TWI841687B - 感光性樹脂組成物，及玻璃基板之蝕刻方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種可形成對玻璃基板之蝕刻用的蝕刻液具有充分的耐性，藉由有機溶劑系之剝離液可剝離之蝕刻遮罩的感光性樹脂組成物，及包含使用該感光性樹脂組成物，形成蝕刻遮罩之玻璃基板之蝕刻方法。 蝕刻玻璃基板時之蝕刻遮罩之形成，使用包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)、及可塑劑(D)的感光性樹脂組成物，或包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與前述酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、前述酸產生劑(B)、前述填料(C)、及前述可塑劑(D)的感光性樹脂組成物。

Description

感光性樹脂組成物，及玻璃基板之蝕刻方法
本發明係有關在玻璃基板上形成蝕刻遮罩用的感光性樹脂組成物，及包含使用該感光性樹脂組成物，在玻璃基板上形成蝕刻遮罩之玻璃基板之蝕刻方法。
對於包含觸控面板用玻璃基板的顯示器用玻璃基板、封裝裝置用之玻璃基板等，常進行切斷、孔形成等之加工。以往，玻璃基板之這種加工方法，一般為物理方法。但是玻璃基板之物理加工時，有玻璃基板容易龜裂，或因玻璃基板之強度下降導致良率降低的問題。
因此，近年，提案將阻劑組成物進行圖型化所得的樹脂圖型作為遮罩，將玻璃基板進行蝕刻加工的化學方法(例如參照專利文獻1)。依據這種化學的方法時，加工時，不會施加物理性負荷，故玻璃基板不易龜裂。
這種玻璃基板之蝕刻加工方法，由於容易形成對玻璃基板之蝕刻用之蝕刻液(etchant)的耐性高，對玻璃基板之密著性優異的蝕刻遮罩等，因此，如專利文獻1所記載，包含自由基聚合性化合物、環氧化合物等之負型的感光性組成物，藉由曝光使硬化，形成經圖型化的蝕刻遮罩的情形多。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2008-076768號公報
[發明所欲解決之課題]
經蝕刻加工之玻璃基板，設置金屬配線，設置由聚醯亞胺等樹脂所構成的樹脂層等的情形多。 又，如專利文獻1所記載，使用負型之感光性組成物，形成經圖型化之蝕刻遮罩時，自玻璃基板剝離蝕刻遮罩時，通常使用鹼性的剝離液。但是使用鹼性剝離液時，玻璃基板本身或附於玻璃基板之金屬配線或樹脂材料容易受傷。
本發明有鑑於上述課題而完成者，本發明之目的係提供一種可形成對玻璃基板之蝕刻用的蝕刻液具有充分的耐性，藉由有機溶劑系之剝離液可剝離之蝕刻遮罩的感光性樹脂組成物，及包含使用該感光性樹脂組成物，形成蝕刻遮罩之玻璃基板之蝕刻方法。 [用以解決課題之手段]
本發明人等發現在蝕刻玻璃基板時之蝕刻遮罩之形成，藉由使用包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)的感光性樹脂組成物，或包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與前述酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)的感光性樹脂組成物，可解決上述課題，而完成本發明。更具體而言，本發明係提供以下者。
本發明之第1態樣係一種感光性樹脂組成物，其係包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)，或 包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)， 樹脂成分(A)為酚性羥基之至少一部分被酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂， 樹脂成分(A1)為酚性羥基之至少一部分可被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂。 本發明之第1態樣係一種感光性樹脂組成物，其係包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)，或 包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)， 樹脂成分(A)為酚性羥基之至少一部分被酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂， 樹脂成分(A1)為酚性羥基之至少一部分可被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂， 且用於玻璃基板上形成蝕刻遮罩者為佳。
本發明之第2態樣係一種玻璃基板之蝕刻方法，其係包含以下的步驟： 將第1態樣之感光性樹脂組成物塗佈於玻璃基板之至少一主面，在玻璃基板之主面上形成塗佈膜的塗佈膜形成步驟， 將塗佈膜以位置選擇性曝光的曝光步驟， 經曝光後的前佈膜藉由顯影液顯影，形成蝕刻遮罩的蝕刻遮罩形成步驟， 對於具備蝕刻遮罩之玻璃基板，施予蝕刻加工的蝕刻步驟， 去除蝕刻遮罩的去除步驟。 [發明效果]
依據本發明時，可提供一種可形成對玻璃基板之蝕刻用的蝕刻液具有充分的耐性，藉由有機溶劑系之剝離液可剝離之蝕刻遮罩的感光性樹脂組成物，及包含使用該感光性樹脂組成物，形成蝕刻遮罩之玻璃基板之蝕刻方法。 [實施發明之形態]
≪感光性樹脂組成物≫ 感光性樹脂組成物可為或不為在玻璃基板上形成蝕刻遮罩用的組成物，但是較佳為在玻璃基板上形成蝕刻遮罩用的組成物。 感光性樹脂組成物係包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)，或包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)。 以下，包含上述樹脂成分(A)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)的感光性樹脂組成物成為第1感光性樹脂組成物。 又，包含上述具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)的感光性樹脂組成物稱為第2感光性樹脂組成物。
＜第1感光性樹脂組成物＞ 如前述，第1感光性樹脂組成物，包含上述樹脂成分(A)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)。以下，說明第1感光性樹脂組成物之必須或任意的成分。
[樹脂成分(A)] 樹脂成分(A)為酚性羥基之至少一部分被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂。 作為樹脂成分(A)，藉由使用來自具有芳香族骨架之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂的樹脂，使用第1感光性樹脂組成物所形成的蝕刻遮罩，對於氫氟酸水溶液等之蝕刻液的耐性優異。
由於容易兼具蝕刻遮罩對蝕刻液之優異耐性及藉由有機溶劑之蝕刻遮罩剝離的容易度，故樹脂成分(A)為包含酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂與後述式(I)表示之二乙烯醚化合物之反應物較佳。 酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂與後述式(I)表示之二乙烯醚化合物之反應物中，酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂之分子，藉由酚性羥基與式(I)表示之二乙烯醚化合物之反應，以2價之酸解離性溶解抑制基進行交聯。
以下說明被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂及被酸解離性溶解抑制基保護之聚羥基苯乙烯樹脂。
