TWI827765B - 附黏著劑層之偏光膜 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種具備高耐久性與再加工性,且偏光膜與黏著劑之密接性(抓固力)優異之附黏著劑層之薄型偏光膜。本發明提供一種附黏著劑層之偏光膜,其具備:偏光膜,其具備偏光元件、及設置於上述偏光元件之視認側之保護膜;以及黏著劑層,其設置於上述偏光元件之與視認側相反側;且上述黏著劑層包含基礎聚合物及聚矽氧低聚物Ps,上述聚矽氧低聚物Ps相對於上述基礎聚合物100重量份包含0.1~20重量份,上述聚矽氧低聚物Ps之Tg為-50℃以上100℃以下,側鏈之聚矽氧官能基當量為1000~20000 g/mol,重量平均分子量為10000以上300000以下。
Description
本發明係關於一種附黏著劑層之偏光膜。更詳細而言,本發明係關於一種於偏光元件之單側配備保護膜之附黏著劑層之薄型偏光膜。
對於液晶顯示裝置,根據其圖像形成方式於形成液晶面板表面之玻璃基板之兩側配置偏光膜不可或缺。偏光膜一般使用利用聚乙烯醇系接著劑等在包含聚乙烯醇系膜與碘等二色性材料之偏光元件之單面或雙面貼合有保護膜者。
將上述偏光膜貼合於液晶單元等時,通常使用黏著劑。又,黏著劑由於具有能瞬時固定偏光膜,且對於固著偏光膜無需乾燥步驟等優點,故而預先設置於偏光膜之單面作為黏著劑層。即,對於偏光膜之貼合一般使用附黏著劑層之偏光膜(專利文獻1及2)。
又,於使偏光膜或附黏著劑層之偏光膜貼合於液晶面板之玻璃基板之情形時,要求耐久性,例如要求於作為環境促進試驗通常進行之利用加熱及加濕等之耐久試驗中,不發生因黏著劑層所導致之剝落或隆起等不良情況。
如此,用於偏光膜之黏著劑被要求高耐久性,另一方面,為了改善因貼合偏光板時之步驟不良所產生之缺陷或貼合失誤,再加工性之期望亦提高。近年來,偏光元件較薄且僅於偏光元件之單側具有保護膜之偏光板亦被廣泛應用。此種薄型偏光板加熱後之尺寸變化較小且耐久性之相似度較高,另一方面,偏光膜之層厚較薄,因此,實際上再加工時容易斷裂,導致增加了再加工之障礙。再加工性為重要之項目,但高耐久性與再加工性存在取捨關係,為非常難兼顧之特性。
進而,若偏光膜與黏著劑層之密接性較差,則再加工時產生僅黏著劑殘留於面板之不良。又,對卷狀偏光膜進行沖裁等加工時,可能發生糊劑不足而對視認性造成影響,因此偏光膜與黏著劑之密接性(抓固力)亦為重要之特性。
又,如上所述之薄型偏光板由於僅在偏光元件之單側具有保護膜,故而根據先前之方法,將導電塗層(增黏塗層)直接,即不介隔保護膜而塗佈於偏光元件。然而,上述薄型偏光板對外部應力較弱。進而,若不介隔保護膜而直接塗佈於偏光元件,則亦存在偏光元件內之碘容易發生脫色之問題點。由此,無法使用先前之方法將導電塗層(增黏塗層)直接設置於偏光元件。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2011-219765號 [專利文獻2]日本專利特開2018-169612號
[發明所欲解決之問題]
鑒於上述背景技術,強烈期望一種能夠兼備存在取捨關係之高耐久性與再加工性,且偏光膜與黏著劑之密接性(抓固力)優異之附黏著劑層之薄型偏光膜。 [解決問題之技術手段]
本發明者等人進行了專心研究,結果發現藉由本發明之附黏著劑層之偏光膜能夠解決上述課題,從而完成本發明。
即,本發明包括下述實施形態。
(1)一種附黏著劑層之偏光膜,其具備: 偏光膜,其具備偏光元件、及設置於上述偏光元件之視認側之保護膜;以及 黏著劑層,其設置於上述偏光元件之與視認側相反側;且 上述黏著劑層包含基礎聚合物及聚矽氧低聚物Ps, 上述聚矽氧低聚物Ps相對於上述基礎聚合物100重量份包含0.1~20重量份, 上述聚矽氧低聚物Ps之Tg為-50℃以上100℃以下,側鏈之聚矽氧官能基當量為1000~20000 g/mol,重量平均分子量為10000以上300000以下。
(2)如上述(1)中記載之附黏著劑層之偏光膜,其中上述聚矽氧低聚物Ps包含具有聚有機矽氧烷骨架之單體、及均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃以上180℃以下之單體作為單體單元。
(3)如上述(1)或(2)中記載之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物含有均聚物之玻璃轉移溫度為-80℃以上0℃以下之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)80重量%以上作為單體單元。
(4)如上述(3)中記載之附黏著劑層之偏光膜,其特徵在於:上述基礎聚合物進而含有選自由含羧基單體(b1)及含氮單體(b2)所組成之群中之至少1種極性單體(B)5重量%以下作為單體單元。
(5)如上述(4)中記載之附黏著劑層之偏光膜,其特徵在於:上述基礎聚合物進而含有均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯0.1~18重量%、含羥基單體0~5重量%作為單體單元。
(6)如上述(1)至(5)中任一項記載之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物之重量平均分子量為50萬~250萬。
(7)如上述(1)至(6)中任一項記載之附黏著劑層之偏光膜,其中上述偏光元件之厚度超過0 μm且為12 μm以下。
(8)如上述(1)至(7)中任一項記載之附黏著劑層之偏光膜,其中上述聚矽氧低聚物Ps之熔融溫度為-20℃~120℃。 [發明之效果]
根據本發明,可提供一種附黏著劑層之薄型偏光膜,其能夠賦予剛貼合後之再加工性,並且加熱後黏著力上升能夠賦予耐久性,且偏光膜與黏著劑之密接性(抓固力)優異。
以下,對本發明之較佳之實施形態進行說明。業者可基於與本說明書中記載之發明之實施相關的教示及申請時之技術常識來理解本說明書中特別提及之事項以外且本發明之實施所需之情況。本發明可基於本說明書中揭示之內容及本領域中之技術常識實施。
<附黏著劑層之偏光膜> 本發明之附黏著劑層之偏光膜具備偏光膜及黏著劑層。於本發明中,黏著劑層可存在於偏光膜之單面,亦可存在於雙面。
將一實施形態之附黏著劑層之偏光膜之構造模式性示於圖1。該附黏著劑層之偏光膜100構成為具備偏光膜13、及設置於其單面之黏著劑層14之附黏著劑層之偏光膜。於圖1中,偏光膜13包含偏光元件11、及設置於上述偏光元件11之視認側之保護膜12。黏著劑層14不介隔保護膜而固定地設置於構成偏光膜13之偏光元件11之與視認側相反側,即不意圖將黏著劑層14自該偏光膜13分離地設置。附黏著劑層之偏光膜100係將黏著劑層14貼附於被黏著體而使用。作為隔片15,例如可較佳地使用如下構成者,即,藉由將利用剝離處理劑所得之剝離層設置於片狀基材(襯墊基材)之單面而使該單面成為剝離面。附黏著劑層之偏光膜之構造並不限定於圖1中模式性地示出之實施形態。
<偏光元件> 偏光元件並無特別限定,可使用各種偏光元件。作為偏光元件,例如可列舉:使聚乙烯醇系膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化膜等親水性高分子膜吸附碘或二色性染料之二色性物質並單軸延伸而得者;聚乙烯醇之脫水處理物或聚氯乙烯之脫氯化氫處理物等多烯系配向膜等。其等之中,較佳為包含聚乙烯醇系膜及碘等二色性物質之偏光元件。該等偏光元件之厚度並無特別限制,一般為2~25 μm。於本發明之一實施形態中,偏光元件之厚度可超過0 μm且為12 μm以下,較佳可為1 μm~10 μm,更佳可為2 μm~7 μm。
由碘將聚乙烯醇系膜染色並單軸延伸而得之偏光元件例如可藉由如下方式製作,即,藉由將聚乙烯醇系膜浸漬於碘之水溶液中而進行染色,並將其延伸至原長之3~7倍。亦可視需要浸漬於硼酸或可包含硫酸鋅、氯化鋅等之碘化鉀等之水溶液中。進而,亦可視需要於染色前將聚乙烯醇系膜浸漬於水中進行水洗。藉由對聚乙烯醇系膜進行水洗,能夠將聚乙烯醇系膜表面之污垢或抗黏連劑洗淨,除此以外,藉由使聚乙烯醇系膜膨潤,亦具有防止染色不均等不均勻之效果。延伸可於由碘進行染色之後進行,亦可一面進行染色一面進行延伸,又,亦可於延伸後由碘進行染色。於硼酸或碘化鉀等之水溶液或水浴中均可進行延伸。
<保護膜> 作為構成上述保護膜之材料,較佳為透明性、機械強度、熱穩定性、水分阻隔性、等向性等優異者。例如可列舉:聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物、二乙醯纖維素或三乙醯纖維素等纖維素系聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物、聚碳酸酯系聚合物等。又,作為形成上述保護膜之聚合物之例,亦可列舉:聚乙烯、聚丙烯、環系或具有降𦯉烯結構之聚烯烴、如乙烯-丙烯共聚物之聚烯烴系聚合物、氯乙烯系聚合物、尼龍或芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚苯硫醚系聚合物、乙烯醇系聚合物、偏二氯乙烯系聚合物、乙烯丁醛系聚合物、芳酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物、或上述聚合物之摻合物等。該等保護膜通常是藉由接著劑層而貼合於偏光元件。又,上述保護膜可使用(甲基)丙烯酸系、胺基甲酸酯系、丙烯酸胺基甲酸酯系、環氧系、聚矽氧系等熱硬化性樹脂或紫外線硬化型樹脂將該等塗佈於偏光元件並使其硬化而形成。
再者,保護膜中亦可包含1種以上之任意之適當添加劑。作為添加劑,例如可列舉:紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、可塑劑、脫模劑、防著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。保護膜中之上述熱塑性樹脂之含量較佳為50~100重量%,更佳為50~99重量%,進而較佳為60~98重量%,尤佳為70~97重量%。於保護膜中之上述熱塑性樹脂之含量為50重量%以下之情形時,有熱塑性樹脂無法充分展現原本具有之高透明性等之虞。
作為上述保護膜,可使用相位差膜、增亮膜、擴散膜等。作為相位差膜,可列舉具有正面相位差為40 nm以上及/或厚度方向相位差為80 nm以上之相位差者。正面相位差通常控制於40~200 nm之範圍,厚度方向相位差通常控制於80~300 nm之範圍。於使用相位差膜作為保護膜之情形時,該相位差膜亦作為偏光元件保護膜發揮功能,因此可謀求薄型化。
作為相位差膜,可列舉對熱塑性樹脂膜進行單軸或雙軸延伸處理而成之雙折射性膜。上述延伸之溫度、延伸倍率等係根據相位差值、膜之材料、厚度而適當設定。
上述保護膜之厚度可適當決定,一般就強度或操作性等作業性、薄層性等方面而言,較佳為3~200 μm,進而較佳為3~100 μm。尤其是就搬送性之方面而言,上述保護膜(預先形成有膜之情形時)之厚度較佳為10~60 μm,進而較佳為10~45 μm。另一方面,就搬送性之方面而言,上述保護膜(藉由塗佈、硬化而形成之情形時)之厚度較佳為3~25 μm,進而較佳為3~20 μm。上述保護膜亦可使用複數片或複數層。
可於上述保護膜之不接著偏光元件之面設置硬塗層、抗反射層、抗黏層、擴散層或防眩層等功能層。再者,上述硬塗層、抗反射層、抗黏層、擴散層或防眩層等功能層可設置於保護膜本身,此外亦可另行設置成與保護膜分開者。
<介隔層> 上述保護膜與偏光元件係介隔接著劑層、黏著劑層、下塗層(底塗層)等介隔層而積層。此時,理想的是藉由介隔層將兩者無空氣間隙地積層。
接著劑層係由接著劑形成。接著劑之種類並無特別限制,可使用各種接著劑。上述接著劑層只要光學上透明,則並無特別限制,作為接著劑,可使用水系、溶劑系、熱熔系、活性能量線硬化型等各種形態者,較佳為水系接著劑或活性能量線硬化型接著劑。
