TWM574698U - 像素電路和顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本新型公開一種像素電路和顯示裝置，該像素電路包括：第一薄膜電 晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、第八薄膜電晶體、發光二極體、存儲電容以及補償模組。本新型實施例提供的像素電路中包含補償模組，該補償模組可以在像素電路的發光階段，對作用在像素電路中的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體的電流與電源電壓無關，進而可以避免由於電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻性的問題。

Description

像素電路和顯示裝置
本新型涉及顯示技術領域，尤其涉及一種像素電路及其驅動方法、顯示裝置。
有機發光顯示裝置是一種應用有機發光二極體作為發光器件的顯示裝置，具有對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、低功耗等特點，被越來越多地應用到各個顯示以及照明領域。
現有的有機發光顯示裝置中，通常可以包含多個像素電路，多個像素電路通常由同一電源提供電源電壓，電源電壓可以決定流經像素電路中發光二極體的電流。
然而，在實際應用中，電源電壓在多個像素電路間傳輸時不可避免的產生電源電壓降(IR drop)，導致作用在每一個像素電路的實際電源電壓不同，進而導致流經每一個發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示的亮度不均勻。
本新型的主要目的是提供一種像素電路及其驅動方法、顯示裝置，旨在解決現有的顯示裝置中，由於電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示的亮度不均勻的問題。
為實現上述目的，本新型提出的像素電路，包括：第一薄膜電晶體、第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、第八薄膜電晶體、發光二極體、存儲電容以及補償模組，其中：第一薄膜電晶體的柵極分別與第三薄膜電晶體的源極、第四薄膜電晶體的源極以及存儲電容的一端連接，第四薄膜電晶體的漏極分別與第八薄膜電晶體的漏極以及參考電壓訊號線連接，存儲電容的另一端分別與第七薄膜電晶體的漏極以及補償模組的輸出端連接，補償模組的輸入端與補償電壓訊號線連接；第一薄膜電晶體的源極分別與第二薄膜電晶體的漏極、第五薄膜電晶體的漏極以及第七薄膜電晶體的源極連接，第二薄膜電晶體的源極與資料電壓訊號線連接，第五薄膜電晶體的源極與第一電源連接；以及第一薄膜電晶體的漏極分別與第三薄膜電晶體的漏極以及第六薄膜電晶體的源極連接，第六薄膜電晶體的漏極分別與第八薄膜電晶體的源極以及發光二極體的陽極連接，發光二極體的陰極與第二電源連接。
根據本新型的一實施方式，上述的補償模組用於提供補償電壓，補償模組控制補償電壓通過存儲電容施加至第一薄膜電晶體的柵極，並對第一電源提供的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體的電壓與第一電源無關。
根據本新型的一實施方式，上述的參考電壓訊號線用於提供參考電壓，參考電壓為比第二電源電壓低的負電壓，並用於對第一薄膜電晶體的柵極以及發光二極體的陽極進行初始化。
根據本新型的一實施方式，上述的第四薄膜電晶體的柵極與第一掃描線連接，第一掃描線提供的第一掃描訊號控制第四薄膜電晶體處於導通狀態時，對第一薄膜電晶體的柵極進行初始化；第二薄膜電晶體的柵極以及第三薄膜電晶體的柵極與第二掃描線連接，第二掃描線提供的第二掃描訊號控制第二薄膜電晶體以及第三薄膜電晶體處於導通狀態時，對第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償；第八薄膜電晶體的柵極與第三掃描線連接，第三掃描線提供的第三掃描訊號控制第八薄膜電晶體處於導通狀態時，對發光二極體的陽極進行初始化；以及第五薄膜電晶體的柵極、第六薄膜電晶體的柵極以及第七薄膜電晶體的柵極與發光控制線連接，發光控制線提供的發光控制訊號控制第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體以及第七薄膜電晶體處於導通狀態時，電流流經發光二極體，第一電源與存儲電容的另一端連接，第一電源向存儲電容的另一端施加電壓，在存儲電容的作用下，流經發光二極體的電流與補償電壓有關，與第一電源無關。
