TWI825290B - 基板之蝕刻裝置及蝕刻方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 在基板面內均勻地進行使用了處理氣體之基板的蝕刻處理。 [解決手段] 一種對基板進行蝕刻處理之蝕刻裝置，其特徵係，具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體；及排氣部，對前述處理容器內進行排氣。前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域。前述供氣部，係可對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體。

Description

基板之蝕刻裝置及蝕刻方法
本揭示，係關於基板之蝕刻裝置及蝕刻方法。
在專利文獻1，係揭示有同時處理複數片例如2片晶圓的處理裝置。在該處理裝置中，係為了抑制處理氣體之流動在2片晶圓表面中成為不均勻，從而設置將處理容器內上下分隔成處理空間與排氣空間的擋板。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2012-146854號公報
[本發明所欲解決之課題]
本揭示之技術，係在基板面內均勻地進行使用了處理氣體之基板的蝕刻處理。 [用以解決課題之手段]
本揭示之一態樣，係一種對基板進行蝕刻處理的蝕刻裝置，該蝕刻裝置，其特徵係，具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體；及排氣部，對前述處理容器內進行排氣，前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域，前述供氣部，係可對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體。 [發明之效果]
根據本揭示，可在基板面內均勻地進行使用了處理氣體之基板的蝕刻處理。
在半導體元件中，含有矽之膜，係廣泛被應用於各種用途。例如矽鍺(SiGe)膜或矽(Si)膜，係被使用於閘極電極或晶種層等。而且，在半導體元件之製造工程中，係進行如下述者：在將該些SiGe膜或Si膜形成於基板上後，蝕刻成預定圖案。
以往，藉由各種方法來進行SiGe膜或Si膜等的含矽膜之蝕刻。特別是，近年來，伴隨著半導體元件之微細化，使用被稱為化學氧化物去除(Chemical Oxide Removal：COR)處理之可進行更微細化蝕刻的手法，以代替電漿蝕刻或濕蝕刻這樣以往的蝕刻技術。
COR處理，係指在被保持為真空之處理容器內，例如對作為被處理體的半導體晶圓(以下，稱為「晶圓」)供給處理氣體，並使該處理氣體與例如被形成於晶圓上之膜反應而生成生成物的處理。藉由COR處理而生成於晶圓表面之生成物，係藉由在下個工程進行加熱處理而昇華，藉此，去除晶圓表面的膜。
像這樣的COR處理，雖係以逐片處理晶圓之單片式的處理裝置來進行，但為了達到生產率之提升，有時使用同時處理複數片晶圓的處理裝置，例如如上述之專利文獻1所揭示的處理裝置般。
然而，近年來，蝕刻處理之均勻性的要求變得嚴格，在專利文獻1所揭示的處理裝置中，係難以確保均勻性。亦即，在「設置將處理容器內僅上下分隔成處理空間與排氣空間的擋板，並從該擋板之下方對處理空間內之氛圍進行排氣」的構成中，係難以適切地控制處理氣體之流動，亦即均勻性及流速。因此，在以往之蝕刻處理中，係有改善的餘地。
本揭示之技術，係均勻地進行含矽膜的蝕刻處理。以下，參閱圖面，說明關於本實施形態之蝕刻裝置及蝕刻處理方法。另外，在本說明書及圖面中，對於具有實質上相同之機能構成的要素，係賦予相同符號而省略重複說明。
＜蝕刻裝置＞ 首先，說明關於本實施形態之蝕刻裝置的構成。圖1，係表示本實施形態之蝕刻裝置1之構成之概略的縱剖面圖。另外，在本實施形態中，係說明關於蝕刻裝置1為例如對作為基板的晶圓W進行COR處理之COR處理裝置的情形。又，在蝕刻裝置1中，係對被形成於晶圓W上之作為含矽膜的矽鍺(SiGe)膜進行蝕刻。
如圖1所示般，蝕刻裝置1，係具有：處理容器10，被構成為氣密；複數個(本實施形態，係2台)載置台11、11，在處理容器10內載置晶圓W；供氣部12，從各載置台11的上方朝向載置台11供給處理氣體；分隔壁13，被構成為包圍載置台11、11的外方，並升降自如；升降機構14，被固定於處理容器10之底面，使分隔壁13升降；內壁15，個別地包圍各載置台11的外方；及排氣部16，對處理容器10內進行排氣。
處理容器10，係例如由鋁、不鏽鋼等的金屬所形成之作為全體之例如大致長方體狀的容器。處理容器10，係在俯視時之形狀例如為大致矩形，具有：筒狀之側壁20，上面及下面呈開口；頂板21，氣密地覆蓋側壁20的上面；及底板22，覆蓋側壁20的下面。又，在側壁20的上端面與頂板21之間，係設置有將處理容器10內保持為氣密的密封構件(未圖示)。又，在處理容器10，係設置有加熱器(未圖示)。另外，在底板22，係亦可設置斷熱材料。
載置台11，係被形成為大致圓筒形狀，具有：上部台30，具備有載置晶圓W的載置面；及下部台31，被固定於底板22，支撐上部台30。在上部台30，係分別內建有調整晶圓W之溫度的溫度調整機構32。溫度調整機構32，係例如藉由使水等的冷媒循環來調整載置台11之溫度，並將載置台11上之晶圓W的溫度控制在例如-20℃~140℃的預定溫度。
在底板22之載置台11之下方的位置，係設置有支撐銷單元(未圖示)，且被構成為可在藉由該支撐銷單元所上下驅動的支撐銷(未圖示)與被設置於蝕刻裝置1之外部的搬送機構(未圖示)之間收授晶圓W。
供氣部12，係具有：噴頭40，將處理氣體供給至被載置於載置台11的晶圓W；及氣體盒41，將處理氣體供給至噴頭40。另外，關於該供氣部12之詳細構成，係如後述。
分隔壁13，係具有：2個圓筒部50、50，分別個別地包圍2個載置台11、11；上凸緣部51，被設置於圓筒部50、50的上端；及下凸緣部52、52，被設置於圓筒部50、50的下端。圓筒部50之內徑，係被設定為大於載置台11的外側面，在圓筒部50與載置台11之間形成有間隙。
