JP2014139928A - パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 - Google Patents
パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014139928A JP2014139928A JP2013255817A JP2013255817A JP2014139928A JP 2014139928 A JP2014139928 A JP 2014139928A JP 2013255817 A JP2013255817 A JP 2013255817A JP 2013255817 A JP2013255817 A JP 2013255817A JP 2014139928 A JP2014139928 A JP 2014139928A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ref
- light source
- reference value
- test
- value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—X-ray radiation generated from plasma being produced from a liquid or gas
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70033—Production of exposure light, i.e. light sources by plasma extreme ultraviolet [EUV] sources
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
- G03F7/70041—Production of exposure light, i.e. light sources by pulsed sources, e.g. multiplexing, pulse duration, interval control or intensity control
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- X-Ray Techniques (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法を提供する。
【解決手段】入力量7の数値とEUV光源3の動作パラメータの数値の間の数学的関係としての較正関数HV(Ep)が、EUV光源3に異なる数値の入力量7を供給することによって決定され、EUV光源3の1パルス中に、動作パラメータの数値から選択された基準値ERefがもたらされるようになる。各パルスで試験量の数値が取得される。発せられる発光量に影響を与えるいずれの量も試験量として選択できる。次に、統計値が試験量の所定の個数の数値から形成され、統計値と基準値ERefとの間の偏差が測定される。偏差と事前設定された許容差範囲との比較の結果と結果の後の継続により、方法をどこから繰り返すかが決まる。事前設定された許容差範囲との適合性に基づいて判定が下される。
【選択図】図1
【解決手段】入力量7の数値とEUV光源3の動作パラメータの数値の間の数学的関係としての較正関数HV(Ep)が、EUV光源3に異なる数値の入力量7を供給することによって決定され、EUV光源3の1パルス中に、動作パラメータの数値から選択された基準値ERefがもたらされるようになる。各パルスで試験量の数値が取得される。発せられる発光量に影響を与えるいずれの量も試験量として選択できる。次に、統計値が試験量の所定の個数の数値から形成され、統計値と基準値ERefとの間の偏差が測定される。偏差と事前設定された許容差範囲との比較の結果と結果の後の継続により、方法をどこから繰り返すかが決まる。事前設定された許容差範囲との適合性に基づいて判定が下される。
【選択図】図1
Description
本発明は、特に半導体リソグラフィ用EUV光源において、パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法に関する。
13.5nm帯の極端紫外(EUV)光範囲に含まれる波長の電磁波は、次世代の半導体リソグラフィ装置への使用が見込まれている。この点で、パルス状に発せられるEUV光をできるだけ均一にすることが特に重要である。
EUV光を提供する1つの可能性は、電極間に電圧をパルス状に印加して放電プラズマを発生させる方法であり、この放電プラズマから所望のEUV光が発せられる。放電プラズマの生成には同調回路に基づく充電回路が使用され、この充電回路は放電電圧を2つの電極に所定の点火タイミングで供給し、このタイミングでプラズマが生成されることになる。放電電圧が電極間に印加されると、ガス状の、少なくとも部分的に電離したエミッタ材料が発光プラズマに変換される。しかしながら、プラズマ生成中に不規則に発生する様々な状況によって、発光は、たとえばそのエネルギーまたはその供給時間に関して変動する可能性がある。
