TWI830833B - 切削裝置 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供可以藉由一台切削裝置進行晶圓之完全切斷及不完全切斷的切削裝置。 [解決手段] 一種切削裝置，包含：卡匣台，其係選擇性地載置第一卡匣和第二卡匣，該第一卡匣收容有環狀框和晶圓成為一體的框架單元，該第二卡匣收容有單體之晶圓；第一搬運單元，其係具有第一框架保持部和第一晶圓保持部，該第一框架保持部係保持從第一卡匣被拉出之框架單元之環狀框且搬運至挾具平台，該第一晶圓保持部係保持從第二卡匣被拉出之單體之晶圓且搬運至夾具平台；切削單元，其係切削被保持在夾具平台之晶圓；第二搬運單元，其具有第二框架保持部和第二晶圓保持部，該第二框架保持部係保持被切削之框架單元的環狀框，且從夾具平台搬運至洗淨單元，該第二晶圓保持部係保持被切削之單體之晶圓，且從夾具平台搬運至洗淨單元。

Description

切削裝置

本發明係關於切削晶圓之切削裝置。

IC、LSI等之複數裝置藉由交叉之複數分割預定線被區劃且被形成在表面的晶圓，藉由切削裝置被分割成各個裝置晶片，被分割的各裝置晶片被使用於行動電話、個人電腦等的電器。

晶圓係經由黏接膠帶被配設在具有收容晶圓之開口的環狀框，藉由切削裝置而沿著分割預定線完全被切斷，被分割成各個裝置晶片(例如，參照專利文獻1)。

再者，實施在單體之晶圓之分割預定線形成相當於裝置晶片厚度之深度的切削溝，之後，在晶圓之表面黏貼保護膠帶而對晶圓之背面進行研削直至在晶圓之背面露出切削溝，且將晶圓分割成各個裝置晶片之被稱為所謂的先切割(Dicing Before Grinding)之技術的情況，藉由切削裝置在分割預定線形成相當於裝置晶片之厚度的深度的切削溝，晶圓不完全被切斷(例如，參照專利文獻2)。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2001-110756號公報

[專利文獻2]日本特開2005-46979號公報

但是，在完全切斷隔著黏接膠帶被配設在環狀框之晶圓之情況，和不完全切斷單體之晶圓之情況，切削裝置不同，必須準備兩種類的切削裝置，較不經濟，同時有切削裝置之設置面積增加之問題。

依此，本發明之目的在於提供可以藉由一台之切削裝置進行晶圓之完全切斷及不完全切斷之切削裝置。

依據本發明時，提供一種切削裝置，其係切削晶圓，該切削裝置具備：卡匣台，其係選擇性地載置第一卡匣和第二卡匣，該第一卡匣收容有晶圓被定位在具有開口之環狀框的該開口，且環狀框和晶圓藉由黏接膠帶成為一體的框架單元，該第二卡匣收容有單體之晶圓；拉出單元，其係選擇地具備挾持部和支持部，該挾持部係於該第一卡匣被載置於該卡匣台之時，挾持該環狀框且從該第一卡匣拉出，該支持部係於該第二卡匣被載置於該卡匣台 之時，支持單體之晶圓且從該第二卡匣拉出；第一暫時放置單元，其係暫時放置藉由該拉出單元之該挾持部被拉出之該框架單元；第二暫時放置單元，其係暫時放置藉由該拉出單元之該支持部被拉出之單體之晶圓；第一搬運單元，其係包含第一框架保持部和第一晶圓保持部，該第一框架保持部係保持被定位在該第一暫時放置單元之該框架單元的該環狀框且搬運至夾具平台，該第一晶圓保持部係保持被定位在該第二暫時放置單元之單體之晶圓且搬運至該夾具平台；切削單元，其係切削被保持在該夾具平台之該框架單元之晶圓或單體之晶圓；洗淨單元，其係保持被切削之該框架單元之晶圓或單體之晶圓，並予以洗淨；及第二搬運單元，其包含第二框架保持部和第二晶圓保持部，該第二框架保持部係保持被切削之晶圓之該框架單元的該環狀框，且從該夾具平台搬運至該洗淨單元，該第二晶圓保持部係保持被切削之單體之晶圓，且從該夾具平台搬運至該洗淨單元。

以該第一搬運單元之該第一框架保持部係保持藉由該洗淨單元被洗淨之框架單元之環狀框，且從該洗淨單元搬運至該第一暫時放置單元，該第一搬運單元之該第一晶圓保持部係保持藉由該洗淨單元被洗淨的單體之晶圓，且從該洗淨單元搬運至該拉出單元之該支持部為佳。

以該第二暫時放置單元包含檢測部，該檢測部檢測單體之晶圓之結晶方位為佳。

以該第一搬運單元之該第一框架保持部及該第二搬運 單元之該第二框架保持部，係吸引且保持環狀框，該第一搬運單元之該第一晶圓保持部及該第二搬運單元之該第二晶圓保持部，係對單體之晶圓噴吹氣體而生成負壓且以非接觸保持為佳。

以藉由該切削單元，框架單元之晶圓完全被切斷，單體之晶圓不完全被切斷為佳。

以該第二搬運單元包含該拉出單元為佳。

以該第一暫時放置單元具有一對導軌，該一對導軌係選擇性地被定位在支持框架單元之關閉位置和開放框架單元之開放位置，從該第一卡匣被拉出之框架單元係以被定位在關閉位置之該一對導軌被支持，之後，以該第一搬運單元之該第一框架保持部被保持，該一對導軌被定位在開放位置而被搬運至被定位在該第一暫時放置單元之正下方的該夾具平台為佳。

以該第二暫時放置單元被配置在該第一暫時放置單元之上方並且該卡匣台側，從該第二卡匣藉由該拉出單元之該支持部被拉出且被定位在該第二暫時放置單元之單體之晶圓，於槽口被檢測出之後，藉由該支持部再次被支持，且被保持於該第一搬運單元之該第一晶圓保持部，且被搬運至該第一暫時放置單元之正下方的該夾具平台為佳。

