JP7325911B2 - 被加工物の加工方法 - Google Patents

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Description

本発明は、基板と延性材層とを含む被加工物を加工する際に用いられる被加工物の加工方法に関する。
携帯電話機やパーソナルコンピュータに代表される電子機器では、電子回路等のデバイスを備えるデバイスチップが必須の構成要素になっている。デバイスチップは、例えば、シリコン等の半導体材料でなるウェーハの表面側を分割予定ライン（ストリート）で複数の領域に区画し、各領域にデバイスを形成した後、このウェーハを分割予定ラインで分割することにより得られる。
近年では、デバイスチップに求められる様々な機能を実現するために、銅等の金属でなる膜（以下、金属膜）をウェーハの裏面に設ける機会が増えている。ウェーハと金属膜とを含むこのような被加工物を分割する際には、例えば、被加工物の金属膜側にテープを貼付し、ウェーハが露出するように被加工物の金属膜側（テープ）を保持する。その後、ウェーハ側から金属膜側へと切り込むような向きに回転させた切削ブレードで被加工物を切削すれば、被加工物を切断して複数のデバイスチップへと分割できる。
ところで、上述の方法では、回転する切削ブレードによって、延性のある金属でなる金属膜がテープ側へと引き延ばされ、この金属膜からバリと呼ばれる金属の突起が発生し易い。バリは、例えば、デバイスチップをプリント基板へと実装する際に端子間の短絡等の不良が発生する原因になるので、金属膜を含む被加工物を分割する際には、バリの発生を十分に抑制する必要がある。
このような課題を解決するために、レーザービームを照射して金属膜を切断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この方法では、切削ブレードが金属膜に切り込まない条件で被加工物をウェーハ側から切削した後に、レーザービームを照射して金属膜を切断する。つまり、金属膜の切断に切削ブレードを使用しないので、回転する切削ブレードとの接触に起因して金属膜からバリが発生することもない。
特開２０１８－７８１６２号公報
しかしながら、金属膜をレーザービームで切断する上述のような方法では、切削装置とレーザー加工装置とを併用しなくてはならないので、設備や工程が煩雑になり易いという問題があった。設備や工程が煩雑になると、被加工物の加工に要するコストも高くなってしまう。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウェーハ等の基板と金属膜等の延性材層とを含む被加工物を簡単な工程で加工でき、かつ、延性材層からのバリの発生を抑制できる被加工物の加工方法を提供することである。
本発明の一態様によれば、表面及び裏面を有する基板と、延性のある延性材を含み該基板の該表面又は該裏面に設けられた延性材層と、を備えた被加工物を加工する際に用いられる被加工物の加工方法であって、該被加工物の該基板側にテープを貼付するテープ貼付ステップと、該延性材層が露出するように該テープを介して該被加工物を保持テーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該保持テーブルと切削ブレードとを相対的に移動させて該延性材層と該基板とに該切削ブレードを切り込ませることによって該被加工物を切削する切削ステップと、該保持ステップを実施した後、該切削ステップを実施する前に、該保持テーブルと該テープとを介して該基板を可視光で撮像して得られる画像に基づき該切削ブレードを切り込ませる位置を検出する位置検出ステップと、を含み、該切削ステップでは、該保持テーブルに対する該切削ブレードの移動方向の前方側に位置する該切削ブレードの一部が該延性材層から該基板に向かって切り込むように該切削ブレードを回転させる被加工物の加工方法が提供される。
