WO1981003582A1 - Semiconductor element stack - Google Patents

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WO1981003582A1
WO1981003582A1 PCT/JP1981/000122 JP8100122W WO8103582A1 WO 1981003582 A1 WO1981003582 A1 WO 1981003582A1 JP 8100122 W JP8100122 W JP 8100122W WO 8103582 A1 WO8103582 A1 WO 8103582A1
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semiconductor
rectifier
positive
conductor
main conductor
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J Miki
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Mitsubishi Electric Corp
J Miki
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    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Definitions

  • This invention relates to a semiconductor device, a cooling piece, a fuse,
  • the element (1) and the fuse ( 2 ) are connected in series.
  • each rectifying device stack (1) (1)
  • FIG. 2 is a front view of a conventional semiconductor rectifying element stack
  • FIG. 3 is a right side view of FIG. 3
  • FIG. 4 is a plan view.
  • (11A) and (11B) are a pair of plate-shaped main conductors extending in the vertical direction at the rear position, and the main conductor ( A large number of semiconductor rectifiers ( ⁇ ) connected between these main conductors (11A) and (11B) are stacked along 11A)-and (11B), that is, one semiconductor. Focusing on the rectifier element ⁇ , at the front position, the L-shaped fuse mounting conductor plate ⁇ connected to the right surface of one main conductor (11B) extends rightward and then downwards. It is fixed to the main conductor (11B) so that it bends. An L-shaped connecting conductor plate ⁇ extending forward is connected to the front end of the connecting conductor ⁇ .
  • the child ⁇ and the second cooling piece are stacked and connected to each other.
  • the lower surface of the second cooling piece?) Is connected to an L-shaped connecting conductor plate 03) that extends rearward and is connected to the rear end thereof.
  • the capital is connected and fixed to the left surface of the other main conductor (11A). 'ing .
  • the stack part 9 is composed, and the stack capital
  • a rectifying element stack is formed as a whole.
  • the structure of the rectifier stack (1) with such a configuration is roughly outlined.
  • Rectifying element stacks as positive rectifying element
  • the conventional semiconductor rectifier stack (1) has a three-dimensional semiconductor rectifier ⁇ and a related material between the pair of main conductors (11A) and (1 IB).
  • Tack (1) must be prepared (2N for an N-phase bridge rectifier). Since a large number of rectifying element stacks (1) are used in this way, a large number of connection conductors corresponding to this are required, and therefore, the arrangement of conductors on the AC terminal side is required.
  • the semiconductor rectifier is cooled by cooling pieces e) W
  • the main conductor (11AK11B) is configured to be liquid cooled.
  • Heat is dissipated to air because it is cooled by circulating wind
  • the present invention has a simple structure, and a bridge-type power conversion.
  • the purpose is to provide.
  • Another object of the present invention is to dissipate heat to the circulating wind.
  • An object of the present invention is to provide a small semiconductor element stack.
  • Still another object of the present invention is to configure a multi-phase power converter so that the number of rectifying element stacks can be halved as compared with the conventional case, and the connection on the AC terminal side.
  • An object of the present invention is to provide a novel structure of a semiconductor device stack in which the number of conductors can be significantly reduced.
  • the object of the present invention described above is to provide a semiconductor element and a fuse and a conductor element between the conductor element and the semiconductor element element and between the semiconductor element element and the fuse element on a conductor forming an electric circuit. Achieved by a semiconductor element stack provided with fixing members which press and fix these semiconductor elements, the cooling element and the fuse to the conductor by arranging the cooling chips in a stack. can do . '' Brief description of the drawings
  • FIG. 1 is a connection diagram showing a three-phase bridge rectifier using a semiconductor rectifier element to which the present invention is applied
  • FIGS. 2, 3 and 4 are conventional semiconductor rectifier element sta- tors.
  • Front view, right side view, plan view, and FIGS. 5 and 6 are perspective views and contact drawings showing the equivalent circuit
  • FIG. 7 is the semiconductor rectifier shown in FIGS. 2 to 4.
  • Touch Connection showing a three-phase bridge rectifier constructed using
  • FIGS 8 and 9 show an embodiment of the present invention.
