DE102011081327A1 - Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten - Google Patents

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Helge Haverkamp
Kai Weisser
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Abstract

Eine Vorrichtung zur Behandlung von Waferunterseiten, weist Transportwalzen zum Transport der Wafer auf, die gleichzeitig als Fördermittel ausgebildet sind für eine Benetzung der Waferunterseiten mit flüssigem Prozessmedium. Die Transportwalzen sind zumindest teilweise in Prozessmedium getaucht zur Benetzung der Waferunterseiten beim Transport im Kontakt mit den Transportwalzen. Die Transportwalzen weisen eine rotationssymmetrische Außenseite auf mit mehreren Bereichen eines ersten größeren Durchmessers und mehreren Bereichen eines zweiten kleineren Durchmessers dazwischen, wobei in die Bereiche mit dem zweiten kleineren Durchmesser Rillen eingebracht sind.

Description

  • Anwendungsgebiet und Stand der Technik
  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten, insbesondere zur Benetzung einer Substratunterseite mit einem flüssigen Prozessmedium durch Transportwalzen.
  • Aus der EP 1 960 119 B1 ist eine entsprechende Vorrichtung bekannt. Hier sind die Transportwalzen mit erhöhten Endbereichen bzw. Endbereichen mit einem ersten größeren Durchmesser versehen. Auf diesen Endbereichen liegen die zu behandelnden Substrate mit einer Substratunterseite auf. Weil sich die Transportwalzen mit ihren unteren Bereichen in dem Prozessmedium drehen und somit ihre Oberfläche mit Prozessmedium benetzt ist, wird aufgrund der erhöhten Endbereiche, auf denen alleine die Substrate aufliegen, nur in diesen Bereichen die Substratunterseite mit Prozessmedium benetzt und somit behandelt. Eine vollflächige Behandlung der Substratunterseite bzw. deren Benetzung kann nicht erreicht werden.
  • Aufgabe und Lösung
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zu Grunde, eine eingangs genannte Vorrichtung zu schaffen, mit der Probleme des Standes der Technik gelöst werden können und insbesondere eine gute und vollflächige Oberflächenbehandlung von Substraten bzw. deren Substratunterseiten möglich ist.
  • Gelöst wird diese Aufgabe durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 1. Vorteilhafte sowie bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand der weiteren Ansprüche und werden im Folgenden näher erläutert. Der Wortlaut der Ansprüche wird durch ausdrückliche Bezugnahme zum Inhalt der Beschreibung gemacht.
  • Es ist vorgesehen, dass die Vorrichtung Transportmittel zum Transport eines Substrats in einer von ihnen bestimmten Transportebene aufweist, wobei diese Transportmittel als Transportwalzen und gleichzeitig als Fördermittel ausgebildet sind, um das Substrat an einer Substratunterseite mit einem flüssigen Prozessmedium zu benetzten bzw. zu beschichten und somit zu behandeln. Dabei sind die Transportwalzen zumindest teilweise in das Prozessmedium getaucht bzw. weisen Prozessmedium an ihrer Oberseite auf. So können sie die Substratunterseite beim Transport in direktem Kontakt benetzen.
  • Erfindungsgemäß weisen die Transportwalzen eine rotationssymmetrisch ausgebildete Außenseite auf mit mehreren Bereichen eines ersten größeren Durchmessers und mehreren Bereichen eines zweiten kleineren Durchmessers, wobei diese Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers jeweils zwischen zwei Bereichen des ersten größeren Durchmessers liegen. Zumindest in die Bereiche mit dem zweiten kleineren Durchmesser sind Rillen bzw. Vertiefungen eingebracht, die umlaufend und somit wiederum rotationssymmetrisch ausgebildet sind. In diesen Rillen bzw. Vertiefungen kann eine Kapillarwirkung erzeugt bzw. verbessert werden, um eine gewisse Dicke des Films mit Prozessmedium auf den Transportwalzen aufzubauen. So kann die Substratunterseite auf alle Fälle vollflächig bzw. vollständig benetzt werden. Durch die Rillen bzw. Vertiefungen sowie auch durch die Bereiche des ersten größeren Durchmessers, die vorteilhaft nur geringfügig über die Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers überstehen und auf denen die Substrate aufliegen, kann vermieden werden, dass Prozessmedium an den Transportwalzen sozusagen wieder zurückgequetscht wird und dann an einer Kante bzw. Endkante eines Substrats auf die Substratoberseite überschwappen könnte, was beispielsweise bei einem Ätzvorgang mit ätzendem Prozessmedium unerwünscht ist.