本発明の一態様において、該テープ貼付ステップでは、糊層を持たない該テープを、加熱しながら圧力を掛ける方法で該被加工物の該基板側に貼付することが好ましい。
また、本発明の一態様において、該被加工物は、該表面側に複数のデバイスが設けられた該基板と、該基板の裏面に設けられた該延性材層と、を含み、該延性材層は、金属膜からなることがある。
また、本発明の一態様において、該被加工物は、炭化珪素からなる該基板を含むことがある。
本発明の一態様にかかる被加工物の加工方法では、延性材層が露出するようにテープを介して被加工物を保持テーブルで保持した後に、保持テーブルに対する切削ブレードの移動方向の前方側に位置する切削ブレードの一部が延性材層から基板に向かって切り込むように切削ブレードを回転させて被加工物を切削する。
そのため、延性材を含む延性材層が切削ブレードに密着して引き延ばされるような状況でも、延性材より硬い材質で形成される基板に切削ブレードが接触することによって、切削ブレードに密着した延性材が切削ブレードから除去され、殆ど引き延ばされなくなる。これにより、延性材層からのバリの発生を抑制できる。
また、本発明の一態様にかかる被加工物の加工方法では、延性材層をレーザービームで切断する場合のように切削装置とレーザー加工装置とを併用する必要がないので、被加工物を簡単な工程で加工できる。このように、本発明の一態様にかかる被加工物の加工方法によれば、被加工物を簡単な工程で加工でき、かつ、延性材層からのバリの発生を抑制できる。
図１は、被加工物を示す斜視図である。 図２は、被加工物にテープが貼付された状態を示す斜視図である。 図３は、切削装置を示す斜視図である。 図４は、切削装置の一部を示す斜視図である。 図５は、切削装置の一部を示す断面図である。 図６は、切削装置の一部を示す斜視図である。 図７は、被加工物を下方側から撮像する様子を示す断面図である。 図８は、被加工物を切削する様子を示す断面図である。
添付図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。図１は、本実施形態にかかる被加工物の加工方法で加工される被加工物１を示す斜視図である。図１に示すように、本実施形態の被加工物１は、炭化珪素（ＳｉＣ）等の半導体材料を用いて円盤状に形成された基板（ウェーハ）１１を含む。
基板１１は、互いに交差する複数の分割予定ライン（ストリート）１３によって複数の小領域に区画されており、各小領域には、電力の制御に用いられるインバータやコンバータ等のデバイス（パワーデバイス）１５が形成されている。なお、このデバイス１５のパターンは、例えば、基板１１の表面１１ａ側から識別できるように構成されている。
基板１１の表面１１ａとは反対の裏面１１ｂ側には、金属等の延性材を含む延性材層１７が設けられている。延性材層１７は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属を用いて０．１μｍ～３０μｍ程度の厚みに形成された金属膜であり、ヒートシンクやダイアタッチ剤（接着剤）等として機能する。
この延性材層１７は、基板１１の表面１１ａ側又は裏面１１ｂ側から見て分割予定ライン１３と重なる領域にも形成されている。なお、延性材層１７は、上述のような金属を含む合金によって形成される１層の金属膜でも良い。また、延性材層１７は、それぞれが１種類の金属又は合金によって形成される複数の金属膜を重ねた積層構造を有していても良い。
なお、本実施形態の被加工物１は、炭化珪素等を用いて形成される円盤状の基板１１を含むが、この基板１１の材質、形状、構造、大きさ等に大きな制限はない。例えば、被加工物１は、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、ガリウムリン（ＧａＰ）等の他の半導体や、セラミックス、樹脂等の材料で形成される基板１１を含んでいても良い。ただし、基板１１は、後述のように、延性材層１７に含まれる延性材より硬い材質で形成される必要がある。同様に、デバイス１５の種類、数量、形状、構造、大きさ、配置等にも制限はない。基板１１には、デバイス１５が形成されていなくても良い。
