TWI818479B - 處理液流通方法 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 301
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 243
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 83
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 42
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 14
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B23/00—Pumping installations or systems
- F04B23/02—Pumping installations or systems having reservoirs
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/02—Stopping, starting, unloading or idling control
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/06—Control using electricity
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B53/00—Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
- F04B53/20—Filtering
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
Abstract
處理液流通方法係包含步驟(S1)與步驟(S201)與步驟(S5)。於步驟(S1)中，監視配置於外循環配管(60)之過濾器(37)之一次側的第1壓力(P1)、與過濾器之二次側的第2壓力(P2)。於步驟(S201)中，對配置於較過濾器(37)更上游並將處理液送出至外循環配管(60)之泵(34)進行驅動。於步驟(S5)中，在驅動了泵(34)之狀態下，將呈關閉狀態之外循環配管(60)之流路於較過濾器(37)更下游之位置打開，藉此使處理液於外循環配管(60)流通。步驟(S5)係包含步驟(S503)。於步驟(S503)中，根據第1壓力(P1)與第2壓力(P2)之監視結果，使打開外循環配管(60)之流路後之第1壓力(P1)與第2壓力(P2)間的差壓(DF)小於打開外循環配管(60)之流路前的差壓(DF)。
Description
本發明係關於處理液流通方法及處理液供給裝置。
專利文獻1記載之液處理裝置係具備槽、循環管線、泵、過濾器、背壓閥與控制部。槽係儲存處理液。循環管線係使由槽所送達之處理液返回至槽。泵係形成循環管線中之處理液之循環流。過濾器係設於循環管線中之泵之下游側。背壓閥係設於循環管線中之過濾器之下游側。控制部係控制泵及背壓閥。而且，控制部係依下述方式控制泵之吐出壓力：在開始循環管線中之處理液之循環時，使泵之吐出壓力為上升至第1壓力，經過既定時間後，使泵之吐出壓力增加至大於第1壓力的第2壓力。
依泵之吐出壓力成為第1壓力之方式進行控制而開始處理液之循環，藉此可使過濾器之上游側與下游側之間的差壓抑制為較小差壓。其結果，可抑制在剛開始處理液之循環後，因泵之吐出壓力而異物(顆粒)穿通過濾器的情形。
[專利文獻 1]日本專利特開2019-41039號公報
(發明所欲解決之問題)
本案發明人係針對藉由與專利文獻1記載之液處理裝置不同的方法來減低處理液所含顆粒的技術進行了潛心研究。
本發明之目的在於提供一種可有效地減低處理液所含顆粒之處理液流通方法及處理液供給裝置。
(解決問題之技術手段)
根據本發明一態樣的處理液流通方法，係使供給至對基板吐出處理液之噴嘴的上述處理液流通。處理液流通方法係包含監視步驟、驅動步驟與流通步驟。監視步驟中，係監視表示配置於第1配管並捕捉上述處理液所含顆粒之過濾器之一次側之壓力的第1壓力，與表示上述過濾器之二次側之壓力的第2壓力。驅動步驟中，係對配置於較上述過濾器更上游並將上述處理液送出至上述第1配管的泵進行驅動。流通步驟中，係於驅動了上述泵之狀態下，將呈關閉狀態之上述第1配管之流路於較上述過濾器更下游之位置打開，藉此使上述處理液流通於上述第1配管。上述流通步驟係包含差壓調整步驟。差壓調整步驟中，係根據上述第1壓力及上述第2壓力之監視結果，使打開上述第1配管之流路後之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓小於打開上述第1配管之流路前之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓。
本發明一態樣中，較佳係上述第1配管之一端及另一端連接於儲存上述處理液之處理液槽。上述流通步驟中，較佳係上述處理液於上述第1配管進行循環。上述差壓調整步驟中，係根據上述第1壓力及上述第2壓力之監視結果，調整上述過濾器之二次側的壓力，藉此使打開上述第1配管之流路後的上述差壓小於打開上述第1配管之流路前的上述差壓。
本發明一態樣中，處理液流通方法較佳係進一步包含循環步驟，該循環步驟係在上述驅動步驟之後、且上述流通步驟之前，將由上述第1配管延伸至上述處理液槽為止的第2配管之流路打開，藉此使上述處理液循環於上述第2配管中。
本發明一態樣中，較佳係進一步包含第1排液步驟，該第1排液步驟係在上述循環步驟之後、且上述流通步驟之前，將上述處理液排出至由上述過濾器延伸出之第1排液配管。
本發明一態樣中，較佳係於上述流通步驟中，將設定於上述泵之目標輸出值，設定為較於上述第2配管中使上述處理液循環時設定於上述泵之目標輸出值大的值。
本發明一態樣中，較佳係上述流通步驟包含第2排液步驟，該第2排液步驟係將上述處理液排出至由上述第1配管延伸出之第2排液配管。
本發明一態樣中，較佳係於上述差壓調整步驟中，調整上述差壓，以使上述第1配管之流路打開後之上述差壓在既定範圍內。
根據本發明其他態樣的處理液供給裝置，係將處理液供給至對基板吐出上述處理液之噴嘴。處理液供給裝置係具備第1配管、過濾器、第1壓力檢測部、第2壓力檢測部、泵、流量調整機構與控制部。於第1配管係流通上述處理液。過濾器係配置於上述第1配管，捕捉上述處理液所含之顆粒。第1壓力檢測部係檢測表示上述過濾器之一次側之壓力的第1壓力。第2壓力檢測部係檢測表示上述過濾器之二次側之壓力的第2壓力。泵係配置於較上述過濾器更上游並將上述處理液送出至第1配管。流量調整機構係於較上述過濾器更下游處配置於上述第1配管，調整上述第1配管所流通之上述處理液之流量。控制部係控制上述流量調整機構。上述控制部係驅動呈停止狀態之上述泵。控制部係於驅動了上述泵之狀態下，控制上述流量調整機構，以使呈關閉狀態之上述第1配管之流路打開。控制部係根據上述第1壓力及上述第2壓力之監視結果，控制上述流量調整機構，以使打開上述第1配管之流路後之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓小於打開上述第1配管之流路前之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓。
