CN112888509A - 基板处理装置和方法 - Google Patents

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福山洋贤
中村智之
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Abstract

一种基板处理装置包括：容器，所述容器包括贮存器；及滚筒，所述滚筒相对于所述容器可旋转地安装。所述滚筒的外周边的一部分定位在所述贮存器中。所述外周边包括第一凹槽，所述第一凹槽包括比所述第一凹槽的深度大至少两倍的宽度。此外，还公开了用所述基板处理装置处理基板的方法。

Description

基板处理装置和方法
相关申请的交叉引用
此申请案要求于2018年9月27日所提出的美国临时专利申请案号62/737,150的优先权权益，所述申请案的整体内容在本文中如同在下文中被完全阐述般地以引用方式被依附及并入本文中。
技术领域
本公开内容整体上涉及用于处理基板的方法，且更具体地涉及用于用包括滚筒的基板处理装置来处理基板的方法。
背景技术
人们知道要用处理液体处理基板的第一主要面，所述处理液体被设计为蚀刻基板的第一主要面。此处理液体可能飞溅到基板的相对的第二主要面上。此外，可能由于向基板的第一主要面施加不同量的蚀刻剂而引起处理的不一致。
发明内容
下文呈现了本公开内容的简化概要，以提供详细说明中所述的一些实施方式的基本了解。
根据一些实施方式，一种基板处理装置可以包括：容器，所述容器包括贮存器。所述基板处理装置可以包括相对于所述容器可旋转地安装。所述滚筒的外周边的一部分可以定位在所述贮存器中。所述外周边可以包括第一凹槽，所述第一凹槽包括比所述第一凹槽的深度大至少两倍的宽度。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以包括底壁及一对侧壁。
在一些实施方式中，所述一对侧壁中的一个或多个侧壁可以相对于所述底壁界定可以从约60度到约170度的角度。
在一些实施方式中，所述角度从约60度到约95度。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以沿着第一凹槽轴延伸，所述第一凹槽轴可以与滚筒轴实质平行，所述滚筒沿着所述滚筒轴延伸且所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
在一些实施方式中，所述凹槽的所述深度沿着所述凹槽的所述宽度或所述凹槽的长度中的一者或多者可以是不恒定的。
在一些实施方式中，一种基板处理装置可以包括：容器，所述容器包括贮存器；及滚筒，所述滚筒围绕所述滚筒沿以延伸的滚筒轴相对于所述容器可旋转地安装。所述滚筒的外周边的一部分可以定位在所述贮存器中。所述外周边可以包括第一凹槽，所述第一凹槽延伸于所述滚筒的第一端与第二端之间。
在一些实施方式中，所述滚筒可以包括多孔材料。
在一些实施方式中，所述贮存器可以容纳处理液体。
在一些实施方式中，所述滚筒的所述外周边的定位在所述贮存器中的部分可以与所述处理液体接触。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以包括底壁及一对侧壁。
在一些实施方式中，所述一对侧壁中的一个或多个侧壁可以相对于所述底壁界定可以从约60度到约170度的角度。
在一些实施方式中，所述角度从约60度到约95度。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以沿着第一凹槽轴延伸，所述第一凹槽轴可以与所述滚筒轴实质平行。
在一些实施方式中，所述第一凹槽可以螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
在一些实施方式中，处理基板的方法可以包括以下步骤：将容纳在容器的贮存器中的处理液体与滚筒的外周边的一部分接触，其中所述外周边包括第一凹槽。方法还可包括以下步骤：围绕滚筒轴旋转所述滚筒，以将所述处理液体分布在所述外周边周围及所述第一凹槽内。方法还可包括以下步骤：在所述滚筒旋转时，将所述处理液体从所述外周边传输到所述基板的第一主要面。
在一些实施方式中，用所述滚筒的所述外周边的所述部分接触容纳在所述容器的所述贮存器中的所述处理液体可以使得所述处理液体进入所述第一凹槽。
在一些实施方式中，用所述滚筒的所述外周边的所述部分接触容纳在所述容器的所述贮存器中的所述处理液体的步骤可以包括以下步骤：将所述滚筒的所述外周边的所述部分浸入在容纳在所述贮存器中的所述处理液体中。
在一些实施方式中，方法可以包括以下步骤：在所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转时，沿着行进路径的行进方向移动所述基板。
在一些实施方式中，所述处理液体可以包括蚀刻剂、墨水、液体聚合物、或水中的一者或多者。
附图说明
在参照附图阅读以下详细说明时，会更优选地了解这些及其他的特征、实施方式及优点，在所述附图中：
图1示意性地示出根据本公开内容的实施方式的基板处理装置；
图2示出在图1的视图2处的基板处理装置的一些实施方式的放大图，其中滚筒与处理液体接触；
图3示出具有多个凹槽的滚筒的一些实施方式的透视图，所述多个凹槽与滚筒轴实质平行地延伸，滚筒沿着所述滚筒轴延伸；
图4示出具有多个凹槽的滚筒的一些实施方式的透视图，所述多个凹槽螺旋地缠绕在滚筒周围；
图5示出在图4的视图5处的基板处理装置的一些实施方式的放大图，其中凹槽中的一些螺旋地缠绕在滚筒周围；
图6示出图5的视图6处的滚筒的第一凹槽的一些实施方式的放大图，其中第一凹槽包括非倒角形状；
图7示出第一凹槽的附加的实施方式的放大图；
图8示出第一凹槽的又一附加的实施方式的放大图；
图9示出第一凹槽的又一附加的实施方式的放大图；
图10示出第一凹槽的又一附加的实施方式的放大图；
图11示出第一凹槽的宽度及第一凹槽的深度的一些实施方式的图表；
图12示出第一凹槽的深度及用于变化第一凹槽的宽度的处理液体的状态的一些实施方式的图表；并且
图13示出第一凹槽的深度及用于倒角及非倒角凹线的处理液体的状态的一些实施方式的图表。
具体实施方式
现将在下文中参照附图来更完整地描述实施方式，所述附图中示出了实施方式。尽可能地在所有附图中使用了相同的参考标号来指称相同的或类似的部件。然而，可以用许多不同的形式来实施此公开内容，且此公开内容不应被视为限于本文中所阐述的实施方式。
可以了解，本文中所公开的具体实施方式旨在是示例性的且因此是非限制性的。现将通过用于用基板处理装置101处理基板的实施方式来描述用于处理基板的方法及装置。图1是根据本公开内容的实施方式的基板处理装置101的示意图。基板处理装置101可以用处理液体107处理基板105的第一主要面103a。如图所示，基板105还可包括与第一主要面103a相对的第二主要面103b。基板105的厚度“T”位在第一主要面103a与第二主要面103b之间。取决于特定的应用，可以提供范围广泛的厚度。例如，厚度“T”可以包括基板，所述基板包括从约50微米(micron,μm)到约1公分(cm)的厚度，例如从约50μm到约1毫米(mm)，例如从约50μm到500μm，例如从约50μm到300μm。
在一些实施方式中，基板105的厚度“T”沿着基板105的长度(参照图1)或基板105的宽度中的一者或多者可以是实质恒定的，其中宽度与长度垂直。虽然未示出，但在另外的实施方式中，基板105的厚度“T”也可以沿着基板105的长度及/或宽度变化。例如，加厚的边缘部分(边缘珠缘)可以存在于宽度的外部相对边缘处，所述边缘可能是由某些基板(例如玻璃条带)的形成工艺造成的。此类边缘珠缘可以包括可以大于玻璃条带的高品质中心部分的厚度的厚度。然而，在一些实施方式中，若与基板105一起形成，则此类边缘珠缘可能已经从基板105分离。
在一些实施方式中，基板105可以包括玻璃条带或可以包括玻璃片的玻璃条带。例如，在基板105包括玻璃片时，基板105可以包括前端108及后端，其中基板105的长度可以延伸于前端108与后端之间。在另外的实施方式中，基板105可以包括条带，所述条带可以从条带源提供。在一些实施方式中，条带源可以包括条带卷轴，所述条带卷轴可以展开以被基板处理装置101处理。例如，可以从条带卷轴连续地展开条带，同时可以用基板处理装置101处理条带的下游部分。进一步地，后续的下游工艺(未示出)可以将条带分离成片材，或可以最终将处理过的条带盘绕在存储卷轴上。在另外的实施方式中，条带源可以包括形成基板105的形成设备。在一些实施方式中，可以将条带从形成设备连续地拉出且用基板处理装置101处理。随后，在一些实施方式中，可以接着将处理过的条带分离成一个或多个片材。或者，可以随后将处理过的条带盘绕在存储卷轴上。
