TWI841795B - 被加工物之加工方法 - Google Patents
被加工物之加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI841795B TWI841795B TW109135328A TW109135328A TWI841795B TW I841795 B TWI841795 B TW I841795B TW 109135328 A TW109135328 A TW 109135328A TW 109135328 A TW109135328 A TW 109135328A TW I841795 B TWI841795 B TW I841795B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- workpiece
- substrate
- ductile material
- material layer
- axis
- Prior art date
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 16
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 110
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 23
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 1
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 1
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 1
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N [Na].[Ca] Chemical compound [Na].[Ca] VEUACKUBDLVUAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010985 leather Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B27/00—Other grinding machines or devices
- B24B27/06—Grinders for cutting-off
- B24B27/0616—Grinders for cutting-off using a tool turning around the workpiece
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/02—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills
- B28D5/022—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels
- B28D5/024—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by rotary tools, e.g. drills by cutting with discs or wheels with the stock carried by a movable support for feeding stock into engagement with the cutting blade, e.g. stock carried by a pivoted arm or a carriage
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/0445—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising crystalline silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4871—Bases, plates or heatsinks
- H01L21/4882—Assembly of heatsink parts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
- B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
- B28D5/0088—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work the supporting or holding device being angularly adjustable
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dicing (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
Abstract