根據本新型的一實施方式，上述的第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體，第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體和第八薄膜電晶體全為P型薄膜電晶體或全為N型薄膜電晶體。
根據本新型的一實施方式，上述的第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體，第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體和第八薄膜電晶體中既有P型薄膜電晶體又有N型薄膜電晶體。
根據本新型的一實施方式，上述的補償模組包括：補償電壓訊號線以及第九薄膜電晶體，其中：補償電壓訊號線用於提供補償電壓；以及第九薄膜電晶體的源極與補償電壓訊號線連接，漏極分別與第七薄膜電晶體的漏極以及存儲電容的另一端連接，柵極與第四掃描線連接。
根據本新型的一實施方式，上述的第四掃描線提供的第四掃描訊號控制第九薄膜電晶體處於導通狀態時，補償電壓訊號線與存儲電容的另一端連接，補償電壓向存儲電容施加電壓。
本新型實施例提供一種像素電路的驅動方法，驅動方法用於驅動上述記載的像素電路，驅動方法包括：第一階段，第一掃描訊號控制第四薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，參考電壓對第一薄膜電晶體的柵極以及存儲電容的一端進行初始化，第二掃描訊號控制第二薄膜電晶體以及第三薄膜電晶體處於截止狀態，第三掃描訊號控制第八薄膜電晶體處於截止狀態，發光控制訊號控制第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體以及第七薄膜電晶體處於截止狀態；第二階段，第一掃描訊號控制第四薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第二掃描訊號控制第二薄膜電晶體以及第三薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，對第一薄膜電晶體的閾值電壓進行補償，第三掃描訊號控制第八 薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，對發光二極體的陽極進行初始化，發光控制訊號控制第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體以及第七薄膜電晶體處於截止狀態，補償模組對存儲電容的另一端施加補償電壓；以及第三階段，第一掃描訊號控制第四薄膜電晶體處於截止狀態，第二掃描訊號控制第二薄膜電晶體以及第三薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，第三掃描訊號控制第八薄膜電晶體由導通狀態變為截止狀態，發光控制訊號控制第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體以及第七薄膜電晶體由截止狀態變為導通狀態，發光二極體發光，補償電壓對第一電源進行補償，流經發光二極體的電流與第一電源無關。
本新型實施例還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述記載的像素電路。
本新型實施例採用的上述至少一個技術方案能夠達到以下有益效果：本新型實施例提供的像素電路中包含補償模組，該補償模組可以在像素電路的發光階段，對作用在像素電路中的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體的電流與電源電壓無關，進而可以避免由於電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻性的問題。
