TWM521802U - 封裝晶片檢測裝置及其晶片轉向模組 - Google Patents

Description

封裝晶片檢測裝置及其晶片轉向模組

本創作是關於一種檢測裝置及其晶片轉向模組，尤指一種用於平面無引腳的封裝產品的檢測裝置以及用於將封裝晶片轉向的晶片轉向模組。

在半導體製程中，往往會因為一些無法避免的原因而生成細小的微粒或缺陷。隨著半導體製程中元件尺寸的不斷縮小與電路密集度的不斷提高，這些極微小之缺陷或微粒對積體電路品質的影響也日趨嚴重，因此為維持產品品質的穩定，通常在進行各項半導體製程的同時，亦須針對所生產之半導體元件進行缺陷檢測，以根據檢測之結果來分析造成這些缺陷之根本原因，之後才能進一步藉由製程參數的調整來避免或減少缺陷的產生，以達到提升半導體製程良率以及可靠度之目的。

習知技術中所採用的缺陷檢測方法包括下列步驟：首先，進行取樣，也就是選定一半導體晶粒為樣本，來進行後續缺陷檢測與分析工作，接著再進行缺陷檢測。一般而言，大多是利用適當的缺陷偵測機台以大範圍掃描的方式，來偵測該半導體晶粒上之所有缺陷，由於半導體晶粒上之缺陷個數多半相當大，因此在實務上不可能一一以人工的方式以掃描式電子顯微鏡(SEM)掃描後，再進行檢測。因此為了方便起見，多半會先進行一人工缺陷分類，由所偵測到的所有缺陷中，抽樣取出一些較具有代表性之缺陷類型，再讓工程師以人工的方式對所選出之樣本來進行缺陷再檢測，進一步對該等缺陷進行缺陷原因分析，以找出抑制或減少這些缺陷的方法。

此外，半導體晶粒也須進行電性檢測，以篩選出電性表現不良的半導體晶粒。在進行電性檢測時，供電元件的正負接腳會分別電性連接至半導體晶粒的正極焊墊與負極焊墊，以供給半導體晶粒電壓進行檢測。半導體晶粒通常會預先被裝載於機台上進行電性檢測。然而，在裝載過程中，若半導體晶粒擺放的方位錯誤，致使正負極的位置錯置，會使半導體晶粒在進行檢測時，供電元件的正負接腳連接至錯誤的焊墊，而對半導體晶粒的晶粒造成誤判。

本創作提供一種封裝晶片檢測裝置及其晶片轉向模組，其中晶片轉向模組可用於校正封裝晶片的擺放方向位置。

本創作實施例提供一種晶片轉向模組，用以調轉位於一轉動傳送單元上的一封裝晶片的位置。晶片轉向模組包括吸附單元、升降組件以及轉動組件。吸附單元具有一管體及一吸嘴，其中吸嘴位於管體其中一端，用以吸附封裝晶片。升降組件與轉動組件皆連接於管體，以分別驅動管體升降及轉動一預定角度。

本創作另一實施例更提供一種封裝晶片檢測裝置，其包括轉動傳送單元以及上述的晶片轉向模組，其中晶片轉向模組用以調轉位於轉動傳送單元上的一封裝晶片的位置。

本創作實施例的封裝晶片檢測裝置可包括一極性檢測模組，鄰近於所述轉動傳送單元設置，並用以檢測每一個所述封裝晶片的一正極焊墊與一負極焊墊的位置。

總而言之，本創作實施例所提供的封裝晶片檢測裝置，其可透過轉動傳送單元以及鄰近於轉動傳送單元所設置的多個工作站，使得本創作的封裝晶片檢測裝置可用於檢測封裝晶片。並且，當封裝晶片的正極焊墊與負極焊墊的位置錯位時，晶片轉向模組可調整封裝晶片的方向位置，以使封裝晶片可進行後續的電性檢測。