(對照先前技術之功效)
根據本發明之處理液流通方法及處理液供給裝置，可有效地減低處理液所含顆粒。
以下，針對本發明實施形態，參照圖式進行說明。又，對圖中相同或相等之部分加註相同元件符號且不重複說明。又，圖式中，為了說明方便，適當記載三維正交座標系統(X、Y、Z)。而且，圖中X軸及Y軸係平行於水平方向，Z軸係平行於鉛直方向。
(實施形態1)
首先，參照圖1，說明基板處理裝置100。圖1為表示基板處理裝置100之內部的俯視圖。圖1所示基板處理裝置100係對基板W藉由處理液進行處理。
基板W為例如半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(Field Emission Display：FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板或太陽電池用基板。
處理液為例如藥液。藥液為例如稀釋氫氟酸(DHF)、氫氟酸(HF)、氟硝酸(氟酸與硝酸(HNO
3)之混合液)、緩衝氫氟酸(BHF)、氟化銨、HFEG(氫氟酸與乙二醇之混合液)、磷酸(H
3PO
4)、硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸)、有機鹼(例如TMAH：四甲基氫氧化銨)、硫酸過氧化氫水混合液(SPM)、氨過氧化氫水混合液(SC1)、鹽酸過氧化氫水混合液(SC2)、異丙醇(IPA)、界面活性劑、或防腐劑。
如圖1所示，基板處理裝置100係具備複數之裝載埠LP、索引機器人IR、中央機器人CR、複數之處理單元1、控制裝置2、複數之流體箱3、與處理液櫃4。
裝載埠LP之各者係積層並收容複數片之基板W。索引機器人IR係於裝載埠LP與中央機器人CR之間搬送基板W。中央機器人CR係於索引機器人IR與處理單元1之間搬送基板W。處理單元1之各者係對基板W供給處理液，對基板W進行處理。流體箱3之各者係收容流體機器。處理液櫃4係收容處理液。
具體而言，複數之處理單元1係形成配置成於俯視下包圍中央機器人CR的複數之塔TW(圖1例中為4個塔TW)。各塔TW係包含上下積層之複數之處理單元1(圖1例中為3個處理單元1)。複數之流體箱3係分別對應於複數之塔TW。處理液櫃4內之處理液係經由任一流體箱3，供給至與流體箱3對應之塔TW所包含之所有處理單元1。
控制裝置2係控制裝載埠LP、索引機器人IR、中央機器人CR、處理單元1、流體箱3、及處理液櫃4。控制裝置2為例如電腦。
控制裝置2係包含控制部21、與記憶部22。控制部21係包含CPU(中央處理單元，Central Processing Unit)等處理器。記憶部22係包含記憶裝置，記憶數據及電腦程式。具體而言，記憶部22係包含半導體記憶體等主記憶裝置，與半導體記憶體、固態驅動機、及/或硬碟驅動機等輔助記憶裝置。記憶部22亦可包含可拆式媒體。記憶體22相當於非暫態電腦可讀取記憶媒體之一例。
接著，參照圖2，說明處理單元1。圖2為表示處理單元1之內部的側面圖。
如圖2所示，處理單元1係包含腔室11、旋轉夾具12、旋轉馬達13、噴嘴14、噴嘴移動部15、複數之護件16、待機罐17、噴嘴18。基板處理裝置100係進一步具備處理液供給裝置200、排液配管7、閥8、閥19、配管20。處理液供給裝置200係包含閥5、與配管6。又，排液配管7及閥8亦可視為處理液供給裝置200之構成要件。
腔室11係具有略箱形狀。腔室11係收容旋轉夾具12、旋轉馬達13、噴嘴14、噴嘴移動部15、複數之護件16、待機罐17、噴嘴18、配管6之一部分、排液配管7之一部分及配管20之一部分。又，例如閥5、8、19亦可收容於腔室11。
旋轉夾具12係保持基板W。具體而言，旋轉馬達13係使旋轉夾具12圍繞旋轉軸線AX1進行旋轉。從而，旋轉夾具12係水平地保持基板W，並使基板W圍繞旋轉軸線AX1進行旋轉。具體而言，旋轉夾具12係包含旋轉基底121、與複數之夾具構件122。旋轉基底121係呈略圓板狀，以水平姿勢支撐複數之夾具構件122。複數之夾具構件122係依水平姿勢保持基板W。
噴嘴14係對基板W吐出處理液。噴嘴移動部15係使噴嘴14升降、或使噴嘴14圍繞旋動軸線AX2水平旋動。噴嘴移動部15係為了使噴嘴14升降，而含有例如滾珠螺桿機構、與對滾珠螺桿機構造賦予驅動力之電動馬達。又，噴嘴移動部15係為了使噴嘴14水平旋動，而含有例如電動馬達。
處理液供給裝置200係對噴嘴14供給處理液。具體而言，處理液供給裝置200之配管6係對噴嘴14供給處理液。從而，於配管6流通處理液。閥5係配置於配管6。然後，閥5係對配管6之流路進行開關，切換處理液對噴嘴14之供給與供給停止。
待機罐17係配置於噴嘴14之待機位置之下方。待機位置係表示相對於旋轉軸線AX1較旋轉夾具12更外側的位置。待機罐17係承接由位於待機位置之噴嘴14所吐出的處理液。噴嘴移動部15係於待機位置與處理位置之間，使噴嘴14水平旋動。噴嘴14之處理位置係表示基板W之上方之位置。噴嘴14係在對基板W吐出處理液前，於待機位置執行預配液處理。所謂預配液處理係指在對基板W吐出處理液前，朝待機罐17吐出處理液之處理。另一方面，噴嘴14係於處理位置朝基板W吐出處理液。
待機罐17係連接排液配管7。於預配液處理中，待機罐17所承接之處理液係通過排液配管7而排出。排液配管7係例如連接於排液槽。於排液配管7，配置閥8。閥8係對排液配管7之流路進行開關，切換由排液配管7之處理液的排出與排出停止。
噴嘴18係朝基板W供給沖洗液。其結果，由基板W洗除處理液。沖洗液為例如去離子水、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、或稀釋濃度(例如10ppm~100ppm程度)之鹽酸水。
配管20係對噴嘴18供給沖洗液。從而，於配管20流通沖洗液。閥19係配置於配管20。然後，閥19係對配管20之流路進行開關，切換沖洗液對噴嘴18的供給與供給停止。
各護件16係具有略筒形狀。各護件16係承接由基板W所排出之處理液或沖洗液。
接著，參照圖3，說明處理液供給裝置200之細節。圖3為表示處理液供給裝置200的圖。如圖3所示，處理液供給裝置200係進一步包含：處理液槽30、加熱器31、32、溫度感應器33、泵34、脈衝檔板35、第1壓力計P1、過濾器37、第2壓力計P2、溫度感應器39、40、第3壓力計41、溫度感應器42、閥44、45、46、47、48、49、流量調整機構50、外循環配管60、內循環配管61、排液配管62、配管63、排液配管64、配管65、66。流量調整機構50係包含閥38、與閥43。又，處理液供給裝置200係對應複數之處理單元1，包含複數之配管6及複數之閥5。
控制部21係控制處理液供給裝置200。具體而言，加熱器31、32、泵34、閥5、8、44、45、46、47、48、49及流量調整機構50係由控制部21所控制。又，溫度感應器33、39、40、42係檢測處理液之溫度，將表示所檢測之溫度的檢測值輸出至控制部21。進而，第1壓力計P1、第2壓力計P2、及第3壓力計41係檢測處理液之壓力，將表示所檢測之壓力的檢測值輸出至控制部21。
