CN117121165A - 处理液流通方法及处理液供给装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 294
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 82
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 12
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 11
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 11
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 9
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 8
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 5
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N azane;hydrogen peroxide Chemical compound [NH4+].[O-]O SWXQKHHHCFXQJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrochloride Chemical compound Cl.OO CABDFQZZWFMZOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B23/00—Pumping installations or systems
- F04B23/02—Pumping installations or systems having reservoirs
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/02—Stopping, starting, unloading or idling control
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B49/00—Control, e.g. of pump delivery, or pump pressure of, or safety measures for, machines, pumps, or pumping installations, not otherwise provided for, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B47/00
- F04B49/06—Control using electricity
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F04—POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
- F04B—POSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
- F04B53/00—Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
- F04B53/20—Filtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
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Abstract
本发明的处理液流通方法包含步骤(S1)、步骤(S201)及步骤(S5)。在步骤(S1)中,监视配置在外循环配管(60)的过滤器(37)的一次侧的第1压力(P1)、与过滤器的二次侧的第2压力(P2)。在步骤(S201)中,驱动配置在比过滤器(37)上游并将处理液送出到外循环配管(60)的泵(34)。在步骤(S5)中,在驱动泵(34)的状态下,通过在比过滤器(37)下游的位置处打开关闭状态的外循环配管(60)的流路,而使处理液在外循环配管(60)中流通。步骤(S5)包含步骤(S503)。在步骤(S503)中,基于第1压力(P1)及第2压力(P2)的监视结果,使打开外循环配管(60)的流路后的第1压力(P1)与第2压力(P2)的差压(DF)小于打开外循环配管(60)的流路前的差压(DF)。
Description
技术领域
本发明涉及一种处理液流通方法及处理液供给装置。
背景技术
专利文献1中记载的液体处理装置具备槽、循环线、泵、过滤器、背压阀及控制部。槽贮存处理液。循环线使从槽输送的处理液返回到槽。泵形成循环线中的处理液的循环流。过滤器设置在循环线中泵的下游侧。背压阀设置在循环线中的过滤器的下游侧。控制部控制泵及背压阀。而且,控制部以在开始循环线中的处理液的循环时,使泵的喷出压力依第1压力立即上升,经过规定时间后,泵的喷出压力增加到比第1压力大的第2压力的方式,控制泵的喷出压力。
通过以泵的喷出压力成为第1压力的方式进行控制而开始处理液的循环,能将施加在过滤器的上游侧与下游侧之间的差压抑制为较小的差压。结果,能抑制紧接于开始处理液的循环后,因泵的喷出压力而异物(微粒)穿过过滤器的情况。
[背景技术文献]
[专利文献]
专利文献1:日本专利特开2019-41039号公报
发明内容
[发明所要解决的问题]
本案的发明者对通过与专利文献1所记载的液体处理装置不同的方法减少处理液中包含的微粒的技术进行了深入研究。
本发明的目的在于提供一种能有效地减少处理液中包含的微粒的处理液流通方法及处理液供给装置。
[解决问题的技术手段]
根据本发明的一方面,在处理液流通方法中,使供给到对衬底喷出处理液的喷嘴的所述处理液流通。处理液流通方法包含监视步骤、驱动步骤及流通步骤。在监视步骤中,监视第1压力与第2压力,且所述第1压力表示配置在第1配管且捕捉所述处理液中包含的微粒的过滤器的一次侧的压力,所述第2压力表示所述过滤器的二次侧的压力。在驱动步骤中,驱动配置在比所述过滤器上游并将所述处理液送出到所述第1配管的泵。在流通步骤中,在驱动所述泵的状态下,通过在比所述过滤器下游的位置处打开关闭状态的所述第1配管的流路,而使所述处理液在所述第1配管中流通。所述流通步骤包含差压调整步骤。在差压调整步骤中,基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果,使打开所述第1配管的流路后的所述第1压力与所述第2压力的差压,小于打开所述第1配管的流路前的所述第1压力与所述第2压力的差压。
在本发明的一方面中,优选为所述第1配管的一端及另一端连接于贮存所述处理液的处理液槽。在所述流通步骤中,优选为所述处理液在所述第1配管中循环。在所述差压调整步骤中,优选为通过基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果调整所述过滤器的二次侧的压力,而使打开所述第1配管的流路后的所述差压小于打开所述第1配管的流路前的所述差压。
在本发明的一方面中,优选为处理液流通方法在所述驱动步骤之后且在所述流通步骤之前还包含循环步骤,所述循环步骤通过打开从所述第1配管延伸到所述处理液槽的第2配管的流路,而使所述处理液在所述第2配管中循环。
在本发明的一方面中,优选为在所述循环步骤之后且在所述流通步骤之前还包含第1排液步骤,所述第1排液步骤将所述处理液排出到从所述过滤器延伸的第1排液配管。