在一些实施方式中，基板105可以包括硅(例如硅晶片或硅片)、树脂、或其他材料。在另外的实施方式中，基板105可以包括氟化锂(LiF)、氟化镁(MgF2)、氟化钙(CaF2)、氟化钡(BaF2)、蓝宝石(Al2O3)、硒化锌(ZnSe)、锗(Ge)、或其他材料。在又另外的实施方式中，基板105可以包括玻璃(例如铝硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃、钠钙玻璃等等)、玻璃陶瓷、或包括玻璃的其他材料。在一些实施方式中，基板105可以包括玻璃条带或包括玻璃片的玻璃条带，且可以是柔性的且具有从约50μm到约300μm的厚度“T”，然而也可以在另外的实施方式中提供其他范围的厚度及/或非柔性的配置。在一些实施方式中，可以将基板105(例如包括玻璃或其他的光学材料)用在各种显示应用中，例如液晶显示器(LCD)、电泳显示器(EPD)、有机发光二极管显示器(OLED)、等离子体显示面板(PDP)、或其他的应用。
取决于期望的属性，基板处理装置101可以用来在基板105的第一主要面103a上施用各种类型的处理液体107。例如，在一些实施方式中，处理液体107可以包括油漆、清洁剂、层合体、表面处理、密封剂、冲洗剂(例如水)、化学强化材料、保护剂材料、或其他涂料。在另外的实施方式中，处理液体107可以包括蚀刻剂、墨水、液体聚合物、或水中的一者或多者。蚀刻剂可以包括材料蚀刻剂，所述材料蚀刻剂被设计为蚀刻形成基板105的第一主要面103a的特定材料。在一些实施方式中，蚀刻剂可以包括玻璃蚀刻剂以蚀刻在第一主要面103a处包括玻璃的基板105。在另外的实施方式中，蚀刻剂可以包括适于蚀刻在第一主要面103a处包括硅的基板105的蚀刻剂。在另外的实施方式中，可以将蚀刻剂设计为蚀刻掉基板105的第一主要面103a的未遮蔽区域。在一些实施方式中，可以将蚀刻剂设计为蚀刻掉硅晶片上的导电层的未遮蔽部分以形成半导体。在另外的实施方式中，可以将蚀刻剂设计为提供基板105的第一主要面103a的表面粗糙度(例如向玻璃基板提供表面粗糙度)。例如，可以蚀刻基板105的未遮蔽部分或整个第一主要面103a以使表面粗糙化，藉此限制彼此接触的两个基板表面之间的不想要的直接黏合(例如共价键合)。在另外的实施方式中，可以使用蚀刻来修改正在蚀刻的基板105或基板105的未遮蔽部分的光学性质。并且，可以使用蚀刻来减少基板105的厚度“T”、清洁基板105的第一主要面103a、或提供其他的属性。
基板处理装置101可以包括容器109，所述容器包括贮存器111，在所述贮存器中，可以将处理液体107容纳在容器109的贮存器111内。如图1中所示，在一些实施方式中，基板处理装置101可以包括多个容器109，所述多个容器沿着基板105的行进方向113串联布置。虽然可以在未示出的实施方式中提供单个容器109，但多个容器109可以增加改变贮存器111内的处理液体107的高度的反应时间，且也可以容许沿着行进方向113行进的基板105的不同部分的选择性处理速率。在一些实施方式中，可以从来源(例如泵)经由入口导管115向容器109递送处理液体107。在一些实施方式中，可以经由出口导管117从容器109移除过量的处理液体107。
参照图1至图2，在一些实施方式中，基板处理装置101包括滚筒119，所述滚筒相对于容器109可旋转地安装。可以围绕滚筒轴121相对于容器109可旋转地安装滚筒119，滚筒119沿着所述滚筒轴延伸。基板处理装置101可以包括驱动机构，所述驱动机构可以例如经由滚筒119的滚筒轴杆123连接到滚筒119。滚筒轴杆123可以沿着滚筒轴121延伸。在一些实施方式中，驱动机构可以向滚筒轴杆123施加力矩，以在旋转方向125上围绕滚筒轴121向滚筒119施加旋转移动。在一些实施方式中，驱动机构可以包括马达，所述马达可以直接连接到滚筒轴杆123。
参照图2，在一些实施方式中，滚筒119可以包括多孔材料。多孔材料可以包括闭孔多孔材料；然而开孔多孔材料可以容易地吸收一定量的液体以增强从贮存器111到基板105的第一主要面103a的液体传输速率。界定滚筒119的外周边201的材料不限于多孔材料，且在另外的实施方式中，滚筒119可以包括由聚氨酯、聚丙烯、或其他材料制作的刚性或柔性的材料。并且，在一些实施方式中，滚筒119的外周边201可以包括织物滚筒绒，及/或可以包括例如纤维、刷毛、或长丝的凸部。在一些实施方式中，滚筒119可以包括单块圆柱，所述单块圆柱在整个滚筒内具有连续的组成及配置。在另外的实施方式中，滚筒119可以包括一个或多个部件，例如内心及设置在内心上的外层，其中所述外层包括滚筒119的外周边201。在一些实施方式中，内心可以包括实心的内心，然而也可以提供空心的内心。内心可以促进力矩的传导以旋转滚筒，而外周边201可以由一种材料制造，所述材料可以提供处理液体107从贮存器111的预期升举及将处理液体107传输到基板105的第一主要面103a。
在一些实施方式中，滚筒119可以部分定位在贮存器111中。通过部分定位在贮存器111中，滚筒119的下部可以位于由容器109的顶面所界定的平面下方，而滚筒119的上部可以位于由容器109的顶面所界定的平面上方。在一些实施方式中，滚筒119的外周边201的部分203可以定位在贮存器111中，例如通过定位在贮存器中与处理液体107接触来定位。在一些实施方式中，可以与处理液体107接触的外周边201的部分203可以包括处理液体107的表面下方的一定深度，所述深度可以小于滚筒119的直径的一半。然而，此类位置不旨在是限制，且在另外的实施方式中，可以将外周边201的更大或更小的部分定位在贮存器111中与处理液体107接触。在外周边201接触处理液体107的情况下，处理液体107可以累积在外周边201上。例如，处理液体107可以在外周边201周围形成层206。在滚筒119的上部定位在基板105的第一主要面103a附近的情况下，滚筒119可以围绕滚筒轴121在旋转方向125上旋转，这可以将处理液体107从外周边201传输到基板105的第一主要面103a。
滚筒119的外周边201可以包括多个凹槽207。例如，外周边201可以包括第一凹槽207a、第二凹槽207b等等。在一些实施方式中，所述多个凹槽207可以包括外周边201内的通道、垄沟、压痕等等。相邻的凹槽207可以围绕外周边201彼此隔开。例如，第一凹槽207a可以与第二凹槽207b隔开一定距离，所述第二凹槽与第一凹槽207a相邻。在一些实施方式中，分离相邻凹槽的距离可以是恒定的，例如，其中分离第一凹槽207a及第二凹槽207b的距离与分离第二凹槽207b及相邻的第三凹槽的距离相同等等。然而，在其他的实施方式中，分离相邻的凹槽的距离可以是非恒定的，因为一些相邻的凹槽可以比其他相邻的凹槽更靠近在一起。例如，分离第一凹槽207a及第二凹槽207b的距离可以大于或小于分离第二凹槽207b及相邻的第三凹槽的距离等等。在一些实施方式中，在滚筒119的外周边201的部分203接触处理液体107时，处理液体107进入可以至少部分地浸没在处理液体107内的第一凹槽207a、第二凹槽207b等等。在滚筒119围绕滚筒轴121在旋转方向125上旋转时，凹槽207可以从贮存器111朝向基板105输送处理液体107。
参照图3，示出了基板处理装置101的滚筒119的一些实施方式。在一些实施方式中，外周边201包括延伸于滚筒119的第一端301与第二端303之间的第一凹槽207a。在一些实施方式中，通过延伸于第一端301与第二端303之间，第一凹槽207a沿着第一凹槽轴305延伸，如图所示，所述第一凹槽轴可以与滚筒轴121实质平行，滚筒119沿着所述滚筒轴延伸且滚筒119围绕所述滚筒轴旋转。如此，第一凹槽207a可以与滚筒轴121平行地纵向延伸于第一端301与第二端303之间。虽然滚筒119的结构及功能的前述说明是相对于第一凹槽207a而作出的，但将理解，滚筒119的其他的凹槽(例如所述多个凹槽207)的结构及功能也可以与第一凹槽207a实质类似。例如，所述多个凹槽207中的一者或多者可以延伸于第一端301与第二端303之间，其中所述多个凹槽207沿着相应的凹槽轴延伸于第一端301与第二端303之间，所述凹槽轴可以与滚筒轴121实质平行，滚筒119沿着所述滚筒轴延伸且滚筒119围绕所述滚筒轴旋转。如此，在一些实施方式中，所述多个凹槽207可以彼此实质平行地延伸同时与滚筒轴121实质平行地延伸。