又，例如處理液槽30、加熱器31、32、溫度感應器33、泵34、脈衝檔板35、第1壓力計P1、過濾器37、第2壓力計P2、閥38、溫度感應器39、閥44、45、46、47、48、49、外循環配管60之一部分、內循環配管61、排液配管62之一部分、配管63、排液配管64之一部分、配管65、及配管66之一部分係收容於處理液櫃4(圖1)。
另一方面，例如外循環配管60之一部分、溫度感應器40、第3壓力計41、溫度感應器42、閥43、閥5、及配管6之一部分係收容於流體箱3(圖1)。
處理液槽30係儲存處理液。配管66係將處理液之新液補充至處理液槽30。閥49係配置於配管66，對配管66之流路進行開關。
外循環配管60之上游端70及下游端71係連接於處理液槽30。外循環配管60係包含第1流通配管601與第2流通配管602。第1流通配管601之一端係連接於處理液槽30，第1流通配管601之另一端係連接於過濾器37。第1流通配管601之一端為外循環配管60之上游端。第2流通配管602之一端係連接於過濾器37，第2流通配管602之另一端係連接於處理液槽30。第2流通配管602之另一端為外循環配管60之下游端。又，為了簡化圖式而省略了圖示，但複數之第2流通配管602係分別對應於複數之塔TW(圖1)而設置。而且，複數之第2流通配管602係於過濾器37之二次側分歧。
外循環配管60相當於本發明「第1配管」之一例。
加熱器31、加熱器32、泵34、脈衝檔板35、第1壓力計P1、及過濾器37，係依此順序由上游朝下游配置於外循環配管60(具體而言為第1流通配管601)。又，過濾器37係配置於外循環配管60之位置73。位置73為較泵34更下游之位置，且為較分歧位置74及流量調整機構50更上游之位置。
加熱器31、32係對處理液槽30內之處理液進行加熱，調整處理液槽30內之處理液之溫度。又，實施形態1中，處理液供給裝置200係具有串連連接之2個加熱器31、32，但亦可具有1個加熱器、或可具有3個以上加熱器。
泵34係將處理液槽30內之處理液送出至外循環配管60。具體而言，泵34係將處理液槽30內之處理液送出至第1流通配管601。泵34係於外循環配管60(具體而言為第1流通配管601)中，配置於較過濾器37及分歧位置72更上游。溫度感應器33係於加熱器32與泵34之間的位置80，檢測第1流通配管601所流通之處理液之溫度。脈衝擋板35係抑制由泵34所送出之處理液之脈動。
過濾器37係捕捉通過過濾器37之處理液所含顆粒。換言之，過濾器37係將通過過濾器37之處理液所含顆粒去除。再換言之，過濾器37係對處理液進行過濾。
例如，過濾器37係具有多數孔(未圖示)。而且，處理液係通過過濾器37之孔。其結果，藉由過濾器37過濾處理液。具體而言，處理液所含顆粒在通過過濾器37之孔時，被區劃孔之壁面所吸附，而捕捉於孔內。其結果，使顆粒從處理液中被去除。
例如，過濾器37係含有PTFE(聚四氟乙烯)親水膜作過過濾膜。PTFE親水膜係使PTFE製之基材之表面經親水化的膜。
過濾器37之顆粒之捕捉能力係隨著對過濾器37所施加之壓力變動而改變。相較於未對過濾器37施加壓力之狀態，在對過濾器37施加了壓力之狀態下可捕捉更小尺寸的顆粒。而且，隨著對過濾器37施加之壓力增大，可捕捉更小尺寸之顆粒。
第1壓力計P1係配置於過濾器37之一次側。而且，第1壓力計P1係檢測表示過濾器37之一次側壓力的第1壓力。第1壓力計P1係將表示第1壓力之檢測值輸出至控制部21。控制部21係取得表示第1壓力的檢測值，並即時監視第1壓力。第1壓力計P1為例如壓力感應器。
第1壓力計P1相當於本發明「第1壓力檢測部」之一例。
第2壓力計P2係配置於過濾器37之二次側。而且，第2壓力計P2係檢測表示過濾器37之二次側壓力的第2壓力。第2壓力計P2係將表示第2壓力之檢測值輸出至控制部21。控制部21係取得表示第2壓力的檢測值，並即時監視第2壓力。第2壓力計P2為例如壓力感應器。
第2壓力計P2相當於本發明「第2壓力檢測部」之一例。
以下為了說明方便，有時對第1壓力加註與第1壓力計P1相同之元件符號「P1」，對第2壓力加註與第2壓力計P2相同之元件符號。
過濾器37係於外循環配管60中配置於第1壓力計P1與第2壓力計P2之間。若第1壓力P1與第2壓力P2之差壓DF較大，則相較於差壓DF較小時，前者有由過濾器37所捕捉之顆粒之一部分從過濾器37脫離而擴散至外循環配管60的情形。例如，差壓DF係在泵34之起動時、亦即在對停止狀態之泵34進行了驅動時有變大的傾向。
具體而言，差壓DF係由第1壓力P1減去第2壓力P2之值(DF=P1-P2)。此時，例如若差壓DF較大，則相較於差壓DF較小時，前者有由過濾器37所捕捉之顆粒之一部分擴散至過濾器37之二次側的情形。
因此，實施形態1中，於停止狀態之泵34之驅動時，處理液供給裝置200係根據第1壓力P1與第2壓力P2之監視結果，使外循環配管60之流路在較過濾器37更下游之位置被打開後的差壓DF小於外循環配管60之流路在較過濾器37更下游之位置被打開前的差壓DF。從而，可抑制由過濾器37所捕捉之顆粒因差壓DF而擴散至過濾器37之二次側的情形。其結果，可有效地減低處理液所含顆粒。
流量調整機構50係配置於較過濾器37更下游之外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)。流量調整機構50係調整外循環配管60所流通之處理液之流量。處理液之流量調整不僅止於使流量增減，亦包括使流量成為零。從而，流量調整機構50係閉塞或開放外循環配管60之流路，或者增減處理液之流量。換言之，流量調整機構50係調整於第2流通配管602所流通之處理液之壓力。再換言之，流量調整機構50係調整過濾器37之二次側之壓力。
具體而言，流量調整機構50之閥38係配置較過濾器37及第2壓力計P2更下游、且較分歧位置74更上游的第2流通配管602(外循環配管60)。而且，閥38係於過濾器37之二次側，對第2流通配管602之流路進行閉塞或開放。
閥43係於較過濾器37、第2壓力計P2及分歧位置74更下游之位置，配置於第2流通配管602(外循環配管60)。閥43係調整第2流通配管602所流通之處理液之流量。換言之，閥43係調整第2流通配管602所流通之處理液之壓力。再換言之，閥43係調整過濾器37之二次側之壓力(第2壓力P2)。閥43為例如電動針閥、背壓閥、或釋壓閥。控制部21可連續地或階段地調整閥43之開度。開度係表示閥43開放的程度。例如，閥43之開度越小、過濾器37之二次側之壓力(第2壓力P2)變越大。又，在閥43可對第2流通配管602之流路進行閉塞或開放的情況，例如流量調整機構50亦可不具有閥38。
溫度感應器39係於較過濾器37及閥38更下游的位置81，檢測第2流通配管602(外循環配管60)所流通之處理液之溫度。溫度感應器40係於較溫度感應器39更下游的位置82，檢測第2流通配管602(外循環配管60)所流通之處理液之溫度。位置82係較分歧位置74更上游的位置。
第3壓力計41係於閥43之一次側之位置83，檢測第2流通配管602(外循環配管60)所流通之處理液之壓力。位置83係較分歧位置74更下游的位置。溫度感應器42係於閥43之一次側之位置84，檢測第2流通配管602(外循環配管60)所流通之處理液之溫度。位置84係較分歧位置74更下游之位置。