另外，在分隔壁13，係設置有加熱器(未圖示)，例如被加熱至100℃~150℃。藉由該加熱，處理氣體中所含有之異物不會附著於分隔壁13。
在上凸緣部51之上面，係與各載置台11對應地設置有例如O形環等的密封構件53，當藉由升降機構14使分隔壁13上升而讓該上凸緣部51與噴頭40抵接時，將與噴頭40之間氣密地堵塞。又，在後述之內壁15的突出部71，亦與各載置台11對應地設置有例如O形環等的密封構件54，當該突出部71與下凸緣部52抵接時，將與下凸緣部52之間氣密地堵塞。而且，使分隔壁13上升且使噴頭40與密封構件53抵接，並進一步使下凸緣部52與密封構件54抵接，藉此，形成被載置台11、分隔壁13及噴頭40包圍的處理空間S。
如圖2所示般，分隔壁13之高度，係被設定為在藉由升降機構14使分隔壁13下降時，上凸緣部51之上面例如位於比載置台11的上面更下方。藉此，以使分隔壁13下降的方式，可從處理容器10之外部對晶圓W進行存取。另外，有時將分隔壁13之上凸緣部51與噴頭40抵接(形成處理空間S)的位置稱為「晶圓處理位置」，將使分隔壁13下降至抵接於底板22附近或底板22的位置稱為「退避位置」。另外，在圖1中，係描繪分隔壁13位於晶圓處理位置的狀態，在圖2中，係描繪分隔壁13位於退避位置的狀態。
如圖1所示般，使分隔壁13升降之升降機構14，係具有：致動器60，被配置於處理容器10的外部；驅動軸61，被連接於致動器60，貫通處理容器10的底板22，並在處理容器10內往垂直上方延伸；及複數個導引軸62，前端被連接於分隔壁13，另一端之端部延伸至處理容器10的外部。導引軸62，係在藉由驅動軸61使分隔壁13升降時，防止分隔壁13傾斜者。
在驅動軸61，係氣密地連接有可伸縮之波紋管63的下端部。波紋管63之上端部，係與底板22的下面氣密地連接。因此，在驅動軸61升降時，以波紋管63沿著垂直方向伸縮的方式，處理容器10內被維持為氣密。另外，在驅動軸61與波紋管63之間，係設置有具有升降動作時之導件而發揮功能之例如被固定於底板22的套筒(未圖示)。
在導引軸62，係與驅動軸61相同地，連接有可伸縮的波紋管64。又，波紋管64之上端部，係跨越底板22與側壁20，與雙方氣密地連接。因此，在伴隨著驅動軸61所進行之分隔壁13的升降動作而使導引軸62升降時，以波紋管64沿著垂直方向伸縮的方式，處理容器10內被維持為氣密。另外，在導引軸62與波紋管64之間，亦與驅動軸61的情形相同地，設置有作為升降動作時之導件而發揮功能的套筒(未圖示)。
又，由於波紋管64之上端部，係固定側的端部，與導引軸62連接之波紋管64的下端部，係成為自由側的端部，因此，當處理容器10內成為負壓時，則作用有藉由波紋管64之內外的壓力差來將波紋管64往垂直方向壓縮的力。因此，連接於波紋管64之自由側之端部的導引軸62，係藉由波紋管64收縮而往垂直上方上升。藉此，以使分隔壁13均等地上升，且使密封構件53與噴頭40適切地接觸的方式，可確保分隔壁13與噴頭40之間的密封性。相同地，以使密封構件54與突出部71適切地接觸的方式，可確保分隔壁13與突出部71之間的密封性。另外，在導引軸62，雖係作用有來自作為彈性構件之波紋管64的反力或藉由導引軸62其自體重量等來將該導引軸62往下方下壓的力，但藉由適且地設定波紋管64之直徑的方式，調整作用於導引軸62的差壓。
內壁15，係例如由鋁等的金屬所形成。又，內壁15，係具有：大致圓筒形狀的本體部70；及突出部71，被設置於本體部70之上端部，且朝向該內壁15的外周方向水平地突出。內壁15，係被配置為分別個別地包圍載置台11的下部台31。內壁15之本體部70的內徑，係被設定為大於下部台31的外徑，在內壁15與下部台31之間分別形成有排氣空間V。另外，在本實施形態中，排氣空間V，係亦包含分隔壁13與上部台30之間的空間。而且，如圖1所示般，內壁15之高度，係被設定為在藉由升降機構14使分隔壁13上升至晶圓處理位置時，密封構件54與內壁15的突出部71抵接。藉此，內壁15與分隔壁13氣密地接觸。
在內壁15之下端，係形成有複數個縫隙72。縫隙72，係排出處理氣體之排氣口。在本實施形態中，縫隙72，係沿著內壁15的圓周方向，大致等間隔地形成。
另外，內壁15，係被固定於底板22。而且，如上述般，處理容器10，係被構成為藉由加熱器(未圖示)來加熱，藉由該處理容器10的加熱器亦加熱內壁15。內壁15，係例如被加熱至100℃~150℃，處理氣體中所含有之異物不會附著於內壁15。
排氣部16，係具有：排氣機構80，對處理容器10內進行排氣。排氣機構80，係被連接於排氣管81，該排氣管81，係在處理容器10之底板22，被設置於內壁15的外方。該些排氣機構80及排氣管81，係共通地被設置於2個內壁15、15。亦即，來自2個排氣空間V、V之處理氣體，係經由共通的排氣管81，藉由排氣機構80予以排出。在排氣管81，係設置有調節排氣機構80之排氣量的調節閥82。又，在頂板21，係設置有壓力測定機構(未圖示)，該壓力測定機構，係用以計測載置台11、11之各自處理空間S的壓力。調節閥82之開合度，係例如基於該壓力測定機構的測定值予以控制。
在蝕刻裝置1，係設置有作為控制部的控制裝置90。控制裝置90，係例如為電腦，具有程式儲存部(未圖示)。在程式儲存部，係儲存有控制蝕刻裝置1中之晶圓W之處理的程式。又，在程式儲存部，係亦儲存有「用以控制上述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系統之動作而實現蝕刻裝置1中之後述之蝕刻處理」的程式。另外，上述程式，係亦可為被記錄於電腦可讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置90者。
＜供氣部＞ 其次，說明關於上述供氣部12的構成。圖3，係表示本實施形態之供氣部12之構成之概略的說明圖。如圖3所示般，供氣部12，係具有噴頭40與氣體盒41。噴頭40，係以與各載置台11對向的方式，個別地設置於處理容器10之頂板21的下面。在本實施形態中，係一體地構成2個噴頭40。另外，在圖3中，係圖示僅2個噴頭40中之1個噴頭40。