此外，本新型實施例提供的像素電路還可以實現對驅動薄膜電晶體閾值電壓的補償，有效避免由於驅動薄膜電晶體閾值電壓的不同導致的顯示裝置顯示不均勻的問題。
D1‧‧‧發光二極體
VDD‧‧‧第一電源
VSS‧‧‧第二電源
M1‧‧‧第一薄膜電晶體
M2‧‧‧第二薄膜電晶體
M3‧‧‧第三薄膜電晶體
M4‧‧‧第四薄膜電晶體
M5‧‧‧第五薄膜電晶體
M6‧‧‧第六薄膜電晶體
M7‧‧‧第七薄膜電晶體
M8‧‧‧第八薄膜電晶體
M9‧‧‧第九薄膜電晶體
EM‧‧‧發光控制訊號
VREF‧‧‧參考電壓
VIN‧‧‧補償電壓
Cst‧‧‧存儲電容
Vdata‧‧‧資料電壓
S1‧‧‧第一掃描線
S2‧‧‧第二掃描線
S3‧‧‧第三掃瞄線
t1‧‧‧第一階段
t2‧‧‧第二階段
t3‧‧‧第三階段
圖1為現有技術中的一種像素電路的結構示意圖；圖2為本新型實施例提供的一種像素電路的結構示意圖；圖3為本新型實施例提供的另一種像素電路的結構示意圖；以及圖4為本新型實施例提供的一種像素電路的驅動方法的時序圖。
現有的有機發光顯示裝置中，通常包含多個像素電路，多個像素電路通常由同一個電源提供電源電壓，電源電壓可以決定流經像素電路中發光二極體的電流。然而，由於電源電壓在傳輸過程中會不可避免地存在電源電壓降，因此，實際作用在每一個像素電路上的電源電壓不同，導致流經每一個像素電路中發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻。
圖1為現有的顯示裝置中包含的像素電路的結構示意圖，如圖1所示，在像素電路的發光階段，流經發光二極體D1的電流由電源VDD提供的電源電壓決定，其中，電源VDD提供的電源電壓越大，流經發光二極體D1的電流越大，顯示裝置的亮度越高。
但是，當電源VDD提供的電源電壓產生電源電壓降時，作用在顯示裝置中每一個像素電路的實際電源電壓不同，導致流經發光二極體D1的電流也不同，顯示裝置顯示的亮度不均勻。
近年來，隨著顯示技術的飛速發展，顯示裝置的解析度越來越高，對顯示裝置的高亮度要求也越來越高，使得顯示裝置中的電流比較大。針對電源電壓而言，由於電源電壓具有同時提供像素電路的驅動電流以及流經發光二極體的電流的作用，因此，電源電壓產生的電流比較大，這樣，電源電壓 在傳輸過程中產生的電源電壓降將會增加，導致流經圖1所示像素電路中發光二極體的電流的差異性更大，顯示裝置顯示不均勻性的現象更為明顯。
由此可見，有必要提供一種像素電路，可以避免圖1所示的像素電路中，電源電壓對顯示裝置顯示不均勻的影響。
為了解決現有技術中存在的上述問題，本新型實施例提供一種像素電路及其驅動方法、顯示裝置，對圖1所示的像素電路的電路結構進行改進，並增加了補償模組，補償模組可以在像素電路的發光階段，對作用在像素電路中的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體的電流與電源電壓無關，進而可以避免電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示的不均勻性的問題。
下面結合本新型具體實施例及相應的附圖對本新型技術方案進行清楚、完整地描述。
需要說明的是，在本新型實施例提供的像素電路中，第一薄膜電晶體為驅動薄膜電晶體，具體可以為P型薄膜電晶體；第二薄膜電晶體、第三薄膜電晶體、第四薄膜電晶體、第五薄膜電晶體、第六薄膜電晶體、第七薄膜電晶體、第八薄膜電晶體以及第九薄膜電晶體可以是均為P型薄膜電晶體，也可以是均為N型薄膜電晶體，還可以是其中至少一個為P型薄膜電晶體，其餘的為N型薄膜電晶體，本新型實施例不做具體限定。
發光二極體可以是LED，也可以是OLED，這裡也不做具體限定。
以下結合附圖，詳細說明本新型各實施例提供的技術方案。
圖2為本新型實施例提供的一種像素電路的結構示意圖。像素電路如下所述。