於第2流通配管602(外循環配管60)之複數之分歧位置74，分別連接複數之配管6。而且，配管6係由分歧位置74延伸至噴嘴14。分歧位置74係較過濾器37更下游之位置、且較閥43更上游之位置。
內循環配管61係由第1流通配管601(外循環配管60)之分歧位置72延伸至處理液槽30。分歧位置72係較泵34更下游、且較過濾器37更上游的位置。閥44係配置於內循環配管61。而且，閥44係對內循環配管61之流路進行開關。
內循環配管61相當於本發明「第2配管」之一例。
排液配管62係由過濾器37延伸出。排液配管62係用於將存在於過濾器37內部(具體而言為內部一次側)之處理液排出的配管。具體而言，排液配管62之一端係連接於過濾器37之內部之一次側空間，排液配管62之另一端係例如連接於排液槽。閥45係配置於排液配管62。而且，閥45係對排液配管62之流路進行開關。
排液配管62相當於本發明「第1排液配管」之一例。
排液配管64係由過濾器37延伸出。排液配管64係用於將存在於過濾器37內部(具體而言為內部二次側)之處理液排出的配管。具體而言，排液配管64之一端係連接於過濾器37之內部之二次側空間，排液配管64之另一端係例如連接於排液槽。閥46係配置於排液配管64。而且，閥46係對排液配管64之流路進行開關。
配管63係由過濾器37延伸至處理液槽30。配管63係用於將成為顆粒發生原因之過濾器37之內部(具體而言為內部一次側)的氣泡去除的配管。具體而言，配管63之一端係連接於過濾器37之內部之一次側空間，配管63之另一端係連接於處理液槽30。閥47係配置於配管63。而且，閥47係對配管63之流路進行開關。
配管65係由過濾器37延伸至處理液槽30。配管65係用於將成為顆粒發生原因之過濾器37之內部(具體而言為內部二次側)的氣泡去除的配管。具體而言，配管65之一端係連接於過濾器37之內部之二次側空間，配管65之另一端係連接於處理液槽30。閥48係配置於配管65。而且，閥48係對配管65之流路進行開關。
接著，參照圖1~圖11，說明實施形態1之基板處理方法。圖4為表示實施形態1之基板處理方法的流程圖。圖5為表示圖4之步驟S2中之內循環準備動作的流程圖。圖6為表示處理液供給裝置200之內循環準備動作的圖。圖7為表示處理液供給裝置200之內循環動作的圖。圖8為表示處理液供給裝置200之過濾器排液動作的圖。圖9為表示處理液供給裝置200之外循環動作的流程圖。圖10為表示處理液供給裝置200之外循環動作的圖。圖11為表示處理液供給裝置200之處理液供給動作的圖。
本說明書中，於表示閥(例如閥5、8、38、43、44、45、46、47、48、49)之記號中，白色表示閥呈關閉狀態，黑色表示閥呈打開狀態。又，於表示泵34之記號中，白色三角形表示泵34呈停止狀態，黑色三角形表示泵34呈驅動狀態。又，處理液之流通路徑係由粗線所表示。
如圖4所示，實施形態1之基板處理方法係包含步驟S1~步驟S10。基板處理方法係依照控制部21進行之控制而由基板處理裝置100所執行。尤其，步驟S1~S5係構成處理液流通方法。處理液流通方法係依照控制部21進行之控制而由處理液供給裝置200所執行。於處理液流通方法中，係使供給至對基板W吐出處理液之噴嘴14的處理液流通。具體而言，於處理液流通方法中，係使供給至對基板W吐出處理液之噴嘴14的處理液循環。
如圖3及圖4所示，首先，於步驟S1中，控制部21開始進行第1壓力P1及第2壓力P2的監視。亦即，控制部21開始由第1壓力計P1取得表示第1壓力P1的檢測值，同時開始由第2壓力計P2取得表示第2壓力P2的檢測值。步驟S1相當於本發明「監視步驟」之一例。
接著，於步驟S2中，處理液供給裝置200執行內循環準備動作。內循環準備動作係在步驟S3之內循環動作前執行，為用於準備內循環的動作。內循環係表示通過內循環配管61使處理液槽30之處理液循環，同時使處理液之溫度到達目標溫度。
具體而言，如圖5所示，步驟S2(內循環準備動作)係包含步驟S201與步驟S202。
首先，如圖5及圖6所示，於步驟S201中，控制部21對停止狀態之泵34進行驅動。此時，例如控制部21係設定第1目標輸出值TG1作為泵34之目標輸出值。目標輸出值係為了使泵34實現目標吐出壓力，而設定於泵34的設定值。所設定之目標輸出值越大，則目標吐出壓力越大。例如，泵34為離心泵及螺旋式泵等非容積式泵時，目標輸出值係由葉輪及螺旋漿等旋轉體之旋轉數所表示。例如，在泵34為往復泵等容積式泵的情況，目標輸出值係由往復之要件的衝程長及/或衝程數所表示。往復泵為例如伸縮泵。步驟S201相當於本發明「驅動步驟」之一例。
接著，如圖5及圖6所示，步驟S202中，控制部21係打開閥38、44、47、48，關閉閥5、8、43、45、46。由於閥38打開，故內循環配管61之流路開放。其結果，於內循環配管61流通處理液。
例如，控制部21係在第1壓力P1到達目標壓力P11時結束步驟S202。然後，處理係回到圖4之主程序。又，控制部21亦可僅於既定準備期間內使處理液供給裝置200持續步驟S2之內循環準備動作。既定準備期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。
接著，如圖4及圖7所示，於步驟S3中，處理液供給裝置200係使處理液進行內循環。步驟S3相當於本發明「循環步驟」之一例。步驟S3亦可記載為內循環步驟。
具體而言，於步驟S3中，如圖7所示，控制部21係打開閥44，關閉閥5、8、38、43、45、46、47、48。其結果，儲存於處理液槽30之處理液通過第1流通配管601及內循環配管61進行循環，而執行內循環。此時，控制部21一邊監視由溫度感應器33所檢測出之處理液之溫度，一邊控制加熱器31、32以使內循環之處理液之溫度成為目標溫度。內循環之處理液之溫度到達目標溫度時，處理則進入至步驟S4。又，控制部21亦可僅於既定內循環期間，使處理液供給裝置200執行處理液之內循環。既定內循環期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。
亦即，於步驟S3中，控制部21係在步驟S2(步驟S201、S202)之後、且步驟S4及步驟S5之前，藉由閥44打開內循環配管61之流路，於內循環配管61中使處理液循環。從而，實施形態1可在步驟S5(外循環動作)之前使處理液之溫度到達目標溫度。其結果，可將外循環中之處理液迅速供給至噴嘴14。
接著，如圖4及圖8所示，於步驟S4中，處理液供給裝置200將過濾器37內部之處理液排出至排液配管62。圖8之例中，處理液供給裝置200係將存在於過濾器37內部之一次側空間的處理液排出至排液配管62。步驟S4相當於本發明「第1排液步驟」之一例。
具體而言，於步驟S4中，如圖8所示，控制部21係於閥5、8、38、43、44、46、47、48呈關閉的狀態下，僅於第1排液期間打開閥45。從而，第1排液期間內，過濾器37內部之處理液被排出至排液配管62。其結果，處理液中之顆粒亦由排液配管62被排出。又，第1排液期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。
亦即，於步驟S4中，在步驟S3之後、且步驟S5之前，控制部21藉由打開閥45而將處理液排出至排液配管62。從而，可將存在於較過濾器37更靠一次側之顆粒、及存在於過濾器37內部(內部一次側)之顆粒通過排液配管62排出。其結果，可有效地減低處理液所含顆粒。
