス発生部として用いるには、図１（ｂ）に示すように並列接続されたユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を放電部に接続する。
なお、前記図８に示すようなＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置において、絶縁材３ｃを介して配置される第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂから構成される部分を「放電部」と呼称することする。先に述べたように、高電圧パルス発生部２０は、この放電部に高電圧パルス電圧を印加し、放電部において放電を発生させる。
上記図１（ａ）に示すユニット回路部Ｕk において、負荷にパルス状の電力エネルギーを供給するには、スイッチＳＷk を開状態として、直流電源ＣＨより、ダイオードＤk を介してコンデンサＣk を充電する。その後、スイッチＳＷk にトリガ信号（ｏｎ信号）を与え、コンデンサＣk に充電されていた電荷を放電させる。これにより、コンデンサＣk 、インダクタンスＬk 、スイッチＳＷk 、負荷、コンデンサＣk の経路で電流が流れ、負荷にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。
図１（ａ）に示すユニット回路部Ｕk を、例えばＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の高電圧パルス発生部として用いるには、図１（ｂ）に示すように並列接続されたユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を放電部に接続する。
なお、前記図８に示すようなＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置において、絶縁材３ｃを介して配置される第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂから構成される部分を「放電部」と呼称することする。先に述べたように、高電圧パルス発生部２０は、この放電部に高電圧パルス電圧を印加し、放電部において放電を発生させる。
ここで、エキシマレーザ装置における放電部は、数気圧の圧力でレーザガスが充填されたレーザチャンバ内において、所定距離離間して互いに対向する一対の電極からなる。このような放電部で発生する放電は気中放電であり、電極間の放電インピーダンスは放電の経過とともに刻々変化する。すなわち、エキシマレーザ装置の放電部は、非線形のインピーダンス素子となる。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部は、例えば図８に示したように、絶縁材を挟んだ一対の主放電電極からなる。このような放電部において発生する放電現象は、絶縁破壊した時点では、絶縁材表面にて発生する沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）となる。
すなわち、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部で発生する放電は沿面放電であるので、電極間の放電インピーダンスは殆ど変化せず、単なる短絡状態と見なせる。
そのため、各ユニット回路部と放電部との作る回路ループは線形素子のみで構成されていると見なすことができる。
一方、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部は、例えば図８に示したように、絶縁材を挟んだ一対の主放電電極からなる。このような放電部において発生する放電現象は、絶縁破壊した時点では、絶縁材表面にて発生する沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）となる。
すなわち、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部で発生する放電は沿面放電であるので、電極間の放電インピーダンスは殆ど変化せず、単なる短絡状態と見なせる。
そのため、各ユニット回路部と放電部との作る回路ループは線形素子のみで構成されていると見なすことができる。
したがって、図１（ｂ）に示す構成においては、Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆの法則や重ね合わせの理が成立する。
すなわち、ユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣ1 〜Ｃn が直流電源ＣＨにより充電された後スイッチＳＷ1 〜ＳＷn がｏｎ状態となったときに流れる電流をそれぞれＩ1 〜Ｉn とし、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 、・・・，Ｃn ）が直流電源ＣＨにより充電され各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）がほぼ同時にｏｎ状態となったときに放電部を流れる電流をＩとすると、重ね合わせの理により、以下の関係が成立する。
Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋・・・＋Ｉn
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部に限らず、一般には線形負荷が多く、線形負荷であれば同様に上記関係が成り立つ。
以上の関係からユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を図１（ｂ）に示すように複数並列に接続することにより、各ユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn に流れる電流の和を負荷（放電部）に供給することができる。
すなわち、ユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣ1 〜Ｃn が直流電源ＣＨにより充電された後スイッチＳＷ1 〜ＳＷn がｏｎ状態となったときに流れる電流をそれぞれＩ1 〜Ｉn とし、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 、・・・，Ｃn ）が直流電源ＣＨにより充電され各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）がほぼ同時にｏｎ状態となったときに放電部を流れる電流をＩとすると、重ね合わせの理により、以下の関係が成立する。
Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋・・・＋Ｉn
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部に限らず、一般には線形負荷が多く、線形負荷であれば同様に上記関係が成り立つ。
以上の関係からユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn を図１（ｂ）に示すように複数並列に接続することにより、各ユニット回路部Ｕ1 〜Ｕn に流れる電流の和を負荷（放電部）に供給することができる。
本発明においては上記構成としたので、各ユニット回路部を流れる電流（Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 ，・・・，Ｉn ）は、要求される負荷電流Ｉより小さくてよく、各ユニット回路部を構成する回路素子も小電流に対応するものでよい。
このため、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量は小さくてよく、また、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）とも小電流対応のものでよい。そのため、本発明のパルス発生装置によれば、図８に示した従来の高電圧パルス発生部における主コンデンサ、固体スイッチと比較すると、小型化が可能となり、絶縁構造も簡便となる。
また、上記したように各ユニット回路部における各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）は、形状の小型化が可能なので、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループのインダクタンスを含む各ユニット回路部における各インダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）は小さくなる。
このため、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量は小さくてよく、また、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）とも小電流対応のものでよい。そのため、本発明のパルス発生装置によれば、図８に示した従来の高電圧パルス発生部における主コンデンサ、固体スイッチと比較すると、小型化が可能となり、絶縁構造も簡便となる。
また、上記したように各ユニット回路部における各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）は、形状の小型化が可能なので、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループのインダクタンスを含む各ユニット回路部における各インダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）は小さくなる。
一方、コンデンサ各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量も上記したように小さくなる。そのため、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）から放電部に転送される電力エネルギーの転送時間、すなわち、放電部を流れる電流パルスのパルス幅を短くすることが可能となる。そのため、磁気パルス圧縮回路を使用しなくても電流パルス幅の短パルス化が可能となる。
また、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループの合成インダクタンスＬは、
１／Ｌ＝１／Ｌ1 ＋１／Ｌ2 ＋１／Ｌ3 ＋・・・＋１／Ｌn となる。
よって、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループの各インダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）より更に、本発明の高電圧パルス発生部と放電部とのなすループにおけるインダクタンスを小さくすることが可能となる。
また、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループの合成インダクタンスＬは、
１／Ｌ＝１／Ｌ1 ＋１／Ｌ2 ＋１／Ｌ3 ＋・・・＋１／Ｌn となる。
よって、各ユニット回路部と放電部とのなす回路ループの各インダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）より更に、本発明の高電圧パルス発生部と放電部とのなすループにおけるインダクタンスを小さくすることが可能となる。
そのため、本発明のパルス発生装置をＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置に適用することにより、比較的容易に放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが可能となる。
また、磁気パルス圧縮回路を使用する必要がないので、露光量一定制御時において各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）への充電電圧が変動しても、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）から放電部に、転送される電力エネルギーの転送時間の変動は著しく小さくなる。そのため、露光装置の制御部から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極、第２の主放電電極間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間の変動も小さくなり、露光装置がスキャン露光を行う場合においても露光に不具合が生じにくい。
また、磁気パルス圧縮回路を使用する必要がないので、露光量一定制御時において各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）への充電電圧が変動しても、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）から放電部に、転送される電力エネルギーの転送時間の変動は著しく小さくなる。そのため、露光装置の制御部から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極、第２の主放電電極間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間の変動も小さくなり、露光装置がスキャン露光を行う場合においても露光に不具合が生じにくい。
以上の知見に基づき、本発明においては上記課題を以下のように解決する。
（１）負荷にパルス状の電気エネルギーを印加するためのパルス発生装置を以下のように構成する。
スイッチング手段（ＳＷ）とコンデンサ（Ｃ）との直列回路を含むユニット回路部を複数設け、また、上記複数のユニット回路部（Ｕ）に含まれる上記コンデンサ（Ｃ）を充電する少なくとも１つの充電手段（ＣＨ）を設け、上記複数のユニット回路部（Ｕ）を負荷に対して並列に接続する。
上記パルス状の電気エネルギーのパルス幅は、１００ｎＳ（ナノ秒）〜２０００ｎＳ（ナノ秒）であることが望ましい。
