TWI816884B - 基板處理裝置及方法 - Google Patents

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福山博則
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Abstract

一種基板處理裝置包括：容器，包括貯存器；及滾筒，相對於該容器可旋轉地安裝。該滾筒的外周邊的一部分定位在該貯存器中。該外周邊包括第一凹槽，該第一凹槽包括比該第一凹槽的深度大至少兩倍的寬度。此外，還揭露了用該基板處理裝置處理基板的方法。

Description

基板處理裝置及方法
此申請案主張於2018年9月27日所提出的第62/737,150號美國臨時專利申請案的優先權權益，該申請案的整體內容在本文中如同在下文中被完全闡述般地以引用方式依附及併入本文中。
本揭示內容大體係關於用於處理基板的方法，且更詳細而言係關於用於用包括滾筒的基板處理裝置來處理基板的方法。
人們知道要用處理液體處理基板的第一主要面，該處理液體被設計為蝕刻基板的第一主要面。此處理液體可能飛濺到基板的相對的第二主要面上。此外，可能由於向基板的第一主要面施加不同量的蝕刻劑而引起處理的不一致。
下文呈現了本揭示內容的簡化概要，以提供詳細說明中所述的一些實施例的基本了解。
依據一些實施例，一種基板處理裝置可以包括：容器，包括貯存器。該基板處理裝置可以包括相對於該容器可旋轉地安裝的滾筒。該滾筒的外周邊的一部分可 以定位在該貯存器中。該外周邊可以包括第一凹槽，該第一凹槽包括比該第一凹槽的深度大至少兩倍的寬度。
在一些實施例中，該第一凹槽可以包括底壁及一對側壁。
在一些實施例中，該對側壁中的一或更多個側壁可以相對於該底壁界定可以從約60度到約170度的角度。
在一些實施例中，該角度從約60度到約95度。
在一些實施例中，該第一凹槽可以沿著第一凹槽軸延伸，該第一凹槽軸可以與滾筒軸實質平行，該滾筒沿著該滾筒軸延伸且該滾筒圍繞該滾筒軸旋轉。
在一些實施例中，該第一凹槽可以螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
在一些實施例中，該凹槽的該深度沿著該凹槽的該寬度或該凹槽的長度中的一或更多者可以是不恆定的。
在一些實施例中，一種基板處理裝置可以包括：容器，包括貯存器；及滾筒，圍繞該滾筒沿以延伸的滾筒軸相對於該容器可旋轉地安裝。該滾筒的外周邊的一部分可以定位在該貯存器中。該外周邊可以包括第一凹槽，該第一凹槽延伸於該滾筒的第一端與第二端之間。
在一些實施例中，該滾筒可以包括多孔材料。
在一些實施例中，該貯存器可以容納處理液體。
在一些實施例中，該滾筒的該外周邊的定位在該貯存器中的部分可以與該處理液體接觸。
在一些實施例中，該第一凹槽可以包括底壁及一對側壁。
在一些實施例中，該對側壁中的一或更多個側壁可以相對於該底壁界定可以從約60度到約170度的角度。
在一些實施例中，該角度從約60度到約95度。
在一些實施例中，該第一凹槽可以沿著第一凹槽軸延伸，該第一凹槽軸可以與該滾筒軸實質平行。
在一些實施例中，該第一凹槽可以螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
在一些實施例中，處理基板的方法可以包括以下步驟：將容納在容器的貯存器中的處理液體與滾筒的外周邊的一部分接觸，其中該外周邊包括第一凹槽。方法可以更包括以下步驟：圍繞滾筒軸旋轉該滾筒，以將該處理液體分佈在該外周邊周圍及該第一凹槽內。方法可以更包括以下步驟：在該滾筒旋轉時，將該處理液體從該外周邊傳輸到該基板的第一主要面。
在一些實施例中，用該滾筒的該外周邊的該部分接觸容納在該容器的該貯存器中的該處理液體可以使得該處理液體進入該第一凹槽。
在一些實施例中，用該滾筒的該外周邊的該部分接觸容納在該容器的該貯存器中的該處理液體的步驟可以包括以下步驟：將該滾筒的該外周邊的該部分浸入在容納在該貯存器中的該處理液體中。
在一些實施例中，方法可以包括以下步驟：在該滾筒圍繞該滾筒軸旋轉時，沿著行進路徑的行進方向移動該基板。
在一些實施例中，該處理液體可以包括蝕刻劑、墨水、液體聚合物、或水中的一或更多者。
現將在下文中參照附圖來更完整地描述實施例，該等附圖中示出了實施例。儘可能地在所有附圖中使用了相同的參考標號來指稱相同的或類似的部件。然而，可以用許多不同的形式來實施此揭示內容，且此揭示內容不應被視為限於本文中所闡述的實施例。
可以了解，本文中所揭露的具體實施例旨在是示例性的且因此是非限制性的。現將藉由用於用基板處理裝置101 處理基板的實施例來描述用於處理基板的方法及裝置。圖 1 是依據本揭示內容的實施例的基板處理裝置101 的示意圖。基板處理裝置101 可以用處理液體107 處理基板105 的第一主要面103a 。如圖所示，基板105 可以更包括與第一主要面103a 相對的第二主要面103b 。基板105 的厚度「T 」位在第一主要面103a 與第二主要面103b 之間。取決於特定的應用，可以提供範圍廣泛的厚度。例如，厚度「T 」可以包括基板，該等基板包括從約50微米（micron, µm）到約1公分（cm）的厚度，例如從約50 µm到約1毫米（mm），例如從約50 µm到500 µm，例如從約50 µm到300 µm。
在一些實施例中，基板105 的厚度「T 」沿著基板105 的長度（參照圖 1 ）或基板105 的寬度中的一或更多者可以是實質恆定的，其中寬度與長度垂直。雖然未示出，但在另外的實施例中，基板105 的厚度「T 」也可以沿著基板105 的長度及/或寬度變化。例如，加厚的邊緣部分（邊緣珠緣）可以存在於寬度的外部相對邊緣處，該等邊緣可能是由某些基板（例如玻璃條帶）的形成製程造成的。此類邊緣珠緣可以包括可以大於玻璃條帶的高品質中心部分的厚度的厚度。然而，在一些實施例中，若與基板105 一起形成，則此類邊緣珠緣可能已經從基板105 分離。
在一些實施例中，基板105 可以包括玻璃條帶或可以包括玻璃片的玻璃條帶。例如，在基板105 包括玻璃片時，基板105 可以包括前端108 及後端，其中基板105 的長度可以延伸於前端108 與後端之間。在另外的實施例中，基板105 可以包括條帶，該條帶可以從條帶源提供。在一些實施例中，條帶源可以包括條帶捲軸，該條帶捲軸可以展開以被基板處理裝置101 處理。例如，可以從條帶捲軸連續地展開條帶，同時可以用基板處理裝置101 處理條帶的下游部分。進一步地，後續的下游製程（未示出）可以將條帶分離成片材，或可以最終將處理過的條帶盤繞在儲存捲軸上。在另外的實施例中，條帶源可以包括形成基板105 的形成設備。在一些實施例中，可以將條帶從形成設備連續地拉出且用基板處理裝置101 處理。隨後，在一些實施例中，可以接著將處理過的條帶分離成一或更多個片材。或者，可以隨後將處理過的條帶盤繞在儲存捲軸上。
在一些實施例中，基板105 可以包括矽（例如矽晶圓或矽片）、樹脂、或其他材料。在另外的實施例中，基板105 可以包括氟化鋰（LiF）、氟化鎂（MgF2 ）、氟化鈣（CaF2 ）、氟化鋇（BaF2 ）、藍寶石（Al2 O3 ）、硒化鋅（ZnSe）、鍺（Ge）、或其他材料。在又另外的實施例中，基板105 可以包括玻璃（例如鋁矽酸鹽玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鈉鈣玻璃等等）、玻璃陶瓷、或包括玻璃的其他材料。在一些實施例中，基板105 可以包括玻璃條帶或包括玻璃片的玻璃條帶，且可以是柔性的且具有從約50 µm到約300 µm的厚度「T 」，然而也可以在另外的實施例中提供其他範圍的厚度及/或非柔性的配置。在一些實施例中，可以將基板105 （例如包括玻璃或其他的光學材料）用在各種顯示應用中，例如液晶顯示器（LCD）、電泳顯示器（EPD）、有機發光二極體顯示器（OLED）、電漿顯示面板（PDP）、或其他的應用。
