TWI816519B - 畫素電路 - Google Patents
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Abstract
一種畫素電路。畫素電路包括發光二極體、電流控制區
塊、脈寬控制區塊、以及發光驅動區塊。發光二極體具有陽極及接收系統低電壓的陰極。電流控制區塊接收電流資料電壓及系統高電壓，以基於電流資料電壓提供驅動電流。脈寬控制區塊接收灰階資料電壓及擺盪信號，以基於灰階資料電壓提供脈寬信號。發光驅動區塊耦接電流控制區塊、脈寬控制區塊及發光二極體的陽極，並且接收驅動電流及脈寬信號，以基於脈寬信號將驅動電流提供至發光二極體的陽極。
Description
本發明是有關於一種畫素電路，且特別是有關於一種發光二極體畫素電路。
因環保意識抬頭，節能省電、使用壽命、色彩飽和度及電源品質等訴求逐漸成為消費者考慮購買的因素，同時受到半導體技術迅速發展與成本降低，驅使發光元件成為未來照明與顯示器市場的發展主流。其中，有機發光二極體(OLED)與微型發光二極體(uLED)為當下使用於自發光顯示面板的主要元件。
然而，微型發光二極體(uLED)和有機發光二極體(OLED)的發光亮度曲線不一樣，亦即操作同樣亮度下，發光二極體的發光效率非常低。並且，由於有機發光二極體的驅動電路所操作的電流區間是落在微型發光二極體的低發光效率區間，因此較早發展的有機發光二極體的驅動電路無法直接應用在微型發光二極體。藉此，為了驅動微型發光二極體，需要對現有的驅動電路作相對應的改動或重新設計。
本發明提供一種畫素電路，可以脈波寬度調變及脈衝振幅調變的方法驅動，以使發光二極體操作在效率的區間且避免發光二極體的發光波長偏移所造成的色偏。
本發明的畫素電路，包括發光二極體、電流控制區塊、脈寬控制區塊、以及發光驅動區塊。發光二極體具有陽極及接收系統低電壓的陰極。電流控制區塊接收電流資料電壓及系統高電壓，以基於電流資料電壓提供驅動電流。脈寬控制區塊接收灰階資料電壓及擺盪信號，以基於灰階資料電壓提供脈寬信號。發光驅動區塊耦接電流控制區塊、脈寬控制區塊及發光二極體的陽極，並且接收驅動電流及脈寬信號，以基於脈寬信號將驅動電流提供至發光二極體的陽極。
基於上述，本發明實施例的畫素電路，電流控制區塊基於電流資料電壓提供驅動電流，並且脈寬控制區塊基於灰階資料電壓提供脈寬信號。藉此，畫素電路透過脈衝振幅調變固定驅動電流的電流密度，讓發光二極體操作在效率的區間，同時固定驅動電流的大小，避免發光二極體的發光波長偏移所造成的色偏，並且透過脈波寬度調變控制發光二極體的發光時間長短，來產生不同灰階。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
100、200、300、400:畫素電路
110、210、310、410:電流控制區塊
120、420:脈寬控制區塊
130、430:發光驅動區塊
C1:第一電容
C2:第二電容
C3:第三電容
Cmp:補償期間
DataG:灰階資料電壓
DataI:電流資料電壓
DEL1:發光二極體
EM:發射控制信號
Emi:發光期間
EPWN:脈寬發射信號
Idrv:驅動電流
PW:脈寬信號
Rst1:第一重置期間
Rst2:第二重置期間
S1:第一控制信號
S2:第二控制信號
S3:第三控制信號
S4:第四控制信號
Sweep:擺盪信號
T1:第一電晶體
T10:第十電晶體
T11:第十一電晶體
T12:第十二電晶體
T13:第十三電晶體
T14:第十四電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
T9:第九電晶體
VDD:系統高電壓
Vref1:第一參考電壓
Vref2:第二參考電壓
VSS:系統低電壓
圖1為依據本發明第一實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖2為依據本發明第一實施例的畫素電路在單一畫面期間中的驅動波形示意圖。
圖3為依據本發明第二實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖4為依據本發明第三實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖5為依據本發明第四實施例的畫素電路的電路示意圖。
