TWM384444U - Supporting piece for supporting high frequency component - Google Patents

Description

Έ384444 五、新型說明： 【新型所屬之技術領域】 :件之支撐片，尤指 器内用以撐抵高頻元 本創作係關於一種用以揮抵高頻 一種設置於高頻同軸電線或同軸插接 件之支撐片。 【先前技術】 對精密測篁技術專門的高頻元件、微波元件之技術失 數要求不斷提高，其前提是個別組件具有高品質，包 撐片也要具有m其是終端電阻、轉接器、減衰器 等的反射及傳輸特性與同軸支撐件（即所謂的支撐片）有 很大的關係。 實務中已有各種不同種類的支撐片，其中一種具有八 個凡王貫穿支撐片之支樓體的縱向孔，生產上述支撐片需 要經過报多製造步驟，因此生產成本很高，f知另―種^ 擇片為-具有相當複職何的射出件，該支撐體係被壓入 —外卡固勒’鼓龍具奸字形職，鱗肋條截面 大約呈V或u形’因此以扇子方式組成，這種支揮片的製 造過程—樣十分，因此生錢本也絲，雜所述支 揮片具有良好的魏特性，不過耐溫性不佳，只能應用在 最高約85。〇 【新型内容】 本創作之目的，在於提供—種収撐抵高献件之支 3 M384444 另一方面具有較佳的電氣 撐片，其一方面生產成本降低， 特性。 緣此，本創作乃提供一種用以撐抵高頻元件之支標片 ，其支撐體除了-縱向孔之外，還具有至少―橫向孔，該 至少-橫向孔相大财善高頻龜，該支則含跨整個 頻區的良好波阻抗，十分配合待切之高頻耕的阻抗； 此外’本創作之支撐片具有足夠材料可以長時間持續地進 行平面的雜，因此具有_良好_械牢·，所 創作之支撐片完全符合機械及電性的要求。 較佳地，該縱向孔係設於支撐體中央，且該至少 向孔完全貫穿支撐體與其縱向孔，纽—方面可達到良^ ，並在擁有良好電氣特性的同時生產成本相 對滅，眩的電氣雛可以減起射， _’俾使此等訊號由一高頻元件傳輸到另一 時可達到S功率。 根據本創作-有利結構，該至少—橫向 减即可較則的魏·準销配 夕，也可將-個或多個橫向孔朗—支 =匕 橫向延伸的盲孔組合。 们A夕個 ，此二橫向 ，且具有良 該根據本創作另—結構，設有兩個橫向孔 孔交錯成九十度，依此形成蚊剌容易生產 好的機械與電氣特性。 較佳地，该支撐體的前面、後面 環槽尤其可以簡單的方式，針±… 衣槽_此 式知切k魏參數的電氣 4 微校正。 圍繞，較佳結構，該支撐體周圍係由一卡固環 壓入該卡固環内，藉此該支撐體可固設 行對鹿可使整個支撐片的縱向呈現密封，例如在進 高頻二ϋ色，此密封結構另外可以防止光線射入相關 上言卩結構，本創作支撐體可以在其關的層面 °材料’以糊卡_ (又稱外導環）内徑的機 .? 因此’的支撐#除了具有良好的電氣特性 二具有很高的機械穩定性，此等優點特性可延長支撐 片哥命’並對整個的高頻元件有正面影響。 根據本創作另-結構，將—内環置人支撐體的縱向孔 内，該内環_至少-触孔貫f絲貫穿，這兩種可能 f生可以刀開或配合實施，上述内環可以配合高頻同抽電線 之待容置叫體的直徑，以及配合支撐片所具有的電氣特 性，内導體可以平面貼#在内環上，受到特別穩固的 撐抵，避免内導體在支撐片上搖晃。 根據本創作又-較佳結構，該支撐體係由電介材料製 成，較佳地係由聚苯乙晞，特別是由照射過的聚苯乙稀所 製成，如此製成的支撐片也具有特別良好的耐溫特性，因 此效能較好，這類支撐片用於較高功率時特別有利，並且 特別適合應用在大的溫度範圍。 較佳地，該至少一橫向孔的内徑與支擇體厚度的比例 在0. 25至0· 6之間，較佳地是〇. 46至〇· 47之間，藉由上 述結構，本創作支撐片容易生產及組裝，並可達到良好的 電氣特性與耐溫雜，邮㈣較S的解與功率。 【實施方式】 有關本創作為達上述之使用目的與功效 術手段，茲舉出較佳可行之盘、1入 木用之技 早又住J仃之只她例，亚配合圖式所示， 述如下： 叶 係顯示本創作用以撐抵圖中未顯 特別是指設於高頻同軸電線或同 请參閱第一圖所示， 示的南頻元件之支稽片1 軸插接器内的高頻元件。 、請參閱第二圖所示，其係第一圖中所述支撐片i的俯 視圖，該支撐片1具有—支撐體2，該支撐體2具有-縱向 孔3’可將圖中未進-步顯示的同軸電線或同軸插接器之内 導體插入該縱向孔3内。 本創作中該支撐體2另外具有至少一橫向孔4,其在第