たとえば特許文献1から、ガス放電方式の光源を、平均パルスエネルギーまたは発光量をそれに対応する基準値と比較することによって、ガス放電を制御することが知られており、その結果、平均パルスエネルギーまたは平均発光量の基準値からの偏差が可能なかぎり極小化されるように、放電電圧としての電圧がフィードバックによって調整される。
パルスごとの変動とは別に、特定の量のパルスにわたって漸進的な偏差も生じることがある。これはドリフトと呼ばれ、たとえばEUV光源の構成要素の加熱によって、および/または構成要素の損耗、たとえば電極消耗、バッファガスの枯渇等によって生じることがある。
このようなドリフトに関連する偏差を上述の制御原理で補正しようとすると、ドリフトの増大に伴い、ますます大きな偏差を補正しなければならなくなるという問題が生じる。それにより、必要な測定技術および制御技術に対する要求が高くなる。これに加えて、補正するべき偏差が増大するにつれ、制御工程中の絶対誤差もまた大きくなり、これがEUV発光のパルス間安定性に悪影響を与える。
本発明の目的は、ドリフトの発生が発光のパルス間安定性に与える影響がより低い、パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御の可能性を見出すことである。
パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法において、上記の目的は、本発明によれば、以下のステップを通じて達成される:
a)入力量の数値と光源の動作パラメータの数値の間の数学的関係としての較正関数を、光源に異なる数値の入力量を供給することによって決定し、光源の1パルス中に、動作パラメータの数値から選択された基準値がもたらされるようにするステップと、
b)光源の各パルスで試験量の数値を取得するステップであって、発せられる発光量に影響を与えるいずれの量も試験量として選択できるステップと、
c)所定の個数の試験量の数値から統計値を導き出すステップと、
d)統計値と基準値との間の偏差を測定するステップと、
e)偏差を事前設定された許容差範囲と比較し、
e1)事前設定された許容差範囲を超えない場合は、ステップb)に戻るステップまたは
e2)事前設定された許容差範囲を超えた場合は、新しい較正関数を決定するためにステップa)に戻るステップ。
a)入力量の数値と光源の動作パラメータの数値の間の数学的関係としての較正関数を、光源に異なる数値の入力量を供給することによって決定し、光源の1パルス中に、動作パラメータの数値から選択された基準値がもたらされるようにするステップと、
b)光源の各パルスで試験量の数値を取得するステップであって、発せられる発光量に影響を与えるいずれの量も試験量として選択できるステップと、
c)所定の個数の試験量の数値から統計値を導き出すステップと、
d)統計値と基準値との間の偏差を測定するステップと、
e)偏差を事前設定された許容差範囲と比較し、
e1)事前設定された許容差範囲を超えない場合は、ステップb)に戻るステップまたは
e2)事前設定された許容差範囲を超えた場合は、新しい較正関数を決定するためにステップa)に戻るステップ。
本発明の本質は、新しい較正関数を決定するか否かを判定するための判定基準が、ダイナミックに生成される数値に基づいて提供されることにある。新しい較正関数を形成することによって、光源で発生するドリフト効果が少なくとも部分的に補正され、発せられる発光のパルス間安定性の改善が達成される。
ステップc)で統計値を形成するための試験量の数値の所定の個数は、好ましくは10〜10,000個の範囲である。統計値は、たとえば平均値または標準偏差である。
本発明に関して、動作パラメータとは、光源、好ましくはEUV光源の動作にとって重要な影響を与える可変値を意味すると理解する。動作パラメータの例は、電圧(コンデンサバンクの充電電圧、ピーキング回路の電圧、または電極での放電電圧等)、パルスエネルギー(たとえば、放射プラズマからのものまたは、EUV光源の中間集光点におけるもの)、放電電流、発光スペクトル、生成されるプラズマの形態、または到達するプラズマ温度である。一般に、(光源の出力量である)パルスエネルギーは、特定の数値が基準値としてその中から選択される動作パラメータとするのに適している。入力量もまた別の動作パラメータであり、これはたとえば放電電圧またはその他、EUV光源の動作に必要ないずれかの電気量である。動作パラメータの1つが入力量として選択される。
較正関数は好ましくは、EUV光源に異なる数値の入力量を供給することによって決定される。基準値がその中から選択される動作パラメータの対応する数値が、入力量のそれぞれの数値に割り当てられる。したがって、外挿法または回帰法を使い、このようにして得られた数値から較正関数を決定することができる。この方法で決定される較正関数は連続関数である。得られた数値はまた、表の形で編集し、またデジタルデータとして使用することもできる。
本発明の意味において、「光源に供給する」とは、光源を動作させる目的で物理量を何らかの方法で提供することを意味すると理解する。これはまた、光源の中の、および光源でのプロセスに影響を与える役割を果たし、その動作にとって不可欠ではない物理量も含む。「供給する」の例は、電極の充電を目的として光源に放電電圧を提供することである。