尚且，例如於步驟S4中，控制部21亦可在打開閥45之同時、或打開了閥45之後、或打開閥45之前，僅於一定期間內打開閥46。此時，可將存在於過濾器37內部(內部二次側)之顆粒通過排液配管64排出。其結果，可更有效地減低處理液所含顆粒。
接著，如圖4及圖10所示，於步驟S5中，處理液供給裝置200係使處理液進行外循環。外循環係表示藉由外循環配管60使處理液進行循環。從而，於步驟S5中，處理液於外循環配管60進行循環。步驟S5相當於本發明「流通步驟」之一例。步驟S5可記載為外循環步驟。
具體而言，如圖9所示，步驟S5(外循環動作)係包含步驟S501~步驟S503。
首先，如圖9及圖10所示，於步驟S501中，控制部21將泵34之目標輸出值由第1目標輸出值TG1變更為第2目標輸出值TG2。第2目標輸出值TG2大於第1目標輸出值TG1。亦即，於步驟S501(步驟S5)中，控制部21係將設定於泵34之目標輸出值設定為較步驟S2~步驟S4中設定於泵34之目標輸出值(第1目標輸出值TG1)大的值。例如，於步驟S501(步驟S5)中，控制部21係將設定於泵34之目標輸出值設定為較於內循環配管61使處理液循環時設定於泵34之目標輸出值(第1目標輸出值TG1)大的值。
接著，於步驟S502中，控制部21控制流量調整機構50(閥38、43)，以使呈關閉狀態之外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)之流路打開。具體而言，在驅動了泵34的狀態下，控制部21係控制流量調整機構50，以將關閉狀態之外循環配管60之流路打開。從而，流量調整機構50係藉由打開呈關閉狀態之外循環配管60之流路，而於外循環配管60中使處理液循環。更具體而言，如圖10所示，控制部21係打開閥38、43，關閉閥5、8、44、45、46、47、48。其結果，儲存於處理液槽30之處理液通過外循環配管60進行循環。處理液之外循環係持續至控制部21接收到外循環之停止指示為止。
接著，於步驟S503中，控制部21藉由流量調整機構50之閥43，調整第1壓力P1與第2壓力P2的差壓DF。具體而言，控制部21係根據第1壓力P1與第2壓力P2的監視結果(步驟S1)，控制流量調整機構50之閥43，以使外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)之流路打開後之第1壓力P1與第2壓力P2的差壓DF小於使外循環配管60之流路打開前之第1壓力P1與第2壓力P2的差壓DF。
從而，閥43係根據第1壓力P1與第2壓力P2之監視結果(步驟S1)，調整過濾器37之二次側之壓力、亦即第2壓力P2，使外循環配管60之流路打開後的差壓DF小於使外循環配管60之流路打開前的差壓DF。藉此，可抑制過濾器37所捕捉之顆粒因差壓DF而擴散至過濾器37之二次側的情形。其結果，可有效地減低處理液所含顆粒。步驟S503相當於本發明「差壓調整步驟」之一例。
尤其，於實施形態1中，由於根據第1壓力P1與第2壓力P2之監視結果(步驟S1)調整差壓DF，故相較於未監視(未檢測)第1壓力P1與第2壓力P2的情況，前者可精度佳地調整差壓DF。
又，實施形態1中，「使外循環配管60之流路打開後」表示「使第2流通配管602之流路打開後」或「於較過濾器37更下游之位置使外循環配管60之流路打開後」。
尤其，於實施形態1中，使處理液進行外循環時之差壓DF(亦即，處理液於外循環配管60進行循環時之差壓DF)小於打開外循環配管60之流路前的差壓DF(處理液進行外循環前之差壓DF)小。從而，可抑制過濾器37所捕捉之顆粒因差壓DF而擴散至外循環配管60的情形。
更詳細而言，作為一例，控制部21可控制流量調整機構50之閥43，以使外循環配管60之流路打開後的差壓DF(亦即，處理液於外流通配管60進行循環時之差壓DF)小於步驟S3中之差壓DF(亦即，處理液於內循環配管61進行循環時之差壓DF)。
又，例如，於步驟S503中，根據第1壓力P1與第2壓力P2之監視結果(步驟S1)，亦可調整差壓DF以使外循環配管60之流路打開後的差壓DF(亦即，處理液於外循環配管60進行循環時之差壓DF)在既定範圍RG內。具體而言，控制部21亦可控制閥43，以使外循環配管60之流路打開後的差壓DF在既定範圍RG內。
此時，閥43係藉由調整過濾器37之二次側壓力、亦即第2壓力P2，而將外循環配管60之流路打開後的差壓DF調整在既定範圍RG內。即定範圍RG內之差壓DF係小於外循環配管60之流路打開前的差壓DF。例如，既定範圍RG內之差壓DF小於步驟S3中之差壓DF。根據實施形態1，藉由將外循環配管60之流路打開後的差壓DF保持在既定範圍RG內，可進一步抑制過濾器37所捕捉之顆粒因差壓DF而擴散至過濾器37之二次側的情形。
既定範圍RG係例如較佳為包含零。又，既定範圍RG係例如相對於基準值設定為±K之範圍、或相對於基準值設定為±Q%之範圍。「K」及「Q」為正實數。
較佳係控制部21使閥43調整為第2壓力P2，以使過濾器37之二次側之第2壓力P2與過濾器37之一次側之第1壓力P1略相同。根據此較佳例，差壓DF近乎零。亦即，控制部21係使閥43調整為第2壓力P2，以使差壓DF近乎零。從而，可更有效地抑制過濾器37所捕捉之顆粒因差壓DF而擴散至過濾器37之二次側的情形。其結果，可更有效地減低處理液所含顆粒。
於此，步驟S503可在處理液執行外循環之期間內持續執行，亦可從步驟S502開始時(外循環開始時)起僅執行既定調整期間。既定調整期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。又，步驟S503亦可例如由步驟S502開始時(外循環開始時)起，執行至第1壓力P1到達目標壓力P12(後述圖12)為止。又，例如步驟S503亦可由步驟S502開始時(外循環開始時)起，執行至第2壓力P2到達目標壓力P20(後述圖12)為止。目標壓力P12及目標壓力P20係大於步驟S2中屬於第1壓力P1之目標值的目標壓力P11(亦即步驟S3中內循環時之第1壓力P1)(後述圖12)。又，為了使差壓DF近乎零，較佳係目標壓力P12與目標壓力P20略相同。
接著，如圖1、圖2及圖4所示，於步驟S6中，中央機器人CR係將基板W搬入至處理單元1。然後，於處理單元1中，旋轉夾具12係保持基板W。進而，旋轉馬達13係藉由使旋轉夾具12旋轉，而使基板W旋轉。
接著，如圖2、圖4及圖11所示，於步驟S7中，處理液供給裝置200係由外循環配管60經由配管6將處理液供給至噴嘴14。其結果，噴嘴14將處理液吐出至基板W。然後，基板W藉由處理液處理。又，步驟S7亦可涵括於實施形態1之處理液流通方法中。
具體而言，如圖11所示，控制部21係於閥38、43呈打開之狀態，且閥8、44、45、46、47、48呈關閉之狀態下，僅於既定處理期間打開閥5。其結果，於既定處理期間內，外循環配管60所流通之處理液係由配管6供給至噴嘴14。然後，於既定處理期間內，噴嘴14對基板W吐出處理液。在打開閥5經過既定處理期間時，關閉閥5，使由噴嘴14之處理液之吐出停止。又，既定處理期間係例如配合基板W之處理目的而事先決定。
