TWM575187U - 晶圓匣 - Google Patents

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TWM575187U
TWM575187U TW107214170U TW107214170U TWM575187U TW M575187 U TWM575187 U TW M575187U TW 107214170 U TW107214170 U TW 107214170U TW 107214170 U TW107214170 U TW 107214170U TW M575187 U TWM575187 U TW M575187U
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呂宗霖
廖志強
李威震
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辛耘企業股份有限公司
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一種晶圓匣包括承載部與框體。框體連接承載部,並具有晶圓入口。承載部位於晶圓入口的正下方。框體包括多個圍繞晶圓入口的上端部,其中各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮,以使各個上端部的頂端不形成水平平面。

Description

晶圓匣
本創作是有關於一種晶圓的容納裝置,特別是有關於一種晶圓匣(wafer cassette,也可稱晶舟)。
現有半導體代工廠通常會使用晶圓匣來容置與搬運晶圓,以使晶圓能整批送到多個站點進行多道製程,例如溼蝕刻與清洗製程。一般而言,當晶圓在進行溼蝕刻或清洗製程時,晶圓匣以及容置在晶圓匣內的晶圓會一起進入機台內,讓蝕刻液或清潔液能接觸到晶圓與晶圓匣,以蝕刻或清洗晶圓。因此,在完成溼蝕刻或清洗製程後,蝕刻液或清潔液難免會殘留在晶圓匣上,將汙染晶圓。
上述殘留的蝕刻液或清潔液會對後續製程造成不利的影響,甚至可能會降低良率(field),所以殘留的蝕刻液或清潔液必須去除乾淨。在完成溼蝕刻或清洗製程後,會乾燥晶圓與晶圓匣來移除殘留的蝕刻液或清潔液。然而,即使進行過乾燥,有些現有的晶圓匣因為外型緣故而容易殘留蝕刻液或清潔液。例如,目前有的晶圓匣中,較多的蝕刻液或清潔液殘容易留在形成於上緣(top edge)的水平平面上,其中水平平面是指實質上平行於水平面(horizontal)的平面。這會造成乾燥時間須要拉長才能將殘留的蝕刻液或清潔液去除乾淨,從而導致產能(throughput)降低。
本創作提供一種晶圓匣,其能減少殘留的液體(例如蝕刻液或清潔液),從而有利於進行乾燥。
本創作所提供的晶圓匣包括承載部以及框體。框體連接承載部,並具有晶圓入口。承載部位於晶圓入口的正下方。框體包括多個圍繞晶圓入口的上端部,其中各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮,以使各該上端部的頂端不形成水平平面。
在本創作一實施例中,上述框體還包括一對彼此面對面的第一壁體與一對彼此面對面的第二壁體。這些第二壁體彼此面對面,並連接於這些第一壁體,其中這些上端部分別連接於這些第一壁體的上端與這些第二壁體的上端,而承載部連接於這些第二壁體之間。
在本創作一實施例中,各個第一壁體具有外側面,而連接於各個第一壁體的上端部凸出於外側面。
在本創作一實施例中,上述承載部包括一對支撐條。這些支撐條彼此並列,並連接於這些第二壁體。
在本創作一實施例中,相鄰的支撐條與第一壁體之間形成鏤口洞。框體還具有位於晶圓入口正下方的容置空間,而容置空間、鏤口洞與晶圓入口彼此相通。
在本創作一實施例中,各個第二壁體包括本體部以及一對延伸條。這些延伸條從本體部向下延伸,其中本體部連接於這些延伸條與其中一個上端部之間,而這些延伸條分別連接於這些支撐條。
在本創作一實施例中,各個第二壁體的一對彼此相對的側邊由本體部沿著延伸條而向下延伸,且各個側邊具有傾斜邊及/或垂直邊。