（２）上記（１）において、上記パルス発生装置に、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のスイッチング手段（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）のｏｎタイミングを制御する制御部を設ける。
（３）上記（２）において、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に、各ユニット回路部の通電状態を検出する通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）を設け、上記制御部が、上記通電検出部からの通電検出信号に基づき、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるようにスイッチング手段のｏｎタイミングを制御する。
（４）上記（１）（２）において、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）が有するインダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）の値を、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるように設定する。
（５）高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種を含む原料を供給する原料供給手段と、一対の放電電極を有し、放電によって上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置における高電圧パルス発生部として、（１）（２）（３）（４）のパルス発生装置を用い、このパルス発生装置によりパルス状の電気エネルギーを上記一対の放電電極に印加することにより放電を発生させる。
（１）負荷にパルス状の電気エネルギーを印加するためのパルス発生装置を以下のように構成する。
スイッチング手段（ＳＷ）とコンデンサ（Ｃ）との直列回路を含むユニット回路部を複数設け、また、上記複数のユニット回路部（Ｕ）に含まれる上記コンデンサ（Ｃ）を充電する少なくとも１つの充電手段（ＣＨ）を設け、上記複数のユニット回路部（Ｕ）を負荷に対して並列に接続する。
上記パルス状の電気エネルギーのパルス幅は、１００ｎＳ（ナノ秒）〜２０００ｎＳ（ナノ秒）であることが望ましい。
（２）上記（１）において、上記パルス発生装置に、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のスイッチング手段（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）のｏｎタイミングを制御する制御部を設ける。
（３）上記（２）において、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に、各ユニット回路部の通電状態を検出する通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）を設け、上記制御部が、上記通電検出部からの通電検出信号に基づき、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるようにスイッチング手段のｏｎタイミングを制御する。
（４）上記（１）（２）において、上記各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）が有するインダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）の値を、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるように設定する。
（５）高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種を含む原料を供給する原料供給手段と、一対の放電電極を有し、放電によって上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置における高電圧パルス発生部として、（１）（２）（３）（４）のパルス発生装置を用い、このパルス発生装置によりパルス状の電気エネルギーを上記一対の放電電極に印加することにより放電を発生させる。
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）スイッチング手段とコンデンサとの直列回路を含むユニット回路部を複数設け、この複数のユニット回路部を負荷に対して並列に接続したので、各ユニット回路部を流れる電流は、要求される負荷電流より小さくてよく、各ユニット回路部を構成する回路素子も小電流に対応するものでよい。
このため、ユニット回路部の各コンデンサの容量は小さくてよく、また、各スイッチも小電流対応のものでよい。
したがって、従来の高電圧パルス発生部における主コンデンサ、固体スイッチと比較すると、小型化が可能となり、絶縁構造も簡便となる。
また、上記パルス状の電気エネルギーのパルス幅を、１００ｎＳ（ナノ秒）〜２０００ｎＳ（ナノ秒）とすることで、効果的に高温プラズマを発生させることができる。
（２）本発明のパルス発生装置をＤＰＰ方式ＥＵＶ装置に適用することにより、比較的容易に放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが可能となる。
また、磁気パルス圧縮回路を使用する必要がないので、露光量一定制御時において各コンデンサへの充電電圧が変動しても、各コンデンサから放電部に転送される電力エネルギーの転送時間の変動は著しく小さくなる。そのため、露光装置の制御部から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極、第２の主放電電極間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間の変動も小さくなり、露光装置がスキャン露光を行う場合においても露光に不具合が生じにくい。
（３）上記したパルス発生装置にさらに制御部を設けて、この制御部により各ユニット回路部のスイッチング手段のｏｎタイミングを制御するようにすれば、確実に各ユニット回路部を流れる各電流を、精度よく重ね合わせることが可能となる。
特に、各ユニット回路部に、各ユニット回路部の通電状態を検出する通電検出部を設けて、これらの通電検出部からの通電検出信号に基づき、スイッチング手段のｏｎタイミングを制御するようにすれば、各コンデンサに充電されていた電力エネルギーが負荷（絶縁部）に加えられるまでの時間のバラつきができるだけ小さくなるように調節することが可能となる。
また、上記各ユニット回路部の各インダクタンスの値を各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるように設定すれば、各スイッチング手段へのトリガタイミングを都度制御する必要はない。すなわち、毎回、上記したような通電検出部により検出した各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータを収集する必要もない。このため、構成が簡便となる。
また、制御部も、同一のタイミングで各スイッチング手段へトリガ信号を送出すればよいので、制御構成を単純化することができる。
（１）スイッチング手段とコンデンサとの直列回路を含むユニット回路部を複数設け、この複数のユニット回路部を負荷に対して並列に接続したので、各ユニット回路部を流れる電流は、要求される負荷電流より小さくてよく、各ユニット回路部を構成する回路素子も小電流に対応するものでよい。
このため、ユニット回路部の各コンデンサの容量は小さくてよく、また、各スイッチも小電流対応のものでよい。
したがって、従来の高電圧パルス発生部における主コンデンサ、固体スイッチと比較すると、小型化が可能となり、絶縁構造も簡便となる。
また、上記パルス状の電気エネルギーのパルス幅を、１００ｎＳ（ナノ秒）〜２０００ｎＳ（ナノ秒）とすることで、効果的に高温プラズマを発生させることができる。
（２）本発明のパルス発生装置をＤＰＰ方式ＥＵＶ装置に適用することにより、比較的容易に放電部を流れる電流ピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが可能となる。
また、磁気パルス圧縮回路を使用する必要がないので、露光量一定制御時において各コンデンサへの充電電圧が変動しても、各コンデンサから放電部に転送される電力エネルギーの転送時間の変動は著しく小さくなる。そのため、露光装置の制御部から発光指令信号が出力されてから第１の主放電電極、第２の主放電電極間で放電が発生してＥＵＶ光が発光するまでの時間の変動も小さくなり、露光装置がスキャン露光を行う場合においても露光に不具合が生じにくい。
（３）上記したパルス発生装置にさらに制御部を設けて、この制御部により各ユニット回路部のスイッチング手段のｏｎタイミングを制御するようにすれば、確実に各ユニット回路部を流れる各電流を、精度よく重ね合わせることが可能となる。
特に、各ユニット回路部に、各ユニット回路部の通電状態を検出する通電検出部を設けて、これらの通電検出部からの通電検出信号に基づき、スイッチング手段のｏｎタイミングを制御するようにすれば、各コンデンサに充電されていた電力エネルギーが負荷（絶縁部）に加えられるまでの時間のバラつきができるだけ小さくなるように調節することが可能となる。
また、上記各ユニット回路部の各インダクタンスの値を各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるように設定すれば、各スイッチング手段へのトリガタイミングを都度制御する必要はない。すなわち、毎回、上記したような通電検出部により検出した各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータを収集する必要もない。このため、構成が簡便となる。
また、制御部も、同一のタイミングで各スイッチング手段へトリガ信号を送出すればよいので、制御構成を単純化することができる。
以下、上述した本発明のパルス発生装置をＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の高電圧パルス発生部に適用した場合の実施例について説明する。
図２は、本発明の実施例のＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す図であり、以下本実施例のＥＵＶ光源装置の各部の構成及び動作について説明する。
（１）ガス供給・排気系統
ガス供給・排気系統については、図８に示したものと基本的には同様であり、放電容器であるチャンバ１内に、ガス供給・排気ニット１１よりガス導入口４を介して放電用ガスが導入される。なお、本実施例では予備電離を、滑り放電ではなく電子線発生装置を用いて行っているので、ガス導入口４は第１の容器１ａの側面に設けられている。
放電用ガスは、前記したようにチャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部２で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を形成するための原料ガスであり、例えば、キセノン（Ｘｅ）である。導入された放電用ガスはチャンバ１内を流れてガス排出口７に到達する。ガス排出口７に到達した放電用ガスは、ガス排気・供給ユニット１１が具えるガス排気手段により排気される。ここで、高温高密度プラズマ発生部の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。
この圧力調節は、前記したように、メインコントローラ３０がチャンバ１に備えられた不図示の圧力モニタより出力される圧力データを受信し、受信した圧力データに基づき、ガス・供給排気ユニット１１を制御して、チャンバ１内へのＸｅガスの供給量ならびに排気量を調節する。
図２は、本発明の実施例のＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の構成例を示す図であり、以下本実施例のＥＵＶ光源装置の各部の構成及び動作について説明する。
（１）ガス供給・排気系統
ガス供給・排気系統については、図８に示したものと基本的には同様であり、放電容器であるチャンバ１内に、ガス供給・排気ニット１１よりガス導入口４を介して放電用ガスが導入される。なお、本実施例では予備電離を、滑り放電ではなく電子線発生装置を用いて行っているので、ガス導入口４は第１の容器１ａの側面に設けられている。
放電用ガスは、前記したようにチャンバ１内の高密度高温プラズマ発生部２で波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を放出する放射種を形成するための原料ガスであり、例えば、キセノン（Ｘｅ）である。導入された放電用ガスはチャンバ１内を流れてガス排出口７に到達する。ガス排出口７に到達した放電用ガスは、ガス排気・供給ユニット１１が具えるガス排気手段により排気される。ここで、高温高密度プラズマ発生部の圧力は１〜２０Ｐａに調節される。
この圧力調節は、前記したように、メインコントローラ３０がチャンバ１に備えられた不図示の圧力モニタより出力される圧力データを受信し、受信した圧力データに基づき、ガス・供給排気ユニット１１を制御して、チャンバ１内へのＸｅガスの供給量ならびに排気量を調節する。
（２）電極部
電極部の構成も、図８に示したものと同様であり、チャンバ１内にはリング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとが絶縁材３ｃを介して配置される。チャンバ１は前記したように、第１の容器１ａと第２の容器１ｂから構成され、これらの第１の容器１ａと第２の容器１ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁されている。
チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地され、上記第１の容器１ａと第１の主放電電極３ａには、高電圧パルス発生部２０からおよそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。