如圖2所示，像素電路包括第一薄膜電晶體M1、第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3、第四薄膜電晶體M4、第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6、第七薄膜電晶體M7、第八薄膜電晶體M8、存儲電容Cst、發光二極體D1以及補償模組。
其中，圖2所示的像素電路中，第一薄膜電晶體M1、第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3、第四薄膜電晶體M4、第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6、第七薄膜電晶體M7以及第八薄膜電晶體M8均為P型薄膜電晶體，發光二極體D1為OLED。
圖2所示的像素電路的電路連接結構如下所述：第一薄膜電晶體M1的柵極分別與第三薄膜電晶體M3的源極、第四薄膜電晶體M4的源極以及存儲電容Cst的一端(圖2所示的B點)連接，源極分別與第二薄膜電晶體M2的漏極、第五薄膜電晶體M5的漏極以及第七薄膜電晶體M7的源極連接，漏極分別與第三薄膜電晶體M3的漏極以及第六薄膜電晶體M6的源極連接；第二薄膜電晶體M2的源極與資料電壓訊號線連接；第四薄膜電晶體M4的漏極分別與第八薄膜電晶體M8的漏極以及參考電壓訊號線連接；第五薄膜電晶體M5的源極與第一電源VDD連接；第六薄膜電晶體M6的漏極分別與第八薄膜電晶體M8的源極以及發光二極體D1的陽極連接；第七薄膜電晶體M7的漏極與存儲電容Cst的另一端(圖2所示的A點)連接；發光二極體D1的陰極與第二電源VSS連接；補償模組的輸出端分別與第七薄膜電晶體M7的漏極以及存儲電容Cst的另一端(圖2所示的A點)連接。
需要說明的是，在實際應用中，圖1所示的第三薄膜電晶體M3可以由兩個共柵極的薄膜電晶體代替，這樣，在像素電路的工作過程中，兩個共柵極的薄膜電晶體可以降低第三薄膜電晶體M3所在支路的漏電流。同理，第四薄膜電晶體M4也可以由兩個共柵極的薄膜電晶體代替，以降低第四薄膜電晶體M4所在支路的漏電流。此外，針對圖1中的其他可以視為開關管的薄膜電晶體而言，也可以根據實際需要將其中一個或多個薄膜電晶體分別由兩個共柵極的薄膜電晶體代替，以降低其所在支路的漏電流，本新型實施例不做具體限定。
本新型實施例中，第一電源VDD可以是正電壓，並用於為第一薄膜電晶體M1提供電源電壓，第一薄膜電晶體M1在第一電源VDD的作用下，可以輸出電流，電流流入發光二極體D1，使得發光二極體D1發光，在發光二極體D1發光時，電流流入第二電源VSS，第二電源VSS可以是負電壓。
資料電壓訊號線可以用於提供資料電壓Vdata，參考電壓訊號線可以用於提供參考電壓VREF。本新型實施例中，參考電壓VREF可以為負電壓，並用於對第一薄膜電晶體M1的柵極以及發光二極體D1的陽極進行初始化，其中，參考電壓VREF可以是比第二電源VSS還要低的負壓，這樣，在參考電壓VREF對發光二極體D1的陽極進行初始化時，可以保證發光二極體D1不發光。
本新型實施例中，補償模組可以用於提供補償電壓，並且，補償模組可以控制補償電壓通過存儲電容Cst向第一薄膜電晶體M1的柵極施加電壓，這樣，在像素電路工作的過程中，補償電壓可以對第一電源VDD提供的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體D1的電流與第一電源VDD無關。
需要說明的是，本新型實施例中，補償電壓可以是正電壓，也可以是負電壓，其中，當補償電壓為正電壓時，補償電壓可以大於第一電源VDD；當補償電壓為負電壓時，補償電壓與參考電壓VREF可以由同一電源提供，此時，資料電壓Vdata可以是負電壓，且可以小於補償電壓。
圖2所示的像素電路中，S1為第一掃描線提供的第一掃描訊號，S2為第二掃描線提供的第二掃描訊號，S3為第三掃描線提供的第三掃描訊號，EM為發光控制線提供的發光控制訊號，其中：第四薄膜電晶體M4的柵極與第一掃描線連接，第一掃描線提供的第一掃描訊號S1可以控制第四薄膜電晶體M4處於導通狀態或截止狀態；第二薄膜電晶體M2的柵極以及第三薄膜電晶體M3的柵極與第二掃描線連接，第二掃描線提供的第二掃描訊號S2可以控制第二薄膜電晶體M2以及第三薄膜電晶體M3處於導通狀態或截止狀態；第八薄膜電晶體M8的柵極與第三掃描線連接，第三掃描線提供的第三掃描訊號S3可以控制第八薄膜電晶體M8處於導通狀態或截止狀態；第五薄膜電晶體M5的柵極、第六薄膜電晶體M6的柵極以及第七薄膜電晶體M7的柵極與發光控制線連接，發光控制線提供的發光控制訊號EM可以控制第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態或截止狀態。