  • In weiterer Ausgestaltung des Erfindungsgegenstandes können die Bereiche des ersten größeren Durchmessers einen regelmäßigen Abstand zueinander aufweisen. Dies kann losgelöst davon auch für die Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers gelten. Ein Abstand der Bereiche des ersten größeren Durchmessers kann etwa 10 mm bis 20 mm betragen, vorzugsweise 13 mm bis 17 mm.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung kann der erste größere Durchmesser um weniger als 1 mm über dem zweiten kleineren Durchmesser liegen. Vorteilhaft beträgt die Durchmesserdifferenz sogar weniger als 0,5 mm, besonders vorteilhaft liegt sie zwischen 0,1 mm und 0,2 mm. Die Bereiche des ersten größeren Durchmessers stehen also nur geringfügig über die dazwischen liegenden Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers über. So liegen die Substrate mit ihren Substratunterseiten zwar nur auf diesen Bereichen des ersten größeren Durchmessers auf. Es ist jedoch leicht vorstellbar, dass Prozessmedium auch von der Oberfläche der Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers zur Benetzung der Substratunterseite an diese gelangt und somit eben die gewünschte vollflächige Benetzung der Substratunterseite erfolgen kann.
  • Gleichzeitig kann eben durch den etwas größeren Abstand der Substratunterseite zu den Bereichen des zweiten kleineren Durchmessers das vorgenannte Abquetschen des Films aus Prozessmedium an der Substratunterseite vermieden werden. In den Bereichen des ersten größeren Durchmessers kann es leicht dadurch vermieden werden, dass diese relativ schmal sind.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können die Bereiche des ersten größeren Durchmessers einen Übergang zu den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser aufweisen, der abgeschrägt ist. Ein solcher Abschrägungswinkel kann zwischen 45° und 60° betragen. Dies verbessert einerseits das vorgenante Verhindern von Abquetschen bzw. Zurückschwappen des Films aus Prozessmedium. Des Weiteren kann durch eine Abschrägung auch hier die Adhäsion des Prozessmediums bzw. die Benetzung der Substratunterseite verbessert werden.
  • Vorteilhaft ist vorgesehen, dass die Bereiche mit dem ersten größeren Durchmesser ohne Rillen bzw. Vertiefungen ausgebildet sind. Besonders vorteilhaft sind diese Bereiche des ersten größeren Durchmessers relativ schmal, sodass ohnehin kaum Platz oder Notwendigkeit für derartige Rillen bzw. Vertiefungen besteht. Sie können beispielsweise eine Breite von weniger als 1 mm aufweisen, vorteilhaft zwischen 0,1 mm und 0,4 mm.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können die Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser in etwa V-förmig ausgebildet sein. Ein V-Winkel kann dabei zwischen 40° und 70° liegen, besonders vorteilhaft zwischen 50° bis 60°. So ergibt sich ein relativ großer Öffnungswinkel der Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser, was wiederum für das Anhaften von Prozessmedium an der Oberfläche der Transportwalzen in diesem Bereich von Vorteil ist und somit eine bessere Benetzung der Substratunterseite ermöglicht.