参照图4，示出了基板处理装置101的滚筒401的另外的实施方式。在一些实施方式中，滚筒401的外周边403可以包括延伸于滚筒401的第一端407与第二端409之间的第一凹槽405。在一些实施方式中，通过延伸于第一端407与第二端409之间，第一凹槽405可以螺旋地缠绕在滚筒401周围。例如，第一凹槽405可以螺旋地缠绕在滚筒轴411周围，滚筒401沿着所述滚筒轴延伸且滚筒401围绕所述滚筒轴旋转。如此，第一凹槽405在第一端407与第二端409之间与滚筒轴411不平行地延伸。第一凹槽405可以部分地或完全地螺旋地缠绕在滚筒401周围。例如，通过完全螺旋地缠绕在滚筒401周围，第一凹槽405可以围绕滚筒401延伸达至少360度。通过部分螺旋地缠绕在滚筒401周围，第一凹槽405可以围绕滚筒401延伸达小于360度，例如通过围绕滚筒401在从约1度到约359度的角度内螺旋地缠绕来延伸。虽然滚筒401的结构及功能的前述说明是相对于第一凹槽405而作出的，但将理解，滚筒401的其他的凹槽(例如多个凹槽413)的结构及功能也可以与第一凹槽405实质类似。例如，所述多个凹槽413中的一者或多者可以延伸于第一端407与第二端409之间，其中所述多个凹槽413螺旋地缠绕在滚筒401周围。如此，在一些实施方式中，所述多个凹槽413可以彼此实质平行地延伸同时螺旋地缠绕在滚筒401周围。
将理解，图3至图4中所示出的滚筒119、401的所述多个凹槽207、413不限于彼此实质平行地延伸。例如，图3中所示出的滚筒119的凹槽207不限于与滚筒轴121实质平行地延伸，滚筒119沿着所述滚筒轴延伸。同样地，图4中所示出的滚筒401的凹槽413不限于螺旋地缠绕在滚筒401周围。在一些实施方式中，滚筒119、401可以包括与滚筒119沿以延伸的滚筒轴121实质平行地延伸的凹槽207中的一者或多者及可以螺旋地缠绕在滚筒401周围的凹槽413中的一者或多者。如此，滚筒119、401可以包括凹槽，其中所述凹槽中的一些彼此平行地延伸而所述凹槽中的一些可以是不平行的。
参照图5，示出了滚筒401的第一凹槽405的一些实施方式。如本文中所述，第一凹槽405可以延伸于滚筒401的第一端301与第二端303之间，同时螺旋地缠绕在滚筒401周围。在旋转方向125上围绕滚筒轴121旋转的滚筒401的旋转速度可以由向量501所表示，所述向量可以实质垂直地定向(例如沿着滚筒401的旋转方向125定向)。向量501的第一分量503可以与第一凹槽405沿以延伸的轴实质垂直地定向，而向量501的第二分量505可以与第一凹槽405沿以延伸的轴实质平行地定向。角度507可以界定在向量501与第二分量505之间。在一些实施方式中，第一凹槽405与累积在第一凹槽405内的处理液体107之间的相对速度可以由等式(U)sinφ所表示，其中U表示滚筒401的旋转速度(例如向量501)，且φ表示角度507。离开第一凹槽405的处理液体107的运出速度可以由等式(U)cosφ所表示。最大运出通量可以由等式(U)(S)cosφ所表示，其中S表示第一凹槽405的横截面积(例如深度乘宽度)。在一些实施方式中，随着角度507变得越来越小且趋近0度，可以累积在第一凹槽405中的处理液体107的量减少。例如，随着角度507变得越来越小，第一凹槽405缠绕在滚筒401的外周边403周围的次数增加。在角度507是零度时，第一凹槽405可以不延伸于滚筒401的第一端407与第二端409之间，而是可以周向地围绕滚筒401的外周边403延伸。在这些实施方式中，在角度507趋近零度的情况下，处理液体107不太可能累积及/或保持在第一凹槽405中，而是可能离开第一凹槽405且传递回到贮存器111中。
在一些实施方式中，随着角度507变得越来越大且趋近90度，可以累积在第一凹槽405中的处理液体107的量增加。例如，随着角度507变得越来越大，第一凹槽405缠绕在滚筒401的外周边403周围的次数减少。在角度507是90度时，第一凹槽405可以用如图3中所示出的类似方式(例如其中第一凹槽405可以与滚筒轴121、411实质平行地延伸)纵向延伸于滚筒401的第一端407与第二端409之间。在这些实施方式中，在角度507趋近90度的情况下，处理液体107可以较可能累积及/或保持在第一凹槽405中。最大运出通量可以受到第一凹槽405的横截面积的影响。例如，第一凹槽405较大的横截面积可以产生较大的最大运出通量，这可以增加可以从滚筒401(例如在所述多个凹槽413内)传输到基板105的处理液体107量。相反地，第一凹槽405较小的横截面积可以产生较小的最大运出通量，这可以减少可以从滚筒401(例如在所述多个凹槽413内)传输到基板105的处理液体107量。
参照图6，示出了与第一凹槽207a、405的凹槽轴垂直地截取的凹槽横截面的一些实施方式。如图所示，第一凹槽207a、405可以形成于滚筒119、401的外周边201、403内。在一些实施方式中，第一凹槽207a、405可以包括底壁601及一对侧壁603。所述对侧壁603可以包括可以彼此隔开的第一侧壁605及第二侧壁607。底壁601可以延伸于第一侧壁605与第二侧壁607之间。在一些实施方式中，底壁601可以是实质平坦的，例如通过在与凹槽方向正交的方向上直线延伸于第一侧壁605与第二侧壁607之间而是实质平坦的(例如其中凹槽方向沿着滚筒轴121、411延伸于第一端301、407与第二端303、409之间)。然而，在其他的实施方式中，底壁601不限于是平坦的，且可以反而在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁605与第二侧壁607之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。在一些实施方式中，底壁601可以在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁605与第二侧壁607之间包括弧，所述弧与滚筒119、401的外周边201、403的外表面609沿以延伸的弧实质平行。在一些实施方式中，底壁601可以是实质平坦的，例如通过在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽207a、405的长度是平坦的而是实质平坦的。另外地或替代地，在一些实施方式中，底壁601可以在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间是不平坦的，例如通过包括弧而是不平坦的，所述弧在与凹槽方向平行的方向上弯曲(例如其中底壁601在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽207a、405的长度是不平坦的)。在一些实施方式中，第一侧壁605及/或第二侧壁607可以是实质平坦的，例如通过直线延伸于外表面609与底壁601之间而是实质平坦的。然而，在其他的实施方式中，第一侧壁605及/或第二侧壁607不限于是平坦的，且可以反而在外表面609与底壁601之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。
在一些实施方式中，所述对侧壁603可以相对于底壁601界定角度。例如，所述对侧壁603中的一个或多个侧壁(例如第一侧壁605及/或第二侧壁607)可以相对于底壁601界定可以从约60度到约95度的角度。在一些实施方式中，第一侧壁605可以相对于底壁601界定第一角度611，所述第一角度可以从约60度到约95度或从约85度到约95度。在一些实施方式中，第二侧壁607可以相对于底壁601界定第二角度613，所述第二角度可以从约60度到约95度或从约85度到约95度。在一些实施方式中，第一角度611可以等于第二角度613，然而也可以在另外的实施方式中提供不同的角度。在一些实施方式中，第一角度611或第二角度613中的一或两者可以包括直角，使得第一凹槽207a可以包括沿着与凹槽轴垂直的横截面截取的方形形状或矩形形状的剖面。