在本創作一實施例中,各個第二壁體的各個側邊具有傾斜邊,而第二壁體在這些傾斜邊之間的寬度是從上往下遞減。
在本創作一實施例中,同一個第二壁體的這些延伸條之間形成缺口,而缺口的內緣形成曲面(curve)或至少一斜面。框體還具有位於晶圓入口正下方的容置空間,其中容置空間、缺口與晶圓入口彼此相通。
在本創作一實施例中,至少一第二壁體還包括連接條。連接條連接於這些延伸條之間,以使連接條、這些延伸條以及本體部圍繞成開口,而開口的內緣形成曲面或至少一斜面。框體還具有位於晶圓入口正下方的容置空間,其中容置空間、開口與晶圓入口彼此相通。
在本創作一實施例中,這些第一壁體可拆卸地連接這些第二壁體,而這些第二壁體可拆卸地連接承載部。
在本創作一實施例中,這些第一壁體是用榫卯方式(mortise and tenon)連接這些第二壁體,而這些第二壁體是用榫卯方式連接承載部。
在本創作一實施例中,這些第一壁體具有多條彼此並列的第一溝槽,而承載部具有多條彼此並列的第二溝槽。這些第一溝槽分別對準(aligning to)這些第二溝槽。
在本創作一實施例中,連接於各個第二壁體的上端部具有兩延伸段以及中央段,中央段連接於這些延伸段之間,而各個延伸段從中央段往上延伸至第一壁體。
在本創作一實施例中,各個上端部的頂端形成曲面。
在本創作一實施例中,各個上端部的頂端形成線邊緣(line edge)。
在本創作一實施例中,各個上端部具有至少一斜面,而斜面從線邊緣向下延伸。
在本創作一實施例中,各個上端部具有第一斜面與第二斜面。第一斜面與第二斜面彼此相連,而線邊緣形成於第一斜面與第二斜面之間的相連處。
由於各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮而不在上端部的頂端形成水平平面,因此在經過溼蝕刻或清洗製程之後,上端部能導引液體(例如蝕刻液或清潔液)往下流動,以排除液體,從而減少殘留的液體。如此,本創作的晶圓匣能幫助減少將殘留液體去除乾淨所需要的乾燥時間及減少汙染晶圓之問題,促進產能及良率提升。
為讓本創作的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A是本創作一實施例的晶圓匣在裝有晶圓時的立體示意圖,而圖1B是圖1A中的晶圓匣在未裝有晶圓時的立體示意圖。請參閱圖1A與圖1B,晶圓匣100能裝設至少一片晶圓10。以圖1A為例,晶圓匣100能裝設多片晶圓10,例如可一次裝設25片晶圓10。此外,針對不同尺寸的晶圓10,晶圓匣100可設計成能裝設6吋、8吋、12吋、14吋或14吋以上的晶圓10。
晶圓匣100可以包括框體110以及承載部120,其中框體110連接承載部120。框體110具有晶圓入口E1與容置空間S1,而容置空間S1與承載部120皆位於晶圓入口E1的正下方。容置空間S1可用以容置一片或多片晶圓10,而晶圓入口E1與容置空間S1相通,並且可為容置空間S1的開口。因此,晶圓10可從晶圓入口E1放置於容置空間S1內。
框體110包括多個上端部113a與113b。以圖1A與圖1B為例,框體110包括一對上端部113a以及一對上端部113b。這些上端部113a彼此相對,而這些上端部113b彼此相對,其中這些上端部113b可以位於這些上端部113a之間,如圖1B所示。這些上端部113a與113b圍繞晶圓入口E1,而從圖1A與圖1B來看,這些上端部113a與113b等於是晶圓匣100的上緣。
連接於各個第二壁體112的上端部113b具有兩延伸段P1以及中央段P2,其中中央段P2連接於這些延伸段P1之間,而各條延伸段P1從中央段P2往上延伸至第一壁體111。換句話說,上端部113b的形狀為彎折狀,而中央段P2與這些延伸段P1會形成凹陷,其中中央段P2位於此凹陷的底部。當晶圓10從晶圓入口E1放置於晶圓匣100內時,晶圓10沒有凸出於框體110的上端部113a,但卻凸出於上端部113b的中央段P2以及延伸段P1的一部分。所以,晶圓10只凸出於框體110的部分這些上端部(即上端部113b),但是沒有凸出於其他這些上端部(即上端部113a)。