本新型實施例中，在第一掃描訊號S1控制第四薄膜電晶體M4處於導通狀態時，參考電壓VREF可以通過第四薄膜電晶體M4向第一薄膜電晶體M1的柵極施加電壓，對第一薄膜電晶體M1的柵極進行初始化；在第二掃描訊號S2控制第二薄膜電晶體M2以及第三薄膜電晶體M3處於導通狀態時，針對第一薄膜電晶體M1而言，第一薄膜電晶體M1的柵極與漏極連接，資料電壓Vdata通過第二薄膜電晶體M2向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，電路狀態穩定 後，第一薄膜電晶體M1的源極電壓為Vdata，柵極電壓以及漏極電壓為Vdata-Vth，實現對第一薄膜電晶體M1閾值電壓的補償，其中，Vth為第一薄膜電晶體M1的閾值電壓；在第三掃描訊號S3控制第八薄膜電晶體M8處於導通狀態時，參考電壓VREF可以通過第八薄膜電晶體M8向發光二極體D1的陽極施加電壓，對發光二級管D1的陽極進行初始化；在發光控制訊號EM控制第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態時，第一電源VDD可以通過第五薄膜電晶體M5向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，第一薄膜電晶體M1可以產生電流，電流流經發光二極體D1，使得發光二極體D1發光。
此外，發光控制訊號EM在控制第五薄膜電晶體M5以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態時，第一電源VDD還可以與存儲電容Cst的另一端(圖2所示的A點)連接，此時，補償模組可以控制補償電壓與存儲電容Cst斷開，使得存儲電容Cst的上極板(圖2所示的A點)電壓可以由補償電壓變為VDD，這樣，在存儲電容Cst的作用下，可以使得流經發光二極體D1的電流與補償電壓VIN有關，與第一電源VDD無關，實現對第一電源VDD進行補償，使得第一電源VDD產生的電源電壓降不會影響流經發光二極體D1的電流，保證顯示裝置顯示的均勻性。
在本新型提供的另一實施例中，補償模組可以包含補償電壓訊號線以及第九薄膜電晶體，第九薄膜電晶體可以是P型薄膜電晶體，也可以是N型薄膜電晶體。
其中，補償電壓訊號線可以用於提供補償電壓，第九薄膜電晶體的源極與補償電壓訊號線連接，漏極分別與第七薄膜電晶體的漏極以及存儲電容的另一端連接，柵極與第四掃描線連接。
本新型實施例中，第四掃描線提供的第四掃描訊號可以與圖2所示實施例中記載的第二掃描線提供的第二掃描訊號相同，為了節省空間，第四掃描線可以與第二掃描線為同一根掃描線。以下以第二掃描線代替第四掃描線。
圖3為本新型實施例提供的另一像素電路的結構示意圖。其中，圖3與圖2相比，將圖2所示的補償模組替換為補償電壓訊號線以及第九薄膜電晶體M9。
圖3中，VIN為補償電壓訊號線提供的補償電壓，第九薄膜電晶體M9為P型薄膜電晶體，其中，第九薄膜電晶體M9的源極與補償電壓訊號線連接，漏極分別與第七薄膜電晶體M7的漏極以及存儲電容Cst的另一端(圖3所示的A點)連接，柵極與第二掃描線連接。
圖3所示的像素電路中，第二掃描線S2可以控制第九薄膜電晶體M9處於導通狀態或截止狀態，在第二掃描線S2控制第九薄膜電晶體M9處於導通狀態時，補償電壓VIN可以向存儲電容Cst的上極板(圖3所示的A點)施加電壓，使得存儲電容Cst的上極板電壓為VIN。
這樣，在發光控制訊號EM控制第五薄膜電晶體M5以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態時，第一電源VDD與存儲電容Cst的另一端(圖3所示的A點)連接，第一電源VDD向存儲電容Cst的上極板施加電壓，可以使得存儲電容Cst的上極板電壓由VIN變為VDD，這樣，在存儲電容Cst的作用下，流經發 光二極體D1的電流與補償電壓VIN有關，與第一電源VDD無關，可以實現對第一電源VDD的補償，使得第一電源VDD產生的電源電壓降不會影響流經發光二極體D1的電流，保證顯示裝置顯示的均勻性。