在本发明的一方面中,优选为在所述流通步骤中,将设定于所述泵的目标输出值设定为比在所述第2配管中使所述处理液循环时设定于所述泵的目标输出值大的值。
在本发明的一方面中,优选为所述流通步骤包含将所述处理液排出到从所述第1配管延伸的第2排液配管的第2排液步骤。
在本发明的一方面中,优选为在所述差压调整步骤中,以使打开所述第1配管的流路后的所述差压进入规定范围内的方式调整所述差压。
根据本发明的另一方面,处理液供给装置向对衬底喷出处理液的喷嘴供给所述处理液。处理液供给装置具备第1配管、过滤器、第1压力检测部、第2压力检测部、泵、流量调整机构及控制部。第1配管中流动着所述处理液。过滤器配置在所述第1配管,捕捉所述处理液中包含的微粒。第1压力检测部检测表示所述过滤器的一次侧的压力的第1压力。第2压力检测部检测表示所述过滤器的二次侧的压力的第2压力。泵配置在比所述过滤器上游并将所述处理液送出到所述第1配管。流量调整机构在比所述过滤器下游处配置于所述第1配管,调整流过所述第1配管的所述处理液的流量。控制部控制所述流量调整机构。所述控制部驱动停止状态的所述泵。控制部以在驱动所述泵的状态下,打开关闭状态的所述第1配管的流路的方式,控制所述流量调整机构。控制部以基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果,使打开所述第1配管的流路后的所述第1压力与所述第2压力的差压,小于打开所述第1配管的流路前的所述第1压力与所述第2压力的差压方式,控制所述流量调整机构。
[发明的效果]
根据本发明的处理液流通方法及处理液供给装置,能有效地减少处理液中包含的微粒。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的衬底处理装置的内部的俯视图。
图2是表示实施方式1的处理单元的内部的侧视图。
图3是表示实施方式1的处理液供给装置的构成的图。
图4是表示实施方式1的衬底处理方法的流程图。
图5是表示实施方式1的处理液供给装置的内循环准备动作的流程图。
图6是表示实施方式1的处理液供给装置的内循环准备动作的图。
图7是表示实施方式1的处理液供给装置的内循环动作的图。
图8是表示实施方式1的处理液供给装置的过滤器排液动作的图。
图9是表示实施方式1的处理液供给装置的外循环动作的流程图。
图10是表示实施方式1的处理液供给装置的外循环动作的图。
图11是表示实施方式1的处理液供给装置的处理液供给动作的图。
图12是表示实施方式1的泵的状态、第1压力、第2压力及差压的一例的图表。
图13是表示本发明的实施方式2的处理液供给装置的外循环动作的流程图。
图14是表示实施方式2的处理液供给装置的外循环排液动作的图。
具体实施方式
以下,一面参考附图一面对本发明的实施方式进行说明。另外,对图中相同或相当的部分标注相同的参考符号而不重复说明。另外,附图中,为了便于说明,适当记载三维正交坐标系(X、Y、Z)。而且,图中,X轴及Y轴与水平方向平行,Z轴与铅直方向平行。
(实施方式1)
首先,参考图1说明衬底处理装置100。图1是表示衬底处理装置100的内部的俯视图。图1所示的衬底处理装置100通过处理液处理衬底W。
衬底W例如为半导体晶圆、液晶显示装置用衬底、等离子显示器用衬底、场发射显示器(Field Emission Display:FED)用衬底、光盘用衬底、磁盘用衬底、磁光盘用衬底、光罩用衬底、陶瓷衬底或太阳能电池用衬底。
处理液例如为药液。药液例如为稀氢氟酸(DHF)、氢氟酸(HF)、氟硝酸(氟酸与硝酸(HNO3)的混合液)、缓冲氢氟酸(BHF)、氟化铵、HFEG(氟酸与乙二醇的混合液)、磷酸(H3PO4)、硫酸、乙酸、硝酸、盐酸、氨水、双氧水、有机酸(例如柠檬酸、草酸)、有机碱(例如,TMAH:四甲基氢氧化铵)、硫酸双氧水混合液(SPM)、氨双氧水混合液(SC1)、盐酸双氧水混合液(SC2)、异丙醇(IPA)、界面活性剂或防腐剂。
如图1所示,衬底处理装置100具备多个装载端口LP、传载机器人IR、中心机器人CR、多个处理单元1、控制装置2、多个流体箱3及处理液柜4。
装载端口LP各自积层并收纳多片衬底W。传载机器人IR在装载端口LP与中心机器人CR之间搬送衬底W。中心机器人CR在传载机器人IR与处理单元1之间搬送衬底W。处理单元1各自对衬底W供给处理液,并处理衬底W。流体箱3各自收纳流体机器。处理液柜4收纳处理液。
具体来说,多个处理单元1形成着多个俯视下以包围中心机器人CR的方式配置的塔TW(图1的例中4个塔TW)。各塔TW包含上下积层的多个处理单元1(图1的例中3个处理单元1)。多个流体箱3分别与多个塔TW对应。处理液柜4内的处理液经由任一个流体箱3,供给到与流体箱3对应的塔TW中包含的所有处理单元1。
控制装置2控制装载端口LP、传载机器人IR、中心机器人CR、处理单元1、流体箱3及处理液柜4。控制装置2例如为计算机。
控制装置2包含控制部21与存储部22。控制部21包含CPU(Central ProcessingUnit:中央处理单元)等处理器。存储部22包含存储装置,存储数据及计算机程序。具体来说,存储部22包含半导体存储器等主存储装置、与半导体存储器、固态驱动器及/或硬盘驱动器等辅助存储装置。存储部22也可包含可移除式媒体。存储部22相当于非暂时性的计算机能读取存储媒体的一例。
接着,参考图2说明处理单元1。图2是表示处理单元1的内部的侧视图。
如图2所示,处理单元1包含腔室11、旋转夹盘12、旋转马达13、喷嘴14、喷嘴移动部15、多个防护件16、待机箱17及喷嘴18。衬底处理装置100还具备处理液供给装置200、排液配管7、阀8、阀19及配管20。处理液供给装置200包含阀5与配管6。另外,排液配管7及阀8也能视为处理液供给装置200的构成要件。
腔室11具有大致箱形状。腔室11收纳旋转夹盘12、旋转马达13、喷嘴14、喷嘴移动部15、多个防护件16、待机箱17、喷嘴18、配管6的一部分、排液配管7的一部分及配管20的一部分。另外,例如,阀5、8、19也可收纳于腔室11。
旋转夹盘12保持衬底W。具体来说,旋转马达13使旋转夹盘12绕旋转轴线AX1旋转。因此,旋转夹盘12一边将衬底W水平保持,一边使衬底W绕旋转轴线AX1旋转。具体来说,旋转夹盘12包含旋转基座121及多个夹盘部件122。旋转基座121为大致圆板状,以水平的姿势支撑多个夹盘部件122。多个夹盘部件122以水平的姿势保持衬底W。
喷嘴14对衬底W喷出处理液。喷嘴移动部15使喷嘴14升降,或使喷嘴14绕转动轴线AX2水平转动。为了使喷嘴14升降,喷嘴移动部15例如包含滚珠螺杆机构、及对滚珠螺杆机构施加驱动力的电动马达。另外,为了使喷嘴14水平转动,喷嘴移动部15例如包含电动马达。
处理液供给装置200对喷嘴14供给处理液。具体来说,处理液供给装置200的配管6对喷嘴14供给处理液。因此,处理液在配管6中流动。阀5配置在配管6。而且,阀5将配管6的流路开闭,切换对喷嘴14的处理液供给及停止供给。
待机箱17配置在喷嘴14的待机位置的下方。待机位置表示相对于旋转轴线AX1比旋转夹盘12靠外侧的位置。待机箱17接收由位于待机位置的喷嘴14喷出的处理液。喷嘴移动部15使喷嘴14在待机位置与处理位置之间水平转动。喷嘴14的处理位置表示衬底W的上方的位置。喷嘴14在对衬底W喷出处理液之前,在待机位置执行预分配处理。预分配处理是指在对衬底W喷出处理液之前,向待机箱17喷出处理液的处理。另一方面,喷嘴14在处理位置向衬底W喷出处理液。
在待机箱17连接排液配管7。预分配处理中,待机箱17接收到的处理液通过排液配管7排出。排液配管7例如连接于排液槽。在排液配管7配置阀8。阀8将排液配管7的流路开闭,切换排液配管7的处理液的排出及停止排出。