(噴頭) 如圖4所示般，噴頭40，係具有「構成頂板100之上側頂板101與下側頂板102、擴散板110及噴淋板120(所謂的噴淋板)從上方依該順序層積而成」的構成。如圖3所示般，在被頂板100與噴淋板120所包圍的空間，係形成有擴散空間D。擴散板110，係被設置於該擴散空間D。另外，上側頂板101、下側頂板102、擴散板110及噴淋板120，係分別由鋁所形成。
如圖3及圖4所示般，噴頭40，係被區隔成中央區域R1與外周區域R2，該中央區域R1，係與載置台11之中央部對向，該外周區域R2，係被設置為具備有與中央區域R1相同中心軸，並包圍該中央區域R1。噴頭40，係被構成為可對每個中央區域R1與外周區域R2供給處理氣體。
如此一來，對應於噴頭40被區隔成中央區域R1與外周區域R2，擴散空間D、擴散板110及噴淋板120亦被區隔。亦即，擴散空間D，係被區隔成對應於中央區域R1的中央擴散空間D1與對應於外周區域R2的外周擴散空間D2。擴散板110，係具有：中央擴散板111，被設置於中央擴散空間D1；及外周擴散板112，被設置於外周擴散空間D2。噴淋板120，係具有：中央噴淋板121，與中央擴散空間D1(中央區域R1)對應而設置；及外周噴淋板122，與外周擴散空間D2(外周區域R2)對應而設置。換言之，中央擴散空間D1、中央擴散板111及中央噴淋板121構成中央區域R1。又，外周擴散空間D2、外周擴散板112及外周噴淋板122構成外周區域R2。
(頂板) 在頂板100中，上側頂板101與下側頂板102，係分別共通地被設置於2個噴頭40、40。在上側頂板101之外周部，係設置有朝向下方突出的突出部103。下側頂板102，係被收容於突出部103的內側。
在頂板100，係形成有：中央氣體供給路徑104，將處理氣體供給至中央擴散空間D1；及外周氣體供給路徑105，將前述處理氣體供給至外周擴散空間D2。該些中央氣體供給路徑104與外周氣體供給路徑105，係分別對應於每個載置台11而形成。
中央氣體供給路徑104，係貫通上側頂板101與下側頂板102。在上側頂板101之上面，係中央氣體供給路徑104的中央氣體流入孔104a被形成於例如1處。在下側頂板102之下面，係中央氣體供給路徑104的中央氣體流出孔104b在同心圓上沿圓周方向以大致等間隔被形成於例如8處。中央氣體供給路徑104，係在上側頂板101中，1個中央氣體流入孔104a分歧成8處(未圖示)，並到達中央氣體流出孔104b。
外周氣體供給路徑105，係貫通上側頂板101與下側頂板102。在上側頂板101之上面，係外周氣體供給路徑105的外周氣體流入孔105a被形成於例如1處。在下側頂板102之下面，係外周氣體供給路徑105的外周氣體流出孔105b在同心圓上沿圓周方向以大致等間隔被形成於例如8處。外周氣體供給路徑105，係在上側頂板101中，1個外周氣體流入孔105a分歧成8處(未圖示)，並到達外周氣體流出孔105b。
另外，在圖4中，雖係圖示從上面觀看噴頭40的立體圖，但為了輕易理解技術，而表記被形成於下側頂板102之下面的中央氣體流出孔104b與外周氣體流出孔105b。
另外，在頂板21，係設置有加熱器(未圖示)，例如被加熱至100℃~150℃。藉由該加熱，處理氣體中所含有之異物不會附著於噴頭40。
(擴散板) 擴散板110，係個別地被設置於各噴頭40。又，擴散板110，係一體構成中央擴散板111與外周擴散板112。在擴散板110中，中央擴散板111與外周擴散板112之邊界，係設置有朝向上方突出之環狀的突出部113。藉由使該突出部113與下側頂板102之下面抵接的方式，擴散空間D被區隔成中央擴散空間D1與外周擴散空間D2。其結果，可防止從中央氣體供給路徑104被供給至中央擴散空間D1之處理氣體與從外周氣體供給路徑105被供給至外周擴散空間D2之處理氣體混合的情形。
在擴散板110之下面，係形成有複數個氣體擴散孔110a。複數個氣體擴散孔110a，係被形成於每個中央擴散板111與外周擴散板112。而且，從中央氣體供給路徑104所供給之處理氣體，係通過複數個氣體擴散孔110a，藉此，在中央擴散空間D1中促進處理氣體之擴散。相同地，從外周氣體供給路徑105所供給之處理氣體亦通過複數個氣體擴散孔110a，藉此，在外周擴散空間D2中促進處理氣體之擴散。其結果，可將處理氣體從噴淋板120均勻地供給至被載置於載置台11之晶圓W的表面整體。
另外，在本實施形態中，中央擴散板111與外周擴散板112，係氣體擴散孔110a之內徑皆為0.5mm ~2mm。中央擴散板111與外周擴散板112，係開口率皆為30%~50%。中央擴散板111之孔數，係外周擴散板112的孔數以下。
(噴淋板) 在噴淋板120中，1對中央噴淋板121與外周噴淋板122，係個別地被設置於各噴頭40。在中央噴淋板121與外周噴淋板122之邊界，係設置有朝向上方突出之環狀的突出部123。藉由使該突出部123與擴散板110之下面抵接的方式，擴散空間D被區隔成中央擴散空間D1與外周擴散空間D2。其結果，可防止從中央擴散板111被供給至中央擴散空間D1之處理氣體與從外周擴散板112被供給至外周擴散空間D2之處理氣體混合的情形。
又，在噴淋板120中，對應於2個噴頭40、40的2對中央噴淋板121與外周噴淋板122，係一體構成。在噴淋板120之外周部，係設置有朝向上方突出的突出部124。藉由使該噴淋板120之突出部124與上述頂板100之突出部103抵接的方式，在內部形成有擴散空間D。
在噴淋板120之下面，係形成有複數個氣體供給孔120a。複數個氣體供給孔120a，係被形成於每個中央噴淋板121與外周噴淋板122。而且，中央擴散空間D1之處理氣體，係通過複數個氣體供給孔120a，藉此，均勻地被供給至處理容器10內。相同地，外周擴散空間D2之處理氣體亦通過複數個氣體供給孔120a，藉此，均勻地被供給至處理容器10內。其結果，可將處理氣體從噴淋板120均勻地供給至被載置於載置台11之晶圓W的表面整體。
