TWI816705B - 半導體型螢光體 - Google Patents

半導體型螢光體 Download PDF

Info

Publication number
TWI816705B
TWI816705B TW107137165A TW107137165A TWI816705B TW I816705 B TWI816705 B TW I816705B TW 107137165 A TW107137165 A TW 107137165A TW 107137165 A TW107137165 A TW 107137165A TW I816705 B TWI816705 B TW I816705B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor
layer
phosphor
active layer
present
Prior art date
Application number
TW107137165A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201924087A (zh
Inventor
樋口晋
酒井健滋
山田雅人
高橋雅宣
石崎順也
Original Assignee
日商信越半導體股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商信越半導體股份有限公司 filed Critical 日商信越半導體股份有限公司
Publication of TW201924087A publication Critical patent/TW201924087A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI816705B publication Critical patent/TWI816705B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • C09K11/706—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/0883—Arsenides; Nitrides; Phosphides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/70—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing phosphorus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/183—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being provided with a buffer layer, e.g. a lattice matching layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)

Abstract

本發明提供一種半導體型螢光體，藉由注入激發光而光致發光，該半導體型螢光體包含至少一層活性層，係由化合物半導體所構成，且含有n型摻雜物或p型摻雜物；以及至少兩層障壁層，係由化合物半導體所構成，且能帶隙較該活性層為大，其中該活性層與該障壁層係交互堆疊。藉此能夠提供易於調整波長，效率高而穩定的半導體型螢光體。