  • Fig. 8 is the front view
  • Fig. 9 is the side view
  • FIG. 10 is a skeletal diagram of FIG. 1st 1
  • FIGS 1 and 2 show the semiconductor rectifier device according to the present invention.
  • Figure 14 and Figure 14 are perspective views showing the equivalent circuit
  • Fig. 15 is a semi-conductor of Fig. 11 and Fig. 12.
  • Three-phase bridge configured using a body rectifier stack
  • 3 is a connection diagram showing a directifier.
  • Fig. 8 is a front view and Fig. 9 is a side view.
  • (101) indicates an electric circuit.
  • (102) is a fuse
  • (103) is a semiconductor element
  • (104) and (105) are the main conductor (101;) and the semiconductor, respectively.
  • a liquid-cooled cooling piece interposed between the fuse (102) and
  • one end screw portion is screwed into a screw hole (108) provided in the main conductor (101).
  • (109a) is a leaf spring having through holes at both ends.
  • Fig. 10 is a skeletal diagram of Figs. 8 and 9, which can be used for one arm of a three-phase bridge rectifier circuit.
  • a rectifier can be configured.
  • the rectifying element stack in such a configuration has
  • the main conductor (101) is also cooled at one end.
  • the semiconductor device switch of the present invention As described above, the semiconductor device switch of the present invention
  • the simple configuration is suitable for configuring a single- or multi-phase bridge-type power converter.
  • FIGS. 11 and 12 show another embodiment of the present invention.
  • the conductor rectifier element stack is shown, and the positive rectifier element
  • the main conductor in the middle is the AC main conductor
  • Positive rectifier element (32A) is the DC positive main conductor
  • a semiconductor rectifying element (36A :), a second cooling piece (37A), a fuse (38A;), and a connection conductor ⁇ 9) are arranged on the left side in this order so as to be sequentially stacked. , outside insulation of the connecting conductor plate spring and via (40A) (4 1A) is that been found provided.
  • the cooling element (35B :) and the semiconductor rectifying element are placed on the DC negative main conductor (33B) sequentially to the right, in contrast to the current element ( 32A ).
  • the negative rectifier element (32B) is fixed on the DC negative main conductor (33B).
  • Nao bolt ⁇ is the main conductor (33A),, (33B)
  • It is composed of one rod bolt that penetrates in the direction.
  • the connecting conductors 9) consists of E-shaped conductor plate in earthenware pots by particular kana Akira et al in have you in FIG. 9, the positive and negative side rectifying element A over arm (32 A) and (3 2
  • the fuses (38A) and (38B) are electrically connected to the AC-side main conductor ⁇ by extending from B) through the rear position.
  • (48A) and (48B) are insulating materials.
  • the structure of the semiconductor rectifying element stack ⁇ having the above configuration is shown in Fig. 13 corresponding to Fig. 5, and as shown in Fig. 13, the AC main conductor ⁇ extending vertically in the center position and the AC main conductor ⁇ .
  • a large number of positive-side rectifying element arms (32A) are stacked between the DC main positive conductor (33A) facing the left side of the AC main main conductor ⁇ and the right side. It has a three-dimensional structure in which a number of negative-side rectifying element arms (32B) are stacked between the DC-side negative main conductor (33B) and the DC-side negative main conductor (33B). If this is regarded as an electrical equivalent circuit, as shown in Figs. 14 to corresponding to Fig.
  • the AC side main conductor ⁇ is connected to the positive side rectifying element arm ( 32A ).
  • a circuit is formed to connect the DC rectifier element arm (B) and to derive DC output from the DC positive and negative main conductors (33A) and (33B).
  • the rectifier element stack ⁇ with such a configuration is used.
  • the AC side conductor configuration should be
  • the positive rectifier element As described above, according to the present invention, the positive rectifier element
  • the number of rectifier stacks is half that of the conventional case.
  • a phase bridge converter can be easily obtained.
  • the present invention relates to a single-phase and multi-phase bridge rectifier.