框體110還包括一對第一壁體111與一對第二壁體112。這些第一壁體111彼此面對面,而這些第二壁體112彼此面對面,其中這些第二壁體112連接於這些第一壁體111,且這些第二壁體112與這些第一壁體111圍繞晶圓入口E1與容置空間S1。上端部113a連接於第一壁體111的上端,而上端部113b連接於第二壁體112的上端。此外,承載部120連接於這些第二壁體112之間。
這些第一壁體111具有多條彼此並列的第一溝槽111t,而承載部120具有多條彼此並列的第二溝槽121,其中這些第一溝槽111t分別對準這些第二溝槽121,以使這些第一溝槽111t以及這些第二溝槽121能形成多條可供晶圓10容置的插槽。如此,這些晶圓10可以穩固地裝設在晶圓匣100內,且在晶圓匣100內的這些晶圓10可以彼此分開而不接觸,以避免晶圓10遭到刮傷。
各個上端部113a具有線邊緣L11,而各個上端部113b具有線邊緣L12。詳細而言,各個上端部113a與113b皆朝向遠離承載部120的方向延伸及漸縮,以在各個上端部113a與113b的頂端分別形成線邊緣L11與L12。一般人以肉眼直接觀看圖1A與圖1B中的線邊緣L11與L12的話,會認為線邊緣L11與L12為不具有平面的線形區域,且各個上端部113a與113b的頂端不會形成水平平面,即晶圓匣100的上緣沒有形成水平平面。
由於這些上端部113a與113b都會朝向遠離承載部120的方向延伸及漸縮,因此這些上端部113a與113b任一者會具有至少一斜面,其會沿著線邊緣L11或L12向下延伸。例如,在這些第一壁體111上方,各個上端部113a具有第一斜面113m與第二斜面113n,其中第一斜面113m與第二斜面113n彼此相連,而線邊緣L11形成於第一斜面113m與第二斜面113n之間的相連處。
圖1C是圖1B中的晶圓匣的其中一種剖面立體示意圖,而圖1D是圖1C中的剖面後晶圓匣的局部側視示意圖。請參閱圖1C與圖1D,在同一個上端部113a中,第一斜面113m與第二斜面113n都是從線邊緣L11向下延伸,即朝向承載部120延伸。第一斜面113m是朝向遠離晶圓入口E1與容置空間S1的方向延伸,而第二斜面113n是朝向接近晶圓入口E1與容置空間S1的方向延伸。各個第一壁體111具有外側面111e與內側面111i,其中這些第一溝槽111t形成於內側面111i。連接於各個第一壁體111的上端部113a會凸出於外側面111e,其中第一斜面113m會凸出於外側面111e,而第二斜面113n與內側面111i相連,如圖1D所示。
圖1E是圖1B中的晶圓匣的另一種剖面立體示意圖,而圖1F是圖1E中的剖面後晶圓匣的局部側視示意圖。請參閱圖1E與圖1F,在這些第二壁體112上方,連接於各個第二壁體112的上端部113b具有第一斜面113x與第二斜面113y,其中第一斜面113x與第二斜面113y彼此相連,而線邊緣L12形成於第一斜面113x與第二斜面113y之間的相連處。
在同一個上端部113b中,第一斜面113x與第二斜面113y皆從線邊緣L12向下延伸,即朝向承載部120延伸。第一斜面113x是朝向遠離晶圓入口E1與容置空間S1的方向延伸,而第二斜面113y是朝向接近晶圓入口E1與容置空間S1的方向延伸。各個第二壁體112具有外側面112e與內側面112i,其中第一斜面113x與第二斜面113y分別從內側面112i與外側面112e延伸至線邊緣L12。所以,第一斜面113x與內側面112i相連,而第二斜面113y與外側面112e相連。
由於這些上端部113a與113b皆朝向遠離承載部120的方向延伸及漸縮,以在上端部113a與113b的頂端分別形成線邊緣L11與L12,因此晶圓匣100的上緣不會形成水平平面,而上端部113a與113b所具有的第一斜面113m、113x與第二斜面113n、113y會導引液體(例如蝕刻液或清潔液)往下流動,從而排除液體。因此,在經過溼蝕刻或清洗製程之後,蝕刻液或清潔液容易從第一斜面113m、113x以及第二斜面113n、113y流出,以幫助蝕刻液或清潔液排出,從而減少殘留的蝕刻液或清潔液。如此,晶圓匣100能幫助減少將殘留蝕刻液或清潔液去除乾淨所需要的乾燥時間及減少汙染晶圓之問題,以提升產能及良率。
