DE3152040C2 - Gleichrichteranordnung - Google Patents

Gleichrichteranordnung

Info

Publication number
DE3152040C2
DE3152040C2 DE3152040T DE3152040T DE3152040C2 DE 3152040 C2 DE3152040 C2 DE 3152040C2 DE 3152040 T DE3152040 T DE 3152040T DE 3152040 T DE3152040 T DE 3152040T DE 3152040 C2 DE3152040 C2 DE 3152040C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
rectifier
rail
branches
main rail
main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE3152040T
Other languages
English (en)
Other versions
DE3152040T1 (de
Inventor
Junichi Miki
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP7520480A external-priority patent/JPS5713970A/ja
Priority claimed from JP8515280U external-priority patent/JPS578753U/ja
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE3152040T1 publication Critical patent/DE3152040T1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3152040C2 publication Critical patent/DE3152040C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/112Mixed assemblies
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L23/4012Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws for stacked arrangements of a plurality of semiconductor devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/16Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/06Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes without control electrode or semiconductor devices without control electrode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/46Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids
    • H01L23/473Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements involving the transfer of heat by flowing fluids by flowing liquids
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Die Erfindung betrifft eine Gleichrichteranordnung.
Aus der Druckschrift DE-AS 25 15 046 ist eine Thyristorsäule bekannt mit einem Wechselstrom-Hauptleiter, mit jeweils einem auf beiden Seiten symmetrisch zu demselben verlaufenden Gleichstrom-Plus-Leiter und Gleichstrom-Minus-Leiter, mit einer Vielzahl von Gleichrichterelementen-Zweigen, die beidseitig des Wechselstrom-Hauptleiters angeordnet sind und jeweils ein erstes elektrisch leitendes Kühlelement, ein Scheibenthyristorelement, ein zweites elektrisch leitendes Kühlelement sowie eine Sicherung enthalten, mit Klemmelementen zum Festklemmen der Gleichrichterelementen-Zweige am betreffenden Gleichstromleiter und mit Verbindungsleitern zwischen dem Wechselstromanschluß jedes Gleichrichterelementen-Zweiges und dem Wechselstrom-Hauptleiter.
Aus der Druckschrift DE-OS 22 03 032 ist eine Halbleiteranordnung bekannt, bei der mindestens drei in wechselnder Folge an der Stromführung beteiligte Halbleiterkörper in scheibenförmiger Bauweise zwischen parallelen Kontaktkörpern unter Druck angeordnet und mit einer Kühleinrichtung versehen sind, wobei die Kontaktkörper zugleich als Kühlkörper und als elektrische Verbindungskörper zwischen den Halbleiterkörpern ausgebildet sind und elektrische Anschlüsse der Halbleiterkörper mit gleichem elektrischem Potential auf gleichen Kontaktkörpern zu liegen kommen.
Schließlich ist aus der Druckschrift DE-AS 15 64 613 eine Diodenhalterung bekannt mit zwei plattenförmigen Stromleitern und einer Halbleiteranordnung, die ein zwischen scheibenförmigen Stromleitern angeordnetes Halbleiterplättchen und Federkörper aufweist, wobei diese von einem nachgiebigen, bügelförmigen Stromleiter umgriffen werden, der die Federkörper elektrisch überbrückt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Gleichrichteranordnung mit einer Vielzahl von Gleichrichterzweigen zu schaffen, welche einen einfachen Aufbau aufweist und einen einfachen Austausch einzelner Halbleiterzweige ermöglicht.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst.