當藉由本發明時，除了藉由一台切削裝置可以進行晶圓之完全切斷及不完全切斷，較經濟之外，還可 以抑制切削裝置之設置面積的增大。

2:切削裝置

4:卡匣台

6:第一卡匣

8:第二卡匣

10:環狀框

10a:開口

12:晶圓

12a:晶圓之表面

12b:晶圓之背面

14:膠帶

16:框架單元

22:槽口

24:挾持部

26:支持部

28:拉出單元

44:第一暫時放置單元

46:第二暫時放置單元

48:導軌

58:檢測部

60:第一框架保持部

62:第一晶圓保持部

64:第一搬運單元

90:夾具平台

94:切削單元

124:洗淨單元

138:第二框架保持部

140:第二晶圓保持部

142:第二搬運單元

圖1為本發明實施型態之切削裝置之斜視圖。

圖2a為選擇性地被載置於圖1所示之卡匣台之第一卡匣的斜視圖。

圖2b為第二卡匣之斜視圖。

圖3a為圖1所示之拉出單元之分解斜視圖。

圖3b為其斜視圖。

圖4為圖1所示之第一暫時放置單元及第二暫時放置單元之斜視圖。

圖5a為圖1所示之第一搬運單元之斜視圖。

圖5b為在第一搬運單元安裝有第一框架保持部及第一晶圓保持部之狀態的斜視圖。

圖6a為第一框架保持部及第一晶圓保持部之斜視圖。

圖6b為被一體化之第一框架保持部及第一晶圓保持部之斜視圖。

圖7為從圖1所示之切削裝置省略掉第一搬運單元等之切削裝置之一部斜視圖。

圖8a為圖1所示之第二搬運單元之斜視圖。

圖8b為在第二搬運單元安裝有第二框架保持部及第二晶圓保持部之狀態的斜視圖。

以下，針對本發明實施型態之切削裝置，一面參考圖面一面予以說明。

如圖1所示般，以符號2表示全體之切削裝置具備能夠在圖1中以箭號Z表示之Z軸方向升降之矩形狀之卡匣台4，和使卡匣台4在Z軸方向升降之卡匣台升降手段(無圖示)。卡匣台升降手段為具有與卡匣台4連結且在Z軸方向延伸之滾珠螺桿，和使該滾珠螺桿旋轉之馬達的構成即可。另外，在圖1中以箭號X表示的X軸方向為與Z軸方向正交之方向，在圖1中以箭號Y表示之Y軸方向為與X軸方向及Z軸方向正交之方向。再者，X軸方向及Y軸方向規定的平面實質上為水平。

在圖2a及圖2b中，表示選擇性地被載置於卡匣台4之第一卡匣6及第二卡匣8。在第一卡匣6中，收容複數框架單元16，該框架單元16係晶圓12被定位在具有開口10a之環狀框10之開口10a，且環狀框10和晶圓12藉由膠帶14成為一體。在小於第一卡匣6之第二卡匣8被收容複數單體之晶圓12。

在本實施型態中，如同圖2a，具有黏接性之圓形膠帶14之周緣被固定在環狀框10，並且圓盤狀之晶圓12之背面12b被黏貼於膠帶14而構成框架單元16。再者，被收容在第一卡匣6之框架單元16之晶圓12，和被收容在第二卡匣8之單體之晶圓12實質上並非相同，各個晶圓12之表面12a藉由格子狀之分割預定線18被區劃成複數矩形 區域，在複數矩形區域分別形成IC、LSI等之裝置20。再者，在晶圓12之周緣形成表示晶圓12之結晶方位的槽口(切口)22。

如圖1所示般，切削裝置2具備拉出單元28，其係選擇性地具備挾持部24和支持部26，該挾持部係第一卡匣6被載置於卡匣台4之時，挾持環狀框10且從第一卡匣6拉出，該支持部26係第二卡匣8被載置於卡匣台4之時，支持單體之晶圓12且從第二卡匣8拉出。

參照圖3a及圖3b針對拉出單元28予以說明。拉出單元28之挾持部24包含支持構件30、旋轉自如地被支持於支持構件30之旋轉構件32、使旋轉構件32旋轉之旋轉馬達34，和被安裝於旋轉構件32之一對挾持片36。旋轉構件32成為藉由旋轉馬達34選擇性地被定位在在圖3a中以實線表示之作用位置，和在圖3a中以二點鏈線表示之非作用位置。再者，氣體驅動式之一對挾持片36被構成使彼此的間隔擴張自如且縮小自如。

如圖3a所示般，拉出單元28之支持部26包含Y軸方向延伸之殼體38，和在Y軸方向移動自如地被支持於殼體38之支持片40。氣體驅動式之支持片40被構成在圖3b所示之非作用位置，和較非作用位置靠圖3b之左側並且紙張前側之作用位置之間，在Y軸方向移動自如。再者，在支持片40之前端側之U型狀部分之上面，形成經由流路(無圖示)而被連接於吸引手段(無圖示)之複數吸引孔42。

再者，本實施型態之拉出單元28係以後述之 第二搬運單元142之Y軸進給機構146(參照圖1)在Y軸方向被移動，並且以第二搬運單元142之Z軸進給機構(無圖示)在Z軸方向被移動。另外，即使在切削裝置2與第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構不同，另外設置使拉出單元28在Y軸方向移動之Y軸進給機構，和使拉出單元28在Z軸方向移動之Z軸進給機構亦可。

而且，在拉出單元28中，成為第一卡匣6被載置於卡匣台4之時，以挾持部24之旋轉馬達34將旋轉構件32定位在作用位置，同時將支持部26之支持片40定位在非作用位置後，再以第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構，將一對挾持片36定位在第一卡匣6內之環狀框10之端部之後，以一對挾持片36挾持環狀框10。接著，拉出單元28之挾持部24成為藉由以第二搬運單元142之Y軸進給機構146在Y軸方向移動，使以一對挾持片36挾持之環狀框10在Y軸方向移動而從第一卡匣6拉出。

再者，在拉出單元28中，成為第二卡匣8被載置於卡匣台4之時，將支持部26之支持片40定位在作用位置，同時將挾持部24之旋轉構件32定位在非作用位置後，再以第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構，將支持片40之U型狀部分定位在第二卡匣8內之單體之晶圓12之下面之後，以吸引手段在支持片40之上面生成吸引力，藉此以支持片40吸引支持單體之晶圓12。接著，拉出單元28之支持部26成為藉由以第二搬運單元142之Y軸進給機構146在Y軸方向移動，使以支持片40吸引支持之單 體之晶圓12在Y軸方向移動而從第二卡匣8拉出。

如同圖1所示般，切削裝置2具備暫時放置藉由拉出單元28之挾持部24而被拉出之框架單元16的第一暫時放置單元44，和暫時放置藉由拉出單元28之支持部26被拉出之單體之晶圓12的第二暫時放置單元46。

當參照圖4予以說明時，第一暫時放置單元44具有在X軸方向隔著間隔而被配置之剖面L字狀之導軌48，和變更一對導軌48之X軸方向間隔的導軌開關部50。導軌開關部50包含與一對導軌48連結之複數汽缸或電動缸，成為將一對導軌48選擇性地定位在以一對導軌48支持框架單元16之關閉位置，和比起關閉位置使一對導軌48之X軸方向間隔更寬廣，開放框架單元16的開放位置。另外，一對導軌48係經由適當的托架(無圖示)被支持成在X軸方向移動自如。

當參照圖4持續說明時，第二暫時放置單元46被配置在第一暫時放置單元44之一對導軌48之上方並且Y軸方向之卡匣台4側，經由適當的托架(無圖示)被固定的長方體狀之基台52，和旋轉自如地搭載於基台52之圓形狀之暫時放置台54，和使暫時放置台54旋轉之暫時放置台用馬達(無圖示)。在暫時放置台54之上面，形成經由流路(無圖示)被連接於吸引手段(無圖示)之吸引溝56。而且，在第二暫時放置單元46中，藉由以吸引手段在暫時放置台54之上面生成吸引力，以暫時放置台54吸引保持單體之晶圓12。另外，暫時放置台54之直徑小於拉出單元28之支持片 40之U型狀部分之前端間尺寸，成為在以支持片40吸引支持單體之晶圓12之下面側之狀態，可以使單體之晶圓12之下面接觸於暫時放置台54之上面。