在一些实施方式中，第一凹槽207a、405可以包括宽度615，所述宽度可以比第一凹槽207a的深度617大至少两倍。第一凹槽207a、405的宽度615是在第一侧壁605及第二侧壁607的底部处(例如沿着底壁601)在第一侧壁605与第二侧壁607之间(例如与第一凹槽207a、405沿以延伸的第一凹槽轴305垂直地且与底壁601平行地)测量到的。在一些实施方式中，宽度615是第一侧壁605与第二侧壁607之间的最小距离。然而，在第一凹槽207a、405不包括底壁的其他的实施方式中(例如在第一凹槽207a、405包括V形时，其中第一侧壁605或第二侧壁607中的一者或多者朝向彼此倾斜及收敛，且在第一侧壁605及第二侧壁607的底端处连接)，宽度615是第一侧壁605与第二侧壁607之间的最大距离。在第一凹槽207a、405包括不具有底壁的V形的这些实施方式中，宽度615(例如第一侧壁605与第二侧壁607之间的最大距离)是在第一侧壁605及第二侧壁607的顶端之间测量到的。第一凹槽207a、405的深度617是在底壁601(例如与底壁601垂直地)与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间测量到的。在一些实施方式中，在底壁601不与在测量位置处跟外表面609相切的平面平行时，深度617可以包括从在测量位置处与外表面609相切的平面到底壁601的最小距离。然而，在第一凹槽207a、405不包括底壁的其他的实施方式中(例如在第一凹槽207a、405包括V形时，其中第一侧壁605或第二侧壁607中的一者或多者朝向彼此倾斜及收敛，且在第一侧壁605及第二侧壁607的底端处连接)，深度617是第一侧壁605与第二侧壁607的收敛点(例如在第一侧壁605及第二侧壁607的底端处)与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间的距离。
由于宽度615比第一凹槽207a的深度617大至少两倍，处理液体107可以被接收在第一凹槽207a内，且可以维持围绕滚筒119、401的连续的处理液体107层。虽然前述说明是相对于第一凹槽207a、405作出的，但将理解，在一些实施方式中，滚筒119、401的其他凹槽(例如所述多个凹槽207、413)的结构及功能也可以与第一凹槽207a实质类似。例如，所述多个凹槽207、413中的一者或多者可以包括所述对侧壁603，所述对侧壁包括第一侧壁605及第二侧壁607，其中第一侧壁605相对于底壁601界定第一角度611，且第二侧壁607相对于底壁601界定第二角度613。
参照图7，将滚筒119、401的第一凹槽701的另外的实施方式示出为其会用第一凹槽701的与凹槽轴垂直地截取的一种横截面呈现，其中第一凹槽701可以是倒角的。在一些实施方式中，第一凹槽701可以包括底壁703及一对侧壁705。所述对侧壁705可以包括可以彼此隔开的第一侧壁707及第二侧壁709。底壁703可以延伸于第一侧壁707与第二侧壁709之间。在一些实施方式中，底壁703可以是实质平坦的，例如通过在与凹槽方向正交的方向上直线延伸于第一侧壁707与第二侧壁709之间而是实质平坦的(例如其中凹槽方向沿着滚筒轴121、411延伸于第一端301、407与第二端303、409之间)。然而，在其他的实施方式中，底壁703不限于是平坦的，且可以反而在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁707与第二侧壁709之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。在一些实施方式中，底壁703可以在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁707与第二侧壁709之间包括弧，所述弧与滚筒119、401的外周边201、403的外表面609沿以延伸的弧实质平行。在一些实施方式中，底壁703可以是实质平坦的，例如通过在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽701的长度是平坦的而是实质平坦的。另外地或替代地，在一些实施方式中，底壁703可以在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间是不平坦的，例如通过包括弧而是不平坦的，所述弧在与凹槽方向平行的方向上弯曲(例如其中底壁703在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽701的长度是不平坦的)。在一些实施方式中，第一侧壁707及/或第二侧壁709可以是实质平坦的，例如通过直线延伸于外表面609与底壁703之间而是实质平坦的。然而，在其他的实施方式中，第一侧壁707及/或第二侧壁709不限于是平坦的，且可以反而在外表面609与底壁703之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。
在一些实施方式中，所述对侧壁705可以相对于底壁703界定角度。例如，所述对侧壁705中的一个或多个侧壁(例如第一侧壁707及/或第二侧壁709)可以相对于底壁703界定可以从约60度到约170度的角度。在一些实施方式中，第一侧壁707可以相对于底壁703界定第一角度713，所述第一角度可以从约60度到约170度或从约95度到约170度。在一些实施方式中，第二侧壁709可以相对于底壁703界定第二角度715，所述第二角度可以从约60度到约170度或从约95度到约170度。在一些实施方式中，第一角度713或第二角度715中的一者或多者可以包括钝角，使得第一凹槽701可以包括非方形或非矩形的形状。
在一些实施方式中，第一凹槽701可以包括宽度717，所述宽度可以比第一凹槽701的深度719大至少两倍。第一凹槽701的宽度717是在第一侧壁707及第二侧壁709的底部处(例如在底壁703在第一侧壁707与第二侧壁709之间是直线的时候沿着底壁703)在第一侧壁707与第二侧壁709之间(例如与第一凹槽701沿以延伸的轴垂直地)测量到的。在一些实施方式中，第一凹槽701的宽度717在底壁703与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间可以是不恒定的。例如，第一凹槽701的宽度717可以沿着底壁703(例如在第一侧壁707及第二侧壁709的底部处)处于最小值，且沿着在测量位置处与外表面609相切的平面(例如在第一侧壁707及第二侧壁709的顶部处)处于最大值。在这些实施方式中，第一凹槽701的宽度717可以从底壁703朝向外表面609增加。第一凹槽701的深度719是在底壁703(例如与底壁703垂直地)与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间测量到的。由于宽度717比第一凹槽701的深度719大至少两倍，处理液体107可以被接收在第一凹槽701内，且可以维持围绕滚筒119、401的连续的处理液体107层。虽然前述说明是相对于第一凹槽701作出的，但将理解，滚筒119、401的其他凹槽(例如多个凹槽207、413)中的一者或多者的结构及功能也可以与第一凹槽701实质类似。例如，所述多个凹槽207、413中的一者或多者可以包括所述对侧壁705，所述对侧壁包括第一侧壁707及第二侧壁709，其中第一侧壁707相对于底壁703界定第一角度713，且第二侧壁709相对于底壁703界定第二角度715。