その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極３ａ，３ｂ間の高温高密度プラズマ発生部２には、高温高密度のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
なお、前記図８では示されていないが、高密度高温プラズマ発生部２とＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）がこのプラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ９が設置される。デブリトラップ４は、例えば特許文献３に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。
電極部の構成も、図８に示したものと同様であり、チャンバ１内にはリング状の第１の主放電電極（カソード）３ａと第２の主放電電極（アノード）３ｂとが絶縁材３ｃを介して配置される。チャンバ１は前記したように、第１の容器１ａと第２の容器１ｂから構成され、これらの第１の容器１ａと第２の容器１ｂとは、上記絶縁材３ｃにより分離、絶縁されている。
チャンバ１の上記第２の容器１ｂと第２の主放電電極３ｂは接地され、上記第１の容器１ａと第１の主放電電極３ａには、高電圧パルス発生部２０からおよそ−５ｋＶ〜−２０ｋＶの電圧が印加される。
その結果、リング状の第１、第２の各主放電電極３ａ，３ｂ間の高温高密度プラズマ発生部２には、高温高密度のプラズマ放電が発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、第２の主放電電極３ｂ側に設けられたＥＵＶ集光鏡５により反射され、フィルタ６を介して、図示しない照射部に出射される。
なお、前記図８では示されていないが、高密度高温プラズマ発生部２とＥＵＶ集光鏡５との間には、高密度高温プラズマと接する金属（例えば、放電電極）がこのプラズマによってスパッタされて生成する金属粉等のデブリや、Ｓｎ等の放射種に起因するデブリ等を捕捉してＥＵＶ光のみを通過させるためのデブリトラップ９が設置される。デブリトラップ４は、例えば特許文献３に記載されているように、高密度高温プラズマ発生領域の径方向に設置される複数のプレートからなる。
（３）高電圧パルス発生部
高電圧パルス発生部２０は、前記図１（ｂ）に示したようにｎ個のユニット回路部を有しており、各ユニット回路部はそれぞれ並列に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂに接続される。
まず、上記ユニット回路部の構成をｎ番目のユニット回路部Ｕn を例に取り具体的に説明する。
ユニット回路部Ｕｎは充放電回路手段であり、図１ (ａ) に示したように、コンデンサＣｎと固体スイッチ等からなるスイッチＳＷｎとが直列接続された直列回路構成を有する。この直列回路の一端部が、前記した第１の主放電電極、他端部が第２の主放電電極に接続される。
高電圧パルス発生部２０は、前記図１（ｂ）に示したようにｎ個のユニット回路部を有しており、各ユニット回路部はそれぞれ並列に第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂに接続される。
まず、上記ユニット回路部の構成をｎ番目のユニット回路部Ｕn を例に取り具体的に説明する。
ユニット回路部Ｕｎは充放電回路手段であり、図１ (ａ) に示したように、コンデンサＣｎと固体スイッチ等からなるスイッチＳＷｎとが直列接続された直列回路構成を有する。この直列回路の一端部が、前記した第１の主放電電極、他端部が第２の主放電電極に接続される。
ここで、図２において、コンデンサＣ1 〜Ｃn とスイッチＳＷ1 〜ＳＷn とが直列接続された直列回路構成に更に直列にインダクタンスＬ1 〜Ｌn が接続されているように示されている。これは、コンデンサＣ1 〜Ｃn の寄生インダクタンスおよびコンデンサＣ1 〜Ｃn 、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスを合成したインダクタンスを表している。
なお、上記したように、放電条件によっては、コンデンサＣ1 〜Ｃn 、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn の直列回路構成に更に直列にインダクタンスＬを接続することもある。この場合、Ｌ1 〜Ｌn は、コンデンサＣ1 〜Ｃn の寄生インダクタンスおよびコンデンサＣ1 〜Ｃn 、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスに加え、インダクタンスＬをも合成したインダクタンスを表すこととする。
なお、上記したように、放電条件によっては、コンデンサＣ1 〜Ｃn 、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn の直列回路構成に更に直列にインダクタンスＬを接続することもある。この場合、Ｌ1 〜Ｌn は、コンデンサＣ1 〜Ｃn の寄生インダクタンスおよびコンデンサＣ1 〜Ｃn 、スイッチＳＷ1 〜ＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスに加え、インダクタンスＬをも合成したインダクタンスを表すこととする。
ユニット回路部Ｕn は、例えば、以下のように動作する。まず、直流電源ＣＨより、ダイオードＤn を介してコンデンサＣn が充電される。このときスイッチＳＷn は開状態である。
ここで、各ユニット回路部に設けられた各ダイオード（Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，・・・，Ｄn ）は、ユニット回路部を同時に動作させたとき、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に蓄えられた電気エネルギーが放電部にのみに移行するように電流方向を規制するためのものである。例えば、ユニット回路部Ｕn においてダイオードＤn が無い場合、コンデンサＣn に蓄えられた電気エネルギーは、放電部のみならず、他のユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・、Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の少なくとも１つに移行する可能性がある。
ここで、各ユニット回路部に設けられた各ダイオード（Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，・・・，Ｄn ）は、ユニット回路部を同時に動作させたとき、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に蓄えられた電気エネルギーが放電部にのみに移行するように電流方向を規制するためのものである。例えば、ユニット回路部Ｕn においてダイオードＤn が無い場合、コンデンサＣn に蓄えられた電気エネルギーは、放電部のみならず、他のユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・、Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の少なくとも１つに移行する可能性がある。
コンデンサＣn 充電後、メインコントローラ３０からのプリトリガ信号がタイミング制御部２１に出力される。タイミング制御部２１は上記ブリトリガ信号受信後、所定のタイミングでスイッチＳＷn にトリガ信号（ｏｎ信号）を出力する。スイッチＳＷn が例えば固体スイッチの場合、タイミング制御部２１から固体スイッチのゲートにトリガ信号が出力される。トリガ信号を受信したスイッチＳＷn はｏｎ状態となり、コンデンサＣn に充電されていた電力エネルギーが、絶縁部３ｃを挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられる。
ここで、ユニット回路部Ｕn には通電検出部Ｍn が設けられる。通電検出部Ｍn は、スイッチＳＷn がｏｎ状態になってユニット回路部が通電状態（電流が流れる状態）になるタイミングを検出するものである。
ここで、ユニット回路部Ｕn には通電検出部Ｍn が設けられる。通電検出部Ｍn は、スイッチＳＷn がｏｎ状態になってユニット回路部が通電状態（電流が流れる状態）になるタイミングを検出するものである。
本実施例の各ユニット回路は具体的には以下のように構成される。
負荷に接続されたユニット回路部Ｕn 単独で放電が行われると仮想すると、放電はＬＣ放電となり、放電時の電流波形はｓｉｎ波形となる。また、放電波形のパルス幅Ｐｗは、電流波形周期Ｔの１／２で与えられ、以下の（１）式となる。
また、コンデンサＣn の充電電圧をＶ、負荷の波動インピーダンスをＺとすると、放電電流のピーク電流Ｉｍは、以下の（２）式となる。
負荷に接続されたユニット回路部Ｕn 単独で放電が行われると仮想すると、放電はＬＣ放電となり、放電時の電流波形はｓｉｎ波形となる。また、放電波形のパルス幅Ｐｗは、電流波形周期Ｔの１／２で与えられ、以下の（１）式となる。
また、コンデンサＣn の充電電圧をＶ、負荷の波動インピーダンスをＺとすると、放電電流のピーク電流Ｉｍは、以下の（２）式となる。
今回、各ユニット回路に用いたスイッチＳＷn は、大電流を流すことが可能なＩＧＢＴを使用した。ここで、ＩＧＢＴの最大定格は、例えば、三菱電機製のＣＮ１０００ＤＵ−３４シリーズを使用すると、以下の通りとなる。
電圧（Ｖｃｅmax ）：１７００Ｖ
電流（Ｉｃｅmax ）：パルス動作で２０００Ａ
一方、試作したユニット回路Ｕn １個あたりの配線回路抵抗ｒ、回路インダクタンスＬn を測定すると、それぞれ、
ｒ＝０．２Ω
Ｌn ＝１４２ｎＨ
となった。なお、回路インダクタンスＬn は、上記したように、コンデンサＣn の寄生インダクタンスおよびコンデンサＣn 、スイッチＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスの合成インダクタンスに相当する。
上記した回路定数に基づき、ユニット回路を設計すると、以下のようになる。
ＩＧＢＴスイッチの余裕度を考慮し、使用電圧係数を７５％、使用電流係数を８０％とすると、最大使用電圧Ｖおよび最大使用電流Ｉ（すなわち、放電電流のピーク電流Ｉｍ）は、以下のようになる。
Ｖ＝１２７５Ｖ
Ｉｍ＝１６００Ａ
また、（２）式を配線回路抵抗ｒを考慮して変形すると、以下の（２’）式となり、コンデンサＣｎの容量は、以下の（３）式のように求められる。
電圧（Ｖｃｅmax ）：１７００Ｖ
電流（Ｉｃｅmax ）：パルス動作で２０００Ａ
一方、試作したユニット回路Ｕn １個あたりの配線回路抵抗ｒ、回路インダクタンスＬn を測定すると、それぞれ、
ｒ＝０．２Ω
Ｌn ＝１４２ｎＨ
となった。なお、回路インダクタンスＬn は、上記したように、コンデンサＣn の寄生インダクタンスおよびコンデンサＣn 、スイッチＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスの合成インダクタンスに相当する。
上記した回路定数に基づき、ユニット回路を設計すると、以下のようになる。
ＩＧＢＴスイッチの余裕度を考慮し、使用電圧係数を７５％、使用電流係数を８０％とすると、最大使用電圧Ｖおよび最大使用電流Ｉ（すなわち、放電電流のピーク電流Ｉｍ）は、以下のようになる。
Ｖ＝１２７５Ｖ
Ｉｍ＝１６００Ａ
また、（２）式を配線回路抵抗ｒを考慮して変形すると、以下の（２’）式となり、コンデンサＣｎの容量は、以下の（３）式のように求められる。
以上をまとめると、ユニット回路Ｕn は、表１のように設計される。
本実施例の装置においては、繰り返し周波数７ｋＨｚで使用し、上記ユニット回路Ｕn の個数は２５個である。
ここで、パルス幅は、コンデンサに蓄えられた電気エネルギーが全て放電されるものとし、電流の波形により測定される。具体的には、コンデンサに直列にＣＴ（電流検出器）を設け、ＣＴにより検出される電流波形を観測することでパルス幅を測定することができる。
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の放電部に電力を供給する高電圧パルス発生部としては、次のような数値範囲で設計される。インダクタンス範囲５０ｎＨ〜５００ｎＨ、コンデンサ容量５ｎＦ〜１０００ｎＦ、パルス幅１００ｎＳ〜２０００ｎＳ、電圧１０００Ｖ〜５０００Ｖ、繰り返し周波数〜１０ｋＨ、ユニット回路部の個数１〜１００個。
ここで、パルス幅は、コンデンサに蓄えられた電気エネルギーが全て放電されるものとし、電流の波形により測定される。具体的には、コンデンサに直列にＣＴ（電流検出器）を設け、ＣＴにより検出される電流波形を観測することでパルス幅を測定することができる。
なお、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置の放電部に電力を供給する高電圧パルス発生部としては、次のような数値範囲で設計される。インダクタンス範囲５０ｎＨ〜５００ｎＨ、コンデンサ容量５ｎＦ〜１０００ｎＦ、パルス幅１００ｎＳ〜２０００ｎＳ、電圧１０００Ｖ〜５０００Ｖ、繰り返し周波数〜１０ｋＨ、ユニット回路部の個数１〜１００個。
次に上記高電圧パルス発生部２０の動作について説明する。
このようなユニット回路部をｎ個有する高電圧パルス発生部は、以下のように動作する。
まず、露光機４０より発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から、ブリトリガ信号がタイミング制御部２１に出力される。タイミング制御部２１は、充電指令信号を直流電源ＣＨに出力する。
充電指令信号を受信した直流電源ＣＨより、ダイオード（Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，・・・，Ｄｎ）を介して各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電される。このとき各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）は開状態である。