亦即，於步驟S7中，處理液供給裝置200係於執行處理液之外循環的狀態下、亦即處理液於外循環配管60進行循環的狀態下，由外循環配管60將處理液供給至噴嘴14。例如，於步驟S7中，處理液供給裝置200係在持續執行步驟S503之差壓調整中、或步驟S503之差壓調整之後，由外循環配管60將處理液供給至噴嘴14。然後，供給至噴嘴14之處理液係藉由噴嘴14吐出至基板W。其結果，可藉由顆粒經減低之處理液對基板W進行處理。
接著，如圖2及圖4所示，於步驟S8中，噴嘴18係將沖洗液吐出至基板W。其結果，基板W上之處理液被沖洗液所洗除。
具體而言，如圖2所示，在打開閥19時，噴嘴18將沖洗液吐出至基板W。在打開閥19經過既定沖洗期間時，關閉閥19，使由噴嘴18之沖洗液之吐出停止。又，既定沖洗期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。
接著，如圖2及圖4所示，於步驟S9中，藉由基板W之高速旋轉使基板W乾燥。
具體而言，旋轉馬達13使基板W朝旋轉方向加速，並使基板W依較步驟S7及步驟S8中之基板W之旋轉速度大的高旋轉速度進行旋轉。其結果，液體從基板W被去除，基板W乾燥。在基板W之高速旋轉開始經過既定乾燥期間時，旋轉馬達13停止旋轉。然後，基板W之旋轉停止。又，既定乾燥期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。
接著，如圖1、圖2及圖4所示，於步驟S10中，中央機器人CR係將基板W由處理單元1搬出。亦即，將處理完畢之基板W從腔室11搬出。然後，基板處理方法結束。
如以上參照圖9及圖12所說明般，根據實施形態1，於步驟S503中，使外循環開始後之差壓DF小於外循環開始前之差壓DF。其結果，可有效地抑制顆粒因差壓DF而由過濾器37擴散的情形。
又，實施形態2中，於步驟S501中，將外循環時設定於泵34之目標輸出值設定為較內循環時設定於泵34之目標輸出值大的值。從而，於步驟S7(圖4)中噴嘴18可確保用於對基板W吐出處理液的充分吐出壓力。
接著，參照圖6~圖8、及圖10~圖12，說明泵34之狀態、第1壓力P1、第2壓力P2、及差壓DF之一例。圖12為表示泵34之狀態、第1壓力P1、第2壓力P2、及差壓DF之一例的圖表。又，圖2並非嚴密圖表，係用於說明易於理解之概略而參照者。
如圖12所示，圖表GP1~GP4之橫軸表示時間。圖表GP1之縱軸表示泵34之狀態。圖表GP2之縱軸表示過濾器37之一次側之第1壓力P1。圖案GP3之縱軸表示過濾器37之二次側之第2壓力P2。圖案GP4之縱軸表示第1壓力P1與第2壓力P2間的差壓DF。
如圖6及圖表GP1所示，於時刻t1中，使關閉狀態(停止狀態)之泵34驅動，開始內循環準備動作(步驟S2)。此時，將泵34之目標輸出值設定為第1目標輸出值TG1。又，於時刻t1，閥44打開內循環配管61之流路。從而，如圖表GP2所示，在時刻t1起至時刻t2為止的期間T1內，第1壓力P1上升。然後，於時刻t2中，第1壓力P1到達目標壓力P11。於期間T1內，執行圖6所示內循環準備動作(步驟S2)。
另一方面，如圖6及圖表GP3所示，於期間T1內，由於閥43閉塞外循環配管60之第2流通配管602，故第2壓力P2近乎零。從而，如圖表GP4所示，於期間T1內，差壓DF與第1壓力P1同樣地上升。
接著，如圖7及圖12所示，於時刻t2中，維持閥44打開內循環配管61之流路的狀態下，關閉閥38、47、48，開始內循環動作(步驟S3)。內循環動作係於時刻t2起至時刻t3為止之期間T2執行。然後，如圖表GP2所示，於期間T2內，第1壓力P1大約維持於目標壓力P11並幾乎一定。
另一方面，如圖7及圖表GP3所示，於期間T2內，由於閥38閉塞外循環配管60之第2流通配管602，故第2壓力P2近乎零。從而，如圖表GP4所示，於期間T2內，差壓DF係與第1壓力P1同樣地幾乎一定。
接著，如圖8及圖12所示，於時刻t3中，閥44關閉內循環配管61之流路，且閥45打開排液配管62之流路，藉此開始過濾器排液動作(步驟S4)。過濾器排液動作係由過濾器37將處理液排出至排液配管62的動作。過濾器排液動作係於時刻t3起至時刻t4為止的期間T3執行。然後，如圖表GP3所示，於期間T3內，藉由執行由過濾器37之排液，而第1壓力P1下降。
另一方面，如圖8及圖表GP3所示，於期間T3內，由於閥38閉塞外循環配管60之第2流通配管602，故第2壓力P2近乎零。從而，如圖表GP4所示，於期間T3內，差壓DF隨著第1壓力P1之下降而下降。
接著，如圖10及圖12所示，於時刻t4中，閥45關閉排液配管62之流路，且閥38、43打開外循環配管60之第2流通配管602之流路，藉此開始外循環動作(步驟S5)。外循環動作係於時刻t4以後之期間T4執行。尤其，於時刻t4中，泵34之目標輸出值係設定為第2目標輸出值TG2。第2目標輸出值TG2大於第1目標輸出值TG1。
具體而言，於時刻t4至時刻t5之期間T41，第1壓力P1上升。然後，於時刻t5中，第1壓力P1到達目標壓力P12。
另一方面，如圖10及圖表GP3、GP4所示，於期間T41內，閥43係使第2壓力P2上升，藉此使外循環開始後之差壓DF小於外循環開始前之差壓DF。圖表GP3、GP4之例中，於期間T41內，閥43係使第2壓力P2上升，藉此於外循環開始後使差壓DF近乎零。又，於時刻t5中，第2壓力P2到達目標壓力P20。於圖表GP3、GP4之例中，第1壓力P1之目標壓力P12與第2壓力P2之目標壓力P20略相同。
再者，如圖表GP3、GP4所示，在時刻t5至時刻t6為止的期間T42，第1壓力P1維持於目標壓力P12，第2壓力P2維持於目標壓力P20。於期間T42內，如圖表GP4所示，差壓DF近乎零。
再者，如圖表GP3、GP4所示，於時刻t6起至時刻t7為止的期間T43，控制部21係藉由變更閥43之開度，使第1壓力P1與第2壓力P2下降，將第1壓力P1設定為目標壓力P13，同時將第2壓力P2設定為目標壓力P21。例如，於時刻t6中，藉由增大閥43之開度，使第1壓力P1與第2壓力P2下降。又，如圖GP2所示，目標壓力P13係小於目標壓力P12，且大於目標壓力P11。如圖表GP3所示，目標壓力P21係小於目標壓力P20。又，圖表GP3、GP4之例中，目標壓力P13與目標壓力P21略相同。於期間T43內，如圖表GP4所示，差壓DF近乎零。
如圖11及圖表GP3、GP4所示，於時刻t7以後，打開閥5，由外循環配管60對配管6供給處理液。其結果，噴嘴18對基板W吐出處理液。此時，於時刻t7以後，如圖表GP4所示，差壓DF近乎零。從而，抑制顆粒因差壓DF而由過濾器37擴散的情形。其結果，可有效地減低噴嘴18對基板W吐出之處理液所含的顆粒。
(實施形態2)
參照圖4、圖13及圖14，說明本發明之實施形態2之基板處理裝置100。實施形態2與實施形態1的不同處，主要在於於實施形態2中進行外循環排液。又，實施形態2之基板處理裝置100及處理單元1之全體構成，分別與參照圖1及圖2所說明之實施形態1之基板處理裝置100及處理單元1之全體構成相同。再者，實施形態2之處理液供給裝置200之全體構成，係與參照圖3所說明之實施形態1之處理液供給裝置200之全體構成相同。又，實施形態2之基板處理方法之全體構成，係與參照圖4所說明之實施形態1之基板處理方法之全體構成相同。從而，實施形態2之說明係適當參照圖4。以下，主要針對與實施形態1之不同處說明實施形態2。
