JPH05343734A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05343734A JPH05343734A JP15057692A JP15057692A JPH05343734A JP H05343734 A JPH05343734 A JP H05343734A JP 15057692 A JP15057692 A JP 15057692A JP 15057692 A JP15057692 A JP 15057692A JP H05343734 A JPH05343734 A JP H05343734A
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- Japan
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- impurity
- light emitting
- doped
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＱＷ構造を有する発光素子において、フォ
トルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止
し、発光効率を向上させる。 【構成】 複数の薄膜エピタキシャル層が交互に積層さ
れてなる多層エピタキシャル結晶構造（ＭＱＷ構造）と
これに接する不純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とを
有する半導体装置において、上記薄膜エピタキシャル層
には、予め上記半導体層の不純物と同一の元素（Ｚｎ）
を不純物として導入しておくようにした。 【効果】 多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接し
た層との間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによっ
て拡散による格子間への不純物の侵入量も少なくなって
フォトルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を
防止することができる。
トルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止
し、発光効率を向上させる。 【構成】 複数の薄膜エピタキシャル層が交互に積層さ
れてなる多層エピタキシャル結晶構造（ＭＱＷ構造）と
これに接する不純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とを
有する半導体装置において、上記薄膜エピタキシャル層
には、予め上記半導体層の不純物と同一の元素（Ｚｎ）
を不純物として導入しておくようにした。 【効果】 多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接し
た層との間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによっ
て拡散による格子間への不純物の侵入量も少なくなって
フォトルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を
防止することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体多層エピタキシ
ャル結晶構造に関し、特にＺｎドーピング層に接したＭ
ＱＷ構造（多重量子井戸構造）に利用して効果的な技術
に関する。
ャル結晶構造に関し、特にＺｎドーピング層に接したＭ
ＱＷ構造（多重量子井戸構造）に利用して効果的な技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数のポテンシャルの井戸層と障
壁層が交互に積層されてなるＭＱＷ構造のヘテロ接合層
を有する発光素子が提案されている（特開平３−８５７
７４号）。ＭＱＷ構造は、例えばレーザーダイオードに
適用した場合、その量子効果によって、低しきい値発
振、高速動作、安定した温度特性等が期待できる。とこ
ろで、従来、ＭＱＷ構造はドーパントにより破壊される
おそれがあるため、アンドープ構造とされていた（ただ
し、ＭＯＣＶＤ成長ではアンドープ層はｎ型を呈す
る）。一方、ＭＱＷ構造を半導体デバイスに使用する場
合、ｐｎ接合が不可欠であるので、ＭＱＷ構造を挾むよ
うな形でｐ型エピタキシャル層とｎ型エピタキシャル層
が形成されていた。
壁層が交互に積層されてなるＭＱＷ構造のヘテロ接合層
を有する発光素子が提案されている（特開平３−８５７
７４号）。ＭＱＷ構造は、例えばレーザーダイオードに
適用した場合、その量子効果によって、低しきい値発
振、高速動作、安定した温度特性等が期待できる。とこ
ろで、従来、ＭＱＷ構造はドーパントにより破壊される
おそれがあるため、アンドープ構造とされていた（ただ
し、ＭＯＣＶＤ成長ではアンドープ層はｎ型を呈す
る）。一方、ＭＱＷ構造を半導体デバイスに使用する場
合、ｐｎ接合が不可欠であるので、ＭＱＷ構造を挾むよ
うな形でｐ型エピタキシャル層とｎ型エピタキシャル層
が形成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、ＭＱＷ構造
に隣接したｐ型エピタキシャル層をＭＯＣＶＤ法により