圖6為依據本發明第四實施例的畫素電路在單一畫面期間中的驅動波形示意圖。
除非另有定義，本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
應當理解，儘管術語”第一”、”第二”、”第三”等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、
區域、層或部分區分開。因此，下面討論的”第一元件”、”部件”、”區域”、”層”或”部分”可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。
這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式”一”、”一個”和”該”旨在包括複數形式，包括”至少一個”。”或”表示”及/或”。如本文所使用的，術語”及/或”包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語”包括”及/或”包括”指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
圖1為依據本發明第一實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1，在本實施例中，畫素電路100包括發光二極體DEL1、電流控制區塊110、脈寬控制區塊120以及發光驅動區塊130，其中發光二極體DEL1例如包括微型發光二極體，但本發明實施例不以此為限。
發光二極體DEL1具有陽極及接收系統低電壓VSS的陰極。電流控制區塊110接收電流資料電壓DataI及系統高電壓VDD，以基於電流資料電壓DataI提供驅動電流Idrv。脈寬控制區塊120接收灰階資料電壓DataG及擺盪信號Sweep，以基於灰階資料電壓DataG提供脈寬信號PW。發光驅動區塊130耦接電流控制區塊110、脈寬控制區塊120及發光二極體DEL1的陽極，並且
接收驅動電流Idrv及脈寬信號PW，以基於脈寬信號PW將驅動電流Idrv提供至發光二極體DEL1的陽極。
藉此，畫素電路100透過脈衝振幅調變固定驅動電流Idrv的電流密度，讓發光二極體DEL1操作在效率的區間，同時固定驅動電流Idrv的大小，避免發光二極體DEL1的發光波長偏移所造成的色偏，並且透過脈波寬度調變控制發光二極體DEL1的發光時間長短，來產生不同灰階。
在本實施例中，電流控制區塊110包括第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6、以及第一電容C1，其中第一電晶體T1、第二電晶體T2、第三電晶體T3、第四電晶體T4、第五電晶體T5、第六電晶體T6是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。第一電晶體T1具有接收系統高電壓VDD的第一端、控制端、以及提供驅動電流Idrv的第二端。第二電晶體T2具有第一端、接收第一控制信號S1的控制端、以及接收第一參考電壓Vref1的第二端，其中第一參考電壓Vref1可以是任意的直流準位。
第三電晶體T3具有接收電流資料電壓DataI的第一端、接收第二控制信號S2的控制端、以及第二端。第一電容C1耦接於第一電晶體T1的控制端與第三電晶體T3的第二端之間。第四電晶體T4具有耦接第三電晶體T3的第二端的第一端、接收發射控制信號EM的控制端、以及接收第二參考電壓Vref2的第二端，其中第二參考電壓Vref2可以是不同於第一參考電壓Vref1的直流
準位。第五電晶體T5具有耦接第一電晶體T1的第二端的第一端、接收第三控制信號S3的控制端、以及耦收第二電晶體T2的第一端的第二端。第六電晶體T6具有耦接第一電晶體T1的控制端的第一端、接收第二控制信號S2的控制端、以及耦收第二電晶體T2的第一端的第二端。
在本實施例中，脈寬控制區塊120包括第七電晶體T7、第八電晶體T8、第九電晶體T9、第十電晶體T10、第十一電晶體T11、以及第二電容C2，其中第七電晶體T7、第八電晶體T8、第九電晶體T9、第十電晶體T10、第十一電晶體T11是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。