(酚醛清漆樹脂) 被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂係酚性羥基之至少一部分被酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂。羥基被酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂無特別限定，可適宜選擇自習知的酚醛清漆樹脂。 例如，被酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂，可使用包含下述式(a1)表示之具有被酸解離性溶解抑制基保護之酚性羥基之構成單位的樹脂。
上述式(a1)中，R1a 表示酸解離性溶解抑制基，R2a 及R3a 各自獨立表示氫原子或碳原子數1以上6以下的烷基。
上述R1a 表示之酸解離性溶解抑制基，較佳為下述式(a2)、(a3)表示之基團、碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基、乙烯氧基乙基、四氫吡喃基、四氫呋喃基、或三烷基矽基。
上述式(a2)、(a3)中，R4a 及R5a 各自獨立表示氫原子、或碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分枝狀之烷基，R6a 表示碳原子數1以上10以下之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基，R7a 表示碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基，o表示0或1。
上述直鏈狀或分枝狀之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等。又，上述環狀烷基，可列舉環戊基、環己基等。
在此，上述式(a2)表示之酸解離性溶解抑制基，具體而言，可列舉甲氧基乙基、乙氧基乙基、n-丙氧基乙基、異丙氧基乙基、n-丁氧基乙基、異丁氧基乙基、tert-丁氧基乙基、環己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基等。又，上述式(a3)表示之酸解離性溶解抑制基，具體而言，可列舉第三丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲基等。又，上述三烷基矽基，可列舉三甲基矽基、三-tert-丁基二甲基矽基等之各烷基之碳原子數為1以上6以下之基團。
如前述，由於特別是容易兼具蝕刻遮罩對蝕刻液之優異的耐性及藉由有機溶劑之蝕刻遮罩之剝離的容易度，因此，酸解離性溶解抑制基，較佳為來自式(I)表示之二乙烯醚化合物之2價的酸解離性溶解抑制基。
式(I)中，Aa1 為可具有取代基，且主鏈可包含醚鍵之碳原子數1以上10以下之伸烷基、或下述式(II)： 表示之基團， 式(II)中，Aa2 為可具有取代基之碳原子數1以上10以下之伸烷基，Aa3 為伸環己基，na為0或1。
式(I)表示之二乙烯醚化合物之兩末端，與酚醛清漆樹脂所具有之酚性羥基中之二個反應時，生成來自式(I)表示之二乙烯醚化合物之2價的酸解離性溶解抑制基。 來自式(I)表示之二乙烯醚化合物之2價的酸解離性溶解抑制基係以下述式(Ia)： 表示之基團。 又，式(I)表示之二乙烯醚化合物之僅一末端，與酚醛清漆樹脂所具有之酚性羥基反應時，生成以下述式(Ib)： 表示之1價的酸解離性溶解抑制基。 式(Ia)、式(Ib)中之Aa1 係與式(I)中之Aa1 相同。
式(I)中之Aa1 為可具有取代基，且在主鏈可包含醚鍵之碳原子數1以上10以下之伸烷基時，伸烷基可具有之取代基，可列舉氯原子、溴原子、氟原子等之鹵素原子或、甲氧基及乙氧基等之烷氧基。
作為式(I)中之Aa1 之伸烷基，其鏈中可包含醚鍵(-O-)。 Aa1 為在主鏈可包含醚鍵之伸烷基時，其碳原子數為1以上10以下，較佳為1以上8以下，更佳為2以上6以下。 作為Aa1 之在主鏈可包含醚鍵之伸烷基之較佳的具體例，可列舉-CH2 CH2 CH2 CH2 -、-CH2 CH2 -O-CH2 CH2 -及 -CH2 CH2 -O-CH2 CH2 -O-CH2 CH2 -。
上述式(II)表示之2價基，也可作為Aa1 較佳。式(II)中，Aa3 為伸環己基。伸環己基可為環己烷-1,4-二基、環己烷-1,3-二基及環己烷-1,2-二基之任一者，較佳為環己烷-1,4-二基。 式(II)中，na獨立為0或1。 式(II)中，Aa2 為可具有取代基之碳原子數1以上10以下之伸烷基。作為Aa2 之伸烷基的碳原子數，較佳為1以上6以下，更佳為1以上4以下，又更佳為1或2。作為Aa2 之伸烷基可具有之取代基，可列舉氯原子、溴原子、氟原子等之鹵素原子或、甲氧基及乙氧基等之烷氧基。 Aa2 之較佳的具體例，可列舉伸甲基、乙烷-1,2-二基、乙烷-1,1,-二基、丙-1,3-二基及丁烷-1,4-二基等。
式(II)表示之2價基之特佳例，可列舉2個na均為1，且Aa3 為環己烷-1,4-二基，2個Aa2 均為伸甲基之基團。
相對於酚醛清漆樹脂所具有之酚性羥基所有之數，被來自上述式(Ia)及/或式(Ib)表示之式(I)表示之二乙烯醚化合物之酸解離性溶解抑制基保護之羥基數之比例(保護率)，就蝕刻遮罩之膜特性的觀點，較佳為0.5%以上30%以下的範圍，更佳為1%以上20%以下，又更佳為2%以上10%以下。保護率例如可藉由質子NMR確認。
[聚羥基苯乙烯樹脂] 被酸解離性溶解抑制基保護之聚羥基苯乙烯樹脂為酚性羥基之至少一部分被酸解離性溶解抑制基保護之聚羥基苯乙烯樹脂。羥基被酸解離性溶解抑制基保護的聚羥基苯乙烯樹脂，無特別限定，可適宜選擇自習知的聚羥基苯乙烯樹脂。 例如，被酸解離性溶解抑制基保護之聚羥基苯乙烯樹脂，可使用包含下述式(a4)表示之具有被酸解離性溶解抑制基保護之酚性羥基之構成單位的樹脂。
上述式(a4)中，R8a 表示氫原子或碳原子數1以上6以下之烷基，R9a 表示酸解離性溶解抑制基。
上述碳原子數1以上6以下之烷基，例如碳原子數1以上6以下之直鏈狀、分枝狀、或環狀之烷基。直鏈狀或分枝狀之烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、tert-丁基、戊基、異戊基、新戊基等，環狀之烷基，可列舉環戊基、環己基等。
上述R9a 表示之酸解離性溶解抑制基，可使用與上述式(a2)、(a3)所例示之基團相同的酸解離性溶解抑制基。
此外，聚羥基苯乙烯樹脂，為了適度地控制物理、化學特性時，可包含來自其他之聚合性化合物的構成單位。這種聚合性化合物，可列舉公知的自由基聚合性化合物或、陰離子聚合性化合物。又，這種聚合性化合物，可列舉例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸等之單羧酸類；馬來酸、富馬酸、依康酸等之二羧酸類；2-甲基丙烯醯氧基乙基琥珀酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基馬來酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基苯二甲酸、2-甲基丙烯醯氧基乙基六氫鄰苯二甲酸等之具有羧基及酯鍵之甲基丙烯酸衍生物類；甲基(甲基)丙烯酸酯、乙基(甲基)丙烯酸酯、丁基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸烷酯類；2-羥基乙基(甲基)丙烯酸酯、2-羥基丙基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷基酯類；苯基(甲基)丙烯酸酯、苄基(甲基)丙烯酸酯等之(甲基)丙烯酸芳基酯類；馬來酸二乙酯、富馬酸二丁酯等之二羧酸二酯類；苯乙烯、α-甲基苯乙烯、氯苯乙烯、氯甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、羥基苯乙烯、α-甲基羥基苯乙烯、α-乙基羥基苯乙烯等之含有乙烯基之芳香族化合物類；乙酸乙烯酯等之含有乙烯基之脂肪族化合物類；丁二烯、異戊二烯等之共軛二烯烴類；丙烯腈、甲基丙烯腈等之含有腈基之聚合性化合物類；氯乙烯、偏二氯乙烯等之含氯之聚合性化合物；丙烯醯胺、甲基丙烯醯胺等之含有醯胺鍵之聚合性化合物類；等。 樹脂成分(A)之質量平均分子量，較佳為1000以上60000以下，更佳為2000以上50000以下。 樹脂成分(A)可1種單獨使用，也可組合2種以上使用。 樹脂成分(A)之含量係相對於第1輻射敏感性組成物之固體成分(去除溶劑)，較佳為5質量%以上90質量%以下，更佳為15質量%以上80質量%以下，又更佳為30質量%以上70質量%以下。