参照图8，示出了滚筒119、401的第一凹槽801的另外的实施方式。在一些实施方式中，第一凹槽801可以包括底壁803及一对侧壁805。所述对侧壁805可以包括可以彼此隔开的第一侧壁807及第二侧壁809。底壁803可以延伸于第一侧壁807与第二侧壁809之间。在一些实施方式中，底壁803可以是实质平坦的，例如通过在与凹槽方向正交的方向上直线延伸于第一侧壁807与第二侧壁809之间而是实质平坦的(例如其中凹槽方向沿着滚筒轴121、411延伸于第一端301、407与第二端303、409之间)。然而，在其他的实施方式中，底壁803不限于是平坦的，且可以反而在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁807与第二侧壁809之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。在一些实施方式中，底壁803可以在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁807与第二侧壁809之间包括弧，所述弧与滚筒119、401的外周边201、403的外表面609沿以延伸的弧实质平行。在一些实施方式中，底壁803可以是实质平坦的，例如通过在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽801的长度是平坦的而是实质平坦的。另外地或替代地，在一些实施方式中，底壁803可以在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间是不平坦的，例如通过包括弧而是不平坦的，所述弧在与凹槽方向平行的方向上弯曲(例如其中底壁803在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽801的长度是不平坦的)。在一些实施方式中，第一侧壁807及/或第二侧壁809可以是实质平坦的，例如通过直线延伸于外表面609与底壁803之间而是实质平坦的。然而，在其他的实施方式中，第一侧壁807及/或第二侧壁809不限于是平坦的，且可以反而在外表面609与底壁803之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。
在一些实施方式中，所述对侧壁805可以相对于底壁803界定角度。例如，所述对侧壁805中的一个或多个侧壁(例如第一侧壁807及/或第二侧壁809)可以相对于底壁803界定可以从约60度到约170度的角度。在一些实施方式中，第一侧壁807可以相对于底壁803界定第一角度813，所述第一角度可以从约60度到约170度。例如，第一角度813可以从约60度到约95度或从约85度到约95度。在一些实施方式中，第一侧壁807可以包括直角。在一些实施方式中，第二侧壁809可以相对于底壁803界定第二角度815，所述第二角度可以从约60度到约170度或从约95度到约170度。在一些实施方式中，第二角度815可以包括钝角。如此，在一些实施方式中，第一角度813及第二角度815可以是不同的。
在一些实施方式中，第一凹槽801包括宽度817，所述宽度可以比第一凹槽801的深度819大至少两倍。第一凹槽801的宽度817是在第一侧壁807及第二侧壁809的底部处(例如沿着底壁803)在第一侧壁807与第二侧壁809之间(例如与第一凹槽801沿以延伸的轴垂直地且与底壁803平行地)测量到的。在一些实施方式中，第一凹槽801的宽度817在底壁803与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间可以是不恒定的。例如，第一凹槽801的宽度817可以沿着底壁803(例如在第一侧壁807及第二侧壁809的底部处)处于最小值，且沿着在测量位置处与外表面609相切的平面(例如在第一侧壁807及第二侧壁809的顶部处)处于最大值。在这些实施方式中，第一凹槽801的宽度817可以从底壁803朝向外表面609增加。第一凹槽801的深度819是在底壁803(例如与底壁803垂直地)与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间测量到的。由于宽度817比第一凹槽801的深度819大至少两倍，处理液体107可以被接收在第一凹槽801内，且可以维持围绕滚筒119、401的连续的处理液体107层。虽然前述说明是相对于第一凹槽801作出的，但将理解，滚筒119、401的其他凹槽(例如所述多个凹槽207、413)中的一者或多者的结构及功能也可以与第一凹槽801实质类似。例如，所述多个凹槽207、413中的一者或多者可以包括一对侧壁805，所述对侧壁包括第一侧壁807及第二侧壁809，其中第一侧壁807相对于底壁803界定第一角度813，且第二侧壁809相对于底壁803界定第二角度815。
参照图9，示出了滚筒119、401的第一凹槽901的另外的实施方式。在一些实施方式中，第一凹槽901可以包括底壁903及一对侧壁905。所述对侧壁905可以包括可以彼此隔开的第一侧壁907及第二侧壁909。底壁903可以延伸于第一侧壁907与第二侧壁909之间。在一些实施方式中，底壁903可以是实质平坦的，例如通过在与凹槽方向正交的方向上直线延伸于第一侧壁907与第二侧壁909之间而是实质平坦的(例如其中凹槽方向沿着滚筒轴121、411延伸于第一端301、407与第二端303、409之间)。然而，在其他的实施方式中，底壁903不限于是平坦的，且可以反而在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁907与第二侧壁909之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。在一些实施方式中，底壁903可以在与凹槽方向正交的方向上在第一侧壁907与第二侧壁909之间包括弧，所述弧与滚筒119、401的外周边201、403的外表面609沿以延伸的弧实质平行。在一些实施方式中，底壁903可以是实质平坦的，例如通过在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽901的长度是平坦的而是实质平坦的。另外地或替代地，在一些实施方式中，底壁903可以在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间是不平坦的，例如通过包括弧而是不平坦的，所述弧在与凹槽方向平行的方向上弯曲(例如其中底壁903在滚筒119、401的第一端301、407与第二端303、409之间沿着第一凹槽901的长度是不平坦的)。在一些实施方式中，第一侧壁907及/或第二侧壁909可以是实质平坦的，例如通过直线延伸于外表面609与底壁903之间而是实质平坦的。然而，在其他的实施方式中，第一侧壁907及/或第二侧壁909不限于是平坦的，且可以反而在外表面609与底壁903之间是不平坦的，例如通过包括曲线、弧、弯曲等等而是不平坦的。
在一些实施方式中，所述对侧壁905可以相对于底壁903界定角度。例如，所述对侧壁905中的一个或多个侧壁(例如第一侧壁907及/或第二侧壁909)可以相对于底壁903界定可以从约60度到约170度的角度。在一些实施方式中，第一侧壁907可以相对于底壁903界定第一角度913，所述第一角度可以从约60度到约85度，使得第一侧壁807可以包括锐角。在一些实施方式中，第二侧壁909可以相对于底壁903界定第二角度915，所述第二角度可以从约95度到约170度。在一些实施方式中，第二角度915可以包括钝角，使得第一角度913及第二角度915可以是不同的。
在一些实施方式中，第一凹槽901可以包括宽度917，所述宽度可以比第一凹槽901的深度919大至少两倍。第一凹槽901的宽度917是在较短的侧壁(例如第二侧壁909)的底部处在第一侧壁907与第二侧壁909之间(例如与第一凹槽901沿以延伸的轴垂直地且与第一侧壁907及第二侧壁909垂直地)测量到的。第一凹槽901的深度919是在底壁903与在测量位置处跟外表面609相切的平面之间测量到的。例如，深度919是例如在底壁903与在测量位置处(例如在第一侧壁907处)跟外表面609相切的平面之间沿着第一侧壁907在第一凹槽901的最大深度处测量到的。在一些实施方式中，凹槽(例如第一凹槽901)的深度919沿着凹槽(例如第一凹槽901)的宽度917可以是不恒定的，使得第一凹槽901的深度919在第一侧壁907与第二侧壁909之间可以是不恒定的。例如，深度919可以沿着第二侧壁909(例如在底壁903的右侧处)处于最小值且沿着第一侧壁907(例如在底壁903的左侧处)处于最大值。在这些实施方式中，第一凹槽901的深度919可以沿着底壁803从第一侧壁807朝向第二侧壁809增加。由于宽度917比第一凹槽901的深度919大至少两倍，处理液体107可以被接收在第一凹槽901内，且可以维持围绕滚筒119、401的连续的处理液体107层。虽然前述说明是相对于第一凹槽901作出的，但将理解，滚筒119、401的其他凹槽(例如所述多个凹槽207、413)中的一者或多者的结构及功能也可以与第一凹槽901实质类似。例如，所述多个凹槽207、413中的一者或多者可以包括所述对侧壁905，所述对侧壁包括第一侧壁907及第二侧壁909，其中第一侧壁907相对于底壁903界定第一角度913，且第二侧壁909相对于底壁903界定第二角度915。