本實施型態之第二暫時放置單元46包含檢測出單體之晶圓12之結晶方位的檢測部58。在該檢測部58具有線感測器(無圖示)，該線感測器具有被配置在上下方向彼此相向之位置的發光元件和受光元件。而且，在第二暫時放置單元46中，成為一面以暫時放置台用馬達使吸引保持單體之晶圓12的暫時放置台54旋轉，一面對暫時放置台54之旋轉角度賦予關聯性，而以檢測部58之線感測器檢測出槽口22之位置，依此檢測出單體之晶圓12之結晶方位。

如圖1所示般，切削裝置2包含第一搬運單元64，該第一搬運單元64具備保持被定位在第一暫時放置單元44之框架單元16之環狀框10，且搬運至夾具平台的第一框架保持部60，和保持被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12，且搬運至夾具平台的第一晶圓保持部62。

當參照圖1及圖5b而予以說明時，第一搬運單元64包含在Y軸方向移動自如地被支持在門型之支持環狀框66(參照圖1)的Y軸可動構件68，和使Y軸可動構件68在Y軸方向移動的Y軸進給機構70，和在Z軸方向升降自如地被支持於Y軸可動構件68之下端的Z軸可動構件72，和使Z軸可動構件72在Z軸方向升降的Z軸進給機構(無圖示)。

如圖5a及圖5b所示般，第一搬運單元64之Y 軸進給機構70具有在Y軸方向延伸之滾珠螺桿74，和使滾珠螺桿74旋轉之馬達76，滾珠螺桿74之螺帽部(無圖示)與Y軸可動構件68連結。而且，Y軸進給機構70係成為藉由滾珠螺桿74將馬達76之旋轉運動轉換成直線運動而傳達至Y軸可動構件68，且沿著被設置在支持環狀框66之一對導引軌道78而使Y軸可動構件68在Y軸方向移動。再者，第一搬運單元64之Z軸進給機構為具有與Z軸可動構件72連結且在Z軸方向延伸之滾珠螺桿，和使該滾珠螺桿旋轉之馬達的構成即可。

參照圖5b及圖6b持續進行針對第一搬運單元64的說明。如同圖5b所示般，第一搬運單元64之第一框架保持部60具有被固定於Z軸可動構件72之下端的H型狀之平板80，和被設置在平板80之下面的複數吸引墊82，各吸引墊82被連接於吸引手段(無圖示)。

而且，在第一框架保持部60中，成為藉由以吸引手段在吸引墊82生成吸引力，以吸引墊82吸引並保持被定位在第一暫時放置單元44之框架單元16之環狀框10。再者，第一搬運單元64係成為藉由以Y軸進給機構70使Y軸可動構件68移動，並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件72移動，將以第一框架保持部60吸引保持之框架單元16從第一暫時放置單元44搬運至後述夾具平台90。

再者，如同圖5b及圖6b所示般，第一晶圓保持部62具有被連接於平板80之下面的圓形狀基板84，和朝向基板84之下方噴吹氣體的複數氣體噴吹構件86，和被設 置在基板84之邊緣部分的複數外圍限制構件88。氣體噴吹構件86被連接於氣體供給手段(無圖示)。

而且，在第一晶圓保持部62中，成為使被連接於氣體噴吹構件86之氣體供給手段動作，朝向被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12而從氣體噴吹構件86噴吹氣體且藉由白努利效應在氣體噴吹構件86之下端生成負壓，藉由氣體噴吹構件86以非接觸吸引保持單體之晶圓12。在單體之晶圓12以非接觸被吸引保持於第一晶圓保持部62之時，單體之晶圓12之水平移動藉由複數外圍限制構件88被限制。再者，第一搬運單元64係成為藉由以Y軸進給機構70使Y軸可動構件68移動，並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件72移動，將以第一框架保持部62吸引保持之單體之晶圓12從第二暫時放置單元46搬運至後述夾具平台90。

當參照圖7予以說明時，切削裝置2進一步具備包含保持框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12的夾具平台90的保持單元92，和切削被保持於夾具平台90之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12的切削單元94。

保持單元92包含在Y軸方向隔著間隔在X軸方向延伸之一對導引軌道96，和在X軸方向移動自如地被搭載在一對導引軌道96之X軸可動構件98，和使X軸可動構件98在X軸方向移動的X軸進給機構100。X軸進給機構100具有與X軸可動構件98連結，且在X軸方向延伸之滾珠螺桿102，和使滾珠螺桿102旋轉之馬達104。

夾具平台90旋轉自如地被設置在X軸可動構件98之上端，使夾具平台90旋轉之夾具平台用馬達(無圖示)被內置在X軸可動構件98。在夾具平台90之上面配置被連接於吸引手段(無圖示)之多孔質之圓形狀的吸附夾具106。而且，在夾具平台90中，成為藉由以吸引手段在吸附夾具106之上面生成吸引力，以吸附夾具106吸引保持框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12。再者，在夾具平台90之邊緣，附設用以固定框架單元16之環狀框10的複數夾鉗108。

在本實施型態中，如同圖7所示般，在支持環狀框66設置一對切削單元94。各切削單元94包含在Y軸方向及Z軸方向移動自如地被支持於支持環狀框66之主軸殼110，和使主軸殼110在Y軸方向移動之Y軸進給機構112(僅圖示一方)，和使主軸殼110在Z軸方向移動的Z軸進給機構114。Y軸進給機構112具有與主軸殼110連結且在Y軸方向延伸之滾珠螺桿(無圖示)，和使該滾珠螺桿旋轉之馬達116，Z軸進給機構114具有與主軸殼110連結且在Z軸方向延伸之滾珠螺桿(無圖示)，和使該滾珠螺桿旋轉之馬達118。

當參照圖7持續進行針對切削單元94之說明時，在主軸殼110，以在Y軸方向延伸之軸線為中心旋轉自如地支持主軸120，同時設置有使主軸120旋轉之主軸用馬達(無圖示)。再者，在主軸120之前端，固定環狀之切削刀122。

而且，在切削單元94中，成為以主軸用馬達使切削刀122與主軸120一起高速旋轉後，再以Z軸進給機構114使主軸殼110下降，使高速旋轉的切削刀122切入至被保持於夾具平台90之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12，並且利用X軸進給機構100使夾具平台90以特定之加工進給速度在X軸方向加工進給，依此切削框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12。

當參照圖7持續進一步說明時，切削裝置2保持被切削之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12且進行洗淨的洗淨單元124。

洗淨單元124包含：圓筒狀之殼體126；旋轉自如且在Z軸方向升降自如地被配置在殼體126之內部的旋轉平台128；使旋轉平台128旋轉之旋轉平台用馬達(無圖示)；在用以拆裝晶圓12之上部拆裝位置和用以洗淨晶圓12之下部洗淨位置之間，使旋轉平台128在Z軸方向升降的旋轉平台升降手段(無圖示)。旋轉平台升降手段為具有汽缸或電動缸的構成即可。

在旋轉平台128之上面配置被連接於吸引手段(無圖示)之多孔質之圓形狀的吸附夾具130。而且，在旋轉平台128中，成為藉由以吸引手段在吸附夾具130之上面生成吸引力，以吸附夾具130吸引保持框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12。再者，在旋轉平台128之邊緣，附設用以固定框架單元16之環狀框10的複數夾鉗132。