[酸產生劑(B)] 酸產生劑(B)為藉由輻射線照射產生酸的化合物。酸產生劑(B)只要藉由光直接或間接地產生酸時，即無特別限定。酸產生劑(B)較佳為以下說明時，第1~第5酸產生劑。以下，說明第1~第5酸產生劑。
(第1酸產生劑) 第1酸產生劑，可列舉下述式(b1)表示之化合物。
上述式(b1)中，X1b 表示原子價g之硫原子或碘原子，g為1或2。h表示括弧內之結構的重複單位數。R1b 為鍵結於X1b 的有機基，表示碳原子數6以上30以下之芳基、碳原子數4以上30以下之雜環基、碳原子數1以上30以下之烷基、碳原子數2以上30以下之烯基、或碳原子數2以上30以下之炔基，R1b 可被選自由烷基、羥基、烷氧基、烷基羰基、芳基羰基、烷氧基羰基、芳氧基羰基、芳硫基羰基、醯氧基、芳硫基、烷硫基、芳基、雜環、芳氧基、烷基亞磺醯基、芳基亞磺醯基、烷基磺醯基、芳基磺醯基、伸烷氧基、胺基、氰基、硝基之各基團及鹵素所構成群組中之至少1種取代。R1b 之個數為g+h(g-1)+1，R1b 各自彼此可相同或相異。又，2個以上的R1b 互相直接鍵結、或經由-O-、-S-、-SO-、-SO2 -、-NH-、-NR2b -、-CO-、 -COO-、-CONH-、碳原子數1以上3以下之伸烷基、或伸苯基進行鍵結，也可形成包含X1b 的環結構。R2b 為碳原子數1以下5以上的烷基或碳原子數6以下10以上的芳基。
X2b 為下述式(b2)表示的結構。
上述式(b2)中，X4b 表示碳原子數1以上8以下之伸烷基、碳原子數6以上20以下之伸芳基、或碳原子數8以上20以下之雜環化合物之2價基，X4b 可被選自由碳原子數1以上8以下之烷基、碳原子數1以上8以下之烷氧基、碳原子數6以上10以下之芳基、羥基、氰基、硝基之各基團、及鹵素所構成群組中之至少1種取代。X5b 表示-O-、 -S-、-SO-、-SO2 -、-NH-、-NR2b -、-CO-、-COO-、 -CONH-、碳原子數1以上3以下之伸烷基、或伸苯基。h表示括弧內之結構的重複單位數，0以上之整數。h+1個之X4b 及h個之X5b 各自可相同或相異。R2b 係與前述定義相同。
X3b- 為鎓之對離子，可列舉下述式(b9)、下述式(b13)、下述式(b14)、下述式(b17)表示之氟化烷基氟磷酸陰離子或下述式(b18)表示之硼酸鹽陰離子，就蝕刻遮罩之膜特性的觀點，較佳為下述式(b9)之陰離子。
上述式(b9)中，R20b 為下述式(b10)、(b11)及(b12)表示之基。
上述式(b10)中，x表示1以上4以下之整數。又，上述式(b11)中，R21b 表示氫原子、羥基、碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分枝狀之烷基、或碳原子數1以上6以下之直鏈狀或分枝狀之烷氧基，y表示1以上3以下之整數。此等之中，就安全性的觀點，較佳為三氟甲烷磺酸鹽、全氟丁烷磺酸鹽。
上述式(b13)、(b14)中，Xb 表示至少1個氫原子經氟原子取代之直鏈狀或分枝狀之伸烷基，該伸烷基之碳原子數為2以上6以下，較佳為3以上5以下，最佳為碳原子數3。又，Yb 、Zb 各自獨立表示至少1個氫原子經氟原子取代之直鏈狀或分枝狀之烷基，該烷基之碳原子數為1以上10以下，較佳為1以上7以下，更佳為1以上3以下。
Xb 之伸烷基之碳原子數、或Yb 、Zb 之烷基之碳原子數越小，對有機溶劑之溶解性越佳，故較佳。
又，Xb 之伸烷基或Yb 、Zb 之烷基中，經氟原子取代之氫原子數越多，酸強度越強，故較佳。該伸烷基或烷基中之氟原子之比例，亦即氟化率，較佳為70%以上100%以下，更佳為90%以上100%以下，最佳為全部的氫原子經氟原子取代之全氟伸烷基或全氟烷基。
上述式(b17)中，R3b 表示氫原子之80%以上經氟原子取代之烷基。j表示該個數，1以上5以下之整數。j個的R3b 各自可相同或相異。
上述式(b18)中，R4b ~R7b 各自獨立表示氟原子或苯基，該苯基之氫原子之一部分或全部，可被選自由氟原子及三氟甲基所構成群組中之至少1種取代。
上述式(b1)表示之化合物中之鎓離子，可列舉三苯基鋶、三-p-甲苯基鋶、4-(苯硫基)苯基二苯基鋶、雙[4-(二苯基鋶基)苯基]硫醚、雙[4-{雙[4-(2-羥基乙氧基)苯基]鋶基}苯基]硫醚、雙{4-[雙(4-氟苯基)鋶基]苯基}硫醚、4-(4-苯甲醯基-2-氯苯硫基)苯基雙(4-氟苯基)鋶、7-異丙基-9-側氧-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二-p-甲苯基鋶、7-異丙基-9-側氧-10-硫雜-9,10-二氫蒽-2-基二苯基鋶、2-[(二苯基)鋶基]噻噸酮、4-[4-(4-tert-丁基苯甲醯基)苯硫基]苯基二-p-甲苯基鋶、4-(4-苯甲醯基苯硫基)苯基二苯基鋶、二苯基苯甲醯甲基鋶、4-羥基苯基甲基苄基鋶、2-萘基甲基(1-乙氧基羰基)乙基鋶、4-羥基苯基甲基苯甲醯甲基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]4-聯苯基鋶、苯基[4-(4-聯苯硫基)苯基]3-聯苯基鋶、[4-(4-乙醯苯硫基)苯基]二苯基鋶、十八烷基甲基苯甲醯甲基鋶、二苯基錪、二-p-甲苯基錪、雙(4-十二烷基苯基)錪、雙(4-甲氧基苯基)錪、(4-辛氧基苯基)苯基錪、雙(4-癸氧基)苯基錪、4-(2-羥基十四烷氧基)苯基苯基錪、4-異丙基苯基(p-甲苯基)錪、或4-異丁基苯基(p-甲苯基)錪等。
上述式(b17)表示之氟化烷基氟磷酸根陰離子中，R3b 表示經氟原子取代之烷基，較佳之碳原子數為1以上8以下，又更佳之碳原子數為1以上4以下。烷基之具體例，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、辛基等之直鏈烷基；異丙基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基等之分枝烷基；及環丙基、環丁基、環戊基、環己基等之環烷基等，烷基之氫原子被氟原子取代的比例，通常為80%以上，較佳為90%以上，又更佳為100%。氟原子之取代率未達80%時，上述式(b1)表示之鎓氟化烷基氟磷酸鹽之酸強度降低。
特佳之R3b 係碳原子數為1以上4以下，且氟原子之取代率為100%之直鏈狀或分支狀之全氟烷基，具體例可列舉CF3 、CF3 CF2 、(CF3 )2 CF、CF3 CF2 CF2 、 CF3 CF2 CF2 CF2 、(CF3 )2 CFCF2 、CF3 CF2 (CF3 )CF、(CF3 )3 C。R3b 之個數j為1以上5以下之整數，較佳為2以上4以下，特佳為2或3。
較佳之氟化烷基氟磷酸根陰離子之具體例，可列舉[(CF3 CF2 )2 PF4 ]- 、[(CF3 CF2 )3 PF3 ]- 、 [((CF3 )2 CF)2 PF4 ]- 、[((CF3 )2 CF)3 PF3 ]- 、[(CF3 CF2 CF2 )2 PF4 ]- 、[(CF3 CF2 CF2 )3 PF3 ]- 、[((CF3 )2 CFCF2 )2 PF4 ]- 、 [((CF3 )2 CFCF2 )3 PF3 ]- 、[(CF3 CF2 CF2 CF2 )2 PF4 ]- 、或 [(CF3 CF2 CF2 )3 PF3 ]- ，此等之中，特佳為[(CF3 CF2 )3 PF3 ]- 、[(CF3 CF2 CF2 )3 PF3 ]- 、[((CF3 )2 CF)3 PF3 ]- 、[((CF3 )2 CF)2 PF4 ]- 、[((CF3 )2 CFCF2 )3 PF3 ]- 、或[((CF3 )2 CFCF2 )2 PF4 ]- 。
上述式(b18)表示之硼酸根陰離子之較佳具體例，可列舉四(五氟苯基)硼酸鹽([B(C6 F5 )4 ]- )、四[(三氟甲基)苯基]硼酸鹽([B(C6 H4 CF3 )4 ]- )、二氟雙(五氟苯基)硼酸鹽([(C6 F5 )2 BF2 ]- )、三氟(五氟苯基)硼酸鹽([(C6 F5 )BF3 ]- )、四(二氟苯基)硼酸鹽([B(C6 H3 F2 )4 ]- )等。此等之中，特佳為四(五氟苯基)硼酸鹽([B(C6 F5 )4 ]- )。