取決於期望的屬性，基板處理裝置101 可以用來在基板105 的第一主要面103a 上施用各種類型的處理液體107 。例如，在一些實施例中，處理液體107 可以包括油漆、清潔劑、層合體、表面處理、密封劑、沖洗劑（例如水）、化學強化材料、保護劑材料、或其他塗料。在另外的實施例中，處理液體107 可以包括蝕刻劑、墨水、液體聚合物、或水中的一或更多者。蝕刻劑可以包括材料蝕刻劑，該材料蝕刻劑被設計為蝕刻形成基板105 的第一主要面103a 的特定材料。在一些實施例中，蝕刻劑可以包括玻璃蝕刻劑以蝕刻在第一主要面103a 處包括玻璃的基板105 。在另外的實施例中，蝕刻劑可以包括適於蝕刻在第一主要面103a 處包括矽的基板105 的蝕刻劑。在另外的實施例中，可以將蝕刻劑設計為蝕刻掉基板105 的第一主要面103a 的未遮蔽區域。在一些實施例中，可以將蝕刻劑設計為蝕刻掉矽晶圓上的導電層的未遮蔽部分以形成半導體。在另外的實施例中，可以將蝕刻劑設計為提供基板105 的第一主要面103a 的表面粗糙度（例如向玻璃基板提供表面粗糙度）。例如，可以蝕刻基板105 的未遮蔽部分或整個第一主要面103a 以使表面粗糙化，藉此限制彼此接觸的兩個基板表面之間的不想要的直接黏合（例如共價鍵合）。在另外的實施例中，可以使用蝕刻來修改正在蝕刻的基板105 或基板105 的未遮蔽部分的光學性質。並且，可以使用蝕刻來減少基板105 的厚度「T 」、清潔基板105 的第一主要面103a 、或提供其他的屬性。
基板處理裝置101 可以包括容器109 ，該容器包括貯存器111 ，在該貯存器中，可以將處理液體107 容納在容器109 的貯存器111 內。如圖 1 中所示，在一些實施例中，基板處理裝置101 可以包括複數個容器109 ，該複數個容器沿著基板105 的行進方向113 串聯佈置。雖然可以在未繪示的實施例中提供單個容器109 ，但複數個容器109 可以增加改變貯存器111 內的處理液體107 的高度的反應時間，且也可以容許沿著行進方向113 行進的基板105 的不同部分的選擇性處理速率。在一些實施例中，可以從來源（例如泵）經由入口導管115 向容器109 遞送處理液體107 。在一些實施例中，可以經由出口導管117 從容器109 移除過量的處理液體107 。
參照圖 1-2 ，在一些實施例中，基板處理裝置101 包括滾筒119 ，該滾筒相對於容器109 可旋轉地安裝。可以圍繞滾筒軸121 相對於容器109 可旋轉地安裝滾筒119 ，滾筒119 沿著該滾筒軸延伸。基板處理裝置101 可以包括驅動機構，該驅動機構可以例如經由滾筒119 的滾筒軸桿123 連接到滾筒119 。滾筒軸桿123 可以沿著滾筒軸121 延伸。在一些實施例中，驅動機構可以向滾筒軸桿123 施加力矩，以在旋轉方向125 上圍繞滾筒軸121 向滾筒119 施加旋轉移動。在一些實施例中，驅動機構可以包括馬達，該馬達可以直接連接到滾筒軸桿123 。
參照圖 2 ，在一些實施例中，滾筒119 可以包括多孔材料。多孔材料可以包括閉孔多孔材料；然而開孔多孔材料可以容易地吸收一定量的液體以增強從貯存器111 到基板105 的第一主要面103a 的液體傳輸速率。界定滾筒119 的外周邊201 的材料不限於多孔材料，且在另外的實施例中，滾筒119 可以包括由聚氨酯、聚丙烯、或其他材料製作的剛性或柔性的材料。並且，在一些實施例中，滾筒119 的外周邊201 可以包括織物滾筒絨，及/或可以包括例如纖維、刷毛、或長絲的凸部。在一些實施例中，滾筒119 可以包括單塊圓柱，該單塊圓柱在整個滾筒內具有連續的組成及配置。在另外的實施例中，滾筒119 可以包括一或更多個部件，例如內心及設置在內心上的外層，其中該外層包括滾筒119 的外周邊201 。在一些實施例中，內心可以包括實心的內心，然而也可以提供空心的內心。內心可以促進力矩的傳導以旋轉滾筒，而外周邊201 可以由一種材料製造，該材料可以提供處理液體107 從貯存器111 的預期升舉及將處理液體107 傳輸到基板105 的第一主要面103a 。
在一些實施例中，滾筒119 可以部分定位在貯存器111 中。藉由部分定位在貯存器111 中，滾筒119 的下部可以位於由容器109 的頂面所界定的平面下方，而滾筒119 的上部可以位於由容器109 的頂面所界定的平面上方。在一些實施例中，滾筒119 的外周邊201 的部分203 可以定位在貯存器111 中，例如藉由定位在貯存器中與處理液體107 接觸來定位。在一些實施例中，可以與處理液體107 接觸的外周邊201 的部分203 可以包括處理液體107 的表面下方的一定深度，該深度可以小於滾筒119 的直徑的一半。然而，此類位置不旨在是限制，且在另外的實施例中，可以將外周邊201 的更大或更小的部分定位在貯存器111 中與處理液體107 接觸。在外周邊201 接觸處理液體107 的情況下，處理液體107 可以累積在外周邊201 上。例如，處理液體107 可以在外周邊201 周圍形成層206 。在滾筒119 的上部定位在基板105 的第一主要面103a 附近的情況下，滾筒119 可以圍繞滾筒軸121 在旋轉方向125 上旋轉，這可以將處理液體107 從外周邊201 傳輸到基板105 的第一主要面103a 。
滾筒119 的外周邊201 可以包括複數個凹槽207 。例如，外周邊201 可以包括第一凹槽207a 、第二凹槽207b 等等。在一些實施例中，該複數個凹槽207 可以包括外周邊201 內的通道、壟溝、壓痕等等。相鄰的凹槽207 可以圍繞外周邊201 彼此隔開。例如，第一凹槽207a 可以與第二凹槽207b 隔開一定距離，該第二凹槽與第一凹槽207a 相鄰。在一些實施例中，分離相鄰凹槽的距離可以是恆定的，例如，其中分離第一凹槽207a 及第二凹槽207b 的距離與分離第二凹槽207b 及相鄰的第三凹槽的距離相同等等。然而，在其他的實施例中，分離相鄰的凹槽的距離可以是非恆定的，因為一些相鄰的凹槽可以比其他相鄰的凹槽更靠近在一起。例如，分離第一凹槽207a 及第二凹槽207b 的距離可以大於或小於分離第二凹槽207b 及相鄰的第三凹槽的距離等等。在一些實施例中，在滾筒119 的外周邊201 的部分203 接觸處理液體107 時，處理液體107 進入可以至少部分地浸沒在處理液體107 內的第一凹槽207a 、第二凹槽207b 等等。在滾筒119 圍繞滾筒軸121 在旋轉方向125 上旋轉時，凹槽207 可以從貯存器111 朝向基板105 輸送處理液體107 。
參照圖 3 ，繪示了基板處理裝置101 的滾筒119 的一些實施例。在一些實施例中，外周邊201 包括延伸於滾筒119 的第一端301 與第二端303 之間的第一凹槽207a 。在一些實施例中，藉由延伸於第一端301 與第二端303 之間，第一凹槽207a 沿著第一凹槽軸305 延伸，如圖所示，該第一凹槽軸可以與滾筒軸121 實質平行，滾筒119 沿著該滾筒軸延伸且滾筒119 圍繞該滾筒軸旋轉。如此，第一凹槽207a 可以與滾筒軸121 平行地縱向延伸於第一端301 與第二端303 之間。雖然滾筒119 的結構及功能的前述說明是相對於第一凹槽207a 而作出的，但將理解，滾筒119 的其他的凹槽（例如該複數個凹槽207 ）的結構及功能也可以與第一凹槽207a 實質類似。例如，該複數個凹槽207中的一或更多者可以延伸於第一端301 與第二端303 之間，其中該複數個凹槽207 沿著相應的凹槽軸延伸於第一端301 與第二端303 之間，該等凹槽軸可以與滾筒軸121 實質平行，滾筒119 沿著該滾筒軸延伸且滾筒119 圍繞該滾筒軸旋轉。如此，在一些實施例中，該複數個凹槽207 可以彼此實質平行地延伸同時與滾筒軸121 實質平行地延伸。
參照圖 4 ，繪示了基板處理裝置101 的滾筒401 的另外的實施例。在一些實施例中，滾筒401 的外周邊403 可以包括延伸於滾筒401 的第一端407 與第二端409 之間的第一凹槽405 。在一些實施例中，藉由延伸於第一端407 與第二端409 之間，第一凹槽405 可以螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。例如，第一凹槽405 可以螺旋地纏繞在滾筒軸411 周圍，滾筒401 沿著該滾筒軸延伸且滾筒401 圍繞該滾筒軸旋轉。如此，第一凹槽405 在第一端407 與第二端409 之間與滾筒軸411 不平行地延伸。第一凹槽405 可以部分地或完全地螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。例如，藉由完全螺旋地纏繞在滾筒401 周圍，第一凹槽405 可以圍繞滾筒401 延伸達至少360度。藉由部分螺旋地纏繞在滾筒401 周圍，第一凹槽405 可以圍繞滾筒401 延伸達小於360度，例如藉由圍繞滾筒401 在從約1度到約359度的角度內螺旋地纏繞來延伸。雖然滾筒401 的結構及功能的前述說明是相對於第一凹槽405 而作出的，但將理解，滾筒401 的其他的凹槽（例如複數個凹槽413 ）的結構及功能也可以與第一凹槽405 實質類似。例如，該複數個凹槽413 中的一或更多者可以延伸於第一端407 與第二端409 之間，其中該複數個凹槽413 螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。如此，在一些實施例中，該複數個凹槽413 可以彼此實質平行地延伸同時螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。