另外，在本實施形態中，係晶圓W的外徑為300mm，相對於此，例如中央噴淋板121的外徑為224mm，外周噴淋板122的外徑為297mm。
(壓力測定路徑) 在噴頭40之中心，係形成有用以測定處理容器10內之壓力的壓力測定路徑130。壓力測定路徑130，係指貫通上側頂板101及下側頂板102之中心、中央擴散板111之中心及中央擴散空間D1之中心的例如管路。壓力測定路徑130，係與複數個例如4個壓力測定孔130a連通，該壓力測定孔130a，係在中央噴淋板121中分歧成4個管路，如圖5所示般，被形成於中央噴淋板121的下面。
在此，在蝕刻處理時，當將處理氣體供給至處理容器10內時，相對於處理容器10呈開口之壓力測定孔130a，係可能成為擾亂處理氣體之流動的要因。亦即，例如因處理氣體流入壓力測定孔130a，從而擾亂朝向被載置於載置台11之晶圓W的處理氣體之流動。抑或，例如即便空氣從壓力測定孔130a流入處理容器10內，亦會擾亂處理氣體之流動。
關於該點，如本實施形態般，在中央部形成壓力測定孔130a，藉此，可使處理氣體之擾動僅集中於中央部，並可控制處理氣體之擾動。而且，由於形成有4個壓力測定孔130a，因此，可使各壓力測定孔130a對於處理氣體的影響分散，並可進一步抑制處理氣體之擾動。
(氣體盒) 氣體盒41，係具有：F2 氣體流量調節器140，供給F2 氣體；ClF3 氣體流量調節器141，供給ClF3 氣體；HF氣體流量調節器142，供給HF氣體；及Ar氣體流量調節器143，供給Ar氣體。該些氣體流量調節器140~143，係被設置於每個中央氣體供給路徑104與外周氣體供給路徑105。又，氣體流量調節器140~143，係例如由質流控制器所構成。另外，氣體流量調節器140~143，係不限定於質流控制器，可使用調節氣體流的任意調節器。
在F2 氣體流量調節器140，係連接有F2 氣體供給配管144，在ClF3 氣體流量調節器141，係連接有ClF3 氣體供給配管145，在HF氣體流量調節器142，係連接有HF氣體供給配管146，在Ar氣體流量調節器143，係連接有Ar氣體供給配管147。該些氣體供給配管144~147，係被連接於集合配管148。2根集合配管148，係分別被連接於中央氣體供給路徑104與外周氣體供給路徑105。而且，F2 氣體、ClF3 氣體、HF氣體、Ar氣體，係經由氣體供給配管144~147及集合配管148，從噴頭40被供給至處理容器10。
在F2 氣體供給配管144、ClF3 氣體供給配管145、HF氣體供給配管146、Ar氣體供給配管147及集合配管148，係分別設置有進行該氣體供給配管144~147、集合配管148之開關動作的開關閥149。
又，氣體盒41，係具有：NH3 氣體流量調節器150，供給NH3 氣體；及N2 氣體流量調節器151，供給N2 氣體。該些氣體流量調節器150~151，係被設置於每個中央氣體供給路徑104與外周氣體供給路徑105。又，氣體流量調節器150~151，係分別例如由質流控制器所構成。另外，氣體流量調節器150~151，係不限定於質流控制器，可使用調節氣體流的任意調節器。
又，在NH3 氣體流量調節器150，係連接有NH3 氣體供給配管152，在N2 氣體流量調節器151，係連接有N2 氣體供給配管153。該些氣體供給配管152~153，係被連接於集合配管154。2根集合配管154，係分別被連接於中央氣體供給路徑104與外周氣體供給路徑105。而且，NH3 氣體、N2 氣體，係經由氣體供給配管152~153及集合配管154，從噴頭40被供給至處理容器10。
在NH3 氣體供給配管152、N2 氣體供給配管153及集合配管154，係分別設置有進行該氣體供給配管152~153、集合配管154之開關動作的開關閥155。
從該些供氣部12所供給的處理氣體中之F2 氣體(或ClF3 氣體)，係被使用於蝕刻SiGe膜的蝕刻氣體，F2 氣體(或ClF3 氣體)與NH3 氣體，係被使用於蝕刻Si膜的蝕刻氣體。又，HF氣體、NH3 氣體，係分別被使用於自然氧化膜去除或蝕刻處理後之膜的終端處理。Ar氣體、N2 氣體，係分別被使用來作為稀釋氣體或沖洗氣體。
＜蝕刻處理＞ 其次，說明關於如以上般所構成之蝕刻裝置1的蝕刻處理。如上述般，在本實施形態之蝕刻裝置1中，係對被形成於晶圓W上之作為含矽膜的矽鍺(SiGe)膜進行蝕刻。
在晶圓處理時，係如圖2所示般，首先，在分隔壁13降下至退避位置的狀態下，藉由被設置於蝕刻裝置1之外部的搬送機構(未圖示)，將晶圓W搬送至處理容器10內並載置於各載置台11上。
其後，如圖1所示般，使分隔壁13上升至晶圓處理位置。藉此，藉由分隔壁13形成有處理空間S。
而且，於預定時間，藉由排氣機構80對處理容器10之內部排氣至預定壓力，並且從氣體盒41將處理氣體供給至處理容器10內，並對晶圓W進行蝕刻處理。
在蝕刻處理中，係如圖6所示般，從氣體盒41所供給之F2 氣體與Ar氣體的混合氣體即處理氣體經由噴頭40被供給至處理空間S並供給至晶圓W。此時，從噴頭40對每個中央噴淋板121(中央區域R1)與外周噴淋板122(外周區域R2)供給流量經調整的處理氣體。因此，從噴頭40所供給之處理氣體，係被均勻地被供給至晶圓面內。而，藉由該處理氣體，蝕刻晶圓W上的SiGe膜。另外，關於該處理氣體之流量調整的方法，係如後述。
如圖6所示般，處理空間S內之處理氣體，係從被載置於載置台11之晶圓W的外周通過排氣空間V、內壁15的縫隙72經由排氣管81，藉由排氣機構80予以排出。另外，在圖6中，粗線的箭頭表示處理氣體之流動。
當蝕刻處理結束時，則分隔壁13降下至退避位置，藉由晶圓搬送機構(未圖示)，各載置台11上之晶圓W被搬出至蝕刻裝置1的外部。其後，晶圓W藉由被設置於蝕刻裝置1外部之加熱裝置予以加熱，由蝕刻處理產生的反應生成物被氣化而去除。藉此，一連串的晶圓處理便結束。
根據以上之實施形態，噴頭40被區隔成中央區域R1與外周區域R2，對每個中央噴淋板121與外周噴淋板122供給流量經調整的處理氣體。因此，來自噴頭40之處理氣體，係面內均勻地被供給至載置台11所載置的晶圓W。其結果，可使晶圓W上之蝕刻量(Etch Amount)均勻，並可進行面內均勻的蝕刻處理。