(第2酸產生劑) 第2酸產生劑，可列舉2,4-雙(三氯甲基)-6-胡椒基-1,3,5-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(2-呋喃基)乙烯基(Ethenyl)]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-甲基-2-呋喃基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-乙基-2-呋喃基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(5-丙基-2-呋喃基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,5-二甲氧基苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,5-二乙氧基苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,5-二丙氧基苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3-甲氧基-5-乙氧基苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3-甲氧基-5-丙氧基苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-[2-(3,4-亞甲基雙氧苯基)乙烯基]-s-三嗪、2,4-雙(三氯甲基)-6-(3,4-亞甲基雙氧苯基)-s-三嗪、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯基-s-三嗪、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯基-s-三嗪、2,4-雙-三氯甲基-6-(2-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-s-三嗪、2,4-雙-三氯甲基-6-(3-溴-4-甲氧基)苯乙烯基苯基-s-三嗪、2-(4-甲氧基苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(4-甲氧基萘基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(2-呋喃基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(5-甲基-2-呋喃基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(3,5-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-[2-(3,4-二甲氧基苯基)乙烯基]-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、2-(3,4-亞甲基雙氧苯基)-4,6-雙(三氯甲基)-1,3,5-三嗪、三(1,3-二溴丙基)-1,3,5-三嗪、三(2,3-二溴丙基)-1,3,5-三嗪等之含有鹵素之三嗪化合物、及三(2,3-二溴丙基)異氰脲酸酯等之下述式(b3)表示之含有鹵素之三嗪化合物。
上述式(b3)中，R9b 、R10b 、R11b 各自獨立表示鹵化烷基。
(第3酸產生劑) 第3酸產生劑，可列舉α-(p-甲苯磺醯氧基亞胺基)-苯基乙腈、α-(苯磺醯氧基亞胺基)-2，4-二氯苯基乙腈、α-(苯磺醯氧基亞胺基)-2,6-二氯苯基乙腈、α-(2-氯苯磺醯氧基亞胺基)-4-甲氧基苯基乙腈、α-(乙基磺醯氧基亞胺基)-1-環戊烯基乙腈及含有肟磺酸鹽基之下述式(b4)表示的化合物。
上述式(b4)中，R12b 表示1價、2價、或3價有機基，R13b 表示取代或未取代之飽和烴基、不飽和烴基、或芳香族基，n表示括弧內之結構的重複單位數。
上述式(b4)中，芳香族基可列舉例如苯基、萘基等之芳基或、呋喃基、噻吩基等的雜芳基。此等可在環上具有1個以上之適當的取代基，例如鹵素原子、烷基、烷氧基、硝基等。又，R13b 特佳為碳原子數1以上6以下的烷基，可列舉甲基、乙基、丙基、丁基。特別是R12b 為芳香族基，R13b 為碳原子數1以上4以下之烷基的化合物較佳。
上述式(b4)表示之酸產生劑，當n=1時，R12b 為苯基、甲基苯基、甲氧基苯基之任一者，R13b 為甲基的化合物，具體而言，可列舉α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-苯基乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(p-甲基苯基)乙腈、α-(甲基磺醯氧基亞胺基)-1-(p-甲氧基苯基)乙腈、[2-(丙基磺醯氧基亞胺基)-2,3-二羥基噻吩-3-亞基](o-甲苯基)乙腈等。n=2時，上述式(b4)表示之酸產生劑，具體而言，可列舉下述式表示之酸產生劑。
(第4酸產生劑) 第4酸產生劑，可列舉雙(p-甲苯磺醯基)重氮甲烷、雙(1,1-二甲基乙基磺醯基)重氮甲烷、雙(環己基磺醯基)重氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯基磺醯基)重氮甲烷等之雙磺醯基重氮甲烷類；p-甲苯磺酸2-硝基二苯基乙二酮、p-甲苯磺酸2,6-二硝基二苯基乙二酮、硝基苄基對甲苯磺酸酯、二硝基苄基甲苯磺酸酯、硝基苄基碳酸酯、硝基苄基碳酸酯、二硝基苄基碳酸酯等之硝基苄基衍生物；焦棓酚三氟甲磺酸酯、焦棓酚三甲苯磺酸酯、苄基甲苯磺酸酯、苄基磺酸鹽、N-甲基磺醯氧基丁二醯亞胺、N-三氯甲基磺醯氧基丁二醯亞胺、N-苯基磺醯氧基馬來醯亞胺、N-甲基磺醯氧基酞醯亞胺等之磺酸酯類；N-(三氟甲基磺醯氧基)酞醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)-1,8-萘醯亞胺、N-(三氟甲基磺醯氧基)-4-丁基-1,8-萘醯亞胺等之三氟甲磺酸酯類；二苯基錪六氟磷酸酯、(4-甲氧基苯基)苯基錪三氟甲烷磺酸鹽、雙(p-tert-丁基苯基)錪三氟甲烷磺酸鹽、三苯基鋶六氟磷酸酯、(4-甲氧基苯基)二苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽、(p-tert-丁基苯基)二苯基鋶三氟甲烷磺酸鹽等之鎓鹽類；苯偶因甲苯磺酸酯、α-甲基苯偶因甲苯磺酸酯等之苯偶因對甲苯磺酸酯類；其他的二苯基錪鹽、三苯基鋶鹽、苯基重氮鎓鹽、苄基碳酸酯等。
酸產生劑(B)可單獨使用，也可組合2種以上使用。又，酸產生劑(B)之含量係將感光性樹脂組成物之(A)成分設為100質量份時，較佳為0.1質量份以上30質量份以下，特佳為1質量份以上20質量份以下。藉由將酸產生劑(B)之使用量設為上述範圍，可容易調製具備良好的感度，均勻的溶液，保存安定性優異的感光性樹脂組成物。 組合2種以上之酸產生劑(B)時，就蝕刻遮罩之膜特性的觀點，較佳為組合第1酸產生劑與選自第2~4酸產生劑之1種以上，更佳為組合第1酸產生劑與選自第2~4酸產生劑之1種，較佳為組合第1酸產生劑與第3酸產生劑。 又，(B)成分中，第1酸產生劑與其他之酸產生劑(選自第2~4酸產生劑之1種以上)之調配量之比(質量比)，較佳為(第1酸產生劑)：(其他之酸產生劑)=99:1~1:99之範圍內，更佳為5:95~50:50，又更佳為10:90~40:60，最佳為10:90~30:70。
[填料(C)] 感光性樹脂組成物含有填料(C)。由於感光性樹脂組成物包含填料(C)，使用感光性樹脂組成物容易形成硬度、機械的特性、耐熱性等優異的蝕刻遮罩。填料(C)可為無機填料，也可為有機填料，較佳為無機填料。 就對氫氟酸等之蝕刻液之耐性高的觀點，填料(C)可列舉例如雲母、滑石、黏土、膨潤土、微晶高嶺石、高嶺土(kaolinite)、矽灰石(wollastonite)、氧化鋁、氫氧化鋁、硫酸鋇、鈦酸鋇、鈦酸鉀等。