[課題] 提供一種被加工物之加工方法,可以簡單的步驟加工包含基板及延展性材料層的被加工物,且可抑制從延展性材料層產生毛邊。[解決手段] 一種被加工物之加工方法,在加工被加工物時所使用,該被加工物具備:基板,具有正面及背面;以及延展性材料層,包含具有延展性的延展性材料且設置於基板的正面或背面;該被加工物之加工方法包含:膠膜黏貼步驟,將膠膜黏貼於被加工物的基板側;保持步驟,以露出延展性材料層的方式透過膠膜而以保持台保持被加工物;以及切割步驟,在實施保持步驟後,藉由使保持台及切割刀片相對地移動並使切割刀片切入延展性材料層及基板而切割被加工物;在切割步驟中,以位在切割刀片相對於保持台的移動方向之前側的切割刀片的一部分從延展性材料層朝向基板切入的方式使切割刀片旋轉。
Description
本發明是關於一種在加工包含基板及延展性材料層之被加工物時所使用的被加工物之加工方法。
在以手機或個人電腦為代表的電子設備中,具備電子電路等元件的元件晶片成為必需的構成要素。元件晶片例如是藉由以下方式所得到:將以矽等的半導體材料而形成之晶圓的正面側以分割預定線(切割道)劃分成多個區域,並在各區域形成元件後,在分割預定線分割此晶圓。
近年來,為了實現在元件晶片上所追求的各種功能,將以銅等之金屬所形成的膜(以下稱為金屬膜)設置在晶圓之背面的機會增加。在分割此包含晶圓及金屬膜的被加工物時,例如,在被加工物的金屬膜側黏貼膠膜,並以露出晶圓的方式保持被加工物的金屬膜側(膠膜)。之後,若以從晶圓側往金屬膜側切入的方向旋轉的切割刀片切割被加工物,則可切斷被加工物並分割成多個元件晶片。
然而,在上述的方法中,藉由旋轉的切割刀片,以有延展性的金屬所形成的金屬膜會被拉伸至膠膜側,且容易從此金屬膜產生稱為毛邊之金屬的突起。毛邊例如是會成為在將元件晶片安裝至印刷基板時產生端子間的短路等之不良的原因,因此在分割包含金屬膜的被加工物時,需要充分地抑制毛邊的產生。
為了解決此課題,有提出一種照射雷射光束而切斷金屬膜的方法(例如參照專利文獻1)。於此方法中,在以切割刀片不切入金屬膜的條件下從晶圓側切割被加工物後,照射雷射光束並切斷金屬膜。亦即,在金屬膜的切斷不使用切割刀片,因此也不會因為與旋轉之切割刀片的接觸而導致從金屬膜產生毛邊。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2018-78162號公報
[發明所欲解決的課題]
然而,在以雷射光束切斷金屬膜之上述的方法中,因為一定要併用切割裝置及雷射加工裝置,所以會有設備及步驟容易變得繁雜的問題。若設備及步驟變得繁雜,則導致在被加工物之加工所需的成本也變高。
本發明是鑑於此問題點而完成的發明,其目的在於提供一種被加工物之加工方法,可以簡單的步驟加工包含晶圓等之基板與金屬膜等之延展性材料層的被加工物,並且可抑制從延展性材料層產生毛邊。
[解決課題的技術手段]
根據本發明之一態樣,提供一種被加工物之加工方法,在加工被加工物時所使用,該被加工物具備:基板,具有正面及背面;以及延展性材料層,包含具有延展性的延展性材料且設置於該基板的該正面或該背面;該被加工物之加工方法包含:膠膜黏貼步驟,將膠膜黏貼於該被加工物的該基板側;保持步驟,以露出該延展性材料層的方式透過該膠膜而以保持台保持該被加工物;以及切割步驟,在實施該保持步驟後,藉由使該保持台及切割刀片相對地移動並使該切割刀片切入該延展性材料層及該基板而切割該被加工物;在該切割步驟中,以位在該切割刀片相對於該保持台的移動方向之前側的該切割刀片的一部分從該延展性材料層朝向該基板切入的方式使該切割刀片旋轉。
在本發明的一態樣中,該被加工物包含:該基板,於該正面側設置有多個元件;以及該延展性材料層,設置於該基板的背面;該延展性材料層是由金屬膜所組成。
此外,在本發明的一態樣中,較佳為進一步包含:位置檢測步驟,在實施該保持步驟後,於實施該切割步驟前,基於透過該保持台及該膠膜而拍攝該基板的該正面所得到的影像,檢測使該切割刀片切入的位置。
此外,在本發明的一態樣中,該被加工物包含由碳化矽所組成的該基板。
[發明功效]
在本發明之一態樣的被加工物之加工方法中,以露出延展性材料層的方式透過膠膜而以保持台保持被加工物後,以位在切割刀片相對於保持台的移動方向之前側的切割刀片的一部分從延展性材料層朝向基板切入的方式使切割刀片旋轉而切割被加工物。
因此,即使是包含延展性材料的延展性材料層密接於切割刀片而被拉伸的情況,藉由切割刀片接觸以比延展性材料還硬之材質所形成的基板,而從切割刀片去除密接於切割刀片的延展性材料,而變得幾乎不會被拉伸。藉此,可抑制從延展性材料層產生毛邊。
此外,在本發明之一態樣的被加工物之加工方法中,因為不需要如以雷射光束切斷延展性材料層的情況併用切割裝置及雷射加工裝置,所以可以簡單的步驟加工被加工物。如此,若根據本發明之一態樣的被加工物之加工方法,則可以簡單的步驟加工被加工物,並且可抑制從延展性材料層產生毛邊。
參照隨附圖式,說明本發明的實施方式。圖1為表示以本實施方式的被加工物之加工方法所加工之被加工物1的立體圖。如圖1所示,本實施方式的被加工物1包含使用碳化矽(SiC)等的半導體材料形成圓盤狀的基板(晶圓)11。
基板11藉由互相交叉的多條分割預定線(切割道)13而被劃分成多個小區域,在各小區域形成用於控制電力之逆變器或變流器等的元件(功率元件)15。另外,此元件15的圖案例如是以可從基板11的正面11a側識別的方式而構成。