作為水系接著劑,可例示:異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯系乳膠系、水系聚酯等。水系接著劑通常用作包含水溶液之接著劑,通常為含有0.5~60重量%之固形物成分而構成。
活性能量線硬化型接著劑為藉由電子線、紫外線(自由基硬化型、陽離子硬化型)等活性能量線進行硬化之接著劑,例如能以電子線硬化型、紫外線硬化型之態樣使用。活性能量線硬化型接著劑例如可使用光自由基硬化型接著劑。於使用光自由基硬化型活性能量線硬化型接著劑作為紫外線硬化型之情形時,該接著劑含有自由基聚合性化合物及光聚合起始劑。
又,上述接著劑之塗佈於使用水系接著劑等之情形時,較佳為以最終形成之接著劑層之厚度成為30~300 nm之方式進行。上述接著劑層之厚度進而較佳為60~250 nm。另一方面,於使用活性能量線硬化型接著劑之情形時,較佳為以上述接著劑層之厚度成為0.1~200 μm之方式進行。更佳為0.5~50 μm,進而較佳為0.5~10 μm。
再者,於偏光元件與保護膜之積層中,可於保護膜與接著劑層之間設置易接著層。
<黏著劑層> 本發明中所使用之黏著劑層包含基礎聚合物及聚矽氧低聚物Ps。
構成本發明中所使用之黏著劑層之黏著劑並無特別限定,可使用橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺基甲酸酯系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯醇系黏著劑、聚乙烯吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。可根據所使用之黏著劑使用各種基礎聚合物。
上述黏著劑中,較佳地使用光學透明性優異,展現出適當之濡濕性、凝聚性及接著性之黏著特性,且耐候性或耐熱性等優異者。作為展現出此種特徵者,較佳地使用丙烯酸系黏著劑。作為丙烯酸系黏著劑之基礎聚合物,使用(甲基)丙烯酸系聚合物。再者,(甲基)丙烯酸酯包括丙烯酸酯及/或甲基丙烯酸酯。
<基礎聚合物> 於本發明中,作為基礎聚合物,通常使用(甲基)丙烯酸系聚合物。
(1)(甲基)丙烯酸烷基酯(A) (甲基)丙烯酸系聚合物通常含有作為單體單元之(甲基)丙烯酸烷基酯作為主成分。作為構成(甲基)丙烯酸系聚合物之主骨架之(甲基)丙烯酸烷基酯(A),可使用直鏈狀或支鏈狀之C1~C20之(甲基)丙烯酸烷基酯。作為C1~C20之(甲基)丙烯酸烷基酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸異壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸異十八烷基酯、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等,但並不限定於該等。該等(甲基)丙烯酸烷基酯可單獨使用或者組合使用。
於本發明之一實施形態中,(甲基)丙烯酸系聚合物較佳為可包含丙烯酸正丁酯(BA)及丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)中之一種或兩種作為單體單元。作為可較佳地用作(甲基)丙烯酸系聚合物之單體單元之其他(甲基)丙烯酸烷基酯之例,可列舉:丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸正丁酯(BMA)、甲基丙烯酸2-乙基己酯(2EHMA)等。
於本發明之一實施形態中,用作基礎聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)之均聚物之玻璃轉移溫度為-80℃以上0℃以下。(甲基)丙烯酸烷基酯(A)之均聚物之玻璃轉移溫度較佳為-70℃~-5℃,更佳為-60℃~-10℃。
於本發明之一實施形態中,用作基礎聚合物之單體單元之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)以基礎聚合物之重量為基準可含有80重量%以上。(甲基)丙烯酸烷基酯(A)以基礎聚合物之重量為基準,較佳為85重量%以上,更佳為90重量%以上。
於本發明之較佳之實施形態中,可含有均聚物之玻璃轉移溫度為-80℃以上0℃以下之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)80重量%以上作為基礎聚合物之單體單元。
於本發明之一實施形態中,基礎聚合物可進而含有均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯較佳為0.1~18重量%作為單體單元。均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯以基礎聚合物之重量為基準,可含有更佳為1~15重量%,進而較佳為2.5~10重量%,進而更佳為4重量%以上且未達10重量%。
作為均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯,可列舉:丙烯酸甲酯(Tg:8℃)、甲基丙烯酸甲酯(Tg:105℃)、甲基丙烯酸乙酯(Tg:65℃)、丙烯酸正丙酯(Tg:3℃)、甲基丙烯酸正丙酯(Tg:35℃)、丙烯酸正戊酯(Tg:22℃)、丙烯酸正十四烷基酯(Tg:24℃)、丙烯酸正十六烷基酯(Tg:35℃)、甲基丙烯酸正十六烷基酯(Tg:15℃)、丙烯酸正十八烷基酯(Tg:30℃)、及甲基丙烯酸正十八烷基酯(Tg:38℃)等直鏈(甲基)丙烯酸烷基酯;丙烯酸第三丁酯(Tg:43℃)、甲基丙烯酸第三丁酯(Tg:48℃)、甲基丙烯酸異丙酯(Tg:81℃)、及甲基丙烯酸異丁酯(Tg:48℃)等支鏈(甲基)丙烯酸烷基酯;丙烯酸環己酯(Tg:19℃)、甲基丙烯酸環己酯(Tg:65℃)、丙烯酸異𦯉基酯(Tg:94℃)、及甲基丙烯酸異𦯉基酯(Tg:180℃)等環狀(甲基)丙烯酸烷基酯等。該等可單獨使用或者組合使用。其等之中,較佳為使用選自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、丙烯酸異𦯉基酯、及甲基丙烯酸異𦯉基酯中之至少1種,更佳為使用選自丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯、及丙烯酸異𦯉基酯中之至少1種。
於本發明之一實施形態中,附黏著劑層之偏光膜之作為基礎聚合物之(甲基)丙烯酸系聚合物可含有含羥基單體0~5重量%作為單體單元。含羥基單體以基礎聚合物之重量為基準,可含有更佳為0.01~1重量%,進而更佳為0.1~0.5重量%。
作為含羥基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基等,但並不限定於該等。於本發明之較佳之實施形態中,含羥基單體可為丙烯酸4-羥基丁酯(4-HBA)、丙烯酸2-羥基丁酯(2-HBA)。
於本發明之較佳之實施形態中,基礎聚合物可進而含有均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯0.1~18重量%、含羥基單體0~5重量%作為單體單元。
於本發明之一實施形態中,(甲基)丙烯酸系聚合物除了包含作為主成分之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)以外,亦可視需要進而包括可與(甲基)丙烯酸烷基酯共聚之其他單體(共聚性單體)。作為共聚性單體,可較佳地使用具有極性基(例如羧基、含氮原子之環等)之單體。具有極性基之單體可有益於將交聯點導入至丙烯酸系聚合物,或者提高(甲基)丙烯酸系聚合物之凝聚力。共聚性單體可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
作為共聚性單體之非限定性具體例,可列舉:含羧基單體、含酸酐基單體、含磺酸基或磷酸基之單體、含環氧基單體、含氰基單體、含異氰酸基單體、含醯胺基單體、具有含氮原子之環之單體、具有丁二醯亞胺骨架之單體、順丁烯二醯亞胺類、伊康醯亞胺類、(甲基)丙烯酸胺基烷基酯類、(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類、乙烯酯類、乙烯醚類、芳香族乙烯系化合物、烯烴類、具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯,此外可列舉:(甲基)丙烯酸四氫呋喃甲酯等含雜環之(甲基)丙烯酸酯、含氯乙烯或氟原子之(甲基)丙烯酸酯等含鹵素原子之(甲基)丙烯酸酯、聚矽氧(甲基)丙烯酸酯等含矽原子之(甲基)丙烯酸酯、由萜烯化合物衍生物醇獲得之(甲基)丙烯酸酯等。
作為含羧基單體,例如可列舉:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸、異丁烯酸等; 作為含酸酐基單體,例如可列舉:順丁烯二酸酐、伊康酸酐; 作為含磺酸基或磷酸基之單體,例如可列舉:苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、乙烯基磺酸鈉、2-(甲基)丙烯醯胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯醯胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙基酯、(甲基)丙烯醯氧基萘磺酸、磷酸2-羥基乙基丙烯醯基酯等; 作為含環氧基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸縮水甘油酯或(甲基)丙烯酸-2-乙基縮水甘油醚等含環氧基之丙烯酸酯、烯丙基縮水甘油醚、(甲基)丙烯酸縮水甘油醚等; 作為含氰基單體,例如可列舉:丙烯腈、甲基丙烯腈等; 作為含異氰酸基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸2-異氰酸基乙酯等; 作為含醯胺基單體,例如可列舉:(甲基)丙烯醯胺;N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二異丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二(正丁基)(甲基)丙烯醯胺、N,N-二(第三丁基)(甲基)丙烯醯胺等N,N-二烷基(甲基)丙烯醯胺;N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-正丁基(甲基)丙烯醯胺等N-烷基(甲基)丙烯醯胺;N-乙烯基乙醯胺等N-乙烯基羧醯胺類;此外可列舉:N,N-二甲基胺基丙基(甲基)丙烯醯胺、羥基乙基丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥乙基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N-甲氧基乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丁氧甲基(甲基)丙烯醯胺、N-(甲基)丙烯醯基𠰌啉等; 作為具有含氮原子之環之單體,例如可列舉:N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基吡啶、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嘧啶、N-乙烯基哌𠯤、N-乙烯基吡𠯤、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基㗁唑、N-(甲基)丙烯醯基-2-吡咯啶酮、N-(甲基)丙烯醯基哌啶、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶、N-乙烯基𠰌啉、N-乙烯基-3-𠰌啉酮、N-乙烯基-2-己內醯胺、N-乙烯基-1,3-㗁 