Description

半導體型螢光體
本發明係關於一種轉換光的波長的半導體型螢光體，特別是用於將藍色的光效率良好地轉換為紅色的半導體型螢光體。
一般而言使用於白色LED的螢光體，有YAG系及矽鋁氮氧化物系。但是，習知的螢光體，在將白色LED製作時的藍色光轉換波長時，總是會成為發出強烈藍光(圖1)。作為紅色螢光體，雖有氮化物系的CASN等被實用化，但由於發光波形相對廣闊，以及難以控制波長，因而在製造RGB型的白色LED時會有問題。製造演色性高的RGB型的白色LED時雖然以螢光體的發光光譜幅度窄為有利，但一般的螢光體的發光，特別於紅色光譜的幅度為寬，因而有改善的餘地(圖2)。另外，關於此問題點，不論於螢光體的波長範圍(藍、綠、紅)，對於現行螢光體有共通之處。
又近年研究出Quantun Dot等。但是，以Quantum Dot等的量子尺寸效應將波長轉換時，對尺寸的依存性為大，難以控制螢光波長。因而以現狀的技術而言，螢光體，特別是於紅色附近的螢光體有大幅改善的餘地。
又，專利文獻1提案了將堆疊的化合物半導體作為螢光體使用。此螢光體為自螢光層及具有摻雜的激發光層所構成，在激發光層光被吸收，而螢光層發光。但是，由於光接收部及發光部為分離，發光效率並不充足。 〔先前技術文獻〕
專利文獻1：日本特開2006-41077
〔發明欲解決的問題〕 本發明有鑑於上述問題，目的在於提供一種半導體型螢光體，容易調整波長，效率高而穩定。 〔解決問題的技術手段〕
為了解決上述問題，本發明提供一種半導體型螢光體，藉由注入激發光而光致發光，該半導體型螢光體包含：至少一層活性層，係由化合物半導體所構成，且含有n型摻雜物或p型摻雜物；以及至少兩層障壁層，係由化合物半導體所構成，且能帶隙較該活性層為大，其中該活性層與該障壁層係交互堆疊。
若為如此的半導體型螢光體，則在將例如藍色的光轉換為紅色時，與習知的YAG系、矽鋁氮氧化物系等的螢光體相比，波長轉換效率高而能夠得到尖銳的發光光譜。
又，該化合物半導體以III-V族化合物半導體為佳。
此時，該III-V族化合物半導體之化學式為(Alx Ga1-x )y In1-y P，且0≦x≦1，0≦y≦1為佳。
若為如此的半導體型螢光體，能夠確實地使其為轉換效率高的半導體型螢光體。
又，以具有該活性層與該障壁層交互堆疊的一多量子阱結構為佳。
若為如此的半導體型螢光體，則能夠進一步提高轉換效率。 〔對照先前技術之功效〕
如同上述，若為本發明的半導體螢光體，則能夠提供容易調整波長，效率高而穩定的半導體型螢光體。
如同上述，尋求有容易調整波長，效率高而穩定的半導體型螢光體的開發。
本案發明人經過精心研討，發現如圖3所示，應用半導體的PL(光致發光)，原本將半導體作為LED使用時使其為容易EL(電致發光)的構造，改使其為容易PL發光的構造而作為螢光體發揮功效，與習知的螢光體相比能夠得到尖銳的發光光譜。之後，進一步精心研討效率更佳的構造而完成了本發明。
即本發明為一種半導體型螢光體，藉由注入激發光而光致發光，該半導體型螢光體包含：至少一層活性層，係由化合物半導體所構成，且含有n型摻雜物或p型摻雜物；以及至少兩層障壁層，係由化合物半導體所構成，且能帶隙較該活性層為大，其中該活性層與該障壁層係交互堆疊。
以下雖詳細說明關於本發明，但本發明並非限定於此。
表示LED的發光效率的外部量子效率，例如能夠藉由以下計算式表示。 η(外部量子効率)=ηinj(注入効率)×ηint(内部量子効率)×ηext(取光效率) 一般而言，LED的Input的能源來源為電流，形成p-n接面而使注入效率(ηinj)放大，而電致發光(圖4)。相對於此，本發明製造半導體的多層構造，取代電流而藉由光來進行ηinj的放大，而光致發光(圖5)，藉此效率較習知的螢光體高的光波長的轉換變為可能。
本發明的半導體型螢光體，包含有至少一層活性層，該活性層包含n型摻雜物或p型摻雜物；以及至少兩層障壁層，係由化合物半導體所構成，且能帶隙較該活性層為大，其中該活性層與該障壁層係交互堆疊。又，能夠將活性層及障壁層堆疊數十層而成為多量子阱結構。進一步，能夠將如此的活性層及障壁層的堆疊體，以未摻雜的包覆層包夾。又，本發明的半導體型螢光體，作為支承基板，能夠為貼附於例如透明的藍寶石基板等的構造。
本發明中，作為用於活性層及障壁層的半導體能夠使用化學式為(Alx Ga1-x )y In1-y P (0≦x≦1，0≦y≦1)的III-V族化合物半導體。另外，以化學式(Alx Ga1-x )y In1-y P (0≦x≦0.6，0.4＜y＜0.6)的化合物半導體較佳。又，障壁層以Al含有量較活性層高為佳。
作為本發明的特徵，係能夠藉由使Matrix材料及構造變化，而容易地使發光波長變化。又，雖然把改善餘地大的紅色區域作為目標時以AlGaInP材料為佳，但若是使用能夠製造LED的其他材料，亦能夠製造其他波長帶(例如使用GaN系則為綠色附近、藍色附近)的螢光體。
用於本發明的半導體型螢光體的活性層，含有n型摻雜物物或p型摻雜物。摻雜物的種類雖無特別限定，但作為n型摻雜物，可使用例如Si，作為p型摻雜物，可使用例如Mg、Zn。又，摻雜物的濃度以1.0×1016 atoms/cm3 以上為佳。進一步，障壁層亦能夠含有如上述的摻雜物。
本發明的半導體型螢光體，於活性層含有摻雜物的緣故，光接收層及發光層為同一層。即由於以同一部分進行光接收及發光，效率良好地產生被激發的載體。進一步，藉由上述的包覆層所包夾，將光及載體(電子及電洞)的封入更確實地進行，藉此能夠進一步使發光效率提升。
本發明的半導體型螢光體，為活性層與障壁層交互堆疊，至少有一層活性層，且至少有二層障壁層。活性層的厚度雖無特別限定，但以0.03~2.0μm為佳。障壁層的厚度亦無特別限定，但以0.03~2.0μm為佳。藉由如此堆疊而製造阱層，將產生的電荷不溢出地封入，而效率良好的轉換成為可能。進一步，使活性層及障壁層的厚度為數十nm以下且堆疊數層至數十層而成為多量子阱結構，藉此能夠進一步提高轉換效率。
本發明的半導體型螢光體，能夠為例如活性層及障壁層被包夾於0.03~4.0μm的無摻雜的包覆層之物。又，能夠為貼附作為支承基板的例如透明的藍寶石基板等的構造。
如同上述，本發明的半導體型螢光體，容易使發光層變化為單層、多層及MQW(多重量子阱構造)，構造自由度高(圖6至圖8)。又，如同上述，於活性層及障壁層兩者摻雜，而使用於實空間的電荷移動及阱層內的激發→發光兩者亦為可能(圖9至圖11)。進一步，為多層或MQW構造時，由於活性層原本具有封入電荷及光的效果，除去活性層與障壁層的堆疊體的末端的單側或兩側的障壁層，抑制光的吸收，而使激發光的注入效率增大成為可能。圖12及圖13顯示多層及MQW構造下，除去兩側的障壁層的例子。此時，活性層及障壁層為交互堆疊，亦在本發明的範圍內。