再者，如同圖7所示般，洗淨單元124包含對 被保持於旋轉平台128之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12之上面噴射洗淨水之洗淨水噴嘴134，和對被保持於旋轉平台128之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12之上面噴射乾燥氣體之氣體噴嘴136。洗淨水噴嘴134及氣體噴嘴136分別選擇性地被定位在作用位置和圖7所示的非作用位置，該作用位置係位於被定位在下部洗淨位置之旋轉平台128之上方，該非作用位置係從旋轉平台128之上方分離。

而且，在洗淨單元124中，藉由以旋轉平台升降手段使保持框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12的旋轉平台128從上部拆裝位置下降至下部洗淨位置，同時將洗淨水噴嘴134定位在作用位置後，再以旋轉平台用馬達，使旋轉平台128旋轉，並且從洗淨水噴嘴134朝向以旋轉平台128保持之框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12噴射洗淨水，可以洗淨框架單元16之晶圓12或單體之晶圓12，同時能以旋轉平台128之旋轉所致的離心力，從框架單元16或單體之晶圓12之上面除去洗淨水。

再者，在洗淨單元124中，藉由將洗淨水噴嘴134定位在非作用位置，同時將氣體噴嘴136定位在作用位置後，再從氣體噴嘴136朝向以旋轉平台128保持的框架單元16或單體之晶圓12噴射乾燥氣體，可以從框架單元16或單體之晶圓12之上面除去藉由旋轉平台128之旋轉所致的離心力無法完全被除去的洗淨水，使框架單元16或單體之晶圓12之上面乾燥。

如同圖1所示般，切削裝置2包含第二搬運單元142，該第二搬運單元142具備保持被切削之晶圓12之框架單元16之環狀框10，且從夾具平台90搬運至洗淨單元124之第二框架保持部138，和保持被切削之單體之晶圓12，且從夾具平台90搬運至洗淨單元124之第二晶圓保持部140。

當參照圖1及圖8a而予以說明時，第二搬運單元142包含在Y軸方向移動自如地被支持在門型之支持環狀框66(參照圖1)的Y軸可動構件144，和使Y軸可動構件144在Y軸方向移動的Y軸進給機構146，和在Z軸方向升降自如地被支持於Y軸可動構件144之下端的Z軸可動構件148，和使Z軸可動構件148在Z軸方向升降的Z軸進給機構(無圖示)。

如圖8a所示般，第二搬運單元142之Y軸進給機構146具有在Y軸方向延伸之滾珠螺桿150，和使滾珠螺桿150旋轉之馬達152，滾珠螺桿150之螺帽部(無圖示)與Y軸可動構件144連結。而且，Y軸進給機構146係成為藉由滾珠螺桿150將馬達152之旋轉運動轉換成直線運動而傳達至Y軸可動構件144，且沿著被設置在支持環狀框66之一對導引軌道154而使Y軸可動構件144在Y軸方向移動。再者，第二搬運單元142之Z軸進給機構為具有與Z軸可動構件148連結且在Z軸方向延伸之滾珠螺桿，和使該滾珠螺桿旋轉之馬達的構成即可。

參照圖3b及圖8b持續進行針對第二搬運單元 142的說明。第二搬運單元142之第二框架保持部138具有被固定於Z軸可動構件148之下端的H型狀之平板156，和被設置在平板156之下面的複數吸引墊158，各吸引墊158被連接於吸引手段(無圖示)。

而且，在第二框架保持部138中，成為藉由以吸引手段在吸引墊158生成吸引力，以吸引墊158吸引並保持被切削之晶圓12之框架單元16之環狀框10。再者，第二搬運單元142係成為藉由以Y軸進給機構146使Y軸可動構件144移動，並且以Z軸進給機構使Z軸可動構件148移動，將以第二框架保持部138吸引保持之框架單元16從夾具平台90搬運至洗淨單元124。

再者，如同圖3a及圖8b所示般，第二晶圓保持部140具有被連接於平板156之下面的圓形狀基板160，和朝向基板160之下方噴吹氣體的複數氣體噴吹構件162，和被設置在基板160之邊緣部分的複數外圍限制構件164。氣體噴吹構件162被連接於氣體供給手段(無圖示)。

而且，在第二晶圓保持部140中，成為使被連接於氣體噴吹構件162之氣體供給手段動作，從氣體噴吹構件162朝向被切削之單體之晶圓12噴吹氣體而藉由白努利效應在氣體噴吹構件162之下端生成負壓，藉由氣體噴吹構件162以非接觸吸引保持單體之晶圓12。在單體之晶圓12以非接觸被吸引保持於第二晶圓保持部140之時，單體之晶圓12之水平移動藉由複數外圍限制構件164被限制。再者，第二搬運單元142係成為藉由以Y軸進給機構 146使Y軸可動構件144移動，同時以Z軸進給機構使Z軸可動構件148移動，將以第二晶圓保持部140吸引保持之單體之晶圓12從夾具平台90搬運至洗淨單元124。

如同藉由參照圖3b及圖8b被理解般，本實施型態之第二搬運單元142具備上述拉出單元28，在上述搬運單元142之第二框架保持部138之H型狀之平板156之上面，配置拉出單元28之挾持部24及支持部26。

在本實施型態中，如同圖7所示般，切削裝置2具備對藉由洗淨單元124被洗淨之框架單元16或單體之晶圓12之下面噴射乾燥氣體之下面噴氣構件166。下面噴氣構件166係與洗淨單元124之殼體126鄰接配置，經由適當的托架(無圖示)而被固定。在沿著X軸方向而延伸之中空狀之下面噴氣構件166之上面，在X軸方向隔著間隔而形成複數噴射口168。

而且，在下面噴氣構件166，藉由在被洗淨之框架單元16或單體之晶圓12從洗淨單元124被搬運之時，從噴射口168朝向框架單元16或單體之晶圓12之下面噴射乾燥氣體，可以從框架單元16或單體之晶圓12之下面除去洗淨水並予以乾燥。

接著，針對使用如同上述般之切削裝置2而切削晶圓12之方法予以說明。在切削裝置2中，雖然可以對框架單元16之晶圓12及單體之晶圓12之雙方施予切削加工，但是首先，針對框架單元16之晶圓12的方法予以說明，之後，針對切削單體之晶圓12的方法予以說明。

使用切削裝置2而切削框架單元16之晶圓12之時，首先實施將第一卡匣6載置於卡匣台4的卡匣載置工程，該第一卡匣6收容有晶圓12被定位在具有開口10a之環狀框10之開口10a，且環狀框10和晶圓12藉由膠帶14而成為一體的框架單元16。在第一卡匣6，在晶圓12之表面12a朝上之狀態，收容有複數晶圓12。

於實施卡匣載置工程之後，實施以拉出單元28之挾持部24挾持被載置於卡匣台4之第一卡匣6內之環狀框10，從第一卡匣6拉出框架單元16之環狀框拉出工程。

在環狀框拉出工程中，首先，將拉出單元28之挾持部24之旋轉構件32定位在作用位置，同時將支持部26之支持片40定位在非作用位置。接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，將第一卡匣6內之任意的框架單元16之環狀框10之端部定位在一對挾持片36。而且，以一對挾持片36挾持環狀框10之端部之後，以第二搬運單元142之Y軸進給機構146使挾持部24在Y軸方向移動，而從第一卡匣6拉出框架單元16。