為了能更進一步瞭解本創作的技術，請參閱以下詳細說明及圖式。然而，所附圖式與附件僅提供參考與說明用，並非用來對本創作加以限制。

1‧‧‧封裝晶片檢測裝置

10‧‧‧轉動傳送單元

11‧‧‧可旋轉轉盤

12‧‧‧容置部

13‧‧‧吸排氣兩用開口

17‧‧‧承載外環

170‧‧‧底盤開口

171‧‧‧透光部

17g‧‧‧入料槽

20‧‧‧裝載工作站

21‧‧‧輸送單元

22‧‧‧輸送元件

50‧‧‧檢測工作站

50A‧‧‧發光檢測站

50B‧‧‧表面檢測站

30‧‧‧極性檢測站

300‧‧‧極性檢測模組

310‧‧‧影像擷取單元

320‧‧‧反射鏡

40‧‧‧轉向站

400‧‧‧晶片轉向模組

410‧‧‧吸附單元

411‧‧‧吸嘴

412‧‧‧管體

420‧‧‧升降組件

421‧‧‧套筒

421a‧‧‧外擴部

422‧‧‧滑軌

423‧‧‧升降座

424‧‧‧升降動力源

425‧‧‧夾持部

425a、425b‧‧‧夾持滾輪

430‧‧‧轉動組件

431‧‧‧轉動動力源

431a‧‧‧輸出軸

432‧‧‧第一傳動輪

433‧‧‧第二傳動輪

434‧‧‧連動件

60‧‧‧不良晶片集中站

60A‧‧‧通行部

60B‧‧‧落料口

70‧‧‧包裝工作站

71‧‧‧導引件

72‧‧‧捲帶

720‧‧‧包裝槽

73‧‧‧良品通行部

80‧‧‧補料槽

90‧‧‧排料口

3‧‧‧封裝晶片

3’‧‧‧良好封裝晶片

3”‧‧‧不良封裝晶片

3a‧‧‧正極焊墊

3b‧‧‧負極焊墊

圖1為本創作封裝晶片檢測裝置的實施例的上視示意圖。

圖2為本創作封裝晶片檢測裝置的實施例的可旋轉轉盤的立體示意圖。

圖3 為本創作的極性檢測模組檢測封裝晶片的側視示意圖。

圖4A 為本創作實施例的晶片轉向模組的立體示意圖。

圖4B 為本創作實施例的晶片轉向模組另一角度的立體示意圖。

圖5A 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉前的側視剖面示意圖。

圖5B 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉前的局部俯視示意圖。

圖6A 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉時的側視剖面示意圖。

圖6B 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉時的局部俯視示意圖。

圖7A 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉後的側視剖面示意圖。

圖7B 為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉後的局部俯視示意圖。

在下文中，將藉由圖式說明本創作之實施例來詳細描述本創作，而圖式中的相同參考數字可用以表示類似的元件。有關本創作之前述及其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之各實施例的詳細說明中，將可清楚地呈現。

以下實施例中所提到的方向用語，例如：「上」、「下」、「前」、 「後」、「左」、「右」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明，而並非用來限制本創作。並且，在下列各實施例中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件。

請參閱圖1，其顯示本創作封裝晶片檢測裝置的實施例的上視示意圖。本創作實施例提供一種封裝晶片檢測裝置1，其包括轉動傳送單元10、裝載工作站20、極性檢測站30、轉向站40、檢測工作站50及包裝工作站70，其中裝載工作站20、極性檢測站30、轉向站40、檢測工作站50及包裝工作站70是環繞並鄰近於轉動傳送單元10設置。

轉動傳送單元10用以輸送多個封裝晶片3，並具有可旋轉轉盤11、多個設置於可旋轉轉盤11上的容置部12，其中每一容置部12是用以選擇性地容納一封裝晶片3。本實施例的封裝晶片3為平面無引腳的封裝產品，其例如是LED封裝晶片。

請配合參照圖2。圖2顯示本創作封裝晶片檢測裝置的實施例的可旋轉轉盤的立體示意圖。詳細而言，上述的容置部12可環繞地設置於可旋轉轉盤11的外周圍，以使每一個容置部12產生一朝外的開口，而每一個封裝晶片3可通過每一個朝外的開口而進入每一個容置部12內。