第七電晶體T7具有接收第一參考電壓Vref1的第一端、接收第一控制信號S1的控制端、以及第二端。第八電晶體T8具有接收灰階資料電壓DataG的第一端、接收第二控制信號S2的控制端、以及第二端。第九電晶體T9具有耦接第八電晶體T8的第二端的第一端、接收發射控制信號EM的控制端、以及接收擺盪信號Sweep的第二端。第二電容C2耦接於第七電晶體T7的第二端及第六電晶體T6的第二端之間。
第十電晶體T10，具有耦接第七電晶體T7的第二端的一第一端、接收一第三控制信號S3的一控制端、以及提供脈寬信號PW的一第二端。第十一電晶體T11具有耦接第十電晶體T10的第二端的第一端、耦接第七電晶體T7的第二端的控制端、以及接收第四控制信號S4的第二端。
在本實施例中，發光驅動區塊130包括第十二電晶體T12及第十三電晶體T13，其中第十二電晶體T12及第十三電晶體T13是以P型電晶體為例，但本發明實施例不以此為限。第十二電晶體T12具有接收驅動電流Idrv的第一端、接收脈寬信號PW的控制端、以及耦接發光二極體DEL1的陽極的第二端。第十三電晶體T13具有接收第一參考電壓Vref1的第一端、接收第四控制信號S4的控制端、以及耦接第十二電晶體T12的控制端的第二端。
在本實施例中，由於不同發光色彩的發光二極體DEL1具有不同的發光效率，因此對於同一灰階值，電流資料電壓DataI在應用於具有不同發光色彩的發光二極體DEL1的狀態下，可以具有不同的電壓準位。
圖2為依據本發明第一實施例的畫素電路在單一畫面期間中的驅動波形示意圖。請參照圖1及圖2，在單一畫面期間中，至少包括第一重置期間Rst1、補償期間Cmp、第二重置期間Rst2、發光期間Emi，並且第一參考電壓Vref1可以為P型電晶體的致能準位(例如低電準位)。
在第一重置期間Rst1中，第一控制信號S1及第二控制信號S2為致能準位(例如低壓準位)，第三控制信號S3、第四控制信號S4、發射控制信號EM及擺盪信號Sweep維持於禁能準位(例如高電壓準位)。此時，第二電晶體T2、第三電晶體T3、第六電晶體T6、第七電晶體T7及第八電晶體T8呈現導通，並且第四電晶體T4、第五電晶體T5、第九電晶體T9、第十電晶體T10
及第十三電晶體T13呈現截止。第一電晶體T1及第十一電晶體T11受第一參考電壓Vref1的影響而導通，並且第十二電晶體T12因為為禁能準位的第四控制信號S4而截止。
在補償期間Cmp中，第二控制信號S2及第三控制信號S3為致能準位，第一控制信號S1、第四控制信號S4、發射控制信號EM、擺盪信號Sweep為禁能準位。此時，第三電晶體T3、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第八電晶體T8及第十電晶體T10呈現導通，並且第二電晶體T2、第四電晶體T4、第七電晶體T7、第九電晶體T9、及第十三電晶體T13呈現截止。第一電晶體T1的控制端的電壓透過漏電流而上升至系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓，第十一電晶體T11及第十二電晶體T12的控制端的電壓透過漏電流上升至高電壓準位-第十一電晶體T11的臨界電壓。
在第二重置期間Rst2中，第四控制信號S4及發射控制信號EM為致能準位，並且第一控制信號S1、第二控制信號S2、第三控制信號S3以及擺盪信號Sweep為禁能準位。此時，第四電晶體T4、第九電晶體T9及第十三電晶體T13呈現導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第八電晶體T8及第十電晶體T10呈現截止。並且，第一電晶體T1的控制端的電壓為系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓+(電流資料電壓DataI-第二參考電壓Vref2)，第十一電晶體T11的控制端的電壓為高電壓準位-第十一電晶體T11
的臨界電壓-(灰階資料電壓DataG-高電壓準位)，並且第十二電晶體T12的控制端的電壓為第一參考電壓Vref1。