實施環狀框拉出工程之後，實施將藉由拉出單元28之挾持部24從第一卡匣6拉出的框架單元16暫時放置在第一暫時放置單元44之暫時放置工程。

在暫時放置工程中，首先，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，使藉由拉出單元28之挾持部24而從第一卡匣6拉出之框架單元16之下面接觸於一對導軌48之上面。此時，第一暫時放置單元44 之一對導軌48係藉由導軌開關部50被定位在支持框架單元16之關閉位置。而且，解除一對挾持片36所致的環狀框10之挾持，將框架單元16暫時放置在一對導軌48。

於實施暫時放置工程之後，實施以第一搬運單元64之第一框架保持部60保持被定位在第一暫時放置單元44之框架單元16之環狀框10且搬運至夾具平台90的第一環狀框搬運工程。

在第一環狀框搬運工程中，首先，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構動作，將第一框架保持部60定位在被定位於第一暫時放置單元44之框架單元16之上方。再者，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構適當動作，且使在暫時放置工程中將框架單元16暫時放置在第一暫時放置單元44之拉出單元28的挾持部24，移動至不妨礙第一環狀框搬運工程之位置。

接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構，使第一框架保持部60下降，使吸引墊82密接於框架單元16之環狀框10。接著，以吸引手段在吸引墊82生成吸引力，以吸引墊82吸引保持環狀框10。接著，藉由導軌開關部50將第一暫時放置單元44之一對導軌48定位在開放框架單元16之開放位置。另外，在一對導軌48之開放位置中，成為保持框架單元16之第一框架保持部60可以通過一對導軌48之間。

接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構使第一框架保持部60下降，使以吸引墊82吸引保持的框架單 元16之下面，接觸於以X軸進給機構100被定位在第一暫時放置單元44之正下方的夾具平台90之上面。接著，解除吸引墊82之吸引力，將框架單元16收授至夾具平台90。如此一來，將框架單元16從第一暫時放置單元44搬運至夾具平台90。

實施第一環狀框搬運工程之後，實施切削被保持於夾具平台90之框架單元16之晶圓12的切削工程。

在切削工程中，首先，在夾具平台90之上面吸引保持框架單元16之晶圓12，同時以複數夾鉗108固定環狀框10。接著，以攝影手段(無圖示)攝影框架單元16之晶圓12，根據以攝影手段攝影到的晶圓12之畫像，使晶圓12之分割預定線18對準於X軸方向，同時將一對切削單元94之各個切削刀122定位在對準於X軸方向之分割預定線18之上方。接著，以各主軸用馬達使各切削刀122與各主軸120同時旋轉。

接著，進行以Z軸進給機構114使主軸殼110下降，在對準於X軸方向之分割預定線18，將各切削刀122之刀尖從晶圓12之表面12a切入至背面12b，同時對切削單元94使夾具平台90相對性地在X軸方向加工進給而沿著分割預定線18予以切削，完全地切斷晶圓12之完全切斷加工。

接著，僅分割預定線18之Y軸方向間隔之部分，使一面將各切削單元94相對於夾具平台90在Y軸方向分度進給，一面重複完全切斷加工，完全地切斷對準於X 軸方向之分割預定線18的全部。接著，使夾具平台90旋轉90度後，再一面進行分度進給一面重複完全切斷加工，完全地切斷與先前被施予完全切斷加工的分割預定線18正交的分割預定線18的全部。如此一來，將被保持於夾具平台90之框架單元16之晶圓12分割成每個裝置20之裝置晶片。另外，在對框架單元16之晶圓12的切削工程中，即使晶圓12被完全切斷，膠帶14也不會被完全切斷，被分割成各裝置晶片之晶圓12被維持經由膠帶14被支持於環狀框10之狀態。

於實施切削工程之後，實施以第二搬運單元142之第二框架保持部138保持被切削之晶圓12之框架單元16之環狀框10，從夾具平台90搬運至洗淨單元124之第二環狀框搬運工程。

在第二環狀框搬運工程中，首先，以X軸進給機構100將夾具平台90定位在第一暫時放置單元44之正下方。接著，解除夾具平台90之吸引力，同時解除複數夾鉗108所致的環狀框10之固定。再者，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構適當動作，使在第一環狀框搬運工程中搬運框架單元16的第一框架保持部60，移動至不會妨礙第二環狀框搬運工程之位置。

接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146動作，將被載置於夾具平台90之框架單元16之上方定位在第二框架保持部138。接著，將第一暫時放置單元44之一對導軌48定位在開放位置，以第二搬運單元142之Z軸 進給機構使第二框架保持部138下降，使框架單元16之環狀框10密接於吸引墊158，同時以吸引墊158吸引保持環狀框10。

接著，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使第二框架保持部138上升之後，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146動作，將以吸引墊158吸引保持的環狀框10定位在洗淨單元124之旋轉平台128之上方。接著，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使第二框架保持部138下降，使以吸引墊158吸引保持的框架單元16之下面接觸於被定位於上部拆裝位置之旋轉平台128之上面。接著，解除吸引墊158之吸引力，將框架單元16收授至旋轉平台128。如此一來，將被切削之晶圓12之框架單元16從夾具平台90搬運至洗淨單元124。

於實施第二環狀框搬運工程之後，實施以洗淨單元124保持並洗淨被切削之框架單元16之晶圓12的洗淨工程。

在洗淨工程中，首先，在夾具平台128之上面吸引保持框架單元16之晶圓12，同時以複數夾鉗132固定環狀框10。接著，以旋轉平台升降手段使旋轉平台128從上部拆裝位置下降至下部洗淨位置。接著，將洗淨水噴嘴134從非作用位置定位在作用位置之後，邊以旋轉平台用馬達使旋轉平台128旋轉，邊朝向被切削之框架單元16之晶圓12，從洗淨水噴嘴134噴射洗淨水。依此，可以洗淨框架單元16之晶圓12而除去切削屑，同時可以藉由旋轉 平台128之旋轉所致的離心力從框架單元16之上面除去洗淨水。

接著，將洗淨水噴嘴134從作用位置定位在非作用位置，同時將氣體噴嘴136從非作用位置定位在作用位置之後，從氣體噴嘴136朝向框架單元16噴射乾燥氣體。依此，可以將在旋轉平台128之旋轉所致的離心力中，無法完全除去之洗淨水，從框架單元16之上面除去，使框架單元16之上面乾燥。之後，將氣體噴嘴136從作用位置定位在非作用位置，同時將旋轉平台128從下部洗淨位置定位在上部拆裝位置。接著，解除旋轉平台128之吸引力，同時解除複數夾鉗132所致的環狀框10之固定。

於實施洗淨工程之後，實施以第一搬運單元64之第一框架保持部60保持藉由洗淨單元124被洗淨之框架單元16之環狀框10，從洗淨單元124搬運至第一暫時放置單元44之第三環狀框搬運工程。

在第三環狀框架搬運工程中，首先，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，將第一框架保持部60定位在被載置於旋轉平台128之框架單元16之上方。再者，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構適當動作，使在第二環狀框搬運工程中搬運框架單元16的第二框架保持部138，移動至不會妨礙第三環狀框搬運工程之位置。

