TWI440118B - 晶片承載盤 - Google Patents

Description

晶片承載盤

　　本發明是有關於一種晶片承載盤，特別是一種可防止晶片滑出之晶片承載盤。

　　請參閱第16圖，一種習知承載盤10具有複數個容置槽11，該些容置槽11係可供複數個晶片20或其他小型元件容置，當複數個容置有該些晶片20的承載盤10相互堆疊時，係可儲存或搬運該些晶片20，以進行下一個半導體製程，然由於環境溫度不同，使得該些承載盤10在不同環境溫度下，因溫度差異而產生翹曲，當該些承載盤10發生翹曲時，該相互堆疊的該些承載盤10之間的間距會隨著該些承載盤10翹曲而越來越大，因此造成容置於該些容置槽11中的該些晶片20在儲存或搬運的過程中會發生彈跳而造成損壞或滑出該些容置槽11。

　　本發明之主要目的在於提供一種晶片承載盤，其係藉由一吸嘴取放槽與複數個容置槽呈交叉狀，且吸嘴取放槽的一第一深度小於各該容置槽的一第二深度，當複數個晶片承載盤相互堆疊時，一晶片承載盤的限位凸肋容置於另一晶片承載盤的吸嘴取放槽，以使容置於該些容置槽中的晶片，仍可被限位於該些容置槽中，而不會發生彈跳而損壞或滑出該些容置槽。
　　本發明之一種晶片承載盤，其供放置複數個晶片，該晶片承載盤包含一第一表面、一第二表面、一基座及一堆疊限位槽，該第二表面係位於該第一表面下方，該基座係凸設於該第一表面，該基座具有一上表面、一吸嘴取放槽、複數個容置槽及複數個間隔肋，該吸嘴取放槽凹設於該上表面，該吸嘴取放槽具有二第一縱向邊緣及一第一底面，該些第一縱向邊緣之間具有一第一寬度，該第一底面與該上表面之間具有一第一深度，該些容置槽係凹設於該上表面，且該些容置槽與該吸嘴取放槽呈交叉狀，並形成有複數個交叉區域，該些容置槽分別具有一第二底面，該第二底面與該上表面之間具有一第二深度，該第一深度小於該第二深度，各該間隔肋及各該容置槽為間隔排列，且各該間隔肋具有一頂面，該頂面為該吸嘴取放槽的該第一底面的部分區域，該堆疊限位槽，其係對應該基座，且凹設於第二表面，該堆疊限位槽具有一第三底面及至少一限位凸肋，該限位凸肋係凸設於該第三底面，且該限位凸肋係位於該吸嘴取放槽下方，該限位凸肋的具有二第二縱向邊緣及一限位面，該些第二縱向邊緣之間具有一第二寬度，該第二寬度係小於該第一寬度，本發明藉由該些容置槽與該吸嘴取放槽呈交叉設置，且該吸嘴取放槽的該第一深度小於各該容置槽的該第二深度，當複數個晶片承載盤互相堆疊時，相鄰的一晶片承載盤的該限位凸肋容置於另一晶片承載盤的該吸嘴取放槽，以使容置於該些容置槽中的晶片，仍可被限位於該些容置槽中，而不會發生彈跳而損壞或滑出該些容置槽。