在其他實施例中，轉動傳送單元10可包括另一可旋轉轉盤(圖未示)，兩個可旋轉轉盤11並列設置，使封裝晶片3可在兩個可旋轉轉盤11之間相互傳送。

在本創作實施例中，多個容置部12環繞地開設於可旋轉轉盤11外周緣的多個齒槽。另外，在本創作實施例中，每一容置部12設有一吸排氣兩用開口13，並且吸排氣兩用開口13是開設於齒槽內，並與齒槽具有相同的開口方向。

本創作實施例的轉動傳送單元10更包括吸排氣控制單元(未圖示)，吸排氣控制單元透過吸排氣兩用開口13，使封裝晶片3被吸附於容置部12內。另外，吸排氣控制單元也可透過吸排氣兩用 開口13，將封裝晶片3吹出容置部12外。

本創作實施例中，轉動傳送單元10更包括一承載外環17。本實施例中，可旋轉轉盤11設置於承載外環17上，並可間歇式地相對於承載外環17轉動。

請再參照圖1，在本創作實施例中，裝載工作站20鄰近於可旋轉轉盤11設置，其中多個封裝晶片3在裝載工作站20被分別裝載於容置部12。詳細而言，裝載工作站20配備有輸送單元21，其具有一輸送元件22。輸送元件22可以是一輸送帶，鄰近於可旋轉轉盤11設置。且輸送單元22的出口埠依據不同的時序而依序與可旋轉轉盤11上的容置部12相連通，以依序將多個封裝晶片3分別傳送至輸送帶的出口所對應的每一容置部12。

具體而言，承載外環17上設有入料槽17g，而可使輸送元件22的出口埠與其中一容置部12相連通。當輸送元件22的出口埠通過入料槽17g與其中一容置部12相連通時，吸排氣控制單元透過吸排氣兩用開口13將位於輸送元件22上的封裝晶片3吸入容置部12內。換言之，位於輸送元件22上的封裝晶片3將通過入料槽17g而被裝載至其中一容置部12內。

值得說明的是，位於輸送元件22上的多個封裝晶片3之間需相隔一距離，以免吸排氣控制單元透過吸排氣兩用開口13將兩個封裝晶片3吸入同一容置部12內。在本實施例中，容置部12的空間僅能容納一個封裝晶片3。若是有兩個封裝晶片3被裝載到同一容置部12內，會使可旋轉轉盤11的運轉失常。

極性檢測站30與轉向站40設置於裝載工作站20與檢測工作站50之間，可在封裝晶片3進入檢測工作站50進行檢測之前，先檢查封裝晶片3的擺放方位，並對錯置的封裝晶片3的擺放方位進行調整。

請同時參照圖1與圖3，其中圖3為本創作的極性檢測模組檢測封裝晶片的側視示意圖。需先說明的是，封裝晶片3的底部具 有一正極焊墊3a及一負極焊墊3b。當封裝晶片3在裝載工作站20被裝載時，若封裝晶片3擺放的方位錯誤，致使正極焊墊3a與負極焊墊3b的位置錯置，會導致使封裝晶片3在檢測工作站50的檢測結果不準確。

據此，在極性檢測站30配備一極性檢測模組300，且極性檢測模組300是位於轉動傳送單元10下方。在本創作實施例中，極性檢測模組300是位於承載外環17下方，以檢查封裝晶片3的正極焊墊3a與負極焊墊3b的位置是否正確。

詳細而言，本創作實施例的極性檢測模組300包括一影像擷取單元310及一反射鏡320。另外，本創作實施例的承載外環17並配合極性檢測模組300所設置的位置而設有一透光部171。