𠯤-2-酮、N-乙烯基-3,5-𠰌啉二酮、N-乙烯基吡唑、N-乙烯基異㗁唑、N-乙烯基噻唑、N-乙烯基異噻唑、N-乙烯基嗒𠯤等(例如,N-乙烯基-2-己內醯胺等內醯胺類); 作為具有丁二醯亞胺骨架之單體,例如可列舉:N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基六亞甲基丁二醯亞胺等; 作為順丁烯二醯亞胺類,例如可列舉:N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-異丙基順丁烯二醯亞胺、N-月桂基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等; 作為伊康醯亞胺類,例如可列舉:N-甲基伊康醯亞胺、N-乙基伊康醯亞胺、N-丁基伊康醯亞胺、N-辛基伊康醯亞胺、N-2-乙基己基伊康醯亞胺、N-環己基伊康醯亞胺、N-月桂基伊康醯亞胺等; 作為(甲基)丙烯酸胺基烷基酯類,例如可列舉:(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯; 作為(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯類,例如可列舉:(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙基、(甲基)丙烯酸丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基丙酯等; 作為乙烯酯類,例如可列舉:乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯等; 作為乙烯醚類,例如可列舉:甲基乙烯醚或乙基乙烯醚等乙烯基烷基醚; 作為芳香族乙烯系化合物,例如可列舉:苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯等; 作為烯烴類,例如可列舉:乙烯、丁二烯、異戊二烯、異丁烯等; 作為具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯、(甲基)丙烯酸雙環戊酯等; 作為具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯,例如可列舉:(甲基)丙烯酸苯基酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸苄酯等。
於使用此種共聚性單體之情形時,其使用量並無特別限定,通常適宜設為單體成分總量之0.01重量%以上。就更好地發揮使用共聚性單體所獲得之效果之觀點而言,可將共聚性單體之使用量設為單體成分總量之0.1重量%以上,亦可設為1重量%以上。又,共聚性單體之使用量可設為單體成分總量之50重量%以下,較佳為設為40重量%以下。藉此,能夠防止黏著劑之凝聚力過高,能夠提高常溫(25℃)下之觸黏感。
於本發明之一實施形態中,(甲基)丙烯酸系聚合物除了包含作為主成分之(甲基)丙烯酸烷基酯以外,還可視需要包含如上所述之含羥基單體(典型為含羥基之(甲基)丙烯酸系單體)作為單體單元。作為含羥基單體,如上所述,例如可列舉:(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環己基)甲酯等(甲基)丙烯酸羥基烷基酯等,可較佳地使用(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥基己酯等。其中,作為較佳之例,可列舉:丙烯酸2-羥基乙酯(HEA)、丙烯酸4-羥基丁酯(4HBA)。藉由使用含羥基單體,能夠調整黏著劑之凝聚力或極性,從而提高加熱後黏著力。又,含羥基單體藉由提高黏著劑層之親水性,亦可有益於抑制因濕氣所導致之透明性下降。於含有含羥基單體之情形時,含羥基單體之使用量並無特別限制,通常以用以製備(甲基)丙烯酸系聚合物之單體單元總量為基準,例如可設為0.01重量%以上、0.1重量%以上、0.5重量%以上等。
又,於本發明之一實施形態中,(甲基)丙烯酸系聚合物除了含有作為主成分之(甲基)丙烯酸烷基酯以外,亦可視需要含有多官能性單體以進行黏著劑層之凝聚力調整等。作為多官能性單體,例如可列舉:乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,12-十二烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷三(甲基)丙烯酸酯、烯丙基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸乙烯酯、二乙烯苯、環氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、胺基甲酸酯丙烯酸酯、丁二醇(甲基)丙烯酸酯、己二醇二(甲基)丙烯酸酯等。其中,可較佳地使用三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯。多官能性單體可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。多官能性單體之使用量根據其分子量或官能基數等而不同,通常相對於用以製備(甲基)丙烯酸烷基酯(A)之單體成分總量,適宜設為0.01重量%~3.0重量%之範圍,可設為0.02重量%~2.0重量%,亦可設為0.03重量%~1.0重量%。
(2)極性單體(B) 於本發明之一實施形態中,基礎聚合物可進而包含選自由含羧基單體(b1)及含氮單體(b2)所組成之群中之至少1種極性單體(B)作為共聚性單體單元。
於本發明之一實施形態中,上述極性單體(B)以基礎聚合物之重量為基準可包含0~5重量%。極性單體(B)以基礎聚合物之重量為基準,較佳為0.1~3重量%,更佳為1~2重量%。
(2-1)含羧基單體(b1) 於本發明中,基礎聚合物可含有含羧基單體(b1)作為共聚性單體單元。作為含羧基單體(b1),例如可列舉:丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、伊康酸、順丁烯二酸、反丁烯二酸、丁烯酸、異丁烯酸等,但並不限定於該等。於本發明之較佳之實施形態中,含羧基單體(b1)可為丙烯酸、甲基丙烯酸。於本發明之更佳之實施形態中,含羧基單體(b1)可為丙烯酸(AA)。
(2-2)含氮單體(b2) 於本發明中,基礎聚合物可含有含氮單體(b2)作為共聚性單體單元。作為含氮單體(b2),例如可列舉:具有內醯胺環之乙烯系單體(例如,N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮等乙烯基吡咯啶酮系單體、以及具有β-內醯胺環、δ-內醯胺環、及ε-內醯胺環等內醯胺環之乙烯基內醯胺系單體等);順丁烯二醯亞胺、N-環己基順丁烯二醯亞胺、N-苯基順丁烯二醯亞胺等順丁烯二醯亞胺系單體;(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N-己基(甲基)丙烯醯胺、N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-丁基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基(甲基)丙烯醯胺、N-羥甲基丙烷(甲基)丙烯醯胺等(N-取代)醯胺系單體;(甲基)丙烯酸胺基乙酯、(甲基)丙烯酸胺基丙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸第三丁基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸3-(3-吡啶基)丙酯等(甲基)丙烯酸胺基烷基酯系單體;N-(甲基)丙烯醯氧基亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-6-氧基六亞甲基丁二醯亞胺、N-(甲基)丙烯醯基-8-氧基八亞甲基丁二醯亞胺等丁二醯亞胺系單體;丙烯腈、甲基丙烯腈等氰基(甲基)丙烯酸酯系單體;乙烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌𠯤、乙烯基吡𠯤、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基㗁唑、乙烯基𠰌啉、N-乙烯基羧醯胺類等;但並不限定於該等。於本發明之較佳之實施形態中,含氮單體(b2)可為N-乙烯基吡咯啶酮、甲基乙烯基吡咯啶酮、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺。於本發明之更佳之實施形態中,含氮單體(b2)可為N-乙烯基吡咯啶酮。
可獲得(甲基)丙烯酸系聚合物之方法並無特別限定,可適當採用溶液聚合法、乳液聚合法、塊體聚合法、懸浮聚合法、光聚合法等作為丙烯酸系聚合物之合成方法而周知之各種聚合方法。於若干態樣中,可較佳地採用溶液聚合法。進行溶液聚合時之聚合溫度可根據所使用之單體及溶劑之種類、聚合起始劑之種類等適當選擇,例如可設為20℃~170℃左右(典型為40℃~140℃左右)。
用於聚合之起始劑可根據聚合方法自以往已知之熱聚合起始劑或光聚合起始劑等中適當選擇。聚合起始劑可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
作為熱聚合起始劑,例如可列舉:偶氮系聚合起始劑(例如,2,2'-偶氮二異丁腈、2,2'-偶氮雙-2-甲基丁腈、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙酸)二甲酯、4,4'-偶氮雙-4-氰基戊酸、偶氮二異戊腈、2,2'-偶氮雙(2-脒基丙烷)二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二鹽酸鹽、2,2'-偶氮雙(2-甲基丙脒)二硫酸鹽、2,2'-偶氮雙(N,N'-二亞甲基異丁基脒)二鹽酸鹽等);過硫酸鉀等過硫酸鹽;過氧化物系聚合起始劑(例如,過氧化二苯甲醯、過氧化順丁烯二酸第三丁酯、過氧化月桂醯等);氧化還原系聚合起始劑等。熱聚合起始劑之使用量並無特別限制,例如相對於用以製備丙烯酸系聚合物之單體成分100重量份,可設為0.01重量份~5重量份,較佳為0.05重量份~3重量份之範圍內之量。
作為光聚合起始劑,並無特別限制,例如可使用:安息香醚系光聚合起始劑、苯乙酮系光聚合起始劑、α-酮醇系光聚合起始劑、芳香族磺醯氯系光聚合起始劑、光活性肟系光聚合起始劑、安息香系光聚合起始劑、聯苯醯(benzil)系光聚合起始劑、二苯甲酮系光聚合起始劑、縮酮系光聚合起始劑、9-氧硫𠮿系光聚合起始劑、醯基氧化膦系光聚合起始劑等。光聚合起始劑之使用量並無特別限制,例如相對於用以製備丙烯酸系聚合物之單體成分100重量份,可設為0.01重量份~5重量份,較佳為0.05重量份~3重量份之範圍內之量。
於本發明之一實施形態中,關於(甲基)丙烯酸系聚合物,可於在如上所述之單體成分中調配有聚合起始劑之混合物中,例如使用乙酸乙酯、甲苯等作為聚合溶劑,藉由溶液聚合而獲得(甲基)丙烯酸系聚合物。作為溶液聚合例,反應係於氮氣等惰性氣體氣流下添加聚合起始劑,通常於50~70℃左右、5~30小時左右之反應條件下進行。本說明書中揭示之黏著劑層例如可使用包含上述(甲基)丙烯酸系聚合物、下述聚矽氧低聚物Ps、及其他添加劑之黏著劑組合物形成。