將理解，圖 3-4 中所繪示的滾筒119 、401 的該複數個凹槽207 、413 不限於彼此實質平行地延伸。例如，圖 3 中所繪示的滾筒119 的凹槽207 不限於與滾筒軸121 實質平行地延伸，滾筒119 沿著該滾筒軸延伸。同樣地，圖 4 中所繪示的滾筒401 的凹槽413 不限於螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。在一些實施例中，滾筒119 、401 可以包括與滾筒119 沿以延伸的滾筒軸121 實質平行地延伸的凹槽207 中的一或更多者及可以螺旋地纏繞在滾筒401 周圍的凹槽413 中的一或更多者。如此，滾筒119 、401 可以包括凹槽，其中該等凹槽中的一些彼此平行地延伸而該等凹槽中的一些可以是不平行的。
參照圖 5 ，繪示了滾筒401 的第一凹槽405 的一些實施例。如本文中所述，第一凹槽405 可以延伸於滾筒401 的第一端301 與第二端303 之間，同時螺旋地纏繞在滾筒401 周圍。在旋轉方向125 上圍繞滾筒軸121 旋轉的滾筒401 的旋轉速度可以由向量501 所表示，該向量可以實質垂直地定向（例如沿著滾筒401 的旋轉方向125 定向）。向量501 的第一分量503 可以與第一凹槽405 沿以延伸的軸實質垂直地定向，而向量501 的第二分量505 可以與第一凹槽405 沿以延伸的軸實質平行地定向。角度507 可以界定在向量501 與第二分量505 之間。在一些實施例中，第一凹槽405 與累積在第一凹槽405 內的處理液體107 之間的相對速度可以由等式(U)sin ϕ所表示，其中U表示滾筒401 的旋轉速度（例如向量501 ），且ϕ表示角度507 。離開第一凹槽405 的處理液體107 的運出速度可以由等式(U)cos ϕ所表示。最大運出通量可以由等式(U)(S)cos ϕ所表示，其中S表示第一凹槽405 的橫截面積（例如深度乘寬度）。在一些實施例中，隨著角度507 變得越來越小且趨近0度，可以累積在第一凹槽405 中的處理液體107 的量減少。例如，隨著角度507 變得越來越小，第一凹槽405 纏繞在滾筒401 的外周邊403 周圍的次數增加。在角度507 是零度時，第一凹槽405 可以不延伸於滾筒401 的第一端407 與第二端409 之間，而是可以周向地圍繞滾筒401 的外周邊403 延伸。在這些實施例中，在角度507 趨近零度的情況下，處理液體107 不太可能累積及/或保持在第一凹槽405 中，而是可能離開第一凹槽405 且傳遞回到貯存器111 中。
在一些實施例中，隨著角度507 變得越來越大且趨近90度，可以累積在第一凹槽405 中的處理液體107 的量增加。例如，隨著角度507 變得越來越大，第一凹槽405 纏繞在滾筒401 的外周邊403 周圍的次數減少。在角度507 是90度時，第一凹槽405 可以用如圖 3 中所繪示的類似方式（例如其中第一凹槽405 可以與滾筒軸121 、411 實質平行地延伸）縱向延伸於滾筒401 的第一端407 與第二端409 之間。在這些實施例中，在角度507 趨近90度的情況下，處理液體107 可以較可能累積及/或保持在第一凹槽405 中。最大運出通量可以受到第一凹槽405 的橫截面積的影響。例如，第一凹槽405 較大的橫截面積可以產生較大的最大運出通量，這可以增加可以從滾筒401 （例如在該複數個凹槽413 內）傳輸到基板105 的處理液體107 量。相反地，第一凹槽405 較小的橫截面積可以產生較小的最大運出通量，這可以減少可以從滾筒401 （例如在該複數個凹槽413 內）傳輸到基板105 的處理液體107 量。
參照圖 6 ，繪示了與第一凹槽207a 、405 的凹槽軸垂直地截取的凹槽橫截面的一些實施例。如圖所示，第一凹槽207a 、405 可以形成於滾筒119 、401 的外周邊201 、403 內。在一些實施例中，第一凹槽207a 、405 可以包括底壁601 及一對側壁603 。該對側壁603 可以包括可以彼此隔開的第一側壁605 及第二側壁607 。底壁601 可以延伸於第一側壁605 與第二側壁607 之間。在一些實施例中，底壁601 可以是實質平坦的，例如藉由在與凹槽方向正交的方向上直線延伸於第一側壁605 與第二側壁607 之間而是實質平坦的（例如其中凹槽方向沿著滾筒軸121 、411 延伸於第一端301 、407 與第二端303 、409 之間）。然而，在其他的實施例中，底壁601 不限於是平坦的，且可以反而在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁605 與第二側壁607 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。在一些實施例中，底壁601 可以在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁605 與第二側壁607 之間包括弧，該弧與滾筒119 、401 的外周邊201 、403 的外表面609 沿以延伸的弧實質平行。在一些實施例中，底壁601 可以是實質平坦的，例如藉由在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽207a 、405 的長度是平坦的而是實質平坦的。附加性地或替代性地，在一些實施例中，底壁601 可以在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間是不平坦的，例如藉由包括弧而是不平坦的，該弧在與凹槽方向平行的方向上彎曲（例如其中底壁601 在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽207a 、405 的長度是不平坦的）。在一些實施例中，第一側壁605 及/或第二側壁607 可以是實質平坦的，例如藉由直線延伸於外表面609 與底壁601 之間而是實質平坦的。然而，在其他的實施例中，第一側壁605 及/或第二側壁607 不限於是平坦的，且可以反而在外表面609 與底壁601 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。
在一些實施例中，該對側壁603 可以相對於底壁601 界定角度。例如，該對側壁603 中的一或更多個側壁（例如第一側壁605 及/或第二側壁607 ）可以相對於底壁601 界定可以從約60度到約95度的角度。在一些實施例中，第一側壁605 可以相對於底壁601 界定第一角度611 ，該第一角度可以從約60度到約95度或從約85度到約95度。在一些實施例中，第二側壁607 可以相對於底壁601 界定第二角度613 ，該第二角度可以從約60度到約95度或從約85度到約95度。在一些實施例中，第一角度611 可以等於第二角度613 ，然而也可以在另外的實施例中提供不同的角度。在一些實施例中，第一角度611 或第二角度613 中的一或兩者可以包括直角，使得第一凹槽207a 可以包括沿著與凹槽軸垂直的橫截面截取的方形形狀或矩形形狀的剖面。
在一些實施例中，第一凹槽207a 、405 可以包括寬度615 ，該寬度可以比第一凹槽207a 的深度617 大至少兩倍。第一凹槽207a 、405 的寬度615 是在第一側壁605 及第二側壁607 的底部處（例如沿著底壁601 ）在第一側壁605 與第二側壁607 之間（例如與第一凹槽207a 、405 沿以延伸的第一凹槽軸305 垂直地且與底壁601 平行地）測量到的。在一些實施例中，寬度615 是第一側壁605 與第二側壁607 之間的最小距離。然而，在第一凹槽207a 、405 不包括底壁的其他的實施例中（例如在第一凹槽207a 、405 包括V形時，其中第一側壁605 或第二側壁607 中的一或更多者朝向彼此傾斜及收歛，且在第一側壁605 及第二側壁607 的底端處連接），寬度615 是第一側壁605 與第二側壁607 之間的最大距離。在第一凹槽207a 、405 包括不具有底壁的V形的這些實施例中，寬度615 （例如第一側壁605 與第二側壁607 之間的最大距離）是在第一側壁605 及第二側壁607 的頂端之間測量到的。第一凹槽207a 、405 的深度617 是在底壁601 （例如與底壁601 垂直地）與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間測量到的。在一些實施例中，在底壁601 不與在測量位置處跟外表面609 相切的平面平行時，深度617 可以包括從在測量位置處與外表面609 相切的平面到底壁601 的最小距離。然而，在第一凹槽207a 、405 不包括底壁的其他的實施例中（例如在第一凹槽207a 、405 包括V形時，其中第一側壁605 或第二側壁607 中的一或更多者朝向彼此傾斜及收歛，且在第一側壁605 及第二側壁607 的底端處連接），深度617 是第一側壁605 與第二側壁607 的收歛點（例如在第一側壁605 及第二側壁607 的底端處）與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間的距離。