當可旋轉轉盤11將封裝晶片3傳送至透光部171上時，影像擷取單元310可通過反射鏡320擷取封裝晶片3的一底面影像。此外，影像擷取單元310會電性連接至一處理單元(未圖示)，而處理單元接收影像擷取單元310所擷取的底面影像後，判斷正極焊墊3a與負極焊墊3b的位置是否正確。在本創作實施例中，封裝晶片3的底部具有一辨識記號(未圖示)，處理單元可根據辨識記號的位置，來判斷封裝晶片3的位置是否錯置。

請參照圖1，當封裝晶片3的位置錯置時，所述轉動傳送單元10將封裝晶片3傳送至轉向站40，以調整封裝晶片3的擺放方位。轉向站40配備一晶片轉向模組400，用以調轉封裝晶片3的位置。

請參照圖4A與圖4B。圖4A與圖4B分別顯示本創作實施例的晶片轉向模組在不同角度的立體示意圖。詳細而言，本創作實施例的晶片轉向模組400包括吸附單元410、升降組件420以及轉動組件430。

吸附單元410包括吸嘴411及管體412，其中吸嘴411位於管體412的其中一端，而管體412的另一端則連接至一抽氣單元(未圖示)。通過抽氣單元對管體412抽氣，可使吸嘴411吸附位於容 置部12內的封裝晶片3。

升降組件420連接管體412，以驅動管體412升降。詳細而言，升降組件420包括套筒421、滑軌422、升降座423以及升降動力源424。

套筒421套設並固定於管體412上，其中套筒421設有徑向外擴的外擴部421a。在本創作實施例中，外擴部421a是位於套筒421的其中一端部，並環繞套筒421的外側表面。升降座423可移動地設置於滑軌422上，且升降座423設有夾持部425，且夾持部425接觸並夾持外擴部421a。

在本創作實施例中，夾持部425包括至少兩個夾持滾輪425a、425b，且這兩個夾持滾輪425a、425b分別可轉動地頂抵於外擴部421a的兩相反側，以使得這兩個夾持滾輪425a、425b可轉動地夾靠在外擴部421a上。請參照圖4A，當升降動力源424驅動升降座423沿滑軌422移動時(如圖4A所示之箭頭方向D1)，夾持部425夾持套筒421的外擴部421a而帶動管體412升降。另外，當轉動組件430驅動管體412轉動時，套筒421及外擴部421a也會被帶動而旋轉。但由於夾持滾輪425a、425b可相對於外擴部421a轉動，因此夾持滾輪425a、425b不會對套筒421及外擴部421a的轉動造成干涉，也不會影響管體412的轉動。

本創作實施例的轉動組件430包括轉動動力源431、第一傳動輪432及第二傳動輪433。轉動動力源431具有一輸出軸431a，且輸出軸431a連接於第一傳動輪432的軸心，當轉動動力源431輸出動力時，亦通過輸出軸431a驅動第一傳動輪432轉動。

第二傳動輪433與第一傳動輪432相互連動，並且吸附單元410的管體412穿設並固定於第二傳動輪433的軸心。在本創作實施例中，轉動組件430更包括連接於第一傳動輪432與第二傳動輪433之間的連動件434，連動件434可以是套設於第一傳動輪432與第二傳動輪433之間的皮帶或鏈條。藉由上述結構，當轉動 動力源431驅動第一傳動輪432轉動時，通過連動件434可帶動第二傳動輪433轉動，從而帶動管體412轉動。

本創作實施例的晶片轉向模組400將封裝晶片3轉向的流程詳細說明如下。

請先參照圖5A與5B，其中圖5A為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉前的側視剖面示意圖，圖5B為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉前的局部俯視示意圖。

請先參照圖5B，在本實施例中，假設封裝晶片3正確的擺放位置是使正極焊墊3a的位置較靠近吸排氣兩用開口13，而負極焊墊3b的位置較遠離吸排氣兩用開口13。當封裝晶片3的正極焊墊3a與負極焊墊3b的位置顛倒時，也就是正極焊墊3a的位置較靠近吸排氣兩用開口13，則封裝晶片3需在轉向站40中調整擺放的方位。