各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）充電後、タイミング制御部２１から所定のタイミングでほぼ同時に各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）にトリガ信号が同時に出力される。各スイッチ（ＳＷ1 、ＳＷ2 、ＳＷ3 ・・・、ＳＷn ）が例えば固体スイッチの場合、タイミング制御部２１から各固体スイッチのゲートにトリガ信号が出力される。なお、上記タイミングの制御については後述する。
このようなユニット回路部をｎ個有する高電圧パルス発生部は、以下のように動作する。
まず、露光機４０より発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から、ブリトリガ信号がタイミング制御部２１に出力される。タイミング制御部２１は、充電指令信号を直流電源ＣＨに出力する。
充電指令信号を受信した直流電源ＣＨより、ダイオード（Ｄ1 ，Ｄ2 ，Ｄ3 ，・・・，Ｄｎ）を介して各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電される。このとき各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）は開状態である。
各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）充電後、タイミング制御部２１から所定のタイミングでほぼ同時に各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）にトリガ信号が同時に出力される。各スイッチ（ＳＷ1 、ＳＷ2 、ＳＷ3 ・・・、ＳＷn ）が例えば固体スイッチの場合、タイミング制御部２１から各固体スイッチのゲートにトリガ信号が出力される。なお、上記タイミングの制御については後述する。
トリガ信号を受信した各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）はｏｎ状態となり、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーは、絶縁部３ｃを挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられる。
放電部に上記電力エネルギーが加えられると、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加され、絶縁材表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
このような放電動作が各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）のスイッチング動作、高電圧電源動作によって繰り返し行なわれることにより、所定の繰り返し周波数でのＥＵＶ放射が行われる。
放電部に上記電力エネルギーが加えられると、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間に高電圧パルスが印加され、絶縁材表面に沿面放電（ｃｒｅｅｐｉｎｇ ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）が発生して第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間は実質、短絡状態になり、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂ間にパルス状の電流が流れる。その後、ピンチ効果によるジュール加熱によって高密度高温プラズマ発生部２において高温プラズマが発生し、このプラズマから波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光が放射される。
このような放電動作が各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）のスイッチング動作、高電圧電源動作によって繰り返し行なわれることにより、所定の繰り返し周波数でのＥＵＶ放射が行われる。
ここで、上記したように、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置における放電部で発生する放電は沿面放電であるので、電極間の放電インピーダンスは殆ど変化せず単なる短絡状態と見なせる。そのため、各ユニット回路部と放電部との作る回路ループは線形素子のみで構成されていると見なすことができる。
したがって、前記したようにユニット回路部Ｕをｎ個有する高電圧パルス発生部２０においては、Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆの法則や重ね合わせの理が成立する。
したがって、前記したようにユニット回路部Ｕをｎ個有する高電圧パルス発生部２０においては、Ｋｉｒｃｈｈｏｆｆの法則や重ね合わせの理が成立する。
すなわち、ユニット回路部Ｕ1 と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣ1 が直流電源ＣＨにより充電された後スイッチＳＷ1 がｏｎ状態となったときに流れる電流をＩ1 、ユニット回路部Ｕ2 と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣ2 が直流電源ＣＨにより充電された後スィッチＳＷ2 がｏｎ状態となったときに流れる電流をＩ2 、ユニット回路部Ｕ3 と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣ3 が直流電源ＣＨにより充電された後スイッチＳＷ3 がｏｎ状態となったときに流れる電流をＩ3 ・・・、ユニット回路部Ｕn と放電部とが作る回路ループにおいてコンデンサＣn が直流電源ＣＨにより充電された後スイッチＳＷn がｏｎ状態となったときに流れる電流をＩn とし、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）が直流電源ＣＨにより充電され各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）がほぼ同時にｏｎ状態となったときに放電部を流れる電流をＩとすると、重ね合わせの理により、以下の関係が成立する。
Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋・・・＋Ｉn
Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋Ｉ3 ＋・・・＋Ｉn
すなわち、本実施例の高電圧パルス発生部を構成する各ユニット回路部を流れる電流（Ｉ1 ，Ｉ2 ，Ｉ3 ，・・・，Ｉn ）は、放電部を流れる電流Ｉより小さくてよいので、各ユニット回路部を構成する回路素子も小電流に対応するものでよい。すなわち、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量は小さくてよく、また、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）とも小電流対応のものでよい。そのため、本発明の高電圧パルス発生部によれば、図１に示す従来の高電圧パルス発生部における主コンデンサ、固体スイッチと比較すると、小型化が可能となり、絶縁構造も簡便となる。
（４）予備電離
従来技術と同様、放電が発生し難い低い圧力下で安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。
予備電離ユニットとしては、図８に示すような滑り放電を利用したものを用いてもよいが、例えば、特許文献２に記載されているような電子線発生装置を用いてもよい。
予備電離ユニットを構成する電子線発生装置は、図２に示すように、ガラスなどの絶縁部材８ａで構成された絶縁容器内に、電子線源であるフィラメントヒータ８ｃとカソード８ｄとが設けられている。フィラメントヒータ８ｃとカソード８ｄの各々に具えられた電力供給用の端子８ｅ，８ｆ，８ｇは、絶縁容器外部に突出している。絶縁容器８ａは密閉され、内部は真空に保たれている。
また、絶縁容器８ａには、電子線を透過させる電子線透過膜８ｂが設けられる。この電子線透過膜８ｂは導電性である。電子線透過膜８ｂは、第１の容器１ａに直接取り付けられる。
フィラメントヒータ８ｃは、予備電離電源５０においてＡＣ電源に接続された絶縁トランスであるフィラメント電源トランス５１から電流が供給され、加熱される。また、カソード８ｄにはＡＣ電源に接続された絶縁トランス５２からコッククロフト回路等の昇圧回路５３を介してマイナス高電圧−ＨＶ２が印加される。通常、電子線透過窓８ｂを接地電位とすることにより、電子線が引き出され、上記電子線透過窓８ｂを介して、図２の点線矢印に示すように、電子線が放射される。
従来技術と同様、放電が発生し難い低い圧力下で安定した放電を生じさせるには、予備電離を行うことが望ましい。
予備電離ユニットとしては、図８に示すような滑り放電を利用したものを用いてもよいが、例えば、特許文献２に記載されているような電子線発生装置を用いてもよい。
予備電離ユニットを構成する電子線発生装置は、図２に示すように、ガラスなどの絶縁部材８ａで構成された絶縁容器内に、電子線源であるフィラメントヒータ８ｃとカソード８ｄとが設けられている。フィラメントヒータ８ｃとカソード８ｄの各々に具えられた電力供給用の端子８ｅ，８ｆ，８ｇは、絶縁容器外部に突出している。絶縁容器８ａは密閉され、内部は真空に保たれている。
また、絶縁容器８ａには、電子線を透過させる電子線透過膜８ｂが設けられる。この電子線透過膜８ｂは導電性である。電子線透過膜８ｂは、第１の容器１ａに直接取り付けられる。
フィラメントヒータ８ｃは、予備電離電源５０においてＡＣ電源に接続された絶縁トランスであるフィラメント電源トランス５１から電流が供給され、加熱される。また、カソード８ｄにはＡＣ電源に接続された絶縁トランス５２からコッククロフト回路等の昇圧回路５３を介してマイナス高電圧−ＨＶ２が印加される。通常、電子線透過窓８ｂを接地電位とすることにより、電子線が引き出され、上記電子線透過窓８ｂを介して、図２の点線矢印に示すように、電子線が放射される。
ここで、ＥＵＶ集光鏡等が設けられる側の第２の主放電電極３ｂは、このＥＵＶ集光鏡５等との間で放電が生じないようにするため、接地電位とされる。したがって、高電圧パルス発生部２０からは、第１の主放電電極３ａおよび第１の容器１ａに−数十ｋＶのマイナス高電圧−ＨＶ１が印加される。よって、電子線透過膜８ｂの電位も−ＨＶ１となる。そのため、電子線が効果的に引き出せるように、電子線発生装置のカソードに印加するマイナス高電圧−ＨＶ２は、｜ＨＶ１｜＜｜ＨＶ２｜となるように設定される。
予備電離ユニット８として電子線発生装置を用いると、低い圧力における予備電離のために効率のよい電子線を用いることができる。
また、滑り放電を用いる方式と異なり、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂと予備電離ユニット８との間に、電子線は通過するが汚染物質を透過させない電子線透過窓８ｂを設けているので、互いの汚染の影響がない。
予備電離ユニット８として電子線発生装置を用いると、低い圧力における予備電離のために効率のよい電子線を用いることができる。
また、滑り放電を用いる方式と異なり、第１、第２の主放電電極３ａ，３ｂと予備電離ユニット８との間に、電子線は通過するが汚染物質を透過させない電子線透過窓８ｂを設けているので、互いの汚染の影響がない。
なお、電子線発生装置としては、非特許文献２に記載されているような強誘電体陰極を用いたパルス電子源を用いることができる。
このパルス電子源は、ＰＺＴやＰＬＺＴなどの強誘電体薄板の片面に、くし状電極、他方に一様な電極を設けたものである。強誘電体薄板は、分極処理をされ、自発分極が一方向にそろえられる。よって、くし状電極の隙間に露出する強誘電体薄板部分は遮蔽電子で覆われる。この状態で一様電極に負極性のパルス電圧を加えると、自発分極が反転して遮蔽電子に反発力が働く。この結果、遮蔽電子が放出される。このような強誘電体陰極を用いたパルス電子源は、低電圧で高電流密度の電子ビームを容易に得ることが出来る。
このパルス電子源は、ＰＺＴやＰＬＺＴなどの強誘電体薄板の片面に、くし状電極、他方に一様な電極を設けたものである。強誘電体薄板は、分極処理をされ、自発分極が一方向にそろえられる。よって、くし状電極の隙間に露出する強誘電体薄板部分は遮蔽電子で覆われる。この状態で一様電極に負極性のパルス電圧を加えると、自発分極が反転して遮蔽電子に反発力が働く。この結果、遮蔽電子が放出される。このような強誘電体陰極を用いたパルス電子源は、低電圧で高電流密度の電子ビームを容易に得ることが出来る。
（５）各ユニット回路部の通電タイミングについて
上記したように、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置において高密度高温プラズマを安定させるには、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを流れる電流のピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが望ましいと考えられる。
ここで、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の動作タイミングについて考える。
各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが絶縁部を挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間をｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn とする。
ｔ1 〜ｔn が全てほぼ等しいとき、放電部を流れる電流パルスはｎ個の電流パルスを単純に重畳したものとなる。