本発明による方法の一構成において、試験量は、光源のどの位置でも取得できる。たとえば、測定器、たとえばセンサを光源に設置することができ、それによって物理量、たとえば電圧、電流、電場、発生された光のパルスエネルギーまたは特性、放射スペクトル、プラズマの形態またはプラズマ温度が取得される。
試験量は、入力量によって直接または間接に影響を受けうる。特別な場合は、入力量そのものを試験量として使用することもできる。
直接影響を受ける量の例は、パルスエネルギーまたは放電電流である。EUV光源の制御量を試験量として使用することも可能である。しかしながら、EUV光源のパルス間制御に使用される、間接的に影響を受ける量の数値も試験量としての役割を果たすことができる。EUV光源を制御する際、これらの数値は後続のパルスの前に利用可能となり、入力量によって直接発生されない。
基準値、入力量、出力量(応答信号)は、同じ動作パラメータからでも、異なる動作パラメータからでも選択できる。
本発明による方法の第一の実施形態において、基準値はパルスエネルギーとすることができ、入力量は選択された電圧とすることができ、試験量は制御量として指定されるパルスエネルギーとすることができる。
本発明による方法の第二の実施形態は、基準値が選択された電圧であり、入力量が制御量として選択された電圧であり、試験量が測定された電圧であることを特徴とする。
本発明による方法の第三の実施形態において、基準値はパルスエネルギーとすることができ、入力量は選択された電圧とすることができ、試験量は測定されたパルスエネルギーとすることができる。
上述の電圧とパルスエネルギーに加えて、またはその代わりに、試験量と動作パラメータは、放電電流、放射スペクトル、プラズマの形態またはプラズマ温度を含む、影響量、出力量または測定量の群から選択できる。
本発明により、ドリフト事象による発光のパルス間安定性への影響が低減する、パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御を実現することが可能となる。
実施形態の例と図を参照しながら、本発明を以下により詳しく説明する。図が示しているものは以下のとおりである。
第一の実施形態の例において、EUV光源3を制御するための装置がごく概略的に示されている。装置の必要要素は、パルスエネルギー制御ユニット1(パルス量コントローラ、PDC)と、変換ユニット2と、EUV光源3と、平均化ユニット4と、比較ユニット5と、判定ユニット6と、を含む。
平均化ユニット4は、統計値を形成する役割を果たす。第一の実施形態の例において、統計値は平均値である。パルスエネルギー値と、パルスエネルギー値に対応する入力量7としての電圧値(放電電圧)USetから形成される較正関数HV(Ep)が変換ユニット2の中に保存される。入力量7が、パルスを生成させるためにEUV光源3に供給される。較正関数を形成するために、多数の異なる放電電圧USetが入力量7として選択され、後者がEUV光源3に供給された。入力量7のそれぞれの値により発生したパルスエネルギーEがEUV光源3の中で取得され、入力量7の数値に関連付けられるように、数値ペアとして、繰り返し検索可能となるように変換ユニット2の中に保存された。
較正関数HV(Ep)(パルスエネルギーに関する電圧であり、HV=高電圧)が、デジタル数値ペアから回帰法によって生成された。較正関数HV(Ep)は、入力量7としての放電電圧とパルスエネルギーEの2つの動作パラメータ間の数学的関係を連続関数の形で生成する(あるいは、Ep(HV))。このようにして、相互に対応する第一の入力量7とパルスエネルギーEの数値を決定し、これらの数値を相互に割り当てることができる。装置の別の実施形態では、割当スキームを表の形(たとえば、ルックアップテーブル)で提供することもできる。
測定量と第一の基準値ERefが、入力パラメータとしてパルスエネルギー制御ユニット1に供給される。測定量は、EUV光源3で取得された測定パルスエネルギーEMeasである。第一の基準値ERefは、EUV光源3において達成されるパルスエネルギーEの数値である。この第一の基準値ERefは、較正関数HV(Ep)の数値として選択された。補正パルスエネルギーECtrlが、パルスエネルギー制御ユニット1の出力パラメータとして変換ユニット2に送信される。較正関数HV(Ep)に基づいて、変換ユニット2は補正パルスエネルギーECrtlを第一の入力量7の数値へと変換し、これは、この例においては、次のパルスを生成するためにEUV光源3に供給される電圧USetである。パルスエネルギー制御ユニット1と変換ユニット2が集合的に、EUV光源3のパルス間制御ユニット8を形成する。さらに、較正関数HV(Ep)のドリフトを検出できる較正ユニット9が、平均化ユニット4と、比較ユニット5と、判定ユニット6および、それらとパルス間制御ユニット8との接続部によって形成される。
