TWM509423U - 晶圓承盤結構改良 - Google Patents

Description

晶圓承盤結構改良

本新型係關於一種電子組件的承盤結構，特別是關於一種晶圓承盤結構改良。

現今社會高科技產業蓬勃發展，晶圓製造產業亦然，晶圓於運送過程中通常是藉由自動化系統運送，晶圓於搬運或者是製造過程中大多是將晶圓容置於一承盤的容槽內，藉由承盤之結構防止晶圓受到外力撞擊造成不當損傷，增加隱性之成本。

習知晶圓承盤如圖1至圖3所示，包括一本體10，該本體10具有複數容置槽11，該些容置槽11供以容置晶圓，該本體10之一面的周圍具有一第一檔牆12，該本體10之另一面的周圍具有一第二擋牆13，該第二擋牆13與該本體10之間形成一容槽14，當複數晶圓承盤於堆疊之狀態下，其中一個該本體10之該第一擋牆12係位於另一個該本體10之容槽14內，藉此使各晶圓承盤於堆疊時結構關係更加穩固，以防止傾倒或者承盤間相互滑移之問題，進而降低晶圓受損之風險。

惟，由於該第二擋牆13位於該晶圓承盤之周圍，是以當使用者於搬運晶圓承盤之過程中，該第二擋牆13時常因碰撞而受損，進而造成結構上之破壞，為克服前述問題，本新型提供一種結構穩固之晶圓承盤結構改良。

本新型提供一種晶圓承盤結構改良，其主要目的係提供一種結構穩固之晶圓承盤結構改良。

為達前述目的，本新型晶圓承盤結構改良，包括：一本體，該本體由交互接鄰之一長邊及一短邊所構成，各該長邊及各該短邊接鄰處具有一轉角，該本體具有複數容置槽，該些容置槽供以容置晶圓，該本體之一面的周圍環設有一第一檔牆，該第一擋牆由交互接鄰之一第一段及一第二段構成，該第一擋牆之第二段沿著該轉角延伸設置，該第一擋牆之周緣具有依續接鄰之一第一側、一第一連接面及一第二側，該第一段的第一連接面之長度為一第一寬度，該第二段之連接面的長度為一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度；該本體之另一面的周圍環設有一第二擋牆，該第二擋牆與該本體之間形成一容槽，該第二擋牆由交互接鄰之一第三段及一第四段構成，該第二擋牆之第四段沿著該轉角延伸設置，該第二擋牆之周緣具有依續接鄰之一第三側、一第二連接面及一第四側，該第三段之第二連接面的長度為一第三寬度，該第四段之第二連接面的長度為一第四寬度，該第四寬度大於該第三寬度。

藉由前述可知，本新型晶圓承盤結構改良藉由將該第二擋牆分為交互接鄰之一第三段及一第四段，並使該第四段之第二連接面的長度大於該第三段之第二連接面之長度，且將該四段設置於鄰近該本體之該轉角處，藉此增強該第二擋牆於該轉角附近之厚度，使該第二擋牆於搬運之過程中不易因碰撞而破損，以達成提供一種結構穩固之晶圓承盤結構改良。