上記したように、ＤＰＰ方式ＥＵＶ光源装置において高密度高温プラズマを安定させるには、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを流れる電流のピーク値をできるだけ大きくしてプラズマへの投入エネルギーを大きくすること、および、電流パルス幅を短パルス化してプラズマの強励起・加熱を行うことが望ましいと考えられる。
ここで、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の動作タイミングについて考える。
各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・，ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが絶縁部を挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間をｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn とする。
ｔ1 〜ｔn が全てほぼ等しいとき、放電部を流れる電流パルスはｎ個の電流パルスを単純に重畳したものとなる。
図３（ａ）は、ユニット回路部が３つ（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ）で、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 の場合の電流パルス波形を説明する図である。なお、理解を容易にするために、図３（ａ）は各ユニット回路部単独でも放電が発生すると仮定したときの電流パルス波形を破線で示しており、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ）のコンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ）の容量、インダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ）は等しいとしている。また、各ユニット回路部を合成したときのインダクタンスと各ユニット回路部単独が有するインダクタンスとの大小関係は無視している。
図３（ａ）に示すように、上記各時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 が等しい場合、放電部を流れる電流パルスは、各ユニット回路部単独で放電したと仮定した場合の電流パルスの振幅が増大するのみでパルス幅（例えば、ＦＷＨＭ）は変化しない。
図３（ａ）に示すように、上記各時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 が等しい場合、放電部を流れる電流パルスは、各ユニット回路部単独で放電したと仮定した場合の電流パルスの振幅が増大するのみでパルス幅（例えば、ＦＷＨＭ）は変化しない。
一方、図３（ｂ）は、ユニット回路部が３つ（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ）で、ｔ1 ≠ｔ2 ≠ｔ3 の場合の電流パルス波形を説明する図である。図３（ａ）のときと同様、理解を容易にするために、図３（ｂ）は各ユニット回路部単独でも放電が発生すると仮定したときの電流パルス波形を破線で示している。また、各ユニット回路部を合成したときのインダクタンスと各ユニット回路部単独が有するインダクタンスとの大小関係は無視している。
図３（ｂ）に示すように、上記各時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 が互いに等しくない場合、各ユニット回路部から放電部へ入力される電気エネルギーの入力タイミングにばらつきがあるため、放電部を流れる電流パルスは、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 の場合と比較すると、パルス幅（例えば、ＦＷＨＭ）が長くなる。また、電流パルスのピーク値も、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 のときの場合と比較して小さくなる。
すなわち、ｔ1 ≠ｔ2 ≠ｔ3 の場合、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 の場合と比較すると、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを流れる電流のピーク値が小さくなってプラズマへの投入エネルギーが小さくなる。また、電流パルス幅も広がって、プラズマの励起・加熱が弱くなる。
図３（ｂ）に示すように、上記各時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 が互いに等しくない場合、各ユニット回路部から放電部へ入力される電気エネルギーの入力タイミングにばらつきがあるため、放電部を流れる電流パルスは、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 の場合と比較すると、パルス幅（例えば、ＦＷＨＭ）が長くなる。また、電流パルスのピーク値も、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 のときの場合と比較して小さくなる。
すなわち、ｔ1 ≠ｔ2 ≠ｔ3 の場合、ｔ1 ＝ｔ2 ＝ｔ3 の場合と比較すると、第１の主放電電極３ａ、第２の主放電電極３ｂを流れる電流のピーク値が小さくなってプラズマへの投入エネルギーが小さくなる。また、電流パルス幅も広がって、プラズマの励起・加熱が弱くなる。
図２に示す高電圧パルス発生部２０において、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ，・・・ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ33，・・・Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが絶縁部３ｃを挟む第1 の主放電電極３ａと第2 の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間（ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn ）が変動する要因としては、例えば、以下のものが考えられる。
（ａ）各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）の固体差によるスイッチング動作のばらつき
（ｂ）各ユニット回路部の回路素子（コンデンサ等）の固体差による電気エネルギー転送時間のばらつき
（ｃ）各ユニット回路部と放電部との接続構造のばらつきに伴う各回路ループのインダクタンスのばらつきに起因する電気エネルギー転送時間のばらつき等である。
（ａ）各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）の固体差によるスイッチング動作のばらつき
（ｂ）各ユニット回路部の回路素子（コンデンサ等）の固体差による電気エネルギー転送時間のばらつき
（ｃ）各ユニット回路部と放電部との接続構造のばらつきに伴う各回路ループのインダクタンスのばらつきに起因する電気エネルギー転送時間のばらつき等である。
本実施例の高電圧パルス発生部においては、図２に示すように各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・Ｍn ）が設けられる。通電検出部Ｍn は、タイミング制御部からスイッチＳＷn にトリガ信号出力された後、スイッチＳＷn がｏｎ状態になってユニット回路部が通電状態（電流が流れる状態、すなわち、電気エネルギーが放電部に入力された状態）になるタイミングを検出するものである。
通電検出部Ｍn で検出された各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータは、タイミング制御部２１に出力される。タイミング制御部２１は、この電気エネルギー転送タイミングデータをもとに、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）への各トリガ信号出力タイミングを補正する。以上のような補正により、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが絶縁部３ｃを挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn のバラつきができるだけ小さくなるように調節することが可能となる。
通電検出部Ｍn で検出された各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータは、タイミング制御部２１に出力される。タイミング制御部２１は、この電気エネルギー転送タイミングデータをもとに、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）への各トリガ信号出力タイミングを補正する。以上のような補正により、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが絶縁部３ｃを挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn のバラつきができるだけ小さくなるように調節することが可能となる。
以下、タイミング制御部を用いた各ユニット回路部の通電タイミング制御について説明する。
タイミング制御部２１におけるタイミングの制御の概要は以下の通りである。
(i) 初回の放電時には、露光機４０からの発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から送られてくるプリトリガ信号に基づき、予め定めておいた各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）への各トリガ信号出力タイミングに従って、各トリガ信号を出力し、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする。
(ii)上記各トリガ信号から各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に電流が流れ始めるまでの時間を、タイミング制御部２１に設けられたカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）でカウントし、上記トリガ信号を出力してから実際に各ユニット回路部に電流が流れる（放電が開始する）までの時間を求める。
(iii) ２回目以降の放電時には、上記カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）でカウントした実際の時間に基づき、各トリガ信号出力タイミングを補正して、この補正された各トリガ信号出力タイミングに従って、各トリガ信号を出力し、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする。
タイミング制御部２１におけるタイミングの制御の概要は以下の通りである。
(i) 初回の放電時には、露光機４０からの発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から送られてくるプリトリガ信号に基づき、予め定めておいた各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）への各トリガ信号出力タイミングに従って、各トリガ信号を出力し、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする。
(ii)上記各トリガ信号から各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に電流が流れ始めるまでの時間を、タイミング制御部２１に設けられたカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）でカウントし、上記トリガ信号を出力してから実際に各ユニット回路部に電流が流れる（放電が開始する）までの時間を求める。
(iii) ２回目以降の放電時には、上記カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）でカウントした実際の時間に基づき、各トリガ信号出力タイミングを補正して、この補正された各トリガ信号出力タイミングに従って、各トリガ信号を出力し、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする。
以下、タイミング制御部を用いた各ユニット回路部の通電タイミング制御について詳細に説明する。
図４にタイミング制御部２１の入出力信号を示す。
同図に示すように、タイミング制御部２１には、メインコントローラ３０からのプリトリガ信号、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・Ｍn ）からの通電検出信号が入力される。タイミング制御部２１は、これらの信号に基づき、直流電源ＣＨに充電制御信号を出力するとともに、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎするタイミングを決定し、トリガ信号を出力する。
上記タイミング制御部２１は、例えばＣＰＵで構成することができ、タイミング制御部２１によるタイミングの制御はソフトウェアで実現することができる。
図４にタイミング制御部２１の入出力信号を示す。
同図に示すように、タイミング制御部２１には、メインコントローラ３０からのプリトリガ信号、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・Ｍn ）からの通電検出信号が入力される。タイミング制御部２１は、これらの信号に基づき、直流電源ＣＨに充電制御信号を出力するとともに、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎするタイミングを決定し、トリガ信号を出力する。