Ｚｎ（亜鉛）をドーパントとして形成した場合、成長中
にＭＱＷ構造にＺｎが拡散してしまう。そのため、ＭＱ
Ｗ構造を活性層に利用したレーザーダイオードや発光ダ
イオードでは、フォトルミネッセンスのスペクトル分布
が、図３に示すように、ショルダーピーク（ＳＰ）を有
する形状となる（以下、これをブロード化と称する）。
その結果、発光効率が大幅に低下するという問題点があ
ることが分かった。
に隣接したｐ型エピタキシャル層をＭＯＣＶＤ法により
Ｚｎ（亜鉛）をドーパントとして形成した場合、成長中
にＭＱＷ構造にＺｎが拡散してしまう。そのため、ＭＱ
Ｗ構造を活性層に利用したレーザーダイオードや発光ダ
イオードでは、フォトルミネッセンスのスペクトル分布
が、図３に示すように、ショルダーピーク（ＳＰ）を有
する形状となる（以下、これをブロード化と称する）。
その結果、発光効率が大幅に低下するという問題点があ
ることが分かった。
【０００４】なお、上記の問題に対する対策として、Ｍ
ＱＷ構造部とＺｎドープｐ型エピタキシャル層との間に
アンドープ層を入れる方法も考えられるが、完全にＺｎ
の拡散の影響を排除することはできないことが明らかに
なった。本発明は、上記の問題点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、ＭＱＷ構造を有する発
光素子において、フォトルミネッセンスのスペクトル分
布のブロード化を防止し、発光効率を向上させることに
ある。
ＱＷ構造部とＺｎドープｐ型エピタキシャル層との間に
アンドープ層を入れる方法も考えられるが、完全にＺｎ
の拡散の影響を排除することはできないことが明らかに
なった。本発明は、上記の問題点に着目してなされたも
ので、その目的とするところは、ＭＱＷ構造を有する発
光素子において、フォトルミネッセンスのスペクトル分
布のブロード化を防止し、発光効率を向上させることに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＭＱＷ構
造を有する発光素子において、ＭＱＷ構造へのＺｎの拡
散によりフォトルミネッセンスのスペクトル分布がブロ
ード化する原因はＭＱＷ構造の格子間へのＺｎの侵入が
原因ではないかと考えた。そこで、予め成長中にＺｎを
ＭＱＷ構造にドーピングさせておく試みを行なった。そ
の結果、図２に示すように、フォトルミネッセンスのス
ペクトル分布が急峻な発光素子が得られることを見出し
た。
造を有する発光素子において、ＭＱＷ構造へのＺｎの拡
散によりフォトルミネッセンスのスペクトル分布がブロ
ード化する原因はＭＱＷ構造の格子間へのＺｎの侵入が
原因ではないかと考えた。そこで、予め成長中にＺｎを
ＭＱＷ構造にドーピングさせておく試みを行なった。そ
の結果、図２に示すように、フォトルミネッセンスのス
ペクトル分布が急峻な発光素子が得られることを見出し
た。
【０００６】この発明は、上記知見に基づいてなされた
もので、不純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とこれに
隣接して複数の薄膜エピタキシャル層が交互に積層され
てなる多層エピタキシャル結晶構造とを有する半導体装
置において、上記薄膜エピタキシャル層には、予め上記
半導体層の不純物と同一の元素を不純物として導入して
おくことを提案するものである。ここで、多層エピタキ
シャル結晶構造（ＭＱＷ構造）部への不純物（Ｚｎ）の
ドープ量の上限は飽和濃度（３×１０18cm-3）までとす
る。飽和状態になるとそれ以上の不純物（Ｚｎ）は格子
位置ではなく格子間に入ってしまうためである。一方、
多層エピタキシャル結晶構造部への不純物（Ｚｎ）のド
ープ量の下限は、隣接する半導体層（ｐ型活性層）の濃
度と同程度とする。
もので、不純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とこれに
隣接して複数の薄膜エピタキシャル層が交互に積層され
てなる多層エピタキシャル結晶構造とを有する半導体装
置において、上記薄膜エピタキシャル層には、予め上記
半導体層の不純物と同一の元素を不純物として導入して
おくことを提案するものである。ここで、多層エピタキ
シャル結晶構造（ＭＱＷ構造）部への不純物（Ｚｎ）の
ドープ量の上限は飽和濃度（３×１０18cm-3）までとす
る。飽和状態になるとそれ以上の不純物（Ｚｎ）は格子
位置ではなく格子間に入ってしまうためである。一方、
多層エピタキシャル結晶構造部への不純物（Ｚｎ）のド
ープ量の下限は、隣接する半導体層（ｐ型活性層）の濃
度と同程度とする。
【０００７】
【作用】上記した手段によれば、発光素子に適用した場
合、多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接した層と
の間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによって拡散
による格子間への不純物の侵入量も少なくなってフォト
ルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止す
ることができる。
合、多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接した層と
の間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによって拡散