本發明的半導體型螢光體，基本上能夠以與發光元件相同的方法製造，亦能夠以現在LED用磊晶晶圓的製造等的主流的MOVPE法製造。又，自其構造而言，亦能夠以MBE法製造。以下說明關於以MOVPE法的製造方法之一例。
作為成長基板準備GaAs基板，洗淨後放入MOVPE裝置，於GaAs基板上使GaAs緩衝層磊晶成長0.1~1.0μm。接著於GaAs緩衝層上使(Alx Ga1-x )y In1-y P所構成的厚度0.03~4.0μm的無摻雜的包覆層磊晶成長後，於其上藉由磊晶成長交互堆疊(Alx’ Ga1-x’ )y’ In1-y’ P所構成的厚度0.003~2.0μm的活性層及(Alx” Ga1-x” )y” In1-y” P所構成的厚度0.003~2.0μm的障壁層。使活性層為一層以上，障壁層為二層以上。又，能夠堆疊這些的厚度為數十nm以下的數層至數十層而使其為多重量子阱構造。於其上使(Alx Ga1-x )y In1-y P所構成的厚度0.03~4.0μm的無摻雜的包覆層磊晶成長。
另外，上述各層的磊晶成長，能夠藉由習知的MOVPE法進行。作為成為Al、Ga、In及P的各成分源的原料氣體，雖並非限定於這些，但能夠使用例如以下之物。 ‧Al源氣體：三甲基鋁(TMAl)及三乙基鋁(TEAl)等。 ‧Ga源氣體：三甲基鎵(TMGa)及三乙基鎵(TEGa)等。 ‧In源氣體：三甲基銦(TMIn)及三乙基銦(TEIn)等。 ‧P源氣體：三甲基磷(TMP)、三乙基磷(TEP)及膦(PH3)等。
又作為摻雜物氣體，可使用如以下之物。 (p型摻雜物) ‧Mg源：雙環戊二烯基鎂(Cp2Mg)等。 ‧Zn源：二甲基鋅(DMZn)、二乙基辛(DEZn)等。 (n型摻雜物) ‧Si源：甲矽烷等矽氫化物等。
自MOVPE裝置將堆疊有上述各層的基板取出，以化學蝕刻除去GaAs基板及GaAs緩衝層。之後能夠於包覆層上將藍寶石基板藉由接著劑貼附而製造半導體型螢光體。又，亦能夠不貼合藍寶石基板，而作為進行破碎等的微粒子的螢光體使用。另外，本發明能夠使用得以堆疊光致發光活性層及障壁層的其他化合物半導體(III-V族的GaN、II-V族的ZnO等)。
［實施例］ 以下雖使用實施例及比較例而具體說明本發明，但本發明並非限定於此。
[實施例1] 將紅色區域作為目標，使用MOVPE裝置，將圖14所示的AlGaInP多層薄膜，於GaAs基板上，以與一般的LED用結晶相同的流程成長。使負責PL發光的層為GaInP(阱層)／AlInP(障壁層)的MQW，目標波長為峰值波長635[nm]。摻雜物為Si，載體濃度為3.5E17[/cm3 ]。之後，為了吸收目標波長附近而將GaAs基板以化學蝕刻除去之後，將經成長的多層薄膜以接著劑貼合於藍寶石基板，成為半導體型螢光體。所得的半導體型螢光體，具備被厚度50nm的AlInP所構成的無摻雜的包覆層包夾的具有四十組由GaInP所構成的厚度5nm的活性層及由AlInP所構成的厚度5nm的障壁層的多重量子阱構造，於活性層及障壁層含有3.5×1017 atoms/cm3 的n型摻雜物(Si)。
對上述的半導體型螢光體，照射藍色LED(λp＝450[nm])，在其照射方向自背面進行發光光譜的測定。圖15顯示發光時的相片及測定原理。
[比較例1] 針對具有與實施例1的半導體型螢光體幾乎相同的峰值波長的紅色發光體，照射藍色LED(λp＝450[nm])，在其照射方向自背面進行發光光譜的測定。
實施例1中，如圖16所示，於λp＝635[nm]得到半峰全寬約25[nm]的尖銳的波形的強度高的發光光譜。又，藍色的光譜幾乎被吸收，與發光光譜的峰值比為7:1。又，此發光光譜，係與相同於圖17所示的實施例1的半導體型螢光體的活性層組成的半導體LED發光為幾乎相同的光譜。又得知於比較例1中，具有與實施例1的半導體型螢光體幾乎相同的峰值波長的紅色發光體的光譜的半峰全寬為約80[nm](圖18)，根據本發明的半導體型螢光體，能夠得到極為尖銳的光譜。
[實施例2] 進一步，除了將活性層的組成改變而使發光為長波長側以外，以與實施例1相同的方法製作半導體型螢光體，進行發光光譜的測定。結果，如圖19所示，半峰全寬為約30[nm]，與實施例1的半導體型螢光體時相比，並未較大而能夠於λp＝660[nm]得到尖銳的發光光譜。如此，作為本發明的特長，能夠使其變化成與一般的LED的波長變化完全相同。
如同以上，本發明中，如圖18所示，能夠得到極為尖銳的半峰全寬的螢光體。因此，能夠得到圖2所記載的理想的RGB光譜。得知根據本發明，如此一來能夠提供易於調整波長，效率高而穩定的半導體型螢光體。
另外，本發明並不為前述實施例所限制。前述實施例為例示，具有與本發明的申請專利範圍所記載的技術思想為實質相同的構成，且達成同樣作用效果者，皆包含於本發明的技術範圍。
圖1係為使用習知的螢光體製作的白色LED的發光光譜之一例。 圖2係為對RGB型的白色LED所求的各色的理想光譜與習知的螢光體的光譜之一例的比較。 圖3係用於說明本發明的半導體型螢光體的概念圖。 圖4係用於說明EL發光(電致發光)的概念圖。 圖5係用於說明PL發光(光致發光)的概念圖。 圖6係用於說明使本發明的半導體型螢光體為單層時的運作原理的概念圖。 圖7係用於說明使本發明的半導體型螢光體為多層時的運作原理的概念圖。 圖8係用於說明使本發明的半導體型螢光體為MQW(多量子阱結構)時的運作原理的概念圖。 圖9係用於說明使本發明的半導體螢光體為單層，障壁層亦經摻雜時的運作原理的概念圖。 圖10係用於說明使本發明的半導體螢光體為多層，障壁層亦經摻雜時的運作原理的概念圖。 圖11係用於說明使本發明的半導體螢光體為MQW(多量子阱結構)，障壁層亦經摻雜時的運作原理的概念圖。 圖12係用於說明使本發明的半導體螢光體為多層，而無兩側的障壁層時的運作原理的概念圖。 圖13係用於說明使本發明的半導體螢光體為MQW(多量子阱結構)，而無兩側的障壁層時的運作原理的概念圖。 圖14係實施例1及實施例2所製造的半導體型螢光體的模式圖。 圖15係用於說明實施例及比較例中，發光光譜的測定原理的圖及顯示發光狀況的相片之一例。 圖16係實施例1中所觀測到的發光光譜。 圖17係具有與實施例1相同的活性層組成的半導體的LED發光的光譜。 圖18係重疊顯示比較例1所得的發光光譜及實施例1所得的發光光譜。 圖19係重疊顯示實施例2所得的發光光譜及比較例1所得的發光光譜。