上記タイミング制御部２１は、例えばＣＰＵで構成することができ、タイミング制御部２１によるタイミングの制御はソフトウェアで実現することができる。
図５はタイミング制御部２１の処理を示すフローチャート、図６はタイミング制御部２１の制御タイミングチャートであり、これらの図を参照しながら、タイミング制御部２１を用いた各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電タイミング制御について説明する。
(i) 運転を開始してから最初の放電（初回パルスという）であるかを判定し（Ｓ１０１）、初回パルスの場合には、ステップＳ１０１からステップＳ１０２に行く。また初回パルスでない場合には、ステップＳ１０８に行く。
(ii)初回パルスの場合は、各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウント値が使用できないので、ステップＳ１０２では、プリトリガ信号受信後、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）にトリガ信号を出力するタイミングの補正はない。すなわち、各トリガ遅延時間をΔｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）＝０に設定する。
プリトリガ信号受信後から各ユニット回路部の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）に各々トリガ信号を出力するまでの時間は、例えば、後に示す充電安定時間ｔｓｔとする。
(i) 運転を開始してから最初の放電（初回パルスという）であるかを判定し（Ｓ１０１）、初回パルスの場合には、ステップＳ１０１からステップＳ１０２に行く。また初回パルスでない場合には、ステップＳ１０８に行く。
(ii)初回パルスの場合は、各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウント値が使用できないので、ステップＳ１０２では、プリトリガ信号受信後、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）にトリガ信号を出力するタイミングの補正はない。すなわち、各トリガ遅延時間をΔｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）＝０に設定する。
プリトリガ信号受信後から各ユニット回路部の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）に各々トリガ信号を出力するまでの時間は、例えば、後に示す充電安定時間ｔｓｔとする。
(iii) 露光機４０より発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から、プリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）を受信する（Ｓ１０３）。
(iv)タイミング制御部２１は、ステップＳ１０３で受信したプリトリガ信号を基に、充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）、および、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）を作成する（図８のステップＳ１０４）。
ここで、上記充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）は直流電源ＣＨに送信され、直流電源ＣＨが前記したように各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の充電を行うが、前記充電安定時間ｔｓｔは、その際の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の充電が安定するまでの時間である。
充電安定時間ｔｓｔが経過後、タイミング制御部２１は、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）を作成する。（タイミングチャートのＳ２０３、Ｓ２０４）。
(v) ステップＳ１０４で作成したトリガ信号（Ｔｒｉｇ）の出力開始で、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に電流が流れ始める時刻を計測するカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）を動作させる（図５のステップＳ１０５、タイミングチャートのＳ２０７）。
なお、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）は上記プリトリガが入力されたとき、０クリアされている。これらのカウンタはプリトリガ受信から各ユニット回路部に電流が流れるまでの時間を一定にするためにフィードバック制御するためのものである。
(iv)タイミング制御部２１は、ステップＳ１０３で受信したプリトリガ信号を基に、充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）、および、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）を作成する（図８のステップＳ１０４）。
ここで、上記充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）は直流電源ＣＨに送信され、直流電源ＣＨが前記したように各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の充電を行うが、前記充電安定時間ｔｓｔは、その際の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の充電が安定するまでの時間である。
充電安定時間ｔｓｔが経過後、タイミング制御部２１は、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）を作成する。（タイミングチャートのＳ２０３、Ｓ２０４）。
(v) ステップＳ１０４で作成したトリガ信号（Ｔｒｉｇ）の出力開始で、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に電流が流れ始める時刻を計測するカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）を動作させる（図５のステップＳ１０５、タイミングチャートのＳ２０７）。
なお、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）は上記プリトリガが入力されたとき、０クリアされている。これらのカウンタはプリトリガ受信から各ユニット回路部に電流が流れるまでの時間を一定にするためにフィードバック制御するためのものである。
(vi)トリガ信号（Ｔｒｉｇ）から各ユニット回路部における各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）により定まる遅延時間の後、各ユニット回路部のスイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにするための各ユニットトリガ信号Ｔｒｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を出力する（ステップＳ１０６、タイミングチャートＳ２０５）。これにより各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）で電流が流れ始める。
ここで、上記トリガ遅延時間Δｔｄｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）は、最初の一回目（初回パルス）は全て０となるが、２回目以降は、後述するように上記各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を、前記カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウント値に基づき補正した値に基づいて決定する。
(vii) 通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・Ｍn ）により各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電開始タイミングを検出し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）を停止させる（図５のステップＳ１０７、タイミングチャートのＳ２０７）。
ここで、上記トリガ遅延時間Δｔｄｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）は、最初の一回目（初回パルス）は全て０となるが、２回目以降は、後述するように上記各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を、前記カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウント値に基づき補正した値に基づいて決定する。
(vii) 通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・Ｍn ）により各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電開始タイミングを検出し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）を停止させる（図５のステップＳ１０７、タイミングチャートのＳ２０７）。
(viii)以上のように初回の放電が終わると、次いで、ステップＳ１０１に戻る。
(ix)初回のパルスではないので、ステップＳ１０１からステップＳ１０８に行き、ステップＳ１０７で計測したトリガ信号作成から各ユニット回路部で電流が流れ始めるまでの時間であるカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）の値を基に、各ユニット回路部毎の各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）のフィードバック演算を以下のように行う。
Δｔｄｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）＝ｔt −ｔｃn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）
ここで、ｔt ：各ユニット回路部において、トリガ信号作成から各ユニット回路部で電流が流れ始めるまでの遅延目標時間、ｔｃn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）：カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）で計測した時間である。
(x) ついで、ステップＳ１０３に行き、露光機４０より発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から、プリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）を受信する。
(ix)初回のパルスではないので、ステップＳ１０１からステップＳ１０８に行き、ステップＳ１０７で計測したトリガ信号作成から各ユニット回路部で電流が流れ始めるまでの時間であるカウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）の値を基に、各ユニット回路部毎の各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）のフィードバック演算を以下のように行う。
Δｔｄｎ（ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）＝ｔt −ｔｃn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）
ここで、ｔt ：各ユニット回路部において、トリガ信号作成から各ユニット回路部で電流が流れ始めるまでの遅延目標時間、ｔｃn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）：カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）で計測した時間である。
(x) ついで、ステップＳ１０３に行き、露光機４０より発光指令信号を受信したメインコントローラ３０から、プリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）を受信する。
以下、前記したように、充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）、および、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）を作成し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）を動作させる。
そして、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）から、上記のように求めた各ユニット回路部における各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）により定まる遅延時間の後、各ユニット回路部のスイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする各ユニットトリガ信号Ｔｒn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を出力する。