Bei einer solchen Gleichrichteranordnung können im Bedarfsfall einzelne Gleichrichterzweige ausgetauscht werden, ohne daß andere Gleichrichterzweige hiervon betroffen werden. Ein weiterer Vorteil besteht darin, daß die von den einzelnen Stromleitern jeweils hervorgerufene gegenseitige Induktivität dazu beiträgt, Ungleichmäßigkeiten im elektrischen Strom zu mindern, der in die parallel zu den Leitern angeordneten Halbleiterelemente fließt. Daher eignet sich die Gleichrichteranordnung auch für Gleichrichterschaltungen, die für hohe Leistung ausgelegt sind.
Eine Säule gemäß der erfindungsgemäßen Gleichrichteranordnung hat einen einfachen Aufbau und eignet sich für einphasige und mehrphasige Leistungsumsetzer. Werden die Sicherungen und Halbleiterelemente eines jeden Gleichrichterzweiges durch Flüssigkeitskühlstücke gekühlt, wird darin entstehende Wärme kaum an die zirkulierende Luft übertragen. Damit kann eine etwaige Hilfskühleinheit zum Kühlen der zirkulierenden Luft hinsichtlich der Leistungsanforderung vermindert oder gänzlich weggelassen werden.
Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung sind im folgenden anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Darin zeigt
Fig. 1 den Aufbau der Gleichrichterzweige für eine Gleichrichteranordnung
Fig. 2 den Gegenstand gemäß Fig. 1 in der Draufsicht,
Fig. 3 ein erstes Ausführungsbeispiel einer Gleichrichteranordnung aus Gleichrichterzweigen gemäß Fig. 1 und 2 in schematischer, perspektivischer Darstellung,
Fig. 4 ein Schaltbild zur Verschaltung der Gleichrichterzweige in Fig. 3
Fig. 5 ein Schaltbiild eines zweites Ausführungsbeispieles einer Gleichrichteranordnung als Dreiphasen-Gleichrichteranordnung aus Zweigen entsprechend dem Aufbau gemäß Fig. 1 und 2.
Fig. 1 und 2 zeigen Teile eines vor allem für mehrphasige Leistungsumsetzer geeigneten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Gleichrichteranordnung in der Ansicht bzw. Draufsicht, wobei von der Vielzahl der unter sich jeweils gleich aufgebauten und angeordneten Gleichrichterzweige nur zwei gegenüberliegende Zweige gezeigt sind. Darin bezeichnet 31 einen Teil der Säule der Gleichrichteranordnung, die aus Gleichrichterzweigen 32A auf der positiven Seite und aus Gleichrichterzweigen 32B auf der negativen Seite besteht und von denen jeweils nur ein Zweig dargestellt ist. Die Gleichrichterzweige 32A, 32B sind zu beiden Seiten von plattenförmigen Hauptleitern bzw. Strom-Hauptschienen 34, 33A und 33B angeordnet, welche vertikal verlaufen. Der mittlere Hauptleiter ist eine Wechselstrom-Hauptschiene 34, während die linken und rechten Hauptleiter eine Gleichstrom-Plus-Schiene 33A bzw. eine Gleichstrom-Minus-Schiene 33B darstellen.
Der Gleichrichterzweig 32A der positiven Seite besitzt ein erstes Kühlelement 35A auf der linken Fläche der Gleichstom-Plus-Schiene 33A. Auf der linken Seite dieses Kühlelementes 35A folgen in dichter Nebeneinanderanordnung ein Halbleitergleichrichterelement 36A, ein zweites Kühlelement 37A, eine Sicherung 38A und ein Anschlußleiter 39. An die Außenseite des Anschlußleiters 39 ist unter Zwischenlage eines plättchenförmigen Isolators 40A eine Blattfeder 41A angefügt. Das obere und das untere Ende der Blattfeder 41A sind mit Muttern 46A an den linken Enden von Bolzen 45 befestigt, die von den Hauptleitern 33A, 34 und 33B nach links verlaufen. Durch diese Klemmeinrichtung ist der Gleichrichterzweig 32A der positiven Seite fest mit der Gleichstrom-Plus-Schiene 33A verbunden.