Claims (2)

  1. 一種半導體型螢光體，藉由注入激發光而光致發光，該半導體型螢光體包含：至少一層活性層，係由化合物半導體所構成，且含有n型摻雜物或p型摻雜物；以及至少兩層障壁層，係由化合物半導體所構成，且能帶隙較該活性層為大，其中該活性層與該障壁層係交互堆疊，且該活性層與該障壁層的堆疊體為以未摻雜的包覆層包夾，且該化合物半導體之化學式為(AlxGa1-x)yIn1-yP，且0≦x≦1，0≦y≦1。
  2. 如請求項1所述的半導體型螢光體，具有該活性層與該障壁層交互堆疊的一多量子阱結構。
TW107137165A 2017-11-09 2018-10-22 半導體型螢光體 TWI816705B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017216085A JP6645488B2 (ja) 2017-11-09 2017-11-09 半導体型蛍光体
JPJP2017-216085 2017-11-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201924087A TW201924087A (zh) 2019-06-16
TWI816705B true TWI816705B (zh) 2023-10-01

Family

ID=66438323

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW107137165A TWI816705B (zh) 2017-11-09 2018-10-22 半導體型螢光體

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11898078B2 (zh)
JP (1) JP6645488B2 (zh)
CN (1) CN111315845A (zh)
TW (1) TWI816705B (zh)
WO (1) WO2019093056A1 (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200506041A (en) * 2003-08-12 2005-02-16 Lite On Technology Corp Phosphor material and white light-emitting device using the same
US20050051790A1 (en) * 2003-06-05 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof
JP2008216146A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Yamaguchi Univ 蛍光テストチャート