首先，參照圖4說明基板處理方法。如圖4所示，實施形態2之基板處理方法係與實施形態1同樣地包含步驟S1~步驟S10。又，與實施形態1同樣地，步驟S1~S5係構成實施形態2之處理液流通方法。
實施形態2之步驟S1~步驟S4，分別與實施形態1之步驟S1~步驟S4相同。又，實施形態2之步驟S6~步驟S10，分別與實施形態1之步驟S6~步驟S10相同。再者，實施形態2之步驟S5係於處理液供給裝置200使處理液進行外循環方面，與實施形態1之步驟S5相同。其中，實施形態2與實施形態1之主要不同處在於，實施形態2係執行外循環排液。
接著，參照圖13及圖14，說明實施形態2之步驟S5之外循環動作。圖13為表示實施形態2中於圖4之步驟S5所執行的外循環動作的流程圖。圖14為表示實施形態2中處理液供給裝置200之外循環排液動作的圖。如圖14所示，實施形態2之處理液供給裝置200係進一步包含閥51、閥52、與排液配管53。排液配管53係於較閥43更下游處從第2流通配管602分歧。閥51係配置於排液配管53，對排液配管53之流路進行開關。閥52係配置於較閥43更下游之第2流通配管602，對第2流通配管602之流路進行開關。於實施形態2，在步驟S1~步驟S4及步驟S6~步驟S10中，閥51呈關閉狀態。又，於步驟S1~步驟S4中閥52呈關閉狀態。如此，實施形態2之處理液供給裝置200之構成雖與圖3不同，但以下說明中，為了易於理解而適當參照圖3。
如圖13所示，實施形態2之步驟S5(外循環動作)係包含步驟S601~步驟S604。
首先，如圖3及圖13所示，於步驟S601中，控制部21係將泵34之目標輸出值由第1目標輸出值TG1變更為第2目標輸出值TG2(TG2＞TG1)。此點係與圖9之步驟S501相同。惟，於步驟S601中，圖14之閥51、52呈關閉狀態。
接著，如圖13及圖14所示，於步驟S602中，開始由外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)朝排液配管53之處理液之排出。亦即，藉由步驟S602，處理液被排出至由外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)延伸出之排液配管53。步驟S602相當於本發明「第2排液步驟」之一例。又，排液配管53相當於本發明「第2排液配管」之一例。
具體而言，如圖14所示，控制部21打開流量調整機構50之閥38、43。進而，控制部21係於關閉著閥52之狀態下，僅於第2排液期間打開閥51。從而，於外循環配管60(第2流通配管602)流通之處理液係與顆粒一起從排液配管53被排出。其結果，可有效地減低供給至基板W之處理液所含顆粒。另一方面，由於閥52呈關閉狀態，故處理液未於外循環配管60循環。又，第2排液期間係例如依實驗上及/或經驗上事先決定。經過第2排液期間後，處理係進展至步驟S603。
接著，於步驟S603中，控制部21停止由外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)對排液配管53之處理液之排出，開始外循環。具體而言，控制部21係於打開著閥38、43的狀態下，關閉閥51、打開閥52。從而，使處理液之排出停止，儲存於處理液槽30之處理液係通過外循環配管60進行循環。
接著，於步驟S604中，控制部21係藉由流量調整機構50之閥43，調整第1壓力P1與第2壓力P2之差壓DF。具體而言，控制部21係控制流量調整機構50之閥43，以使外循環配管60(具體而言為第2流通配管602)之流路打開後之差壓DF小於外循環配管60之流路打開前之差壓DF。步驟S604可於處理液進行外循環之期間中持續執行，亦可在步驟S603之外循環開始時起僅於既定調整期間執行。此外，步驟S604係與圖9之步驟S503相同。步驟S604相當於本發明「差壓調整步驟」之一例。
如以上參照圖13所說明般，根據實施形態2之基板處理方法，於步驟S604中，使外循環開始後之差壓DF小於外循環開始前之差壓DF。其結果，可有效地抑制顆粒因差壓DF而由過濾器37擴散的情形。
以上參照圖式說明了本發明實施形態。惟，本發明並不限定於上述實施形態，在不脫離其要旨之範圍內可於各種態樣實施。又，上述實施形態所揭示之複數之構成要件可適當改變。例如，可將某實施形態所示之總構成要件中之某構成要件追加至其他實施形態之構成要件中，或將某實施形態所示之總構成要件中之數個構成要件由實施形態刪除。
圖式係為了易於理解發明，而概略性地表示各個構成要件，所圖示之各構成要件之厚度、長度、個數、間隔等，有時為了圖式製作方便而與實際不同。又，上述實施形態中所示各構成要件之構成僅為一例，並非特別限定，在實質上未由本發明效果脫離之範圍內當然可進行各種變更。
(1)實施形態1、2中，圖4所示處理液流通方法只要至少含有步驟S1、步驟S5及步驟S201(圖5)即可。此係由於可有效地去除處理液所含顆粒所致。從而，處理液流通方法亦可不包含步驟S2(步驟S201除外)、步驟S3及步驟S4。其中，處理液流通方法亦可含有步驟S2~步驟S4中之1個以上步驟。又，圖9中，例如在步驟S503為於步驟S502之後執行之前提下，步驟S501~步驟S503之順序並無特別限定。又，圖9中，例如亦可使步驟S501~步驟S503略同時執行。再者，圖13中，例如亦可於步驟S4之後執行步驟S2、S3。惟，此時，在步驟S4執行前開始外循環。
(2)於圖4所示處理液流通方法中，亦可在將設定於泵34之目標輸出值設定為較內循環時設定於泵34之目標輸出值小的值後，執行步驟S5之外循環。此時，在執行步驟S5之外循環前，配合泵34之目標輸出值之降低而第1壓力P1降低，第1壓力P1與第2壓力P2之差壓DF亦降低。其結果，可更有效地抑制顆粒因差壓DF而由過濾器37擴散的情形。
例如，在步驟S3中停止內循環之前，控制部21係將泵34之目標輸出值由第1目標輸出值TG1變更為第3目標輸出值TG3，於目標輸出值變更後停止內循環。或者，例如，於步驟S4中停止由過濾器37之排液之前，控制部21係將泵34之目標輸出值由第1目標輸出值TG1變更為第3目標輸出值TG3，於目標輸出值之變更後停止排液。第3目標輸出值TG3係小於第1目標輸出值TG1(圖12)。
(3)於圖13之步驟S602中，控制部21亦可打開閥5、8、38、43、52，並關閉閥51。此時，執行預配液處理，噴嘴14對待機罐17吐出處理液。從而，於外循環配管60流通之處理液係與顆粒一起經由噴嘴14及待機罐17被排出至配管6。然後，於圖13之步驟S603中，控制部21關閉閥5、8。其結果，執行處理液之外循環。
(4)於實施形態1、2中，係使設定於泵34之目標輸出值改變，但於圖4之步驟S1~步驟S10中，可使設定於泵34之目標輸出值呈一定。
(5)於實施形態1、2中，差壓DF係由第1壓力P1減去第2壓力P2的值(DF=P1-P2)。惟，差壓DF亦可為第1壓力P1與第2壓力P2之差分的絕對值。
(產業上之可利用性)
本發明係關於處理液流通方法及處理液供給裝置，其具有產業上之可利用性。
1:處理單元
2:控制裝置
3:流體箱
4:處理液櫃
5,8,19,38,43,44,45,46,47,48,49,51,52:閥
6,20,63,65,66:配管
7,64:排液配管
11:腔室
12:旋轉夾具
13:旋轉馬達
14,18:噴嘴
15:噴嘴移動部
16:護件
17:待機罐
21:控制部
22:記憶部
30:處理液槽
31,32:加熱器