　　請參閱第1及2圖，為本發明之第一實施例，一種晶片承載盤100，其供放置複數個晶片200，該晶片承載盤100包含一第一表面110、一第二表面120、一基座130、一堆疊限位槽140及一缺角150，該缺角150位於該晶片承載盤100之一角隅，該第二表面120係位於該第一表面110下方，請參閱第1圖，該基座130係凸設於該第一表面110，該基座130具有一上表面131、一吸嘴取放槽132、複數個容置槽133及複數個間隔肋134。
　　請參閱第1、3及5圖，該吸嘴取放槽132係凹設於該上表面131，該吸嘴取放槽132具有二第一縱向邊緣Y1及一第一底面132a，該些第一縱向邊緣Y1之間具有一第一寬度W1，請參閱第5及6圖，該第一底面132a與該上表面131之間具有一第一深度D1。
　　請參閱第1、3及5圖，該些容置槽133係凹設於該上表面131，且該些容置槽133與該吸嘴取放槽132呈交叉狀設置，該些容置槽133與該吸嘴取放槽132並形成有複數個交叉區域S，請參閱第5及6圖，該些容置槽133分別具有一第二底面133a，該第二底面133a與該上表面131之間具有一第二深度D2，該第一深度D1小於該第二深度D2，各該第二深度D2大於各該晶片200之厚度0.4 mm到0.5 mm，可防止該晶片200前後左右滑出該容置槽133，請參閱第1及3圖，各該間隔肋134及各該容置槽133為間隔排列，且各該間隔肋134具有一頂面134a，該頂面134a為該吸嘴取放槽132的該第一底面132a的部分區域，較佳地，各該間隔肋134的該頂面134a與該吸嘴取放槽132的該第一底面132a為共平面。
　　請參閱第2、3、4、5及6圖，該堆疊限位槽140係對應該基座130，且該堆疊限位槽140凹設於第二表面120，該堆疊限位槽140具有一第三底面141及至少一限位凸肋142，該限位凸肋142係凸設於該第三底面141，請參閱第5圖，該限位凸肋142係位於該吸嘴取放槽132下方，且該限位凸肋142與該些容置槽133呈交叉狀設置，在本實施例中，該吸嘴取放槽132是對應一個限位凸肋142，該限位凸肋142具有二第二縱向邊緣Y2及一限位面142a，該些第二縱向邊緣Y2之間具有一第二寬度W2，該第二寬度W2係小於該第一寬度W1，在本實施例中，該限位面142a與該第三底面141之間具有一高度H，該高度H係不小於該第一深度D1。
　　請參閱第7、8、9及10圖，當複數個晶片承載盤100相互堆疊時，其中一晶片承載盤100A的一基座130係容置於相鄰的另一晶片承載盤100B的堆疊限位槽140中，且該晶片承載盤100B的至少一限位凸肋142係容置於該晶片承載盤100A的吸嘴取放槽132，藉由該晶片承載盤100B的該限位凸肋142與該晶片承載盤100A的該些容置槽133交叉堆疊，以使容置於該晶片承載盤100A的該些容置槽133的該些晶片200不會因該晶片承載盤100A或該晶片承載盤100B翹曲變型，而造成彈跳損壞或滑出該些容置槽133。
　　請參閱第11及12圖，其為本發明之第二實施例，其與第一實施例之差異在於該晶片承載盤100之該基座130另具有一固定槽135，該固定槽135凹設於該上表面131，該堆疊限位槽140另具有一支撐肋143，該支撐肋143凸設於該第三底面141，且該支撐肋143位於該固定槽135下方，請參閱第13圖，於本實施例中，當複數個承載盤100相互堆疊時，其中一晶片盤承載盤100B之該支撐肋143容置於另一晶片承載盤100A之該固定槽135中，使得該些承載盤100可更加穩固的堆疊。
　　請參閱第14及15圖，其為本發明之第三實施例，其與第一實施例的差異在於該晶片承載盤100之該推疊限位槽140具有複數個限位凸肋142，各該限位凸肋142為間隔排列，且各該限位凸肋142對應各該容置槽133，當複數個晶片承載100互相堆疊時，各該限位凸肋142將各該晶片200限位於各該容置槽133中，以防止各該晶片200滑出各該容置槽133，在本實施例中，各該限位凸肋142容置於各該容置槽133中。
　　本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準，任何熟知此項技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內所作之任何變化與修改，均屬於本發明之保護範圍。