  • In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung sind die Rillen bzw. Vertiefungen nicht besonderst tief. Ihre Tiefe kann zwischen 0,1 mm und 1 mm liegen, vorzugsweise etwa 0,5 mm betragen. Nimmt man dies zu der vorgenannten Höhe der Bereiche des ersten größeren Durchmessers von weniger als 1 mm dazu, so ist ganz offensichtlich, dass insgesamt eine gute Benetzung der Substratunterseiten mit Prozessmedium von der eingetauchten Oberfläche der Transportwalzen erfolgen kann. In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung kann in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser eine Breite zwischen den einzelnen Rillen bzw. Vertiefungen weniger als 1 mm betragen. Besonders vorteilhaft können es etwa 0,1 mm bis 0,4 mm sein.
  • In Weiterbildung der Erfindung kann in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser eine größte Breite der Rillen bzw. Vertiefungen weniger als 1 mm betragen, vorteilhaft etwa 0,2 mm bis 0,6 mm betragen. Dies bedeutet, dass in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser die Rillen breiter sind als die Oberfläche.
  • In vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung können sämtliche Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser bei einer einzigen Transportwalze gleich ausgebildet sein hinsichtlich Tiefe und/oder Form bzw. Profil. Dies kann auch für die Form bzw. Profilform der Bereiche des ersten größeren Durchmessers gelten.
  • Vorteilhaft finden sich in einem hinteren Bereich der Vorrichtung entlang der Transportbahn der Substrate in der Transportebene ähnlich ausgebildete Transportwalzen wie vorne, die allerdings eine etwas größere Tiefe der Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit zweitem kleinerem Durchmesser aufweisen als im vorderen Bereich der Vorrichtung.
  • Diese Tiefe kann etwa 30% bis 60% größer sein, wodurch im hinteren Bereich der Vorrichtung die Substratunterseiten mit weniger Prozessmedium benetzt werden können. So kann die herangeführte Menge an Prozessmedium im hinteren Bereich der Vorrichtung etwas reduziert werden für ein homogeneres Benetzungs- bzw. Ätzergebnis.
  • In weiterer Ausgestaltung der Erfindung können die Transportwalzen einen ersten größeren Durchmesser von wenigen cm aufweisen, vorteilhaft 1 cm bis 5 cm, besonders vorteilhaft 1,5 cm bis 2 cm.
  • In nochmals weiterer vorteilhafter Ausgestaltung der Erfindung sind die Transportwalzen aus Kunststoff hergestellt, wobei sich PP oder PVDF anbieten. Besonders vorteilhaft sind die Transportwalzen einstückig bzw. einteilig und aus einem einzigen Materialstück herausgeformt bzw. als einstückiges Materialstück geformt, vorzugsweise aus relativ hartem Material mit geschlossener Oberfläche.
  • Besonders vorteilhaft können in einer solchermaßen beschriebenen Vorrichtung multikristalline Wafer geätzt bzw. texturiert werden. Bei monokristallinen Wafern kann eine sogenannte Pyramiden-Texturierung vorgenommen werden.
  • Diese und weitere Merkmale gehen außer aus den Ansprüchen auch aus der Beschreibung und den Zeichnungen hervor, wobei die einzelnen Merkmale jeweils für sich allein oder zu mehreren in Form von Unterkombinationen bei einer Ausführungsform der Erfindung und auf anderen Gebieten verwirklicht sein und vorteilhafte sowie für sich schutzfähige Ausführungen darstellen können, für die hier Schutz beansprucht wird. Die Unterteilung der Anmeldung in einzelne Abschnitte sowie Zwischen-Überschriften beschränken die unter diesen gemachten Aussagen nicht in ihrer Allgemeingültigkeit.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen
  • Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in den Zeichnungen schematisch dargestellt und werden im Folgenden näher erläutert. In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Seitenansicht einer erfindungsgemäßen Vorrichtung mit Transportwalzen, die Substrate in einer Transportebene transportieren und teilweise in Prozessmedium eingetaucht sind,
  • 2 eine vergrößerte Darstellung einer einzelnen Transportwalze für Details von deren Oberflächengestaltung mit zwei Bereichen unterschiedlich großer Durchmesser und
  • 3 eine starke Vergrößerung eines Ausschnitts aus 2 zur Veranschaulichung möglicher Abmessungen.