による格子間への不純物の侵入量も少なくなってフォト
ルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止す
ることができる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明を発光ダイオードに適用した場
合について説明する。Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板１上に
は、Ｓドープｎ型ＩｎＰバッファ層２、Ｚｎドープｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ層３ａ（多層エピタキシャル結晶構造に
接する不純物を含む半導体層）とＳドープｎ型ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３ｂとによりＭＱＷ構造部３ｃ（多層エピタキ
シャル結晶構造）が挾まれてなる活性層３、Ｚｎドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層５が、順に積層されている。上記各層
は、特に限定されるものではないが、原料ガスとしてト
リメチルインジウム、トリエチルガリウム、ＰＨ3（ホ
スフィン）、ＡｓＨ3（アルシン）、Ｈ2Ｓ（流下水素）
およびジエチル亜鉛を用いて、ＭＯＣＶＤ法により成長
温度６００〜７００℃、成長圧力５０〜１００ｔｏｒｒ
の条件下で、エピタキシャル成長される。
合について説明する。Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板１上に
は、Ｓドープｎ型ＩｎＰバッファ層２、Ｚｎドープｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ層３ａ（多層エピタキシャル結晶構造に
接する不純物を含む半導体層）とＳドープｎ型ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３ｂとによりＭＱＷ構造部３ｃ（多層エピタキ
シャル結晶構造）が挾まれてなる活性層３、Ｚｎドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層５が、順に積層されている。上記各層
は、特に限定されるものではないが、原料ガスとしてト
リメチルインジウム、トリエチルガリウム、ＰＨ3（ホ
スフィン）、ＡｓＨ3（アルシン）、Ｈ2Ｓ（流下水素）
およびジエチル亜鉛を用いて、ＭＯＣＶＤ法により成長
温度６００〜７００℃、成長圧力５０〜１００ｔｏｒｒ
の条件下で、エピタキシャル成長される。
【０００９】上記ＭＱＷ構造部３ｃは右側に拡大して示
すように、ＺｎドープＧａ0.15Ｉｎ0.85Ａｓ0.33Ｐ0.67
からなる厚み８ｎｍのバリア層３１と、Ｚｎドープｐ型
Ｇａ0.31Ｉｎ0.69Ａｓ0.66Ｐ0.34からなる厚み８ｎｍの
ウェル層３２とが交互に積層されている。なお、活性層
３のＺｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層３ａとＳドープｎ
型ＧａＩｎＡｓＰ層３ｂのIII族とＶ族の比は、バリア
層３１と同一である。キャリア濃度はＺｎドープ・バリ
ア層３１、Ｚｎドープｐ型ウェル層３２とも６〜８×１
０18cm-3である。
すように、ＺｎドープＧａ0.15Ｉｎ0.85Ａｓ0.33Ｐ0.67
からなる厚み８ｎｍのバリア層３１と、Ｚｎドープｐ型
Ｇａ0.31Ｉｎ0.69Ａｓ0.66Ｐ0.34からなる厚み８ｎｍの
ウェル層３２とが交互に積層されている。なお、活性層
３のＺｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓＰ層３ａとＳドープｎ
型ＧａＩｎＡｓＰ層３ｂのIII族とＶ族の比は、バリア
層３１と同一である。キャリア濃度はＺｎドープ・バリ
ア層３１、Ｚｎドープｐ型ウェル層３２とも６〜８×１
０18cm-3である。
【００１０】また、ｎ型ＩｎＰ基板１のキャリア濃度は
２×１０18cm-3以上、ｎ型ＩｎＰバッファ層２のキャリ
ア濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．２μｍ、活性
層となるＳドープｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層３ｂのキャリア
濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａＩｎＡｓＰ層３ａのキャリア濃度は６〜８×１０18cm
-3で厚みは０．３μｍ、ｐ型ＩｎＰクラッド層４のキャ
リア濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．７μｍ、ｐ
型ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層５のキャリア濃度は１〜
２×１０18cm-3で厚みは０．０１μｍである。図２に上
記実施例のＭＱＷ構造を有する発光ダイオードの低温
（４Ｋ）で測定したフォトルミネッセンス分布を示す。
同図より、本実施例に従えば、フォトルミネッセンス分
布に、図１に示されているようなショルダーピーク（Ｓ
Ｐ）が現われないことが分かる。
２×１０18cm-3以上、ｎ型ＩｎＰバッファ層２のキャリ