於本發明中,上述基礎聚合物之重量平均分子量Mw可為50萬~250萬。於本發明之一實施形態中,基礎聚合物之重量平均分子量Mw較佳可為70萬~270萬,更佳可為80萬~250萬。
<聚矽氧低聚物Ps> 於本發明中,黏著劑層包含聚矽氧低聚物Ps。聚矽氧低聚物Ps藉由矽氧烷結構之低極性及移動性,可作為有助於抑制初始黏著力並提高黏著力上升比之黏著力上升延遲劑而發揮功能。作為聚矽氧低聚物Ps,可較佳地使用於側鏈具有矽氧烷結構之聚合物。
本發明中所使用之聚矽氧低聚物Ps之玻璃轉移溫度(Tg)為-50℃以上100℃以下之範圍。於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之Tg較佳為-30℃以上70℃以下,更佳可為-20℃以上60℃以下。若聚矽氧低聚物Ps之Tg為上述範圍內,則能以高水準兼備初始之低黏著性與使用時之黏著力上升(強黏著性)。
本發明中所使用之聚矽氧低聚物Ps之重量平均分子量Mw為10000以上300000以下之範圍。於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之重量平均分子量Mw較佳為12500以上2500000以下,更佳可為15000以上2000000以下。若聚矽氧低聚物Ps之重量平均分子量Mw為上述範圍內,則容易將於黏著劑層內之相容性或移動性調節至適度之範圍,從而容易實現以高水準兼備初始之低黏著性與使用時之強黏著性之黏著片。
於本發明之較佳之實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之Tg為-50℃以上100℃以下,側鏈之聚矽氧官能基當量為1000~20000 g/mol,重量平均分子量Mw可為10000以上300000以下。
於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps可包含具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1、及均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃以上180℃以下之單體作為單體單元。
(1)具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1 可用於本發明之聚矽氧低聚物Ps之具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1並無特別限定,可使用具有聚有機矽氧烷骨架之任意單體。作為聚有機矽氧烷骨架,例如可列舉:三甲基矽氧烷(TM)、二甲基矽氧烷(DM)、聚氧乙基甲基矽氧烷(EOM)等,但並不限定於該等。
作為具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1,例如可使用由下述通式(1)或(2)所表示之化合物。更具體而言,作為信越化學工業股份有限公司製造之單末端反應性聚矽氧油,可列舉:X-22-174ASX、X-22-2426、X-22-2475、KF-2012、X-22-174BX、X-22-2404等。具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。 [化1][化2]其中,上述通式(1)、(2)中之R3
為氫或甲基,R4
為甲基或1價有機基,m及n為0以上之整數。
本發明中所使用之聚矽氧低聚物Ps之側鏈之聚矽氧官能基當量為1000~20000 g/mol。於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之側鏈之聚矽氧官能基當量較佳為1200~18000 g/mol,更佳可為1500~15000 g/mol。若聚矽氧低聚物Ps之側鏈之聚矽氧官能基當量為上述範圍內,則容易將於黏著劑層內之相容性(例如與基礎聚合物之相容性)或移動性調節至適度之範圍,從而容易實現以高水準兼備初始之低黏著性與使用時之強黏著性之黏著片。
此處,「官能基當量」係指與每一個官能基鍵結之主骨架(例如聚二甲基矽氧烷)之重量。關於標記單位g/mol,換算為官能基1 mol。具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1之官能基當量例如可由基於核磁共振(NMR)之1
H-NMR(質子NMR)之光譜強度算出。基於1
H-NMR之光譜強度進行之具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1的官能基當量(g/mol)之算出可基於1
H-NMR光譜解析之一般結構解析方法進行,視需要可參照日本專利第5951153號公報之記載進行。
再者,於使用官能基當量不同之2種以上之單體作為具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1的情形時,作為單體S1之官能基當量,可使用算術平均值。即,包含官能基當量不同之n種單體(單體S11
、單體S12
…單體S1n
)之單體S1之官能基當量可藉由下述式計算。 單體S1之官能基當量(g/mol)=(單體S11
之官能基當量×單體S11
之調配量+單體S12
之官能基當量×單體S12
之調配量+…+單體S1n
之官能基當量×單體S1n
之調配量)/(單體S11
之調配量+單體S12
之調配量+…+單體S1n
之調配量)
具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1之含量相對於用以製備聚矽氧低聚物Ps之所有單體成分,例如可為5重量%以上,就更好地發揮作為黏著力上升延遲劑之效果之觀點而言,較佳為設為10重量%以上,亦可設為15重量%以上。於若干態樣中,上述單體S1之含量例如亦可為20重量%以上。又,具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1之含量就聚合反應性或相容性之觀點而言,相對於用以製備聚矽氧低聚物Ps之所有單體成分,適宜設為60重量%以下,可設為50重量%以下,可設為40重量%以下,亦可設為30重量%以下。若具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1之含量為上述範圍內,則容易實現以高水準兼備初始之低黏著性與使用時之黏著力上升(強黏著性)的黏著片。
(2)均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃以上180℃以下之單體 本發明之聚矽氧低聚物Ps包含可與上述具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1共聚之(甲基)丙烯酸系單體或其他共聚性單體。作為能夠用於本發明之聚矽氧低聚物Ps之可共聚之(甲基)丙烯酸系單體或其他共聚性單體,可使用均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃以上180℃以下之單體,例如可列舉:(甲基)丙烯酸烷基酯、具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯,但並不限定於該等。作為(甲基)丙烯酸烷基酯,可列舉:甲基丙烯酸甲酯(MMA)、甲基丙烯酸丁酯(BMA)、甲基丙烯酸2-乙基己酯(2-EHMA)、丙烯酸丁酯(BA)、丙烯酸酯2-乙基己酯(2-EHA),作為具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯,可列舉:甲基丙烯酸2-((3-羥基甲基)-金剛烷-1-基)甲氧基-2-側氧乙基酯(2EHAMA)、(甲基)丙烯酸環戊酯、(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸異𦯉基酯、(甲基)丙烯酸雙環戊酯、(甲基)丙烯酸1-金剛烷基酯等,但並不限定於該等。於本發明之一實施形態中,可含有選自甲基丙烯酸2-((3-羥基甲基)-金剛烷-1-基)甲氧基-2-側氧乙基酯(2EHAMA)、及甲基丙烯酸異𦯉基酯(IBXMA)中之至少1種作為單體單元。於本發明之另一實施形態中,可含有選自甲基丙烯酸雙環戊酯、甲基丙烯酸異𦯉基酯及甲基丙烯酸環己酯中之至少1種作為單體單元。該等單體可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
上述(甲基)丙烯酸烷基酯及上述具有脂環式烴基之(甲基)丙烯酸酯之使用量相對於用以製備聚矽氧低聚物Ps之所有單體成分,例如可為10重量%以上95重量%以下,可為20重量%以上95重量%以下,可為30重量%以上90重量%以下,可為40重量%以上90重量%以下,亦可為50重量%以上85重量%以下。
關於可與單體S1一同作為構成聚矽氧低聚物Ps之單體單元被包含之單體之另一例,可列舉:上述中作為可用於(甲基)丙烯酸烷基酯(A)之單體而例示之含羧基單體、含酸酐基單體、含羥基單體、含環氧基單體、含氰基單體、含異氰酸基單體、含醯胺基單體、具有含氮原子之環之單體、具有丁二醯亞胺骨架之單體、順丁烯二醯亞胺類、伊康醯亞胺類、(甲基)丙烯酸胺基烷基酯類、乙烯酯類、乙烯醚類、烯烴類、具有芳香族烴基之(甲基)丙烯酸酯、含雜環之(甲基)丙烯酸酯、含鹵素原子之(甲基)丙烯酸酯、由萜烯化合物衍生物醇獲得之(甲基)丙烯酸酯等。
關於可與單體S1一同作為構成聚矽氧低聚物Ps之單體單元被包含之單體之又一例,可列舉:乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等氧伸烷基二(甲基)丙烯酸酯;於具有聚氧伸烷基骨架之單體,例如聚乙二醇或聚丙二醇等之聚氧伸烷基鏈之末端具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等聚合性官能基,且於另一末端具有醚結構(烷基醚、芳基醚、芳烷基醚等)之聚合性聚氧伸烷基醚;(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基丙酯等(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯;(甲基)丙烯酸鹼金屬鹽等鹽;三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯;偏二氯乙烯、(甲基)丙烯酸-2-氯乙酯等鹵化乙烯系化合物;2-乙烯基-2-㗁唑啉、2-乙烯基-5-甲基-2-㗁唑啉、2-異丙烯基-2-㗁唑啉等含㗁唑啉基單體;(甲基)丙烯醯基氮丙啶、(甲基)丙烯酸-2-氮丙啶基乙酯等含氮丙啶基單體;(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、內酯類與(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯之加成物等含羥基之乙烯基單體;氟取代(甲基)丙烯酸烷基酯等含氟乙烯基單體;2-氯乙基乙烯醚、單氯乙酸乙烯酯等反應性含鹵素之乙烯基單體;乙烯基三甲氧基矽烷、γ-(甲基)丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、三甲氧基矽烷基丙基烯丙基胺、2-甲氧基乙氧基三甲氧基矽烷之類的含有機矽之乙烯基單體;此外還可列舉於將乙烯基聚合而成之單體末端具有自由基聚合性乙烯基之巨單體類等。該等可單獨1種與單體S1共聚,或者組合與單體S1共聚。
