TWM483635U - 具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造 - Google Patents
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Description
本新型係一種晶片封裝構造，尤指一種具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造。
現今科技蓬勃發展，許多使用集成電子元件或晶片的電子產品相繼問世，同時也充斥在人們的生活當中，舉凡電腦、筆記型電腦(或平板電腦)、行動電話等不勝枚舉，但伴隨著電子產品的廣泛利用，同時也增加電子產品使用時產生之高頻電磁波對人體與其他電子產品的危害。為減少電子產品產生之電磁波對人體造成危害或干擾其他電子產品，目前許多電子產品在電子元件的外殼或於晶片封裝時進行電磁屏蔽的處理，除可減少本身的電磁波外漏，也可進一步減少外界電磁波的干擾。
請參閱圖3與4所示，現有晶片封裝之防電磁波干擾對策是在一晶片封裝體80外側設置一截面呈ㄇ型的外蓋90，該晶片封裝體80包含有一基板81、一晶片82與一封裝體83，該晶片82是設於基板81的表面，該封裝體83是形成於基板81的表面並且包覆該晶片82，該外蓋90是與基板81的表面接觸並完整包覆該封裝體83，該封裝體83是隔開該晶片82與該外蓋90並產生電性絕緣，藉由該金屬製的外蓋90形成電磁屏蔽以保護該晶片82不受外界之電磁波干擾。然而以覆蓋金屬製之外蓋90的隔離方式，需事先以模具壓製金屬片形成該外蓋90，且因壓製之金屬片需有一定厚度(0.1mm至數mm)，故現有使用金屬製外蓋90的屏蔽隔離方式會有製造成本高、體積大與重量重的問題。
如前揭所述，現有電子產品之晶片封裝防電磁波干擾對策所使用之金屬製外蓋會有製造成本高、體積大、重量重的問題，因此本新型主要目的在提供一具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，主要是於晶片封裝構造的相對外側以鍍膜方式形成一個以上的金屬鍍膜層，該金屬鍍膜層使用的金屬材料較少，具有製造成本低、厚度薄與重量輕的優點，解決現有使用金屬外蓋防止電磁波干擾所造成的問題。
為達成前述目的所採取的主要技術手段係令前述具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造包含有： 一晶片封裝體單元，其包含一基板、一晶片與一封裝體，該晶片是設於基板的其中一面，該封裝體是形成於基板上並包覆該晶片； 一鍍膜接著層，其形成於該封裝體的相對外側； 一鍍膜導電層，其形成於該鍍膜接著層的相對外側；以及 一鍍膜保護層，其形成於該鍍膜導電層的相對外側。
利用前述元件組成的具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，主要是於該晶片封裝體單元的相對外側依序形成該鍍膜接著層、該鍍膜導電層與該鍍膜保護層，該鍍膜接著層可提高封裝體與鍍膜導電層間的接著力，該鍍膜導電層可產生電磁屏蔽而防止電磁干擾，又鍍膜保護層可防止鍍膜導電層產生氧化腐蝕，藉由鍍膜方式形成多層的金屬鍍膜層，使用之金屬材料較金屬外蓋少，並具有厚度薄、重量輕、低電阻與電磁屏蔽效果佳的優點，解決現有電子產品之晶片封裝體使用金屬製外蓋產生製造成本高、體積大與重量重的問題。
關於本新型的一較佳實施例，請參閱圖1所示，主要是於一晶片封裝體單元10的相對外側以金屬鍍膜方式依序形成有多層的金屬鍍膜層，該等金屬鍍膜層分別為一鍍膜接著層20、一鍍膜導電層30與一鍍膜保護層40，其中，該晶片封裝體單元10包含有一基板11、一晶片12與一封裝體13，該基板11是呈一薄形的片體並具一表面，該晶片12為積體電路(IC)且設於該基板11的表面，該封裝體13是形成於基板11的表面並包覆該晶片12，該封裝體13具有電性絕緣的特點。
該晶片封裝體單元10欲進行外覆金屬鍍膜之前需利用一電漿(Plasma)系統之射頻(RF)電源產生射頻電漿，於一真空室通入反應氣體後產生高能量的離子撞擊晶片封裝體單元10之封裝體13的表面，以對該封裝體13的表面進行改質、活化、親水性及粗化等處理，使接下來形成之金屬鍍膜層可以得到較佳的附著性。
該鍍膜接著層20是以不銹鋼(Sus)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或鎳鉻(Ni-Cr)等金屬或其合金材料，以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著於該封裝體13的相對外側，由於前述金屬或合金材料具有高接著力，可減少濺鍍或蒸鍍之金屬膜層的厚度。
該鍍膜導電層30是以銅(Cu)或銀(Ag)等高導電性金屬材料，以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著於該鍍膜接著層20的相對外側，該鍍膜導電層30形成殼狀之高導電度的金屬薄膜，其阻抗於形成之殼體內側對角線是小於5歐姆(Ω)，藉此該高導電性的鍍膜導電層30可屏蔽晶片封裝體單元10內部產生的電磁波發散至外界或是防止外界的電磁波干擾該晶片封裝體單元10。