ア濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．２μｍ、活性
層となるＳドープｎ型ＧａＩｎＡｓＰ層３ｂのキャリア
濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．２μｍ、ｐ型Ｇ
ａＩｎＡｓＰ層３ａのキャリア濃度は６〜８×１０18cm
-3で厚みは０．３μｍ、ｐ型ＩｎＰクラッド層４のキャ
リア濃度は６〜８×１０18cm-3で厚みは０．７μｍ、ｐ
型ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層５のキャリア濃度は１〜
２×１０18cm-3で厚みは０．０１μｍである。図２に上
記実施例のＭＱＷ構造を有する発光ダイオードの低温
（４Ｋ）で測定したフォトルミネッセンス分布を示す。
同図より、本実施例に従えば、フォトルミネッセンス分
布に、図１に示されているようなショルダーピーク（Ｓ
Ｐ）が現われないことが分かる。
【００１１】なお、上記実施例では、ＭＱＷ構造を有す
る発光ダイオードを例にとって説明したが、この発明
は、レーザーダイオードや受光素子、ＨＥＭＴ、ＨＢＴ
等量子井戸構造の半導体多層膜さらには屈折率の異なる
半導体層を交互に積層してなる反射用多層膜等、Ｚｎド
ープ層とこれに隣接した多層膜を有する半導体デバイス
に適用することができる。また、上記実施例ではエピタ
キシャル成長にＭＯＣＶＤ法を適用しているが、エピタ
キシャル成長はこれに限定されるものでなく、ＭＢＥ
（分子線エピタキシャル）法など他の成長方法を使用し
てもよい。
る発光ダイオードを例にとって説明したが、この発明
は、レーザーダイオードや受光素子、ＨＥＭＴ、ＨＢＴ
等量子井戸構造の半導体多層膜さらには屈折率の異なる
半導体層を交互に積層してなる反射用多層膜等、Ｚｎド
ープ層とこれに隣接した多層膜を有する半導体デバイス
に適用することができる。また、上記実施例ではエピタ
キシャル成長にＭＯＣＶＤ法を適用しているが、エピタ
キシャル成長はこれに限定されるものでなく、ＭＢＥ
（分子線エピタキシャル）法など他の成長方法を使用し
てもよい。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、複数
の薄膜エピタキシャル層が交互に積層されてなる多層エ
ピタキシャル結晶構造（ＭＱＷ構造）とこれに接する不
純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とを有する半導体装
置において、上記薄膜エピタキシャル層には、予め上記
半導体層の不純物と同一の元素（Ｚｎ）を不純物として
導入しておくようにしたので、発光素子に適用した場合
には、多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接した層
との間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによって拡
散による格子間への不純物の侵入量も少なくなってフォ
トルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止
し、発光効率を向上させることができるという効果があ
る。
の薄膜エピタキシャル層が交互に積層されてなる多層エ
ピタキシャル結晶構造（ＭＱＷ構造）とこれに接する不
純物（例えばＺｎ）を含む半導体層とを有する半導体装
置において、上記薄膜エピタキシャル層には、予め上記
半導体層の不純物と同一の元素（Ｚｎ）を不純物として
導入しておくようにしたので、発光素子に適用した場合
には、多層エピタキシャル結晶構造とこれに隣接した層
との間の不純物濃度勾配が小さくなり、これによって拡
散による格子間への不純物の侵入量も少なくなってフォ
トルミネッセンスのスペクトル分布のブロード化を防止
し、発光効率を向上させることができるという効果があ
る。
【００１３】なお、上記実施例では、Ｚｎドープ層とこ
れに隣接したＭＱＷ構造を有する発光ダイオードを例に
とって説明したが、この発明はそれに限定されるもので
なく、例えばＭｇ（マグネシウム）その他拡散速度の比
較的速い元素をドーパントとして含む半導体層とこれに
隣接した多層エピタキシャル結晶構造を有する半導体デ
バイスに広く利用することができる。
れに隣接したＭＱＷ構造を有する発光ダイオードを例に
とって説明したが、この発明はそれに限定されるもので
なく、例えばＭｇ（マグネシウム）その他拡散速度の比
較的速い元素をドーパントとして含む半導体層とこれに
隣接した多層エピタキシャル結晶構造を有する半導体デ
バイスに広く利用することができる。
【図１】本発明を発光ダイオードに適用した場合のエピ
タキシャル結晶構造を示す断面図である。
タキシャル結晶構造を示す断面図である。
【図２】本発明を適用したＭＱＷ構造を活性層に有する
発光ダイオードにおけるフォトルミネッセンスのスペク
トル分布を示すグラフである。
発光ダイオードにおけるフォトルミネッセンスのスペク
トル分布を示すグラフである。
【図３】ＭＱＷ構造を活性層に利用した従来の発光ダイ
オードにおけるフォトルミネッセンスのスペクトル分布
を示すグラフである。
オードにおけるフォトルミネッセンスのスペクトル分布
を示すグラフである。