Der Gleichrichterzweig 32B der negativen Seite ist symmetrisch zum Gleichrichterzweig 32A der positiven Seite aufgebaut und angebracht. An die Gleichstrom-Minus-Schiene 33B sind der Reihe nach ein Kühlelement 35B, ein Halbleitergleichrichterelement 36B, ein Kühlelement 37B, eine Sicherung 38B, ein Anschlußleiter 39 und ein plättchenförmiger Isolator 40B aneinandergefügt. Mit Muttern 46B ist eine Blattfeder 41B an den rechten Enden der Bolzen 45 befestigt, die sich durch die Hauptschienen 33A, 34 und 33B nach rechts erstrecken. Somit ist der Gleichrichterzweig 32B der Negativseite ebenfalls fest mit der Gleichstrom-Minus-Schiene 33B verbunden.
Die Bolzen 45 sind gerade Bolzen, die sich horizontal durch die Hauptschienen 33A, 34 und 33B erstrecken.
Der Anschlußleiter 39 ist, was besonders aus Fig. 2 deutlich wird, eine E-förmige Leiterplatte, die hinter dem Gleichrichterzweig 32A der Positivseite und dem Gleichrichterzweig 32B der Negativseite verläuft und die Sicherungen 38A und 38B mit der Wechselstrom- Hauptschiene 34 verbindet. Die Bezugsziffern 48A und 48B in den Fig. 1 und 2 bezeichnen Isolatoren.
Die Halbleitergleichrichtersäule 31 besitzt einen festen Aufbau, in welchem, wie aus Fig. 3 ersichtlich, eine Anzahl von Gleichrichterzweigen 32A der Positivseite in einer Säulen- oder Stapelform zwischen der Wechselstrom-Hauptschiene 34, die in einer zentralen Position vertikal verläuft, und der Plus-Schiene 33A der Gleichstromseite links von der Wechselstrom- Hauptschiene 34 angeordnet ist, während eine Anzahl von Gleichrichterzweigen 32B der Negativseite in Säulen- oder Stapelform zwischen der Wechselstrom-Hauptschiene 33B der Gleichstromseite auf der rechten Seite der Hauptschiene 34 angeordnet ist. Diese Anordnung entspricht der elektrischen Schaltung in Fig. 4. Das heißt, die Gleichrichterzweige 32A der Positivseite und die Gleichrichterzweige 32B der Negativseite sind mit der Wechselstrom-Hauptschiene 34 verbunden, und der Gleichstromausgang wird über die Plus-Hauptschiene 33A der Gleichstromseite und die Minus- Hauptschiene 33B der Gleichstromseite gebildet.
Ein Dreiphasenbrückengleichrichter kann mit nur drei derart aufgebauten Gleichrichterelementensäulen 31 hergestellt werden, wie in Fig. 5 gezeigt. Als Wechselstromleiter U, V, W können jeweils Wechselstrom-Hauptschiene von Gleichrichterelementsäulen 31 verwendet werden. Es ist also nicht erforderlich, zusätzliche Anschlußleiter vorzusehen. Jede Säule der Wechselstrom-Hauptschienen U, V, W entspricht in ihrem Aufbau der Säule gemäß Fig. 4. Die Gleichstrom-Positiv-Schienen aller drei Säulen sind jeweils an gemeinsame Gleichstrom-Positiv- bzw. -Negativ-Schienen 27, 26 angeschlossen.
Somit kann ein N-phasiger Brückengleichrichter mit N Gleichrichterelementenbrücken 31 hergestellt werden, und bei der Herstellung eines Mehrphasenbrückengleichrichters ist es nicht nötig, zusätzliche Anschlußleiter vorzusehen.
Wie aus der obigen Beschreibung hervorgeht, kann die Halbleitergleichrichterelementensäule durch festes Anbringen der positivseitigen Gleichrichterzweige und der negativseitigen Gleichrichterzweige zu beiden Seiten des Wechselstrom-Hauptleiters in solcher Weise hergestellt werden, daß die Zweige zum Hauptleiter symmetrisch angeordnet sind. Damit kann die Zahl der Halbleitergleichrichterelementensäulen bei der Herstellung eines Halbleiterumsetzers wie eines Mehrphasenbrückengleichrichters auf die Hälfte der nach einem herkömmlichen Aufbau erforderlichen verringert werden. Außerdem brauchen auf der Wechselstromseite keine zusätzlichen Anschlußleiter vorgesehen zu werden, so daß ein Mehrphasenbrückengleichrichter von geringen Abmessungen und einfachem Aufbau leicht hergestellt werden kann.
Die beschriebene Gleichrichteranordnung ist besonders bei Leistungsumsetzern anwendbar, die Halbleiterelemente verwenden, wie etwa Ein- oder Mehrphasenbrückengleichrichter, Wechselrichter oder Steuerumrichter.