特別一提的是,在本實施例中,上端部113a與113b各自具有兩面斜面(第一斜面113m、113x以及第二斜面113n、113y)。然而,在其他實施例中,上端部113a與113b各自可只有一面斜面。也就是說,上端部113a與113b各自可具有一面斜面與一面垂直面,其中此斜面與此垂直面彼此相連,而線邊緣形成於斜面與垂直面之間的相連處。因此,上端部113a與113b各自所具有的斜面數量並不限定為如圖式所示的兩面。
請參閱圖1B與圖1C,承載部120可包括一對支撐條122,其中這些支撐條122彼此並列,並連接於這些第二壁體112,而這些支撐條122之間可形成開口(未標示)。各個第二壁體112可包括本體部112m以及一對延伸條112s,其中這些延伸條112s連接本體部112m,並從本體部112m向下延伸。所以,在同一個第二壁體112中,本體部112m可連接於這些延伸條112s以及其中一個上端部113b之間。這些延伸條112s分別連接於這些支撐條122,其中各個支撐條122連接於兩個第二壁體112的這些延伸條112s之間。
各個第二壁體112的一對彼此相對的側邊112a由本體部112m沿著延伸條112s而向下延伸,且各條側邊112a具有一條傾斜邊B1及/或一條垂直邊B2。在本實施例中,各條側邊112a具有一條傾斜邊B1與一條垂直邊B2。不過,在其他實施例中,各個側邊112a可只具有一條傾斜邊B1或一條垂直邊B2。第二壁體112在這些傾斜邊B1之間的寬度可以是從上往下遞減,如圖1B所示。
同一個第二壁體112的這些延伸條112s之間會形成開口112h(如圖1B所示)或是缺口112n(如圖1C所示),其中開口112h是封閉式的孔洞,而缺口是開放式的孔洞。具體而言,至少一個第二壁體112可以還包括一條連接條112b。在圖1B與圖1C所示的實施例中,僅左邊的第二壁體112包括連接條112b,但右邊的第二壁體112未包括連接條112b。
在左邊的第二壁體112中,連接條112b連接於這些延伸條112s之間,以使連接條112b、這些延伸條112s與本體部112m圍繞成封閉的開口112h,如圖1B所示。在右邊的第二壁體112中,這些延伸條112s與本體部112m會形成開放的缺口112n,如圖1C所示。在本實施例中,雖然僅一個第二壁體112包括連接條112b,但在其他實施例中,各個第二壁體112可包括連接條112b,即各個第二壁體112不具有缺口112n。此外,各個第二壁體112也可不包括連接條112b,即各個第二壁體112不具有開口112h,所以圖式所示的缺口112n、開口112h與連接條112b並不限定本創作。
缺口112n與開口112h兩者的內緣可形成至少一面斜面。以圖1E為例,缺口112n的內緣形成兩面斜面112x,其中這兩面斜面112x皆為平面,並相交於線邊緣,而且這些斜面112x都是朝向缺口112n的中心延伸,從而形成凸緣(flange)。同樣地,開口112h的內緣也形成兩面斜面112y,其中這兩面斜面112y也皆為平面,並也相交於線邊緣,且這些斜面112y都是朝向開口112h的中心延伸而形成凸緣。如此,缺口112n與開口112h兩者的內緣不會形成水平平面,也不會形成凹陷,以避免液體殘留及淤積在缺口112n與開口112h兩者的內緣。
請參閱圖1B與圖1C,相鄰的支撐條122與第一壁體111之間會形成鏤口洞G1,其中容置空間S1、鏤口洞G1、缺口112n、開口112h、晶圓入口E1以及這些支撐條122之間的開口(未標示)彼此相通。當晶圓10放置於晶圓匣100內時,鏤口洞G1、缺口112n、開口112h、晶圓入口E1與支撐條122之間的開口會暴露晶圓10,以使在乾燥晶圓10與晶圓匣100的過程中,殘留在晶圓10與晶圓匣100上的液體(例如蝕刻液或清潔液)可從鏤口洞G1、缺口112n以及上述開口(例如開口112h)排出,避免殘留的液體淤積於晶圓匣100內。