33,39,40,42:溫度感應器
34:泵
35:脈衝檔板
37:過濾器
41:第3壓力計
50:流量調整機構
53:排液配管(第2排液配管)
60:外循環配管(第1配管)
61:內循環配管(第2配管)
62:排液配管(第1排液配管)
70:上游端
71:下游端
72,74:分歧位置
73,80,81,82,83,84:位置
100:基板處理裝置
121:旋轉基底
122:夾具構件
200:處理液供給裝置
601:第1流通配管
602:第2流通配管
AX1:旋轉軸線
AX2:旋動軸線
CR:中央機器人
IR:索引機器人
LP:裝載埠
P1:第1壓力計(第1壓力檢測部)
P2:第2壓力計(第2壓力檢測部)
TW:塔
W:基板
圖1為表示本發明實施形態1之基板處理裝置之內部的俯視圖。
圖2為表示實施形態1之處理單元之內部的側面圖。
圖3為表示實施形態1之處理液供給裝置之構成的圖。
圖4為表示實施形態1之基板處理方法的流程圖。
圖5為表示實施形態1之處理液供給裝置之內循環準備動作的流程圖。
圖6為表示實施形態1之處理液供給裝置之內循環準備動作的圖。
圖7為表示實施形態1之處理液供給裝置之內循環動作的圖。
圖8為表示實施形態1之處理液供給裝置之過濾器排液動作的圖。
圖9為表示實施形態1之處理液供給裝置之外循環動作的流程圖。
圖10為表示實施形態1之處理液供給裝置之外循環動作的圖。
圖11為表示實施形態1之處理液供給裝置之處理液供給動作的圖。
圖12為表示實施形態1之泵狀態、第1壓力、第2壓力、及差壓之一例的圖表。
圖13為表示實施形態2之處理液供給裝置之外循環動作的流程圖。
圖14為表示實施形態2之處理液供給裝置之外循環排液動作的圖。
Claims (7)
- 一種處理液流通方法，係用於使供給至對基板吐出處理液之噴嘴的上述處理液流通者；其包含：監視步驟，其係監視表示配置於第1配管並捕捉上述處理液所含顆粒之過濾器的一次側之壓力的第1壓力，與表示上述過濾器之二次側之壓力的第2壓力；驅動步驟，其係對配置於較上述過濾器更上游並將上述處理液送出至上述第1配管的泵進行驅動；與流通步驟，其係於驅動了上述泵之狀態下，將呈關閉狀態之上述第1配管之流路於較上述過濾器更下游之位置打開，藉此使上述處理液流通於上述第1配管；上述流通步驟係包含差壓調整步驟，其係根據上述第1壓力及上述第2壓力之監視結果，使打開上述第1配管之流路後之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓小於打開上述第1配管之流路前之上述第1壓力與上述第2壓力間的差壓。
- 如請求項1之處理液流通方法，其中，上述第1配管之一端及另一端係連接於儲存上述處理液之處理液槽；於上述流通步驟中，上述處理液於上述第1配管進行循環；於上述差壓調整步驟中，根據上述第1壓力及上述第2壓力之監視結果，調整上述過濾器之二次側之壓力，藉此使打開上述第1配管之流路後的上述差壓小於打開上述第1配管之流路前的上述差壓。
- 如請求項2之處理液流通方法，其中，進一步包含循環步驟，其係在上述驅動步驟之後、且上述流通步驟之前，將由上述第1配管延伸至上述處理液槽為止的第2配管之流路打開，藉此使上述處理液循環於上述第2配管中。
- 如請求項3之處理液流通方法，其中，進一步包含第1排液步驟，其係在上述循環步驟之後、且上述流通步驟之前，將上述處理液排出至由上述過濾器延伸出之第1排液配管。
- 如請求項3或4之處理液流通方法，其中，於上述流通步驟中，將設定於上述泵之目標輸出值，設定為較於上述第2配管中使上述處理液循環時設定於上述泵之目標輸出值大的值。
- 如請求項1至4中任一項之處理液流通方法，其中，上述流通步驟包含第2排液步驟，其將上述處理液排出至由上述第1配管延伸出之第2排液配管。
- 如請求項1至4中任一項之處理液流通方法，其中，於上述差壓調整步驟中，調整上述差壓，以使上述第1配管之流路打開後之上述差壓在既定範圍內。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2021-065941 | 2021-04-08 | ||
| JP2021065941A JP2022161268A (ja) | 2021-04-08 | 2021-04-08 | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202249101A TW202249101A (zh) | 2022-12-16 |
| TWI818479B true TWI818479B (zh) | 2023-10-11 |
Family
ID=83545336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111110711A TWI818479B (zh) | 2021-04-08 | 2022-03-23 | 處理液流通方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022161268A (zh) |
| KR (1) | KR20230165333A (zh) |
| CN (1) | CN117121165A (zh) |
| TW (1) | TWI818479B (zh) |
| WO (1) | WO2022215497A1 (zh) |
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- 2021-04-08 JP JP2021065941A patent/JP2022161268A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-18 CN CN202280024926.7A patent/CN117121165A/zh active Pending
- 2022-03-18 KR KR1020237038191A patent/KR20230165333A/ko unknown
- 2022-03-18 WO PCT/JP2022/012647 patent/WO2022215497A1/ja active Application Filing
- 2022-03-23 TW TW111110711A patent/TWI818479B/zh active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20150367266A1 (en) * | 2012-10-09 | 2015-12-24 | Tokyo Electron Limited | Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117121165A (zh) | 2023-11-24 |
| TW202249101A (zh) | 2022-12-16 |
| JP2022161268A (ja) | 2022-10-21 |
| KR20230165333A (ko) | 2023-12-05 |
| WO2022215497A1 (ja) | 2022-10-13 |
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