在發光期間Emi中，第一控制信號S1、第二控制信號S2、第三控制信號S3、第四控制信號S4為禁能準位，發射控制信號EM為致能準位，擺盪信號Sweep由禁能準位線性改變至致能準位。此時，第四電晶體T4及第九電晶體T9呈現導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第八電晶體T8、第十電晶體T10及第十三電晶體T13呈現截止。並且，第一電晶體T1的控制端的電壓為系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓+(電流資料電壓DataI-第二參考電壓Vref2)，第十一電晶體T11的控制端的電壓為高電壓準位-第十一電晶體T11的臨界電壓-(灰階資料電壓DataG-高電壓準位)+擺盪信號Sweep，並且第十二電晶體T12的控制端的電壓在第十一電晶體T11導通時由低電壓準位切換至高電壓準位。
在本實施例中，第二重置期間Rst2及發光期間Emi在單一畫面期間可重覆多次執行，亦即第十二電晶體T12及第十三電晶體T13於單一畫面期間中多次開關，其中開關的次數影響畫面的閃爍(flicker)程度。或者，第二重置期間Rst2及發光期間Emi在多個畫面期間中可重覆多次執行，亦即第十二電晶體T12及第十三電晶體T13可於多個畫面期間中多次開關。
圖3為依據本發明第二實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1及圖3，畫素電路200大致相同於畫素電路100，
其不同之處在於電流控制區塊210，其中相同或相似元件使用相同或相似元件。相較於電流控制區塊110，電流控制區塊210是省略第六電晶體T6，亦即電晶體T5的第二端更直接耦接第一電晶體T1的控制端。
圖4為依據本發明第三實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1及圖4，畫素電路300大致相同於畫素電路100，其不同之處在於電流控制區塊310，其中相同或相似元件使用相同或相似元件。相較於電流控制區塊110，電流控制區塊310省略第六電晶體T6，並且更改第三電晶體T3及第四電晶體T4所接收的電壓。進一步來說，在本實施例中，電晶體T5的第二端更直接耦接第一電晶體T1的控制端，第三電晶體T3的第一端接收擺盪信號Sweep，並且第四電晶體T4的第二端接收電流資料電壓DataI。
圖5為依據本發明第四實施例的畫素電路的電路示意圖。請參照圖1及圖5，畫素電路400大致相同於畫素電路100，其不同之處在於電流控制區塊410、脈寬控制區塊420、發光驅動區塊430，其中相同或相似元件使用相同或相似元件。在本實施例中，其中第三控制信號S3是相同於第二控制信號S2。
在電流控制區塊410中，第六電晶體T6被省略，亦即電晶體T5的第二端更直接耦接第一電晶體T1的控制端，第三電晶體T3的第一端接收第二參考電壓Vref2，並且第四電晶體T4的第二端接收電流資料電壓DataI，其中第二參考電壓Vref2可以是大於系統低電壓VSS的直流準位。
在脈寬控制區塊420中，更包括第三電容C3，第三電容C3耦接於第七電晶體T7的第一端與第七電晶體T7的第二端之間，並且第十一電晶體T11的第二端是接收第二參考電壓Vref2。在發光驅動區塊430中，更包括第十四電晶體T14，第十四電晶體T14具有耦接第十二電晶體T12的第二端的第一端、接收脈寬發射信號EPWN的控制端、以及耦接發光二極體DEL1的陽極的第二端。
圖6為依據本發明第四實施例的畫素電路在單一畫面期間中的驅動波形示意圖。請參照圖5及圖6，在單一畫面期間中，至少包括第一重置期間Rst1、補償期間Cmp、第二重置期間Rst2、發光期間Emi，並且第一參考電壓Vref1可以為P型電晶體的致能準位(例如低電準位)。
在第一重置期間Rst1中，第一控制信號S1及發射控制信號EM為致能準位(例如低壓準位)，第二控制信號S2、第三控制信號S3、第四控制信號S4、脈寬發射信號EPWN及擺盪信號Sweep維持於禁能準位(例如高電壓準位)。此時，第二電晶體T2、第四電晶體T4及第七電晶體T7呈現導通，並且第三電晶體T3、第五電晶體T5、第八電晶體T8、第九電晶體T9、第十電晶體T10、第十三電晶體T13及第十四電晶體T14呈現截止。並且，第一電晶體T1及第十一電晶體T11受第一參考電壓Vref1的影響而導通，並且第十二電晶體T12受第二參考電壓Vref2的影響而截止。