圖1G是圖1B中的晶圓匣的爆炸示意圖。請參閱圖1G,這些第一壁體111可拆卸地連接這些第二壁體112,而這些第二壁體112可拆卸地連接承載部120。這些第一壁體111可用榫卯方式連接這些第二壁體112,而這些第二壁體112可用榫卯方式連接承載部120的兩個支撐條122。例如,第一壁體111可具有榫眼(mortise)M11,而第二壁體112可具有榫頭(tenon)T11,其中榫頭T11能配合(fit)及插入於榫眼M11中,以使第一壁體111連接第二壁體112。同樣地,第二壁體112的延伸條112s也具有榫眼M12,而支撐條122具有榫頭122p,其中榫頭122p能配合及插入於榫眼M12中,以使第二壁體112連接承載部120。
上述榫頭與榫眼兩者可採用適當的配合,例如過渡配合(transition fit),以使第一壁體111可拆卸地連接第二壁體112,而第二壁體112可拆卸地連接承載部120。當晶圓匣100的框體110或承載部120遭到損壞或汙染時,可以直接將損壞或汙染的零件(例如第一壁體111、第二壁體112或支撐條122)拆卸下來,並且替換成新的零件。如此,遭到損壞或汙染的晶圓匣100可以不用整個報廢,以達到節省成本以及環保的功效。
圖1G所示的榫卯方式僅供舉例說明,其中圖1G所示的榫頭與榫眼可以彼此互換。例如,第一壁體111可具有榫頭,而第二壁體112可具有能配合此榫頭的榫眼,以使第一壁體111也能連接第二壁體112。因此,第一壁體111、第二壁體112與承載部120之間的連接方式不以圖1G所示的為限。此外,第一壁體111、第二壁體112與承載部120之間的連接方式也可採用螺鎖或膠黏,甚至整個晶圓匣100也可一體成型(integrally formed into one)製成,以使第一壁體111、第二壁體112與承載部120可以是一體成型。前述晶圓匣連接方式或一體成型,於晶圓匣表面皆為平整之連接面,以幫助蝕刻液或清潔液排出晶圓匣,從而減少殘留的蝕刻液或清潔液。
圖2A是本創作另一實施例的晶圓匣在裝有晶圓時的立體示意圖,而圖2B是圖2A中的晶圓匣在未裝有晶圓時的立體示意圖。請參閱圖2A與圖2B,本實施例的晶圓匣200與前述實施例相似。例如,晶圓匣200也包括彼此連接的框體210與承載部120,而框體210也具有晶圓入口(未標示)以及用於裝設一片或多片晶圓10的容置空間(未標示)。框體210包括多個上端部113a與113b、多個第一壁體211以及多個第二壁體212,而這些第一壁體211與這些第二壁體212彼此相連,其中承載部120的兩個支撐條122也連接在兩個第二壁體212之間。相鄰的支撐條122與第一壁體211之間形成鏤口洞G2,而兩個第二壁體212分別具有開口112h與缺口112n。
圖2C是圖2B中的晶圓匣的爆炸示意圖。請參閱圖2B與圖2C,這些第一壁體211也可以用榫卯方式連接這些第二壁體212,而這些第二壁體212也可用榫卯方式連接承載部120。例如,第一壁體211可具有榫眼M11,而第二壁體212可具有榫頭T11,其能配合及插入於榫眼M11中,以使第一壁體211連接第二壁體212。同樣地,支撐條122的榫頭122p也能配合及插入於第二壁體212延伸條112s的榫眼M12,以使第二壁體112連接承載部120。此外,上述榫頭與榫眼兩者也可採用適當的配合,使得第一壁體211可拆卸地連接第二壁體212,而第二壁體212可拆卸地連接承載部120。
請參閱圖1A與圖2A,晶圓匣100與200兩者之間的差異僅在於:晶圓與晶圓匣之間的高度差。在圖2A的晶圓匣200中,當晶圓10從晶圓入口放置於晶圓匣200內時,晶圓10會凸出於框體210的所有上端部113a與113b。然而,在圖1A的晶圓匣100中,當晶圓10從晶圓入口E1放置於晶圓匣100內時,晶圓10不會凸出於框體110的所有上端部,即晶圓10會凸出於框體110的上端部113b,但不會凸出於上端部113a。