本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、まず、この被加工物１の基板１１側（基板１１の表面１１ａ側、延性材層１７とは反対側）に、被加工物１より大きなテープを貼付する（テープ貼付ステップ）。図２は、被加工物１にテープ２１が貼付された状態を示す斜視図である。
テープ２１は、代表的には、フィルム状の基材２１ａ（図７等参照）と、基材２１ａの一方の面に設けられた糊層２１ｂと、を含み、可視光を透過させることができる。テープ２１の基材２１ａは、例えば、ポリオレフィン、塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート等の材料で形成され、テープ２１の糊層２１ｂは、例えば、アクリル系やゴム系の材料で形成される。テープ２１の糊層２１ｂ側を基板１１の表面１１ａ側に密着させれば、テープ２１は被加工物１に貼付される。
テープ２１の糊層２１ｂ側の外周部には、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）やアルミニウム等の金属で形成された環状のフレーム２３が固定される。そのため、被加工物１は、テープ２１を介して環状のフレーム２３に支持される。ただし、テープ２１やフレーム２３を用いずに被加工物１を加工することも可能である。
また、糊層２１ｂを持たないテープ２１を使用しても良い。この場合には、加熱しながら圧力を掛ける熱圧着等の方法で、基板１１やフレーム２３に対してテープ２１を貼付することになる。糊層２１ｂを持たないテープ２１を使用することによって、後述する切削ブレード５２と被加工物１の分割予定ライン１３との位置合わせ（アライメント）がより容易になる。なお、この位置合わせを容易にするという観点からは、平坦な基材２１ａ（例えば、エンボス処理がされていない基材２１ａ）を含むテープ２１を用いることが望ましい。
被加工物１にテープ２１を貼付した後には、延性材層１７が露出するようにテープ２１を介して被加工物１の基板１１側を保持する（保持ステップ）。図３は、本実施形態にかかる被加工物の加工方法で用いられる切削装置２を示す斜視図である。なお、図３では、切削装置２の一部の構成要素が機能ブロックで示されており、切削装置２の一部の構成要素が省略又は簡略化されている。また、以下の説明で用いられるＸ軸方向（加工送り方向）、Ｙ軸方向（割り出し送り方向）、及びＺ軸方向（高さ方向）は、互いに垂直である。
図３に示すように、切削装置２は、基台４を備えている。基台４の上面には、Ｘ軸Ｙ軸移動機構（加工送り機構、割り出し送り機構）８が配置されている。Ｘ軸Ｙ軸移動機構８は、基台４の上面に固定されＸ軸方向に概ね平行な一対のＸ軸ガイドレール１０を備えている。Ｘ軸ガイドレール１０には、Ｘ軸移動テーブル１２がスライドできる態様で取り付けられている。
Ｘ軸移動テーブル１２の下面側には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｘ軸ガイドレール１０に概ね平行なＸ軸ボールネジ１４が螺合されている。Ｘ軸ボールネジ１４の一端には、Ｘ軸パルスモータ１６が連結されている。Ｘ軸パルスモータ１６でＸ軸ボールネジ１４を回転させれば、Ｘ軸移動テーブル１２は、Ｘ軸ガイドレール１０に沿ってＸ軸方向に移動する。Ｘ軸ガイドレール１０の傍には、Ｘ軸移動テーブル１２のＸ軸方向の位置を検出する際に使用されるＸ軸スケール１０ａが配置されている。
Ｘ軸移動テーブル１２の上面には、Ｙ軸方向に概ね平行な一対のＹ軸ガイドレール２０が設けられている。Ｙ軸ガイドレール２０には、Ｙ軸移動テーブル２２がスライドできる態様で取り付けられている。図４は、切削装置２のＹ軸移動テーブル２２を含む一部を示す斜視図であり、図５は、切削装置２のＹ軸移動テーブル２２を含む一部を示す断面図である。なお、図５では、説明の便宜上、断面のハッチングを省略している。