在基板11的與正面11a相反的背面11b側設置包含金屬等之延展性材料的延展性材料層17。延展性材料層17例如是使用金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳(Ni)等的金屬而形成有0.1μm~30μm左右之厚度的金屬膜,作為散熱器或晶粒附接劑(接著劑)等而發揮功能。
此延展性材料層17也形成在由基板11的正面11a側或背面11b側觀看與分割預定線13重疊的區域。另外,延展性材料層17也可為藉由包含上述之金屬的合金而形成之1層的金屬膜。此外,延展性材料層17也可具有將分別藉由1種金屬或合金所形成之多個金屬膜重疊的層積構造。
另外,本實施方式的被加工物1雖然包含使用碳化矽等所形成之圓盤狀的基板11,但此基板11的材質、形狀、構造、尺寸等並無大的限制。例如,被加工物1也可包含以矽(Si)、砷化鎵(GaAs)、磷化鎵(GaP)等其他的半導體或陶瓷、樹脂等材料所形成的基板11。但是,基板11是如後述般,需要以比延展性材料層17所包含的延展性材料還硬的材質所形成。同樣地,元件15的種類、數量、形狀、構造、尺寸、配置等並無限制。在基板11也可不形成元件15。
在本實施方式的被加工物之加工方法中,首先,在此被加工物1的基板11側(基板11的正面11a側、與延展性材料層17為相反側)黏貼比被加工物1還大的膠膜(膠膜黏貼步驟)。圖2為表示在被加工物1黏貼有膠膜21之狀態的立體圖。
膠膜21代表性的為包含膜狀的基材21a(參照圖7等)及設置於基材21a一側之面的膠層21b,可使可見光穿透。膠膜21的基材21a是例如以聚烯烴、氯乙烯、聚對苯二甲酸乙二酯等的材料所形成,膠膜21的膠層21b是例如以丙烯酸系或橡膠系的材料所形成。若使膠膜21的膠層21b側密接於基板11的正面11a側,則膠膜21被黏貼於被加工物1。
在膠膜21的膠層21b側的外周部例如固定以不鏽鋼(SUS)或鋁等的金屬所形成的環狀的框架23。因此,被加工物1透過膠膜21而被環狀的框架23所支撐。但是,也可不使用膠膜21或框架23而加工被加工物1。
此外,也可使用不具有膠層21b的膠膜21。在此情況下,以一邊加熱一邊施加壓力的熱壓接等的方法,對基板11或框架23黏貼膠膜21。藉由使用不具有膠層21b的膠膜21,後述的切割刀片52與被加工物1之分割預定線13的對位(對準)會變得更容易。另外,從容易進行此對位的觀點來看,希望使用包含平坦之基材21a(例如,未施加壓印處理的基材21a)的膠膜21。
在將膠膜21黏貼至被加工物1後,以露出延展性材料層17的方式透過膠膜21保持被加工物1的基板11側(保持步驟)。圖3為表示在本實施方式的被加工物之加工方法中所使用的切割裝置2的立體圖。另外,在圖3中,以功能區塊表示切割裝置2之一部分的構成要素,並省略或簡化切割裝置2之一部分的構成要素。此外,在以下的說明中所使用的X軸方向(加工進給方向)、Y軸方向(分度進給方向)及Z軸方向(高度方向)互相垂直。
如圖3所示,切割裝置2具備基台4。在基台4的上表面配置X軸Y軸移動機構(加工進給機構、分度進給機構)8。X軸Y軸移動機構8具備固定於基台4的上表面且大致平行於X軸方向的一對X軸導軌10。X軸移動台12以可滑動的態樣安裝在X軸導軌10。
在X軸移動台12的下表面側設置螺帽部(未圖示),且大致平行於X軸導軌10的X軸滾珠螺桿14螺合於此螺帽部。X軸脈衝馬達16連結於X軸滾珠螺桿14的一端。若以X軸脈衝馬達16使X軸滾珠螺桿14旋轉,則X軸移動台12沿著X軸導軌10在X軸方向上移動。在X軸導軌10的旁邊配置於檢測X軸移動台12之X軸方向的位置時所使用的X軸尺標10a。
在X軸移動台12的上表面設置大致平行於Y軸方向的一對Y軸導軌20。Y軸移動台22以可滑動的態樣安裝在Y軸導軌20。圖4為表示包含切割裝置2的Y軸移動台22之一部分的立體圖。圖5為表示包含切割裝置2的Y軸移動台22之一部分的剖面圖。另外,在圖5中,為了方便說明,省略剖面的陰影線(hatching)。
如圖4及圖5所示,Y軸移動台22包含從Z軸方向觀看形狀為長方形的底板部22a。從Y軸方向觀看形狀為長方形的側板部22b之下端連接於底板部22a的Y軸方向之一端。從Z軸方向觀看形狀為與底板部22a相同之長方形的頂板部22c的Y軸方向之一端連接於側板22b的上端。亦即,在底板部22a與頂板部22c之間形成在Y軸方向的另一端及X軸方向的兩端與外部相連的空間22d。
在Y軸移動台22之底板部22a的下表面側設置螺帽部22e(圖5),大致平行於Y軸導軌20的Y軸滾珠螺桿24螺合於此螺帽部22e。Y軸脈衝馬達26連結於Y軸滾珠螺桿24的一端。
若以Y軸脈衝馬達26使Y軸滾珠螺桿24旋轉,則Y軸移動台22沿著Y軸導軌20在Y軸方向上移動。在Y軸導軌20的旁邊設置於檢測Y軸移動台22之Y軸方向的位置時所使用的Y軸尺標20a(圖1)。
在Y軸移動台22之頂板部22c的上表面側配置於保持板狀的被加工物1時所使用的保持台(卡盤台)28。此保持台28以可繞著大致平行於Z軸方向的旋轉軸旋轉之態樣而被支撐於頂板部22c。