参照图10，示出了滚筒119的一部分的沿着图3的线10-10的横截面。在一些实施方式中，凹槽1001的深度沿着凹槽1001的长度可以是不恒定的。例如，凹槽1001可以包括底壁1003，所述底壁延伸于滚筒119的第一端301与第二端303之间。底壁1003可以沿着滚筒119的长度成角度，使得凹槽1001的深度在滚筒119的第一端301与第二端303之间可以是不恒定的。在一些实施方式中，凹槽1001可以包括第一位置处的第一深度1005及第二位置处的第二深度1007。第一深度1005是在底壁1003与第一位置处的外表面609之间测量到的。第二深度1007是在底壁1003与第二位置处的外表面609之间测量到的。在一些实施方式中，由于底壁1003成角度，第一深度1005可以大于第二深度1007。如此，凹槽1001的深度沿着凹槽的宽度(例如如图9中所示出)或凹槽的长度(例如如图10中所示出)中的一者或多者可以是不恒定的。
虽然前述说明是相对于第一凹槽1001作出的，但将理解，滚筒119、401的其他凹槽(例如所述多个凹槽207、413、第一凹槽207a、405、701、801、901等等)中的一者或多者的结构及功能也可以与第一凹槽1001实质类似。例如，凹槽207、207a、405、413、701、801、901中的一者或多者可以包括成角度的底壁1003，所述底壁可以包括不恒定的深度(例如第一位置处的第一深度1005及第二位置处的第二深度1007)。如此，滚筒119、401的凹槽207、207a、405、413、701、801、901中的一者或多者可以包括非倒角侧壁(例如图6中所示出)、倒角侧壁(例如图7中所示出)、部分倒角侧壁(例如图8中所示出)、沿着凹槽的宽度的不恒定深度(例如图9中所示出)、或沿着凹槽的长度的不恒定深度(例如图10中所示出)中的一者或多者。
参照图2，示出了处理基板105的方法的一些实施方式。在一些实施方式中，处理基板105的方法可以包括以下步骤：将处理液体107添加到容器109的贮存器111。通过将处理液体107添加到贮存器111、贮存器111可以被部分填充(例如如图所示出的)或完全填充。在一些实施方式中，在被部分填充时，处理液体107的自由面205位于由容器109的顶面所界定的平面下方。在一些实施方式中，在被完全填充时，处理液体107的自由面205可以与由容器109的顶面所界定的平面共面。可以用几种方式(举例而言，例如经由入口导管115)将处理液体107添加到容器109的贮存器111。在一些实施方式中，可以经由出口导管117从贮存器111移除处理液体107，以便降低处理液体107的自由面205的水平。
在一些实施方式中，处理基板105的方法可以包括以下步骤：在滚筒119围绕滚筒轴121旋转(例如沿着旋转方向125旋转)时，沿着行进路径213的行进方向113移动基板105。可以沿着行进方向113移动(例如从图2中的左侧到右侧移动)基板105，其中用实线将前端108示出为处于第一位置，且用虚线将所述前端示出为处于第二位置。在一些实施方式中，基板105沿着行进方向113的速度可以大于、等于、或小于滚筒119沿着旋转方向125的旋转速度。例如，在基板105沿着行进方向113移动时，滚筒119可以同时旋转，使得滚筒119的旋转方向125(例如图2中的顺时针方向)可以匹配基板105的行进方向113(例如图2中的左侧到右侧)。
在一些实施方式中，处理基板105的方法可以包括以下步骤：用滚筒119的外周边201的部分203接触容纳在容器109的贮存器111中的处理液体107，其中外周边201包括第一凹槽207a。在一些实施方式中，用滚筒119的外周边201的部分203接触容纳在容器109的贮存器111中的处理液体107的步骤可以包括以下步骤：将滚筒119的外周边201的部分203浸入在容纳在贮存器111中的处理液体107中。通过将外周边201的部分203浸入在处理液体107中，滚筒119的外周边201中的一些或全部可以浸入在处理液体107中在自由面205下方。例如，在图1-2的实施方式中，外周边201的浸入在处理液体107中的部分203可以包括小于滚筒119的直径的一半。然而，在其他的实施方式中，也可以将大于滚筒119的直径的一半浸入在处理液体107中且定位在自由面205下方。在一些实施方式中，用滚筒119的外周边201的部分203接触容纳在容器109的贮存器111中的处理液体107可以使得处理液体107进入第一凹槽207a。例如，通过进入第一凹槽207a，处理液体107不限于填充第一凹槽207a。相反，在一些实施方式中，处理液体107可以进入第一凹槽207a且部分填充第一凹槽207a，使得不到全部的第一凹槽207a填有处理液体107。
在一些实施方式中，处理基板105的方法可以包括以下步骤：围绕滚筒轴121旋转滚筒119以将处理液体107连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内。通过连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内，处理液体107可以在滚筒119周围形成不间断的层206，其中层206不含间隙、空隙、空间、或处理液体107中的其他不连续。在一些实施方式中，处理液体107的连续分布的层206可以包括大于零的最小厚度“T2”。例如，处理液体107的连续分布的层206可以包括从约22μm到约24μm的厚度T2。在其他的实施方式中，处理液体107的连续分布的层206可以包括从约30μm到约34μm的厚度T2。在一些实施方式中，滚筒119可以用驱动机构围绕滚筒轴121旋转，所述驱动机构可以经由滚筒轴杆123连接到滚筒119。驱动机构可以向滚筒轴杆123施加力矩，这可以使得滚筒119在旋转方向125上围绕滚筒轴121旋转。
在一些实施方式中，处理基板105的方法可以包括以下步骤：在滚筒119旋转时，将处理液体107从外周边201传输到基板105的第一主要面103a。例如，在滚筒119旋转时，可以围绕滚筒119的外周边201将处理液体107连续分布为层206。基板105的第一主要面103a可以紧邻滚筒119的外周边201，使得分离滚筒119的外周边201及第一主要面103a的距离可以小于处理液体107的层206的厚度T2。虽然基板105的第一主要面103a紧邻滚筒119的外周边201，但在一些实施方式中，第一主要面103a可以不接触外周边201。相反，基板105的第一主要面103a可以接触及通过处理液体107的连续分布在外周边201周围的层206。如此，可以将处理液体107从滚筒119的外周边201传输到基板105的第一主要面103a。
图11示出在维持将处理液体107连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内的同时，第一凹槽207a的宽度与第一凹槽207a的深度之间的关系。x轴(例如水平轴)表示凹槽深度(例如μm)，而y轴(例如垂直轴)表示凹槽深度(例如μm)。线1100表示围绕滚筒119的外周边201连续分布的处理液体107与非连续分布(例如不连续)的所述处理液体之间的边界。在这些实施方式中，线1100代表包括非倒角形状的第一凹槽207a(例如图6中所示出)。在一些实施方式中，在凹槽深度超过给定凹槽宽度下的临界凹槽深度(例如线1100上的点)时，处理液体107变得不连续且可能包括间隙、空隙、空间、或其他不连续。可以因此通过线1100上方的凹槽深度表示此种不连续。例如，在凹槽宽度为约650μm时，若凹槽深度大于约38μm，则处理液体107可以是不连续的。在凹槽深度等于或小于给定凹槽宽度下的临界凹槽深度(例如线1100上的点)时，处理液体107可以连续地分布。可以因此通过线1100下方的凹槽深度表示此种不连续。例如，在凹槽宽度为约650μm时，若凹槽深度小于或等于约38μm，则处理液体107可以是连续的。