図４及び図５に示すように、Ｙ軸移動テーブル２２は、Ｚ軸方向から見た形状が長方形である底板部２２ａを含んでいる。底板部２２ａのＹ軸方向の一端には、Ｙ軸方向から見た形状が長方形である側板部２２ｂの下端が接続されている。側板部２２ｂの上端には、Ｚ軸方向から見た形状が底板部２２ａと同様の長方形である天板部２２ｃのＹ軸方向の一端が接続されている。すなわち、底板部２２ａと天板部２２ｃとの間には、Ｙ軸方向の他端及びＸ軸方向の両端で外部と繋がる空間２２ｄが形成されている。
Ｙ軸移動テーブル２２の底板部２２ａの下面側には、ナット部２２ｅ（図５）が設けられており、このナット部２２ｅには、Ｙ軸ガイドレール２０に概ね平行なＹ軸ボールネジ２４が螺合されている。Ｙ軸ボールネジ２４の一端には、Ｙ軸パルスモータ２６が連結されている。
Ｙ軸パルスモータ２６でＹ軸ボールネジ２４を回転させれば、Ｙ軸移動テーブル２２は、Ｙ軸ガイドレール２０に沿ってＹ軸方向に移動する。Ｙ軸ガイドレール２０の傍には、Ｙ軸移動テーブル２２のＹ軸方向の位置を検出する際に使用されるＹ軸スケール２０ａ（図１）が設けられている。
Ｙ軸移動テーブル２２の天板部２２ｃの上面側には、板状の被加工物１を保持する際に使用される保持テーブル（チャックテーブル）２８が配置されている。この保持テーブル２８は、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転できる態様で天板部２２ｃに支持される。
保持テーブル２８は、例えば、ステンレスに代表される金属を用いて形成された円筒状の枠体３０を含む。枠体３０の上部には、この枠体３０の上部側の開口部を塞ぐように、円盤状の保持部材３２が設けられている。保持部材３２は、概ね平坦な上面３２ａと、上面３２ａとは反対側の下面３２ｂ（図７等参照）と、を有し、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス等の可視光を透過させる透明材で構成される。
図４に示すように、保持部材３２の上面３２ａには、被加工物１の吸引に使用される複数の溝３２ｃが設けられている。これらの溝３２ｃには、エジェクタ等を含む吸引源（不図示）が接続されており、この吸引源で発生する負圧を溝３２ｃに作用させることができる。
保持部材３２は、溝３２ｃ等を除いた少なくとも一部の領域で可視光を透過し、保持部材３２の上面３２ａ側に配置される被加工物１等を、保持部材３２の下面３２ｂ側から撮像できるように構成されている。なお、本実施形態では、全体が透明材で構成された保持部材３２を示しているが、保持部材３２は、少なくともその一部が可視光を透過させれば良い。つまり、保持部材３２は、透明材のみで構成されなくても良い。
Ｙ軸移動テーブル２２の側板部２２ｂには、モータ等の回転駆動源３４が設けられている。枠体３０の外周に設けられたプーリー部３０ａと、回転駆動源３４の回転軸に連結されたプーリー３４ａとには、回転駆動源３４の動力を伝達するためのベルト３６が掛けられている。そのため、保持テーブル２８は、回転駆動源３４からベルト３６を介して伝達される力によって、Ｚ軸方向に概ね平行な回転軸の周りに回転する。
なお、枠体３０の外周部には、プーリー部３０ａの他に、環状のフレーム２３を固定する際に使用される複数のクランプ３０ｂが設けられている。複数のクランプ３０ｂは、保持テーブル２８の回転を阻害しない態様で枠体３０に固定されている。また、保持テーブル２８は、上述したＸ軸Ｙ軸移動機構８によって、Ｘ軸移動テーブル１２やＹ軸移動テーブル２２とともに、Ｘ軸方向やＹ軸方向に移動する。
図３に示すように、基台４の上面のＸ軸Ｙ軸移動機構８と重ならない領域には、柱状又は壁状の支持構造３８が設けられている。支持構造３８の側面には、Ｚ軸移動機構４０が配置されている。Ｚ軸移動機構４０は、支持構造３８の側面に固定されＺ軸方向に概ね平行な一対のＺ軸ガイドレール４２を備えている。