さらに、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電開始タイミングを検出し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウントを停止させる。（図５のステップＳ１０４〜Ｓ１０７）。
以上のように動作させることにより、プリトリガから各ユニット回路部の通電開始時刻までの時間が一定になるように制御することができる。
そして、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）から、上記のように求めた各ユニット回路部における各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）により定まる遅延時間の後、各ユニット回路部のスイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）をｏｎにする各ユニットトリガ信号Ｔｒn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を出力する。
さらに、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電開始タイミングを検出し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウントを停止させる。（図５のステップＳ１０４〜Ｓ１０７）。
以上のように動作させることにより、プリトリガから各ユニット回路部の通電開始時刻までの時間が一定になるように制御することができる。
以上に説明した動作を、図６のタイミングチャートにより説明すると以下のようになる。
(i) 初回のパルスの場合には、各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）は全て０とする（Ｓ２０１）。また、初回のパルスでない場合には、１トリガパルス前の各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のデータに基づき、各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を求める（Ｓ２０１）。
(ii)露光機４０からのプリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）（Ｓ２０２）を受信し、充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）（Ｓ２０３）、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）を作成する。
(iii) 各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）（Ｓ２０７）はプリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）（Ｓ２０２）が入力されると０クリアし、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）受信と同時にカウントを開始する。
(iv)各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）（Ｓ２０１）に基づいて決定された遅延時間だけトリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）を遅延させた各ユニットトリガ信号Ｔｒn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を出力する（Ｓ２０５）。これにより、各ユニット回路部の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）にトリガ信号が与えられ。
(v) 通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により各ユニット回路部の通電開始タイミングを検出（Ｓ２０６）し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウントを停止させる。
(i) 初回のパルスの場合には、各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）は全て０とする（Ｓ２０１）。また、初回のパルスでない場合には、１トリガパルス前の各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のデータに基づき、各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を求める（Ｓ２０１）。
(ii)露光機４０からのプリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）（Ｓ２０２）を受信し、充電制御信号（Ｃｈａｒｇｏｕｔ）（Ｓ２０３）、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）を作成する。
(iii) 各カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）（Ｓ２０７）はプリトリガ信号（Ｐｒｅ＿ｔｒｉｇｉｎ）（Ｓ２０２）が入力されると０クリアし、トリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）受信と同時にカウントを開始する。
(iv)各トリガ遅延時間Δｔｄn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）（Ｓ２０１）に基づいて決定された遅延時間だけトリガ信号（Ｔｒｉｇ）（Ｓ２０４）を遅延させた各ユニットトリガ信号Ｔｒn （ｎ＝１，２，３，・・・，ｎ）を出力する（Ｓ２０５）。これにより、各ユニット回路部の各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）にトリガ信号が与えられ。
(v) 通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により各ユニット回路部の通電開始タイミングを検出（Ｓ２０６）し、カウンタ（Ｃｔ1 ，Ｃｔ2 ，Ｃｔ3 ，・・・，Ｃｔn ）のカウントを停止させる。
以上説明した実施例では、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の通電タイミングを、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により検出し、この各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータに基づき、タイミング制御部２１が各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）への各トリガ信号出力タイミングを補正していた。
これに対し、以下に説明する実施例では、上記通電検出部を設けず各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングを略一致させる。
図７は本発明の第２の実施例を示す図であり、本実施例は、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）を設けて、このインダクタンスの値を調整することにより、各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングを略一致させるようにしたものである。
図７において、前記図２に示したものと同一のものには同一の符号が付されており、図７では、高電圧パルス発生部２０の各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のスイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）直列に調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）を設けられている点、およびタイミング制御部２１の動作が異なる点を除き、構成および動作は、前記第１の実施例と同じである。
図７において、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）における電気エネルギー転送時間（電流パルスの１／２周期）をｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn とするとき、これらは以下のように表される。
これに対し、以下に説明する実施例では、上記通電検出部を設けず各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングを略一致させる。
図７は本発明の第２の実施例を示す図であり、本実施例は、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）に調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）を設けて、このインダクタンスの値を調整することにより、各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングを略一致させるようにしたものである。
図７において、前記図２に示したものと同一のものには同一の符号が付されており、図７では、高電圧パルス発生部２０の各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のスイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）直列に調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）を設けられている点、およびタイミング制御部２１の動作が異なる点を除き、構成および動作は、前記第１の実施例と同じである。
図７において、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）における電気エネルギー転送時間（電流パルスの１／２周期）をｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn とするとき、これらは以下のように表される。
ここで、前記したように、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）がｏｎ状態となって各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）に充電されていた電力エネルギーが、絶縁部３ｃを挟む第１の主放電電極３ａと第２の主放電電極３ｂとからなる放電部に加えられるまでの時間（ｔ1 ，ｔ2 ，ｔ3 ，・・・，ｔn ）が変動する要因は、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）の固体差によるスイッチング動作のバラつきや電気エネルギー転送時間のばらつき等である。
電気エネルギー転送時間のバラつきは、上式における各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量バラつき、コンデンサＣｎの寄生インダクタンスおよびコンデンサＣn 、スイッチＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスを合成したインダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）のバラつきに依存する。
電気エネルギー転送時間のバラつきは、上式における各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量バラつき、コンデンサＣｎの寄生インダクタンスおよびコンデンサＣn 、スイッチＳＷn 、放電部が作るループのインダクタンスを合成したインダクタンス（Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）のバラつきに依存する。
したがって、図７に示すように、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）において、各々調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）を更に設け、これらのインダクタンス値を適宜定めることにより、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）の容量バラつき、インダクタンス（Ｌ，、Ｌ2 ，Ｌ3 ，・・・，Ｌn ）のバラつきを吸収して、電気エネルギー転送時間のばらつきを小さくすることが可能となる。
また各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）の固体差によるスイッチング動作のばらつきが一定であるならば、調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）のインダクタンス値を適宜定めることにより、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）のスイッチング動作のばらつきも吸収することが可能となる。
本実施例によれば、一旦、電気エネルギー転送時間のばらつきが小さくなるように、調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）のインダクタンス値を定めてしまえば、各スイッチへのトリガタイミングをその都度制御する必要はない。
すなわち、本実施例によれば、第１の実施例のように、毎回、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により検出した各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータを収集する必要もない。したがって、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）を設ける必要がないので、構成が簡便となる。