图12针对给定宽度的第一凹槽207a示出第一凹槽207a的深度与处理液体107的状态之间的关系。x轴(例如水平轴)表示凹槽深度(例如μm)，而y轴(例如垂直轴)表示处理液体107的状态。在处理液体107的层206连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内时，状态为1。在处理液体107的层206不连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内时，状态为0。在这些实施方式中，处理液体107的连续分布的层206包括约24μm的厚度。第一线1201表示包括约520μm的宽度的第一凹槽207a。第二线1203表示包括约1040μm的宽度的第一凹槽207a。第三线1205表示包括约1570μm的宽度的第一凹槽207a。在这些实施方式中，线1201、1203、1205代表包括非倒角形状的第一凹槽207a(例如图6中所示出)。
在一些实施方式中，对于包括约520μm的宽度的第一凹槽207a(例如第一线1201)而言，对于小于或等于约37μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是连续的。对于从约37μm到约38μm的凹槽深度而言，处理液体107可以从连续分布过渡到不连续分布。对于大于或等于约38μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是不连续的。在一些实施方式中，对于包括约1040μm的宽度的第一凹槽207a(例如第二线1203)而言，对于小于或等于约43μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是连续的。对于从约43μm到约44μm的凹槽深度而言，处理液体107可以从连续分布过渡到不连续分布。对于大于或等于约44μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是不连续的。在一些实施方式中，对于包括约1570μm的宽度的第一凹槽207a(例如第三线1205)而言，对于小于或等于约40μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是连续的。对于从约40μm到约41μm的凹槽深度而言，处理液体107可以从连续分布过渡到不连续分布。对于大于或等于约41μm的凹槽深度而言，处理液体107可以是不连续的。因此，如图12中所示出，第一凹槽207a较大的宽度(例如与520μm的宽度相比1040μm的宽度)可以允许较大的深度(例如与约37μm-38μm的深度相比约42μm-43μm的深度)，同时维持处理液体107的连续分布。然而，在某个宽度之外(例如与1570μm的宽度相比1040μm的宽度)，在从连续分布过渡到不连续分布时，第一凹槽207a的深度可以减少。此减少可以部分地由滚筒119的因凹槽宽度增加导致增加表面面积所引起。
图13针对第一凹槽207a的给定形状及处理液体107的层206的厚度示出第一凹槽207a的深度与处理液体107的状态之间的关系。x轴(例如水平轴)表示凹槽深度(例如μm)，而y轴(例如垂直轴)表示处理液体107的状态。在处理液体107的层206连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内时，状态为1。在处理液体107的层206不连续分布在外周边201周围及第一凹槽207a内时，状态为0。在这些实施方式中，第一凹槽207a包括约520μm的宽度。第一线1301表示包括非倒角形状(例如图6中所示出)的第一凹槽207a及处理液体107的包括约24μm的厚度的连续分布的层206。第二线1303表示包括倒角形状(例如图7中所示出)的第一凹槽701及处理液体107的包括约24μm的厚度的连续分布的层206。第三线1305表示包括非倒角形状(例如图6中所示出)的第一凹槽207a及处理液体107的包括约32μm的厚度的连续分布的层206。第四线1307表示包括倒角形状(例如图7中所示出)的第一凹槽701及处理液体107的包括约32μm的厚度的连续分布的层206。
在一些实施方式中，对于从约37μm到约38μm的凹槽深度而言，第一线1301从连续状态过渡到不连续状态。对于从约40μm到约41μm的凹槽深度而言，第二线1303可以从连续状态过渡到不连续状态。如此，在第一凹槽701是倒角的时候，凹槽深度可以比非倒角形状的第一凹槽207a多出约3μm。在一些实施方式中，对于从约49μm到约50μm的凹槽深度而言，第三线1305从连续状态过渡到不连续状态。对于从约55μm到约56μm的凹槽深度而言，第四线1307可以从连续状态过渡到不连续状态。如此，在第一凹槽701是倒角的时候，凹槽深度可以较大达约6μm。因此，如图13中所示出，在处理液体107的厚度及第一凹槽207a的宽度保持恒定时，在从连续分布过渡到不连续分布时，与非倒角第一凹槽207a(例如图6中所示出)相比，倒角第一凹槽701(例如图7中所示出)的第一凹槽207a的深度可以增加。
在一些实施方式中，在将处理液体107施用于基板105时，基板处理装置101可以提供改善的控制。例如，通过将所述多个凹槽207、207a、405、413、701、801、901提供给滚筒119、401，可以围绕滚筒119、401的外周边201连续分布处理液体107的层206。若存在滚筒119、401的外周边201的不被处理液体107覆盖的区域，则处理液体107不是连续分布的。在处理液体107连续分布的情况下，可以实现处理液体对基板105的第一主要面103a更一致的施用。此外，具有所述多个凹槽207、207a、405、413、701、801、901的滚筒119、401还可以减少处理液体107飞溅到基板105的后端处的第二主要面103b上的可能性。例如，由于处理液体107围绕滚筒119、401的外周边201连续分布，可以使用减少的量的处理液体107来处理基板105的第一主要面103a。其结果是，可以同样地减少过量处理液体107的飞溅(例如飞溅到第二主要面103b上)。另外地或替代地，由于过量处理液体107的飞溅减少，可以减少对设备的昂贵的维护及/或更新，因此延长了现有设备的使用寿命。同样地，通过减少或重新分布传输到基板的第一主要面103a的处理液体的量，由于处理液体107的寿命延长，基板处理装置101可以产生成本的节省。此外，在应要替换现有的滚筒119、401时，还可以容易用新的滚筒替换滚筒119、401。另外地或替代地，用包括不同凹槽性质(例如倒角对非倒角、纵向延伸对螺旋缠绕、恒定的凹槽深度或不恒定的凹槽深度等等)的不同滚筒替换现有的滚筒119、401可以是合乎需要的。
因此，以下的非限制性实施方式是本公开内容的示例。
实施方式1.一种基板处理装置可以包括：容器，包括贮存器；及滚筒，相对于所述容器可旋转地安装，其中所述滚筒的外周边的一部分可以定位在所述贮存器中，且其中所述外周边可以包括第一凹槽，所述第一凹槽包括比所述第一凹槽的深度大至少两倍的宽度。
实施方式2.如实施方式1所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以包括底壁及一对侧壁。
实施方式3.如实施方式2所述的基板处理装置，其中所述对侧壁中的一个或多个侧壁可以相对于所述底壁界定可以从约60度到约170度的角度。
实施方式4.如实施方式3所述的基板处理装置，其中所述角度可以从约60度到约95度。
实施方式5。如实施方式1-4中的任一者所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以沿着第一凹槽轴延伸，所述第一凹槽轴可以与滚筒轴实质平行，所述滚筒沿着所述滚筒轴延伸且所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转。
实施方式6。如实施方式1-4中的任一者所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
实施方式7。如实施方式1-6中的任一者所述的基板处理装置，其中所述凹槽的所述深度沿着所述凹槽的所述宽度或所述凹槽的长度中的一者或多者可以是不恒定的。
实施方式8。一种基板处理装置，包括：容器，包括贮存器；及滚筒，围绕所述滚筒沿以延伸的滚筒轴相对于所述容器可旋转地安装，其中所述滚筒的外周边的一部分定位在所述贮存器中，且所述外周边可以包括第一凹槽，所述第一凹槽延伸于所述滚筒的第一端与第二端之间。