請參照圖5A，晶片轉向模組400是設置於轉動傳送單元10的下方，也就是承載外環17下方。要特別說明的是，圖5A中僅顯示局部的吸附單元410，來說明將封裝晶片3轉向的流程。另外，承載外環17在對應於吸附單元410的吸嘴411的位置設有貫穿承載外環17而形成的一底盤開口170。當轉動傳送單元10將封裝晶片3傳送至轉向站40時，容置部12對準底盤開口170，使吸附單元410可通過底盤開口170吸住位於容置部12中的封裝晶片3，以調轉所述封裝晶片3的位置。

如圖5A所示，在吸附單元410吸住封裝晶片3時，升降組件420驅動管體412上升，以將封裝晶片3的位置升高。接著，請參照圖6A與圖6B，其中圖6A為本創作的發光二極體封裝晶片被晶片轉向模組旋轉時的側視剖面示意圖，圖6B為本創作的發光二極體封裝晶片被晶片轉向模組旋轉時的局部俯視示意圖。如圖6A所示，封裝晶片3的高度會被升高到超過可旋轉轉盤11的高度，以避免可旋轉轉盤11干涉封裝晶片3旋轉。

接著，如圖6A與6B所示，轉動組件430會驅動吸附單元410的管體412旋轉一預定角度，從而使封裝晶片3的正極焊墊3a與負極焊墊3b被調整至正確的位置。

最後請參照圖7A與7B，其中圖7A為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉後的側視剖面示意圖。圖7B為本創作的封裝晶片被晶片轉向模組旋轉後的局部俯視示意圖。晶片轉向模組400將封裝晶片3旋轉至正確的方位之後，升降組件420驅動吸附單元410的管體412下降，以將封裝晶片3放回可旋轉轉盤11的容置部12中。如圖7B所示，經過晶片轉向模組400調整後的封裝晶片3的正極焊墊3a與負極焊墊3b已被調整至正確的位置。也就是說，封裝晶片3再度被裝填至容置部12後，正極焊墊3a的位置會較靠近吸排氣兩用開口13，而負極焊墊3b的位置會較遠離吸排氣兩用開口13。

請再參照圖1，在調整封裝晶片3的擺放方位後，轉動可旋轉轉盤11以繼續將封裝晶片3傳送至檢測工作站50進行檢測。

檢測工作站50可配設不同的檢測儀器，用以對容置部12內的封裝晶片3進行檢測，並根據檢測結果判斷每一封裝晶片3為良好封裝晶片3’或是不良封裝晶片3”。舉例而言，檢測工作站50可包括發光檢測站50A及表面檢測站50B。封裝晶片3在發光檢測站50A被檢測是否可被點亮，並在表面檢測站50B進行外觀檢測。

在本創作實施例中發光檢測站50A是鄰近於可旋轉轉盤11設置，且配備發光檢測模組(未圖示)，以對所述封裝晶片3進行檢測。當然，依據不同的測試需求，亦可使用其他檢測模組，來檢測封裝晶片3的其他特性。

詳細而言，發光檢測模組(未圖示)包括一供電元件(未圖示)及一發光檢測元件(未圖示)，其中發光檢測元件與供電元件是分別設置封裝晶片3的相反側。供電元件用於選擇性地電性接觸封裝晶 片3，以對封裝晶片3供電。供電元件的正極接腳及負極接腳分別接觸封裝晶片3底部的正極焊墊3a與負極焊墊3b，以對封裝晶片3供電。

當供電元件對封裝晶片3供電時，發光檢測元件檢測封裝晶片3是否被點亮，以判定每一封裝晶片3為良好封裝晶片3’或不良封裝晶片3”。上述發光檢測元件可以是設置於封裝晶片3上方的光感測器。當發光檢測元件檢測到封裝晶片3發光時，則判定為良好封裝晶片3’。當發光檢測元件檢測到封裝晶片3不發光時，則判定為不良封裝晶片3”。