圖4為本新型實施例提供的一種像素電路的驅動方法的時序圖，像素電路的驅動方法可以用於驅動圖2或圖3所示的像素電路。下面以驅動圖3所示的像素電路為例進行說明。
圖4所示的時序圖在驅動圖3所示的像素電路時，工作週期可以包括三個階段：第一階段t1、第二階段t2以及第三階段t3，其中，S1為第一掃描線提供的第一掃描訊號，可以用於控制圖3所示的第四薄膜電晶體M4處於導通狀態或截止狀態，S2為第二掃描線提供的第二掃描訊號，可以用於控制圖3所示的第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3以及第九薄膜電晶體M9處於導通狀態或截止狀態，S3為第三掃描線提供的第三掃描訊號，可以用於控制圖3所示的第八薄膜電晶體M8處於導通狀態或截止狀態，EM為發光控制線提供的發光控制訊號，可以用於控制圖3所示的第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7處於導通狀態或截止狀態，Vdata為資料電壓訊號線提供的資料電壓。
下面分別針對上述三個階段進行說明：針對第一階段t1：由於第一掃描訊號S1由高電平變為低電平，第二掃描訊號S2保持高電平，第三掃描訊號S3保持高電平，發光控制訊號EM由低電平變為高電平，因此，第四薄膜電晶體M4處於導通狀態，第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3以及第九薄膜電晶體M9處於截止狀態，第八薄膜電晶體M8處於截止狀態，第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7處於截止狀態。
此時，參考電壓VREF通過第四薄膜電晶體M4向第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容Cst的下極板(圖3所示的B點)施加電壓，對第一薄膜電晶體M1的柵極以及存儲電容Cst的下極板進行初始化。
在初始化後，第一薄膜電晶體M1的柵極電壓等於VREF，存儲電容Cst的下極板電壓也為VREF。
針對第二階段t2：由於第一掃描訊號S1由低電平變為高電平，第二掃描訊號S2由高電平變為低電平，第三掃描訊號S3由高電平變為低電平，發光控制訊號EM保持高電平，因此，第四薄膜電晶體M4由導通狀態變為截止狀態，第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3以及第九薄膜電晶體M9由截止狀態變為導通狀態，第八薄膜電晶體M8由截止狀態變為導通狀態，第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7仍處於截止。
此時，第一薄膜電晶體M1的柵極與漏極連接，資料電壓Vdata通過第二薄膜電晶體M2向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，此時，第一薄膜電晶體M1的源極電壓為Vdata，由於在第一階段t1第一薄膜電晶體M1的柵極電壓為VREF，因此，第一薄膜電晶體M1處於導通狀態，資料電壓Vdata經過第一薄膜電晶體M1以及第三薄膜電晶體M3作用在第一薄膜電晶體M1的柵極，最終使得第一薄膜電晶體M1的柵極電壓和漏極電壓均為Vdata-Vth，第一薄膜電晶體M1處於截止狀態，這樣，可以實現對第一薄膜電晶體M1閾值電壓的補償，其中，Vth為第一薄膜電晶體M1的閾值電壓。
補償電壓VIN通過第九薄膜電晶體M9向存儲電容Cst的上極板施加電壓，使得存儲電容Cst的上極板電壓變為VIN。此時，由於存儲電容Cst的下極板電壓等於第一薄膜電晶體M1的柵極電壓，因此，存儲電容Cst的下極板 電壓為Vdata-Vth，存儲電容Cst的下極板與上極板之間的壓差為Vdata-Vth-VIN。