圖3是本創作另一實施例的晶圓匣的剖面示意圖。請參閱圖3,本實施例的晶圓匣300相似於前述實施例的晶圓匣100,且晶圓匣300的優點也相同於晶圓匣100的優點。不過,有別於晶圓匣100,在晶圓匣300中,各個上端部313a與313b兩者頂端會形成曲面C31與C32,其中曲面C31與C32可以是弧面。因此,上端部313a與313b不僅朝向遠離承載部120的方向延伸及漸縮,而且上端部313a與313b也不會形成水平平面,以減少殘留的液體。
此外,晶圓匣300的兩個第二壁體112分別具有缺口112n與開口112h,但不同於晶圓匣100,晶圓匣300的缺口112n與開口112h兩者的內緣可分別形成曲面312x與312y,其中曲面312x與312y也可以是弧面。如此,缺口112n與開口112h兩者的內緣也能減少殘留的液體,避免液體殘留及淤積在缺口112n與開口112h兩者的內緣。
綜上所述,在以上實施例的晶圓匣中,由於各個上端部朝向遠離承載部的方向延伸及漸縮而不在上端部的頂端形成水平平面,因此在經過溼蝕刻或清洗製程之後,上端部能導引液體(例如蝕刻液或清潔液)往下流動,以排除液體,進而減少殘留的液體。因此,本創作的晶圓匣能幫助提升乾燥晶圓匣與晶圓的製程,減少將殘留液體去除乾淨所需要的時間及減少汙染晶圓的問題,進而促進產能及良率提升。
本創作所提及之晶圓可為基板形式、載板形式、晶圓形式、晶片形式等,並且可為圓型、方型,並不以此為限。本創作的晶圓匣可應用於基板濕製程(蝕刻、清洗、乾燥等),例如單基板濕製程、多基板濕製程、單一方晶片錫球下金屬蝕刻、薄化晶圓支撐/剝離、貼合/剝離製程、碳化矽再生晶圓、再生矽晶圓等,並不以此為限。
雖然本創作已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本創作,本創作所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本創作之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,因此本創作之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧晶圓
100、200、300‧‧‧晶圓匣
110、210‧‧‧框體
111、211‧‧‧第一壁體
111e、112e‧‧‧外側面
111i、112i‧‧‧內側面
111t‧‧‧第一溝槽
112、212‧‧‧第二壁體
112a‧‧‧側邊
112b‧‧‧連接條
112h‧‧‧開口
112m‧‧‧本體部
112n‧‧‧缺口
112s‧‧‧延伸條
112x、112y‧‧‧斜面
113a、113b、313a、313b‧‧‧上端部
113m、113x‧‧‧第一斜面
113n、113y‧‧‧第二斜面
120‧‧‧承載部
121‧‧‧第二溝槽
122‧‧‧支撐條
122p、T11‧‧‧榫頭
312x、312y、C31、C32‧‧‧曲面
B1‧‧‧傾斜邊
B2‧‧‧垂直邊
E1‧‧‧晶圓入口
G1、G2‧‧‧鏤口洞
L11、L12‧‧‧線邊緣
M11、M12‧‧‧榫眼
P1‧‧‧延伸段
P2‧‧‧中央段
S1‧‧‧容置空間
圖1A是本創作一實施例的晶圓匣在裝有晶圓時的立體示意圖。 圖1B是圖1A中的晶圓匣在未裝有晶圓時的立體示意圖。 圖1C是圖1B中的晶圓匣的其中一種剖面立體示意圖。 圖1D是圖1C中的剖面後晶圓匣的局部側視示意圖。 圖1E是圖1B中的晶圓匣的另一種剖面立體示意圖。 圖1F是圖1E中的剖面後晶圓匣的局部側視示意圖。 圖1G是圖1B中的晶圓匣的爆炸示意圖。 圖2A是本創作另一實施例的晶圓匣在裝有晶圓時的立體示意圖。 圖2B是圖2A中的晶圓匣在未裝有晶圓時的立體示意圖。 圖2C是圖2B中的晶圓匣的爆炸示意圖。 圖3是本創作另一實施例的晶圓匣的剖面示意圖。

Claims (18)

  1. 一種晶圓匣,包括: 一承載部;以及 一框體,連接該承載部,並具有一晶圓入口,其中該承載部位於該晶圓入口的正下方,該框體包括: 多個上端部,圍繞該晶圓入口,其中各該上端部朝向遠離該承載部的方向延伸及漸縮,以使各該上端部的頂端不形成一水平平面。