在補償期間Cmp中，第二控制信號S2及第三控制信號
S3為致能準位，第一控制信號S1、第四控制信號S4、發射控制信號EM、脈寬發射信號EPWN及擺盪信號Sweep為禁能準位。此時，第三電晶體T3、第五電晶體T5、第八電晶體T8及第十電晶體T10呈現導通，並且第二電晶體T2、第四電晶體T4、第七電晶體T7、第九電晶體T9、第十三電晶體T13及第十四電晶體T14呈現截止。第一電晶體T1的控制端的電壓透過漏電流而上升至系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓，第十一電晶體T11及第十二電晶體T12的控制端的電壓透過漏電流上升至第二參考電壓Vref2-第十一電晶體T11的臨界電壓。
在第二重置期間Rst2中，第四控制信號S4及發射控制信號EM為致能準位，並且第一控制信號S1、第二控制信號S2、第三控制信號S3、脈寬發射信號EPWN及擺盪信號Sweep為禁能準位。此時，第四電晶體T4、第九電晶體T9及第十三電晶體T13呈現導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第八電晶體T8、第十電晶體T10及第十四電晶體T14呈現截止。並且，第一電晶體T1的控制端的電壓為系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓+(電流資料電壓DataI-第二參考電壓Vref2)，第十一電晶體T11的控制端的電壓為第二參考電壓Vref2-第十一電晶體T11的臨界電壓-(灰階資料電壓DataG-高電壓準位)，並且第十二電晶體T12的控制端的電壓為第一參考電壓Vref1。
在發光期間Emi中，第一控制信號S1、第二控制信號S2、
第三控制信號S3、第四控制信號S4為禁能準位，發射控制信號EM及脈寬發射信號EPWN為致能準位，擺盪信號Sweep由禁能準位線性改變至致能準位。此時，第四電晶體T4及第九電晶體T9呈現導通，並且第二電晶體T2、第三電晶體T3、第五電晶體T5、第六電晶體T6、第七電晶體T7、第八電晶體T8、第十電晶體T10、第十三電晶體T13及第十四電晶體T14呈現截止。並且，第一電晶體T1的控制端的電壓為系統高電壓VDD-第一電晶體T1的臨界電壓+(電流資料電壓DataI-第二參考電壓Vref2)，第十一電晶體T11的控制端的電壓為高電壓準位-第十一電晶體T11的臨界電壓-(灰階資料電壓DataG-高電壓準位)+擺盪信號Sweep，並且第十二電晶體T12的控制端的電壓在第十一電晶體T11導通時由低電壓準位切換至高電壓準位。
綜上所述，本發明實施例的畫素電路，電流控制區塊基於電流資料電壓提供驅動電流，並且脈寬控制區塊基於灰階資料電壓提供脈寬信號。藉此，畫素電路透過脈衝振幅調變固定驅動電流的電流密度，讓發光二極體操作在效率的區間，同時固定驅動電流的大小，避免發光二極體的發光波長偏移所造成的色偏，並且透過脈波寬度調變控制發光二極體的發光時間長短，來產生不同灰階。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍
當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100:畫素電路
110:電流控制區塊
120:脈寬控制區塊
130:發光驅動區塊
C1:第一電容
C2:第二電容
DataG:灰階資料電壓
DataI:電流資料電壓
DEL1:發光二極體
EM:發射控制信號
Idrv:驅動電流
PW:脈寬信號
S1:第一控制信號
S2:第二控制信號
S3:第三控制信號
S4:第四控制信號
Sweep:擺盪信號
T1:第一電晶體
T10:第十電晶體
T11:第十一電晶體
T12:第十二電晶體
T13:第十三電晶體
T2:第二電晶體
T3:第三電晶體
T4:第四電晶體
T5:第五電晶體
T6:第六電晶體
T7:第七電晶體
T8:第八電晶體
T9:第九電晶體
VDD:系統高電壓
Vref1:第一參考電壓