図1に示される装置の動作中、事前に多数の異なる電圧USetが第一の入力量7としてEUV光源3に供給され、入力量7の各数値で発生されたパルスエネルギーがEUV光源3で取得され、取得パルスエネルギーEMeasとして保存される。第一の入力量7の数値とそれに関連する取得パルスエネルギーEMeasの数値からの数値ペアが、回帰法によって較正関数HV(Ep)に変換され、変換ユニット2に保存される。
次に、各パルス中にEUV光源3において可能な限り小さい偏差で実現されることになる第一の基準値ERefが決定される。第一の基準値ERefに割り当てられる第一の入力量7の数値は、較正関数HV(Ep)から導き出され、USet(=URef)として知られる。第一の入力量7のこの数値がEUV光源3に供給され、EUV光の放出とともにパルス、ガス放電、プラズマ生成がもたらされる。そうする中で発生したパルスエネルギーEが取得され、パルス間制御ユニット8に測定値EMeasとして供給される。目標とされる第一の基準値ERefが、パルス間制御ユニット8の中で測定量EMeasの数値と比較される。比較中に発見された合致に応じて、出力量ECtrlの値が生成され、変換ユニット2に送信される。変換ユニット2の中で出力量ECtrlの数値が電圧USetに変換され、次のパルスを生成するためにEUV光源3に供給される。上述の制御手順に基づき、パルス間制御ユニット8は、(制御された)パルス間安定化としてのフィードバック制御の形態で構成される。
さらに、出力量ECtrlの数値は、試験量として平均化ユニット4に送信され、その中に保存される。時間的に連続する所定の個数の出力量ECtrlが事前に保存され、平均値が求められた。この平均値が比較ユニット5に送信され、その中で第一の基準値ERefと比較される。そうする中で、2つの数値の差、すなわち平均値の第一の基準値ERefからの偏差が測定され、見出された偏差が第一の基準値ERefからどれだけ外れているかのパーセンテージが計算される。この偏差のパーセンテージが判定ユニット6に判定基準として供給され、それに基づいて判定ユニット6は、EUV光源3の制御の新しい較正を実行するべきか否かを判定する。比較の結果、平均値の第一の基準値ERefとの偏差が所定の許容差範囲、たとえば5%を超えない場合、許容差範囲が優先され、較正は行われない。しかしながら、偏差が第一の基準値ERefの5%を超え、したがって許容差範囲を超えると、判定ユニット6は新しい較正が開始されるべきであると判定し、新しい較正関数HV(Ep)が決定される。
図2による第二の実施形態の例では、EUV光源3で測定された電圧UMeasが試験量として使用される。平均値は平均化ユニット4の中で、この試験量の複数の数値から形成され、比較ユニット5によって第2の基準値URefと比較される。第二の基準値URefは、較正関数HV(Ep)によって第一の基準値ERefに割り当てられた電圧USetである。
平均値と第二の基準値URefとの間の偏差が所定の許容差範囲より大きい場合、新しい較正関数HV(Ep)を形成するためのこの判定基準が判定ユニット6に送信される。較正関数HV(Ep)の新たな決定に関する判定はさらに、最後の較正関数HV(Ep)が形成されてから経過した時間の長さに応じて行うことによって、較正関数HV(Ep)が高速で連続して決定されるのを避けることができる。パルスエネルギー制御ユニット1、変換ユニット2、パルス間制御ユニット8は、図1に関して説明した要素に対応する。
第三の実施形態の例が図3に概略的に示されている。この、本発明による方法の単純化された変形形態では、第一の入力量7の新たな数値をダイナミックに生成しなくてよい。
一定の数値の第一の入力量7がEUV光源3に供給される。同時に第二の基準値URefでもある電圧USetが、第一の入力量7の数値として選択される。入力量7によってもたらされるパルスエネルギーEMeasがEUV光源3において試験量として取得され、平均化ユニット4に送信される。平均値は複数の数値のパルスエネルギーEMeasから形成され、比較ユニット5に送信される。比較ユニット5で、この平均値は、較正関数HV(Ep)による第二の基準値URefに対応するパルスエネルギー値である第一の基準値ERefと比較される。較正関数HV(Ep)の新しい決定に関する判定が判定ユニット6で行われる。
第一と第二の実施形態の例は、連続動作中に新しい較正関数HV(Ep)の必要性を継続的にチェックするのに適している(および露光間の中断時等の再較正に使用できる)のに対し、第三の実施形態の例は断続的に、パルス間安定化を行わずに実行できる。
1 パルスエネルギー制御ユニット
2 変換ユニット
3 EUV光源
4 平均化ユニット
5 比較ユニット
6 判定ユニット
7 入力量
8 パルス間制御ユニット
9 較正ユニット
HV(Ep) 較正関数
ERef 第一の基準値
URef 第2の基準値
USet 電圧(放電電圧)
UMeas 測定電圧
EMeas 取得パルスエネルギー
ECtrl 補正パルスエネルギー
2 変換ユニット
3 EUV光源
4 平均化ユニット
5 比較ユニット
6 判定ユニット
7 入力量
8 パルス間制御ユニット
9 較正ユニット
HV(Ep) 較正関数
ERef 第一の基準値
URef 第2の基準値
USet 電圧(放電電圧)
UMeas 測定電圧
EMeas 取得パルスエネルギー
ECtrl 補正パルスエネルギー