保持台28例如包含使用以不鏽鋼為代表的金屬所形成之圓筒狀的框體30。在框體30的上部以塞住此框體30之上部側的開口部的方式設置圓盤狀的保持構件32。保持構件32具有大致平坦的上表面32a及與上表面32a相反側的下表面32b(參照圖7等),為以鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃、石英玻璃等的使可見光穿透的透明材料所構成。
如圖4所示,在保持構件32的上表面32a設置使用於吸引被加工物1的多個槽32c。包含噴射器等的吸引源(未圖示)連接於所述的槽32c,且可使此吸引源產生的負壓作用於槽32c。
保持構件32是以在除了槽32c等以外的至少一部分的區域可穿透可見光且可從保持構件32的下表面32b側拍攝配置於保持構件32的上表面32a側的被加工物1等的方式而構成。另外,在本實施方式中,雖然表示整體為以透明材料所構成的保持構件32,但保持構件32只要至少其一部分使可見光穿透即可。亦即,保持構件32可不僅以透明材料所構成。
Y軸移動台22的側板部22b側設置馬達等的驅動源34。在設置於框體30之外周的皮帶輪部30a與連結於旋轉驅動源34之旋轉軸的皮帶輪34a纏繞用於傳遞旋轉驅動源34的動力的皮帶36。因此,保持台28藉由從旋轉驅動源34透過皮帶36傳遞的力,而繞著大致平行於Z軸方向的旋轉軸旋轉。
另外,在框體30的外周部,除了皮帶輪部30a外,設置於固定環狀的框架23時所使用的多個夾具30b。多個夾具30b是以不妨礙保持台28之旋轉的態樣而被固定在框體30。此外,保持台28藉由上述的X軸Y軸移動機構8,與X軸移動台12或Y軸移動台22同時地在X軸方向或Y軸方向上移動。
如圖3所示,在基台4之上表面的不與X軸Y軸移動機構8重疊的區域設置柱狀或壁狀的支撐構造38。在支撐構造38的側面配置Z軸移動機構40。Z軸移動機構40具備固定於支撐構造38之側面且大致平行於Z軸方向的一對Z軸導軌42。
構成切割單元(加工單元)44的主軸外殼46以可滑動的態樣安裝在Z軸導軌42。在主軸外殼46的支撐構造38側的側面設置螺帽部(未圖示),且大致平行於Z軸導軌42的Z軸滾珠螺桿48螺合於此螺帽部。
Z軸脈衝馬達50連結於Z軸滾珠螺桿48的一端部。若以Z軸脈衝馬達50使Z軸滾珠螺桿48旋轉,則主軸外殼46沿著Z軸導軌42在Z軸方向上移動。在Z軸導軌42的旁邊設置於檢測主軸外殼46之Z軸方向的位置時所使用的Z軸尺標(未圖示)。
切割單元44具備作為平行於Y軸方向之旋轉軸的主軸(未圖示)。主軸藉由上述的主軸外殼46以可旋轉的狀態被支撐。主軸的前端部從主軸外殼46露出。在此前端部裝設將金剛石等的磨粒以金屬等的結合材固定而形成的切割刀片52。另一方面,馬達等的旋轉驅動源(未圖示)連結於主軸的基端側。
在切割單元44的主軸外殼46固定上部攝像單元54,用於從上方拍攝被保持台28所保持的被加工物1等。因此,此上部攝像單元54與切割單元44同時藉由Z軸移動機構40而在Z軸方向上移動。
在基台4之上表面的從X軸Y軸移動機構8於Y軸方向上離開的區域,設置柱狀或壁狀的攝像單元支撐構造56。圖6為表示包含切割裝置2的攝像單元支撐構造56之一部分的立體圖。在攝像單元支撐構造56的側面配置攝像單元移動機構58。
攝像單元移動機構58具備固定於攝像單元支撐構造56的側面且大致平行於Z軸方向的一對Z軸導軌60。Z軸移動板62以可滑動的態樣安裝於Z軸導軌60。在Z軸移動板62的攝像單元支撐構造56側的側面設置螺帽部(未圖示),大致平行於Z軸導軌60的Z軸滾珠螺桿64螺合於此螺帽部。
Z軸脈衝馬達66連結於Z軸滾珠螺桿64的一端部。若以Z軸脈衝馬達66使Z軸滾珠螺桿64旋轉,則Z軸移動板62沿著Z軸導軌60在Z軸方向上移動。在Z軸導軌60的旁邊設置於檢測Z軸移動板62之Z軸方向的位置時所使用的Z軸尺標(未圖示)。
下部攝像單元70透過在Y軸方向上長的支撐臂68而被固定於Z軸移動板62。下部攝像單元70包含:照明裝置72,對上方的被拍攝物(在本實施方式中為被加工物1)照射可見光;及攝影機74,具備接收從被拍攝物反射的光而形成影像的攝像元件。
X軸Y軸移動機構8、旋轉驅動源34、Z軸移動機構40、切割單元44、上部攝像單元54、攝像單元移動機構58、下部攝像單元70等的構成要素連接控制單元76。控制單元76例如是藉由包含CPU等之處理裝置或快閃記憶體等之記憶裝置的電腦所構成,並以適當地加工被加工物1的方式控制各構成要素的動作。控制單元76的功能是藉由遵從記憶裝置所記憶的軟體並使處理裝置運作而實現。
在保持被加工物1的基板11側時,如圖5所示,首先,使黏貼於此被加工物1之基板11側的膠膜21接觸保持台28之保持構件32的上表面32a。然後,使在吸引源產生的負壓作用於槽32c。並且以夾具30b固定框架23。藉此,被加工物1在延展性材料層17側露出於上方的狀態下被保持在保持台28。
將被加工物1的基板11側以保持台28保持後,根據從下方側拍攝被加工物1所得到的影像,檢測分割預定線13的位置,亦即,檢測使切割刀片52切入被加工物1的位置(位置檢測步驟)。圖7為表示從下方側拍攝被加工物1之態樣的剖面圖。
具體而言,以控制單元76控制X軸Y軸移動機構8及攝像單元移動機構58的動作,如圖7所示,在使保持構件32之可見光穿透的區域之下方配置下部攝像單元70。亦即,在Y軸移動台22的底板部22a與頂板部22c之間的空間22d插入下部攝像單元70。保持構件32與下部攝像單元70的位置關係會在適合拍攝被加工物1的範圍內任意地調整。