１ ｎ型ＩｎＰ基板 ２ Ｓドープｎ型ＩｎＰバッファ層 ３ 活性層 ４ Ｚｎドープｐ型ＩｎＰクラッド層 ５ Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓＰコンタクト層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年９月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】
【実施例】以下、本発明を発光ダイオードに適用した場
合について説明する。Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板１上に
は、Ｓドープｎ型ＩｎＰバッファ層２、Ｚｎドープｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ層３ａ（多層エピタキシャル結晶構造に
接する不純物を含む半導体層）とＳドープｎ型ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３ｂとによりＭＱＷ構造部３ｃ（多層エピタキ
シャル結晶構造）が挾まれてなる活性層３、Ｚｎドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層５が、順に積層されている。上記各層
は、特に限定されるものではないが、原料ガスとしてト
リメチルインジウム、トリエチルガリウム、ＰＨ３（ホ
スフィン）、ＡｓＨ３（アルシン）、Ｈ２Ｓ（硫化水
素）およびジエチル亜鉛を用いて、ＭＯＣＶＤ法により
成長温度６００〜７００℃、成長圧力５０〜１００ｔｏ
ｒｒの条件下で、エピタキシャル成長される。
合について説明する。Ｓドープｎ型ＩｎＰ基板１上に
は、Ｓドープｎ型ＩｎＰバッファ層２、Ｚｎドープｐ型
ＧａＩｎＡｓＰ層３ａ（多層エピタキシャル結晶構造に
接する不純物を含む半導体層）とＳドープｎ型ＧａＩｎ
ＡｓＰ層３ｂとによりＭＱＷ構造部３ｃ（多層エピタキ
シャル結晶構造）が挾まれてなる活性層３、Ｚｎドープ
ｐ型ＩｎＰクラッド層４、Ｚｎドープｐ型ＧａＩｎＡｓ
Ｐコンタクト層５が、順に積層されている。上記各層
は、特に限定されるものではないが、原料ガスとしてト
リメチルインジウム、トリエチルガリウム、ＰＨ３（ホ
スフィン）、ＡｓＨ３（アルシン）、Ｈ２Ｓ（硫化水
素）およびジエチル亜鉛を用いて、ＭＯＣＶＤ法により
成長温度６００〜７００℃、成長圧力５０〜１００ｔｏ
ｒｒの条件下で、エピタキシャル成長される。
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の薄膜エピタキシャル層が交互に積
層されてなる多層エピタキシャル結晶構造とこれに接す
る不純物を含む半導体層とを有する半導体装置におい
て、上記薄膜エピタキシャル層には、予め上記半導体層
の不純物と同一の元素が不純物として導入されているこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 上記多層エピタキシャル結晶構造は、複
数の井戸層と障壁層が交互に積層されてなるＭＱＷ構造
であり、上記不純物は亜鉛であることを特徴とする請求
項１記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057692A JPH05343734A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15057692A JPH05343734A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05343734A true JPH05343734A (ja) | 1993-12-24 |
Family
ID=15499909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15057692A Pending JPH05343734A (ja) | 1992-06-10 | 1992-06-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05343734A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019093056A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体型蛍光体 |
-
1992
- 1992-06-10 JP JP15057692A patent/JPH05343734A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019093056A1 (ja) * | 2017-11-09 | 2019-05-16 | 信越半導体株式会社 | 半導体型蛍光体 |
| JP2019085519A (ja) * | 2017-11-09 | 2019-06-06 | 信越半導体株式会社 | 半導体型蛍光体 |
| US11898078B2 (en) | 2017-11-09 | 2024-02-13 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Semiconductor phosphor |
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