Description

明 細 書 発明の名称
半導体素子 ス タ ッ ク 技術分野
こ の発明 は、 半導体素子 ， 冷却片 ， ヒ ュ ー ズ及
び導体を積み重ねて構成さ れ る 半導体素子 ス タ ッ
ク の構造に関す る 。
背景技術
例え ば多相ブ リ ッ ジ整流装置を 実現す る た めに
は多数の半導体整流素子を入出力導体間に並列に
接続す る こ と に よ り 所定の電流容量を得 る よ う に
な さ れ、 こ の よ う に多数の半導体素子を能率良 く
組立て る た め に整流素子ス タ ッ ク を関連都品 と 共
に立体的に構成す る よ う に な さ れてい る 。
例えば第 1 図に示す如 く 、 等価的に半導体整流
素子（1) と ヒ ュ ー ズ（2) と を直列接続 して な る 6 個 の
半導体整流素子ス タ ッ ク ）を用いて 3 相ブ リ ッ―ジ
整流器（4) を權成し て負荷 ）に直流出力を供給し よ
う と す る場合、 各整流素子 ス タ ッ ク （1) と し て従来
第 2 図〜第 4 図 に示す如 き 立体構造の も の が用 い
ら れてい る 。
ΟΜΠ _ - ヽ /if. WIP~ . ) 第 2 図は従来の半導体整流素子 ス タ ッ ク の正面図、 第 3 図 同右側面図、 第 4 図 は平面図であ る 。
第 2 図〜第 4 図において、 （ 11 A ) 及び （ 11 B )は 後側位置において上下方向に延長す る 一対の板状 主導体で、 こ の主導体の前側位置に おいて主導体 ( 11A)-及び （ 11B )に沿って これ ら 主導体 （ 11A)及 び （ 11B )間に接続さ れた半導体整流素子（^が多数 ス タ ッ ク さ れ る。 すなわ ち 1 つ の半導体整流素子 ^に着目 し てみれば、 前側位置において一方の主 導体 （ 11 B)の右表面に接続さ れた L 字状 ヒ ュ ーズ 取付用導体板 ^が右方に延長 した後下方に曲 る よ う に主導体 （ 11B)に固定さ れて いる 。 ヒ ユ ーズ取 付用導体板 ^の下端に は下方に延長す る 棒状 ヒ ュ ーズ 04が取付け ら れ、 そ の下端に前方に延長す る L 字状接続導体板 ^が接続さ れてい る 。 こ の接続 導体 α の前端部下面に は第 1 冷却片な と 、 半導-体 整流素子 ^ と 、 第 2 の冷却片 と が積重ね接続 さ れてい る 。 第 2 の冷却片 ?)の下面には後方に.延長 する L 字状接続導体板 03)が接続 さ れ、 その 後方端 都が他方の主導体 （11A)の左表面に接続固定さ れ 'て い る 。
か く し て 1 つの半導体整流素子 に対し て 上側
か ら順次接続導体板 一冷却片な —整流素子 ^ 一
冷却片（17) —接続導体板 8) を積重ね て な る整流素子
ス タ ッ ク 部な9) を構成 し、 こ の ス タ ッ ク 都 ）が互い
に絶縁物 ¾ を介し て多数上下方向に積重ね ら れて
全体 と し て整流素子 ス タ ッ ク ） が形成 さ れ る 。
かか る 構成の整流素子 ス タ ッ ク （1) の構造は 略線
的 に第 5 図 に示さ れてい る よ う に、 電気的にみ て
—対の主導体 （ 11A)及び ·（ 11B)間に並列に、 ヒ ュ
ーズ 及び整流素子 ^の直列回路 ^が多数上 下方
向に積重なった立体構造の状態で接続さ れてい る
こ と にな り 、 こ れ を電気的等価回路 と してみれば
第 6 図に示す よ う に主導体 （ 11 A )及び （ 11B )間に
並列に多数の直列回路 ^が接続 さ れて い る こ と と
等価にな る 。 ―
こ の よ う な構造の整流素子ス タ ッ ク （1) を 用いて
3 相ブ リ ッ ジ を構成す る に は、 第 7 図 に示す如 く
6 個 の整流素子ス タ ッ ク （1) を用意 し、 そ の う ち 3