該鍍膜保護層40是以不銹鋼(Sus)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或鎳鉻(Ni-Cr)等金屬或其合金材料以濺鍍或蒸鍍的鍍膜方式附著於該鍍膜導電層30的相對外側，由於前述金屬或合金材料具有具有高抗氧化性，可以有效保護並防止該鍍膜導電層30氧化或腐蝕。
由上述可知，本創作是於該晶片封裝體單元10的外側以金屬鍍膜方式依序形成有鍍膜接著層20、鍍膜導電層30與鍍膜保護層40，該等金屬鍍膜層分別提供高接著力、產生電磁屏蔽及抗氧化腐蝕的功能，又該等金屬鍍膜層具有厚度薄(0.1μm至數μm)、重量輕、低電阻與電磁屏蔽效果佳的優點，解決現有電子產品之晶片封裝體使用金屬製外蓋產生製造成本高、體積大與重量重的問題。
10‧‧‧晶片封裝體單元
11‧‧‧基板
12‧‧‧晶片
13‧‧‧封裝體
20‧‧‧鍍膜接著層
30‧‧‧鍍膜導電層
40‧‧‧鍍膜保護層
80‧‧‧晶片封裝體
81‧‧‧基板
82‧‧‧晶片
83‧‧‧封裝體
90‧‧‧外蓋
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圖1是本新型一較佳實施例的剖面圖。 圖2是本新型一較佳實施例的局部立體剖面圖。 圖3是現有晶片封裝構造的剖面圖。 圖4是現有晶片封裝構造的局部立體剖面圖。
10‧‧‧晶片封裝體單元
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13‧‧‧封裝體
20‧‧‧鍍膜接著層
30‧‧‧鍍膜導電層
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Claims (6)
- 一種具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，包含有： 一晶片封裝體單元，其包含一基板、一晶片與一封裝體，該晶片是設於基板的其中一面，該封裝體是形成於基板上並包覆該晶片； 一鍍膜接著層，其形成於該封裝體的相對外側； 一鍍膜導電層，其形成於該鍍膜接著層的相對外側；以及 一鍍膜保護層，其形成於該鍍膜導電層的相對外側。
- 如請求項1所述之具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，該鍍膜接著層、鍍膜導電層與鍍膜保護層是以濺鍍或蒸鍍的金屬鍍膜方式形成。
- 如請求項2所述之具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，該鍍膜接著層是以不銹鋼(Sus)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或鎳鉻(Ni-Cr)或其合金材料經濺鍍或蒸鍍製成。
- 如請求項2或3所述之具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，該鍍膜導電層是以銅(Cu)或銀(Ag)經濺鍍或蒸鍍製成。
- 如請求項2或3所述之具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，該鍍膜保護層是以不銹鋼(Sus)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或鎳鉻(Ni-Cr)或其合金材料經濺鍍或蒸鍍製成。
- 如請求項4所述之具防電磁波干擾鍍膜披覆之晶片封裝構造，該鍍膜保護層是以不銹鋼(Sus)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)或鎳鉻(Ni-Cr)或其合金材料經濺鍍或蒸鍍製成。
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Publications (1)
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| TWM483635U true TWM483635U (zh) | 2014-08-01 |
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| TW (1) | TWM483635U (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI570818B (zh) * | 2015-02-12 | 2017-02-11 | 長興材料工業股份有限公司 | 一種封裝晶片之加工方法 |
| CN113613480A (zh) * | 2021-07-23 | 2021-11-05 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | F-p腔效应消除的电磁屏蔽光窗 |
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2014
- 2014-03-18 TW TW103204575U patent/TWM483635U/zh not_active IP Right Cessation
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