當封裝晶片3在發光檢測站50A完成檢測後，轉動可旋轉轉盤11以繼續將另一個封裝晶片3傳送至極性檢測站50B進行檢測。

要特別說明的是，在極性檢測站30時，會對封裝晶片3的擺放位置進行檢查，且擺放方位錯誤的封裝晶片3會在轉向站50被調整。因此，當封裝晶片3在發光檢測站50A進行檢測時，供電元件的正極接腳與負極接腳電性連接至錯誤的焊墊，而將封裝晶片3誤判為不良封裝晶片3”的機率可降低。

在本創作實施例中，表面檢測站50B鄰近於可旋轉轉盤11設置，並位於發光檢測站50A與包裝工作站70之間。也就是說，經過檢測後的封裝晶片3可藉由可旋轉轉盤11傳送至表面檢測站50B進行外觀檢測。

表面檢測站50B可設有影像擷取模組(未圖示)，用以擷取封裝晶片3的一正面影像。換言之，使用者可透過影像擷取模組(例如數位相機)來得到封裝晶片3正面的影像資訊。影像擷取模組所擷取到的正面影像會傳送至影像處理單元(未圖示)進行比對及分析，以檢測封裝晶片3是否有缺陷存在，並藉此篩選出良好封裝晶片3’與不良封裝晶片3”。

請參照圖1，本創作實施例中，封裝晶片檢測裝置1更包括不 良晶片集中站60。不良晶片集中站60鄰近於可旋轉轉盤11設置，並位於表面檢測站50B與包裝工作站70之間。在封裝晶片3經過發光檢測站50A與表面檢測站50B的檢測後，若被判定為不良封裝晶片3”，會在不良晶片集中站60被移出可旋轉轉盤11之外。

詳細而言，請參照圖1A，本創作實施例的不良晶片集中站60是在承載外環17上設有一通行部60A，且通行部60A末端設有一貫穿所述承載外環17而成的落料口60B，以接收不良封裝晶片3”。

也就是說，當可旋轉轉盤11將不良封裝晶片3”傳送到不良晶片集中站60時，吸排氣控制單元會透過吸排氣兩用開口13將不良封裝晶片3”由容置部12吹出，使不良封裝晶片3”沿著通行部60A而掉落到落料口60B內。

通過發光檢測與外觀檢測的封裝晶片3，會被判定為良好封裝晶片3’。上述良好封裝晶片3’會被轉動傳送單元10運送至包裝工作站70進行卸載。

請參照圖1A，在本創作實施例中，包裝工作站70是鄰近於可旋轉轉盤11設置，且包裝工作站70設有一導引件71及捲帶72，其中捲帶72上設有多個包裝槽720，而導引件71是設於捲帶72上方，以將良好封裝晶片3’引導到捲帶72上的包裝槽720內。在一實施例中，構成捲帶72的材質為透光材質。

另外，請配合參照圖1A，承載外環17上並設有一良品通行部73，對應導引件71所設置的位置而開設。當每一個良好封裝晶片3’被可旋轉轉盤11運送到包裝卸載工作站70時，容置部12與良品通行部73的端部相接。此時，吸排氣控制單元透過吸排氣兩用開口13將良好封裝晶片3’由容置部12內排出，使良好封裝晶片3’經由良品通行部73進入導引件71。良好封裝晶片3’會通過導引件71而落入捲帶72上的包裝槽720內，以進行後續的晶片包裝程序。

另外，請參照圖1，在本創作實施例中，承載外環17上更設 有一補料槽80，用以接收良好封裝晶片3’，以作為包裝槽720的補料所用。本創作實施例的補料槽80是鄰近於可旋轉轉盤11而設置，並位於表面檢測站50B與包裝工作站70之間，也就是開設於通行部60A與良品通行部73之間。本創作實施例的補料槽80為十字形溝槽，並連通於容置部12。

當已通過導引件71下方的包裝槽720並未接收到良好封裝晶片3’時，吸排氣控制單元可透過吸排氣兩用開口13，將已檢測通過的良好封裝晶片3’排出至補料槽80中，使作業人員可手動或操作機械手臂將補料槽80中的良好封裝晶片3’移入空缺的包裝槽720內。