由於寬度615 比第一凹槽207a 的深度617 大至少兩倍，處理液體107 可以被接收在第一凹槽207a 內，且可以維持圍繞滾筒119 、401 的連續的處理液體107 層。雖然前述說明是相對於第一凹槽207a 、405 作出的，但將理解，在一些實施例中，滾筒119 、401 的其他凹槽（例如該複數個凹槽207 、413 ）的結構及功能也可以與第一凹槽207a 實質類似。例如，該複數個凹槽207 、413 中的一或更多者可以包括該對側壁603 ，該對側壁包括第一側壁605 及第二側壁607 ，其中第一側壁605 相對於底壁601 界定第一角度611 ，且第二側壁607 相對於底壁601 界定第二角度613 。
參照圖 7 ，將滾筒119 、401 的第一凹槽701 的另外的實施例繪示為其會用第一凹槽701 的與凹槽軸垂直地截取的一種橫截面呈現，其中第一凹槽701 可以是倒角的。在一些實施例中，第一凹槽701 可以包括底壁703 及一對側壁705 。該對側壁705 可以包括可以彼此隔開的第一側壁707 及第二側壁709 。底壁703 可以延伸於第一側壁707 與第二側壁709 之間。在一些實施例中，底壁703 可以是實質平坦的，例如藉由在與凹槽方向正交的方向上直線延伸於第一側壁707 與第二側壁709 之間而是實質平坦的（例如其中凹槽方向沿著滾筒軸 121、411 延伸於第一端301 、407 與第二端303 、409 之間）。然而，在其他的實施例中，底壁703 不限於是平坦的，且可以反而在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁707 與第二側壁709 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。在一些實施例中，底壁703 可以在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁707 與第二側壁709 之間包括弧，該弧與滾筒119 、401 的外周邊201 、403 的外表面609 沿以延伸的弧實質平行。在一些實施例中，底壁703 可以是實質平坦的，例如藉由在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽701 的長度是平坦的而是實質平坦的。附加性地或替代性地，在一些實施例中，底壁703 可以在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間是不平坦的，例如藉由包括弧而是不平坦的，該弧在與凹槽方向平行的方向上彎曲（例如其中底壁703 在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽701 的長度是不平坦的）。在一些實施例中，第一側壁707 及/或第二側壁709 可以是實質平坦的，例如藉由直線延伸於外表面609 與底壁703 之間而是實質平坦的。然而，在其他的實施例中，第一側壁707 及/或第二側壁709 不限於是平坦的，且可以反而在外表面609 與底壁703 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。
在一些實施例中，該對側壁705 可以相對於底壁703 界定角度。例如，該對側壁705 中的一或更多個側壁（例如第一側壁707 及/或第二側壁709 ）可以相對於底壁703 界定可以從約60度到約170度的角度。在一些實施例中，第一側壁707 可以相對於底壁703 界定第一角度713 ，該第一角度可以從約60度到約170度或從約95度到約170度。在一些實施例中，第二側壁709 可以相對於底壁703 界定第二角度715 ，該第二角度可以從約60度到約170度或從約95度到約170度。在一些實施例中，第一角度713 或第二角度715 中的一或更多者可以包括鈍角，使得第一凹槽701 可以包括非方形或非矩形的形狀。
在一些實施例中，第一凹槽701 可以包括寬度717 ，該寬度可以比第一凹槽701 的深度719 大至少兩倍。第一凹槽701 的寬度717 是在第一側壁707 及第二側壁709 的底部處（例如在底壁703 在第一側壁707 與第二側壁709 之間是直線的時候沿著底壁703 ）在第一側壁707 與第二側壁709 之間（例如與第一凹槽701 沿以延伸的軸垂直地）測量到的。在一些實施例中，第一凹槽701 的寬度717 在底壁703 與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間可以是不恆定的。例如，第一凹槽701 的寬度717 可以沿著底壁703 （例如在第一側壁707 及第二側壁709 的底部處）處於最小值，且沿著在測量位置處與外表面609 相切的平面（例如在第一側壁707 及第二側壁709 的頂部處）處於最大值。在這些實施例中，第一凹槽701 的寬度717 可以從底壁703 朝向外表面609 增加。第一凹槽701 的深度719 是在底壁703 （例如與底壁703 垂直地）與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間測量到的。由於寬度717 比第一凹槽701 的深度719 大至少兩倍，處理液體107 可以被接收在第一凹槽701 內，且可以維持圍繞滾筒119 、401 的連續的處理液體107 層。雖然前述說明是相對於第一凹槽701 作出的，但將理解，滾筒119 、401 的其他凹槽（例如複數個凹槽207 、413 ）中的一或更多者的結構及功能也可以與第一凹槽701 實質類似。例如，該複數個凹槽207 、413 中的一或更多者可以包括該對側壁705 ，該對側壁包括第一側壁707 及第二側壁709 ，其中第一側壁707 相對於底壁703 界定第一角度713 ，且第二側壁709 相對於底壁703 界定第二角度715 。
參照圖 8 ，繪示了滾筒119 、401 的第一凹槽801 的另外的實施例。在一些實施例中，第一凹槽801 可以包括底壁803 及一對側壁805 。該對側壁805 可以包括可以彼此隔開的第一側壁807 及第二側壁809 。底壁803 可以延伸於第一側壁807 與第二側壁809 之間。在一些實施例中，底壁803 可以是實質平坦的，例如藉由在與凹槽方向正交的方向上直線延伸於第一側壁807 與第二側壁809 之間而是實質平坦的（例如其中凹槽方向沿著滾筒軸121 、411 延伸於第一端301 、407 與第二端303 、409 之間）。然而，在其他的實施例中，底壁803 不限於是平坦的，且可以反而在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁807 與第二側壁809 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。在一些實施例中，底壁803 可以在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁807 與第二側壁809 之間包括弧，該弧與滾筒119 、401 的外周邊201 、403 的外表面609 沿以延伸的弧實質平行。在一些實施例中，底壁803 可以是實質平坦的，例如藉由在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽801 的長度是平坦的而是實質平坦的。附加性地或替代性地，在一些實施例中，底壁803 可以在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間是不平坦的，例如藉由包括弧而是不平坦的，該弧在與凹槽方向平行的方向上彎曲（例如其中底壁803 在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽801 的長度是不平坦的）。在一些實施例中，第一側壁807 及/或第二側壁809 可以是實質平坦的，例如藉由直線延伸於外表面609 與底壁803 之間而是實質平坦的。然而，在其他的實施例中，第一側壁807 及/或第二側壁809 不限於是平坦的，且可以反而在外表面609 與底壁803 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。