Ｚ軸ガイドレール４２には、切削ユニット（加工ユニット）４４を構成するスピンドルハウジング４６がスライドできる態様で取り付けられている。スピンドルハウジング４６の支持構造３８側の側面には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール４２に概ね平行なＺ軸ボールネジ４８が螺合されている。
Ｚ軸ボールネジ４８の一端部には、Ｚ軸パルスモータ５０が連結されている。Ｚ軸パルスモータ５０でＺ軸ボールネジ４８を回転させれば、スピンドルハウジング４６は、Ｚ軸ガイドレール４２に沿ってＺ軸方向に移動する。Ｚ軸ガイドレール４２の傍には、スピンドルハウジング４６のＺ軸方向の位置を検出する際に使用されるＺ軸スケール（不図示）が設けられている。
切削ユニット４４は、Ｙ軸方向に平行な回転軸となるスピンドル（不図示）を備えている。スピンドルは、上述したスピンドルハウジング４６によって回転できる状態で支持される。スピンドルの先端部は、スピンドルハウジング４６から露出している。このスピンドルの先端部には、ダイヤモンド等の砥粒を金属等の結合材で固定してなる切削ブレード５２が装着されている。一方、スピンドルの基端側には、モータ等の回転駆動源（不図示）が連結されている。
切削ユニット４４のスピンドルハウジング４６には、保持テーブル２８によって保持される被加工物１等を上方から撮像するための上部撮像ユニット５４が固定されている。よって、この上部撮像ユニット５４は、切削ユニット４４とともに、Ｚ軸移動機構４０によってＺ軸方向に移動する。
基台４の上面のＸ軸Ｙ軸移動機構８からＹ軸方向に離れた領域には、柱状又は壁状の撮像ユニット支持構造５６が設けられている。図６は、切削装置２の撮像ユニット支持構造５６を含む一部を示す斜視図である。撮像ユニット支持構造５６の側面には、撮像ユニット移動機構５８が配置されている。
撮像ユニット移動機構５８は、撮像ユニット支持構造５６の側面に固定されＺ軸方向に概ね平行な一対のＺ軸ガイドレール６０を備えている。Ｚ軸ガイドレール６０には、Ｚ軸移動プレート６２がスライドできる態様で取り付けられている。Ｚ軸移動プレート６２の撮像ユニット支持構造５６側の側面には、ナット部（不図示）が設けられており、このナット部には、Ｚ軸ガイドレール６０に概ね平行なＺ軸ボールネジ６４が螺合されている。
Ｚ軸ボールネジ６４の一端部には、Ｚ軸パルスモータ６６が連結されている。Ｚ軸パルスモータ６６でＺ軸ボールネジ６４を回転させれば、Ｚ軸移動プレート６２は、Ｚ軸ガイドレール６０に沿ってＺ軸方向に移動する。Ｚ軸ガイドレール６０の傍には、Ｚ軸移動プレート６２のＺ軸方向の位置を検出する際に使用されるＺ軸スケール（不図示）が設けられている。
Ｚ軸移動プレート６２には、Ｙ軸方向に長い支持アーム６８を介して下部撮像ユニット７０が固定されている。下部撮像ユニット７０は、上方の被写体（本実施形態では、被加工物１）に対して可視光を照射する照明装置７２と、被写体から反射した光を受けて画像を形成する撮像素子を備えたカメラ７４と、を含んでいる。
Ｘ軸Ｙ軸移動機構８、回転駆動源３４、Ｚ軸移動機構４０、切削ユニット４４、上部撮像ユニット５４、撮像ユニット移動機構５８、下部撮像ユニット７０等の構成要素には、制御ユニット７６が接続されている。制御ユニット７６は、例えば、ＣＰＵ等の処理装置やフラッシュメモリ等の記憶装置を含むコンピュータによって構成され、被加工物１が適切に加工されるように各構成要素の動作を制御する。制御ユニット７６の機能は、記憶装置に記憶されるソフトウェアに従い処理装置を動作させることによって実現される。
被加工物１の基板１１側を保持する際には、図５に示すように、まず、この被加工物１の基板１１側に貼付されているテープ２１を、保持テーブル２８の保持部材３２の上面３２ａに接触させる。そして、吸引源で発生する負圧を溝３２ｃに作用させる。併せて、クランプ３０ｂでフレーム２３を固定する。これにより、被加工物１は、延性材層１７側が上方に露出した状態で保持テーブル２８に保持される。