於用以製備聚矽氧低聚物Ps之單體成分包含單體S1及(甲基)丙烯酸系單體之態樣中,單體S1與(甲基)丙烯酸系單體於上述單體成分總體中所占的合計量例如可為50重量%以上,可為70重量%以上,可為85重量%以上,可為90重量%以上,可為95重量%以上,亦可實質上為100重量%。
上述單體成分中所包含之(甲基)丙烯酸系單體之組成例如能以如下方式設定,即基於該(甲基)丙烯酸系單體之組成之玻璃轉移溫度Tm1
高於0℃。此處,基於(甲基)丙烯酸系單體之組成之玻璃轉移溫度Tm1
係指僅基於用以製備聚矽氧低聚物Ps之單體成分中的(甲基)丙烯酸系單體之組成,利用Fox之式求出之Tg。Tm1
可僅將用以製備聚矽氧低聚物Ps之單體成分中之(甲基)丙烯酸系單體作為對象,應用上述Fox之式,由各(甲基)丙烯酸系單體之均聚物之玻璃轉移溫度與各(甲基)丙烯酸系單體於該(甲基)丙烯酸系單體之合計量中所占的重量分率算出。若利用玻璃轉移溫度Tm1
高於0℃之聚矽氧低聚物Ps,則容易抑制初始黏著力。又,藉由使用玻璃轉移溫度Tm1
高於0℃之聚矽氧低聚物Ps,而容易獲得黏著力上升比較大之黏著片。
於若干態樣中,Tm1
可為-20℃以上,可為-10℃以上,可為0℃以上,亦可為10℃以上。若Tm1
變高,則存在貼附初始之黏著力大體更好地得到抑制之傾向。又,Tm1
例如可為90℃以下,可為80℃以下,亦可為70℃以下或未達70℃。若Tm1
變低,則存在容易因加熱而導致黏著力上升之傾向。本文所揭示之技術可使用Tm1
例如處於-20℃~90℃或-10℃~80℃、或0℃~70℃之範圍內之聚矽氧低聚物Ps較佳地實施。
聚矽氧低聚物Ps例如可藉由利用溶液聚合法、乳液聚合法、塊體聚合法、懸浮聚合法、光聚合法等已知之方法使上述單體聚合而製作。
為了調整聚矽氧低聚物Ps之分子量,可使用鏈轉移劑。作為所使用之鏈轉移劑之例,可列舉:辛硫醇、月桂硫醇、第三壬硫醇、第三-十二硫醇、巰基乙醇、α-硫甘油等具有巰基之化合物;巰基乙酸、巰基乙酸甲酯、巰基乙酸乙酯、巰基乙酸丙酯、巰基乙酸丁酯、巰基乙酸第三丁酯、巰基乙酸2-乙基己酯、巰基乙酸辛酯、巰基乙酸異辛酯、巰基乙酸癸酯、巰基乙酸十二烷基酯、乙二醇之巰基乙酸酯、新戊二醇之巰基乙酸酯、季戊四醇之巰基乙酸酯等巰基乙酸酯類;α-甲基苯乙烯二聚物等。
作為鏈轉移劑之使用量,並無特別限制,通常相對於單體100重量份,含有鏈轉移劑0.05重量份~20重量份,較佳為0.1重量份~15重量份,進而較佳為0.2重量份~10重量份。藉由如此調整鏈轉移劑之添加量,能夠獲得分子量適宜之聚矽氧低聚物Ps。再者,鏈轉移劑可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps相對於作為基礎聚合物之上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份可包含0.1~20重量份。於本發明之實施形態中,聚矽氧低聚物Ps相對於上述(甲基)丙烯酸系聚合物100重量份,較佳為可包含0.25~10重量份,更佳為可包含0.5~5重量份。若黏著劑層中所包含之聚矽氧低聚物Ps之含量為上述範圍內,則能夠抑制初始黏著力,能夠獲得更高之加熱後黏著力。
再者,如上所述之聚矽氧低聚物Ps藉由調配於黏著劑層,可作為黏著力上升延遲劑而較佳地發揮功能。本文所揭示之黏著片可由如下態樣較佳地實施,即,構成黏著劑層之黏著劑包含基礎聚合物及黏著力上升延遲劑,且該黏著力上升延遲劑包含聚矽氧低聚物Ps。此處認為,聚矽氧低聚物Ps作為黏著力上升延遲劑而發揮功能之原因在於:於貼附於被黏著體之前至貼附初始之黏著片中,利用存在於黏著劑層之表面之聚矽氧低聚物Ps抑制初始黏著力,黏著劑藉由貼附後之經時或加熱等而流動,藉此黏著劑層表面中之聚矽氧低聚物Ps之存在量減少,聚矽氧低聚物Ps與黏著劑相容,黏著力上升。因此,作為本文所揭示之技術中之上述黏著力上升延遲劑,可使用能夠發揮同種功能之其他材料來代替聚矽氧低聚物Ps,或者與聚矽氧低聚物Ps組合。作為此種材料之非限定性之例,可列舉於分子內具有聚氧伸烷基結構之聚合物(以下,亦稱為「聚合物Po」)。聚合物Po例如可為包含來自具有聚氧伸烷基骨架之單體之單體單元之聚合物。作為具體例,可使用如上所述之具有聚氧伸烷基骨架之單體之任一種單獨聚合物或2種以上之共聚物、具有聚氧伸烷基骨架之單體之1種或2種以上與其他單體(例如(甲基)丙烯酸系單體)之共聚物等作為聚合物Po。具有聚氧伸烷基骨架之單體之使用量並無特別限定,例如亦可將上述聚矽氧低聚物Ps中之單體S1之使用量應用於聚合物Po中之具有聚氧伸烷基骨架之單體的使用量。又,黏著劑層中之聚合物Po之使用量並無特別限定,例如亦可將上述聚矽氧低聚物Ps相對於基礎聚合物之使用量應用於聚合物Po相對於基礎聚合物之使用量。或者亦可將上述聚矽氧低聚物Ps相對於基礎聚合物之使用量中之一部分(例如,聚矽氧低聚物Ps之總使用量中之5重量%~95重量%左右、或15重量%~85重量%左右、或30重量%~70重量%左右)替換為聚合物Po。
於本發明之一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之熔融溫度可為-20~120℃。於本發明之另一實施形態中,聚矽氧低聚物Ps之熔融溫度可為-10~90℃、0~80℃。
<其他成分> (交聯劑) 對於本說明書中揭示之黏著劑層,為了進行凝聚力之調整等,可使用交聯劑。交聯劑可使用通常使用之交聯劑,例如可列舉:環氧系交聯劑、異氰酸酯系交聯劑、聚矽氧系交聯劑、㗁唑啉系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、矽烷系交聯劑、烷基醚化三聚氰胺系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑等。尤其是可較佳地使用異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、金屬螯合物系交聯劑。交聯劑可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
具體而言,作為異氰酸酯系交聯劑之例,可列舉:甲苯二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、苯二甲基二異氰酸酯、氫化苯二甲基二異氰酸酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、氫化二苯基甲烷二異氰酸酯、四甲基苯二甲基二異氰酸酯、萘二異氰酸酯、三苯基甲烷三異氰酸酯、聚亞甲基聚苯異氰酸酯、及該等與三羥甲基丙烷等多元醇之加成物。或者於1分子中具有至少1個以上之異氰酸基與1個以上之不飽和鍵之化合物,具體而言,(甲基)丙烯酸2-異氰酸基乙酯等亦可用作異氰酸酯系交聯劑。該等可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
作為環氧系交聯劑,可列舉:雙酚A、表氯醇型環氧系樹脂、乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、甘油三縮水甘油醚、1,6-己二醇縮水甘油醚、三羥甲基丙烷三縮水甘油醚、二縮水甘油基苯胺、二胺縮水甘油基胺、N,N,N',N'-四縮水甘油基-間苯二甲胺及1,3-雙(N,N-二縮水甘油基胺基甲基)環己烷等。該等可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
關於金屬螯合物化合物,作為金屬成分,可列舉:鋁、鐵、錫、鈦、鎳等,作為螯合物成分,可列舉:乙炔、乙醯乙酸甲酯、乳酸乙酯等。該等可單獨使用1種,或將2種以上組合使用。
交聯劑之使用量相對於基礎聚合物100重量份,例如可設為0.01重量份以上,較佳為設為0.05重量份以上。藉由增大交聯劑之使用量,有獲得更高之凝聚力之傾向。於若干態樣中,交聯劑相對於基礎聚合物100重量份之使用量可為0.05重量份以上,可為0.1重量份以上,亦可為0.2重量份以上。另一方面,就避免因過度提高凝聚力而導致觸黏下降之觀點而言,交聯劑相對於基礎聚合物100重量份之使用量通常適宜設為15重量份以下,可設為10重量份以下,亦可設為5重量份以下。於包含聚矽氧低聚物Ps或其他黏著力上升延遲劑之組成之黏著劑中,交聯劑之使用量不過多就利用黏著劑之流動性更好地展現黏著力上升延遲劑之使用效果的觀點而言,亦可有利。
本說明書中揭示之技術可由至少使用異氰酸酯系交聯劑作為交聯劑之態樣較佳地實施。就容易實現加熱後凝聚力較高,且黏著力上升比較大之黏著片之觀點而言,於若干態樣中,異氰酸酯系交聯劑相對於基礎聚合物100重量份之使用量例如可設為5重量份以下,可設為3重量份以下,可設為1重量份以下,可設為0.7重量份以下,亦可設為0.5重量份以下。
為了更有效地進行上述任一交聯反應,亦可使用交聯觸媒。作為交聯觸媒,例如可較佳地使用錫系觸媒(尤其是二月桂酸二辛基錫)。交聯觸媒之使用量並無特別限制,例如相對於基礎聚合物100重量份,可設為大致0.0001重量份~1重量份。
(矽烷偶合劑) 於本說明書中揭示之黏著劑層中,可進而含有矽烷偶合劑。藉由使用矽烷偶合劑,可提高耐久性。作為矽烷偶合劑,可使用具有任意之適當官能基者。具體而言,作為官能基,例如可列舉:乙烯基、環氧基、胺基、巰基、(甲基)丙烯醯氧基、乙醯乙醯基、異氰酸基、苯乙烯基、多硫基等。具體而言,例如可列舉:乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三丙氧基矽烷、乙烯基三異丙氧基矽烷、乙烯基三丁氧基矽烷等含乙烯基之矽烷偶合劑;γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷等含環氧基之矽烷偶合劑;γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、γ-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基亞丁基)丙基胺、N-苯基-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷等含胺基之矽烷偶合劑;γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷等含巰基之矽烷偶合劑;對苯乙烯基三甲氧基矽烷等含苯乙烯基之矽烷偶合劑;γ-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯基氧丙基三乙氧基矽烷等含(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑;3-異氰酸基丙基三乙氧基矽烷等含異氰酸基之矽烷偶合劑;雙(三乙氧基矽烷基丙基)四硫化物等含多硫基之矽烷偶合劑等。矽烷偶合劑例如可較佳地使用γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、γ-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷。
上述矽烷偶合劑可單獨使用,又,亦可將2種以上混合使用,作為整體之含量相對於基礎聚合物100重量份,較佳為上述矽烷偶合劑0.001~5重量份,進而較佳為0.01~1重量份,進而更佳為0.02~1重量份,進而較佳為0.05~0.6重量份。
此外,本文所揭示之技術中之黏著劑層亦可於不明顯妨礙本發明之效果之範圍內,視需要包含黏著賦予劑、整平劑、可塑劑、軟化劑、著色劑(染料、顏料等)、填充劑、抗靜電劑、抗老化劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、光穩定劑、防腐劑等可用於黏著劑之公知之添加劑。