接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構，使第一框架保持部60下降，使吸引墊82密接於框架單元16 之環狀框10，同時以吸引墊82吸引保持環狀框10。接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構，使第一框架保持部60上升，使以吸引墊82吸引保持之框架單元16從旋轉平台128朝上方分離。

接著，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，使以第一框架保持部60之吸引墊82吸引保持之框架單元16通過下面噴氣構件166之上方。此時，朝向框架單元16之下面而從噴氣構件166之噴射口168噴射乾燥氣體。依此，從框架單元16之下面除去洗淨水，可以使框架單元16之下面乾燥。

並且，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，將以吸引墊82吸引保持之框架單元16定位在第一暫時放置單元44之上方。接著，將一對導軌48以導軌開關部50從開放位置定位至關閉位置。接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構，使第一框架保持部60下降，使以吸引墊82吸引保持之框架單元16之下面接觸於一對導軌48之上面。接著，解除吸引墊82之吸引力，將框架單元16收授至一對導軌48。如此一來，將藉由洗淨單元124被洗淨之框架單元16從洗淨單元124搬運至第一暫時放置單元44。

於實施第三環狀框搬運工程之後，實施以拉出單元28之挾持部24挾持被定位在第一暫時放置單元44之框架單元16之環狀框10，且從第一暫時放置單元44搬運至第一卡匣6而予以收納的第四環狀框搬運工程。

在第四環狀框搬運工程中，首先，在將挾持 部24之旋轉構件32定位在作用位置，同時將支持部26之支持片40定位在非作用位置之狀態，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，在被定位於第一暫時放置單元44之框架單元16之環狀框10之端部(離卡匣台4比較遠的Y軸方向端部)定位一對挾持片36。再者，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構適當動作，使在第三環狀框搬運工程中搬運框架單元16的第一框架保持部60，移動至不會妨礙第四環狀框搬運工程之位置。

接著，以一對挾持片36挾持環狀框10之端部之後，以第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構使框架單元16在Y軸方向及Z軸方向移動，而將框架單元16從第一暫時放置單元44搬運第一卡匣6並予以收納。而且，解除一對挾持片36所致的環狀框10之挾持，將框架單元16暫時放置在第一卡匣6。

使用切削裝置2而切削框架單元16之晶圓12的方法如同上述，接著對使用切削裝置2而切削單體之晶圓12的方法予以說明。

使用切削裝置2而切削單體之晶圓12之時，首先，實施將收容有單體之晶圓12之第二卡匣8載置於卡匣台4之卡匣載置工程。在第二卡匣8，在單體之晶圓12之表面12a朝上之狀態，收容有複數晶圓12。

於實施卡匣載置工程之後，實施以拉出單元28之支持部26支持被載置於卡匣台4之第二卡匣8內之單體之晶圓12，從第二卡匣8拉出單體之晶圓12之晶圓拉出工 程。

在晶圓拉出工程中，首先，將拉出單元28之支持部26之支持片40定位在作用位置，同時將挾持部24之旋轉構件32定位在非作用位置。接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，將支持片40插入至第二卡匣8內之任意晶圓12之下方。接著，使支持片40些許上升而使支持片40之上面密接於晶圓12之下面(背面12b)，同時在支持片40之工面吸引支持晶圓12。而且，以第二搬運單元142之Y軸進給機構146在Y軸方向移動支持片40，而從第二卡匣8拉出單體之晶圓12。

實施晶圓拉出工程之後，實施將藉由拉出單元28之支持部26從第二卡匣8拉出的單體之晶圓12暫時放置在第二暫時放置單元46之暫時放置工程。

在暫時放置工程中，首先，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，使藉由拉出單元28之支持部26而從第二卡匣8拉出之單體之晶圓12之下面接觸於第二暫時放置單元46之暫時放置平台54之上面。而且，以暫時放置平台54之上面吸引保持單體之晶圓12，同時解除拉出單元28之支持片40之吸引力，而將單體之晶圓12暫時放置在第二暫時放置單元46。

於實施暫時放置工程之後，實施檢測藉由拉出單元28之支持部26從第二卡匣8被拉出，且被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12之結晶方位的結晶方位檢測工程。

在結晶方位檢測工程中，藉由一面以暫時放置台用馬達使吸引保持單體之晶圓12的暫時放置台54旋轉，一面對暫時放置台54之旋轉角度賦予關聯性，而以檢測部58之線感測器檢測出槽口22之位置，檢測出單體之晶圓12之結晶方位。或是，即使設為藉由檢測部58具備CCD等之攝像手段，以檢測部58之攝像手段被吸引保持於暫時放置平台54之單體之晶圓12而檢測出槽口22之位置，檢測出單體之晶圓12之結晶方位亦可。

於實施結晶方位檢測工程之後，實施保持被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12，且搬運至夾具平台90的第一晶圓搬運工程。

在本實施型態之第一晶圓搬運工程中，首先，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，使拉出單元28之支持部26之支持片40之上面，密接於被吸引保持於第二暫時放置單元46之暫時放置平台54之單體之晶圓12之下面。接著，在支持部26之支持片40之上面再次吸引支持單體之晶圓12，同時解除暫時放置平台54之吸引力。接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，使以支持片40吸引支持之單體之晶圓12從第二暫時放置單元46分離。

接著，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構動作，將第一晶圓保持部62定位在以支持片40吸引支持之單體之晶圓12的上方。接著，藉由以第一搬運單元64之Z軸進給機構使第一晶圓保持部62下降，或 是，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使支持片40上升，使第一晶圓保持部62之氣體噴吹構件86，和以支持片40吸引支持之單體之晶圓12接近。接著，使氣體供給手段動作而從氣體噴吹構件86對單體之晶圓12噴吹氣體而藉由白努利效應生成負壓，藉由第一晶圓保持部62以非接觸吸引保持單體之晶圓12。接著，解除拉出單元28之支持片40之吸引力，而將單體之晶圓12從拉出單元28之支持部26收授至第一晶圓保持部62。

接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，使拉出單元28之支持部26從吸引保持單體之晶圓12之第一晶圓保持部62分離。接著，藉由導軌開關部50將第一暫時放置單元44之一對導軌48定位在開放位置。

接著，以第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構動作，使以第一晶圓保持部62吸引保持的單體之晶圓12之下面，接觸於以X軸進給機構100被定位在第二暫時放置單元46之正下方的夾具平台90之上面。接著，停止自氣體噴吹構件86噴吹氣體而解除第一晶圓保持部62之負壓，而將單體之晶圓12收授至夾具平台90。如此一來，將單體之晶圓12從第二暫時放置單元46搬運至夾具平台90。

在本實施型態中，設為單體之晶圓12被定位在第二暫時放置單元46之暫時放置平台54之時，因在上下方向觀看時檢測部58和單體之晶圓12重疊，故如上述般， 檢測出藉由拉出單元28之支持部26從第二卡匣8被拉出，且被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12的槽口22之後，藉由拉出單元28之支持部26再次支持單體之晶圓12之後，將單體之晶圓12從支持部26收授至第一搬運單元64之第一晶圓保持部62。另外，即使被構成在上下方向觀看時檢測部58和單體之晶圓12重疊的能夠檢測位置，和在上下方向觀看時檢測部58和單體之晶圓12無重疊之退避位置之間，檢測部58動作自如之情況，檢測部58位於退避位置之時，以第一晶圓保持部62保持被定位在第二暫時放置單元46之單體之晶圓12亦可。