個の整流素子 ス タ ッ ク ）を 正側整流素子ァ 一 ム と
OMPI
WIPO して接続導体 （23U) , ( 23V) , (23W) を介 して 3 相交流入力端子導体 （24U) , (24V) , ( 24W) に接 続 し、 残 る 3 個の整流素子 ス タ ッ ク （1)を 負側整流 素子ア ー ム と し て接続導体 （ 25U ) , ( 25V) ,(25W) を介 し て 3 相交流入力端子導体 （24U) , (24V) ，（24W) に接続す る 。 ま た正側整流素子ア ー ム を構成す る
3 個の整流素子ス タ ッ ク （1)を正側直流端子導体 ^ に接続する と 共に、 負側整流素子ア ー ム を構成す る残る 3 個の整流素子 ス タ ッ ク （1) を負側直流端子 導体 ^に接続す る 。
こ の'よ う に従来の半導体整流素子ス タ ッ ク （1) は —対の主導体 （11A)及び （1 IB)間 に立体的に半導 体整流素子 ^及 びこれに関連す る 都材を積重ねた 構成を も つの で、 例えば多相 ブ リ ッ ジ整流器を構 成す る 場合には必 ら ず各相 ご と に正側及び負側整 流素子ア ー ム 分の数の整流素子ス タ ッ ク （1) を用-意 し な け ればな ら ない （ N相 ブ リ ッ ジ整流器の場合 は 2 N個分 ） 。 こ の よ う に多数の整流素子ス タ ツ ク （1) を用い る の で こ れに見合った 多数の接続導体 を必要と し、 従って交流端子側 に おけ る 導体の配
OMPI 置構造が複雑に な る 点があ つた。
又半導体整流素子 は冷却片 e) Wに よ っ て冷却
され、 主導体 （11AK11B) は液冷 さ れよ う構成 さ
れる が、 ヒ ュ ー ズ 及び導体板 ^ ， ¾ , as)は密閉
式整流装置の キ ュ ー ビ ク ル内の循環風に よ っ て冷
却 さ れ る よ う 構成 さ れ る。
従って、 半導体整流素子 ^や主導体 （11·Α)(11Β)
は冷却 さ れてい る ので循環風への熱の放散は少な
い。 し力、 し、 ヒ ュ ーズ ゃ導体板 ， $ , (18)等は
循環風に よ り 冷却 さ れてい る の で空気への熱放散
は ほ と ん ど こ れ ら の も の に よ る と こ ろ 力；大 き い。
こ の た め密閉式整流装置の風の温度が あが る た め、 循環風を冷却す る 容量の大 き い補助冷却器が必要
と な る 尺 ' 点が あっ た 。
発明の開示
こ の発明は 、 構造簡単で、 プ リ ッ ジ形電力変-換
装置を構成す る の に好適な半導体素子 ス タ ッ ク を
提供す る こ と を 目 的 と す る 。
こ の発明の他の 目 的は 、 循環風への熱の放散の
少な い半導体素子 ス タ ッ ク を提供す る こ と に あ る。
O PI こ の発明の更に他の 目 的は、 多相電力変換装置 を構成す る に際して、 整流素子ス タ ッ ク 数を 従来 の場合 と比較 して半減 し得る と 共に、 交流端子側 におけ る接続導体を格段に少な く する こ と の で き る 半導体素子ス タ ッ ク の新規な構造を提供す る こ と に あ る 。
上述した こ の発明の 目 的は、 電路を形成す る導 体上に、 半導体素子と ヒ ュ ーズ並びに、 上記導体 と 上記半導体素子間及び上記半導体素子と 上記 ヒ ュ ―ズ間に各々揷入 し た冷却片を積み重ねて配設 し、 こ れ ら 半導体素子 と 冷却片及び ヒ ュ ー ズ を 上 記導体に押圧固着す る 固着具を備えた半導体素子 ス タ ッ ク に よ って達成す る こ と がで き る 。 ' 図面の簡単な説明