喷嘴18向衬底W供给清洗液。结果,从衬底W冲洗处理液。清洗液例如为去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水、或稀释浓度(例如10ppm~100ppm左右)的盐酸水。
配管20对喷嘴18供给清洗液。因此,清洗液在配管20中流动。阀19配置在配管20。而且,阀19将配管20的流路开闭,切换对喷嘴18的清洗液的供给及停止供给。
各防护件16具有大致筒形状。各防护件16接住从衬底W排出的处理液或清洗液。
接着,参考图3,说明处理液供给装置200的细节。图3是表示处理液供给装置200的图。如图3所示,处理液供给装置200还包含:处理液槽30、加热器31、32、温度传感器33、泵34、脉冲阻尼器35、第1压力计P1、过滤器37、第2压力计P2、温度传感器39、40、第3压力计41、温度传感器42、阀44、45、46、47、48、49、流量调整机构50、外循环配管60、内循环配管61、排液配管62、配管63、排液配管64、及配管65、66。流量调整机构50包含阀38及阀43。另外,处理液供给装置200与多个处理单元1对应而包含多个配管6及多个阀5。
控制部21控制处理液供给装置200。具体来说,加热器31、32、泵34、阀5、8、44、45、46、47、48、49、及流量调整机构50由控制部21控制。另外,温度传感器33、39、40、42检测处理液的温度,并将表示检测出的温度的检测值输出到控制部21。此外,第1压力计P1、第2压力计P2及第3压力计41检测处理液的压力,并将表示检测出的压力的检测值输出到控制部21。
另外,例如,处理液槽30、加热器31、32、温度传感器33、泵34、脉冲阻尼器35、第1压力计P1、过滤器37、第2压力计P2、阀38、温度传感器39、阀44、45、46、47、48、49、外循环配管60的一部分、内循环配管61、排液配管62的一部分、配管63、排液配管64的一部分、配管65及配管66的一部分收纳于处理液柜4(图1)。
另一方面,例如,外循环配管60的一部分、温度传感器40、第3压力计41、温度传感器42、阀43、阀5及配管6的一部分收纳于流体箱3(图1)。
处理液槽30贮存处理液。配管66将处理液的新液补充到处理液槽30。阀49配置于配管66,将配管66的流路开闭。
外循环配管60的上游端70及下游端71连接于处理液槽30。外循环配管60包含第1流通配管601及第2流通配管602。第1流通配管601的一端连接于处理液槽30,第1流通配管601的另一端连接于过滤器37。第1流通配管601的一端是外循环配管60的上游端。第2流通配管602的一端连接于过滤器37,第2流通配管602的另一端连接于处理液槽30。第2流通配管602的另一端是外循环配管60的下游端。另外,为了简化附图而省略图示,但是多个第2流通配管602分别与多个塔TW(图1)对应而设置。而且,多个第2流通配管602在过滤器37的二次侧分支。
外循环配管60相当于本发明的“第1配管”的一例。
加热器31、加热器32、泵34、脉冲阻尼器35、第1压力计P1及过滤器37依序从上游朝向下游配置在外循环配管60(具体来说为第1流通配管601)。另外,过滤器37配置在外循环配管60的位置73。位置73位于比泵34下游的位置,且位于比分支位置74及流量调整机构50上游的位置。
加热器31、32将处理液槽30内的处理液加热,并调整处理液槽30内的处理液的温度。另外,在实施方式1中,处理液供给装置200具有串联连接的2个加热器31、32,但是可具有1个加热器,也可具有3个以上的加热器。
泵34将处理液槽30内的处理液送出到外循环配管60。具体来说,泵34将处理液槽30内的处理液送出到第1流通配管601。泵34在外循环配管60(具体来说为第1流通配管601)中,配置在比过滤器37及分支位置72上游。温度传感器33在加热器32与泵34之间的位置80处,检测流过第1流通配管601的处理液的温度。脉冲阻尼器35抑制从泵34送出的处理液的脉冲。
过滤器37捕捉通过过滤器37的处理液中包含的微粒。换句话说,过滤器37去除通过过滤器37的处理液中包含的微粒。进一步换句话说,过滤器37将处理液过滤。
例如,过滤器37具有大量孔(未图示)。然后,处理液通过过滤器37的孔。结果,通过过滤器37将处理液过滤。具体来说,处理液中包含的微粒在通过过滤器37的孔时,由划分孔的壁面吸附,而被捕捉到孔内。结果,从处理液中去除微粒。
例如,过滤器37包含PTFE(Polytetrafluoroethylene:聚四氟乙烯)亲水膜,作为过滤膜。PTFE亲水膜是将PTFE制的基材的表面亲水化而成的膜。
过滤器37的微粒的捕捉能力随着施加到过滤器37的压力的变动而变化。对过滤器37施加压力的状态与未对过滤器37施加压力的状态相比,能捕捉更小尺寸的微粒。而且,随着对过滤器37施加的压力增大,能捕捉更小尺寸的微粒。
第1压力计P1配置在过滤器37的一次侧。然后,第1压力计P1检测表示过滤器37的一次侧的压力的第1压力。第1压力计P1将表示第1压力的检测值输出到控制部21。控制部21取得表示第1压力的检测值,实时监视第1压力。第1压力计P1例如为压力传感器。
第1压力计P1相当于本发明的“第1压力检测部”的一例。
第2压力计P2配置在过滤器37的二次侧。然后,第2压力计P2检测表示过滤器37的二次侧的压力的第2压力。第2压力计P2将表示第2压力的检测值输出到控制部21。控制部21取得表示第2压力的检测值,实时监视第2压力。第2压力计P2例如为压力传感器。
第2压力计P2相当于本发明的“第2压力检测部”的一例。
以下,为了便于说明,有对第1压力标注与第1压力计P1相同的参考符号“P1”,对第2压力标注与第2压力计P2相同的参考符号的情况。
过滤器37在外循环配管60中配置在第1压力计P1与第2压力计P2之间。如果第1压力P1与第2压力P2的差压DF较大,那么与差压DF较小的情况相比,有由过滤器37捕捉到的微粒的一部分从过滤器37脱离而扩散到外循环配管60的情况。例如,差压DF在泵34的启动时,也就是驱动停止状态的泵34时,有变大的倾向。
具体来说,差压DF是从第1压力P1减去第2压力P2而得的值(DF=P1-P2)。所述情况下,例如,如果差压DF较大,那么与差压DF较小的情况相比,有由过滤器37捕捉到的微粒的一部分扩散到过滤器37的二次侧的情况。
因此,在实施方式1中,在驱动停止状态的泵34时,处理液供给装置200基于第1压力P1及第2压力P2的监视结果,使在比过滤器37下游的位置打开外循环配管60的流路后的差压DF小于在比过滤器37下游的位置打开外循环配管60的流路前的差压DF。因此,能抑制由过滤器37捕捉到的微粒因差压DF而扩散到过滤器37的二次侧。结果,能有效地减少处理液中包含的微粒。
流量调整机构50在比过滤器37下游处配置于外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)。流量调整机构50调整流过外循环配管60的处理液的流量。处理液的流量的调整不仅包含使流量增减,还包含使流量为零。因此,流量调整机构50将外循环配管60的流路闭合或开放,或增减处理液的流量。换句话说,流量调整机构50调整流过第2流通配管602的处理液的压力。进一步换句话说,流量调整机构50调整过滤器37的二次侧的压力。
具体来说,流量调整机构50的阀38在比过滤器37及第2压力计P2下游且比分支位置74上游处,配置于第2流通配管602(外循环配管60)。而且,阀38在过滤器37的二次侧,将第2流通配管602的流路闭合或开放。