感光性樹脂組成物中之填料(C)的含量，在不阻礙本發明目的之範圍內，無特別限定。考慮所形成之蝕刻遮罩的膜厚或、蝕刻所致之玻璃挖入深度等，來適宜決定感光性樹脂組成物中之填料(C)的含量。 例如，相對於樹脂成分(A)之質量與酸產生劑(B)之質量之合計100質量份，感光性樹脂組成物中之填料(C)的含量，較佳為30質量份以上70質量份以下，更佳為35質量份以上60質量份以下。 特別是蝕刻所致之玻璃基板挖入深度為300μm以上時，填料(C)之含量較佳為上述範圍內。 又，蝕刻所致之玻璃基板挖入深度未達300μm時，相對於樹脂成分(A)之質量與酸產生劑(B)之質量之合計100質量份，感光性樹脂組成物中之填料(C)的含量，也可為1質量份以上未達30質量份。
[可塑劑(D)] 感光性樹脂組成物包含可塑劑(D)。由於感光性樹脂組成物包含可塑劑(D)，可抑制使用感光性樹脂組成物所形成之蝕刻遮罩中產生龜裂。無龜裂的蝕刻遮罩，對於玻璃基板蝕刻用的蝕刻液，具有優異的耐性。
可塑劑(D)之具體例，可列舉聚氯乙烯、聚苯乙烯、聚羥基苯乙烯、聚乙酸乙烯酯、聚乙烯基苯甲酸、聚乙烯烷醚、聚乙烯醇、聚乙烯基吡咯烷酮、聚乙烯基苯酚、及此等的共聚物等。此等之中，由於容易形成對蝕刻液之耐性優異的蝕刻遮罩，故較佳為聚乙烯烷醚。
對於聚乙烯烷醚之烷基部分，其碳原子數較佳為1以上5以下，更佳為1或2。換言之，作為聚乙烯烷醚，更佳為聚乙烯基甲醚、及聚乙烯基乙醚。
聚乙烯烷醚之質量平均分子量，無特別限定。聚乙烯烷醚之質量平均分子量，較佳為10000以上200000以下，更佳為50000以上100000以下。
感光性樹脂組成物中之可塑劑(D)的含量，可得到藉由使用可塑劑(D)而得之所期望的效果時，無特別限定。相對於樹脂成分(A)100質量份，感光性樹脂組成物中之可塑劑(D)的含量，較佳為10質量份以上100質量份以下，更佳為20質量份以上80質量份以下，又更佳為30質量份以上60質量份以下。
[溶劑(S)] 感光性樹脂組成物，通常調整塗佈性之目的等，含有溶劑(S)為佳。溶劑(S)之種類，在不阻礙本發明目的之範圍內，無特別限定，可適宜選擇使用以往使用於正型感光性樹脂組成物的溶劑。
溶劑(S)之具體例，可列舉丙酮、甲基乙基酮、環己酮、甲基異戊基酮、及2-庚酮等之酮類；乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、丙二醇、二丙二醇、三丙二醇、1,3-丁二醇、伸己基乙二醇等之乙二醇類；丙三醇等之多元醇類；苄醇、松油醇(terpineol)等之單醇類；乙二醇單乙酸酯、二乙二醇單乙酸酯、三乙二醇單乙酸酯、丙二醇單乙酸酯、二丙二醇單乙酸酯、三丙二醇單乙酸酯、及1,3-丁二醇單乙酸酯等之乙二醇類之單乙酸酯；乙二醇二乙酸酯、二乙二醇二乙酸酯、三乙二醇二乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、二丙二醇二乙酸酯、三丙二醇二乙酸酯、及1,3-丁二醇二乙酸酯等之乙二醇類之二乙酸酯；乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、乙二醇單苯醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單苯醚、三乙二醇單甲醚、三乙二醇單乙醚、三乙二醇單丙醚、三乙二醇單丁醚、三乙二醇單苯醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇單丙醚、丙二醇單丁醚、丙二醇單苯醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單丁醚、二丙二醇單苯醚、三丙二醇單甲醚、三丙二醇單乙醚、三丙二醇單丙醚、三丙二醇單丁醚、三丙二醇單苯醚、1,3-丁二醇單甲醚、1,3-丁二醇單乙醚、1,3-丁二醇單丙醚、1,3-丁二醇單丁醚、及1,3-丁二醇單苯醚等之乙二醇類之單醚；乙二醇單甲醚乙酸酯、乙二醇單乙醚乙酸酯、乙二醇單丙醚乙酸酯、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、三乙二醇單甲醚乙酸酯、三乙二醇單乙醚乙酸酯、三乙二醇單丙醚乙酸酯、三乙二醇單丁醚乙酸酯、三二乙二醇單苯醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單丙醚乙酸酯、丙二醇單丁醚乙酸酯、丙二醇單苯醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯、二丙二醇單乙醚乙酸酯、二丙二醇單丙醚乙酸酯、二丙二醇單丁醚乙酸酯、二丙二醇單苯醚乙酸酯、三丙二醇單甲醚乙酸酯、三丙二醇單乙醚乙酸酯、三丙二醇單丙醚乙酸酯、三丙二醇單丁醚乙酸酯、三丙二醇單苯醚乙酸酯、1,3-丁二醇單甲醚乙酸酯(3-甲氧基丁基乙酸酯)、1,3-丁二醇單乙醚乙酸酯、1,3-丁二醇單丙醚乙酸酯、1,3-丁二醇單丁醚乙酸酯、1,3-丁二醇單苯醚乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、及4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯等之乙二醇類之單醚乙酸酯；乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇二丙醚、乙二醇二丁醚、乙二醇二苯醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇二丙醚、二乙二醇二丁醚、二乙二醇二苯醚、三乙二醇二甲醚、三乙二醇二乙醚、三乙二醇二丙醚、三乙二醇二丁醚、三乙二醇二苯醚、丙二醇二甲醚、丙二醇二乙醚、丙二醇二丙醚、丙二醇二丁醚、丙二醇二苯醚、二丙二醇二甲醚、二丙二醇二乙醚、二丙二醇二丙醚、二丙二醇二丁醚、二丙二醇二苯醚、三丙二醇二甲醚、三丙二醇二乙醚、三丙二醇二丙醚、三丙二醇二丁醚、三丙二醇二苯醚、1,3-丁二醇二甲醚、1,3-丁二醇二乙醚、1,3-丁二醇二丙醚、1,3-丁二醇二丁醚、及1,3-丁二醇二苯醚等之乙二醇類之二醚；二噁烷、及二己醚等之醚類；甲酸乙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙酸苄酯、苯甲酸乙基、丙酮酸甲酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、丙酮酸乙酯、乙氧基乙酸乙脂、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、2-羥基丙酸甲酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、馬來酸二乙酯、環己醇乙酸酯、γ-丁內酯等之酯類；甲苯、二甲苯等之芳香族烴類；等。此等可單獨使用，也可混合2種以上使用。
感光性樹脂組成物係將感光性樹脂組成物塗佈於玻璃基板時，就容易形成膜厚均勻之塗佈膜的觀點，感光性樹脂組成物，包含在大氣壓下之沸點為170℃以上的高沸點溶劑(S1)為佳。 就感光性樹脂組成物所含有之各成分之溶解性良好的觀點，或容易取得的觀點，上述溶劑(S)之具體例中之高沸點溶劑(S1)之較佳例，可列舉乙二醇、二乙二醇、二丙二醇、伸己基乙二醇、丙三醇、苄醇、松油醇、丙二醇二乙酸酯、1,3-丁二醇二乙酸酯、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇單苯醚、二丙二醇單甲醚、三丙二醇單甲醚、乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、二乙二醇單丙醚乙酸酯、二乙二醇單丁醚乙酸酯、二乙二醇單苯醚乙酸酯、二丙二醇單甲醚乙酸酯、1,3-丁二醇單甲醚乙酸酯(3-甲氧基丁基乙酸酯)、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、3-乙基-3-甲氧基丁基乙酸酯、2-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲氧基戊基乙酸酯、4-甲氧基戊基乙酸酯、2-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-3-甲氧基戊基乙酸酯、3-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、及4-甲基-4-甲氧基戊基乙酸酯、二乙二醇二乙醚、二丙二醇二甲醚、二己醚乙酸苄酯、苯甲酸乙基、馬來酸二乙酯、環己醇乙酸酯、及γ-丁內酯等。