在一些實施例中，該對側壁805 可以相對於底壁803 界定角度。例如，該對側壁805 中的一或更多個側壁（例如第一側壁807 及/或第二側壁809 ）可以相對於底壁803 界定可以從約60度到約170度的角度。在一些實施例中，第一側壁807 可以相對於底壁803 界定第一角度813 ，該第一角度可以從約60度到約170度。例如，第一角度813 可以從約60度到約95度或從約85度到約95度。在一些實施例中，第一側壁807 可以包括直角。在一些實施例中，第二側壁809 可以相對於底壁803 界定第二角度815 ，該第二角度可以從約60度到約170度或從約95度到約170度。在一些實施例中，第二角度815 可以包括鈍角。如此，在一些實施例中，第一角度813 及第二角度815 可以是不同的。
在一些實施例中，第一凹槽801 包括寬度817 ，該寬度可以比第一凹槽801 的深度819 大至少兩倍。第一凹槽801 的寬度817 是在第一側壁807 及第二側壁809 的底部處（例如沿著底壁803 ）在第一側壁807 與第二側壁809 之間（例如與第一凹槽801 沿以延伸的軸垂直地且與底壁803 平行地）測量到的。在一些實施例中，第一凹槽801 的寬度817 在底壁803 與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間可以是不恆定的。例如，第一凹槽801 的寬度817 可以沿著底壁803 （例如在第一側壁807 及第二側壁809 的底部處）處於最小值，且沿著在測量位置處與外表面609 相切的平面（例如在第一側壁807 及第二側壁809 的頂部處）處於最大值。在這些實施例中，第一凹槽801 的寬度817 可以從底壁803 朝向外表面609 增加。第一凹槽801 的深度819 是在底壁 803（例如與底壁803垂直 地）與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間測量到的。由於寬度817 比第一凹槽801 的深度819 大至少兩倍，處理液體107 可以被接收在第一凹槽801 內，且可以維持圍繞滾筒119 、401 的連續的處理液體107 層。雖然前述說明是相對於第一凹槽801 作出的，但將理解，滾筒119 、401 的其他凹槽（例如該複數個凹槽207 、413 ）中的一或更多者的結構及功能也可以與第一凹槽801 實質類似。例如，該複數個凹槽207 、413 中的一或更多者可以包括一對側壁805 ，該對側壁包括第一側壁807 及第二側壁809 ，其中第一側壁807 相對於底壁803 界定第一角度813 ，且第二側壁809 相對於底壁803 界定第二角度815 。
參照圖 9 ，繪示了滾筒119 、401 的第一凹槽901 的另外的實施例。在一些實施例中，第一凹槽901 可以包括底壁903 及一對側壁905 。該對側壁905 可以包括可以彼此隔開的第一側壁907 及第二側壁909 。底壁903 可以延伸於第一側壁907 與第二側壁909 之間。在一些實施例中，底壁903 可以是實質平坦的，例如藉由在與凹槽方向正交的方向上直線延伸於第一側壁907 與第二側壁909 之間而是實質平坦的（例如其中凹槽方向沿著滾筒軸121 、411 延伸於第一端301 、407 與第二端303 、409 之間）。然而，在其他的實施例中，底壁903 不限於是平坦的，且可以反而在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁907 與第二側壁909 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。在一些實施例中，底壁903 可以在與凹槽方向正交的方向上在第一側壁907 與第二側壁909 之間包括弧，該弧與滾筒119 、401 的外周邊201 、403 的外表面609 沿以延伸的弧實質平行。在一些實施例中，底壁903 可以是實質平坦的，例如藉由在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽901 的長度是平坦的而是實質平坦的。附加性地或替代性地，在一些實施例中，底壁903 可以在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間是不平坦的，例如藉由包括弧而是不平坦的，該弧在與凹槽方向平行的方向上彎曲（例如其中底壁903 在滾筒119 、401 的第一端301 、407 與第二端303 、409 之間沿著第一凹槽901 的長度是不平坦的）。在一些實施例中，第一側壁907 及/或第二側壁909 可以是實質平坦的，例如藉由直線延伸於外表面609 與底壁903 之間而是實質平坦的。然而，在其他的實施例中，第一側壁907 及/或第二側壁909 不限於是平坦的，且可以反而在外表面609 與底壁903 之間是不平坦的，例如藉由包括曲線、弧、彎曲等等而是不平坦的。
在一些實施例中，該對側壁905 可以相對於底壁903 界定角度。例如，該對側壁905 中的一或更多個側壁（例如第一側壁907 及/或第二側壁909 ）可以相對於底壁903 界定可以從約60度到約170度的角度。在一些實施例中，第一側壁907 可以相對於底壁903 界定第一角度913 ，該第一角度可以從約60度到約85度，使得第一側壁807 可以包括銳角。在一些實施例中，第二側壁909 可以相對於底壁903 界定第二角度915 ，該第二角度可以從約95度到約170度。在一些實施例中，第二角度915 可以包括鈍角，使得第一角度913 及第二角度915 可以是不同的。
在一些實施例中，第一凹槽901 可以包括寬度917 ，該寬度可以比第一凹槽901 的深度919 大至少兩倍。第一凹槽901 的寬度917 是在較短的側壁（例如第二側壁909 ）的底部處在第一側壁907 與第二側壁909 之間（例如與第一凹槽901 沿以延伸的軸垂直地且與第一側壁907 及第二側壁909 垂直地）測量到的。第一凹槽901 的深度919 是在底壁903 與在測量位置處跟外表面609 相切的平面之間測量到的。例如，深度919 是例如在底壁903 與在測量位置處（例如在第一側壁907 處）跟外表面609 相切的平面之間沿著第一側壁907 在第一凹槽901 的最大深度處測量到的。在一些實施例中，凹槽（例如第一凹槽901 ）的深度919 沿著凹槽（例如第一凹槽901 ）的寬度917 可以是不恆定的，使得第一凹槽901 的深度919 在第一側壁907 與第二側壁909 之間可以是不恆定的。例如，深度919 可以沿著第二側壁909 （例如在底壁903 的右側處）處於最小值且沿著第一側壁907 （例如在底壁903 的左側處）處於最大值。在這些實施例中，第一凹槽901 的深度919 可以沿著底壁803 從第一側壁807 朝向第二側壁809 增加。由於寬度917 比第一凹槽901 的深度919 大至少兩倍，處理液體107 可以被接收在第一凹槽901 內，且可以維持圍繞滾筒119 、401 的連續的處理液體107 層。雖然前述說明是相對於第一凹槽901 作出的，但將理解，滾筒119 、401 的其他凹槽（例如該複數個凹槽207 、413 ）中的一或更多者的結構及功能也可以與第一凹槽901 實質類似。例如，該複數個凹槽207 、413 中的一或更多者可以包括該對側壁905 ，該對側壁包括第一側壁907 及第二側壁909 ，其中第一側壁907 相對於底壁903 界定第一角度913 ，且第二側壁909 相對於底壁903 界定第二角度915 。