又，噴頭40之內部的擴散空間D亦被區隔成中央擴散空間D1與外周擴散空間D2，藉由中央擴散板111與外周擴散板112，可使處理氣體分別擴散至每個中央擴散空間D1與外周擴散空間D2。因此，可分別在中央噴淋板121與外周噴淋板122均勻地供給處理氣體。
在此，如圖7所示般，分隔壁13之圓筒部50的內側面與載置台11之上部台30的外側面之距離L1，係約6.5mm。又，圓筒部50的內側面與晶圓W的外緣部之距離L2，係約10mm。如此一來，分隔壁13與上部台30之間的排氣空間V非常小。在該情況下，由於從處理空間S流至排氣空間V之處理氣體，係在分隔壁13與上部台30之間，其流速變快，因此，處理氣體無法充分地留在晶圓W的外周部，且蝕刻量(蝕刻率)容易變小。
關於該點，在本實施形態中，係在噴頭40，針對每個中央區域R1與外周區域R2調整處理氣體之流量，藉此，可將處理氣體面內均勻地供給至晶圓W。其結果，使晶圓W之外周部的蝕刻量提升，並可使蝕刻量在晶圓面內均勻。特別是，如上述般，由於在晶圓W之外周部，係蝕刻量容易變小，因此，與晶圓W之外周部相比，在中心部增加處理氣體的供給量為較佳。
＜蝕刻控制＞ 其次，說明關於如下述方法：在以蝕刻裝置1蝕刻SiGe膜之際，對分別從噴頭40之中央區域R1與外周區域R2所供給之處理氣體的流量進行調整(控制)。
本發明者們進行深入研究之結果，發現到關於處理氣體之流速與蝕刻量(蝕刻率)具有以下的相關性。亦即，當處理氣體之流速較快時，由於處理氣體對晶圓W之滯留時間變短，因此，蝕刻量變小。另一方面，當處理氣體之流速較慢時，由於處理氣體對晶圓W之滯留時間變長，因此，蝕刻量變大。在本實施形態中，係基於該見解，進行處理氣體之流量調整。
圖8~圖10，係分別表示進行處理氣體之流量調整，並使用該處理氣體蝕刻了SiGe膜的結果，具體而言，係表示蝕刻量之晶圓面內的分布。在圖8~圖10之曲線圖中，橫軸，係表示自晶圓之中心起的水平方向距離(中心為0)，縱軸，係表示蝕刻量(EA)。
處理氣體，係使用F2 氣體作為蝕刻氣體，並使用Ar氣體作為稀釋氣體。在圖8~圖10之表格中，係表示每個中央區域R1與外周區域R2之F2 氣體的流量與Ar氣體的流量。又，在圖8~圖10之表格中，“±%”與“3σ%”，係皆表示晶圓面內均勻性。“±%”，係藉由(Max EA-Min EA)/2/(Ave.EA)來算出，“3σ%”，係藉由(3σ EA)/(Ave. EA)來算出。
首先，如圖8之“◇”所示般，將F2 氣體的流量分別在中央區域R1與外周區域R2設成為40sccm，並將Ar氣體的流量分別在中央區域R1與外周區域R2設成為200sccm。亦即，F2 氣體與Ar氣體的流量，係分別在中央區域R1與外周區域R2為相同，本例，係表示如以往般，不將噴頭區隔成2個區域而為1個區域的例子。在該情況下，晶圓W之中央部的蝕刻量變小，又，外周部的蝕刻量亦變小。
因此，首先，為了增大晶圓W之中央部的蝕刻量，從而使中央部之氣體的流速變慢。具體而言，係如圖8之“□”與“△”所示般，將中央區域R1之Ar氣體的流量分別從200sccm減少至100sccm、75sccm。如此一來，晶圓W之中央部的蝕刻量變大且面內均勻性提升。
其次，為了增大晶圓W之外周部的蝕刻量，從而使外周部之氣體的流速變慢。具體而言，係如圖9之“△”所示般，將外周區域R2之Ar氣體的流量從200sccm減少至100sccm。如此一來，晶圓W之外周部的蝕刻量變大且面內均勻性提升。另外，圖9之“◇”與“□”，係分別與圖8的“◇”及“□”相同。
如此一來，使Ar氣體之流量在中央區域R1與外周區域R2減少，藉此，可使處理氣體的流速最佳化，並可使蝕刻量之晶圓面內的均勻性提升。
另一方面，圖9之“△”，係在晶圓W的外周部而外周部之蝕刻量稍大。因此，為了對此進行調整，其次，調整F2 氣體的流量。具體而言，係如圖10之“□”與“△”所示般，將外周區域R2之F2 氣體的流量分別從40sccm減少至35sccm、30sccm。如此一來，晶圓W之外周部的蝕刻量變小且面內均勻性更提升。具體而言，圖8之“◇”，係±10.6%、3σ14%，相對於此，圖10之“□”，係可高達 ±1.8%、3σ2.0%。另外，圖10之“◇”，係與圖9的“△”相同。
如以上般，在調整處理氣體的流量之際，係首先，在中央區域R1與外周區域R2，對容易調整處理氣體之流速的Ar氣體之流量進行調整。而且，在使處理氣體之流速最佳化後，進一步在外周區域R2調整F2 氣體的流量。如此一來，分別在中央區域R1與外周區域R2個別地調整Ar氣體之流量與F2 氣體之流量，藉此，可使蝕刻量之晶圓面內的均勻性提升。
另外，在以上之實施形態中，雖係在調整了Ar氣體的流量後才調整F2 氣體的流量，但該些順序亦可相反。亦即，亦可在調整了F2 氣體的流量後，調整Ar氣體的流量。
又，上述之Ar氣體與F2 氣體的具體流量調整為一例，實際上，係因應晶圓W的狀態而變化。但是，觀察晶圓面內之蝕刻量(蝕刻率)的傾向，只要在中央區域R1與外周區域R2個別地調整Ar氣體之流量與F2 氣體之流量，則可確保蝕刻量的面內均勻性。
又，在以上之實施形態中，雖係說明了關於在蝕刻裝置1蝕刻SiGe膜時之處理氣體的流量調整，但本實施形態的蝕刻控制，係亦可應用於蝕刻含矽膜之際。
例如，在蝕刻Si膜的情況下，處理氣體之蝕刻氣體，係使用F2 氣體與NH3 氣體的混合氣體，稀釋氣體，係使用Ar氣體。另外，混合至F2 氣體之氣體，係不限定於NH3 氣體，只要為鹼性氣體即可。
而且，與上述實施形態相同地，在調整了中央區域R1與外周區域R2其Ar氣體之流量後，在中央區域R1與外周區域R2調整包含有F2 氣體與NH3 氣體之蝕刻氣體的流量。如此一來，可使Si膜之蝕刻量的晶圓面內之均勻性提升。
而且，本實施形態的蝕刻控制，係亦可應用於蝕刻鍺膜(Ge膜)之際。在蝕刻Ge膜的情況下，處理氣體之蝕刻氣體，係使用與SiGe膜之蝕刻氣體相同的氣體，例如F2 氣體。而且，與上述實施形態相同地，在調整了中央區域R1與外周區域R2其Ar氣體之流量後，在中央區域R1與外周區域R2調整包含有F2 氣體之蝕刻氣體的流量。如此一來，可使Ge膜之蝕刻量的晶圓面內之均勻性提升。