被加工物１の基板１１側を保持テーブル２８で保持した後には、被加工物１を下方側から撮像して得られる画像に基づき、分割予定ライン１３の位置、つまり、切削ブレード５２を被加工物１に切り込ませる位置を検出する（位置検出ステップ）。図７は、被加工物１を下方側から撮像する様子を示す断面図である。
具体的には、制御ユニット７６でＸ軸Ｙ軸移動機構８及び撮像ユニット移動機構５８の動作を制御して、図７に示すように、保持部材３２の可視光を透過させる領域の下方に下部撮像ユニット７０を配置する。すなわち、Ｙ軸移動テーブル２２の底板部２２ａと天板部２２ｃとの間の空間２２ｄに下部撮像ユニット７０を挿入する。保持部材３２と下部撮像ユニット７０との位置関係は、被加工物１の撮像に適した範囲内で任意に調整される。
上述の通り、保持部材３２の一部及びテープ２１は可視光を透過させる。よって、下部撮像ユニット７０の照明装置７２から上方の被加工物１に向けて可視光を照射し、被加工物１の下面（基板１１の表面１１ａ）で反射する光をカメラ７４の撮像素子で受ければ、基板１１の表面１１ａを撮像して画像を形成できる。このように、本実施形態では、保持部材３２（保持テーブル２８）とテープ２１とを介して基板１１の表面１１ａが撮像される。
カメラ７４で得られた画像は、例えば、制御ユニット７６へと送られる。制御ユニット７６は、カメラ７４から送られた画像に対して、デバイス１５の特徴的なパターン等を抽出するパターンマッチングを適用し、切削ブレード５２を切り込ませる分割予定ライン１３の位置を検出する。検出された分割予定ライン１３の位置は、制御ユニット７６の記憶装置に記憶される。
分割予定ライン１３の位置が検出された後には、回転させた切削ブレード５２を切り込ませて被加工物１を切削する（切削ステップ）。図８は、被加工物１を切削する様子を示す断面図である。具体的には、例えば、制御ユニット７６で回転駆動源３４の動作を制御して、加工の対象となる分割予定ライン１３をＸ軸方向に概ね平行にする。また、制御ユニット７６でＸ軸Ｙ軸移動機構８の動作を制御して、加工の対象となる分割予定ライン１３の延長線の上方に切削ブレード５２の位置を合わせる。
そして、制御ユニット７６でＺ軸移動機構４０の動作を制御して、切削ブレード５２の下端の高さが被加工物１の下面（基板１１の表面１１ａ）の高さよりも低くなるように切削ユニット４４のＺ軸方向の位置を調整する。その後、図８に示すように、切削ブレード５２を回転させながら、Ｘ軸Ｙ軸移動機構８で保持テーブル２８をＸ軸方向（第１方向Ｘ１）に移動させる。すなわち、保持テーブル２８と切削ブレード５２とをＸ軸方向に相対的に移動させる。
ここで、切削ブレード５２を回転させる方向Ｒ１は、保持テーブル２８に対する切削ブレード５２が移動する方向を第２方向Ｘ２（第１方向Ｘ１とは反対の方向）として、この第２方向Ｘ２の前方側に位置する切削ブレード５２の一部５２ａが延性材層１７から基板１１に向かって切り込むように設定される。すなわち、切削ブレード５２の一部５２ａが上方から下方に向かって移動するように切削ブレード５２を回転させる。
切削ブレード５２をこのような方向Ｒ１に回転させると、延性材を含む延性材層１７が切削ブレード５２に密着して引き延ばされるような状況でも、延性材より硬い材質で形成される基板１１に切削ブレード５２が接触することによって、切削ブレード５２に密着した延性材が切削ブレード５２から除去され、殆ど引き延ばされなくなる。よって、延性材層１７からのバリの発生を抑制できる。
以上の手順により、加工の対象となる分割予定ライン１３に沿って被加工物１（延性材層１７及び基板１１）に切削ブレード５２が切り込まれる。その結果、この分割予定ライン１３で被加工物１が切断される。この手順は、被加工物１に設定される全ての分割予定ライン１３に沿って被加工物１が切断されるまで繰り返される。