實施第一晶圓搬運工程之後，實施切削被保持於夾具平台90之單體之晶圓12的切削工程。

在切削工程中，首先，在夾具平台90之上面吸引保持單體之晶圓12。接著，以攝影手段(無圖示)攝影單體之晶圓12，根據以攝影手段攝影到的單體之晶圓12之畫像，使單體之晶圓12之分割預定線18對準於X軸方向，同時將一對切削單元94之各個切削刀122定位在對準於X軸方向之分割預定線18之上方。接著，以各主軸用馬達使各切削刀122與各主軸120同時旋轉。

接著，進行以Z軸進給機構114使主軸殼110下降，在對準於X軸方向之分割預定線18，將各切削刀122之刀尖從晶圓12之表面12a切入至相當於裝置晶片之厚度的深度(不到晶圓12之背面12b的深度)，同時對切削單元94使夾具平台90相對性地在X軸方向加工進給而沿著分割 預定線18予以切削，不完全地切斷單體之晶圓12之不完全切斷加工。

接著，僅分割預定線18之Y軸方向間隔之部分，使一面將各切削單元94相對於夾具平台90在Y軸方向分度進給，一面重複不完全切斷加工，不完全地切斷對準於X軸方向之分割預定線18的全部。接著，使夾具平台90旋轉90度後，再一面進行分度進給一面重複不完全切斷加工，不完全地切斷與先前被施予不完全切斷加工的分割預定線18正交的分割預定線18的全部。如此一來，切削被保持於夾具平台90之單體之晶圓12之表面12a側，沿著格子狀之分割預定線18形成不到單體之晶圓12之背面12b的深度之切削溝(無圖示)。被切削之單體之晶圓12因分割預定線18不完全地被切斷，不被分割成每個裝置20之裝置晶片，故維持著應被分割之裝置彼此連結之狀態。

於實施切削工程之後，實施以第二搬運單元142之第二晶圓保持部140保持被切削之單體之晶圓12，從夾具平台90搬運至洗淨單元124之第二晶圓搬運工程。

在第二晶圓搬運工程中，首先，以X軸進給機構100將夾具平台90定位在第一暫時放置單元44之正下方。接著，解除夾具平台90之吸引力。再者，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構適當動作，使在第一晶圓搬運工程中搬運單體之晶圓12的第一晶圓保持部62，移動至不會妨礙第二晶圓搬運工程之位置。

接著，使第二搬運單元142之Y軸進給機構 146動作，將第二晶圓保持部140定位在被載置於夾具平台90之單體之晶圓12的上方。接著，將第一暫時放置單元44之一對導軌48定位在開放位置，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使第二晶圓保持部140下降，使第二晶圓保持部140接近於單體之晶圓12，同時藉由第二晶圓保持部140以非接觸吸引保持單體之晶圓12。

接著，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使第二晶圓保持部140上升之後，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146動作，將以第二晶圓保持部140吸引保持的單體之晶圓12定位在洗淨單元124之旋轉平台128之上方。接著，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使第二晶圓保持部140下降，使以第二晶圓保持部140吸引保持之單體之晶圓12之下面接觸於被定位於上部拆裝位置之旋轉平台128之上面。接著，解除第二晶圓保持部140之吸引力，將單體晶圓12收授至旋轉平台128。如此一來，將被切削之單體之晶圓12從夾具平台90搬運至洗淨單元124。

於實施第二晶圓搬運工程之後，實施以洗淨單元124保持且洗淨被切削之單體之晶圓12的洗淨工程。

在洗淨工程中，首先，在旋轉平台128之上面吸引保持單體之晶圓12。接著，以旋轉平台升降手段使旋轉平台128從上部拆裝位置下降至下部洗淨位置。接著，將洗淨水噴嘴134從非作用位置定位在作用位置之後，邊以旋轉平台用馬達使旋轉平台128旋轉，邊朝向被切削之單體之晶圓12，從洗淨水噴嘴134噴射洗淨水。依 此，可以洗淨單體之晶圓12而除去切削屑，同時可以藉由旋轉平台128之旋轉所致的離心力從單體之晶圓12之上面(表面12a)除去洗淨水。

接著，將洗淨水噴嘴134從作用位置定位在非作用位置，同時將氣體噴嘴136從非作用位置定位在作用位置之後，從氣體噴嘴136朝向單體之晶圓12噴射乾燥氣體。依此，可以將在旋轉平台128之旋轉所致的離心力中，無法完全除去之洗淨水，從單體之晶圓12之上面除去，使單體之晶圓12乾燥。之後，將氣體噴嘴136從作用位置定位在非作用位置，同時將旋轉平台128從下部洗淨位置定位在上部拆裝位置。而且，解除旋轉平台128之吸引力。

於實施洗淨工程之後，實施以第一搬運單元64之第一晶圓保持部62保持藉由洗淨單元124被洗淨之單體之晶圓12，從洗淨單元124搬運至拉出單元28之支持部26的第三晶圓搬運工程。

在第三晶圓搬運工程中，首先，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構適當動作，使第二晶圓保持部140從洗淨單元124分離。接著，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，將第一晶圓保持部62定位在被載置於旋轉平台128之單體之晶圓12的上方。接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構使第一晶圓保持部62下降，使第一晶圓保持部62接近於單體之晶圓12，同時藉由第一晶圓保持部62以非接觸吸引保持單體之晶圓12。 接著，以第一搬運單元64之Z軸進給機構，使第一晶圓保持部62上升，使以第一晶圓保持部62吸引保持之單體之晶圓12從旋轉平台128朝上方分離。

接著，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，使以第一晶圓保持部62吸引保持之單體之晶圓12通過下面噴氣構件166之上方。此時，朝向單體之晶圓12之下面而從噴氣構件166之噴射口168噴射乾燥氣體。依此，從單體之晶圓12之下面除去洗淨水，可以使單體之晶圓12之下面乾燥。

並且，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70動作，同時使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，將拉出單元28之支持部26之支持片40定位在以第一搬運單元64之第一晶圓保持部62保持的單體之晶圓12之下方。另外，此時，將支持片40定位在作用位置，同時將挾持部24之旋轉構件32定位在非作用位置。接著，藉由以第一搬運單元64之Z軸進給機構使第一晶圓保持部62下降，或是以第二搬運單元142之Z軸進給機構使拉出單元28上升，使拉出單元28之支持片40之上面密接於以第一晶圓保持部62保持的單體之晶圓12之下面，同時在支持片40之上面吸引支持晶圓12。接著，停止自氣體噴吹構件86噴吹氣體而解除第一晶圓保持部62之負壓，而將單體之晶圓12收授至拉出單元28之支持片40。如此一來，將藉由洗淨單元124被洗淨之單體之晶圓12從洗淨單元124搬運至拉出單元28之支持部26。