＜其他實施形態＞ 其次，說明關於其他實施形態之噴頭40的構成。在上述實施形態之噴頭40的頂板100中，中央氣體流入孔104a的徑方向位置與中央氣體流出孔104b的徑方向位置雖一致，但如圖11所示般，中央氣體流出孔104b，係亦可被配置於中央氣體流入孔104a的徑方向位置。
在該情況下，例如如圖11及圖12所示般，在上側頂板101之下面，中央氣體供給路徑104，係具有沿徑方向延伸的中央氣體供給路徑104c。亦即，上側頂板101，係作為位置調整板而發揮功能，該位置調整板，係對中央擴散空間D1調整處理氣體之徑方向的供給位置。另外，在圖12中，雖係圖示從下面觀看上側頂板101的平面圖，但為了輕易理解技術，而表記被形成於下側頂板102之下面的中央氣體流出孔104b與外周氣體流出孔105b。
另外，如圖13所示般，徑方向之中央氣體供給路徑104c，係亦可被形成於下側頂板102的上面。在該情況下，下側頂板102作為位置調整板而發揮功能。
根據本實施形態，將中央氣體流出孔104b配置於中央氣體流入孔104a之徑方向內側，藉此，可調整處理氣體對中央擴散空間D1的供給位置。其結果，在中央擴散空間D1中，可使處理氣體更適切地擴散。
換言之，使上側頂板101或下側頂板102作為位置調整板而發揮功能，藉此，例如即便決定了中央氣體流入孔104a之位置，亦可自如地調整中央氣體流出孔104b的位置。因此，設計之自由度提升，又，通用性變高。
在以上之實施形態中，雖係一體地構成中央擴散板111與外周擴散板112，但如圖14所示般，中央擴散板111與外周擴散板112，係亦可分開構成。
又，在以上之實施形態中，雖係使用了擴散板110作為使處理氣體在擴散空間D擴散的手段，但並不限定於此。例如，如圖15所示般，亦可設置擴散件200以代替擴散板110。擴散件200中之中央擴散件201，係被設置於中央擴散空間D1，並被安裝於中央氣體流出孔104b。外周擴散件202，係被設置於外周擴散空間D2，並被安裝於外周氣體流出孔105b。在中央擴散件201之外側面與外周擴散件202之外側面，係分別沿圓周方向，大致等間隔地形成有複數個氣體擴散孔200a。
即便在本實施形態中，亦可分別在中央擴散空間D1與外周擴散空間D2，使處理氣體從中央擴散件201與外周擴散件202沿水平方向供給處理氣體，並使其擴散。但是，本發明者們進行研討後，確認到擴散板110其處理氣體之擴散效果比擴散件200高。
另外，在以上之實施形態中，雖係設置2台載置台11作為複數個載置台，但載置台的設置數並不限定於本實施形態。又，所謂複數個載置台，係意味著具有複數個載置面，在被構成為複數片晶圓W可載置於例如1台載置台上的情況下，應被視為亦屬於複數個載置台之範圍。
又，在以上之實施形態中，雖係對於複數個載置台11設置了1個分隔壁13，但分隔壁13的構成亦並不限定於本實施形態的內容，只要為可對各載置台11形成獨立的處理空間S者，則其形狀可任意地進行設定。例如亦可分別對於各載置台11個別地設置具有僅1個圓筒部50的分隔壁。
本次所揭示之實施形態，係在所有方面皆為例示，吾人應瞭解該等例示並非用以限制本發明。上述之實施形態，係亦可在不脫離添附之申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種形態進行省略、置換、變更。
另外，如以下般的構成亦屬於本揭示之技術範圍。 (1)一種基板之蝕刻裝置，係對基板進行蝕刻處理之蝕刻裝置，該基板之蝕刻裝置，其特徵係，具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體；及排氣部，對前述處理容器內進行排氣，前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域，前述供氣部，係可對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體。 根據前述(1)，由於供氣部具有中央區域與外周區域，且對每個中央區域與外周區域供給流量經調整的處理氣體，因此，該處理氣體，係面內均勻地被供給至基板。其結果，可使對基板之蝕刻量均勻，並可進行面內均勻的蝕刻處理。
(2)如前述(1)所記載的基板之蝕刻裝置，其中，前述供氣部，係具有：頂板，被設置於前述處理容器之上部；噴淋板，被配置於前述頂板之下方，並形成有將前述處理氣體供給至前述處理容器之內部的複數個氣體供給孔；擴散空間，被前述頂板與前述噴淋板包圍；及擴散板，被設置於前述擴散空間，並形成有使前述處理氣體擴散的複數個氣體擴散孔，前述擴散空間，係具有：中央擴散空間，與前述中央區域對應；及外周擴散空間，與前述外周區域對應，前述噴淋板，係具有：中央噴淋板，與前述中央擴散空間對應而設置；及外周噴淋板，與前述外周擴散空間對應而設置，在每個前述中央噴淋板與前述外周噴淋板形成有複數個前述氣體供給孔，前述擴散板，係具有：中央擴散板，被設置於前述中央擴散空間；及外周擴散板，被設置於前述外周擴散空間，在每個前述中央擴散板與前述外周擴散板形成有複數個前述氣體擴散孔。 根據前述(2)，擴散空間具有中央擴散空間與外周擴散空間，藉由中央擴散板與外周擴散板，可使處理氣體分別擴散至每個中央擴散空間與外周擴散空間。因此，可分別在中央噴淋板與外周噴淋板均勻地供給處理氣體。