なお、次の条件を満たす場合には、延性材層１７からのバリの発生を特に高いレベルで抑制できることを確認している。条件を満たすような薄い切削ブレード５２の使用は、切削によって除去される延性材層１７の体積が小さくなるという点でも、バリの発生の抑制に大きく寄与する。
基板の材質：炭化珪素（ＳｉＣ）
基板の厚み：５０μｍ以上３６０μｍ以下
延性材層の材質：金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）
延性材層の厚み：０．１μｍ以上３０μｍ以下
分割予定ラインの間隔：０．５ｍｍ以上５ｍｍ以下
切削ブレードの種類：電鋳ブレード
切削ブレードの厚み：１５μｍ以上４０μｍ以下
切削ブレードに含まれる砥粒の粒径（番手）：♯１２００以上♯２０００以下
切削ブレードの回転数（切削ブレードの周速）
：１５０００ｒｐｍ以上３００００ｒｐｍ以下
（２６００ｍ／ｍｉｎ以上５３００ｍ／ｍｉｎ以下）
保持テーブルの送り速度
：炭化珪素のＣ面に延性材層が形成されている場合、２０ｍｍ／ｓ以上１００ｍｍ／ｓ以下、炭化珪素のＳｉ面に延性材層が形成されている場合、１ｍｍ／ｓ以上１０ｍｍ／ｓ以下
以上のように、本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、延性材層１７が露出するようにテープ２１を介して被加工物１を保持テーブル２８で保持した後に、保持テーブル２８に対する切削ブレード５２の移動方向（第２方向Ｘ２）の前方側に位置する切削ブレード５２の一部５２ａが延性材層１７から基板１１に向かって切り込むように切削ブレード５２を回転させて被加工物１を切削する。
そのため、延性材を含む延性材層１７が切削ブレード５２に密着して引き延ばされるような状況でも、延性材より硬い材質で形成される基板１１に切削ブレード５２が接触することによって、切削ブレード５２に密着した延性材が切削ブレード５２から除去され、殆ど引き延ばされなくなる。これにより、延性材層１７からのバリの発生を抑制できる。
また、本実施形態にかかる被加工物の加工方法では、延性材層１７をレーザービームで切断する場合のように切削装置とレーザー加工装置とを併用する必要がないので、被加工物１を簡単な工程で加工できる。このように、本実施形態にかかる被加工物の加工方法によれば、被加工物１を簡単な工程で加工でき、かつ、延性材層１７からのバリの発生を抑制できる。
なお、本発明は、上述した実施形態の記載に制限されず種々変更して実施可能である。例えば、シリコン（Ｓｉ）を用いて形成される基板を含む被加工物を加工する場合には、次の条件を満たすことで、延性材層からのバリの発生を高いレベルで抑制できることが確認された。条件を満たすような薄い切削ブレードの使用は、切削によって除去される延性材層の体積が小さくなるという点でも、バリの発生の抑制に大きく寄与している。
基板の材質：シリコン（Ｓｉ）
基板の厚み：１０μｍ以上３００μｍ以下
延性材層の材質：金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）
延性材層の厚み：０．１μｍ以上３０μｍ以下
分割予定ラインの間隔：０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下
切削ブレードの種類：電鋳ブレード
切削ブレードの厚み：５μｍ以上４０μｍ以下
切削ブレードに含まれる砥粒の粒径（番手）：♯１５００以上♯３５００以下
切削ブレードの回転数（切削ブレードの周速）
：１５０００ｒｐｍ以上６００００ｒｐｍ以下
（２６００ｍ／ｍｉｎ以上１０５００ｍ／ｍｉｎ以下）
保持テーブルの送り速度：３０ｍｍ／ｓ以上２００ｍｍ／ｓ以下
また、上述した実施形態では、切削ブレード５２で被加工物１を切断する例について説明したが、切削ブレードで被加工物をハーフカットする場合にも、本発明にかかる被加工物の加工方法を適用できる。この場合には、切削ブレードの下端の高さが被加工物の下面（基板の表面）の高さよりも高く、基板と延性材層との界面（基板の裏面）の高さより低くなるように切削ユニットのＺ軸方向の位置を調整すれば良い。