感光性樹脂組成物中之高沸點溶劑(S1)的含量，只要是可得到使用高沸點溶劑(S1)而得之所期望的效果時，無特別限定。就塗佈性的觀點，當感光性樹脂組成物中之溶劑(S)的全質量設為100質量份時，感光性樹脂組成物中之高沸點溶劑(S1)的含量，較佳為1質量份以上未達50質量份，更佳為1質量份以上20質量份以下。 又，相對於感光性樹脂組成物之全質量，較佳為0.5質量%以上20質量%以下，更佳為1質量%以上15質量%以下，特佳為2質量%以上10質量%以下。
感光性樹脂組成物中之溶劑(S)的含量，只要是可形成所期望之膜厚的蝕刻遮罩時，無特別限定。溶劑(S)例如感光性樹脂組成物之固體成分濃度，較佳為40質量%以上70質量%以下，就蝕刻加工之餘裕等製造步驟的觀點，更佳為使用50質量%以上65質量%以下的量。 後述玻璃基板之2個主面之兩者中，使用接觸型的塗佈裝置，由垂直上方側往垂直下方側塗佈感光性樹脂組成物的步驟時，感光性樹脂組成物之黏度調整為1000cp以上較佳，更佳為1400cp以上，又更佳為2000cp以上。上限無特別限制，感光性樹脂組成物具有流動性即可。可列舉例如30000以下，10000以下等。
[其他的成分] 感光性樹脂組成物也可包含以往調配於正型感光性組成物之各種的成分。
例如，感光性樹脂組成物為了提高塗佈性、消泡性、平坦性等，因此可再含有界面活性劑。界面活性劑，例如較佳使用氟系界面活性劑或聚矽氧系界面活性劑。 氟系界面活性劑之具體例，可列舉BM-1000、BM-1100(均為BM Chmie公司製)、MegafacF142D、 MegafacF172、MegafacF173、MegafacF183(均為大日本油墨化學工業股份公司製)、FluoradFC-135、FluoradFC-170C、FluoradFC-430、FluoradFC-431(均為住友3M公司製)、SurflonS-112、SurflonS-113、SurflonS-131、 SurflonS-141、SurflonS-145(均為旭硝子公司製)、SH-28PA、SH-190、SH-193、SZ-6032、SF-8428(均為Toray Silicone公司製)等之市售的氟系界面活性劑，但是不限定於此等。 聚矽氧系界面活性劑，較佳為使用未改性聚矽氧系界面活性劑、聚醚改性聚矽氧系界面活性劑、聚酯改性聚矽氧系界面活性劑、烷基改性聚矽氧系界面活性劑、芳烷基改性聚矽氧系界面活性劑及反應性聚矽氧系界面活性劑等。 聚矽氧系界面活性劑，可使用市售的聚矽氧系界面活性劑。市售聚矽氧系界面活性劑之具體例，可列舉Paintad M(東麗道康寧公司製)、Topeka K1000、Topeka K2000、Topeka K5000(均為高千穗產業公司製)、XL-121(聚醚改性聚矽氧系界面活性劑、Clariant公司製)、BYK-088(聚矽氧系消泡劑、BYK-Chemie公司製)、BYK-310(聚酯改性聚矽氧系界面活性劑、BYK-Chemie公司製)等。
又，感光性樹脂組成物為了對顯影液之溶解性進行微調整，因此，可再含有酸、或酸酐。
酸及酸酐之具體例，可列舉乙酸、丙酸、n-丁酸、異丁酸、n-戊酸、異戊酸、苯甲酸、肉桂酸等之單羧酸類；乳酸、2-羥基丁酸、3-羥基丁酸、水楊酸、m-羥基苯甲酸、p-羥基苯甲酸、2-羥基肉桂酸、3-羥基肉桂酸、4-羥基肉桂酸、5-羥基間苯二甲酸、丁香酸等之羥基單羧酸類；草酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、馬來酸、依康酸、六氫鄰苯二甲酸、苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、1,2-環己烷二羧酸、1,2,4-環己烷三羧酸、丁烷四羧酸、偏苯三甲酸、均苯四甲酸、環戊烷四羧酸、丁烷四羧酸、1,2,5,8-萘四羧酸等之多元羧酸類；依康酸酐、琥珀酸酐、檸康酸酐、十二烯基丁二酸酐、丙三羧酸酐、馬來酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、甲基四氫苯二甲酸酐、降莰烯二酸酐、1,2,3,4-丁烷四羧酸酐、環戊烷四羧酸二酐、鄰苯二甲酸酐、均苯四甲酸酐、偏苯三甲酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、乙二醇雙偏苯三甲酸酐、丙三醇三偏苯三甲酸酐等之酸酐；等。
藉由以所期望的比率均勻地混合以上說明的各成分，可得到第1感光性樹脂組成物。
＜第2感光性樹脂組成物＞ 如前述，第2感光性樹脂組成物包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、酸產生劑(B)、填料(C)及可塑劑(D)。 關於酸產生劑(B)、填料(C)、可塑劑(D)及其他的成分係與第1感光性樹脂組成物相同。
以下，針對第2感光性樹脂組成物，說明具有酚性羥基之樹脂成分(A1)與藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)。
[具有酚性羥基之樹脂成分(A1)] 具有酚性羥基之樹脂成分(A1)係酚性羥基之至少一部分可被前述酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂。具有酚性羥基，且酚性羥基之至少一部分被前述酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂係與針對第1感光性樹脂組成物說明的樹脂成分(A)相同。酚醛清漆樹脂及聚羥基苯乙烯樹脂，可使用針對第1感光性樹脂組成物說明之樹脂成分(A)中，被酸解離性溶解抑制基保護之酚性羥基為脫保護狀態的酚醛清漆樹脂及聚羥基苯乙烯樹脂。 樹脂成分(A1)之質量平均分子量，較佳為1000以上60000以下，更佳為2000以上50000以下。 樹脂成分(A1)可1種單獨使用，也可組合2種以上使用。 相對於第2輻射敏感性組成物之固體成分(去除溶劑)，樹脂成分(A1)之含量，較佳為5質量%以上90質量%以下，更佳為15質量%以上80質量%以下，又更佳為30質量%以上70質量%以下。
[保護劑(A2)] 保護劑(A2)係藉由與酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的化合物。 保護劑(A2)係藉由與酚性羥基之反應，提供針對第1感光性樹脂組成物說明之甲氧基乙基、乙氧基乙基、n-丙氧基乙基、異丙氧基乙基、n-丁氧基乙基、異丁氧基乙基、tert-丁氧基乙基、環己氧基乙基、甲氧基丙基、乙氧基丙基、1-甲氧基-1-甲基-乙基、1-乙氧基-1-甲基乙基、第三丁氧基羰基、tert-丁氧基羰基甲基、三甲基矽基、三-tert-丁基二甲基矽基等之酸解離性溶解抑制基的化合物時，即無特別限定。
由於特別容易兼具蝕刻遮罩對蝕刻液之優異耐性與藉由有機溶劑之蝕刻遮罩之剝離的容易度，故保護劑較佳為前述式(I)表示之二乙烯醚化合物。
具有酚性羥基之樹脂成分(A1)設為100質量份，就蝕刻遮罩之膜特性的觀點，保護劑(A2)之使用量，較佳為0.5質量份以上30質量份以下的範圍，更佳為1質量份以上20質量份以下，又更佳為2質量份以上10質量份以下。
藉由以所期望之比率均勻地混合以上說明的各成分，可得到第2感光性樹脂組成物。
≪玻璃基板之蝕刻方法≫ 玻璃基板之蝕刻方法，其係包含以下步驟的方法： 將前述感光性樹脂組成物塗佈於玻璃基板之至少一主面，在玻璃基板之主面上形成塗佈膜的塗佈膜形成步驟， 將塗佈膜以位置選擇性曝光的曝光步驟， 經曝光後的塗佈膜藉由顯影液顯影，形成蝕刻遮罩的蝕刻遮罩形成步驟， 對於具備蝕刻遮罩之玻璃基板，施予蝕刻加工的蝕刻步驟， 去除蝕刻遮罩的去除步驟。
以下說明關於玻璃基板之蝕刻方法的各步驟。
＜塗佈膜形成步驟＞ 塗佈膜形成步驟中，在蝕刻對象之玻璃基板之至少一主面，塗佈前述感光性樹脂組成物，在玻璃基板之主面上形成塗佈膜。 玻璃基板的種類，無特別限定，可列舉無鹼玻璃、硼矽酸玻璃(borosilicate glass)、強化玻璃、石英等。又，玻璃基板之形狀的種類，無特別限定。玻璃基板的形狀可為凹凸形狀，也可為具有貫通孔的形狀。