第 1 図は本発明が対象と す る半導体整流素子を 使用 し た 3 相 ブ リ ッ ジ整流器を示す接続図、 第— 2 図 ， 第 3 図 ， 第 4 図は従来の半導体整流素子 ス タ ッ ク を示す正面図、 右側面図、 平面図、 第 5 図及 び第 6 図はそ の等価回路 を示す斜視図及び接読図、 第 7 図は第 2 図〜第 4 図の半導体整流素子 ス タ ッ ク を用 いて構成 した 3 相ブ リ ッ ジ整流器を示す接
続図、 8 図お よ び第 9 図は こ の発明の一実施例
を示 し 、 第 8 図は そ の正面図、 第 9 図 は側面図、
第 1 0 図は第 8 図の ス ケ ル ト ン図で あ る 。 第 1 1
図及び第 1 2 図は本発明に依 る 半導体整流素子ス
タ ッ ク の他の一例を示す正面図及び平面図、第 1 3
図及び第 1 4 図はそ の等価回路を示す斜視図及び
接続図、 第 1 5 図は第 1 1 図及び第 1 2 図の半導
体整流素子 ス タ ッ ク を用 いて構成 した 3 相 ブ リ ッ
ジ整流器を示す接続図で あ る 。
発明を-実施す る た め の最良の形態
第 8 図及び第 9 図は こ の発明の一実施例を示す
も の で 、 第 8 図は正面図、 第 9 図は側面図で あ る。
第 8 図 ， 第 9 図 において、 （101 ) は電路を形成す
る主導体、 （102) は ヒ ュ ーズ 、 （ 103 ) は半導体素
子、 （104 ) (105 ) は各々 上記主導体 （101；) と半導
体素子 （ 103) と の間及び上記半導体素子 （ 103 ) と
ヒ ュ ー ズ （102) と の 間に介挿 さ れた液冷冷却片、
(106) は 上記 ヒ ュ ー ズ （102 ) の端子と な る 導体、
(107) は上記導体 （106 ) と板ばね （lOSa) 間に 挿入
c: i' 。 (^ さ れた絶縁物であ る 。 （ 109b )は両端部にね じ 部 を
有する 一対の ボル ト で、 一端ね じ部は主導体 （101) に設け ら れたね じ穴 （108) に螺着さ れてい る 。
(109a)は両端部に透孔を有す る 板ばねで、 上記透
孔に上記一対のボ ル.卜 （ 109b )の他端部がそ れぞれ
挿入さ れ -て tヽ る 。 （ 109 c )ίま上記ポ'ソレ 卜 （ 109 b )の他
端のね じ部に螺揷 さ れた ナ ツ 卜 であ る 。
第 1 0 図は第 8 図、 第 9 図の ス ケ ル ト ン図であ り、 三相ブ リ ッ ジ整流回路の 1 ア ー ム分に使用すれば
整流装置を構成す る こ と がで き る 。
こ の よ う な構成に お け る 整流素子 ス タ ッ ク にお
いて、 ヒ ュ ーズ （102) に発生 し た熱は ヒ ュ ーズ
(102つ の 一面に接 して設け ら れてい る 液冷冷却片
〔105) に よ っ て冷却さ れ、 ま た半導体素子 （103 )
はそ の両端に配設 さ れた液冷冷却片 （ 104)，（105 )
に よ り 冷却さ れ、 さ ら に主導体 （101 ) も そ の一端
に配設 さ れた上記半導体素子 （ 103 ) を冷却す る液
冷却片 （104) に よ り 冷却さ れ る の で、 循環風への
熱の 放散は少ない。
以上の よ う に上述した この発明の半導体素子ス
WIPO タ ッ ク によ れば、 簡単な構成で、 単栢あ る い は多 相 のブ リ ッ ジ形電力変換装置 を構成す る の に好適
な ス タ ッ ク 構造 を得る こ と 力；で き る 。 又 ヒ ュ ーズ、
半導体素子およ び導体に発生 した 熱は液冷冷却片
に よ って冷却 され る ので、 循環風への 熱の放散は
少な く 循環風を 冷却す る 補助冷却器の容量 を小 さ
く あ るい は省略す る こ と 力;で き る効果があ る 。
第 1 1 図 ， 第 1 2 図は こ の発明の他の実施例を
示す正面図及び平面図で、 特に多相 ブ リ ッ ジ形電
力変換装置に好適な一例 を示す も の で あ る 。
第 1 1 図 ， 第 1 2 図 におい て 、 は全体 と して半