(黏著劑層之形成) 作為形成黏著劑層之方法,例如可藉由以下方法等製作:將上述黏著劑組合物塗佈於經剝離處理之隔片等,並將聚合溶劑等乾燥去除而形成黏著劑層,之後轉印於偏光膜;或者將上述黏著劑組合物塗佈於偏光膜,將聚合溶劑等乾燥去除而使黏著劑層形成於偏光膜。再者,當塗佈黏著劑時,亦可適當重新添加聚合溶劑以外之一種以上之溶劑。
作為經剝離處理之隔片,較佳地使用聚矽氧剝離襯墊。於將本發明之接著劑組合物塗佈於此種襯墊上並使其乾燥而形成黏著劑層之步驟中,作為使黏著劑乾燥之方法,可根據目的適當採用恰當之方法。較佳為使用對上述塗佈膜進行加熱乾燥之方法。加熱乾燥溫度較佳為40℃~200℃,進而較佳為50℃~180℃,尤佳為70℃~170℃。藉由將加熱溫度設為上述範圍,可獲得具有優異之黏著特性之黏著劑。
乾燥時間可適當採用恰當之時間。上述乾燥時間較佳為5秒~20分鐘,進而較佳為5秒~10分鐘,尤佳為10秒~5分鐘。
又,可於偏光膜之表面形成錨定層,或者於實施電暈處理、電漿處理等各種易接著處理之後形成黏著劑層。又,亦可對黏著劑層之表面進行易接著處理。
作為黏著劑層之形成方法,可使用各種方法。具體而言,例如可列舉:輥塗、接觸輥式塗佈、凹版塗佈、反向塗佈、輥式刷塗、噴塗、浸漬輥塗佈、棒式塗佈、刮塗、氣刀塗佈、淋幕式塗佈、模唇塗佈、利用模嘴塗佈機等之擠壓塗佈法等方法。
黏著劑層之厚度並無特別限制,例如為1~100 μm左右。較佳為2~50 μm,更佳為2~40 μm,進而較佳為5~35 μm。
於上述黏著劑層露出之情形時,亦可利用經剝離處理之片(隔片)保護黏著劑層直至實際使用為止。
作為隔片之構成材料,例如可列舉:聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯膜等塑膠膜、紙、布、不織布等多孔質材料、網狀物、發泡片、金屬箔、及其等之層壓體等適當之薄片體等,就表面平滑性優異之方面而言,適宜使用塑膠膜。
作為該塑膠膜,只要為能夠保護上述黏著劑層之膜,則並無特別限定,例如可列舉:聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺酯膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜等。
上述隔片之厚度通常為5~200 μm,較佳為5~100 μm左右。針對上述隔片,亦可視需要進行利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或脂肪酸醯胺系之脫模劑、氧化矽粉等進行之脫模及防汚處理;或者塗佈型、混練型、蒸鍍型等抗靜電處理。尤其是藉由對上述隔片之表面適當進行聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理,能夠進一步提高自上述黏著劑層之剝離性。
再者,製作上述附黏著劑層之偏光膜時使用之經剝離處理之片可直接用作附黏著劑層之偏光膜的隔片,從而能夠簡化步驟。 [實施例]
以下,列舉實施例對本發明進行說明,但本發明並不受以下所示之實施例限制。再者,各例中之份及%均為重量基準。以下無特別規定之室溫放置條件均為23℃65%RH。
再者,下述各聚合物之重量平均分子量Mw係使用GPC(Gel Permeation Chromatograph,凝膠滲透層析)裝置(Tosoh公司製造、HLC-8220GPC)於下述條件下進行測定,並藉由聚苯乙烯換算求出。 ・樣本濃度:0.2 wt%(四氫呋喃(THF)溶液) ・樣本注入量:10 μl ・溶離液:THF・流速:0.6 ml/min ・測定溫度:40℃
<單保護偏光膜B之製作> (偏光元件B之製作) 對吸水率0.75%、Tg 75℃之非晶質之間苯二甲酸共聚聚對苯二甲酸乙二酯(IPA共聚PET)膜(厚度:100 μm)基材之單面實施電暈處理,於25℃下將以9:1之比包含聚乙烯醇(聚合度4200、皂化度99.2莫耳%)及乙醯乙醯基改性PVA(polyvinyl alcohol,聚乙烯醇)(聚合度1200、乙醯乙醯基改性度4.6%、皂化度99.0莫耳%以上、日本合成化學工業公司製造、商品名「GOHSEFIMERTM Z200」)之水溶液塗佈於該電暈處理面並進行乾燥,形成厚度11 μm之PVA系樹脂層,從而製作積層體。於120℃之烘箱內將所獲得之積層體於周速不同之輥間縱向(長度方向)自由端單軸延伸至2.0倍(空中輔助延伸處理)。然後,使積層體浸漬於液溫30℃之不溶化浴(相對於水100重量份調配4重量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(不溶化處理)。然後,使其浸漬於液溫30℃之染色浴中,並且以偏光板成為特定之透過率之方式調整碘濃度、浸漬時間。於本實施例中,使其浸漬於相對於水100重量份調配0.2重量份之碘,並調配1.0重量份之碘化鉀而獲得之碘水溶液中60秒(染色處理)。然後,使其浸漬於液溫30℃之交聯浴(相對於水100重量份調配3重量份之碘化鉀,並調配3重量份之硼酸而獲得之硼酸水溶液)中30秒(交聯處理)。其後,使積層體浸漬於液溫70℃之硼酸水溶液(相對於水100重量份調配4重量份之硼酸,並調配5重量份之碘化鉀而獲得之水溶液)中,並且於周速不同之輥間沿縱向(長度方向)以總延伸倍率成為5.5倍之方式進行單軸延伸(水中延伸處理)。其後,使積層體浸漬於液溫30℃之洗淨浴(相對於水100重量份調配4重量份之碘化鉀而獲得之水溶液)中(洗淨處理)。藉由以上,獲得包含厚度5 μm、硼酸含量16%之偏光元件之光學膜積層體。偏光元件中之硼酸含量係藉由下述方法測定。
使用傅立葉變換紅外分光光度計(FTIR)(Perkin Elmer公司製造、商品名「SPECTRUM2000」),藉由以偏光為測定光之全反射衰減分光(ATR)測定對所獲得之偏光元件B測定硼酸峰值(665 cm-1
)之強度及參照峰值(2941 cm-1
)之強度。藉由下述式自所獲得之硼酸峰值強度及參照峰值強度算出硼酸量指數,進而藉由下述式自算出之硼酸量指數確定硼酸含量(重量%)。 (硼酸量指數)=(硼酸峰值665 cm-1
之強度)/(參照峰值2941 cm-1
之強度) (硼酸含量(重量%))=(硼酸量指數)×5.54+4.1
(透明保護膜B之製作) 透明保護膜B:對厚度40 μm之具有內酯環結構之(甲基)丙烯酸系樹脂膜之易接著處理面進行電暈處理而使用。
(應用於透明保護膜B之接著劑之製作) 將N-羥基乙基丙烯醯胺(HEAA)40重量份、丙烯醯基𠰌啉(ACMO)60重量份、及光起始劑「IRGACURE 819」(BASF公司製造)3重量份混合而製備紫外線硬化型接著劑。
(單保護偏光膜B之製作) 於上述光學膜積層體之偏光元件之表面,將上述紫外線硬化型接著劑以硬化後之接著劑層之厚度成為0.5 μm之方式塗佈,並貼合上述透明保護膜B,之後照射作為活性能量線之紫外線使接著劑硬化。
(活性能量線) 紫外線照射使用:封入鎵之金屬鹵化物燈;照射裝置:Fusion UV Systems, Inc公司製造之Light HAMMER10;燈泡:V燈泡;峰值照度:1600 mW/cm2
;累計照射量1000/mJ/cm2
(波長380~440 nm),紫外線之照度係使用Solatell公司製造之Sola-Check系統進行測定。
然後,將非晶性PET基材剝離,製作使用薄型偏光元件之單保護偏光膜B。藉由下述方法,使用所獲得之單保護偏光膜B測定偏光元件B之單體透過率T及偏光度P,結果,偏光元件B之單體透過率T為42.8%,偏光元件B之偏光度P為99.99%。
使用帶有積分球之分光透過率測定器(村上色彩技術研究所之Dot-3c)測定所獲得之單保護偏光膜B之偏光元件B的單體透過率T及偏光度P。再者,偏光度P係藉由將透過率(平行透過率:Tp)、及透過率(正交透過率:Tc)應用於以下式中而求出,上述透過率(平行透過率:Tp)係使2片相同單保護偏光膜B以兩者之透過軸平行之方式重疊之情形時的透過率,上述透過率(正交透過率:Tc)係使2片相同單保護偏光膜B以兩者之透過軸正交之方式重疊之情形時的透過率。 偏光度P(%)={(Tp-Tc)/(Tp+Tc)}1/2
×100 各透過率係由將通過葛蘭-泰勒稜鏡偏光元件獲得之完全偏振光設為100%,藉由JIS Z8701之2度視野(C光源)進行視感度補正所得之Y值來表示。
<雙保護偏光膜A之製作> (偏光元件A之製作) 將平均聚合度2400、皂化度99.9莫耳%之厚度75 μm之聚乙烯醇膜浸漬於30℃之溫水中60秒使其膨潤。然後,將其浸漬於碘/碘化鉀(重量比=0.5/8)之濃度0.3%之水溶液中,使其延伸至3.5倍並將膜染色。其後,於65℃之硼酸酯水溶液中,以合計延伸倍率成為6倍之方式進行延伸。延伸後,於40℃之烘箱中乾燥3分鐘,從而獲得PVA系偏光元件A(SP值32.8、厚度23 μm)。含水率為14重量%。
<透明保護膜A之製作> 對厚度40 μm、透濕度60 g/m2
/24 h之丙烯酸系樹脂膜(SP值22.2)之易接著處理面實施電暈處理而使用。
(活性能量線) 作為活性能量線,使用: ・紫外線照射裝置(封入鎵之金屬鹵化物燈):Fusion UV Systems, Inc公司製造之Light HAMMER10; ・燈泡:V燈泡; ・峰值照度:1600 mW/cm2
; ・累計照射量1000/mJ/cm2
(波長380~440 nm)。再者,紫外線之照度係使用Solatell公司製造之Sola-Check系統進行測定。
(活性能量線硬化型接著劑(1)之製備) 將作為自由基聚合性化合物(A)之N-羥基乙基丙烯醯胺(SP值29.6、均聚物之Tg 123℃、興人公司製造)38.3份、作為自由基聚合性化合物(B)之三丙二醇二丙烯酸酯(商品名:ARONIX M-220、SP值19.0、均聚物之Tg 69℃、東亞合成公司製造)19.1份、作為自由基聚合性化合物(C)之丙烯醯基𠰌啉(SP值22.9、均聚物之Tg 150℃、興人公司製造)38.3份、及光聚合起始劑(商品名:KAYACURE DETX-S、二乙基9-氧硫𠮿、日本化藥公司製造)1.4份混合,並於50℃下攪拌1小時,從而獲得活性能量線硬化型接著劑(1)。
(偏光膜A之製作) 於上述丙烯酸系樹脂膜上形成厚度0.5 μm之胺基甲酸酯系易接著劑層之後,使用MCD塗佈機(富士機械公司製造)(單元形狀:蜂窩狀;凹版輥線數:1000根/inch、旋轉速度140%/相對於線速度),將上述活性能量線硬化型接著劑(1)以接著劑層之厚度成為0.5 μm之方式塗佈於該易接著劑層。然後,將上述丙烯酸系樹脂膜作為視認側及面板側之透明保護膜利用滾壓機經由上述接著劑(1)貼合於上述偏光元件A之兩面。其後,使用IR加熱器自貼合後之丙烯酸系樹脂膜之兩側加熱至50℃,並對兩面照射上述紫外線,使活性能量線硬化型接著劑(1)硬化。進而,於70℃下熱風乾燥3分鐘,從而獲得於偏光元件A之兩面具有透明保護膜A之偏光膜A(表1)。於貼合之線速度為25 m/min下進行。 [表1]
偏光板 | 偏光板 | ||
視認側保護膜 | 偏光元件 | 面板側保護膜 | |
偏光膜B | 丙烯酸系樹脂膜40 μm | 5 μm | 無 |
偏光膜A | 丙烯酸系樹脂膜40 μm | 23 μm | 丙烯酸系樹脂膜40 μm |
<黏著劑之製備> (聚合物溶液D之製備) 向具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷卻器之四口燒瓶中裝入含有丙烯酸正丁酯89.82份、甲基丙烯酸甲酯8份、N-乙烯基吡咯啶酮1.5份、丙烯酸0.2份、及丙烯酸4-羥基丁酯0.48份之單體混合物。進而,相對於上述單體混合物(固形物成分)100份,將作為聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.15份與乙酸乙酯一同裝入,緩慢攪拌並導入氮氣進行氮氣置換,之後將燒瓶內之液溫保持於60℃附近,進行聚合反應7小時。其後,向所獲得之反應液中添加乙酸乙酯,而製備調整至固形物成分濃度20%之重量平均分子量130萬之丙烯酸系聚合物溶液D。