如上述,保持構件32的一部分及膠膜21使可見光穿透。因此,若從下部攝像單元70的照明裝置72朝向上方的被加工物1照射可見光,且以攝影機74的攝像元件接收以被加工物1的下表面(基板11的正面11a)反射的光,則會拍攝基板11的正面11a而形成影像。如此,在本實施方式中,透過保持構件32(保持台28)及膠膜21拍攝基板11的正面11a。
以攝影機74所得到的影像例如傳送至控制單元76。控制單元76針對從攝影機74傳送來的影像,應用圖案匹配,提取元件15之特徵的圖案等,而檢測使切割刀片52切入之分割預定線13的位置。檢測出之分割預定線13的位置被記憶於控制單元76的記憶裝置。
在檢測出分割預定線13的位置後,使已旋轉的切割刀片52切入並切割被加工物1(切割步驟)。圖8為表示切割被加工物1之情形的剖面圖。具體而言,例如以控制單元76控制旋轉驅動源34的動作,將成為加工之對象的分割預定線13大致平行於X軸方向。此外,以控制單元76控制X軸Y軸移動機構8的動作,將切割刀片52的位置對齊在成為加工之對象的分割預定線13之延長線的上方。
然後,以控制單元76控制Z軸移動機構40的動作,以切割刀片52之下端的高度成為比被加工物1之下表面(基板11的正面11a)的高度還低的方式調整切割單元44之Z軸方向的位置。之後,如圖8所示,一邊使切割刀片52旋轉,一邊以X軸Y軸移動機構8使保持台28在X軸方向(第1方向X1)上移動。亦即,使保持台28及切割刀片52在X軸方向相對地移動。
於此,使切割刀片52旋轉的方向R1設定如下,將切割刀片52相對保持台28移動的方向作為第2方向X2(與第1方向X1相反的方向),且以位於此第2方向X2之前側的切割刀片52之一部分52a從延展性材料層17朝向基板11切入。亦即,切割刀片52之一部分52a以從上方朝向下方移動的方式使切割刀片52旋轉。
若使切割刀片52往此方向R1旋轉,則即使是包含延展性材料的延展性材料層17密接於切割刀片52而被拉伸的情況,藉由切割刀片52接觸以比延展性材料更硬的材質所形成的基板11,而從切割刀片52去除密接於切割刀片52的延展性材料,而變得幾乎不會被拉伸。因此,可抑制從延展性材料層17產生毛邊。
藉由以上的步驟,切割刀片52沿著作為加工之對象的分割預定線13切入被加工物1(延展性材料層17及基板11)。其結果,在此分割預定線13切斷被加工物1。在沿著設定於被加工物1之所有的分割預定線13切斷被加工物1之前,重複所述步驟。
另外,在滿足下述條件的情況下,確認可以特別高的程度抑制從延展性材料層17產生毛邊。使用滿足條件之薄的切割刀片52,在藉由切割而去除之延展性材料層17的體積變小此點,也大幅有助於抑制產生毛邊。
基板的材質:碳化矽(SiC)
基板的厚度:50μm以上360μm以下
延展性材料層的材質:金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳(Ni)
延展性材料層的厚度:0.1μm以上30μm以下
分割預定線的間隔:0.5mm以上5mm以下
切割刀片的種類:電鑄刀片
切割刀片的厚度:15μm以上40μm以下
切割刀片所含有之磨粒的粒徑(計數):#1200以上#2000以下
切割刀片的轉數(切割刀片的圓周速):
15000rpm以上30000rpm以下
(2600m/min以上5300m/min以下)
保持台的進給速度:
在碳化矽的C面形成延展性材料層的情況,20mm/s以上100mm/s以下;在碳化矽的Si面形成延展性材料層的情況,1mm/s以上10mm/s以下
如以上,本實施方式的被加工物之加工方法中,在以露出延展性材料層17的方式透過膠膜21將被加工物1以保持台28保持後,以位在切割刀片52相對於保持台28的移動方向(第2方向X2)之前側的切割刀片52之一部分52a從延展性材料層17朝向基板11切入的方式,使切割刀片52旋轉並切割被加工物1。
因此,即使是包含延展性材料的延展性材料層17密接於切割刀片52而被拉伸的情況,藉由切割刀片52接觸以比延展性材料更硬的材質所形成的基板11,而從切割刀片52去除密接於切割刀片52的延展性材料,而變得幾乎不會被拉伸。因此,可抑制從延展性材料層17產生毛邊。
此外,本實施方式的被加工物之加工方法中,因為不需要如以雷射光束切斷延展性材料層17的情況併用切割裝置及雷射加工裝置,所以可以簡單的步驟加工被加工物1。如此,若根據本實施方式的被加工物之加工方法,則可以簡單的步驟加工被加工物1,並且可抑制從延展性材料層17產生毛邊。
另外,本發明不限定於上述實施方式的記載而可進行各種變更並實施。例如,在加工包含使用矽(Si)所形成之基板的被加工物時,滿足下述條件,藉此確認可以高的程度抑制從延展性材料層產生毛邊。使用滿足條件之薄的切割刀片,在藉由切割而去除之延展性材料層的體積變小此點,也大大有助於抑制產生毛邊。
基板的材質:矽(Si)
基板的厚度:10μm以上300μm以下
延展性材料層的材質:金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鈦(Ti)、鎳(Ni)
延展性材料層的厚度:0.1μm以上30μm以下
分割預定線的間隔:0.1mm以上5mm以下
切割刀片的種類:電鑄刀片
切割刀片的厚度: 5μm以上40μm以下