(3)如前述(2)所記載的基板之蝕刻裝置，其中，在前述頂板，係形成有：中央氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述中央擴散空間；及外周氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述外周擴散空間，在前述頂板之上面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流入孔，在前述頂板之下面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流出孔，前述中央氣體流出孔，係被配置於前述中央氣體流入孔的徑方向內側。 (4)如前述(3)所記載的基板之蝕刻裝置，其中，前述頂板，係層積上側頂板與下側頂板而構成，前述中央氣體流入孔，係被形成於前述上側頂板之上面，前述中央氣體流出孔，係被形成於前述下側頂板之下面，在前述上側頂板或前述下側頂板，係形成有沿徑方向延伸的前述中央氣體供給路徑。 根據前述(3)與(4)，將中央氣體流出孔配置於中央氣體流入孔之徑方向內側，藉此，可調整處理氣體對中央擴散空間的供給位置。其結果，在中央擴散空間中，可使處理氣體更適切地擴散。 又，使上側頂板或下側頂板作為位置調整板而發揮功能，藉此，例如即便決定了中央氣體流入孔之位置，亦可自如地調整中央氣體流出孔的位置。因此，設計之自由度提升，又，通用性變高。
(5)如前述(2)~(4)任一者所記載的基板之蝕刻裝置，其中，在前述供氣部之中心，係形成有用以測定前述處理容器內之壓力的壓力測定路徑，在前述中央噴淋板之下面的中央部，係形成有複數個與前述壓力測定路徑連通的壓力測定孔。 根據前述(5)，在中央部形成複數個壓力測定孔，藉此，可使處理氣體之擾動僅集中於中央部，並可控制處理氣體之擾動。而且，由於形成有複數個壓力測定孔，因此，可使各壓力測定孔對於處理氣體的影響分散，並可進一步抑制處理氣體之擾動。
(6)如前述(1)~(5)任一者所記載的基板之蝕刻裝置，其中，具有：分隔壁，被設置於前述處理容器內，與前述載置台之外周隔著間隔而包圍該載置台，形成於前述分隔壁的內側且前述載置台之上方的處理空間與設置於前述載置台之下方的前述排氣部，係經由前述分隔壁與前述載置台之間而連通。 根據前述(6)，排氣部，係經由分隔壁與載置台之間，排出處理空間的處理氣體。在此，由於例如分隔壁與載置台之間的距離小，因此，處理氣體的流速在該分隔壁與載置台之間容易變快，且蝕刻量在基板的外周部容易變小。因此，如前述(1)般，藉由對每個中央區域與外周區域調整處理氣體之流量的方式，使蝕刻量之面內均勻性提升的效果，係對像這樣的裝置構成特別有用。
(7)如前述(1)~(6)任一者所記載的基板之蝕刻裝置，其中，具有：控制部，調整從前述供氣部所供給之前述處理氣體的流量，前述處理氣體，係包含有含氟氣體與惰性氣體，前述控制部，係執行：對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述惰性氣體之流量的工程；及對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述含氟氣體之流量的工程。 根據前述(7)，在中央區域與外周區域調整Ar氣體的流量，藉此，可使處理氣體的流速最佳化。而且，在中央區域與外周區域調整F2 氣體的流量，藉此，可使蝕刻量之基板面內的均勻性更提升。
(8)如前述(1)~(7)任一者所記載的基板之蝕刻裝置，其中，蝕刻基板上的矽鍺膜、矽膜或鍺膜。
(9)一種基板之蝕刻方法，係使用蝕刻裝置來對基板上進行蝕刻處理之蝕刻方法，該基板之蝕刻方法，其特徵係，前述蝕刻裝置，係具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；及供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體，前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域，在前述蝕刻方法中，係對於前述載置台所載置的基板，對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體。 (10)如前述(9)所記載的基板之蝕刻方法，其中，前述處理氣體，係包含有含氟氣體與惰性氣體，在調整供給至基板之前述處理氣體的流量時，執行：對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述惰性氣體之流量的工程；及對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述含氟氣體之流量的工程。 (11)如前述(10)所記載的基板之蝕刻方法，其中，前述惰性氣體與前述含氟氣體之流量的調整，係分別因應基板之中央部與外周部的蝕刻率而進行。 (12)如前述(9)~(11)任一者所記載的基板之蝕刻方法，其中，蝕刻基板上的矽鍺膜、矽膜或鍺膜。
1:蝕刻裝置 10:處理容器 11:載置台 12:供氣部 40:噴頭 16:排氣部 R1:中央區域 R2:外周區域 W:晶圓
[圖1] 表示本實施形態之蝕刻裝置的構成(在晶圓處理位置的構成)之概略的縱剖面圖。 [圖2] 表示本實施形態之蝕刻裝置的構成(在退避位置的構成)之概略的縱剖面圖。 [圖3] 表示供氣部之構成之概略的說明圖。 [圖4] 表示噴頭之構成之概略的說明圖。 [圖5] 從下面側觀看噴頭(噴淋板)的平面圖。 [圖6] 表示蝕刻裝置中之處理氣體之流動的說明圖。 [圖7] 表示分隔壁與載置台之關係的說明圖。 [圖8] 表示進行處理氣體之流量調整且蝕刻了SiGe膜之結果的說明圖。 [圖9] 表示進行處理氣體之流量調整且蝕刻了SiGe膜之結果的說明圖。 [圖10] 表示進行處理氣體之流量調整且蝕刻了SiGe膜之結果的說明圖。 [圖11] 表示其他實施形態之噴頭之構成之概略的縱剖面圖。 [圖12] 從下面側觀看其他實施形態之上側頂板的平面圖。 [圖13] 表示其他實施形態之噴頭之構成之概略的縱剖面圖。 [圖14] 表示其他實施形態之噴頭之構成之概略的縱剖面圖。 [圖15] 表示其他實施形態之噴頭之構成之概略的縱剖面圖。
12:供氣部
40:噴頭
41:氣體盒
100:頂板
101:上側頂板
102:下側頂板
103:突出部
104:中央氣體供給路徑
104a:中央氣體流入孔
104b:中央氣體流出孔
105:外周氣體供給路徑
105a:外周氣體流入孔
105b:外周氣體流出孔
110:擴散板
110a:氣體擴散孔
111:中央擴散板
112:外周擴散板
113:突出部
120:噴淋板
120a:氣體供給孔
121:中央噴淋板
122:外周噴淋板
123:突出部
124:突出部
130:壓力測定孔