また、タイミング制御部も、同一のタイミングで各スイッチへトリガ信号を送出すればよいので、制御構成を単純化することができる。
また各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）の固体差によるスイッチング動作のばらつきが一定であるならば、調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）のインダクタンス値を適宜定めることにより、各スイッチ（ＳＷ1 ，ＳＷ2 ，ＳＷ3 ・・・，ＳＷn ）のスイッチング動作のばらつきも吸収することが可能となる。
本実施例によれば、一旦、電気エネルギー転送時間のばらつきが小さくなるように、調整用インダクタンス（Ｌb1，Ｌb2，Ｌb3，・・・，Ｌbn）のインダクタンス値を定めてしまえば、各スイッチへのトリガタイミングをその都度制御する必要はない。
すなわち、本実施例によれば、第１の実施例のように、毎回、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）により検出した各ユニット回路部における電気エネルギー転送タイミングデータを収集する必要もない。したがって、通電検出部（Ｍ1 ，Ｍ2 ，Ｍ3 ，・・・，Ｍn ）を設ける必要がないので、構成が簡便となる。
また、タイミング制御部も、同一のタイミングで各スイッチへトリガ信号を送出すればよいので、制御構成を単純化することができる。
なお、本発明は、上記第１、第２の実施例に限るものではなく、以下のように構成することもできる。
（１）上記実施例の高電圧発生部２０では１つの直流電源ＣＨで各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電しているが、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のそれぞれに直流電源を設け、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電するようにしてもよい。この場合、各直流電源は、１つのコンデンサを充電すればよいので、電源容量を小さくでき、小型化することができる。
（２）コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を複数のコンデンサからなる複数組に分割し、各組の複数のコンデンサを充電するような直流電源を複数個設けてもよい。 例えば、直流電源を２つ設け、一方がコンデンサＣ1 〜Ｃm を充電し、他方がコンデンサＣm+1 〜Ｃn を充電するようにしてもよい。この場合も、１つの直流電源で各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電する場合と比較すると、各直流電源を小型化することができる。
なお、上記（１）（２）のように構成すると、直流電源の個体差により、各コンデンサへの充電精度がばらつく可能性はある。この場合、ユニット回路部の動作タイミングのバラつきも発生する。一方、前記した実施例のように、１つの直流電源で各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電する場合は、各コンデンサに対する充電特性が一定となるので、各ユニット回路部の動作のバラつきを小さくすることができる。
（１）上記実施例の高電圧発生部２０では１つの直流電源ＣＨで各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）の各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電しているが、各ユニット回路部（Ｕ1 ，Ｕ2 ，Ｕ3 ，・・・，Ｕn ）のそれぞれに直流電源を設け、各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電するようにしてもよい。この場合、各直流電源は、１つのコンデンサを充電すればよいので、電源容量を小さくでき、小型化することができる。
（２）コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を複数のコンデンサからなる複数組に分割し、各組の複数のコンデンサを充電するような直流電源を複数個設けてもよい。 例えば、直流電源を２つ設け、一方がコンデンサＣ1 〜Ｃm を充電し、他方がコンデンサＣm+1 〜Ｃn を充電するようにしてもよい。この場合も、１つの直流電源で各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電する場合と比較すると、各直流電源を小型化することができる。
なお、上記（１）（２）のように構成すると、直流電源の個体差により、各コンデンサへの充電精度がばらつく可能性はある。この場合、ユニット回路部の動作タイミングのバラつきも発生する。一方、前記した実施例のように、１つの直流電源で各コンデンサ（Ｃ1 ，Ｃ2 ，Ｃ3 ，・・・，Ｃn ）を充電する場合は、各コンデンサに対する充電特性が一定となるので、各ユニット回路部の動作のバラつきを小さくすることができる。
１ チャンバ
２ 高密度高温プラズマ発生部
３ａ 第１の主放電電極
３ｂ 第２の主放電電極
３ｃ 絶縁材
４ ガス導入口
５ 集光鏡
６ フィルタ
７ ガス排気口
８ 予備電源ユニット
９ デブリトラップ
１１ ガス・供給排気ユニット
２０ 高電圧パルス発生部
２１ タイミング制御部
３０ メインコントローラ
４０ 露光機
５０ 予備電離電源
Ｕ1 〜Ｕn ユニット回路部
Ｃ1 〜Ｃn コンデンサ
Ｄ1 〜Ｄｎ ダイオード
ＳＷ1 〜ＳＷn スイッチ
Ｌ1 〜Ｌn インダクタンス
Ｌb1〜Ｌbn 調整用インダクタンス
２ 高密度高温プラズマ発生部
３ａ 第１の主放電電極
３ｂ 第２の主放電電極
３ｃ 絶縁材
４ ガス導入口
５ 集光鏡
６ フィルタ
７ ガス排気口
８ 予備電源ユニット
９ デブリトラップ
１１ ガス・供給排気ユニット
２０ 高電圧パルス発生部
２１ タイミング制御部
３０ メインコントローラ
４０ 露光機
５０ 予備電離電源
Ｕ1 〜Ｕn ユニット回路部
Ｃ1 〜Ｃn コンデンサ
Ｄ1 〜Ｄｎ ダイオード
ＳＷ1 〜ＳＷn スイッチ
Ｌ1 〜Ｌn インダクタンス
Ｌb1〜Ｌbn 調整用インダクタンス
Claims (5)
- スイッチング手段とコンデンサとの直列回路を含むユニット回路部が複数設けられ、上記複数のユニット回路部に含まれる上記コンデンサを充電する少なくとも１つの充電手段とを有し、負荷にパルス状の電気エネルギーを印加するためのパルス発生装置であって、
上記複数のユニット回路部が負荷に対して並列に接続される
ことを特徴とするパルス発生装置。 - 上記パルス発生装置は制御部を有し、
上記制御部は各ユニット回路部のスイッチング手段のｏｎタイミングを制御する
ことを特徴とする請求項１に記載のパルス発生装置。 - 上記各ユニット回路部は、各ユニット回路部の通電状態を検出する通電検出部を有し、
上記制御部は上記通電検出部からの通電検出信号に基づき、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるようにスイッチング手段のｏｎタイミングを制御する
ことを特徴とする請求項２に記載のパルス発生装置。 - 上記各ユニット回路部は各々、インダクタンスを有し、
上記各インダクタンスの値は、各ユニット回路部からパルス状の電気エネルギーが略同一タイミングで負荷へ印加されるように設定されている
ことを特徴とする請求項１もしくは２に記載のパルス発生装置。 - 高密度高温プラズマが発生する容器と、この容器内に極端紫外光放射種を含む原料を供給する原料供給手段と、一対の放電電極を有し、放電によって上記容器内で上記供給された原料を加熱・励起し高密度高温プラズマを発生させる加熱・励起手段と、高密度高温プラズマから放射される極端紫外光を取り出す極端紫外光取り出し部とを有する極端紫外光光源装置において、
上記極端紫外光光源装置は、請求項１，２，３，４のいずれか一項記載のパルス発生装置を有し、このパルス発生装置によりパルス状の電気エネルギーを上記一対の放電電極に印加することにより放電を発生させる
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
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| JP2005144040A JP2006324039A (ja) | 2005-05-17 | 2005-05-17 | パルス発生装置および極端紫外光光源装置 |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2014139928A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-31 | Ushio Inc | パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 |
| JP2016100680A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | ニチコン株式会社 | パルス電源装置 |
| US9516731B2 (en) | 2011-07-13 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Power supply for a discharge produced plasma EUV source |
| US11594981B2 (en) | 2019-05-20 | 2023-02-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power supply device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104500A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-29 | Nippon Electric Co | Thermal louver device |
| JPS58118262A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Canon Inc | 活字輪 |
| JP2001238470A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Ngk Insulators Ltd | パルス電力発生用スイッチ回路 |
| JP2002280648A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Gigaphoton Inc | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2004031024A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Canon Inc | 光発生装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
| JP2004129438A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 共振型スイッチング電源装置 |
-
2005
- 2005-05-17 JP JP2005144040A patent/JP2006324039A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57104500A (en) * | 1980-12-18 | 1982-06-29 | Nippon Electric Co | Thermal louver device |
| JPS58118262A (ja) * | 1982-01-06 | 1983-07-14 | Canon Inc | 活字輪 |
| JP2001238470A (ja) * | 2000-02-21 | 2001-08-31 | Ngk Insulators Ltd | パルス電力発生用スイッチ回路 |
| JP2002280648A (ja) * | 2001-03-22 | 2002-09-27 | Gigaphoton Inc | 高電圧パルス発生装置及び露光用放電励起ガスレーザ装置 |
| JP2004031024A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Canon Inc | 光発生装置、露光装置、及びデバイスの製造方法 |
| JP2004129438A (ja) * | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 共振型スイッチング電源装置 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9516731B2 (en) | 2011-07-13 | 2016-12-06 | Asml Netherlands B.V. | Power supply for a discharge produced plasma EUV source |
| JP2014139928A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-31 | Ushio Inc | パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 |
| JP2016100680A (ja) * | 2014-11-19 | 2016-05-30 | ニチコン株式会社 | パルス電源装置 |
| US11594981B2 (en) | 2019-05-20 | 2023-02-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Power supply device |
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