また、上述した実施形態では、延性材層１７として金属膜を含む被加工物１を加工する例について説明したが、被加工物に含まれる延性材層は、基板の材質に比べて延性のある延性材を含んでいれば金属膜でなくて良い。例えば、延性材層は、樹脂を用いて形成される樹脂膜等の場合がある。また、延性材層は、基板の表面側に設けられても良い。
その他、上述した実施形態や変形例にかかる構造、方法等は、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施できる。
１ ：被加工物
１１ ：基板
１１ａ ：表面
１１ｂ ：裏面
１３ ：分割予定ライン（ストリート）
１５ ：デバイス
１７ ：延性材層
２１ ：テープ
２１ａ ：基材
２１ｂ ：糊層
２３ ：フレーム
２ ：切削装置
４ ：基台
８ ：Ｘ軸Ｙ軸移動機構
１０ ：Ｘ軸ガイドレール
１０ａ ：Ｘ軸スケール
１２ ：Ｘ軸移動テーブル
１４ ：Ｘ軸ボールネジ
１６ ：Ｘ軸パルスモータ
２０ ：Ｙ軸ガイドレール
２０ａ ：Ｙ軸スケール
２２ ：Ｙ軸移動テーブル
２２ａ ：底板部
２２ｂ ：側板部
２２ｃ ：天板部
２２ｄ ：空間
２２ｅ ：ナット部
２４ ：Ｙ軸ボールネジ
２６ ：Ｙ軸パルスモータ
２８ ：保持テーブル
３０ ：枠体
３０ａ ：プーリー部
３０ｂ ：クランプ
３２ ：保持部材
３２ａ ：上面
３２ｂ ：下面
３２ｃ ：溝
３４ ：回転駆動源
３４ａ ：プーリー
３６ ：ベルト
３８ ：支持構造
４０ ：Ｚ軸移動機構
４２ ：Ｚ軸ガイドレール
４４ ：切削ユニット
４６ ：スピンドルハウジング
４８ ：Ｚ軸ボールネジ
５０ ：Ｚ軸パルスモータ
５２ ：切削ブレード
５２ａ ：一部
５４ ：上部撮像ユニット
５６ ：撮像ユニット支持構造
５８ ：撮像ユニット移動機構
６０ ：Ｚ軸ガイドレール
６２ ：Ｚ軸移動プレート
６４ ：Ｚ軸ボールネジ
６６ ：Ｚ軸パルスモータ
６８ ：支持アーム
７０ ：下部撮像ユニット
７２ ：照明装置
７４ ：カメラ
７６ ：制御ユニット

Claims (4)

  1. 表面及び裏面を有する基板と、延性のある延性材を含み該基板の該表面又は該裏面に設けられた延性材層と、を備えた被加工物を加工する際に用いられる被加工物の加工方法であって、
    該被加工物の該基板側にテープを貼付するテープ貼付ステップと、
    該延性材層が露出するように該テープを介して該被加工物を保持テーブルで保持する保持ステップと、
    該保持ステップを実施した後、該保持テーブルと切削ブレードとを相対的に移動させて該延性材層と該基板とに該切削ブレードを切り込ませることによって該被加工物を切削する切削ステップと、
    該保持ステップを実施した後、該切削ステップを実施する前に、該保持テーブルと該テープとを介して該基板を可視光で撮像して得られる画像に基づき該切削ブレードを切り込ませる位置を検出する位置検出ステップと、を含み、
    該切削ステップでは、該保持テーブルに対する該切削ブレードの移動方向の前方側に位置する該切削ブレードの一部が該延性材層から該基板に向かって切り込むように該切削ブレードを回転させることを特徴とする被加工物の加工方法。
  2. 該テープ貼付ステップでは、糊層を持たない該テープを、加熱しながら圧力を掛ける方法で該被加工物の該基板側に貼付することを特徴とする請求項１に記載の被加工物の加工方法。
  3. 該被加工物は、該表面側に複数のデバイスが設けられた該基板と、該基板の裏面に設けられた該延性材層と、を含み、
    該延性材層は、金属膜からなることを特徴とする請求項２に記載の被加工物の加工方法。
  4. 該被加工物は、炭化珪素からなる該基板を含むことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の被加工物の加工方法。
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