另外，請參照圖1，本創作實施例的承載外環17設有貫穿承載外環17而形成的排料口90。排料口90是鄰近於可旋轉轉盤11而設置，且位於包裝工作站70與裝載工作站20之間。

詳細而言，當可旋轉轉盤11轉動而使容置部12重疊於排料口90時，在容置部12中沒有被卸載的封裝晶片3會掉落到排料口90中，以清空所述容置部12。據此，可確保當容置部12再度被轉動至裝載工作站20時，可被重新裝填另一封裝晶片3。

綜上所述，本創作實施例所提供的封裝晶片檢測裝置，其可透過轉動傳送單元以及鄰近於轉動傳送單元所設置的多個工作站，使得本創作的封裝晶片檢測裝置可在各工作站進行不同的檢測或者調整位置。並且，當封裝晶片的正極焊墊與負極焊墊的位置錯位時，晶片轉向模組可調整封裝晶片的擺放位置，以使封裝晶片可進行後續的電性檢測。此外，本創作實施例所提供的封裝晶片檢測裝置可在對封裝晶片進行檢測後，也可進一步將不良封裝晶片與良好封裝晶片分開收集。

雖然本創作以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟習相像技藝者，在不脫離本創作之精神和範圍內，所作更動與潤飾之等效替換，仍為本創作之專利保護範圍內。

1‧‧‧封裝晶片檢測裝置

10‧‧‧轉動傳送單元

11‧‧‧可旋轉轉盤

12‧‧‧容置部

17‧‧‧承載外環

17g‧‧‧入料槽

20‧‧‧裝載工作站

21‧‧‧輸送單元

22‧‧‧輸送元件

50‧‧‧檢測工作站

50A‧‧‧發光檢測站

50B‧‧‧表面檢測站

30‧‧‧極性檢測站

40‧‧‧轉向站

60‧‧‧不良晶片集中站

60A‧‧‧通行部

60B‧‧‧落料口

70‧‧‧包裝工作站

71‧‧‧導引件

72‧‧‧捲帶

720‧‧‧包裝槽

73‧‧‧良品通行部

80‧‧‧補料槽

90‧‧‧排料口

3‧‧‧封裝晶片

3’‧‧‧良好封裝晶片

3”‧‧‧不良封裝晶片

Claims (15)