相對於製備之丙烯酸系聚合物溶液D之固形物成分100份,依序調配異氰酸酯系交聯劑(三井化學公司製造、商品名「Takenate D160N」)0.25份、過氧化物系交聯劑(日本油脂公司製造、商品名「Nyper BMT」)0.25份、含乙醯乙醯基之矽烷偶合劑(綜研化學公司製造、商品名「A-100」)0.2份,從而製備黏著劑聚合物溶液D。
(聚合物溶液A之製備) 將丙烯酸丁酯100份、丙烯酸5份、丙烯酸2-羥基乙酯0.075份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一同添加至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,而製備溶液。然後,一面向該溶液吹入氮氣一面進行攪拌,並於60℃下使其反應4小時,從而獲得含有重量平均Mw為220萬之丙烯酸系聚合物之溶液。進而向該含有丙烯酸系聚合物之溶液中添加乙酸乙酯,從而獲得將固形物成分濃度調整至30%之丙烯酸系聚合物溶液A。
相對於上述丙烯酸系聚合物溶液A之固形物成分100份,依序調配作為交聯劑之0.6份之以具有異氰酸基之化合物為主成分之交聯劑(日本聚胺酯(股)製造、商品名「Coronate L」)、及作為矽烷偶合劑之0.075份之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製造、商品名「KBM-403」),從而製備黏著劑聚合物溶液A。
(聚合物溶液B之製備) 將丙烯酸2-乙基己酯(2EHA)94份、丙烯酸6份及2,2'-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一同添加至具有冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,從而製備溶液。然後,一面向該溶液中吹入氮氣一面進行攪拌,並於60℃下使其反應4小時,從而獲得含有重量平均分子量Mw為220萬之丙烯酸系聚合物之溶液。進而,向該含有丙烯酸系聚合物之溶液中添加乙酸乙酯,從而獲得將固形物成分濃度調整至30%之丙烯酸系聚合物溶液(B)。
相對於上述丙烯酸系聚合物溶液(B)之固形物成分100份,依序調配作為交聯劑之0.6份之以具有異氰酸基之化合物為主成分之交聯劑(日本聚胺酯(股)製造、商品名「Coronate L」)、及作為矽烷偶合劑之0.075份之γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷(信越化學工業(股)製造、商品名「KBM-403」),從而製備黏著劑聚合物溶液B。
(聚合物溶液C之製備) 相對於單體(固形物成分)100份,將丙烯酸丁酯99份、丙烯酸4-羥基丁酯1.0份、及2、2-偶氮二異丁腈0.3份與乙酸乙酯一同添加至具備冷卻管、氮氣導入管、溫度計及攪拌裝置之反應容器中,並於氮氣氣流下,60℃下使其反應4小時,之後向該反應液中添加乙酸乙酯,從而獲得含有重量平均分子量165萬之丙烯酸系聚合物之聚合物溶液C(固形物成分濃度30重量%)。
每100份之上述丙烯酸系聚合物溶液C之固形物成分,調配0.3份之過氧化二苯甲醯(日本油脂(股)製造:Nyper BMT)、0.1份之三羥甲基丙烷苯二甲基二異氰酸酯(三井武田化學(股):Takenate D110N)、及0.2份之矽烷偶合劑(綜研化學股份有限公司製造:A-100、含乙醯乙醯基之矽烷偶合劑),從而製備黏著劑聚合物溶液C。
將丙烯酸系聚合物溶液(A)(聚合物A)、丙烯酸系聚合物溶液(B)(聚合物B)、丙烯酸系聚合物溶液(C)(聚合物C)、及丙烯酸系聚合物溶液(D)(聚合物D)之組成示於下述表2。
[表2]
黏著劑 主劑 | 單體組成 | 交聯劑 | 交聯劑 | 矽烷偶合劑 | |||||||||
BA | 2EHA | AA | NVP | MMA | 4HBA | 2HBA | 種類 | 含量 | 種類 | 含量 | 種類 | 含量 | |
聚合物D | 89.82 | - | 0.2 | 1.5 | 8 | 0.48 | - | Takenate D160N | 0.25 phr | Nyper BMT | 0.25 phr | A-100 | 0.2 phr |
聚合物A | 100 | - | 5 | - | - | - | 0.075 | Coronate L | 0.6 phr | Coronate L | 0.6 phr | KBM-403 | 0.075 phr |
聚合物B | - | 94 | 6 | - | - | - | - | Coronate L | 0.6 phr | Coronate L | 0.6 phr | KBM-403 | 0.075 phr |
聚合物C | 99 | 1 | Takenate D110N | 0.l phr | Nyper BMT | 0.3 phr | A-100 | 0.2 phr |
(聚矽氧低聚物A之製備) 向具備攪拌翼、溫度計、氮氣導入管、冷卻器、滴液漏斗之四口燒瓶中放入乙酸乙酯100份、MMA40份、正甲基丙烯酸丁酯(BMA)20份、甲基丙烯酸2-乙基己酯(2EHMA)20份、官能基當量為900 g/mol之含聚有機矽氧烷骨架之甲基丙烯酸酯單體(商品名:X-22-174ASX、信越化學工業股份有限公司製造)8.7份、官能基當量為4600 g/mol之含聚有機矽氧烷骨架之甲基丙烯酸酯單體(商品名:KF-2012、信越化學工業股份有限公司製造)11.3份及作為鏈轉移劑之巰基乙酸甲酯0.2份。然後,以70℃於氮氣氛圍下攪拌1小時後,放入作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.2份,於70℃下使其反應2小時,之後放入作為熱聚合起始劑之2,2'-偶氮二異丁腈0.1份,繼而於80℃下使其反應3小時。如此獲得聚矽氧低聚物A之溶液。該聚矽氧低聚物A之重量平均分子量Mw為18000。
(其他聚矽氧低聚物B~D、E1、E、G之製備) 關於聚矽氧低聚物B~D、E1、E、G,將單體組成及質量份變更為表3中記載之構成成分,除此以外,以與聚矽氧低聚物A相同之方式進行製作。
[表3]
再加工劑 | 低聚物 | ||||||
MMA | BMA | 2EHMA | BA | 2EHA | X-22-174ASX | KF-2012 | |
Si低聚物A | 40 | 20 | 20 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物B | 50 | 15 | 15 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物C | 60 | 10 | 10 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物D | 10 | 35 | 35 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物E1 | 65 | 7.5 | 7.5 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物E | 70 | 5 | 5 | 8.7 | 11.3 | ||
Si低聚物G | 8 | 17 | 55 | 8.7 | 11.3 |
(黏著劑溶液之製備) 向上述製備之黏著劑聚合物溶液A中調配1份之聚矽氧低聚物A而製備實施例1中使用之丙烯酸系黏著劑溶液。以相同之方式使用下述表4中記載之黏著劑聚合物溶液及聚矽氧低聚物而製備實施例2~20中使用之丙烯酸系黏著劑溶液。
<附黏著劑層之單保護偏光膜之製作> [實施例1]~[實施例20] 將製備之丙烯酸系黏著劑A均勻地塗佈於利用聚矽氧系剝離劑處理後之聚對苯二甲酸乙二酯膜(隔片膜)之表面,於155℃之空氣循環式恆溫烘箱中將其乾燥1分鐘,於各隔片膜之表面分別形成厚度20 μm之黏著劑層。將製作之黏著劑層貼合於製作之單保護偏光膜B之偏光元件側,從而製作附黏著劑層之單保護偏光膜。
[比較例1] 於比較例1中,除去聚矽氧低聚物A,除此以外,以與實施例1相同之方式製作附黏著劑層之偏光膜。
[比較例2]~[比較例5] 於比較例2~5中,使用含醚基之聚矽氧烷(信越化學工業股份有限公司製造、商品名「改性聚矽氧油KF-353」)或聚矽氧低聚物G來代替聚矽氧低聚物A,並如表4所示般變更調配量,除此以外,以與實施例1相同之方式製作附黏著劑層之偏光膜。
[比較例6] 於比較例6中,將單保護偏光膜B變成雙保護偏光膜A,除此以外,以與實施例1相同之方式製作附黏著劑層之偏光膜。
對上述實施例1~20、比較例1~6中所獲得之附黏著劑層之偏光膜進行下述評價。將結果示於表4。
<耐久性之評價> 將附黏著劑層之偏光膜(15英吋)之隔片膜剝下,使用貼合機將其貼合於厚度0.7 mm之無鹼玻璃(Corning公司製造、EG-XG)。然後,於50℃、0.5 MPa下,進行15分鐘之高壓釜處理,使上述偏光膜完全密接於無鹼玻璃。然後,將其分別放入至80℃之加熱烘箱(加熱)條件下,按下述基準對500小時後有無偏光板之剝落進行評價。 A:完全未觀察到剝落。 B:觀察到無法目視確認之程度之發泡。 C:觀察到無法目視確認之程度之剝落。 D:觀察到可目視確認之較小之發泡或剝落。 E:觀察到明顯之發泡或剝落。
<黏著力之評價> 將製作之附黏著劑層之偏光膜裁斷成縱120 mm×橫25 mm,將所得者作為樣本。利用2 kg輥往返1次將該樣本壓接於厚度0.7 mm之無鹼玻璃板(Corning公司製造、EG-XG),於23℃下熟化1小時,之後測定樣本之黏著力。又,利用2 kg輥往返1次進行壓接,於50℃、5 atm下進行高壓釜處理15分鐘使其完全密接後,測定於60℃之加熱烘箱中加熱處理2小時及24小時後之樣本之黏著力。黏著力係藉由對利用拉伸試驗機(Autograph SHIMAZU AG-1 10KN)將該樣本以剝離角度90°、剝離速度300 mm/min剝離時之黏著力(N/25 mm、測定長度80 mm)進行測定而求出。測定係以1次/0.5 s之間隔取樣200次,將其平均值作為測定值。於檢體數為3個檢體下進行。而且,按照下述基準自黏著力評價判定再加工性。 A:3.5 N/25 mm以下,再加工成功90%。 B:超過3.5 N/25 mm且為4 N/25 mm以下,再加工成功80%以上。 C:超過4 N/25 mm且為5 N/25 mm以下,再加工成功70%以上。 D:超過5 N/25 mm且為6 N/25 mm以下,再加工成功60%以上。 E:超過6 N/25 mm,再加工失敗多於40%。
<黏著劑層之抓固力之測定方法> 利用2 kg輥往返1次將25 mm寬度之附黏著劑層之偏光膜壓接於對銦錫氧化物進行蒸鍍處理後之聚對苯二甲酸乙二酯膜[尾池工業(股)製造、商品名「125 Tetlight OES」(厚度125 μm)]之處理面,於23℃下熟化1分鐘,之後對將該聚對苯二甲酸乙二酯膜連同黏著劑層向180度方向以300 mm/分鐘剝離時之接著強度進行測定。而且,抓固力係按下述基準判定。 A:15 N/25 mm以上 B:10 N/25 mm以上且未達15 N/25 mm C:7.5 N/25 mm以上且未達10 N/25 mm D:未達7.5 N/25 mm E:低於2 kg輥壓接後之黏著力
[表4]
黏著劑 | 糊厚 | 偏光膜 | Si低聚物 | 玻璃轉移溫度Tg | 熔融溫度Tm | 重量平均分子置 | Si官能基量 g/mol | 調配量 | 無鹼玻璃黏著力 | 隔片剝離力 | 抓固力 | 再加工性 | 耐久性 | 抓固力 | |||