实施方式9。如实施方式8所述的基板处理装置，其中所述滚筒包括多孔材料。
实施方式10。如实施方式8-9中的任一者所述的基板处理装置，其中所述贮存器容纳处理液体。
实施方式11。如实施方式10所述的基板处理装置，其中所述滚筒的所述外周边的定位在所述贮存器中的部分可以与所述处理液体接触。
实施方式12。如实施方式8-11中的任一者所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以包括底壁及一对侧壁。
实施方式13。如实施方式12所述的基板处理装置，其中所述对侧壁中的一个或多个侧壁可以相对于所述底壁界定可以从约60度到约170度的角度。
实施方式14。如实施方式13所述的基板处理装置，所述角度可以从约60度到约95度。
实施方式15。如实施方式8-14中的任一者所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以沿着可以与所述滚筒轴实质平行的第一凹槽轴延伸。
实施方式16。如实施方式8-14中的任一者所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽可以螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
实施方式17。一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：将容纳在容器的贮存器中的处理液体与滚筒的外周边的一部分接触，所述外周边包括第一凹槽。所述方法还可包括以下步骤：围绕滚筒轴旋转所述滚筒，以将所述处理液体连续分布在所述外周边周围及所述第一凹槽内。所述方法还可包括以下步骤：在所述滚筒旋转时，将所述处理液体从所述外周边传输到所述基板的第一主要面。
实施方式18。如实施方式17所述的方法，其中用所述滚筒的所述外周边的所述部分接触容纳在所述容器的所述贮存器中的所述处理液体使得所述处理液体进入所述第一凹槽。
实施方式19。如实施方式17-18中的任一者所述的方法，其中用所述滚筒的所述外周边的所述部分接触容纳在所述容器的所述贮存器中的所述处理液体的步骤包括以下步骤：将所述滚筒的所述外周边的所述部分浸入在容纳在所述贮存器中的所述处理液体中。
实施方式20。如实施方式17-19中的任一者所述的方法，更包括以下步骤：在所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转时，沿着行进路径的行进方向移动所述基板。
实施方式21。根据权利要求17-20中的任一者所述的方法，其中所述处理液体包括蚀刻剂、墨水、液体聚合物、或水中的一者或多者。
如本文中所使用的，用语“所述”或“一”指的是“至少一个”，且不应限于“只有一个”，除非有明确指示。例如，因此对于“一元件”的指称包括了具有两个或更多个此类元件的实施方式，除非上下文另有清楚指示。
如本文中所使用的，用语“约”意味着，数量、尺寸、配方、参数、及其他量及特性是不准确或不需要是准确的，而是依需要可以是近似及/或较大或较小的反射容差、转换因素、舍入、测量误差等等、及本领域中的技术人员所习知的其他因素。在将用语“约”用于描述值或范围的端点时，应将本公开内容了解为包括所指称的特定值或端点。无论本说明书中的数值或范围端点是否记载“约”，数值或范围端点都是要包括两种实施方式：一种被“约”修饰，而一种不被“约”修饰。将进一步了解，范围中的每一者的端点与另一个端点相比是有效的(significant)且是与另一个端点无关地有效的。
如本文中所使用的用语“实质”、“实质上”、及其变型旨在叙述，所述特征等于或几乎等于一个值或描述。例如，“实质平坦”的表面旨在指示平坦或几乎平坦的表面。并且，如上文所界定的，“实质类似”要用来指示两个值是相等或几乎相等的。在一些实施方式中，“实质类似”可以指示在彼此约10％内的值，例如在彼此约5％内的值，或在彼此约2％内的值。
如本文中所使用的，应将用语“包括”及其变型解释为是同义的及开放式的，除非另有指示。
应了解到，虽然已针对各种实施方式的某些说明性及具体的实施方式详细描述了所述实施方式，但不应将本公开内容视为受限于此，因为在不脱离以下权利要求的范围的情况下，所公开的特征的许多更改及组合是可能的。

Claims (21)

1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
容器，所述容器包括贮藏器；和
滚筒，所述滚筒相对于所述容器可旋转地安装，所述滚筒的外周边的一部分定位在所述贮存器中，所述外周边包括第一凹槽，所述第一凹槽包括比所述第一凹槽的深度大至少两倍的宽度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽包括底壁和一对侧壁。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中所述一对侧壁中的一个或多个侧壁相对于所述底壁界定从约60度到约170度的角度。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中所述角度可以从约60度到约95度。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽沿着第一凹槽轴延伸，所述第一凹槽轴与滚筒轴实质平行，所述滚筒沿着所述滚筒轴延伸且所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的基板处理装置，其中所述凹槽的所述深度沿着所述凹槽的所述宽度或所述凹槽的长度中的一者或多者是不恒定的。
8.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
容器，所述容器包括贮藏器；及
滚筒，所述滚筒围绕所述滚筒沿以延伸的滚筒轴相对于所述容器可旋转地安装，所述滚筒的外周边的一部分定位在所述贮存器中，所述外周边包括第一凹槽，所述第一凹槽延伸于所述滚筒的第一端与第二端之间。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中所述滚筒包括多孔材料。
10.根据权利要求8-9中任一项所述的基板处理装置，其中所述贮存器容纳处理液体。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中所述滚筒的所述外周边的定位在所述贮存器中的部分可以与所述处理液体接触。
12.根据权利要求8-11中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽包括底壁及一对侧壁。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中所述一对侧壁中的一个或多个侧壁相对于所述底壁界定在从约60度到约170度的范围中的角度。
14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中所述角度在从约60度到约95度的范围中。
15.根据权利要求8-14中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽沿着与所述滚筒轴实质平行的第一凹槽轴延伸。
16.根据权利要求8-14中任一项所述的基板处理装置，其中所述第一凹槽螺旋地缠绕在所述滚筒周围。
17.一种处理基板的方法，所述方法包括以下步骤：
将容纳在容器的贮存器中的处理液体与滚筒的外周边的一部分接触，所述外周边包括第一凹槽；
围绕滚筒轴旋转所述滚筒，以将所述处理液体分布在所述外周边周围及所述第一凹槽内；以及
在所述滚筒旋转时，将所述处理液体从所述外周边传输到所述基板的第一主要面。
18.根据权利要求17所述的方法，其中所述接触使得所述处理液体进入所述第一凹槽。
19.根据权利要求17-18中任一项所述的方法，其中所述接触包括将所述滚筒的所述外周边的所述部分浸入在容纳在所述贮存器中的所述处理液体中。
20.根据权利要求17-19中任一项所述的方法，所述方法还包括在所述滚筒围绕所述滚筒轴旋转时，沿着行进路径的行进方向移动所述基板。
21.根据权利要求17-20中任一项所述的方法，其中所述处理液体包括蚀刻剂、墨水、液体聚合物、或水中的一者或多者。
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