此外，參考電壓VREF通過第八薄膜電晶體M8向發光二極體D1的陽極施加電壓，可以對發光二極體D1的陽極進行初始化，使得發光二極體D1不發光。這樣，可以使得像素電路在第二階段t2顯示純黑，從而增加整個顯示裝置顯示的對比度。
針對第三階段t3：由於第一掃描訊號S1保持高電平，第二掃描訊號S2由低電平變為高電平，第三掃描訊號S3由低電平變為高電平，發光控制訊號EM由高電平變為低電平，因此，第四薄膜電晶體M4仍處於截止狀態，第二薄膜電晶體M2、第三薄膜電晶體M3以及第九薄膜電晶體M9由導通狀態變為截止狀態，第八薄膜電晶體M8由導通狀態變為截止狀態，第五薄膜電晶體M5、第六薄膜電晶體M6以及第七薄膜電晶體M7由截止狀態變為導通狀態。
此時，第一電源VDD通過第五薄膜電晶體M5以及第七薄膜電晶體M7向存儲電容Cst的上極板施加電壓，使得存儲電容Cst的上極板電壓變為VDD，由於此時存儲電容Cst的耦合作用，存儲電容Cst的下極板與上極板之間的壓差不變，因此，存儲電容Cst的下極板電壓為VDD+Vdata-Vth-VIN，由於第一薄膜電晶體M1的柵極電壓與存儲電容Cst的下極板電壓相等，因此，第一薄膜電晶體M1的柵極電壓為VDD+Vdata-Vth-VIN。
第一電源VDD通過第五薄膜電晶體M5向第一薄膜電晶體M1的源極施加電壓，使得第一薄膜電晶體M1的源極電壓為VDD，第一薄膜電晶體M1導通，電流流經發光二極體D1，發光二極體D1發光。
在第三階段t3，流經發光二極體D1的電流可以表示為：
其中，μ為第一薄膜電晶體M1的電子遷移率，Cox為第一薄膜電晶體M1單位面積的柵氧化層電容，W/L為第一薄膜電晶體M1的寬長比。
由上述公式可知，流經發光二極體D1的電流與補償電壓VIN有關，與第一電源VDD無關，也與第一薄膜電晶體M1的閾值電壓無關，實現了對第一電源VDD的補償，避免了第一電源VDD的電源電壓降對顯示效果的影響，保證了顯示裝置顯示的均勻性，同時，實現了對第一薄膜電晶體M1的閾值電壓的補償，避免了由於第一薄膜電晶體M1的閾值電壓的不同導致的顯示裝置顯示不均勻的問題。
需要說明的是，在實際應用中，補償電壓VIN也存在一定的壓降，但是，由於補償電壓VIN僅需要給存儲電容Cst充電，不參與對像素電路的驅動，因此，補償電壓VIN產生的電流遠小於第一電源VDD產生的電流，進而產生的壓降也遠小於第一電源VDD產生的壓降，也就是說，本新型實施例由補償電壓VIN決定流經發光二極體D1的電流，可以有效改善電源電壓將導致的顯示裝置的不均勻性。
在實際應用中，使用本新型實施例提供的像素電路，以補償電壓VIN=4.6V，資料電壓Vdata=2V，第一電源VDD=4.3/4.4/4.5/4.6/4.7/4.8V進行模擬，可以得到模擬結果：第一電源VDD變化時，流經發光二極體D1的電流最小值與最大值的比值約為92%，使用圖1所示的像素電路在相同的電壓參數下進行模擬，可以得到，流經發光二極體D1的電流最小值與最大值的比值約為67%。由此可見，在第一電源VDD發生變化時，本新型實施例提供的像素電路中流經 發光二極體D1的電流的變化小於圖1中流經發光二極體D1的電流的變化，因此，本新型實施例提供的像素電路可以有效改善顯示裝置顯示的均勻性。
此外，使用本新型實施例提供的像素電路，以補償電壓VIN=4.6V，資料電壓Vdata=2V，第一電源VDD=4.6V進行模擬，可以得到補償電壓VIN對存儲電容Cst進行充電時產生的電流約為2pA，遠小於第一電源VDD作用於第一薄膜電晶體M1時產生的電流306nA，這樣，由於補償電壓VIN產生的電流小於第一電源VDD產生的電流，因此，補償電壓VIN從一個像素電路傳輸至其他像素電路時產生的壓降也小於第一電源VDD產生的電源電壓降，由此可見，相較於第一電源VDD，由補償電壓VIN決定流經發光二極體D1的電流可以有效改善顯示裝置的顯示均勻性。
本新型實施例提供的像素電路中包含補償模組，補償模組可以在像素電路的發光階段，對作用在驅動薄膜電晶體上的電源電壓進行補償，使得流經發光二極體的電流與電源電壓無關，進而可以避免由於電源電壓降導致的流經發光二極體的電流不同，顯示裝置顯示不均勻性的問題。
此外，本新型實施例提供的像素電路還可以實現對驅動薄膜電晶體閾值電壓的補償，有效避免由於驅動薄膜電晶體的閾值電壓的不同導致的顯示裝置顯示不均勻的問題。