參照圖 10 ，繪示了滾筒119 的一部分的沿著圖 3 的線10-10的橫截面。在一些實施例中，凹槽1001 的深度沿著凹槽1001 的長度可以是不恆定的。例如，凹槽1001 可以包括底壁1003 ，該底壁延伸於滾筒119 的第一端301 與第二端303 之間。底壁1003 可以沿著滾筒119 的長度成角度，使得凹槽1001 的深度在滾筒119 的第一端301 與第二端303 之間可以是不恆定的。在一些實施例中，凹槽1001 可以包括第一位置處的第一深度1005 及第二位置處的第二深度1007 。第一深度1005 是在底壁1003 與第一位置處的外表面609 之間測量到的。第二深度1007 是在底壁1003 與第二位置處的外表面609 之間測量到的。在一些實施例中，由於底壁1003 成角度，第一深度1005 可以大於第二深度1007 。如此，凹槽1001 的深度沿著凹槽的寬度（例如如圖 9 中所繪示）或凹槽的長度（例如如圖 10 中所繪示）中的一或更多者可以是不恆定的。
雖然前述說明是相對於第一凹槽1001 作出的，但將理解，滾筒119 、401 的其他凹槽（例如該複數個凹槽207 、413 、第一凹槽207a 、405 、701 、801 、901 等等）中的一或更多者的結構及功能也可以與第一凹槽1001 實質類似。例如，凹槽207 、207a 、405 、413 、701 、801 、901 中的一或更多者可以包括成角度的底壁1003 ，該底壁可以包括不恆定的深度（例如第一位置處的第一深度1005 及第二位置處的第二深度1007 ）。如此，滾筒119 、401 的凹槽207 、207a 、405 、413 、701 、801 、901 中的一或更多者可以包括非倒角側壁（例如圖 6 中所繪示）、倒角側壁（例如圖 7 中所繪示）、部分倒角側壁（例如圖 8 中所繪示）、沿著凹槽的寬度的不恆定深度（例如圖 9 中所繪示）、或沿著凹槽的長度的不恆定深度（例如圖 10 中所繪示）中的一或更多者。
參照圖 2 ，繪示了處理基板105 的方法的一些實施例。在一些實施例中，處理基板105 的方法可以包括以下步驟：將處理液體107 添加到容器109 的貯存器111 。藉由將處理液體107 添加到貯存器111 、貯存器111 可以被部分填充（例如如圖所繪示的）或完全填充。在一些實施例中，在被部分填充時，處理液體107 的自由面205 位於由容器109 的頂面所界定的平面下方。在一些實施例中，在被完全填充時，處理液體107 的自由面205 可以與由容器109 的頂面所界定的平面共面。可以用幾種方式（舉例而言，例如經由入口導管115 ）將處理液體107 添加到容器109 的貯存器111 。在一些實施例中，可以經由出口導管117 從貯存器111 移除處理液體107 ，以便降低處理液體107 的自由面205 的水平。
在一些實施例中，處理基板105 的方法可以包括以下步驟：在滾筒119 圍繞滾筒軸121 旋轉（例如沿著旋轉方向125 旋轉）時，沿著行進路徑213 的行進方向113 移動基板105 。可以沿著行進方向113 移動（例如從圖 2 中的左側到右側移動）基板105 ，其中用實線將前端108 繪示為處於第一位置，且用虛線將該前端繪示為處於第二位置。在一些實施例中，基板105 沿著行進方向113 的速度可以大於、等於、或小於滾筒119 沿著旋轉方向125 的旋轉速度。例如，在基板105 沿著行進方向113 移動時，滾筒119 可以同時旋轉，使得滾筒119 的旋轉方向125 （例如圖 2 中的順時針方向）可以匹配基板105 的行進方向113 （例如圖 2 中的左側到右側）。
在一些實施例中，處理基板105 的方法可以包括以下步驟：用滾筒119 的外周邊201 的部分203 接觸容納在容器109 的貯存器111 中的處理液體107 ，其中外周邊201 包括第一凹槽207a 。在一些實施例中，用滾筒119 的外周邊201 的部分203 接觸容納在容器109 的貯存器111 中的處理液體107 的步驟可以包括以下步驟：將滾筒119 的外周邊201 的部分203 浸入在容納在貯存器111 中的處理液體107 中。藉由將外周邊201 的部分203 浸入在處理液體107 中，滾筒119 的外周邊201 中的一些或全部可以浸入在處理液體107 中在自由面205 下方。例如，在圖 1-2 的實施例中，外周邊201 的浸入在處理液體107 中的部分203 可以包括小於滾筒119 的直徑的一半。然而，在其他的實施例中，也可以將大於滾筒119 的直徑的一半浸入在處理液體107 中且定位在自由面205 下方。在一些實施例中，用滾筒119 的外周邊201 的部分203 接觸容納在容器109 的貯存器111 中的處理液體107 可以使得處理液體107 進入第一凹槽207a 。例如，藉由進入第一凹槽207a ，處理液體107 不限於填充第一凹槽207a 。相反，在一些實施例中，處理液體107 可以進入第一凹槽207a 且部分填充第一凹槽207a ，使得不到全部的第一凹槽207a 填有處理液體107 。
在一些實施例中，處理基板105 的方法可以包括以下步驟：圍繞滾筒軸121 旋轉滾筒119 以將處理液體107 連續分佈在外周邊201 周圍及第一凹槽207a 內。藉由連續分佈在外周邊201 周圍及第一凹槽207a 內，處理液體107 可以在滾筒119 周圍形成不間斷的層206 ，其中層206 不含間隙、空隙、空間、或處理液體107 中的其他不連續。在一些實施例中，處理液體107 的連續分佈的層206 可以包括大於零的最小厚度「T2 」。例如，處理液體107 的連續分佈的層206 可以包括從約22 µm到約24 µm的厚度T2 。在其他的實施例中，處理液體107 的連續分佈的層206 可以包括從約30 µm到約34 µm的厚度T2 。在一些實施例中，滾筒119 可以用驅動機構圍繞滾筒軸121 旋轉，該驅動機構可以經由滾筒軸桿123 連接到滾筒119 。驅動機構可以向滾筒軸桿123 施加力矩，這可以使得滾筒119 在旋轉方向125 上圍繞滾筒軸121 旋轉。
在一些實施例中，處理基板105 的方法可以包括以下步驟：在滾筒119 旋轉時，將處理液體107 從外周邊201 傳輸到基板105 的第一主要面103a 。例如，在滾筒119 旋轉時，可以圍繞滾筒119 的外周邊201 將處理液體107 連續分佈為層206 。基板105 的第一主要面103a 可以緊鄰滾筒119 的外周邊201 ，使得分離滾筒119 的外周邊201 及第一主要面103a 的距離可以小於處理液體107 的層206 的厚度T2 。雖然基板105 的第一主要面103a 緊鄰滾筒119 的外周邊201 ，但在一些實施例中，第一主要面103a 可以不接觸外周邊201 。相反，基板105 的第一主要面103a 可以接觸及通過處理液體107 的連續分佈在外周邊201 周圍的層206 。如此，可以將處理液體107 從滾筒119 的外周邊201 傳輸到基板105 的第一主要面103a 。
圖 11 繪示在維持將處理液體107 連續分佈在外周邊201 周圍及第一凹槽207a 內的同時，第一凹槽207a 的寬度與第一凹槽207a 的深度之間的關係。x軸（例如水平軸）表示凹槽深度（例如µm），而y軸（例如垂直軸）表示凹槽深度（例如µm）。線1100 表示圍繞滾筒119 的外周邊201 連續分佈的處理液體107 與非連續分佈（例如不連續）的該處理液體之間的邊界。在這些實施例中，線1100 代表包括非倒角形狀的第一凹槽207a （例如圖 6 中所繪示）。在一些實施例中，在凹槽深度超過給定凹槽寬度下的臨界凹槽深度（例如線1100 上的點）時，處理液體107 變得不連續且可能包括間隙、空隙、空間、或其他不連續。可以因此藉由線1100 上方的凹槽深度表示此種不連續。例如，在凹槽寬度為約650 µm時，若凹槽深度大於約38 µm，則處理液體107 可以是不連續的。在凹槽深度等於或小於給定凹槽寬度下的臨界凹槽深度（例如線1100 上的點）時，處理液體107 可以連續地分佈。可以因此藉由線1100 下方的凹槽深度表示此種連續。例如，在凹槽寬度為約650μm時，若凹槽深度小於或等於約38μm，則處理液體107可以是連續的。
圖12針對給定寬度的第一凹槽207a繪示第一凹槽207a的深度與處理液體107的狀態之間的關係。x軸(例如水平軸)表示凹槽深度(例如μm)，而y軸(例如垂直軸)表示處理液體107的狀態。在處理液體107的層206連續分佈在外周邊201周圍及第一凹槽207a內時，狀態為1。在處理液體107的層206不連續分佈在外周邊201周圍及第一凹槽207a內時，狀態為0。在這些實施例中，處理液體107的連續分佈的層206包括約24μm的厚度。第一線1201表示包括約520μm的寬度的第一凹槽207a。第二線1203表示包括約1040μm的寬度的第一凹槽207a。第三線1205表示包括約1570μm的寬度的第一凹槽207a。在這些實施例中，線1201、1203、1205代表包括非倒角形狀的第一凹槽207a(例如圖6中所繪示)。