1. 一種晶片轉向模組，用以調轉位於一轉動傳送單元上的一封裝晶片的位置，所述晶片轉向模組包括：一吸附單元，其具有一管體及一吸嘴，其中所述吸嘴位於所述管體其中一端，用以吸附所述封裝晶片；一升降組件，所述升降組件連接所述管體，以驅動所述管體升降；以及一轉動組件，所述轉動組件連接所述管體，以驅動所述管體轉動一預定角度。
2. 如請求項1所述的晶片轉向模組，其中所述升降組件包括：一滑軌；一升降座，所述升降座可移動地設置於所述滑軌上，其中所述升降座設有一夾持部；一升降動力源，用以驅動所述升降座移動；以及一套筒，所述套筒套設並固定於所述管體上，其中所述套筒上設有徑向外擴的一外擴部，且所述夾持部接觸並夾持所述外擴部；其中，當所述升降動力源驅動所述升降座沿所述滑軌移動時，所述夾持部通過所述套筒帶動所述管體升降；其中，當所述轉動組件驅動所述管體轉動時，所述外擴部相對於所述夾持部轉動。
3. 如請求項2所述的晶片轉向模組，其中所述夾持部包括至少兩個夾持滾輪，分別可轉動地頂抵於所述外擴部的兩相反側，以使得至少兩個所述夾持滾輪可轉動地夾靠在所述外擴部上。
4. 如請求項1所述的晶片轉向模組，其中所述轉動組件包括： 一第一傳動輪；一第二傳動輪，其與所述第一傳動輪相互連動，其中所述管體穿設並固定於所述第二傳動輪的一軸心；以及一轉動動力源，其具有一輸出軸，所述輸出軸連接所述第一傳動輪的一軸心，其中當所述轉動動力源通過所述輸出軸驅動所述第一傳動輪轉動時，帶動所述第二傳動輪旋轉，以驅動所述管體轉動。
5. 如請求項4所述的晶片轉向模組，其中所述轉動組件更包括一傳動件，所述傳動件連接於所述第一傳動輪與所述第二傳動輪之間。
6. 一種封裝晶片檢測裝置，所述封裝晶片檢測裝置包括一轉動傳送單元及一晶片轉向模組，其中晶片轉向模組用以調轉位於所述轉動傳送單元上的一封裝晶片的位置，其特徵在於，所述晶片轉向模組包括：一吸附單元，其具有一管體及一吸嘴，其中所述吸嘴位於所述管體其中一端，用以吸附所述封裝晶片；一升降組件，所述升降組件連接所述管體，以驅動所述管體升降；以及一轉動組件，所述轉動組件連接所述管體，以驅動所述管體轉動一預定角度。
7. 如請求項6所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述升降組件包括：一滑軌；一升降座，所述升降座可移動地設置於所述滑軌上，其中所述升降座設有一夾持部；一升降動力源，用以驅動所述升降座移動；以及 一套筒，所述套筒套設並固定於所述管體上，其中所述套筒上設有徑向外擴的一外擴部，且所述夾持部接觸並夾持所述外擴部；其中，當所述升降動力源驅動所述升降座沿所述滑軌移動時，所述夾持部通過所述套筒帶動所述管體升降；其中，當所述轉動組件驅動所述管體轉動時，所述外擴部相對於所述夾持部轉動。
8. 如請求項7所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述夾持部包括一對夾持滾輪，分別可轉動地頂抵於所述外擴部的兩相反側，以使得至少兩個所述夾持滾輪可轉動地夾靠於所述外擴部上。
9. 如請求項6所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述轉動組件包括：一第一傳動輪；一第二傳動輪，其與所述第一傳動輪相互連動，其中所述管體穿設並固定於所述第二傳動輪的一軸心；以及一轉動動力源，其具有一輸出軸，所述輸出軸連接所述第一傳動輪的所述軸心，其中當所述轉動動力源通過所述輸出軸帶動所述第一傳動輪轉動時，帶動所述第二傳動輪旋轉，以驅動所述管體轉動。
10. 如請求項9所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述轉動組件更包括一傳動件，所述傳動件連接於所述第一傳動輪與所述第二傳動輪之間。
11. 如請求項6所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述轉動傳送單元具有可旋轉轉盤、多個設置於可旋轉轉盤上的容置部及一承載外環，其中每一個所述容置部用以容納至少一所述封裝晶片， 且所述可旋轉轉盤設置於一承載外環上。
12. 如請求項11所述的封裝晶片檢測裝置，其中多個所述容置部為環繞地開設於所述可旋轉轉盤外周緣的多個齒槽，所述承載外環對應於所述吸附單元設有貫穿所述承載外環而形成的一底盤開口，當所述可旋轉轉盤旋轉而使其中一所述容置部對準所述開口時，所述吸附單元通過所述開口吸住所述封裝晶片，以調轉所述封裝晶片的位置。
13. 如請求項11所述的封裝晶片檢測裝置，其中每一所述容置部設有一吸排氣兩用開口。
14. 如請求項6所述的封裝晶片檢測裝置，更進一步包括一極性檢測模組，鄰近於所述轉動傳送單元設置，並用以檢測每一個所述封裝晶片的一正極焊墊與一負極焊墊的位置。
15. 如請求項14所述的封裝晶片檢測裝置，其中所述極性檢測模組設置於所述轉動傳送單元下方，並包括一反射鏡及一影像擷取單元，其中所述影像擷取單元通過所述反射鏡擷取所述封裝晶片的一底面影像，以判斷所述封裝晶片的所述正極焊墊與所述負極焊墊的位置。