  • Detaillierte Beschreibung der Ausführungsbeispiele
  • In 1 ist von der Seite in sehr schematischer Darstellung eine erfindungsgemäße Anlage bzw. Vorrichtung 11 dargestellt, mit der Substrate 12 transportiert und behandelt werden. Dabei weisen die Substrate 12 mit einer Oberseite 13 nach oben und einer Unterseite 14 nach unten, wobei dies nicht zwingend die entsprechenden Seiten im fertigen funktionalen Zustand sind, sondern sich lediglich auf diese Transportebene beziehen. Die Vorrichtung 11 weist Transportwalzen 16a bzw. 16b auf, die auf bekannte Art und Weise hintereinander angeordnet sind, vorteilhaft entsprechend der eingangs genannten EP 1 960 119 B1 . Sie drehen sich gleichsinnig und bilden mit ihren Oberseiten die Transportebene, wobei die Substrate 12 mit ihren Unterseiten 14 auf den Transportwalzen 16a und 16b aufliegen.
  • Der untere Bereich der Transportwalzen 16a und 16b ist in Prozessmedium 18 in einer hier nicht näher dargestellten Wanne eingetaucht bzw. dreht sich darin. Dadurch wird ein Film 19 aus Prozessmedium 18 von den Transportwalzen 16a und 16b mitgenommen und von diesen nach oben an die Unterseiten 14 gebracht. Dieser Vorgang ist ebenfalls aus der genannten EP 1 960 119 B1 bekannt, auf die diesbezüglich verwiesen wird.
  • In der Draufsicht gemäß 2 ist die Ausbildung einer Oberfläche einer Transportwalze 16a in ein bestimmtes Profil dargestellt mit relativ schmalen ersten Bereichen 21 eines ersten größeren Durchmessers und relativ breiten zweiten Bereichen 25 eines zweiten kleineren Durchmessers. Die ersten Bereiche 21 sind jeweils an den Enden der Transportwalze 16a angeordnet und weisen zwischen sich die zweiten Bereiche 25 auf. Ein erster Bereich 21 ist dabei mit einer mittleren Erhöhung 22 als einer Art Lauffläche bzw. Auflagefläche für die Substrate 12 ausgebildet, wobei sich links und rechts davon Abschrägungen 23a und 23b befinden.
  • In den zweiten Bereichen 25 sind zwar ebenfalls Erhöhungen 26 vorgesehen, diese reichen aber nicht an die Erhöhungen 22 der ersten Bereiche 21 heran. Die Erhöhungen 26 in den zweiten Bereichen 25 werden durch zweite Abschrägungen 27a und 27b gebildet, die quasi als eine Art Einschnitte vorgesehen sind und Rillen 29 bilden. Aus 2 ist zu erkennen, dass die gesamte Transportwalze 16a regelmäßig ausgebildet ist. Dies bedeutet, die ersten Bereiche 21 bzw. deren Erhöhungen 22 weisen jeweils gleichbleibenden Abstand zueinander auf, der wie vorbeschrieben etwa 10 mm bis 20 mm betragen kann. Die gesamte Breite einer Transportwalze 16a kann einige cm betragen, beispielsweise 5 cm bis 15 cm. Ihr Durchmesser entsprechend 1 kann im Bereich von 1 cm bis 3 cm liegen.
  • Im dargestellten Beispiel weisen die zweiten Bereiche 25 jeweils acht Erhöhungen 26 auf. Es können an sich aber auch mehr oder weniger Erhöhungen sein. Des Weiteren müssen auch nicht sämtliche zweiten Bereiche 25 jeweils gleich viele Erhöhungen 26 aufweisen.