Claims (11)
- パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法であって、
a)入力量(7)の数値とEUV光源(3)の動作パラメータの数値の間の数学的関係としての較正関数(HV(Ep))を、前記EUV光源(3)に異なる数値の前記入力量(7)を供給することによって決定し、前記EUV光源(3)の1パルス中に、前記動作パラメータの前記数値から選択された基準値(ERef、URef)がもたらされるようにするステップと、
b)前記EUV光源(3)の各パルスで試験量の数値を取得するステップであって、前記発せられる発光量に影響を与えるいずれの量も試験量として選択できるステップと、
c)前記試験量の所定数量の数値から統計値を導き出すステップと、
d)前記統計値と前記基準値(ERef、URef)との間の偏差を測定するステップと、
e)前記偏差を事前設定された許容差範囲と比較し、その結果に応じて、
e1)前記事前設定された許容差範囲を超えなかった場合は、ステップb)に戻るステップ、または
e2)前記事前設定された許容差範囲を超えた場合は、新しい較正関数(HV(Ep))を決定するためにステップa)に戻るステップ
に進むステップと、
を有する、方法。 - ステップb)において、前記EUV光源(3)の影響量が試験量として使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記入力量(7)が試験量として使用される、請求項2に記載の方法。
- 前記EUV光源(3)の、前記入力量(7)によって直接影響を受ける直接制御量が試験量として使用される、請求項2に記載の方法。
- 前記EUV光源(3)の、前記入力量(7)によって直接影響を受けない間接制御量が試験量として使用される、請求項2に記載の方法。
- パルスエネルギーが基準値(ERef、URef)として使用され、選択された電圧(USet)が入力量(7)として使用され、制御量として指定されるパルスエネルギーが試験量として使用される、請求項1に記載の方法。
- 選択された電圧(USet)が基準値(ERef、URef)として使用され、選択された電圧(USet)が入力量(7)として使用され、測定された電圧(UMeas)が試験量として使用される、請求項1に記載の方法。
- パルスエネルギーが基準値(ERef、URef)として使用され、選択された電圧(USet)が入力量(7)として使用され、測定されたパルスエネルギー(EMeas)が試験量として使用される、請求項1に記載の方法。
- 前記基準値(ERef、URef)として使用される前記試験量と前記動作パラメータが、放電電流、放射スペクトル、プラズマの形態およびプラズマ温度を有する影響量の群から選択される、請求項1に記載の方法。
- ステップd)において、前記基準値(ERef、URef)からの偏差が前記基準値(ERef、URef)のパーセンテージとして取得される、請求項1に記載の方法。
- ステップa)に最後に戻ってからの事前設定された期間をさらにチェックするステップがステップ戻り前に、ステップe2)に追加され、その後、
e21)前記事前設定された期間を超えなかった場合は、ステップb)に戻り、
e22)前記事前設定された期間を超えた場合は、ステップa)に戻る、
請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102012113007.8 | 2012-12-21 | ||
DE201210113007 DE102012113007B3 (de) | 2012-12-21 | 2012-12-21 | Verfahren zur Steuerung einer entladungsplasmabasierten Strahlungsquelle zur Stabilisierung der gepulst emittierten Strahlungsdosis |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014139928A true JP2014139928A (ja) | 2014-07-31 |
Family
ID=49944220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013255817A Pending JP2014139928A (ja) | 2012-12-21 | 2013-12-11 | パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9253865B2 (ja) |
JP (1) | JP2014139928A (ja) |
DE (1) | DE102012113007B3 (ja) |