Claims (5)

1. Gleichrichteranordnung, umfassend
  • (a) eine Wechselstrom-Hauptschiene (34),
  • (b) eine Gleichstrom-Plus-Schiene (33A) und eine Gleichstrom-Minus-Schiene (33B), welche symmetrisch zur Wechselstrom-Hauptschiene (34) verlaufen und die Wechselstrom-Hauptschiene sandwichartig umgeben,
  • (c) eine Vielzahl von Gleichrichterzweigen (32A), die in Parallelschaltung jeweils zwischen der Wechselstrom-Hauptschiene (34) und der Gleichstrom-Plus-Schiene (33A) säulenartig übereinander angeordnet sind, und eine Vielzahl von Gleichrichterzweigen (32B), die in Parallelschaltung jeweils zwischen der Wechselstrom-Hauptschiene (34) und der Gleichstrom-Minus-Schiene (33A) säulenartig übereinander angeordnet sind,
  • (d) wobei jeder Gleichrichterzweig in Reihenschaltung ein erstes elektrisch leitendes Kühlelement (35A bzw. 35B), ein Halbleiterelement (36A bzw. 36B), ein zweites elektrisch leitendes Kühlelement (37A bzw. 37B) und eine Sicherung (38A bzw. 38B) enthält,
  • (e) wobei jedem Gleichrichterzweig (32A bzw. 32B) eine Klemmeinrichtung (41A bzw. 41B, 45, 46A bzw. 46B) zugeordnet ist und
  • (f) wobei jeder Gleichrichterzweig (32A bzw. 32B) an seinem von der Gleichstrom-Plus-Schiene (33A) bzw. von der Gleichstrom-Minus-Schiene (33B) abgewandten Ende einen Anschlußleiter (39) aufweist, der seitlich des Gleichrichterzweiges zur Wechselstrom-Hauptschiene (34) verläuft und mit dieser elektrisch verbunden ist.
2. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1, worin zwischen der Wechselstrom-Hauptschiene (34) und den Gleichstrom-Schienen (33A bzw. 33B) jeweils ein Isolator (48A bzw. 48B) angeordnet ist.
3. Gleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, worin zur Gleichstrom-Plus-Schiene (33A) führende Gleichrichterzweige (32A) und zur Gleichstrom-Minus-Schiene (33B) führende Gleichrichterzweige (32B) einander jeweils paarweise gegenüberstehen und die Anschlußleiter (39) zweier paarweise gegenüberstehender Gleichrichterzweige zusammen mit der Wechselstrom-Hauptschiene (34) in einer Ebene senkrecht zu dieser jeweils einen E-förmigen Querschnitt bilden.
4. Gleichrichteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, worin die Wechselstrom-Hauptschiene (34) und die Gleichstrom-Schienen (33A, 33B) jeweils fluchtende Bohrungen aufweisen, welche Bolzen (45) der Klemmeinrichtungen (41B, 45, 46A bzw. 46B) aufnehmen.
5. Gleichrichteranordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, worin die die Halbleiterelemente (36A; 36B) beidseitig einschließenden Kühlelemente (35A, 35B; 37A, 37B) Flüssigkeitskühlstücke bilden.
DE3152040T 1980-06-03 1981-06-02 Gleichrichteranordnung Expired - Lifetime DE3152040C2 (de)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7520480A JPS5713970A (en) 1980-06-03 1980-06-03 Semiconductor rectifying device stack
JP8515280U JPS578753U (de) 1980-06-17 1980-06-17
PCT/JP1981/000122 WO1981003582A1 (en) 1980-06-03 1981-06-02 Semiconductor element stack

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3152040T1 DE3152040T1 (de) 1982-08-12
DE3152040C2 true DE3152040C2 (de) 1993-11-04

Family

ID=26416360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3152040T Expired - Lifetime DE3152040C2 (de) 1980-06-03 1981-06-02 Gleichrichteranordnung

Country Status (5)