切割刀片所含有之磨粒的粒徑(計數):#1500以上#3500以下
切割刀片的轉數(切割刀片的圓周速):
15000rpm以上60000rpm以下
(2600m/min以上10500m/min以下)
保持台的進給速度:30mm/s以上200mm/s以下
此外,在上述實施方式中,雖然說明以切割刀片52切斷被加工物1的例子,但即使是以切割刀片半切斷被加工物的情況,也適用本發明的被加工物之加工方法。在此情況下,只要以切割刀片之下端的高度比被加工物之下表面(基板的正面)的高度還高,且以比基板與延展性材料層之界面(基板的背面)的高度還低的方式,調整切割單元之Z軸方向的位置即可。
此外,在上述實施方式中,雖然說明將包含作為延展性材料層17之金屬膜的被加工物1加工的例子,但被加工物所包含的延展性材料層只要包含相較於基板的材質具有延展性之延展性材料,也可不為金屬膜。例如,延展性材料層有時為使用樹脂所形成之樹脂膜等。此外,延展性材料層也可設置於基板的正面側。
另外,上述的實施方式或變形例之構造、方法等,在不脫離本發明目的之範圍可適當變更而實施。
1:被加工物
11:基板
11a:正面
11b:背面
13:分割預定線(切割道)
15:元件
17:延展性材料層
21:膠膜
21a:基材
21b:膠層
23:框架
2:切割裝置
4:基台
8:X軸Y軸移動機構
10:X軸導軌
10a:X軸尺標
12:X軸移動台
14:X軸滾珠螺桿
16:X軸脈衝馬達
20:Y軸脈衝馬達
20a:Y軸尺標
22:Y軸移動台
22a:底板部
22b:側板部
22c:頂板部
22d:空間
22e:螺帽部
24:Y軸滾珠螺桿
26:Y軸脈衝馬達
28:保持台
30:框體
30a:皮帶輪部
30b:夾具
32:保持構件
32a:上表面
32b:下表面
32c:槽
34:旋轉驅動源
34a:皮帶輪
36:皮帶
38:支撐構造
40:Z軸移動機構
42:Z軸導軌
44:切割單元
46:主軸外殼
48:Z軸滾珠螺桿
50:Z軸脈衝馬達
52:切割刀片
52a:切割刀片之一部分
54:上部攝像單元
56:攝像單元支撐構造
58:攝像單元移動機構
60:Z軸導軌
62:Z軸移動板
64:Z軸滾珠螺桿
66:Z軸脈衝馬達
68:支撐臂
70:下部攝像單元
72:照明裝置
74:攝影機
76:控制單元
圖1為表示被加工物的立體圖。
圖2為表示在被加工物黏貼有膠膜之狀態的立體圖。
圖3為表示切割裝置的立體圖。
圖4為表示切割裝置之一部分的立體圖。
圖5為表示切割裝置之一部分的剖面圖。
圖6為表示切割裝置之一部分的立體圖。
圖7為表示從下方側拍攝被加工物之態樣的剖面圖。
圖8為表示切割被加工物之情形的剖面圖。
1:被加工物
11:基板
11a:正面
11b:背面
15:元件
17:延展性材料層
21:膠膜
21a:基材
21b:膠層
32:保持構件
32a:上表面
32b:下表面
52:切割刀片
52a:切割刀片之一部分
Claims (4)
- 一種被加工物之加工方法,在加工被加工物時所使用,該被加工物具備:基板,具有正面及背面;以及延展性材料層,包含具有延展性的延展性材料且設置於該基板的該正面或該背面;該被加工物之加工方法包含:膠膜黏貼步驟,將膠膜黏貼於該被加工物的該基板側;保持步驟,以露出該延展性材料層的方式透過該膠膜而以保持台保持該被加工物;切割步驟,在實施該保持步驟後,藉由使該保持台及切割刀片相對地移動並使該切割刀片切入該延展性材料層及該基板而切割該被加工物;以及位置檢測步驟,在實施該保持步驟後,於實施該切割步驟前,基於透過該保持台及該膠膜而利用可見光拍攝該基板所得到的影像,檢測使該切割刀片切入的位置;在該切割步驟中,以位在該切割刀片相對於該保持台的移動方向之前側的該切割刀片的一部分從該延展性材料層朝向該基板切入的方式使該切割刀片旋轉。
- 如請求項1之被加工物之加工方法,其中,在該膠膜黏貼步驟中,以一邊加熱一邊施加壓力的方法,將不具有膠層的該膠膜黏貼至該被加工物的該基板側。
- 如請求項2之被加工物之加工方法,其中,該被加工物包含:該基板,於該正面側設置有多個元件;以及該延展性材料層,設置於該基板的背面;該延展性材料層是由金屬膜所組成。
- 如請求項1至3中任一項之被加工物之加工方法,其中,該被加工物包含由碳化矽所組成的該基板。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019-189674 | 2019-10-16 | ||
JP2019189674A JP7325911B2 (ja) | 2019-10-16 | 2019-10-16 | 被加工物の加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202117823A TW202117823A (zh) | 2021-05-01 |
TWI841795B true TWI841795B (zh) | 2024-05-11 |
Family
ID=75268753
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109135328A TWI841795B (zh) | 2019-10-16 | 2020-10-13 | 被加工物之加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11587831B2 (zh) |