-圖、第二圖中以虛線表示，在第三圖中更具體以瓜 段之剖面表示。 I _支撑片1及支撐體2具有—縱轴5，如第—圖至第三圖 =示’該縱向孔3設於讀體2中央，且該至少一橫向孔4 凡王，穿支樓體2與其縱向孔3,並具有-左段6及一右段 7(如第一圖、第三圖所不），該左段6及右段7相互對齊， 此外’ 5亥左段6及右段7也可以不對齊，而屬於不同的橫 向孔。 根據本創作另-個未顯示的實施方式，該至少一橫向 孔為盲孔’可以在同-個切片上設有貫穿及不貫穿的 橫向孔。 請參閱第一圖至第五圖所示，根據本創作一較佳實施 方式’設有兩個橫向孔4、1〇，較佳地，其彼此呈九十度交 錯而°又°亥第二橫向孔1〇也具有兩個彼此對齊的段u、i2( 如第三圖所示），支撐體2的前面13與後面14均具有一環 槽15 〇 义 明特別參閱第三圖所示，該支撐體2周圍係由一_^固 環16 (亦稱為外導體環）圍繞，該支稽體2係可壓入該卡 固環16内，並卡固於其中。 根據本創作另一個未顯示的實施方式，本創作將一内 環置入支龍2的縱向孔3内，該内環囉可由該至少一 橫向孔4 f穿，獨駐少—橫向孔4也可*貫穿該内環 〇 根據本創作另-個錄實施方式，該支撐體2係由電 介材料製成，較佳地係由聚苯乙烯，特別是由照射過 (irradiated)的聚苯乙烯所製成，由此材料製成的支撐體2 具有良好的電介特性，該等電介特性可與聚乙烯及聚四氟 乙蝉的電介特性相比。 請參閱第四、五圖所示，該至少一橫向孔4的内徑17 與支撐體2之厚度20的比例大約在〇·25至〇·6之間，較 佳地是0· 46至〇· 47之間。 第四圖係本創作支撐片1之支撐體2的俯視圖，第五 圖係第四圖中所示ν_ν線段的剖面圖，第六圖係本創作支 撐片之卡固環16的俯視圖，第七圖係第六圖中所示卡固環 16的VH-W線段的剖面圖。 M384444 如之前提到的，支撐體2與卡固環 使壓入卡固環16的支撐體 了、、擇 牙體2卡固於卡固裱16内，藉此可 避免支撐體2與卡_16之間產生姆運動。 相對齊的各段，可以在一個或多個作業 步驟開設入支撐體2内，若為一個^ 右在個作業步驟完成，則作業 步驟是將整個支撐體2言孪.其* ^ 〜 曰 z貝牙，右在兩個作業步驟完成，則 疋設有兩個分舶有部分？賴支_ 2的橫向孔4。 本創作支撑片可達到的效益為：可大幅降低生產成本 ’使用優點眾多。 綜上所述，本創作確實已達到所預期之使用目的盥功 效’且更較習知者為之理想、實用，惟，上述實施例僅係 針對本創倾佳實_進行具體綱而已，此實施例並非 用以限定本_之申料職圍，舉凡其它未脫離本創作 所揭示之技術手段下所完狀均等變化與修飾，均應包含 於本創作所涵蓋之申請專利範圍中。 【圖式簡單說明】 第-圖所示係本創作用轉抵高頻元件之支撐片之立體示 意圖。 第二圖所示係第一圖中所述支撐片的俯視圖。 第三圖所示係第二圖中所示羾—冚線段的剖面圖。 第四圖所示係本創作支撐片之支撐體的俯視圖。 第五圖所示係第四圖中所示V-v線段的剖面圖。 第六圖所示係本創作支撐片之卡固環的俯視圖。 第七圖所示係第六圖中w-vn線段的剖面圖。 8 M384444 【主要元件符號說明】 1支撐片 2支撐體 3縱向孔 4橫向孔 5縱軸 6左段 7右段 8橫向孔 11段 12段 13前面 14後面 15環槽 16卡固環 17内徑 20厚度

Claims (1)

1. 、申請專利範圍： 1.-_峨抵雜元件之支撐# H種設置於高頻 同軸電線或同軸插接器内用以撐抵高頻元件之支撐片， 該支撐片設有一具有一縱向孔(3)的支撐體(2); 其特徵在於：該支撐體（2)另外具有至少一橫向孔(4、 10)。 2·如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 · ，其中，該縱向孔(3)設於支撐體(2)中央，且該至少—· 橫向孔(4)完全貫穿支撐體(2)與其縱向孔(3)。 3.如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ，其中，該至少一橫向孔(4、10)係為一盲孔。 4·如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ，其中，設有兩個橫向孔(4、10) ’其彼此呈九十度交錯 而設。 5.如申請專利範圍第丨項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ’其中’該支撐體(2)前面（13)與後面（14)均具有一環楫 % (15)。 、曰. 6·如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ’其中’該支撐體(2)周圍係由一卡固環(16)圍繞。 7.如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撑片 ’其中’該支撐體(2)係壓入於該卡固環(16)内。 8·如申請專利範SI第1綱述用以撐抵高頻元件之支撑片 ’其中’支撐體(2)的縱向孔⑶内置入一内環。 9·如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撑片 ’其中’該至少一橫向孔(4、10)的内環經貫穿或未經貫 穿。 10.如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ’其中，該支撐體(2)係由電介材料製成，較佳地係由 聚苯乙烯，特別是由照射過的聚苯乙烯所製成。 11，如申請專利範圍第1項所述用以撐抵高頻元件之支撐片 ，其中，該至少一橫向孔(4、10)的内徑（17)與支撐體 (2)之厚度（20)的比例大約在〇. 25至〇. 6之間，較佳地 是0.46至0.47之間。