本新型實施例還提供一種顯示裝置，顯示裝置可以包括上述記載的像素電路。

Claims (9)

  1. 一種像素電路，包括：一第一薄膜電晶體、一第二薄膜電晶體、一第三薄膜電晶體、一第四薄膜電晶體、一第五薄膜電晶體、一第六薄膜電晶體、一第七薄膜電晶體、一第八薄膜電晶體、一發光二極體、一存儲電容以及一補償模組，其中：該第一薄膜電晶體的柵極分別與該第三薄膜電晶體的源極、該第四薄膜電晶體的源極以及該存儲電容的一端連接，該第四薄膜電晶體的漏極分別與該第八薄膜電晶體的漏極以及一參考電壓訊號線連接，該存儲電容的另一端分別與該第七薄膜電晶體的漏極以及該補償模組的輸出端連接；該第一薄膜電晶體的源極分別與該第二薄膜電晶體的漏極、該第五薄膜電晶體的漏極以及該第七薄膜電晶體的源極連接，該第二薄膜電晶體的源極與一資料電壓訊號線連接，該第五薄膜電晶體的源極與一第一電源連接；以及該第一薄膜電晶體的漏極分別與該第三薄膜電晶體的漏極以及該第六薄膜電晶體的源極連接，該第六薄膜電晶體的漏極分別與該第八薄膜電晶體的源極以及該發光二極體的陽極連接，該發光二極體的陰極與一第二電源連接。
  2. 如請求項第1項所述的像素電路，其中，該補償模組用於提供一補償電壓，該補償模組控制該補償電壓通過該存儲電容施加至該第一薄膜電晶體的柵極，並對該第一電源提供的電源電壓進行補償，使得流經該發光二極體的電壓與該第一電源無關。
  3. 如請求項第1項所述的像素電路，其中，該參考電壓訊號線用於提供一參考電壓，該參考電壓為比該第二電源電壓低的負電壓，並用於對該第一薄膜電晶體的柵極以及該發光二極體的陽極進行初始化。
  4. 如請求項第2項所述的像素電路，其中，該第四薄膜電晶體的柵極與一第一掃描線連接，該第一掃描線提供的一第一掃描訊號控制該第四薄膜電晶體處於導通狀態時，對該第一薄膜電晶體的柵極進行初始化；該第二薄膜電晶體的柵極以及該第三薄膜電晶體的柵極與一第二掃描線連接，該第二掃描線提供的一第二掃描訊號控制該第二薄膜電晶體以及該第三薄膜電晶體處於導通狀態時，對該第一薄膜電晶體的一閾值電壓進行補償；該第八薄膜電晶體的柵極與一第三掃描線連接，該第三掃描線提供的一第三掃描訊號控制該第八薄膜電晶體處於導通狀態時，對該發光二極體的陽極進行初始化；以及該第五薄膜電晶體的柵極、該第六薄膜電晶體的柵極以及該第七薄膜電晶體的柵極與一發光控制線連接，該發光控制線提供的一發光控制訊號控制該第五薄膜電晶體、該第六薄膜電晶體以及該第七薄膜電晶體處於導通狀態時，電流流經該發光二極體，該第一電源與該存儲電容的另一端連接，該第一電源向該存儲電容的另一端施加電壓，在該存儲電容的作用下，流經該發光二極體的電流與該補償電壓有關，與該第一電源無關。
  5. 如請求項第1-3項任一項所述的像素電路，其中，該第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體，該第二薄膜電晶體、該第三薄膜電晶體、該第四薄膜電晶體、該第五薄膜電晶體、該第六薄膜電晶體、該第七薄膜電晶體和該第八薄膜電晶體全為P型薄膜電晶體或全為N型薄膜電晶體。
  6. 如請求項第1-3項任一項所述的像素電路，其中，該第一薄膜電晶體為P型薄膜電晶體，該第二薄膜電晶體、該第三薄膜電晶體、該第四薄膜電晶體、該第五薄膜電晶體、該第六薄膜電晶體、該第七薄膜電晶體和該第八薄膜電晶體中既有P型薄膜電晶體又有N型薄膜電晶體。
  7. 如請求項第2項所述的像素電路，其中，該補償模組包括：一補償電壓訊號線以及一第九薄膜電晶體，其中：該補償電壓訊號線用於提供該補償電壓；以及該第九薄膜電晶體的源極與該補償電壓訊號線連接，漏極分別與該第七薄膜電晶體的漏極以及該存儲電容的另一端連接，柵極與一第四掃描線連接。
  8. 如請求項第7項所述的像素電路，其中，該第四掃描線提供的一第四掃描訊號控制該第九薄膜電晶體處於導通狀態時，該補償電壓訊號線與該存儲電容的另一端連接，該補償電壓向該存儲電容施加電壓。
  9. 一種顯示裝置，包括如請求項第1至8項任一項所述的像素電路。
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