阀43在比过滤器37、第2压力计P2及分支位置74下游的位置处,配置于第2流通配管602(外循环配管60)。阀43调整流过第2流通配管602的处理液的流量。换句话说,阀43调整流过第2流通配管602的处理液的压力。进一步换句话说,阀43调整过滤器37的二次侧的压力(第2压力P2)。阀43例如为马达针阀、背压阀或溢流阀。控制部21能连续性或阶段性地调整阀43的开度。开度表示阀43打开的程度。例如,阀43的开度越小,过滤器37的二次侧的压力(第2压力P2)越大。另外,在阀43能将第2流通配管602的流路闭合及开放的情况下,例如,流量调整机构50也可不具有阀38。
温度传感器39在比过滤器37及阀38下游的位置81,检测流过第2流通配管602(外循环配管60)的处理液的温度。温度传感器40在比温度传感器39下游的位置82,检测流过第2流通配管602(外循环配管60)的处理液的温度。位置82位于比分支位置74上游的位置。
第3压力计41在阀43的一次侧的位置83,检测流过第2流通配管602(外循环配管60)的处理液的压力。位置83位于比分支位置74下游的位置。温度传感器42在阀43的一次侧的位置84,检测流过第2流通配管602(外循环配管60)的处理液的温度。位置84位于比分支位置74下游的位置。
在第2流通配管602(外循环配管60)的多个分支位置74分别连接多个配管6。而且,配管6从分支位置74延伸到喷嘴14。分支位置74位于比过滤器37下游的位置,且位于比阀43上游的位置。
内循环配管61从第1流通配管601(外循环配管60)的分支位置72延伸到处理液槽30。分支位置72位于比泵34下游,且比过滤器37上游的位置。阀44配置在内循环配管61。而且,阀44将内循环配管61的流路开闭。
内循环配管61相当于本发明的“第2配管”的一例。
排液配管62从过滤器37延伸。排液配管62是用来排出存在于过滤器37的内部(具体来说是内部一次侧)的处理液的配管。具体来说,排液配管62的一端连接于过滤器37的内部的一次侧空间,排液配管62的另一端例如连接于排液槽。阀45配置在排液配管62。而且,阀45将排液配管62的流路开闭。
排液配管62相当于本发明的“第1排液配管”的一例。
排液配管64从过滤器37延伸。排液配管64是用来排出存在于过滤器37的内部(具体来说是内部二次侧)的处理液的配管。具体来说,排液配管64的一端连接于过滤器37的内部的二次侧空间,排液配管64的另一端例如连接于排液槽。阀46配置在排液配管64。而且,阀46将排液配管64的流路开闭。
配管63从过滤器37延伸到处理液槽30。配管63是用来去除成为产生微粒的原因的过滤器37的内部(具体来说是内部一次侧)的气泡的配管。具体来说,配管63的一端连接于过滤器37的内部的一次侧空间,配管63的另一端连接于处理液槽30。阀47配置在配管63。而且,阀47将配管63的流路开闭。
配管65从过滤器37延伸到处理液槽30。配管65是用来去除成为产生微粒的原因的过滤器37的内部(具体来说是内部二次侧)的气泡的配管。具体来说,配管65的一端连接于过滤器37的内部的二次侧空间,配管65的另一端连接于处理液槽30。阀48配置在配管65。而且,阀48将配管65的流路开闭。
接着,参考图1~图11,说明实施方式1的衬底处理方法。图4是表示实施方式1的衬底处理方法的流程图。图5是表示图4的步骤S2中的内循环准备动作的流程图。
图6是表示处理液供给装置200的内循环准备动作的图。图7是表示处理液供给装置200的内循环动作的图。图8是表示处理液供给装置200的过滤器排液动作的图。图9是表示处理液供给装置200的外循环动作的流程图。图10是表示处理液供给装置200的外循环动作的图。图11是表示处理液供给装置200的处理液供给动作的图。
本说明书中,在表示阀(例如阀5、8、38、43、44、45、46、47、48、49)的记号中,白色表示阀关闭,黑色表示阀打开。另外,在表示泵34的记号中,白色三角形表示泵34停止,黑色三角形表示泵34正在驱动中。此外,由粗线表示处理液的流通路径。
如图4所示,实施方式1的衬底处理方法包含步骤S1~步骤S10。衬底处理方法依照控制部21的控制由衬底处理装置100执行。尤其,步骤S1~S5构成处理液流通方法。处理液流通方法依照控制部21的控制由处理液供给装置200执行。在处理液流通方法中,使供给到对衬底W喷出处理液的喷嘴14的处理液流通。具体来说,在处理液流通方法中,使供给到对衬底W喷出处理液的喷嘴14的处理液循环。
如图3及图4所示,首先,在步骤S1中,控制部21开始监视第1压力P1及第2压力P2。也就是说,控制部21开始从第1压力计P1取得表示第1压力P1的检测值,且开始从第2压力计P2取得表示第2压力P2的检测值。步骤S1相当于本发明的“监视步骤”的一例。
接着,在步骤S2中,处理液供给装置200执行内循环准备动作。内循环准备动作在步骤S3的内循环动作之前执行,是用来准备内循环的动作。内循环表示使处理液槽30的处理液通过内循环配管61而循环,且使处理液的温度达到目标温度。
具体来说,如图5所示,步骤S2(内循环准备动作)包含步骤S201及步骤S202。
首先,如图5及图6所示,在步骤S201中,控制部21驱动停止状态的泵34。所述情况下,例如,控制部21设定第1目标输出值TG1,作为泵34的目标输出值。目标输出值是为了使泵34实现目标喷出压力而设定于泵34的设定值。设定的目标输出值越大,目标喷出压力也越大。例如,在泵34为离心泵及螺旋泵等非容积式泵的情况下,目标输出值由叶轮及螺旋桨等旋转体的转速表示。例如,在泵34为往复移动泵等容积式泵的情况下,目标输出值由往复移动的要件的行程长度及/或行程数表示。往复移动泵例如为膈膜泵。步骤S201相当于本发明的“驱动步骤”的一例。
接着,如图5及图6所示,在步骤S202中,控制部21打开阀38、44、47、48,且关闭阀5、8、43、45、46。由于阀38打开,所以开放内循环配管61的流路。结果,处理液在内循环配管61中流动。
例如,控制部21在第1压力P1达到目标压力P11时,结束步骤S202。然后,处理返回到图4的主程序。另外,控制部21也可只在规定准备期间,使处理液供给装置200继续步骤S2的内循环准备动作。例如实验性及/或经验性地预设规定准备期间。
接着,如图4及图7所示,在步骤S3中,处理液供给装置200使处理液进行内循环。步骤S3相当于本发明的“循环步骤”的一例。步骤S3也能记载为内循环步骤。
具体来说,在步骤S3中,如图7所示,控制部21打开阀44,且关闭阀5、8、38、43、45、46、47、48。结果,贮存在处理液槽30的处理液通过第1流通配管601及内循环配管61循环,而执行内循环。所述情况下,控制部21一边监视由温度传感器33检测出的处理液的温度,一边以使内循环的处理液的温度成为目标温度的方式,控制加热器31、32。当内循环的处理液的温度达到目标温度时,处理进行到步骤S4。另外,控制部21也可只在规定内循环期间,使处理液供给装置200执行处理液的内循环。例如实验性及/或经验性地预设规定内循环期间。
也就是说,在步骤S3中,控制部21在步骤S2(步骤S201、S202)之后且在步骤S4及步骤S5之前,通过利用阀44打开内循环配管61的流路,而使处理液在内循环配管61中循环。因此,在实施方式1中,能在步骤S5(外循环动作)之前,使处理液的温度达到目标温度。结果,能将外循环中的处理液迅速地供给到喷嘴14。
接着,如图4及图8所示,在步骤S4中,处理液供给装置200将过滤器37的内部的处理液排出到排液配管62。在图8的示例中,处理液供给装置200将存在于过滤器37的内部的一次侧空间中的处理液排出到排液配管62。步骤S4相当于本发明的“第1排液步骤”的一例。