  • Aus der starken Vergrößerung in 3 wird noch einmal die Ausbildung des Profils der Transportwalze 16a deutlich. Das Maß b1 für die Breite der Erhöhung 22 des ersten Bereichs 21 kann zwischen 0,2 mm und 0,6 mm betragen. Vorteilhaft entspricht es auch dem Maß b2 der Breite der Erhöhungen 26 des zweiten Bereichs 25.
  • Das Maß h als halbe Durchmesserdifferenz bzw. Höhenunterschied zwischen den Erhöhungen 22 und 26 kann in einem Bereich zwischen etwas weniger als 0,1 mm und 0,5 mm liegen, vorteilhaft zwischen 0,1 mm und 0,2 mm. Die Tiefe der durch die Abschrägungen 27a und 27b gebildeten Rillen 29 liegt dann etwas darüber und kann 0,2 mm bis 0,4 mm betragen. Eine Breite v der Rillen 29 liegt im Bereich ihrer Tiefe und somit ebenfalls bei 0,2 mm bis 0,4 mm. Ein Winkel α der Rillen 29 kann in einem vorgenannten Bereich liegen, vorteilhaft 50° bis 60° betragen. Die Rillen 29 müssen dabei auch nicht ganz spitzwinklig im unteren Bereich ausgebildet sein, sondern können auch beispielsweise für eine leichtere Herstellbarkeit leicht abgerundet sein. Der Abschrägungswinkel von den Erhöhungen 22 der ersten Bereiche 21 zu den seitlichen ersten Abschrägungen 23a und 23b kann gleich sein wie von den Erhöhungen 26 der zweiten Bereiche 25 zu den seitlichen zweiten Abschrägungen 27a und 27b.
  • Aus 2 ist auch zu erkennen, dass das Substrat 12 mit seiner Unterseite 14 auf den Erhöhungen 22 der ersten Bereiche 21 aufliegt und zu den zweiten Bereichen 25 hin einen Film 19 aus Prozessmedium 18 aufweist, der dann eben die Filmdicke mit dem Maß h entsprechend 3 aufweist bzw. noch zusätzlich eine Filmdicke in die Rillen 29 hinein. Durch Variieren des Maßes h sowie der Tiefe der Rillen 29 kann die Menge an Prozessmedium 18, die an die Substratunterseite 14 gebracht wird, variiert werden. Deswegen bietet es sich auch an, bei der Vorrichtung 11 entsprechend 1 im hinteren Bereich für die Transportwalzen 16b dieses Maß der Höhendifferenz h etwas geringer zu wählen, beispielsweise 20% bis 40%. Hier im hinteren Teil der Vorrichtung 11 wird eine geringere Menge von an die Unterseite 14 geführtem Prozessmedium 18 als ausreichend angesehen. Hier können die Rillen 29 tiefer sein. Durch tiefere Rillen 29 mit größerer Breite wird eine geringere Menge an Prozessmedium 18 an die Unterseite 14 der Substrate 12 gebracht.
  • Der genannte relativ geringe Abstand zwischen den Erhöhungen 22 der ersten Bereiche 21, auf denen das Substrat 12 aufliegt, kann ein Durchbiegen dieser aufliegenden Substrate 12 verhindern. Dies gilt auch für sehr geringe Substratdicken für die Herstellung von Solarzellen von weniger als 0,2 mm mit zunehmender Tendenz in Richtung 0,1 mm.
  • Die Kannten der Substrate 12 parallel zur Transportrichtung werden bei entsprechend geschicktem Auflegen von den Transportwalzen 16a und 16b nicht kontaktiert bzw. berührt. Die Adhäsionskräfte zwischen Substrat 12 einerseits und Flüssigkeitsfilm 19 bzw. Prozessmedium 18 andererseits sowie die Oberflächenspannung des Prozessmediums 18 werden genutzt, um das Substrat an seiner Unterseite vollständig zu benetzen. In 2 links ist eine Art konkaver Meniskus am Prozessmedium 18 zu erkennen. Gerade die konkave Ausbildung verhindert ein Überschwappen des Prozessmediums 18 an die Oberseite 13 des Substrats 12. Aus der Darstellung in 2 ist auch zu erkennen, dass ein Überschwappen von zurück gequetschtem Prozessmedium auf die Oberseite 13 der Substrate 12 vermieden wird, falls diese auch nicht behandelt werden sollen. Es gibt also auch keine Probleme mit Umschlag odgl..