導体整流素子 ス タ ッ ク を示 し 、 正側整流素子ァ ー
ム ( 32A) 及び負側整流素子ア ー ム （3aB) で構成さ
れ、 ア ー ム （ 32A) 及び （32B) は 上下方向に延長す
る 3 枚の板状の主導体 （33A) , 04)，（ 33B)の両側に設
け ら れてい る 。 真中の主導体 は交流側主導体—と
な り 、 そ の左及び右側 の主導体 （33A) 及 び （33B)
は直流側正及び負主導体と な る 。
正側整流素子ァ —'ム （32A) は直流側正主導体
(33A) の左表面に接続す る第 1 の冷却片 （ 35A) を
ノ WIPO ^ , 有 し、 そ の左側に順次積重な る よ う に半導体整流 素子 （36A：) 、 第 2 の冷却片 （37A) 、 ヒ ュ ー ズ（38A；)、 接続導体 Φ9)が配設 さ れ、 接続導体 の外側に絶縁 物 （40A) を介 して板ばね （41A) が設け ら れて い る。
し か る に板ばね （ 41A ) は上及び下位置におい て主 導体 （33A)， ，（33B)から 左方に延長す る ボ ル 卜 ^ の左端 にナ ツ 卜 （ 46A) によ って締付け固定さ れ、 か く して 正側整流素子ア ー ム （ 32A) が直流側正主
導体 (33A) 上に固定さ れ る 。
同様に して負側整流素子ア ー ム （32B) は正側整
流素子 （32A) と は対称的に、 直流側負主導体（33B) 上に右方に順次冷却片 （35B：) 、 半導体整流素子
(36B) 、 冷却片 （37B) 、 ヒ ユ ーズ （38B) 、 接続導 - 体 ^、 絶縁物 （ 40B) の順序で積重ね ら れ、 主導体
(33A)， ^，（33B)力 >ら 右方に延長す る ボ ル 卜 ^の右
端にナ ツ 卜 （ 46B ) によ って扳ばね （ 4 IB ) を締付け
固定 さ れ る こ と に よ り 、 負側整流素子ァ 一 ム（32B) が直流側負主導体 （33B) 上に 固定さ れ る 。
な お ボ ル 卜 ^ は主導体 （ 33A ) , ，（ 33B)を左右方
向に貫通す る 1 本の棒ボ ル 卜 で構成さ れて い る 。
OMPI こ こ で、 接続導体 9) は第 9 図にお い て特に 明 ら かな よ う に E字状導体板で構成 さ れ、 正及び負側 整流素子ア ー ム （ 32A) 及び （32B) か ら 後方位置を 通っ て延長 し て ヒ ュ ーズ （38A) 及び （38B) を交流 側主導体^ に 電気的に接続す る よ う にな さ れてい る 。 な お （ 48A ) ， （ 48B) は絶縁材で あ る 。
以上の構成の半導体整流素子 ス ダ ッ ク ^の構造 は第 5 図に対応 さ せて第 1 3 図 に示す如 く 、 中央 位置に おい て上下方向に延長す る 交流側主導体 ^ と そ の左側 に対向する 直流側正主導体 （33A) と の 間に多数の正側整流素子ア ー ム （32A) を積重ね る よ う に配設 し、' また交流側主導体^ と そ の右側 に 対向する 直流側負主導体 （33B) と の間 に多数の負 側整流素子ア ー ム （32B) を積重ねる よ う に配設 し た立体構造 と な さ れて い る 。 ま た こ れ を電気的等 価回路と してみれば第 6 図に対応 さ せて第 1 4~図 に示す如 く 、 交流側主導体 ^ に正側整流素子ァ ー ム （ 32A) 及 び負側整流素子ア ー ム （ B) を 接続 し て直流側正及び負主導体 （33A) 及び （ 33B) か ら 直 流出力を導出す る 回路が形成さ れて い る 。 そ こ でかか る 構成の整流素 子ス タ ッ ク ^ を 用 い
て例え ί 3 栢ブ リ ッ ジ整流器 を構成すれば第 1 5
図に示す如 く 、 3 個の整流素子 ス タ ッ ク ^ を用い