  2. 如請求項第1項所述的晶圓匣,其中該框體還包括: 一對第一壁體,彼此面對面;以及 一對第二壁體,彼此面對面,並連接於該些第一壁體,其中該些上端部分別連接於該些第一壁體的上端與該些第二壁體的上端,而該承載部連接於該些第二壁體之間。
  3. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中各該第一壁體具有一外側面,而連接於各該第一壁體的該上端部凸出於該外側面。
  4. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中該承載部包括一對支撐條,該些支撐條彼此並列,並連接於該些第二壁體。
  5. 如請求項第4項所述的晶圓匣,其中相鄰的該支撐條與該第一壁體之間形成一鏤口洞,該框體還具有一位於該晶圓入口正下方的容置空間,而該容置空間、該鏤口洞與該晶圓入口彼此相通。
  6. 如請求項第4項所述的晶圓匣,其中各該第二壁體包括: 一本體部;以及 一對延伸條,從該本體部向下延伸,其中該本體部連接於該些延伸條與其中一該上端部之間,而該些延伸條分別連接於該些支撐條。
  7. 如請求項第6項所述的晶圓匣,其中各該第二壁體的一對彼此相對的側邊由該本體部沿著該延伸條而向下延伸,且各該側邊具有一傾斜邊及/或一垂直邊。
  8. 如請求項第7項所述的晶圓匣,其中各該第二壁體的各該側邊具有該傾斜邊,而該第二壁體在該些傾斜邊之間的寬度是從上往下遞減。
  9. 如請求項第6項所述的晶圓匣,其中同一該第二壁體的該些延伸條之間形成一缺口,而該缺口的內緣形成曲面或至少一斜面,該框體還具有一位於該晶圓入口正下方的容置空間,其中該容置空間、該缺口與該晶圓入口彼此相通。
  10. 如請求項第6項所述的晶圓匣,其中至少一該第二壁體還包括一連接條,該連接條連接於該些延伸條之間,以使該連接條、該些延伸條以及該本體部圍繞成一開口,而該開口的內緣形成曲面或至少一斜面,該框體還具有一位於該晶圓入口正下方的容置空間,其中該容置空間、該開口與該晶圓入口彼此相通。
  11. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中該些第一壁體可拆卸地連接該些第二壁體,而該些第二壁體可拆卸地連接該承載部。
  12. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中該些第一壁體是用榫卯方式連接該些第二壁體,而該些第二壁體是用榫卯方式連接該承載部。
  13. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中該些第一壁體具有多條彼此並列的第一溝槽,而該承載部具有多條彼此並列的第二溝槽,該些第一溝槽分別對準該些第二溝槽。
  14. 如請求項第2項所述的晶圓匣,其中連接於各該第二壁體的該上端部具有兩延伸段以及一中央段,該中央段連接於該些延伸段之間,而各該延伸段從該中央段往上延伸至該第一壁體。
  15. 如請求項第1至14項中任一項所述的晶圓匣,其中各該上端部的頂端形成一曲面。
  16. 如請求項第1至14項中任一項所述的晶圓匣,其中各該上端部的頂端形成一線邊緣。
  17. 如請求項第16項所述的晶圓匣,其中各該上端部具有至少一斜面,而該斜面從該線邊緣向下延伸。
  18. 如請求項第16項所述的晶圓匣,其中各該上端部具有一第一斜面與一第二斜面,該第一斜面與該第二斜面彼此相連,而該線邊緣形成於該第一斜面與該第二斜面之間的相連處。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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TWI780691B (zh) * 2021-05-06 2022-10-11 弘塑科技股份有限公司 組合式晶舟結構
CN115312433A (zh) * 2021-05-06 2022-11-08 弘塑科技股份有限公司 组合式晶舟结构

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