具体来说,在步骤S4中,如图8所示,控制部21在关闭阀5、8、38、43、44、46、47、48的状态下,只在第1排液期间打开阀45。因此,在第1排液期间,将过滤器37的内部的处理液排出到排液配管62。结果,处理液中的微粒也从排液配管62排出。另外,例如实验性及/或经验性地预设第1排液期间。
也就是说,在步骤S4中,在步骤S3之后且在步骤S5之前,控制部21通过打开阀45而将处理液排出到排液配管62。因此,能通过排液配管62排出存在于比过滤器37靠一次侧的微粒、及存在于过滤器37的内部(内部一次侧)的微粒。结果,能有效地减少处理液中包含的微粒。
另外,例如,在步骤S4中,控制部21也可在打开阀45的同时、在打开阀45之后或在打开阀45之前,只在固定期间打开阀46。所述情况下,能通过排液配管64排出存在于过滤器37的内部(内部二次侧)的微粒。结果,能更有效地减少处理液中包含的微粒。
接着,如图4及图10所示,在步骤S5中,处理液供给装置200使处理液进行外循环。外循环表示通过外循环配管60使处理液循环。因此,在步骤S5中,处理液在外循环配管60中循环。步骤S5相当于本发明的“流通步骤”的一例。步骤S5能记载为外循环步骤。
具体来说,如图9所示,步骤S5(外循环动作)包含步骤S501~步骤S503。
首先,如图9及图10所示,在步骤S501中,控制部21将泵34的目标输出值从第1目标输出值TG1变更为第2目标输出值TG2。第2目标输出值TG2大于第1目标输出值TG1。也就是说,在步骤S501(步骤S5)中,控制部21将设定于泵34的目标输出值设定为比在步骤S2~步骤S4中设定于泵34的目标输出值(第1目标输出值TG1)大的值。例如,在步骤S501(步骤S5)中,控制部21将设定于泵34的目标输出值设定为比在使处理液在内循环配管61中循环时设定于泵34的目标输出值(第1目标输出值TG1)大的值。
接着,在步骤S502中,控制部21以打开关闭状态的外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)的流路的方式,控制流量调整机构50(阀38、43)。具体来说,在驱动泵34的状态下,控制部21以打开关闭状态的外循环配管60的流路的方式,控制流量调整机构50。因此,流量调整机构50通过打开关闭状态的外循环配管60的流路,而使处理液在外循环配管60中循环。更具体来说,如图10所示,控制部21打开阀38、43,且关闭阀5、8、44、45、46、47、48。结果,贮存在处理液槽30的处理液通过外循环配管60而循环。继续处理液的外循环,直到控制部21受理外循环的停止指示为止。
接着,在步骤S503中,控制部21通过流量调整机构50的阀43,调整第1压力P1与第2压力P2的差压DF。具体来说,控制部21以基于第1压力P1及第2压力P2的监视结果(步骤S1),使打开外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)的流路后的第1压力P1与第2压力P2的差压DF,小于打开外循环配管60的流路前的第1压力P1与第2压力P2的差压DF的方式,控制流量调整机构50的阀43。
因此,阀43通过基于第1压力P1及第2压力P2的监视结果(步骤S1),调整过滤器37的二次侧的压力也就是第2压力P2,而使打开外循环配管60的流路后的差压DF小于打开外循环配管60的流路前的差压DF。因此,能抑制由过滤器37捕捉到的微粒因差压DF而扩散到过滤器37的二次侧。结果,能有效地减少处理液中包含的微粒。步骤S503相当于本发明的“差压调整步骤”的一例。
尤其,在实施方式1中,由于基于第1压力P1及第2压力P2的监视结果(步骤S1)而调整差压DF,所以与不监视第1压力P1及第2压力P2的情况(不检测的情况)相比,能更高精度地调整差压DF。
另外,在实施方式1中,“打开外循环配管60的流路后”表示“打开第2流通配管602的流路后”或“在比过滤器37下游的位置打开外循环配管60的流路后”。
尤其,在实施方式1中,使处理液进行外循环时的差压DF(也就是处理液在外循环配管60中循环时的差压DF)小于打开外循环配管60的流路前的差压DF(处理液进行外循环前的压差DF)。因此,能抑制由过滤器37捕捉到的微粒因差压DF而扩散到外循环配管60。
更详细来说,作为一例,控制部21也可以使打开外循环配管60的流路后的差压DF(也就是处理液在外循环配管60中循环时的差压DF)小于步骤S3中的差压DF(也就是处理液在内循环配管61中循环时的差压DF)的方式,控制流量调整机构50的阀43。
另外,例如,在步骤S503中,也可以基于第1压力P1及第2压力P2的监视结果(步骤S1),使打开外循环配管60的流路后的差压DF(也就是处理液在外循环配管60中循环时的差压DF)进入规定范围RG内的方式,调整差压DF。具体来说,控制部21也可以使打开外循环配管60的流路后的差压DF进入规定范围RG内的方式,控制阀43。
所述情况下,阀43通过调整过滤器37的二次侧的压力也就是第2压力P2,而将打开外循环配管60的流路后的差压DF调整到规定范围RG内。规定范围RG内的差压DF小于打开外循环配管60的流路前的差压DF。例如,规定范围RG内的差压DF小于步骤S3中的差压DF。根据实施方式1,通过使打开外循环配管60的流路后的差压DF落在规定范围RG内,能进一步抑制由过滤器37捕捉到的微粒因差压DF而扩散到过滤器37的二次侧。
规定范围RG例如优选为包含零。或者,规定范围RG例如设定为相对于基准值±K的范围、或相对于基准值±Q%的范围。“K”及“Q”为正实数。
优选为控制部21以使过滤器37的二次侧的第2压力P2与过滤器37的一次侧的第1压力P1大致相同的方式,使阀43调整第2压力P2。根据所述优选的示例,差压DF大致为零。也就是说,控制部21以使差压DF大致为零的方式,使阀43调整第2压力P2。因此,能更有效地抑制由过滤器37捕捉到的微粒因差压DF而扩散到过滤器37的二次侧。结果,能更有效地减少处理液中包含的微粒。
这里,步骤S503可在处理液执行外循环的期间中持续执行,也可从步骤S502开始时(外循环开始时)起只执行规定调整期间。例如实验性及/或经验性地预设规定调整期间。或者,步骤S503例如也可从步骤S502开始时(外循环开始时)起,执行到第1压力P1达到目标压力P12(后述图12)时为止。或者,例如,步骤S503也可从步骤S502开始时(外循环开始时)起,执行到第2压力P2达到目标压力P20(后述图12)为止。目标压力P12及目标压力P20大于步骤S2中的第1压力P1的目标值也就是目标压力P11(也就是步骤S3中的内循环时的第1压力P1)(后述图12)。另外,为了使差压DF大致为零,优选为目标压力P12与目标压力P20大致相同。
接着,如图1、图2及图4所示,在步骤S6中,中心机器人CR将衬底W搬入到处理单元1。而且,在处理单元1中,旋转夹盘12保持衬底W。此外,旋转马达13通过使旋转夹盘12旋转,而使衬底W旋转。
接着,如图2、图4及图11所示,在步骤S7中,处理液供给装置200从外循环配管60经由配管6对喷嘴14供给处理液。结果,喷嘴14将处理液喷出到衬底W。然后,通过处理液处理衬底W。另外,步骤S7也可包含在实施方式1的处理液流通方法中。
具体来说,如图11所示,控制部21在打开阀38、43的状态,且关闭阀8、44、45、46、47、48的状态下,只在规定处理期间打开阀5。结果,在规定处理期间,将在外循环配管60中流动的处理液从配管6供给到喷嘴14。然后,在规定处理期间,喷嘴14对衬底W喷出处理液。从打开阀5起经过规定处理期间后,关闭阀5,停止从喷嘴14喷出处理液。另外,规定处理期间根据衬底W的处理目的而预设。