JP (1) | JP7325911B2 (zh) |
KR (1) | KR20210045304A (zh) |
CN (1) | CN112670241A (zh) |
DE (1) | DE102020213010A1 (zh) |
SG (1) | SG10202009269TA (zh) |
TW (1) | TWI841795B (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6925554B1 (ja) * | 2020-06-30 | 2021-08-25 | 株式会社イノアック技術研究所 | ポリウレア発泡体 |
KR102592506B1 (ko) * | 2023-06-27 | 2023-10-23 | 주식회사 별랑 | 피가공물의 보호비닐 끝단부 트림방법 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201135111A (en) * | 2009-12-15 | 2011-10-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Pipe support structure |
TW201340191A (zh) * | 2012-03-22 | 2013-10-01 | Alpha & Omega Semiconductor | 一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法 |
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
TW201826358A (zh) * | 2016-09-09 | 2018-07-16 | 日商迪思科股份有限公司 | 積層晶圓的加工方法 |
TW201838013A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-16 | 日商迪思科股份有限公司 | 板狀被加工物的加工方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2861264B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1999-02-24 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5128897B2 (ja) | 2007-10-23 | 2013-01-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
KR20090072980A (ko) * | 2007-12-28 | 2009-07-02 | 서울옵토디바이스주식회사 | 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
JP2011035111A (ja) | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Disco Abrasive Syst Ltd | 金属層付きチップの製造方法 |
JP2016004831A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | パッケージ基板の切削方法 |
JP6495056B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-04-03 | 株式会社ディスコ | 単結晶基板の加工方法 |
JP6739873B2 (ja) | 2016-11-08 | 2020-08-12 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP7169061B2 (ja) | 2017-11-29 | 2022-11-10 | 株式会社ディスコ | 切削方法 |
-
2019
- 2019-10-16 JP JP2019189674A patent/JP7325911B2/ja active Active
-
2020
- 2020-09-15 KR KR1020200118030A patent/KR20210045304A/ko unknown
- 2020-09-21 SG SG10202009269TA patent/SG10202009269TA/en unknown
- 2020-10-08 US US17/065,909 patent/US11587831B2/en active Active
- 2020-10-12 CN CN202011083265.4A patent/CN112670241A/zh active Pending
- 2020-10-13 TW TW109135328A patent/TWI841795B/zh active