2 kg輥 | 60℃×2 h | 60℃×24 h | 隔片剝離力 | 無鹼 | 無鹼 | ||||||||||||
實施例1 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 4.1 | 5.7 | 6.4 | 0.07 | 16 | C | B | A |
實施例2 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 3.7 | 5.9 | 6.1 | 0.05 | 13 | B | B | B |
契施例3 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 2.0 phr | 3.1 | 5.3 | 5.5 | 0.05 | 11 | A | C | B |
實施例4 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物B | 60 | 64 | 18000 | 2990 | 0.25 phr | 4.8 | 6.7 | 7.1 | 0.12 | 24 | C | A | A |
實施例5 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物B | 60 | 64 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 4.3 | 6.4 | 6.8 | 0.09 | 16 | C | B | A |
實施例6 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物B | 60 | 64 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 3.6 | 6.0 | 6.6 | 0.06 | 13 | B | B | B |
實施例7 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物B | 60 | 64 | 19000 | 2990 | 2.0 phr | 3.0 | 5.9 | 6.2 | 0.05 | 9 | A | B | C |
實施例8 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物C | 73 | 77 | 18000 | 2990 | 0.25 phr | 5.0 | 6.8 | 7.2 | 0.13 | 22 | D | A | A |
實施例9 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物C | 73 | 77 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 4.5 | 7.0 | 7.5 | 0.11 | 15 | C | A | A |
實施例10 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物C | 73 | 77 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 4.1 | 6.6 | 7.3 | 0.07 | 10 | C | A | B |
實施例11 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物C | 73 | 77 | 18000 | 2990 | 2.0 phr | 2.4 | 6.0 | 6.9 | 0.06 | 4 | A | C | D |
實施例12 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物D | 14 | 21 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 4.1 | 5.0 | 6. 0 | 0.05 | 11 | C | C | A |
實施例13 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物D | 14 | 21 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 3.4 | 4.6 | 4.8 | 0.04 | 9 | A | D | C |
實施例14 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物El | 81 | 79 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 3.7 | 6.1 | 8.0 | 0.08 | 8 | B | A | C |
實施例15 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物El | 81 | 79 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 3.4 | 6.0 | 8.0 | 0.06 | 5 | A | A | D |
實施例16 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物E | 89 | 93 | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 4.1 | 6.0 | 7.2 | 0.08 | 9 | C | A | C |
實施例17 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物E | 89 | 93 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 2.9 | 5.1 | 5.7 | 0.06 | 4 | A | D | D |
實施例18 | 聚合物A | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 4.8 | 8.7 | 12.1 | 0.07 | 5 | C | A | D |
實施例19 | 聚合物B | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 2.2 | 10.1 | 9.6 | 0.17 | 4 | A | C | D |
實施例20 | 聚合物C | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物A | 47 | 53 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 1.8 | 3.8 | 5.8 | 0.07 | 11 | A | D | B |
比較例1 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | 無 | - | - | - | - | - | 7.2 | 8.3 | 8.3 | 0.12 | 23 | E | A | A |
比較例2 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | KF-353 | - | - | 18000 | 2990 | 0.5 phr | 0.4 | 2.3 | 4.0 | 0.12 | 3 | A | E | D |
比較例3 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | KF-353 | - | - | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 0.2 | 1.5 | 2.4 | 0.07 | 2 | A | E | D |
比較例4 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | KF-353 | - | - | 18000 | 2990 | 2.0 phr | 0.1 | 0.5 | 1.0 | 0.05 | 1 | A | E | D |
比較例5 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜B | Si低聚物G | -57 | -23 | 18000 | 2990 | 1.0 phr | 3.2 | 5.6 | 5.3 | 0.04 | 13 | A | E | B |
比較例6 | 聚合物D | 20 μm | 偏光膜A | Si低聚物A | 47 | 53 | 19000 | 2990 | 0.5 phr | 4.1 | 5.7 | 6.4 | 0.07 | 16 | B | E | A |
如上所述,根據本發明,能夠提供一種兼備高耐久性與再加工性,且偏光膜與黏著劑之密接性(抓固力)優異之附黏著劑層之偏光膜。
11:偏光元件12:保護膜13:偏光膜14:黏著劑層15:隔片100:附黏著劑層之偏光膜
圖1係本發明之附黏著劑層之薄型偏光膜之概略剖視圖的一例。
11:偏光元件
12:保護膜
13:偏光膜
14:黏著劑層
15:隔片
100:附黏著劑層之偏光膜
Claims (8)
- 一種附黏著劑層之偏光膜,其具備:偏光膜,其具備偏光元件、及設置於上述偏光元件之視認側之保護膜;以及黏著劑層,其設置於上述偏光元件之與視認側相反側;且上述黏著劑層包含基礎聚合物及聚矽氧低聚物Ps,上述基礎聚合物包含含氮單體作為單體單元,上述聚矽氧低聚物Ps相對於上述基礎聚合物100重量份包含0.5~1重量份,上述聚矽氧低聚物Ps之Tg為47℃以上73℃以下,側鏈之聚矽氧官能基當量為1000~20000g/mol,重量平均分子量為10000以上300000以下。
- 如請求項1之附黏著劑層之偏光膜,其中上述聚矽氧低聚物Ps包含具有聚有機矽氧烷骨架之單體S1、及均聚物之玻璃轉移溫度為-70℃以上180℃以下之單體作為單體單元。
- 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物含有均聚物之玻璃轉移溫度為-80℃以上0℃以下之(甲基)丙烯酸烷基酯(A)80重量%以上作為單體單元。
- 如請求項3之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物進而含有選 自由含羧基單體(b1)及含氮單體(b2)所組成之群中之至少1種極性單體(B)5重量%以下作為單體單元。
- 如請求項4之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物進而含有均聚物之玻璃轉移溫度為0℃以上180℃以下之甲基丙烯酸烷基酯0.1~18重量%、含羥基單體0~5重量%作為單體單元。
- 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光膜,其中上述基礎聚合物之重量平均分子量為50萬~250萬。
- 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光膜,其中上述偏光元件之厚度超過0μm且為12μm以下。
- 如請求項1或2之附黏著劑層之偏光膜,其中上述聚矽氧低聚物Ps之熔融溫度為-20℃~120℃。
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