《習知技術》

10‧‧‧本體

11‧‧‧容置槽

12‧‧‧第一檔牆

13‧‧‧第二擋牆

14‧‧‧容槽

《本新型》

20‧‧‧本體

21‧‧‧容置槽

30‧‧‧第一檔牆

30A‧‧‧第一段

30B‧‧‧第二段

31‧‧‧第一側

32‧‧‧第一連接面

33‧‧‧第二側

40‧‧‧第二擋牆

41‧‧‧第三側

42‧‧‧第二連接面

43‧‧‧第四側

40A‧‧‧第三段

40B‧‧‧第四段

50‧‧‧容槽

C‧‧‧轉角

J‧‧‧長邊

K‧‧‧短邊

L1‧‧‧第一寬度

L2‧‧‧第二寬度

L3‧‧‧第三寬度

L4‧‧‧第四寬度

圖1 為習知晶圓承盤結構之剖視圖。

圖2 為習知晶圓承盤結構之部分俯視圖。

圖3 為習知晶圓承盤結構之部分仰視圖。

圖4 為本新型晶圓承盤結構改良部分之俯視圖。

圖5 為本新型晶圓承盤結構改良部分之仰視圖。

圖6 為圖4之A-A剖面圖。

圖7 為圖4之B-B剖面圖。

圖8 為本新型晶圓承盤結構改良之堆疊示意圖。

為使貴審查委員對本新型之目的、特徵及功效能夠有更進一步之瞭解與認識，以下茲請配合【圖式簡單說明】詳述如後：如圖4至圖8所示，本新型晶圓承盤結構改良，包括：一本體20，該本體20具有複數容置槽21，該些容置槽21供以容置晶圓，該本體20之一面的周圍環設有一第一檔牆30，該第一擋牆30由交互接鄰之一第一段30A及一第二段30B構成，該第一擋牆30呈現一錐狀，該第一擋牆30之周緣具有依續接鄰之一第一側31、一第一連接面32及一第二側33，該第一段30A的第一連接面32之長度為一第一寬度L1，該第二段30B之連接面32的長度為一第二寬度L2，該第一寬度L1係大於該第二寬度L2；該本體20之另一面的周圍環設有一第二擋牆40，該第二擋牆40呈現一錐狀，該第二擋牆40與該本體20之間形成一容槽50，該第二擋牆40由交互接鄰之一第三段40A及一第四段40B構成，該第二擋牆40之周緣具有依續接鄰 之一第三側41、一第二連接面42及一第四側43，該第三段40A之第二連接面42的長度為一第三寬度L3，該第四段40B之第二連接面43的長度為一第四寬度L4，該第四寬度L4係大於該第三寬度L3；較佳的，該第一寬度L1及該第二寬度L2之比例為9比7，該第三寬度L3及該第四寬度L4之比例為7比9。

較佳的，該本體之周緣由交互接鄰之一長邊J及一短邊K所構成，各該長邊J及各該短邊K接鄰處具有一轉角C，各該第一擋牆30之第二段30B及該第二擋牆40之第四段40B皆沿著該轉角C延伸成形。

該第一擋牆30之該第一段30A及該第二段30B於該短邊J之長度比為1比3，該第二擋牆40之該第三段40A及該第四段40B於該短邊K之長度比為1比3；該第一擋牆30之該第一段30A及該第二段30B於該長邊J之長度比為3比5，該第二擋牆40之該第三段40A及該第四段40B於該短邊K之長度比為3比5。

藉由前述可知，本新型晶圓承盤結構改良藉由將該第二擋牆40分為交互接鄰之一第三段40A及一第四段40B，使該第四段40B之第二連接面42的長度大於該第三段40A之第二連接面42之長度，並將該四段40B設置於鄰近該本體20之該轉角C處，藉此增強該第二擋牆40於該轉角C附近之厚度，使該第二擋牆40於搬運之過程中不易因碰撞而破損，以達成提供一種結構穩固之晶圓承盤結構改良。

20‧‧‧本體

40‧‧‧第二擋牆

42‧‧‧第二連接面

43‧‧‧第四側

40A‧‧‧第三段

40B‧‧‧第四段

50‧‧‧容槽

C‧‧‧轉角

J‧‧‧長邊

K‧‧‧短邊

Claims (3)

1. 一種晶圓承盤結構改良，包括：一本體，該本體由交互接鄰之一長邊及一短邊所構成，各該長邊及各該短邊接鄰處具有一轉角，該本體具有複數容置槽，該些容置槽供以容置晶圓，該本體之一面的周圍環設有一第一檔牆，該第一擋牆由交互接鄰之一第一段及一第二段構成，該第一擋牆之第二段沿著該轉角延伸設置，該第一擋牆之周緣具有依續接鄰之一第一側、一第一連接面及一第二側，該第一段的第一連接面之長度為一第一寬度，該第二段之連接面的長度為一第二寬度，該第一寬度大於該第二寬度；該本體之另一面的周圍環設有一第二擋牆，該第二擋牆與該本體之間形成一容槽，該第二擋牆由交互接鄰之一第三段及一第四段構成，該第二擋牆之第四段沿著該轉角延伸設置，該第二擋牆之周緣具有依續接鄰之一第三側、一第二連接面及一第四側，該第三段之第二連接面的長度為一第三寬度，該第四段之第二連接面的長度為一第四寬度，該第四寬度大於該第三寬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓承盤結構改良，其中，該第一寬度及該第二寬度之比例為9比7，該第三寬度及該第四寬度之比例為7比9。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓承盤結構改良，其中，該第一擋牆之該第一段及該第二段於該短邊之長度比為1比3，該第二擋牆之該第三段及該第四段於該短邊之長度比為1比3；該第一擋牆之該第一段及該第二段於該長邊之長度比為3比5，該第二擋牆之該第三段及該第四段於該短邊之長度比為3比5。