也就是说,在步骤S7中,处理液供给装置200在执行处理液的外循环的状态下,也就是处理液在外循环配管60中循环的状态下,从外循环配管60对喷嘴14供给处理液。例如,在步骤S7中,处理液供给装置200在继续执行步骤S503的差压调整的过程中,或在步骤S503的差压调整之后,从外循环配管60对喷嘴14供给处理液。然后,通过喷嘴14将供给到喷嘴14的处理液喷出到衬底W。结果,能通过已减少微粒的处理液处理衬底W。
接着,如图2及图4所示,在步骤S8中,喷嘴18将清洗液喷出到衬底W。结果,衬底W上的处理液由清洗液冲洗。
具体来说,如图2所示,在打开阀19时,喷嘴18将清洗液喷出到衬底W。从打开阀19起经过规定清洗期间后,关闭阀19,停止从喷嘴18喷出清洗液。另外,例如实验性及/或经验性地预设规定清洗期间。
接着,如图2及图4所示,在步骤S9中,通过衬底W的高速旋转使衬底W干燥。
具体来说,旋转马达13使衬底W朝旋转方向加速,且使衬底W以比步骤S7及步骤S8中的衬底W的旋转速度大的高旋转速度旋转。结果,从衬底W去除液体,衬底W干燥。从开始衬底W的高速旋转起经过规定干燥期间后,旋转马达13停止旋转。然后,停止衬底W的旋转。另外,例如实验性及/或经验性地预设规定干燥期间。
接着,如图1、图2及图4所示,在步骤S10中,中心机器人CR从处理单元1搬出衬底W。也就是说,从腔室11搬出已处理的衬底W。然后,衬底处理方法结束。
以上,如参考图9及图10所说明,根据实施方式1,在步骤S503中,使外循环开始后的差压DF小于外循环开始前的差压DF。结果,能有效地抑制微粒因差压DF而从过滤器37扩散。
另外,在实施方式2中,在步骤S501中,将外循环时设定于泵34的目标输出值设定为比内循环时设定于泵34的目标输出值大的值。因此,在步骤S7(图4)中,能确保足够使喷嘴18对衬底W喷出处理液的喷出压力。
接着,参考图6~图8及图10~图12,说明泵34的状态、第1压力P1、第2压力P2及差压DF的一例。图12是表示泵34的状态、第1压力P1、第2压力P2及差压DF的一例的图表。另外,图2并非严格的图表,而是为了说明用来便于理解的概略而参考的。
如图12所示,图表GP1~GP4的横轴表示时间。图表GP1的纵轴表示泵34的状态。图表GP2的纵轴表示过滤器37的一次侧的第1压力P1。图表GP3的纵轴表示过滤器37的二次侧的第2压力P2。图表GP4的纵轴表示第1压力P1与第2压力P2的差压DF。
如图6及图表GP1所示,在时刻t1,驱动断开状态(停止状态)的泵34,开始内循环准备动作(步骤S2)。所述情况下,将泵34的目标输出值设定为第1目标输出值TG1。另外,在时刻t1,阀44打开内循环配管61的流路。因此,如图表GP2所示,在从时刻t1到时刻t2的期间T1,第1压力P1上升。然后,在时刻t2,第1压力P1达到目标压力P11。在期间T1,执行图6所示的内循环准备动作(步骤S2)。
另一方面,如图6及图表GP3所示,在期间T1,由于阀43将外循环配管60的第2流通配管602闭合,所以第2压力P2大致为零。因此,如图表GP4所示,在期间T1,差压DF与第1压力P1同样地上升。
接着,如图7及图12所示,在时刻t2,在保持阀44打开内循环配管61的流路的状态下,关闭阀38、47、48,由此开始内循环动作(步骤S3)。内循环动作在从时刻t2到时刻t3的期间T2执行。而且,如图表GP2所示,在期间T2,第1压力P1大致维持目标压力P11,且大致固定。
另一方面,如图7及图表GP3所示,在期间T2,由于阀38将外循环配管60的第2流通配管602闭合,所以第2压力P2大致为零。因此,如图表GP4所示,在期间T2,差压DF与第1压力P1同样为大致固定。
接着,如图8及图12所示,在时刻t3,阀44关闭内循环配管61的流路,且阀45打开排液配管62的流路,由此开始过滤器排液动作(步骤S4)。过滤器排液动作是将处理液从过滤器37排出到排液配管62的动作。过滤器排液动作在从时刻t3到时刻t4的期间T3执行。而且,如图表GP3所示,在期间T3,通过执行来自过滤器37的排液,第1压力P1下降。
另一方面,如图8及图表GP3所示,在期间T3,由于阀38将外循环配管60的第2流通配管602闭合,所以第2压力P2大致为零。因此,如图表GP4所示,在期间T3,差压DF随着第1压力P1的下降而下降。
接着,如图10及图12所示,在时刻t4,阀45关闭排液配管62的流路,且阀38、43打开外循环配管60的第2流通配管602的流路,由此开始外循环动作(步骤S5)。外循环动作在时刻t4之后的期间T4执行。尤其,在时刻t4,将泵34的目标输出值设定为第2目标输出值TG2。第2目标输出值TG2大于第1目标输出值TG1。
具体来说,在时刻t4到时刻5的期间T41,第1压力P1上升。然后,在时刻t5,第1压力P1达到目标压力P12。
另一方面,如图10及图表GP3、GP4所示,在期间T41,阀43通过使第2压力P2上升,而使外循环开始后的差压DF小于外循环开始前的差压DF。在图表GP3、GP4的示例中,在期间T41,阀43通过使第2压力P2上升,而在外循环开始后使差压DF大致为零。另外,在时刻t5,第2压力P2达到目标压力P20。在图表GP3、GP4的示例中,第1压力P1的目标压力P12与第2压力P2的目标压力P20大致相同。
此外,如图表GP3、GP4所示,在从时刻t5到时刻t6的期间T42,第1压力P1维持目标压力P12,第2压力P2维持目标压力P20。在期间T42,如图表GP4所示,差压DF大致为零。
此外,如图表GP3、GP4所示,在从时刻t6到时刻t7的期间T43,控制部21通过变更阀43的开度,而使第1压力P1及第2压力P2下降,从而将第1压力P1设定为目标压力P13,且将第2压力P2设定为目标压力P21。例如,在时刻t6,通过增大阀43的开度,而使第1压力P1及第2压力P2下降。另外,如图表GP2所示,目标压力P13小于目标压力P12,且大于目标压力P11。如图表GP3所示,目标压力P21小于目标压力P20。另外,在图表GP3、GP4的示例中,目标压力P13与目标压力P21大致相同。在期间T43,如图表GP4所示,差压DF大致为零。
如图11及图表GP3、GP4所示,在时刻t7以后,打开阀5,从外循环配管60对配管6供给处理液。结果,喷嘴18对衬底W喷出处理液。所述情况下,在时刻t7以后,如图表GP4所示,差压DF大致为零。因此,抑制微粒因差压DF而从过滤器37扩散。结果,能有效地减少喷嘴18对衬底W喷出的处理液中包含的微粒。
(实施方式2)
参考图4、图13及图14,说明本发明的实施方式2的衬底处理装置100。实施方式2与实施方式1的不同点主要在于,在实施方式2中进行外循环排液。另外,实施方式2的衬底处理装置100及处理单元1的全体构成分别与参考图1及图2所说明的实施方式1的衬底处理装置100及处理单元1的全体构成相同。此外,实施方式2的处理液供给装置200的全体构成与参考图3所说明的实施方式1的处理液供给装置200的全体构成相同。另外,实施方式2的衬底处理方法的全体构成与参考图4所说明的实施方式1的衬底处理方法的全体构成相同。因此,在实施方式2的说明中,适当参考图4。以下,主要说明实施方式2与实施方式1的不同点。
首先,参考图4说明衬底处理方法。如图4所示,实施方式2的衬底处理方法与实施方式1同样,包含步骤S1~步骤S10。另外,与实施方式1同样,步骤S1~S5构成实施方式2的处理液流通方法。