140:F2氣體流量調節器
141:ClF3氣體流量調節器
142:HF氣體流量調節器
143:Ar氣體流量調節器
144:F2氣體供給配管
145:ClF3氣體供給配管
146:HF氣體供給配管
147:Ar氣體供給配管
148:集合配管
149:開關閥
150:NH3氣體流量調節器
151:N2氣體流量調節器
152:NH3氣體供給配管
153:N2氣體供給配管
154:集合配管
155:開關閥
D1:中央擴散空間
D2:外周擴散空間
R1:中央區域
R2:外周區域

Claims (11)

  1. 一種基板之蝕刻裝置，係對基板進行蝕刻處理之蝕刻裝置，該基板之蝕刻裝置，其特徵係，具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體；及排氣部，對前述處理容器內進行排氣，前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域，前述供氣部，係可對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體，在前述頂板，係形成有：中央氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述中央擴散空間；及外周氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述外周擴散空間，在前述頂板之上面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流入孔，在前述頂板之下面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流出孔， 前述中央氣體流出孔，係被配置於前述中央氣體流入孔的徑方向內側。
  2. 如請求項1之基板之蝕刻裝置，其中，前述供氣部，係具有：頂板，被設置於前述處理容器之上部；噴淋板，被配置於前述頂板之下方，並形成有將前述處理氣體供給至前述處理容器之內部的複數個氣體供給孔；擴散空間，被前述頂板與前述噴淋板包圍；及擴散板，被設置於前述擴散空間，並形成有使前述處理氣體擴散的複數個氣體擴散孔，前述擴散空間，係具有：中央擴散空間，與前述中央區域對應；及外周擴散空間，與前述外周區域對應，前述噴淋板，係具有：中央噴淋板，與前述中央擴散空間對應而設置；及外周噴淋板，與前述外周擴散空間對應而設置，在每個前述中央噴淋板與前述外周噴淋板形成有複數個前述氣體供給孔，前述擴散板，係具有：中央擴散板，被設置於前述中央擴散空間；及外周擴散板，被設置於前述外周擴散空間，在每個前述中央擴散板與前述外周擴散板形成有複數個前述氣體擴散孔。
  3. 如請求項1之基板之蝕刻裝置，其中，前述頂板，係層積上側頂板與下側頂板而構成，前述中央氣體流入孔，係被形成於前述上側頂板之上面，前述中央氣體流出孔，係被形成於前述下側頂板之下面，在前述上側頂板或前述下側頂板，係形成有沿徑方向延伸的前述中央氣體供給路徑。
  4. 如請求項2或3之基板之蝕刻裝置，其中，在前述供氣部之中心，係形成有用以測定前述處理容器內之壓力的壓力測定路徑，在前述中央噴淋板之下面的中央部，係形成有複數個與前述壓力測定路徑連通的壓力測定孔。
  5. 如請求項1~3中任一項之基板之蝕刻裝置，其中，具有：分隔壁，被設置於前述處理容器內，與前述載置台之外周隔著間隔而包圍該載置台，形成於前述分隔壁的內側且前述載置台之上方的處理空間與設置於前述載置台之下方的前述排氣部，係經由前述分隔壁與前述載置台之間而連通。
  6. 如請求項1~3中任一項之基板之蝕刻裝置，其中，具有：控制部，調整從前述供氣部所供給之前述處理氣體的 流量，前述處理氣體，係包含有含氟氣體與惰性氣體，前述控制部，係執行：對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述惰性氣體之流量的工程；及對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述含氟氣體之流量的工程。
  7. 如請求項1~3中任一項之基板之蝕刻裝置，其中，蝕刻基板上的矽鍺膜、矽膜或鍺膜。
  8. 一種基板之蝕刻方法，係使用蝕刻裝置來對基板進行蝕刻處理之蝕刻方法，該基板之蝕刻方法，其特徵係，前述蝕刻裝置，係具有：處理容器，收容基板；載置台，在前述處理容器內載置基板；及供氣部，從前述載置台之上方朝向該載置台供給處理氣體，前述供氣部，係具有：中央區域，與前述載置台之中央部對向；及外周區域，被設置為具備有與前述中央區域相同中心軸，並包圍該中央區域，在前述蝕刻方法中，係對於前述載置台所載置的基板，對每個前述中央區域與前述外周區域供給前述處理氣體，在前述頂板，係形成有： 中央氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述中央擴散空間；及外周氣體供給路徑，將前述處理氣體供給至前述外周擴散空間，在前述頂板之上面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流入孔，在前述頂板之下面，係形成有前述中央氣體供給路徑的中央氣體流出孔，前述中央氣體流出孔，係被配置於前述中央氣體流入孔的徑方向內側。
  9. 如請求項8之基板之蝕刻方法，其中，前述處理氣體，係包含有含氟氣體與惰性氣體，在調整供給至基板之前述處理氣體的流量時，執行：對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述惰性氣體之流量的工程；及對每個前述中央區域與前述外周區域調整前述含氟氣體之流量的工程。
  10. 如請求項9之基板之蝕刻方法，其中，前述惰性氣體與前述含氟氣體之流量的調整，係分別因應基板之中央部與外周部的蝕刻率而進行。
  11. 如請求項8~10中任一項之基板之蝕刻方法，其中，蝕刻基板上的矽鍺膜、矽膜或鍺膜。
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