NL (1) | NL2011986B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9832852B1 (en) * | 2016-11-04 | 2017-11-28 | Asml Netherlands B.V. | EUV LPP source with dose control and laser stabilization using variable width laser pulses |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006336A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-08 | Xtreme Technologies Gmbh | パルス駆動されるガス放電連関式の放射線源における放射線出力を安定化するための方法 |
JP2006324039A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Ushio Inc | パルス発生装置および極端紫外光光源装置 |
JP2008042008A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2149199A (en) * | 1983-10-28 | 1985-06-05 | Bausch & Lomb | Laser system |
US5982800A (en) * | 1997-04-23 | 1999-11-09 | Cymer, Inc. | Narrow band excimer laser |
US6727731B1 (en) * | 1999-03-12 | 2004-04-27 | Lambda Physik Ag | Energy control for an excimer or molecular fluorine laser |
WO2001059891A2 (en) | 2000-02-11 | 2001-08-16 | Lambda Physik Ag | Energy stabilized gas discharge laser |
DE10244105B3 (de) * | 2002-02-26 | 2004-09-16 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren zur Energiestabilisierung gasentladungsgepumpter, in definierten Impulsfolgen betriebener Strahlungsquellen |
KR100545294B1 (ko) * | 2002-05-10 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법, 성능측정방법,캘리브레이션 방법 및 컴퓨터 프로그램 |
DE10251435B3 (de) * | 2002-10-30 | 2004-05-27 | Xtreme Technologies Gmbh | Strahlungsquelle zur Erzeugung von extrem ultravioletter Strahlung |
US7190119B2 (en) * | 2003-11-07 | 2007-03-13 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for optimizing a substrate in a plasma processing system |
DE102006036173B4 (de) * | 2006-07-31 | 2012-01-26 | Xtreme Technologies Gmbh | Verfahren zur Impulsenergieregelung von Gasentladungs-Strahlungsquellen |
US8686643B2 (en) * | 2010-11-02 | 2014-04-01 | Abl Ip Holding Llc | System and method for reducing lamp restrike time |
-
2012
- 2012-12-21 DE DE201210113007 patent/DE102012113007B3/de not_active Expired - Fee Related
-
2013
- 2013-12-11 JP JP2013255817A patent/JP2014139928A/ja active Pending
- 2013-12-17 US US14/108,727 patent/US9253865B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-12-19 NL NL2011986A patent/NL2011986B1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004006336A (ja) * | 2002-04-30 | 2004-01-08 | Xtreme Technologies Gmbh | パルス駆動されるガス放電連関式の放射線源における放射線出力を安定化するための方法 |
JP2006324039A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Ushio Inc | パルス発生装置および極端紫外光光源装置 |