藉由蝕刻加工之玻璃基板之挖入深度，無特別限定。由玻璃基板之兩主面進行蝕刻加工時，玻璃基板之挖入深度為玻璃基板之兩主面各自之蝕刻所致之挖入深度之合計。 藉由使用本發明之感光性樹脂組成物形成蝕刻遮罩，以蝕刻加工所致之玻璃基板之挖入深度，例如可深至2000μm左右。挖入深度之加工範圍中，可適宜設定下限側之值。 考慮上述挖入深度時，玻璃基板之厚度，較佳為10μm以上，更佳為200μm以上3000μm以下，又更佳為250μm以上2300μm以下，特佳為300μmm以上2000μm以下。
蝕刻遮罩之膜厚，只要是無蝕刻加工問題時，無特別限定。典型而言，蝕刻遮罩之膜厚，較佳為5μm以上200μm以下，更佳為10μm以上150μm以下，又更佳為30μm以上100μm以下，特佳為50μm以上80μm以下。 又，兩面塗佈時，更佳為5μm以上200μm以下。相對於玻璃基板之蝕刻加工所致之挖入深度，蝕刻遮罩的膜厚較佳為0.08倍以上0.25倍以下，更佳為0.1倍以上0.2倍以下。
塗佈膜形成步驟中，例如使用輥塗佈機、逆輥塗佈機、塗佈棒等之接觸轉印型塗佈裝置或旋轉器、淋幕式平面塗佈機、狹縫式塗佈機等之非接觸型塗佈裝置，在玻璃基板上塗佈上述感光性樹脂組成物，可形成塗佈膜。所形成之塗佈膜，必要時可加熱(預烘烤)。
預烘烤條件係因感光性樹脂組成物中之各成分的種類、調配比例、塗佈膜厚等而異，通常為70℃以上200℃以下，較佳為80℃以上150℃以下，2分鐘以上120分鐘以下左右。
例如，藉由蝕刻加工切斷厚度200μm以上的玻璃基板，或於厚度200μm以上的玻璃基板，藉由蝕刻加工形成貫通孔時，縮短蝕刻時間，可抑制對蝕刻遮罩之傷害，故使蝕刻液接觸玻璃基板之兩主面，進行蝕刻較佳。 使蝕刻液接觸玻璃基板之兩主面，進行蝕刻時，在玻璃基板之兩主面上可形成蝕刻遮罩。
於玻璃基板之兩主面塗佈感光性樹脂組成物時，可有效率地形成膜厚均勻的塗佈膜，故玻璃基板之主面相對於垂直方向或略垂直方向，成垂直來配置玻璃基板的狀態下，在玻璃基板之2個主面之兩者中，使用接觸型的塗佈裝置，由垂直上方側往垂直下方側塗佈感光性樹脂組成物較佳。 又，玻璃基板之主面的面方向為水平方向或略水平方向，配置玻璃基板的狀態下，玻璃基板之2個主面之兩方中，也可藉由接觸型塗佈裝置塗佈感光性樹脂組成物。
進行上述兩面塗佈時，在固定玻璃基板之位置的狀態下，也可移動接觸型塗佈裝置進行塗佈，或固定接觸型塗佈裝置之位置的狀態下，移動玻璃基板進行塗佈。
進行上述兩面塗佈時，塗佈裝置使用輥塗佈機、逆輥塗佈機、塗佈棒等之接觸轉印型塗佈裝置較佳，更佳為使用輥塗佈機。
＜曝光步驟＞ 曝光步驟中，對玻璃基板上之塗佈膜，依據欲形成之蝕刻遮罩的形狀，進行位置選擇性曝光。 具體而言，對於塗佈膜，經由特定圖型的遮罩，選擇的照射(曝光)活性光線或輻射線，例如波長為300nm以上500nm以下的紫外線或可見光線。
輻射線的線源可使用低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、氬氣體雷射等。又，輻射線包含微波、紅外線、可見光線、紫外線、X線、γ線、電子束、陽子線、中性子線、離子線等。輻射線照射量係因感光性組成物之組成或感光性層的膜厚等而異，例如使用超高壓水銀燈時為100mJ/cm2 以上10000mJ/cm2 以下。
曝光後，使用習知的方法，藉由將塗佈膜加熱，促進酸的擴散，塗佈膜中之被曝光的部分，改變對鹼顯影液等之顯影液之塗佈膜的溶解性。
＜蝕刻遮罩形成步驟＞ 蝕刻遮罩形成步驟中，經曝光的塗佈膜藉由顯影液顯影，形成蝕刻遮罩。
顯影液可使用例如氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙基胺、n-丙基胺、二乙基胺、二-n-丙基胺、三乙基胺、甲基二乙基胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲銨、氫氧化四乙銨、吡咯、哌啶、1,8-二氮雙環[5,4,0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雙環[4,3,0]-5-壬烷等之鹼類的水溶液。又，上述鹼類的水溶液中適當量添加有甲醇、乙醇等之水溶性有機溶劑或界面活性劑的水溶液，也可作為顯影液使用。
顯影時間係因感光性樹脂組成物之組成或塗佈膜的膜厚等而異，通常為1分鐘以上30分鐘以下之間。顯影方法可為盛液法、浸漬法、槳式法、噴霧顯影法等任一者。
顯影後，必要時，在30秒以上90秒以下之間進行流水洗淨，使用空氣噴槍或烤箱等使乾燥。如此，在玻璃基板上，形成經圖型化成所期望形狀的蝕刻遮罩。
＜蝕刻步驟＞ 蝕刻步驟中，對具備蝕刻遮罩之玻璃基板，施予蝕刻加工。
蝕刻加工可為切斷玻璃基板，或將玻璃基板形成貫通厚度方向之孔的加工，也可為在玻璃基板上形成溝或溝槽(Trench)的加工。
蝕刻方法為可使蝕刻液與玻璃基板接觸的方法時，即無特別限定。蝕刻方法，可列舉將蝕刻液對玻璃基板噴霧，或將玻璃基板浸漬於蝕刻液的濕式蝕刻(wet etching)。 也可使蝕刻液接觸玻璃基板之僅一主面來進行蝕刻，使蝕刻液接觸玻璃基板之兩主面來進行蝕刻。
使蝕刻液接觸玻璃基板之僅一主面時，藉由保護膜被覆未接觸蝕刻液之玻璃基板的主面較佳。保護膜對蝕刻液具有耐性時，無特別限定。 保護膜也可由對蝕刻液具有耐性之材料所構成的薄片黏貼於玻璃基板而形成，也可塗佈前述感光性樹脂組成物後，將塗佈膜加熱而形成。
如前述，將厚度200μm以上的玻璃基板藉由蝕刻加工切斷，或藉由蝕刻加工，在厚度200μm以上之玻璃基板形成貫通孔時，可縮短蝕刻時間，抑制對蝕刻遮罩之傷害，故使蝕刻液接觸玻璃基板之兩主面，進行蝕刻較佳。
蝕刻液可列舉氟酸單獨、氟酸與氟化銨、氟酸與其他的酸(鹽酸、硫酸、磷酸、硝酸等)的混酸等。蝕刻處理時間，無特別限定，例如10分鐘~10小時左右。又，蝕刻液可加熱至25℃以上60℃以下左右。而蝕刻處理液的濃度為考慮蝕刻速度或處理時間，適宜調整即可，例如氟酸的濃度，較佳為1質量%以上20質量%以下，更佳為5質量%以上10質量%以下。其他之酸的濃度，較佳為1質量%以上40質量%以下，更佳為1質量%以上20質量%以下。
＜去除步驟＞ 蝕刻加工後，去除步驟中，蝕刻遮罩自玻璃基板去除。
蝕刻遮罩之去除方法，無特別限定，對玻璃基板或附於玻璃基板之金屬配線或樹脂材料不易受傷，故使蝕刻遮罩接觸有機溶劑的方法較佳。使蝕刻遮罩接觸有機溶劑的方法，無特別限定。例如，可將有機溶劑噴霧至蝕刻遮罩，也可將具備蝕刻遮罩之玻璃基板浸漬於有機溶劑。
有機溶劑只要是可去除蝕刻遮罩時，無特別限定，也可適宜選擇上述溶劑(S)。有機溶劑就去除步驟後之步驟的觀點，較佳為極性溶劑(特別是上述溶劑(S)中之酮類或乙二醇類之單醚類)。就去除步驟之餘裕的觀點，更佳為可列舉N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基-2-吡咯烷酮及二甲基亞碸等的非質子性極性有機溶劑等。此等有機溶劑，可組合2種以上使用。
蝕刻遮罩剝離所使用之有機溶劑的溫度，無特別限定，為了提高剝離性，可進行加熱。有機溶劑之溫度，例如5℃以上80℃以下較佳，10℃以上50℃以下更佳，考慮對玻璃基板或附於玻璃基板之金屬配線或樹脂材料的影響時，又更佳為20℃以上25℃以下。
蝕刻遮罩與有機溶劑的接觸時間，只要是可良好剝離蝕刻遮罩時，無特別限定。接觸時間，例如1分鐘以上60分鐘以下為佳，1分鐘以上15分鐘以下更佳。
[實施例]
以下，藉由實施例更詳細地說明本發明，但是本發明不限定於此等實施例。
[實施例1~4] 以下表所記載的比率混合各成分，得到感光性樹脂組成物。表1所記載之各成分的使用量為質量份。表1中之下述成分如下述。又，關於各例之組成物的黏度，實施例1~4均為約1500cp。實施例5~7為約2000cp。 黏度為使用E型黏度計測定之25℃下的測定值。