  • Die gezeigte Vorrichtung 11 mit den neuartigen Transportwalzen 16a und 16b bietet sich vor allem für eine Kantenisolierung von Wafern für die Solarzellenherstellung an, wobei das Prozessmedium HN3O und HF aufweist. Weitere Prozessparameter sind Transportgeschwindigkeit bzw. Rotationsgeschwindigkeit der Transportwalzen 16a und 16b, Temperatur, Eintauchtiefe der Transportwalzen 16a und 16b in das Prozessmedium 18, mögliche Absaugung zwischen den Transportwalzen und Zusammensetzung des Prozessmediums an sich.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • EP 1960119 B1 [0002, 0026, 0027]

Claims (12)

  1. Vorrichtung zur Oberflächenbehandlung von Substraten, mit Transportmitteln zum Transport eines Substrats in einer von den Transportmitteln bestimmten Transportebene, wobei die Transportmittel als Transportwalzen und gleichzeitig als Fördermittel ausgebildet sind für eine Benetzung des Substrats mit einem flüssigen Prozessmedium an einer Substratunterseite, wobei die Transportwalzen zumindest teilweise in Prozessmedium getaucht sind bzw. Prozessmedium an ihrer Oberseite aufweisen zur Benetzung der Substratunterseite beim Transport in direktem Kontakt zwischen Transportmittel und Substratoberfläche, dadurch gekennzeichnet, dass die Transportwalzen eine rotationssymmetrische Außenseite aufweisen mit mehreren Bereichen eines ersten größeren Durchmessers und mehreren Bereichen eines zweiten kleineren Durchmessers dazwischen, wobei zumindest in die Bereiche mit dem zweiten kleineren Durchmesser Rillen bzw. Vertiefungen eingebracht sind.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Bereiche des ersten größeren Durchmessers regelmäßigen Abstand zueinander aufweisen, insbesondere auch die Bereiche des zweiten kleineren Durchmessers.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Abstand der Bereiche des ersten größeren Durchmessers etwa 10 mm bis 20 mm beträgt, vorzugsweise 13 mm bis 17 mm.
  4. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der erste größere Durchmesser um weniger als 1 mm größer ist als der zweite kleinere Durchmesser, insbesondere um weniger als 0,5 mm, vorzugsweise zwischen 0,1 mm und 0,2 mm.
  5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bereiche des ersten größeren Durchmessers im Übergang zu den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser abgeschrägt sind, insbesondere mit einem Winkel zwischen 45° und 60°.
  6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Bereiche mit dem ersten größeren Durchmesser ohne Rillen bzw. Vertiefungen ausgebildet sind.
  7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser V-förmig ausgebildet sind, insbesondere mit einem Winkel zwischen 40° und 70°, vorzugsweise 50° bis 60°.
  8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Rillen bzw. Vertiefungen eine Tiefe zwischen 0,2 mm und 1 mm aufweisen, insbesondere etwa 0,5 mm.
  9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser die Breite zwischen den Rillen bzw. Vertiefungen weniger als 1 mm beträgt, vorzugsweise 0,1 mm bis 0,4 mm.
  10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser die größte Breite der Rillen bzw. Vertiefungen weniger als 1 mm beträgt, vorzugsweise 0,2 mm bis 0,6 mm.
  11. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sämtliche Rillen bzw. Vertiefungen in den Bereichen mit dem zweiten kleineren Durchmesser bei einer Transportwalze gleich ausgebildet sind hinsichtlich Tiefe und Form, wobei vorzugsweise in einem hinteren Bereich der Vorrichtung die Transportwalzen eine etwas größere Tiefe der Rillen bzw. Vertiefungen haben als im vorderen Bereich, insbesondere eine etwa 30% bis 60% größere Tiefe.