- 2020-10-15 DE DE102020213010.8A patent/DE102020213010A1/de active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201135111A (en) * | 2009-12-15 | 2011-10-16 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Pipe support structure |
TW201340191A (zh) * | 2012-03-22 | 2013-10-01 | Alpha & Omega Semiconductor | 一種支援從晶圓背面實施切割的晶片封裝方法 |
JP2017228660A (ja) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | 株式会社デンソー | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
TW201826358A (zh) * | 2016-09-09 | 2018-07-16 | 日商迪思科股份有限公司 | 積層晶圓的加工方法 |
TW201838013A (zh) * | 2017-04-04 | 2018-10-16 | 日商迪思科股份有限公司 | 板狀被加工物的加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102020213010A1 (de) | 2021-04-22 |
US20210118735A1 (en) | 2021-04-22 |
TW202117823A (zh) | 2021-05-01 |
SG10202009269TA (en) | 2021-05-28 |
CN112670241A (zh) | 2021-04-16 |
US11587831B2 (en) | 2023-02-21 |
JP2021062458A (ja) | 2021-04-22 |
KR20210045304A (ko) | 2021-04-26 |
JP7325911B2 (ja) | 2023-08-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9490171B2 (en) | Wafer processing method | |
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005019525A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
TWI841795B (zh) | 被加工物之加工方法 | |
TWI790395B (zh) | 載板的去除方法 | |
JP4833657B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007242787A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
KR20180050225A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2017103406A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2020088068A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
JP2018088492A (ja) | 被加工物の固定方法、及び被加工物の加工方法 | |
CN111463162A (zh) | 载体板的去除方法 | |
JP2018041896A (ja) | 積層ウェーハの加工方法 | |
TW202032701A (zh) | 卡盤台 | |
JP2009032726A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5508108B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN117334641A (zh) | 器件晶片的加工方法和加工装置 | |
JP6401009B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2014013807A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2019186491A (ja) | 被加工物の加工方法 | |
KR20170000330A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2007005366A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005101182A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
TW202437345A (zh) | 貼合晶圓之加工方法 | |
TW202437365A (zh) | 貼合晶圓之加工方法 |