在一些實施例中，對於包括約520μm的寬度的第一凹槽207a(例如第一線1201)而言，對於小於或等於約37μm的凹槽深度而言，處理液體107可以是連續的。對於從約37μm到約38μm的凹槽深度而言，處理液體107可以從連續分佈過渡到不連續分佈。對於大於或等於約38μm的凹槽深度而言，處理液體107可以是不連續的。在一些實施例中，對於包括約1040μm的寬度的第一凹槽207a(例如第二線1203)而言，對於小於或等於約43 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以是連續的。對於從約43 µm到約44 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以從連續分佈過渡到不連續分佈。對於大於或等於約44 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以是不連續的。在一些實施例中，對於包括約1570 µm的寬度的第一凹槽207a （例如第三線1205 ）而言，對於小於或等於約40 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以是連續的。對於從約40 µm到約41 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以從連續分佈過渡到不連續分佈。對於大於或等於約41 µm的凹槽深度而言，處理液體107 可以是不連續的。因此，如圖 12 中所繪示，第一凹槽207a 較大的寬度（例如與520 µm的寬度相比1040 µm的寬度）可以允許較大的深度（例如與約37 µm - 38 µm的深度相比約42 µm - 43 µm的深度），同時維持處理液體107 的連續分佈。然而，在某個寬度之外（例如與1570 µm的寬度相比1040 µm的寬度），在從連續分佈過渡到不連續分佈時，第一凹槽207a 的深度可以減少。此減少可以部分地由滾筒119 的因凹槽寬度增加導致增加表面面積所引起。
圖 13 針對第一凹槽207a 的給定形狀及處理液體107 的層206 的厚度繪示第一凹槽207a 的深度與處理液體107 的狀態之間的關係。x軸（例如水平軸）表示凹槽深度（例如µm），而y軸（例如垂直軸）表示處理液體107 的狀態。在處理液體107 的層206 連續分佈在外周邊201 周圍及第一凹槽207a 內時，狀態為1。在處理液體107 的層206 不連續分佈在外周邊201 周圍及第一凹槽207a 內時，狀態為0。在這些實施例中，第一凹槽207a 包括約520 µm的寬度。第一線1301 表示包括非倒角形狀（例如圖 6 中所繪示）的第一凹槽207a 及處理液體107 的包括約24 µm的厚度的連續分佈的層206 。第二線1303 表示包括倒角形狀（例如圖 7 中所繪示）的第一凹槽701 及處理液體107 的包括約24 µm的厚度的連續分佈的層206 。第三線1305 表示包括非倒角形狀（例如圖 6 中所繪示）的第一凹槽207a 及處理液體107 的包括約32 µm的厚度的連續分佈的層206 。第四線1307 表示包括倒角形狀（例如圖 7 中所繪示）的第一凹槽701 及處理液體107 的包括約32 µm的厚度的連續分佈的層206 。
在一些實施例中，對於從約37 µm到約38 µm的凹槽深度而言，第一線1301 從連續狀態過渡到不連續狀態。對於從約40 µm到約41 µm的凹槽深度而言，第二線1303 可以從連續狀態過渡到不連續狀態。如此，在第一凹槽701 是倒角的時候，凹槽深度可以比非倒角形狀的第一凹槽207a 多出約3 µm。在一些實施例中，對於從約49 µm到約50 µm的凹槽深度而言，第三線1305 從連續狀態過渡到不連續狀態。對於從約55 µm到約56 µm的凹槽深度而言，第四線1307 可以從連續狀態過渡到不連續狀態。如此，在第一凹槽701 是倒角的時候，凹槽深度可以較大達約6 µm。因此，如圖 13 中所繪示，在處理液體107 的厚度及第一凹槽207a 的寬度保持恆定時，在從連續分佈過渡到不連續分佈時，與非倒角第一凹槽207a （例如圖 6 中所繪示）相比，倒角第一凹槽701 （例如圖 7 中所繪示）的第一凹槽207a 的深度可以增加。
在一些實施例中，在將處理液體107 施用於基板105 時，基板處理裝置101 可以提供改善的控制。例如，藉由將該複數個凹槽207 、207a 、405 、413 、701 、801 、901 提供給滾筒119 、401 ，可以圍繞滾筒119 、401 的外周邊201 連續分佈處理液體107 的層206 。若存在滾筒119 、401 的外周邊201 的不被處理液體107 覆蓋的區域，則處理液體107 不是連續分佈的。在處理液體107 連續分佈的情況下，可以實現處理液體對基板105 的第一主要面103a 更一致的施用。此外，具有該複數個凹槽207 、207a 、405 、413 、701 、801 、901 的滾筒119 、401 還可以減少處理液體107 飛濺到基板105 的後端處的第二主要面103b 上的可能性。例如，由於處理液體107 圍繞滾筒119 、401 的外周邊201 連續分佈，可以使用減少的量的處理液體107 來處理基板105 的第一主要面103a 。其結果是，可以同樣地減少過量處理液體107 的飛濺（例如飛濺到第二主要面103b 上）。附加性地或替代性地，由於過量處理液體107 的飛濺減少，可以減少對設備的昂貴的維護及/或更新，因此延長了現有設備的使用壽命。同樣地，藉由減少或重新分佈傳輸到基板的第一主要面103a 的處理液體的量，由於處理液體107 的壽命延長，基板處理裝置101 可以產生成本的節省。此外，在應要替換現有的滾筒119 、401 時，還可以容易用新的滾筒替換滾筒119 、401 。附加性地或替代性地，用包括不同凹槽性質（例如倒角對非倒角、縱向延伸對螺旋纏繞、恆定的凹槽深度或不恆定的凹槽深度等等）的不同滾筒替換現有的滾筒119 、401 可以是合乎需要的。
因此，以下的非限制性實施例是本揭示內容的示例。
實施例1。一種基板處理裝置可以包括：容器，包括貯存器；及滾筒，相對於該容器可旋轉地安裝，其中該滾筒的外周邊的一部分可以定位在該貯存器中，且其中該外周邊可以包括第一凹槽，該第一凹槽包括比該第一凹槽的深度大至少兩倍的寬度。
實施例2。如實施例1所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以包括底壁及一對側壁。
實施例3。如實施例2所述的基板處理裝置，其中該對側壁中的一或更多個側壁可以相對於該底壁界定可以從約60度到約170度的角度。
實施例4。如實施例3所述的基板處理裝置，其中該角度可以從約60度到約95度。
實施例5。如實施例1-4中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以沿著第一凹槽軸延伸，該第一凹槽軸可以與滾筒軸實質平行，該滾筒沿著該滾筒軸延伸且該滾筒圍繞該滾筒軸旋轉。
實施例6。如實施例1-4中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
實施例7。如實施例1-6中的任一者所述的基板處理裝置，其中該凹槽的該深度沿著該凹槽的該寬度或該凹槽的長度中的一或更多者可以是不恆定的。
實施例8。一種基板處理裝置，包括：容器，包括貯存器；及滾筒，圍繞該滾筒沿以延伸的滾筒軸相對於該容器可旋轉地安裝，其中該滾筒的外周邊的一部分定位在該貯存器中，且該外周邊可以包括第一凹槽，該第一凹槽延伸於該滾筒的第一端與第二端之間。
實施例9。如實施例8所述的基板處理裝置，其中該滾筒包括多孔材料。
實施例10。如實施例8-9中的任一者所述的基板處理裝置，其中該貯存器容納處理液體。
實施例11。如實施例10所述的基板處理裝置，其中該滾筒的該外周邊的定位在該貯存器中的部分可以與該處理液體接觸。
實施例12。如實施例8-11中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以包括底壁及一對側壁。
實施例13。如實施例12所述的基板處理裝置，其中該對側壁中的一或更多個側壁可以相對於該底壁界定可以從約60度到約170度的角度。
實施例14。如實施例13所述的基板處理裝置，該角度可以從約60度到約95度。