Country Link
AU (1) AU541377B2 (de)
BR (1) BR8108635A (de)
CH (1) CH661151A5 (de)
DE (1) DE3152040C2 (de)
WO (1) WO1981003582A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19634823A1 (de) * 1996-08-28 1998-03-05 Siemens Ag Niederinduktive, hochohmige Dioden-Anordnung
DE19903245A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
DE19541111B4 (de) * 1994-10-26 2004-07-22 Mitsubishi Denki K.K. Leistungswandler

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04305963A (ja) * 1991-04-02 1992-10-28 Hitachi Ltd 半導体素子の冷却装置
DE10005183A1 (de) 2000-02-05 2001-08-09 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1564613B2 (de) * 1965-06-23 1972-07-13 Sciaky, David, Chicago, 111 (V St A ) Diodenhalterung mit zwei plattenfoermigen stromleitern
DE2203032A1 (de) * 1972-01-22 1973-08-02 Siemens Ag Halbleiteranordnung
DE2515046B2 (de) * 1975-04-07 1979-07-05 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristorsäule

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4218246Y1 (de) * 1965-11-29 1967-10-23
JPS4721093Y1 (de) * 1969-03-13 1972-07-13
JPS571593Y2 (de) * 1973-01-22 1982-01-11
JPS5132367Y2 (de) * 1973-03-08 1976-08-12

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1564613B2 (de) * 1965-06-23 1972-07-13 Sciaky, David, Chicago, 111 (V St A ) Diodenhalterung mit zwei plattenfoermigen stromleitern
DE2203032A1 (de) * 1972-01-22 1973-08-02 Siemens Ag Halbleiteranordnung
DE2515046B2 (de) * 1975-04-07 1979-07-05 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Thyristorsäule

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19541111B4 (de) * 1994-10-26 2004-07-22 Mitsubishi Denki K.K. Leistungswandler
DE19634823A1 (de) * 1996-08-28 1998-03-05 Siemens Ag Niederinduktive, hochohmige Dioden-Anordnung
DE19903245A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul

Also Published As

Publication number Publication date
WO1981003582A1 (en) 1981-12-10
DE3152040T1 (de) 1982-08-12
BR8108635A (pt) 1982-04-13
AU541377B2 (en) 1985-01-03
AU7228181A (en) 1981-12-21
CH661151A5 (de) 1987-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4110339C2 (de) Wechselrichter mit plattenförmigen Gleichspannungszuleitungen
EP0427143B1 (de) Leistungshalbleitermodul
EP0277546B1 (de) Halbleiteranordnung mit mindestens einem Halbleiterkörper
DE2354663A1 (de) Stromrichter
WO2015003734A1 (de) Multilevelumrichter
DE4402425A1 (de) Wechselrichteranordnung
CH674434A5 (de)
DE4005333C2 (de)
EP1178595A2 (de) Induktivitätsarme Schaltungsanordnung
DE3152040C2 (de) Gleichrichteranordnung
EP0584668B1 (de) Leistungshalbleiter-Modul
EP0710983B1 (de) Brücken-Modul
DE1564694B2 (de) Gleichrichteranordnung für hohe Spannung
DE3609458A1 (de) Halbleitervorrichtung mit parallel geschalteten selbstabschalt-halbleiterbauelementen
DE4023687A1 (de) Stromrichteranordnung
DE2611260C3 (de) Stromrichterbaueinheit
DE2515046C3 (de) Thyristorsäule
EP0001548B1 (de) Hochleistungsstromrichter mit gekühlten parallelgeschalteten Stromrichterventilen
DE19634823A1 (de) Niederinduktive, hochohmige Dioden-Anordnung
EP0004293B1 (de) Anordnung von Scheibenthyristoren in thermischer und elektrischer Kontaktierung auf Kühlkörpern
DE2829300C2 (de) Umkehrstromrichter-Anordnung
DE2325345A1 (de) Gleichrichterbruecke
DE3034605C2 (de) Wechselrichter
DE102019132899A1 (de) Leistungsmodul
DE8205369U1 (de) Baueinheit für Schaltungen mit flüssigkeitsgekühlten scheibenförmigen Leistungshalbleiterzellen

Legal Events

Date Code Title Description
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition