TWM538651U

TWM538651U - 分離設備

Info

Publication number: TWM538651U
Application number: TW105215916U
Authority: TW
Inventors: Meng-Tuan Chen
Original assignee: N-Tec Corp
Priority date: 2016-10-19
Filing date: 2016-10-19
Publication date: 2017-03-21

Description

分離設備

本創作係關於一種分離設備，尤指一種用於劈裂製程之分離設備。

習知半導體製程中，晶圓於製造完成後，會進行薄化製程、切單製程、封裝製程等，其中，切單製程之方式繁多，例如、雷射切割、機械切割、劈裂分離等。

如第1A及1B圖所示，習知劈裂式分離設備1係包括：一機台本體(圖略)、一設於該機台本體下側之基座10、一設於該機台本體上側之劈裂裝置12、以及一設於該基座10上之貼膜13。

於進行劈裂作業時，先將一具有複數預切割道80的晶圓8黏貼於該貼膜13上，再將該劈裂裝置12之劈刀120對位於其中一預切割道80上，並利用該劈裂裝置12之震動件121撞擊該劈刀120，使該劈刀120碰觸該晶圓8對應該預切割道80之背面位置A，以令該晶圓8沿該預切割道80裂開(如裂痕S)。之後重複上述該劈裂裝置12之劈裂步驟，以於該晶圓8背面之直向與橫向上劈裂各該預切割道80，使該晶圓8分離成複數晶粒8a。

然而，習知劈裂裝置12係使用該劈刀120劈裂該晶圓 8，故當該劈裂裝置12由該晶圓8之中間處劈裂至該晶圓8之邊緣處時，該劈刀120與該貼膜13之邊緣處之鐵環會因相碰而損壞，且該劈刀120於長期使用後會有鈍化之情況而產生無法有效劈裂之問題。

再者，雖第I441251號台灣專利揭露使用高壓氣體劈裂晶圓，但其氣體係衝擊氣囊後再間接作用至該晶圓上，導致氣體於該氣囊中之壓力不易控制，且氣囊於長期使用後會有破損之情況而產生漏氣致使無法有效劈裂之問題。

因此，如何克服習知技術之種種問題，實為一重要課題。

為解決上述習知技術之問題，本創作遂揭露一種分離設備，係包括：基座；承載件，係設於該基座上以承載物件；以及供氣裝置，係位於該承載件上方且具有直接供氣至該物件之氣嘴。

前述之分離設備中，該承載件係可為黏性片體。

前述之分離設備中，該供氣裝置係為劈裂裝置。

前述之分離設備中，該作用裝置復具有遮擋部，其對應該氣嘴作設置。

前述之分離設備中，復包括具有開口之固定件，係固定該承載件，以令該承載件遮蓋該開口。例如，該固定件係為環體。

由上可知，本創作之分離設備中，主要藉由該供氣裝置直接供應氣體壓力至該物件，故相較於習知技術，該供氣裝置不會與該承載件因相碰而損壞，且無需藉由氣囊間接傳遞撞擊力至該物件，因而使用者易於控制該供氣裝置之氣體壓力，並因無需使用氣囊而能沒有習知氣囊發生漏氣之問題。

1、2‧‧‧分離設備

10、20‧‧‧基座

12‧‧‧劈裂裝置

120‧‧‧劈刀

121‧‧‧震動件

13‧‧‧貼膜

21‧‧‧固定件

210‧‧‧開口

22‧‧‧供氣裝置

220‧‧‧氣嘴

221‧‧‧遮擋部

23‧‧‧承載件

8、9‧‧‧晶圓

8a、9a‧‧‧晶粒

80、90‧‧‧預切割道

A‧‧‧背面位置

S‧‧‧裂痕

第1A圖係為習知分離設備之剖面示意圖；第1B圖係為第1A圖之局部放大示意圖；第2A圖係為本創作之分離設備之側視示意圖；以及第2B圖係為第2A圖之局部放大示意圖。

以下藉由特定的具體實施例說明本創作之實施方式，熟悉此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地瞭解本創作之其他優點及功效。

須知，本說明書所附圖式所繪示之結構、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示之內容，以供熟悉此技藝之人士之瞭解與閱讀，並非用以限定本創作可實施之限定條件，故不具技術上之實質意義，任何結構之修飾、比例關係之改變或大小之調整，在不影響本創作所能產生之功效及所能達成之目的下，均應仍落在本創作所揭示之技術內容得能涵蓋之範圍內。同時，本說明書中所引用之如「上」、「下」及「一」等之用語，亦僅為便於敘述之明瞭，而非用以限定本創作可實施之範圍，其相對關係之改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本創作可實施之範疇。

第2A及2B圖係為本創作之分離設備2之示意圖。

如第2A圖所示，該分離設備2係包括：一機台本體(圖略)、一設於該機台本體下側之基座20、一固定件21、固定於該固定件21上以遮蓋該開口210之承載件23、以及一設於該機台本體上側之供氣裝置22。

所述之固定件21係設於該機台本體上並位於該基座20與該供氣裝置22之間。

於本實施例中，該固定件21係為導體環(例如，金屬環，如鐵環)或絕緣環。例如，該固定件21具有一開口210，使該基座20位於該固定件21之開口210內。

所述之承載件23係設於該基座20上以承載一物件(如第2B圖所示之具預切割道90之晶圓9)。此外，承載件23上設有固定件21以固定該承載件23，以令該承載件23遮蓋該開口210。

於本實施例中，該承載件23係為黏性片體，例如，離形膠片(release tape)、紫外線膠帶(UV tape)或熱分離膠帶(thermal tape)等。

所述之作用裝置22係位於該承載件23上方且具有直接供氣至該物件之氣嘴220，使該物件分離成複數物體(如第2B圖所示之晶粒9a)。

於本實施例中，該供氣裝置22係為劈裂裝置，以提供適當的氣體壓力至該晶圓9上而產生劈裂效果。

於進行分離作業時，先將一具有複數預切割道90的晶圓9黏貼於該承載件23上，再將該供氣裝置22之氣嘴220 對位於其中一預切割道90上，並利用該氣嘴220提供氣體壓力至該晶圓9對應該預切割道90之背面位置A上，使該晶圓9沿該預切割道90裂開(如裂痕S)。之後重複上述該供氣裝置22之劈裂步驟，以於該晶圓9背面之直向與橫向上劈裂各該預切割道90，使該晶圓9分離成複數晶粒9a。

因此，本創作之分離設備2藉由該供氣裝置22直接供應氣體壓力至該晶圓9，以當該供氣裝置22由該晶圓9之中間處劈裂至該晶圓9之邊緣處時，該氣嘴220不會接觸碰撞該承載件23之邊緣處(或該固定件21)，故能避免該供氣裝置22及該承載件23(或該固定件21)因相碰而損壞，且該氣嘴220於長期使用後不會有撞壞或鈍化之情況而產生無法有效劈裂之問題。

再者，該供氣裝置22係直接供氣至該晶圓9，而無需藉由氣囊間接傳遞撞擊力至該晶圓9，故相較於習知技術，使用者易於控制該供氣裝置22之氣體壓力，且因無需使用氣囊而沒有習知氣囊發生漏氣之問題。

另外，如第2B圖所示，該供氣裝置22復具有一遮擋部221，其對應該氣嘴作設置，例如位於該氣嘴220之周圍，其中，該遮擋部221係例如為導流罩或管件等。

於進行分離作業時，將該遮擋部221佈設於該晶圓9上且位於其中一預切割道90上，以當該氣嘴220之氣體壓力吹至該背面位置A上時，氣體不會朝旁側分流而影響其它預切割道90，故該遮擋部221能集中該氣體，使該氣嘴 220之氣體壓力呈最佳化，因而能一次針對單一預切割道90進行劈裂，而不會破壞周圍之預切割道90之應力結構。

因此，藉由該遮擋部221之設計，能確保尚未劈裂之預切割道90之應力完整性，故能使用相同的氣體壓力劈裂每一預切割道90，因而便於控制該供氣裝置22，以利於縮短分離作業之時程(無需每劈裂一預切割道90就調整一次氣體壓力)。

上述實施例係用以例示性說明本創作之原理及其功效，而非用於限制本創作。任何熟習此項技藝之人士均可在不違背本創作之精神及範疇下，對上述實施例進行修改。因此本創作之權利保護範圍，應如後述之申請專利範圍所列。

2‧‧‧分離設備

20‧‧‧基座

21‧‧‧固定件

210‧‧‧開口

22‧‧‧供氣裝置

23‧‧‧承載件

9‧‧‧晶圓

Claims

一種分離設備，係包括：基座；承載件，係設於該基座上以承載物件；以及供氣裝置，係位於該承載件上方且具有直接供氣至該物件之氣嘴。
如申請專利範圍第1項所述之分離設備，其中，該承載件係為黏性片體。
如申請專利範圍第1項所述之分離設備，其中，該黏性片體係為離形膠片(release tape)、紫外線膠帶(UV tape)或熱分離膠帶(thermal tape)。
如申請專利範圍第1項所述之分離設備，其中，該供氣裝置係為劈裂裝置。
如申請專利範圍第1項所述之分離設備，其中，該作用裝置復具有遮擋部，其對應該氣嘴作設置。
如申請專利範圍第1項所述之分離設備，復包括具有開口之固定件，係固定該承載件，以令該承載件遮蓋該開口。
如申請專利範圍第6項所述之分離設備，其中，該固定件係為環體。
如申請專利範圍第6項所述之分離設備，其中，該固定件係設於該承載件上。