  12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass an beiden Enden der Transportwalzen Bereiche mit dem ersten größeren Durchmesser vorgesehen sind und dazwischen weitere Bereiche mit diesem ersten größeren Durchmesser.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103346109B (zh) * 2013-07-16 2015-12-23 英利能源(中国)有限公司 一种湿法刻蚀设备及工艺
DE102014200582A1 (de) * 2014-01-15 2015-07-16 Helmut Diebold Gmbh & Co. Goldring-Werkzeugfabrik Werkzeugaufnahme mit einem Düsenring
WO2020068487A1 (en) * 2018-09-27 2020-04-02 Corning Incorporated Substrate treating apparatus and methods

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03188965A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Ig Tech Res Inc 印刷用ロール
JPH10216588A (ja) * 1997-02-05 1998-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd 塗工装置用ロッド
JP2001054753A (ja) * 2000-01-01 2001-02-27 Ibiden Co Ltd プリント配線板製造用ロールコータ
JP2004175578A (ja) * 2002-11-22 2004-06-24 Kotobuki Kogyo Kk 透明保護層を有する窯業系基材の塗装方法とその化粧基材
JP2004267854A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd 塗工装置用ロッド、及びその製造方法
JP2005144355A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Murata Mfg Co Ltd グラビアロール、グラビアロールの摩耗量確認方法及び電子部品の製造方法
JP2005279475A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Ig Tech Res Inc 外装基板の均一塗装装置
WO2010041328A1 (ja) * 2008-10-10 2010-04-15 有限会社マイスター 塗布ロール
EP1960119B1 (de) 2005-12-16 2010-05-12 Gebr. Schmid GmbH + Co. Vorrichtung, anlage und verfahren zur oberflächenbehandlung von substraten

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5592958A (en) * 1995-02-01 1997-01-14 Coates, Asi, Inc. Flood conveyer
DE69732521T2 (de) * 1996-01-29 2006-01-12 Electrochemicals Inc., Maple Plain Ultraschallverwendung zum mischen von behandlungszusammensetzungen für durchgehenden löcher
JP2001121053A (ja) * 1999-10-26 2001-05-08 Ibiden Co Ltd 塗布用ロールコータおよびそれを用いたプリント配線板の製造方法
DE102005062527A1 (de) * 2005-12-16 2007-06-21 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Vorrichtung und Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Substraten
JP2009125675A (ja) * 2007-11-26 2009-06-11 Tokyo Kakoki Kk 基板材の表面処理用のスプレーユニット

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03188965A (ja) * 1989-12-18 1991-08-16 Ig Tech Res Inc 印刷用ロール
JPH10216588A (ja) * 1997-02-05 1998-08-18 Fuji Photo Film Co Ltd 塗工装置用ロッド
JP2001054753A (ja) * 2000-01-01 2001-02-27 Ibiden Co Ltd プリント配線板製造用ロールコータ
JP2004175578A (ja) * 2002-11-22 2004-06-24 Kotobuki Kogyo Kk 透明保護層を有する窯業系基材の塗装方法とその化粧基材
JP2004267854A (ja) * 2003-03-06 2004-09-30 Fuji Photo Film Co Ltd 塗工装置用ロッド、及びその製造方法
JP2005144355A (ja) * 2003-11-17 2005-06-09 Murata Mfg Co Ltd グラビアロール、グラビアロールの摩耗量確認方法及び電子部品の製造方法
JP2005279475A (ja) * 2004-03-30 2005-10-13 Ig Tech Res Inc 外装基板の均一塗装装置
EP1960119B1 (de) 2005-12-16 2010-05-12 Gebr. Schmid GmbH + Co. Vorrichtung, anlage und verfahren zur oberflächenbehandlung von substraten
WO2010041328A1 (ja) * 2008-10-10 2010-04-15 有限会社マイスター 塗布ロール

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