实施方式2的步骤S1~步骤S4分别与实施方式1的步骤S1~步骤S4相同。另外,实施方式2的步骤S6~步骤S10分别与实施方式1的步骤S6~步骤S10相同。此外,实施方式2的步骤S5在处理液供给装置200使处理液进行外循环这点上,与实施方式1的步骤S5相同。但是,实施方式2与实施方式1的不同点主要在于,执行外循环排液。
接着,参考图13及图14,说明实施方式2的步骤S5的外循环动作。图13是表示在实施方式2的图4的步骤S5中执行的外循环动作的流程图。图14是表示实施方式2的处理液供给装置200的外循环排液动作的图。如图14所示,实施方式2的处理液供给装置200还包含阀51、阀52及排液配管53。排液配管53在比阀43下游处从第2流通配管602分支。阀51配置在排液配管53,将排液配管53的流路开闭。阀52在比阀43下游处配置于第2流通配管602,且将第2流通配管602的流路开闭。实施方式2中,在步骤S1~步骤S4及步骤S6~步骤S10中,阀51关闭。另外,在步骤S1~步骤S4中,阀52关闭。这样,实施方式2的处理液供给装置200的构成与图3不同,但是在以下说明中,为了便于理解而适当参考图3。
如图13所示,实施方式2的步骤S5(外循环动作)包含步骤S601~步骤S604。
首先,如图3及图13所示,在步骤S601中,控制部21将泵34的目标输出值从第1目标输出值TG1变更为第2目标输出值TG2(TG2>TG1)。这点与图9的步骤S501同样。但是,在步骤S601中,图15的阀51、52被关闭。
接着,如图13及图14所示,在步骤S602中,开始从外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)向排液配管53排出处理液。也就是说,通过步骤S602,将处理液排出到从外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)延伸的排液配管53。步骤S602相当于本发明的“第2排液步骤”的一例。另外,排液配管53相当于本发明的“第2排液配管”的一例。
具体来说,如图14所示,控制部21打开流量调整机构50的阀38、43。此外,控制部21在关闭阀52的状态下,只在第2排液期间打开阀51。因此,流过外循环配管60(第2流通配管602)的处理液与微粒一起从排液配管53排出。结果,能有效地减少供给到衬底W的处理液中包含的微粒。另一方面,由于阀52关闭,所以处理液不在外循环配管60中循环。另外,例如实验性及/或经验性地预设第2排液期间。当经过第2排液期间后,处理进行到步骤S603。
接着,在步骤S603中,控制部21停止从外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)向排液配管53排出处理液,开始外循环。具体来说,控制部21在打开阀38、43的状态下,关闭阀51且打开阀52。因此,停止处理液的排出,贮存在处理液槽30的处理液通过外循环配管60而循环。
接着,在步骤S604中,控制部21通过流量调整机构50的阀43,调整第1压力P1与第2压力P2的差压DF。具体来说,控制部21以使打开外循环配管60(具体来说为第2流通配管602)的流路后的差压DF小于打开外循环配管60的流路前的差压DF的方式,控制流量调整机构50的阀43。步骤S604可在处理液执行外循环的期间中持续执行,也可从步骤S603的外循环开始时起只执行规定调整期间。此外,步骤S604与图9的步骤S503同样。步骤S604相当于本发明的“差压调整步骤”的一例。
以上,如参考图13所说明,根据实施方式2的衬底处理方法,在步骤S604中,使外循环开始后的差压DF小于外循环开始前的差压DF。结果,能有效地抑制微粒因差压DF而从过滤器37扩散。
以上,已参考附图对本发明的实施方式进行说明。但是,本发明不限于所述实施方式,能在不脱离其主旨的范围内以各种形态实施。另外,能适当改变所述实施方式所揭示的多个构成要件。例如,可将某实施方式所示的所有构成要件中的某构成要件追加到另外实施方式的构成要件中,或者,也可从实施方式删除某实施方式所示的所有构成要件中的若干个构成要件。
为了容易理解发明,附图示意性表示各个构成要件,图示的各构成要件的厚度、长度、个数、间隔等是为了便于制作附图而作,有与实际不同的情况。另外,所述实施方式所示的各构成要件的构成为一例,并无特别限定,当然,能在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。
(1)在实施方式1、2中,图4所示的处理液流通方法只要至少包含步骤S1、步骤S5及步骤S201(图5)即可。这是因为能有效去除处理液中包含的微粒。因此,处理液流通方法也可不包含步骤S2(步骤S201除外)、步骤S3及步骤S4。但是,处理液流通方法也可包含步骤S2~步骤S4中的1个以上的步骤。另外,图9中,例如只要在步骤S502之后执行步骤S503,那么步骤S501~步骤S503的顺序无特别限定。另外,图9中,例如也可大致同时执行步骤S501~步骤S503。此外,图13中,例如也可在步骤S4之后执行步骤S2、S3。但是,所述情况下,在执行步骤S4之前开始外循环。
(2)在图4所示的处理液流通方法中,也可在将设定于泵34的目标输出值设定为比内循环时设定于泵34的目标输出值小的值后,执行步骤S5的外循环。所述情况下,在执行步骤S5的外循环之前,第1压力P1根据泵34的目标输出值的降低而降低,第1压力P1与第2压力P2的差压DF也降低。结果,能更有效地抑制微粒因差压DF而从过滤器37扩散。
例如,在步骤S3中停止内循环之前,控制部21将泵34的目标输出值从第1目标输出值TG1变更为第3目标输出值TG3,在变更目标输出值后停止内循环。或者,例如,在步骤S4中停止来自过滤器37的排液之前,控制部21将泵34的目标输出值从第1目标输出值TG1变更为第3目标输出值TG3,在变更目标输出值后停止排液。第3目标输出值TG3小于第1目标输出值TG1(图12)。
(3)在图13的步骤S602中,控制部21也可打开阀5、8、38、43、52,并关闭阀51。所述情况下,执行预分配处理,由喷嘴14对待机箱17喷出处理液。因此,流过外循环配管60的处理液与微粒一起经由喷嘴14及待机箱17排出到配管6。然后,在图13的步骤S603中,控制部21关闭阀5、8。结果,执行处理液的外循环。
(4)在实施方式1、2中,使设定于泵34的目标输出值变化,但是在图4的步骤S1~步骤S10中,设定于泵34的目标输出值也可为固定。
(5)在实施方式1、2中,差压DF是从第1压力P1减去第2压力P2而得的值(DF=P1-P2)。但是,差压DF也可为第1压力P1与第2压力P2的差量的绝对值。
[产业上的可利用性]
本发明涉及一种处理液流通方法及处理液供给装置,具有产业上的可利用性。
[符号的说明]
14喷嘴
21控制部
30处理液槽
34泵
37过滤器
50流量调整机构
53排液配管(第2排液配管)
60外循环配管(第1配管)
61内循环配管(第2配管)
62排液配管(第1排液配管)
200处理液供给装置
P1第1压力计(第1压力检测部)
P2第2压力计(第2压力检测部)
W衬底。
Claims (8)
1.一种处理液流通方法,用来使供给到对衬底喷出处理液的喷嘴的所述处理液流通;
且包含以下步骤:
监视步骤,监视第1压力与第2压力,且所述第1压力表示配置在第1配管且捕捉所述处理液中包含的微粒的过滤器的一次侧的压力,所述第2压力表示所述过滤器的二次侧的压力;
驱动步骤,驱动配置在比所述过滤器上游并将所述处理液送出到所述第1配管的泵;及
流通步骤,在驱动所述泵的状态下,通过在比所述过滤器下游的位置打开关闭状态的所述第1配管的流路,而使所述处理液在所述第1配管中流通;且