る だけ で良 く 、 し かも 交流側導体構成 と し て は整
流素子 ス タ ツ ク Φΐ の交流側主導体 ^を そ の ま ま端
子導体と し て用い る こ と に よ り こ の外の接続導体
を用い ないで済む。 こ の こ と は一般に： Ν相 ブ リ ッ
ジ整流器を構成 した場合に も 言い得、 Ν個 の整流
素子ブ リ ッ ジ ^ を用い る だけ で良 く しか も 交流側
に接続導体を 必要と し ない多相ブ リ ッ ジ整流器を
実現で き る 。
以上の よ う に本発明 に依れば、 正側整流素子ァ
一 ム及び—負側整流素子ァ ― ム を主導体の両側 に対
称的に取付 け固定 し て半導体整流素子ス タ ッ ク を
構成す る よ う に した こ と に よ り 、 多相ブ リ ッ ジ整
流器等の半導体変換装置を構成し た と き の半導-体
整流素子ス タ ッ ク の数を従来の場合 と 比較 し て半
減 さ せ る こ と がで き る と 共に、 交流側接続導体を
不要 と レ得、 か く して全体と し て簡易、 小型の多
相ブ リ ッ ジ変換器を容易に得る こ と がで き る 。
Ο ΡΙ WIPO 、 産業上の利用性
こ の発明は 、 単相 ， 多相の ブ リ ッ ジ形整流装置
に限 ら ず、 ィ ン ノ、 ' ータ 装置 ， サ イ ク ロ コ ン ノ ー タ
装置等半導体素子を使用す る 電力変換装置 に広 く
適用 で き る も ので あ る 。
ΟΜΡΙ
、 ^ _WIPQ -、， ノ

Claims

請 求 の 範 囲
1.電 を形成する 導体上に順次積み重ねて配設 さ れた半導体素子 と ヒ ュ ーズ、 上記半導体素子 と ヒ ユ ーズを上記導体に押圧固着す る 固着具を饍え、 上記導体 と 上記半導体素子間お よ び上記半導体素 子 と 上記 ヒ ュ ーズ間にそ れぞれ冷却片 を挿入 した こ どを特徴と す る半導体素子ス タ ッ ク 。 -
2.冷却片は液冷冷却片で あ る こ と を特徴 とす る 請求の範囲第 1 項記載の半導体素子 ス タ ッ ク 。
3.上下方向 に延長す る 交流側主導体 と 、 こ の交 流側主導体に沿っ てそ の両側位置に各々配設 さ れ た II流側正主導体及び直流側負主導体と 、 上記直 流側正主導体の一側面上に冷却片 ， 半導体整流素 子 ， ヒ ュ ーズ及び接続導体を積み重ねてな る 正側 整流素子ァ — を配設する と共 に、 上記直流側負 主導体の一側面上に上記正側整流素子ァ ー ム と-対 称的に構成 し た負側整流素子ァ一 ム を 上記正側整 流素子ア ー ム にそ れぞれ対応 さ せて配設 し、 対応 する 一対の上記正及び負側整流素子ァ 一ム の接続 導体を互い に接続 して上記交流側主導体に接続 し
OMPI IPO
。' た こ と を 特徵 と す る 半導体素子ス タ ッ ク 。
4.冷却片は液冷冷却片で あ る こ と を 特徴 と す る
請求の範囲第 3 項記載の半導体素子 ス タ ッ ク 。
5.直流側正主導体上に正側整流素子ァ一 ム を、
直流側負主導体上 に負側整流素子ァ ー ム を各々 複
数個並列的に配設 し た こ と を特徴と す る 請求の範
囲第 3 項ま た は第 4 項のい ずれか に記載の半導体
素子 ス タ ッ ク 。
OMPI
ん WiPU
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DE3152040T1 (de) 1982-08-12
CH661151A5 (de) 1987-06-30
DE3152040C2 (de) 1993-11-04
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AU541377B2 (en) 1985-01-03

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