實施例15。如實施例8-14中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以沿著可以與該滾筒軸實質平行的第一凹槽軸延伸。
實施例16。如實施例8-14中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽可以螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
實施例17。一種處理基板的方法，包括以下步驟：將容納在容器的貯存器中的處理液體與滾筒的外周邊的一部分接觸，該外周邊包括第一凹槽。該方法可以更包括以下步驟：圍繞滾筒軸旋轉該滾筒，以將該處理液體連續分佈在該外周邊周圍及該第一凹槽內。該方法可以更包括以下步驟：在該滾筒旋轉時，將該處理液體從該外周邊傳輸到該基板的第一主要面。
實施例18。如實施例17所述的方法，其中用該滾筒的該外周邊的該部分接觸容納在該容器的該貯存器中的該處理液體使得該處理液體進入該第一凹槽。
實施例19。如實施例17-18中的任一者所述的方法，其中用該滾筒的該外周邊的該部分接觸容納在該容器的該貯存器中的該處理液體的步驟包括以下步驟：將該滾筒的該外周邊的該部分浸入在容納在該貯存器中的該處理液體中。
實施例20。如實施例17-19中的任一者所述的方法，更包括以下步驟：在該滾筒圍繞該滾筒軸旋轉時，沿著行進路徑的行進方向移動該基板。
實施例21。如請求項17-20中的任一者所述的方法，其中該處理液體包括蝕刻劑、墨水、液體聚合物、或水中的一或更多者。
如本文中所使用的，用語「該」或「一」指的是「至少一個」，且不應限於「只有一個」，除非有明確指示。例如，因此對於「一元件」的指稱包括了具有二或更多個此類元件的實施例，除非上下文另有清楚指示。
如本文中所使用的，用語「約」意味著，數量、尺寸、配方、參數、及其他量及特性是不準確或不需要是準確的，而是依需要可以是近似及/或較大或較小的反射容差、轉換因素、捨入、測量誤差等等、及本領域中的技術人員所習知的其他因素。在將用語「約」用於描述值或範圍的端點時，應將本揭示內容了解為包括所指稱的特定值或端點。無論本說明書中的數值或範圍端點是否記載「約」，數值或範圍端點都是要包括兩種實施例：一種被「約」修飾，而一種不被「約」修飾。將進一步了解，範圍中的每一者的端點與另一個端點相比是有效的（significant）且是與另一個端點無關地有效的。
如本文中所使用的用語「實質」、「實質上」、及其變型旨在敘述，所述特徵等於或幾乎等於一個值或描述。例如，「實質平坦」的表面旨在指示平坦或幾乎平坦的表面。並且，如上文所界定的，「實質類似」要用來指示兩個值是相等或幾乎相等的。在一些實施例中，「實質類似」可以指示在彼此約10%內的值，例如在彼此約5%內的值，或在彼此約2%內的值。
如本文中所使用的，應將用語「包括」及其變型解釋為是同義的及開放式的，除非另有指示。
應了解到，雖然已針對各種實施例的某些說明性及具體的實施例詳細描述了該等實施例，但不應將本揭示內容視為受限於此，因為在不脫離以下請求項的範圍的情況下，所揭露的特徵的許多更改及組合是可能的。
101:基板處理裝置 105:基板 107:處理液體 108:前端 109:容器 111:貯存器 113:行進方向 115:出口導管 117:出口導管 119:滾筒 121:滾筒軸 123:滾筒軸桿 125:旋轉方向 201:外周邊 203:部分 205:自由面 206:層 207:凹槽 213:行進路徑 301:第一端 303:第二端 305:第一凹槽軸 401:滾筒 403:外周邊 405:第一凹槽 407:第一端 409:第二端 411:滾筒軸 413:凹槽 501:向量 503:第一分量 505:第二分量 507:角度 601:底壁 603:側壁 605:第一側壁 607:第二側壁 609:外表面 611:第一角度 613:第二角度 615:寬度 617:深度 701:第一凹槽 703:底壁 705:側壁 707:第一側壁 709:第二側壁 713:第一角度 715:第二角度 717:寬度 719:深度 801:第一凹槽 803:底壁 805:側壁 807:第一側壁 809:第二側壁 813:第一角度 815:第二角度 817:寬度 819:深度 901:第一凹槽 903:底壁 905:側壁 907:第一側壁 909:第二側壁 913:第一角度 915:第二角度 917:寬度 919:深度 1001:凹槽 1003:底壁 1005:第一深度 1007:第二深度 1201:第一線 1203:第二線 1205:第三線 1301:第一線 1303:第二線 1305:第三線 1307:第四線 103a :第一主要面 103b:第二主要面 207a :第一凹槽 207b:第二凹槽 T:厚度
在參照附圖閱讀以下的詳細說明時，會更佳地了解這些及其他的特徵、實施例及優點，在該等附圖中：
圖 1 示意性地繪示依據本揭示內容的實施例的基板處理裝置；
圖 2 繪示在圖 1 的視圖2 處的基板處理裝置的一些實施例的放大圖，其中滾筒與處理液體接觸；
圖 3 繪示具有複數個凹槽的滾筒的一些實施例的透視圖，該複數個凹槽與滾筒軸實質平行地延伸，滾筒沿著該滾筒軸延伸；
圖 4 繪示具有複數個凹槽的滾筒的一些實施例的透視圖，該複數個凹槽螺旋地纏繞在滾筒周圍；
圖 5 繪示在圖 4 的視圖5 處的基板處理裝置的一些實施例的放大圖，其中凹槽中的一些螺旋地纏繞在滾筒周圍；
圖 6 繪示圖 5 的視圖6 處的滾筒的第一凹槽的一些實施例的放大圖，其中第一凹槽包括非倒角形狀；
圖 7 繪示第一凹槽的額外的實施例的放大圖；
圖 8 繪示第一凹槽的又額外的實施例的放大圖；
圖 9 繪示第一凹槽的又額外的實施例的放大圖；
圖 10 繪示第一凹槽的又額外的實施例的放大圖；
圖 11 繪示第一凹槽的寬度及第一凹槽的深度的一些實施例的圖表；
圖 12 繪示第一凹槽的深度及用於變化第一凹槽的寬度的處理液體的狀態的一些實施例的圖表；及
圖 13 繪示第一凹槽的深度及用於倒角及非倒角凹線的處理液體的狀態的一些實施例的圖表。
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國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
101:基板處理裝置
105:基板
107:處理液體
108:前端
109:容器
113:行進方向
115:出口導管
117:出口導管
119:滾筒
123:滾筒軸桿
125:旋轉方向
103a:第一主要面
103b:第二主要面
T:厚度

Claims (8)

  1. 一種基板處理裝置，包括：一容器，包括一貯藏器；及一滾筒，相對於該容器可旋轉地安裝，該滾筒的一外周邊的一部分定位在該貯存器中，該外周邊包括一第一凹槽，該第一凹槽包括比該第一凹槽的一深度大至少兩倍的一寬度，其中該第一凹槽沿著一第一凹槽軸延伸，該第一凹槽軸與一滾筒軸實質平行，該滾筒沿著該滾筒軸延伸且該滾筒圍繞該滾筒軸旋轉。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽包括一底壁及一對側壁。
  3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中該對側壁中的一或更多個側壁相對於該底壁界定從約60度到約170度的一角度。
  4. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
  5. 如請求項1到4中的任一者所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽的該深度沿著該第一凹槽的該寬度或該第一凹槽的一長度中的一或更多者是不恆定的。
  6. 一種基板處理裝置，包括：一容器，包括一貯藏器；及 一滾筒，圍繞該滾筒沿以延伸的一滾筒軸相對於該容器可旋轉地安裝，該滾筒的一外周邊的一部分定位在該貯存器中，該外周邊包括一第一凹槽，該第一凹槽延伸於該滾筒的一第一端與一第二端之間，其中該第一凹槽螺旋地纏繞在該滾筒周圍。
  7. 如請求項6所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽包括一底壁及一對側壁，且該對側壁中的一或更多個側壁相對於該底壁界定在從約60度到約170度的範圍中的一角度。
  8. 如請求項6或請求項7所述的基板處理裝置，其中該第一凹槽沿著與該滾筒軸實質平行的一第一凹槽軸延伸。
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