所述流通步骤包含差压调整步骤,且所述差压调整步骤基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果,使打开所述第1配管的流路后的所述第1压力与所述第2压力的差压,小于打开所述第1配管的流路前的所述第1压力与所述第2压力的差压。
2.根据权利要求1所述的处理液流通方法,其中
所述第1配管的一端及另一端连接于贮存所述处理液的处理液槽;
在所述流通步骤中,所述处理液在所述第1配管中循环;
在所述差压调整步骤中,通过基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果调整所述过滤器的二次侧的压力,而使打开所述第1配管的流路后的所述差压小于打开所述第1配管的流路前的所述差压。
3.根据权利要求2所述的处理液流通方法,其中
在所述驱动步骤之后且所述流通步骤之前还包含循环步骤,且所述循环步骤通过打开从所述第1配管延伸到所述处理液槽的第2配管的流路,而使所述处理液在所述第2配管中循环。
4.根据权利要求3所述的处理液流通方法,其中
在所述循环步骤之后且所述流通步骤之前还包含第1排液步骤,所述第1排液步骤将所述处理液排出到从所述过滤器延伸的第1排液配管。
5.根据权利要求3或4所述的处理液流通方法,其中
在所述流通步骤中,将设定于所述泵的目标输出值设定为比在所述第2配管中使所述处理液循环时设定于所述泵的目标输出值大的值。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的处理液流通方法,其中
所述流通步骤包含将所述处理液排出到从所述第1配管延伸的第2排液配管的第2排液步骤。
7.根据权利要求1到6中任一权利要求所述的处理液流通方法,其中
在所述差压调整步骤中,以使打开所述第1配管的流路后的所述差压进入规定范围内的方式调整所述差压。
8.一种处理液供给装置,向对衬底喷出处理液的喷嘴供给所述处理液;且具备:
第1配管,供所述处理液流动;
过滤器,配置在所述第1配管,捕捉所述处理液中包含的微粒;
第1压力检测部,检测表示所述过滤器的一次侧的压力的第1压力;
第2压力检测部,检测表示所述过滤器的二次侧的压力的第2压力;
泵,配置在比所述过滤器上游并将所述处理液送出到所述第1配管;
流量调整机构,在比所述过滤器下游处配置于所述第1配管,调整流过所述第1配管的所述处理液的流量;及
控制部,控制所述流量调整机构;且
所述控制部
驱动停止状态的所述泵,
以在驱动所述泵的状态下,打开关闭状态的所述第1配管的流路的方式,控制所述流量调整机构,
以基于所述第1压力及所述第2压力的监视结果,使打开所述第1配管的流路后的所述第1压力与所述第2压力的差压,小于打开所述第1配管的流路前的所述第1压力与所述第2压力的差压方式,控制所述流量调整机构。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021065941A JP2022161268A (ja) | 2021-04-08 | 2021-04-08 | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 |
JP2021-065941 | 2021-04-08 | ||
PCT/JP2022/012647 WO2022215497A1 (ja) | 2021-04-08 | 2022-03-18 | 処理液流通方法、及び、処理液供給装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN117121165A true CN117121165A (zh) | 2023-11-24 |
Family
ID=83545336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202280024926.7A Pending CN117121165A (zh) | 2021-04-08 | 2022-03-18 | 处理液流通方法及处理液供给装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022161268A (zh) |
KR (1) | KR20230165333A (zh) |
CN (1) | CN117121165A (zh) |
TW (1) | TWI818479B (zh) |
WO (1) | WO2022215497A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2024209927A1 (ja) * | 2023-04-04 | 2024-10-10 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置、および、基板処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5741549B2 (ja) * | 2012-10-09 | 2015-07-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給方法、処理液供給装置及び記憶媒体 |
KR102141271B1 (ko) * | 2014-05-28 | 2020-08-04 | 엔테그리스, 아이엔씨. | 정밀 시스템 및 용도에서 모터-구동식 부품을 위한 백래시 방지 메커니즘 |
JP6983008B2 (ja) | 2017-08-28 | 2021-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置および液処理方法 |
JP7312656B2 (ja) * | 2019-09-24 | 2023-07-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
CN115769346A (zh) * | 2020-07-06 | 2023-03-07 | 东京毅力科创株式会社 | 液处理装置和液处理方法 |
-
2021
- 2021-04-08 JP JP2021065941A patent/JP2022161268A/ja active Pending
-
2022
- 2022-03-18 WO PCT/JP2022/012647 patent/WO2022215497A1/ja active Application Filing
- 2022-03-18 CN CN202280024926.7A patent/CN117121165A/zh active Pending
- 2022-03-18 KR KR1020237038191A patent/KR20230165333A/ko unknown
- 2022-03-23 TW TW111110711A patent/TWI818479B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI818479B (zh) | 2023-10-11 |
TW202249101A (zh) | 2022-12-16 |
WO2022215497A1 (ja) | 2022-10-13 |
JP2022161268A (ja) | 2022-10-21 |
KR20230165333A (ko) | 2023-12-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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