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05343734A (ja) * 1992-06-10 1993-12-24 Japan Energy Corp 半導体装置
JP3408351B2 (ja) * 1995-03-14 2003-05-19 日本電信電話株式会社 窒素不純物をドーピングしたｉｉｉ−ｖ族化合物半導体およびその作製方法
JP4048662B2 (ja) * 1999-10-21 2008-02-20 松下電器産業株式会社 半導体発光素子
JP2001203426A (ja) * 2000-01-19 2001-07-27 Atr Adaptive Communications Res Lab 長波長半導体発光素子
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
JP2003249720A (ja) * 2001-04-18 2003-09-05 Furukawa Electric Co Ltd:The 面発光型半導体レーザ素子
EP1257025A3 (en) 2001-04-18 2005-04-06 The Furukawa Electric Co., Ltd. Surface emitting semiconductor laser device
JP2004131567A (ja) 2002-10-09 2004-04-30 Hamamatsu Photonics Kk 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
JP2004200671A (ja) * 2002-12-03 2004-07-15 Nec Corp 量子井戸構造を有する半導体光素子およびその製造方法
US7479448B2 (en) 2002-12-03 2009-01-20 Nec Corporation Method of manufacturing a light emitting device with a doped active layer
JP2005150627A (ja) * 2003-11-19 2005-06-09 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光ダイオード及びその製造方法
KR100818457B1 (ko) 2004-03-15 2008-04-02 쇼와 덴코 가부시키가이샤 화합물 반도체 발광 다이오드
JP2006041077A (ja) 2004-07-26 2006-02-09 Sumitomo Chemical Co Ltd 蛍光体
US7501666B2 (en) 2004-08-06 2009-03-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for forming p-type semiconductor region, and semiconductor element
WO2008035447A1 (en) * 2006-09-22 2008-03-27 Agency For Science, Technology And Research Group iii nitride white light emitting diode
JP2009081379A (ja) 2007-09-27 2009-04-16 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP4930925B2 (ja) * 2008-01-11 2012-05-16 パナソニック株式会社 二波長半導体レーザ装置
WO2013132812A1 (ja) * 2012-03-05 2013-09-12 パナソニック株式会社 窒化物半導体発光素子、光源及びその製造方法
WO2016143579A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 古河電気工業株式会社 半導体光素子

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050051790A1 (en) * 2003-06-05 2005-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Phosphor, semiconductor light emitting device, and fabrication method thereof
TW200506041A (en) * 2003-08-12 2005-02-16 Lite On Technology Corp Phosphor material and white light-emitting device using the same
JP2008216146A (ja) * 2007-03-06 2008-09-18 Yamaguchi Univ 蛍光テストチャート

Also Published As

Publication number Publication date
JP6645488B2 (ja) 2020-02-14
US20200270518A1 (en) 2020-08-27
JP2019085519A (ja) 2019-06-06
CN111315845A (zh) 2020-06-19
US11898078B2 (en) 2024-02-13
WO2019093056A1 (ja) 2019-05-16
TW201924087A (zh) 2019-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8399876B2 (en) Semiconductor dies, light-emitting devices, methods of manufacturing and methods of generating multi-wavelength light
TW201724560A (zh) 氮化物半導體發光元件
US8421058B2 (en) Light emitting diode structure having superlattice with reduced electron kinetic energy therein
JP5711892B2 (ja) 白色発光ダイオード
US20090280592A1 (en) Nanoparticle structure and manufacturing process of multi-wavelength light emitting devices
JP2006295132A (ja) 発光装置
JP2005268770A (ja) 白色発光素子及び白色光源
JP2007281257A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子
JP2007088269A (ja) 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法
KR20130022815A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2009016656A (ja) ＺｎＯ系半導体層及びＺｎＯ系半導体発光素子
JP5187634B2 (ja) ＺｎＯ単結晶層及び半導体発光素子とその製造方法
WO2011101929A1 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
KR20090056058A (ko) 백색 발광소자
TWI816705B (zh) 半導體型螢光體
US11557695B2 (en) Single chip multi band LED
JP5060823B2 (ja) 半導体発光素子
JP4503316B2 (ja) 多色光の発光方法
KR20090056319A (ko) 초격자 구조를 가지는 질화물계 반도체 발광소자
KR101198759B1 (ko) 질화물계 발광 소자
KR20130082130A (ko) 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4911082B2 (ja) 表示装置および照明装置
TW201639188A (zh) 磊晶晶圓以及發光二極體
Shibata Fabrication of LED Based on III-V Nitride and its Applications
JP4864940B2 (ja) 白色光源