JP2008042008A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Ushio Inc | 極端紫外光光源装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102012113007B3 (de) | 2014-02-06 |
US9253865B2 (en) | 2016-02-02 |
US20140176005A1 (en) | 2014-06-26 |
NL2011986B1 (en) | 2016-07-15 |
NL2011986A (en) | 2014-06-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9210790B2 (en) | Systems and methods for calibrating a switched mode ion energy distribution system | |
US10224686B2 (en) | Laser apparatus, EUV light generation system, and method of controlling laser apparatus | |
US20050031004A1 (en) | Excimer or molecular fluorine laser system with precision timing | |
US7366283B2 (en) | Method to control anodic current in an x-ray source | |
KR20230024422A (ko) | 이온 에너지 분포를 제어하기 위한 장치 및 방법들 | |
CN109950786A (zh) | 准分子激光器剂量稳定控制系统及控制方法 | |
JP2006339149A (ja) | 充電コンデンサの高速充電装置及び方法 | |
JP2014139928A (ja) | パルス状に発せられる発光量を安定化させるための放電プラズマ方式光源の制御方法 | |
JP5396595B2 (ja) | 発光させた紫外線光を制御するための紫外線ランプ・システム及び方法 | |
US8653405B2 (en) | Method for operating a vacuum plasma process system | |
JP2009070809A5 (ja) | ||
JP2009081139A (ja) | メタルハライドランプの立ち上がり期間の制御方法および安定化回路 | |
Yudin et al. | On the nature of phantom currents in the active medium of self-contained metal atom transition lasers | |
CN108575041B (zh) | 用于检测电极状态的方法、装置和照明设备 | |
JP5569086B2 (ja) | 発光分光分析装置 | |
KR101901643B1 (ko) | 이온빔 조사 장치 및 이에 이용되는 프로그램과 그 방법 | |
CN114466500B (zh) | 闭环控制借助于直线加速器系统生成的x射线脉冲链 | |
US20220167491A1 (en) | Active rise and fall time compensation algorithm | |
US8664887B2 (en) | Xenon lamp drive unit, method for driving xenon lamp, and artificial solar light irradiation unit | |
Gavrish | Influence of Auxiliary Discharge on the Electrophysical Characteristics of Cesium Pulsed Radiation Sources | |
JP2005310484A (ja) | 放電ランプ駆動装置 | |
US20160374185A1 (en) | Apparatus and method for operating a light generator | |
CN109559963B (zh) | 离子源及离子源的运转方法 | |
JP2011188352A (ja) | イオントラップ型周波数標準器及び出力周波数安定化方法 | |
Baudrenghien et al. | Status and commissioning plans for LHC Run 2. The RF system. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160920 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170613 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20171205 |