＜樹脂成分(A)＞ (A)-1：以來自全酚性羥基之7.5%為1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚的酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂。(Mw：40000、保護前的酚醛清漆樹脂為m-甲酚/p-甲酚=6/4(莫耳比)。) (A)-2：以來自全酚性羥基之15%為1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚之酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂。(Mw：15000、保護前之酚醛清漆樹脂為m-甲酚/p-甲酚=6/4(莫耳比)。) (A)-3：以來自全酚性羥基之6%為1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚之酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂。(Mw：25000、保護前之酚醛清漆樹脂為m-甲酚/p-甲酚=6/4(莫耳比)。)
＜保護劑(A2)＞ (A2)-1：1,4-環己烷二甲醇二乙烯醚
＜酸產生劑(B)＞ (B)-1：三苯基鋶九氟丁烷磺酸鹽 (B)-2：下述式的化合物 (B)-3：2,4-雙(三氯甲基)-6-胡椒基-1,3,5-三嗪 (B)-4：下述式的化合物
＜填料(C)＞ (C)-1：硫酸鋇粉末 ＜可塑劑(D)＞ (D)-1：聚乙烯基甲醚(質量平均分子量100000)
＜溶劑(S)＞ (S)-1：丙二醇單甲醚乙酸酯 (S)-2：乙酸丁酯 (S)-3：甲氧基丁基乙酸酯
＜其他的添加劑(O)＞ (O)-1：三-n-癸基胺與0.1質量份與界面活性劑(商品名：XR-104、大日本油墨化學工業股份公司製)0.1質量份 (O)-2：聚矽氧系消泡劑(商品名：BYK-088、BYK-Chemie公司製)
＜評價1＞ 使用所得之實施例1~4的感光性樹脂組成物，依據以下的方法，在玻璃基板上形成蝕刻遮罩。 首先，在局部地具備聚醯亞胺膜與金屬配線之厚度400μm的玻璃基板上，塗佈感光性樹脂組成物。其次，將塗佈膜以90℃加熱3分鐘後，以150℃加熱3分鐘。對加熱後的塗佈膜，經由正型遮罩，以曝光量1200mJ/cm2 進行曝光。曝光後的塗佈膜以115℃加熱3分鐘。使加熱後的塗佈膜與22℃之濃度2.38質量%的氫氧化四甲銨水溶液接觸7分鐘，進行顯影。經顯影後的塗佈膜以120℃加熱60分鐘，形成厚度70μm的蝕刻遮罩。 對於具備蝕刻遮罩的玻璃基板，在室溫下，在以下的條件下進行蝕刻。 ･蝕刻處理液(氟酸水溶液10質量%與硝酸水溶液20質量%之1:1混酸溶液) ･蝕刻時間：1小時
將蝕刻後的玻璃基板在室溫下，浸漬於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)與二甲基亞碸(DMSO)的混合溶劑(NMP/DMSO(質量比)=40/60)中，以未達10分鐘的時間，蝕刻遮罩被完全溶解去除。 藉由顯微鏡觀察蝕刻遮罩去除後之玻璃基板的表面，在玻璃基板上，未觀察到蝕刻遮罩之去除後的殘渣。又，也未觀察到聚醯亞胺膜之膜減少或對金屬配線之傷害。 ＜評價2＞ 使用所得之實施例5~7的感光性樹脂組成物，依據以下的方法，在玻璃基板上形成蝕刻遮罩。 首先，在局部地具備聚醯亞胺膜與金屬配線之厚度400μm的玻璃基板上，塗佈70μm感光性樹脂組成物，以90℃加熱3分鐘進行乾燥。接著，使用相同感光性樹脂組成物，在乾燥後之塗佈膜上進行第2次塗佈與乾燥(以90℃加熱3分鐘)，得到140μm膜厚的塗佈膜。然後，將塗佈膜以150℃加熱3分鐘。對於乾燥(加熱)後的塗佈膜，經由正型遮罩，以曝光量1200mJ/cm2 進行曝光。曝光後的塗佈膜以115℃加熱3分鐘。使加熱後的塗佈膜與22℃之濃度2.38質量%的氫氧化四甲銨水溶液接觸7分鐘，進行顯影。經顯影後的塗佈膜以120℃加熱60分鐘，形成厚度140μm的蝕刻遮罩。 以超音波顯微鏡(C-SAM D9600)確認製得之蝕刻遮罩時，為無針孔或無龜裂的蝕刻遮罩。 對於具備蝕刻遮罩的玻璃基板，在室溫下，在以下的條件下進行蝕刻。 ･蝕刻處理液(氟酸水溶液10質量%與硝酸水溶液20質量%之1:1混酸溶液) ･蝕刻時間：1小時
將蝕刻後的玻璃基板在室溫下，浸漬於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)與二甲基亞碸(DMSO)的混合溶劑(NMP/DMSO(質量比)=40/60)中，以未達10分鐘的時間，蝕刻遮罩被完全溶解去除。 藉由顯微鏡觀察蝕刻遮罩去除後之玻璃基板的表面，在玻璃基板上，未觀察到蝕刻遮罩之去除後的殘渣。又，也未觀察到聚醯亞胺膜之膜減少或對金屬配線之傷害。
[比較例] ＜剝離性評價＞ 使用市售的負型感光性組成物，依據常法進行塗佈、曝光及顯影，在局部地具備聚醯亞胺膜與金屬配線之厚度400μm的玻璃基板上，形成厚度70μm的蝕刻遮罩。在與實施例同樣的蝕刻處理後，將具備蝕刻遮罩的玻璃基板在室溫下，浸漬於N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)與二甲基亞碸(DMSO)的混合溶劑(NMP/DMSO(質量比)=40/60)時，10分鐘浸漬，無法去除蝕刻遮罩。 又，將具備蝕刻遮罩的玻璃基板在50℃下，於單乙醇胺(MEA)與二甲基亞碸(DMSO)的混合溶劑(MEA/DMSO(質量比)=70/30)中浸漬30分鐘時，雖可去除蝕刻遮罩，但是在玻璃基板上產生大量的去除後殘渣。又，聚醯亞胺膜可觀察到膜減少，金屬配線上可看見腐蝕。

Claims (8)

  1. 一種感光性樹脂組成物，其係包含：具有酸解離性溶解抑制基，藉由酸之作用增大鹼可溶性的樹脂成分(A)、藉由輻射線照射使產生酸的酸產生劑(B)、填料(C)、及可塑劑(D)，或包含：具有酚性羥基之樹脂成分(A1)、藉由與前述酚性羥基反應，提供酸解離性溶解抑制基的保護劑(A2)、前述酸產生劑(B)、前述填料(C)、及前述可塑劑(D)，前述樹脂成分(A)為酚性羥基之至少一部分被前述酸解離性溶解抑制基保護的酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂，前述樹脂成分(A1)為酚性羥基之至少一部分可藉由前述酸解離性溶解抑制基保護之酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂，其中前述感光性樹脂組成物包含前述樹脂成分(A)、前述酸產生劑(B)、前述填料(C)及前述可塑劑(D)時，前述樹脂成分(A)包含前述酚醛清漆樹脂或聚羥基苯乙烯樹脂與式(I)表示之化合物的反應物，前述感光性樹脂組成物包含前述樹脂成分(A1)、前述保護劑(A2)、前述酸產生劑(B)、前述填料(C)及前述可塑劑(D)時，前述保護劑(A2)包含式(I)表示的前述化合物，前述式(I)以下式：H2C=CH-O-Aa1-O-CH=CH2．．．(I)表示， 前述式(I)中，Aa1為可具有取代基，在主鏈也可包含醚鍵之碳原子數1以上、10以下的伸烷基、或以下述式(II)：-(Aa2)na-Aa3-(Aa2)na-．．．(II)表示之基團，前述式(II)中，Aa2為可具有取代基之碳原子數1以上、10以下的伸烷基，Aa3為伸環己基，na為0或1。
  2. 如請求項1之感光性樹脂組成物，其係用於在玻璃基板上形成蝕刻遮罩。
  3. 如請求項1或2之感光性樹脂組成物，其中前述可塑劑(D)包含聚乙烯烷醚。
  4. 如請求項1或2之感光性樹脂組成物，其係包含溶劑(S)，前述溶劑(S)包含在大氣壓下之沸點為170℃以上的高沸點溶劑(S1)。
  5. 一種玻璃基板之蝕刻方法，其係包含以下的步驟：將如請求項1~4中任一項之前述感光性樹脂組成物塗佈於玻璃基板之至少一主面，在前述玻璃基板之主面上形成塗佈膜的塗佈膜形成步驟，將前述塗佈膜以位置選擇性曝光的曝光步驟，經曝光後的前述塗佈膜藉由顯影液顯影，形成蝕刻遮罩的蝕刻遮罩形成步驟，對於具備前述蝕刻遮罩之前述玻璃基板，施予蝕刻加工的蝕刻步驟， 去除蝕刻遮罩的去除步驟。
  6. 如請求項5之玻璃基板之蝕刻方法，其中前述蝕刻加工為將前述玻璃基板形成貫通厚度方向之孔的開孔加工。
  7. 如請求項5或6之玻璃基板之蝕刻方法，其係在前述玻璃基板之2個主面之兩者，形成前述蝕刻遮罩，對於前述玻璃基板之2個主面之兩者，施予前述蝕刻加工。
  8. 一種如請求項1~4中任一項之感光性樹脂組成物之應用，其係在玻璃基板上形成蝕刻遮罩用之應用。
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