10．．．承載盤

11．．．容置槽

20．．．晶片

100．．．晶片承載盤

100A．．．晶片承載盤

100B．．．晶片承載盤

110．．．第一表面

120．．．第二表面

130．．．基座

131．．．上表面

132．．．吸嘴取放槽

132a．．．第一底面

133．．．容置槽

133a．．．第二底面

134．．．間隔肋

134a．．．頂面

135．．．固定槽

140．．．堆疊限位槽

141．．．第三底面

142．．．限位凸肋

142a．．．限位面

143．．．支撐肋

150．．．缺角

200．．．晶片

S．．．交叉區域

Y1．．．第一縱向邊緣

Y2．．．第二縱向邊緣

W1．．．第一寬度

W2．．．第二寬度

D1．．．第一深度

D2．．．第二深度

H．．．高度

第1圖：依據本發明之第一實施例，一種晶片承載盤之立體俯視圖。
第2圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤之立體仰視圖。
第3圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤之俯視圖。
第4圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤之仰視圖。
第5圖：沿第3圖之A-A方向，該晶片承載盤之橫剖視圖。
第6圖：沿第3圖之B-B方向，該晶片承載盤之縱剖視圖。
第7圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤堆疊之立體分解圖。
第8圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤堆疊之立體圖。
第9圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤堆疊之橫剖視圖。
第10圖：依據本發明之第一實施例，該晶片承載盤堆疊之縱剖視圖。
第11圖：依據本發明之第二實施例，一種晶片承載盤之立體俯視圖。
第12圖：依據本發明之第二實施例，該晶片承載盤之立體仰視圖。
第13圖：依據本發明之第二實施例，該晶片承載盤堆疊之橫剖視圖。
第14圖：依據本發明之第三實施例，一種晶片承載盤之立體俯視圖。
第15圖：依據本發明之第三實施例，該晶片承載盤之立體仰視圖。
第16圖：一種習知承載盤之立體圖。

100．．．晶片承載盤

131．．．上表面

132．．．吸嘴取放槽

132a．．．第一底面

133．．．容置槽

133a．．．第二底面

134．．．間隔肋

134a．．．頂面

141．．．第三底面

142．．．限位凸肋

142a．．．限位面

W1．．．第一寬度

W2．．．第二寬度

D1．．．第一深度

D2．．．第二深度

H．．．高度

Claims (6)

1. 一種晶片承載盤，其供放置複數個晶片，該晶片承載盤包含：
   　一第一表面；
   　一第二表面，其係位於該第一表面下方；
   　一基座，其係凸設於該第一表面，該基座具有：
   　　一上表面；
   　　一吸嘴取放槽，其係凹設於該上表面，該吸嘴取放槽具有二第一縱向邊緣及一第一底面，該些第一縱向邊緣之間具有一第一寬度，該第一底面與該上表面之間具有一第一深度；
   　　複數個容置槽，其係凹設於該上表面，且該些容置槽與該吸嘴取放槽呈交叉狀，並形成有複數個交叉區域，該些容置槽分別具有一第二底面，該第二底面與該上表面之間具有一第二深度，該第一深度小於該第二深度；及
   　　複數個間隔肋，各該間隔肋及各該容置槽為間隔排列，且各該間隔肋具有一頂面，該頂面為該吸嘴取放槽的該第一底面的部分區域；以及
   　一堆疊限位槽，其係對應該基座，且凹設於第二表面，該堆疊限位槽具有一第三底面及至少一限位凸肋，該限位凸肋係凸設於該第三底面，且該限位凸肋係位於該吸嘴取放槽下方，該限位凸肋具有二第二縱向邊緣及一限位面，該些第二縱向邊緣之間具有一第二寬度，該第二寬度係小於該第一寬度。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶片承載盤，其中該限位凸肋與該些容置槽呈交叉狀設置。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶片承載盤，其中各該間隔肋的該頂面與該吸嘴取放槽的該第一底面為共平面。
4. 如申請專利範圍第1項所述之晶片承載盤，其中該限位面與該第三底面之間具有一高度，該高度係不小於該第一深度。
5. 如申請專利範圍第4項所述之晶片承載盤，其中該基座另具有一固定槽，該固定槽凹設於該上表面，該堆疊限位槽另具有一支撐肋，該支撐肋凸設於該第三底面，且該支撐肋位於該固定槽下方。
6. 如申請專利範圍第1項所述之晶片承載盤，其另具有一缺角，該缺角位於該晶片承載盤之一角隅。