於實施第三晶圓搬運工程之後，實施將被搬運至拉出單元28之支持部26的單體之晶圓12搬運且收納至第二卡匣8的第四晶圓搬運工程。

在第四晶圓搬運工程中，首先，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146及Z軸進給機構動作，將以支持部26之支持片40吸引支持的單體之晶圓12搬運至第二卡匣8。接著，於解除支持片40之吸引力之後，以第二搬運單元142之Z軸進給機構使支持片40些許下降，使支持片40從單體之晶圓12的下面朝下方分離。依此，使單體之晶圓12支持於第二卡匣8。而且，使第二搬運單元142之Y軸進給機構146動作，從第二卡匣8拔出支持片40。另外，在第四晶圓搬運工程之時，使第一搬運單元64之Y軸進給機構70及Z軸進給機構適當動作，使第一晶圓保持部62移動至不妨礙第四晶圓搬運工程的位置。

而且，藉由切削裝置2而不完全被切斷的單體之晶圓12係表面12a被黏貼用以保護裝置20之保護膠帶(無圖示)，藉由背面12b被研削裝置(無圖示)研削至在背面12b露出切削溝為止，被分割成每個裝置20的裝置晶片。

如同上述，在本實施型態中，除了可以藉由一台切削裝置2，進行框架單元16之晶圓12的完全切斷，和單體之晶圓12的不完全切斷之雙方，較經濟之外，還可以抑制切削裝置2之設置面積的增大。

然而，在切削工程中，成為在切削晶圓12之時產生的切削屑，附著於框架單元16或單體之晶圓12。關 於此點，在使用切削裝置2切削框架單元16之晶圓12之情況，由於在第一及第三環狀框搬運工程中，將切削前及洗淨後的無附著切削屑的框架單元16搬運至第一框架保持部60，並且在第二環狀框搬運工程中，將切削晶圓12後的附著有切削屑的框架單元16搬運至第二框架保持部138，故可以防止切削屑附著於用以搬運無附著切削屑之框架單元16的第一框架保持部60之情形，且可以防止切削屑再次附著於洗淨後之框架單元16之情形。

再者，上述之點也與使用切削裝置2切削單體之晶圓12之情形相同，由於在第一及第三晶圓搬運工程中，以第一晶圓保持部62搬運切削前及洗淨後之無附著切削屑之單體之晶圓12，同時在第二晶圓搬運工程中，以第二晶圓保持部140搬運切削後之附著有切削屑之單體之晶圓12，故可以防止切削屑附著於用以搬運無附著切削屑之單體之晶圓12的第一晶圓保持部62之情形，且可以防止切削屑再次附著於洗淨後之單體之晶圓12的情形。

2:切削裝置

4:卡匣台

24:挾持部

26:支持部

28:拉出單元

44:第一暫時放置單元

46:第二暫時放置單元

48:導軌

50:導軌開關部

52:基台

54:暫時放置台

56:吸引溝

60:第一框架保持部

62:第一晶圓保持部

64:第一搬運單元

66:支持環狀框

68:Y軸可動構件

70:Y軸進給機構

72:Z軸可動構件

74:滾珠螺桿

76:馬達

78:導引軌道

92:保持單元

94:切削單元

96:導引軌道

100:X軸進給機構

102:滾珠螺桿

104:馬達

112:Y軸進給機構

114:Z軸進給機構

116:馬達

118:馬達

124:洗淨單元

126:殼體

128:旋轉平台

130:吸附夾具

132:夾鉗

134:洗淨水噴嘴

138:第二框架保持部

140:第二晶圓保持部

142:第二搬運單元

144:Y軸可動構件

146:Y軸進給機構

148:Z軸可動構件

150:滾珠螺桿

152:馬達

154:導引軌道

166:下面噴氣構件

168:噴射口

Claims (8)

1. 一種切削裝置，其係切削晶圓，該切削裝置具備： 卡匣台，其係選擇性地載置第一卡匣和第二卡匣，該第一卡匣收容有晶圓被定位在具有開口之環狀框的該開口，且環狀框和晶圓藉由黏接膠帶成為一體的框架單元，該第二卡匣收容有單體之晶圓； 拉出單元，其係選擇地具備挾持部和支持部，該挾持部係於該第一卡匣被載置於該卡匣台之時，挾持該環狀框且從該第一卡匣拉出，該支持部係於該第二卡匣被載置於該卡匣台之時，支持單體之晶圓且從該第二卡匣拉出； 第一暫時放置單元，其係暫時放置藉由該拉出單元之該挾持部被拉出之該框架單元； 第二暫時放置單元，其係暫時放置藉由該拉出單元之該支持部被拉出之單體之晶圓； 第一搬運單元，其係包含第一框架保持部和第一晶圓保持部，該第一框架保持部係保持被定位在該第一暫時放置單元之該框架單元的該環狀框且搬運至夾具平台，該第一晶圓保持部係保持被定位在該第二暫時放置單元之單體之晶圓且搬運至該夾具平台； 切削單元，其係切削被保持在該夾具平台之該框架單元之晶圓或單體之晶圓； 洗淨單元，其係保持被切削之該框架單元之晶圓或單體之晶圓，並予以洗淨；及 第二搬運單元，其包含第二框架保持部和第二晶圓保持部，該第二框架保持部係保持被切削之晶圓之該框架單元的該環狀框，且從該夾具平台搬運至該洗淨單元，該第二晶圓保持部係保持被切削之單體之晶圓，且從該夾具平台搬運至該洗淨單元。
2. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第一搬運單元之該第一框架保持部係保持藉由該洗淨單元被洗淨之該框架單元之該環狀框，且從該洗淨單元搬運至該第一暫時放置單元，該第一搬運單元之該第一晶圓保持部係保持藉由該洗淨單元被洗淨的單體之晶圓，且從該洗淨單元搬運至該拉出單元之該支持部。
3. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第二暫時放置單元包含檢測部，該檢測部檢測單體之晶圓之結晶方位。
4. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第一搬運單元之該第一框架保持部及該第二搬運單元之該第二框架保持部，係吸引且保持該環狀框，該第一搬運單元之該第一晶圓保持部及該第二搬運單元之該第二晶圓保持部，係對單體之晶圓噴吹氣體而生成負壓且以非接觸保持。
5. 如請求項1記載之切削裝置，其中 藉由該切削單元，該框架單元之晶圓完全被切斷，單體之晶圓不完全被切斷。
6. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第二搬運單元包含該拉出單元。
7. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第一暫時放置單元具有一對導軌，該一對導軌係選擇性地被定位在支持該框架單元之關閉位置和開放該框架單元之開放位置， 從該第一卡匣被拉出之該框架單元係以被定位在關閉位置之該一對導軌被支持，之後，以該第一搬運單元之該第一框架保持部被保持，該一對導軌被定位在開放位置而被搬運至被定位在該第一暫時放置單元之正下方的該夾具平台。
8. 如請求項1記載之切削裝置，其中 該第二暫時放置單元被配置在該第一暫時放置單元之上方並且該卡匣台側， 從該第二卡匣藉由該拉出單元之該支持部被拉出且被定位在該第二暫時放置單元之單體之晶圓，於槽口被檢測出之後，藉由該支持部再次被支持，且被保持於該第一搬運單元之該第一晶圓保持部，且被搬運至該第一暫時放置單元之正下方的該夾具平台。

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