Vref2:第二參考電壓
VSS:系統低電壓
Claims (18)
- 一種畫素電路，包括：一發光二極體，具有一陽極及接收一系統低電壓的一陰極；一電流控制區塊，接收一電流資料電壓及一系統高電壓，以基於該電流資料電壓提供一驅動電流；一脈寬控制區塊，接收一灰階資料電壓及一擺盪信號，以基於該灰階資料電壓提供一脈寬信號，其中在一發光期間中，該脈寬信號基於該灰階資料電壓及該擺盪信號由一低電壓準位切換至一高電壓準位；一發光驅動區塊，耦接該電流控制區塊、該脈寬控制區塊及該發光二極體的該陽極，並且接收該驅動電流及該脈寬信號，以基於該脈寬信號將該驅動電流提供至該發光二極體的該陽極。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該電流控制區塊包括：一第一電晶體，具有接收該系統高電壓的一第一端、一控制端、以及提供該驅動電流的一第二端；一第二電晶體，具有一第一端、接收第一控制信號的一控制端、以及接收一第一參考電壓的一第二端；一第三電晶體，具有一第一端、接收第二控制信號的一控制端、以及一第二端；一第一電容，耦接於該第一電晶體的該控制端與該第三電晶體的該第二端之間； 一第四電晶體，具有耦接該第三電晶體的該第二端的一第一端、接收一發射控制信號的一控制端、以及一第二端；以及一第五電晶體，具有耦接該第一電晶體的該第二端的一第一端、接收一第三控制信號的一控制端、以及耦收該第二電晶體的該第一端的一第二端。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該電流控制區塊更包括：一第六電晶體，具有耦接該第一電晶體的該控制端的一第一端、接收一第二控制信號的一控制端、以及耦收該第二電晶體的該第一端的一第二端。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該第三電晶體的該第一端接收該電流資料電壓，並且該第四電晶體的該第二端接收一第二參考電壓。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該第三電晶體的該第一端接收該擺盪信號，並且該第四電晶體的該第二端接收該電流資料電壓。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該第三電晶體的該第一端接收一第二參考電壓，並且該第四電晶體的該第二端接收該電流資料電壓。
- 如請求項2所述的畫素電路，其中該第三控制信號相同於該第二控制信號。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該脈寬控制區塊包括：一第七電晶體，具有接收一第一參考電壓的一第一端、接收一第一控制信號的一控制端、以及一第二端；一第八電晶體，具有接收該灰階資料電壓的一第一端、接收一第二控制信號的一控制端、以及一第二端；一第九電晶體，具有耦接該第八電晶體的該第二端的一第一端、接收一發射控制信號的一控制端、以及接收該擺盪信號的一第二端；一第二電容，耦接於該第七電晶體的該第二端及第六電晶體的該第二端之間；一第十電晶體，具有耦接該第七電晶體的該第二端的一第一端、接收一第三控制信號的一控制端、以及提供該脈寬信號的一第二端；以及一第十一電晶體，具有耦接該第十電晶體的該第二端的一第一端、耦接該第七電晶體的該第二端的一控制端、以及一第二端。
- 如請求項8所述的畫素電路，其中該脈寬控制區塊更包括：一第三電容，耦接於該第七電晶體的該第一端與該第七電晶體的該第二端之間。
- 如請求項8所述的畫素電路，其中該第三控制信號相同於該第二控制信號。
- 如請求項8所述的畫素電路，其中該第十一電晶體的該第二端接收一第四控制信號。
- 如請求項8所述的畫素電路，其中該第十一電晶體的該第二端接收一第二參考電壓。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該發光驅動區塊包括：一第十二電晶體，具有接收該驅動電流的一第一端、接收該脈寬信號的一控制端、以及耦接該發光二極體的該陽極的一第二端；以及一第十三電晶體，具有接收一第一參考電壓的一第一端、接收一第四控制信號的一控制端、以及耦接該第十二電晶體的該控制端的一第二端。
- 如請求項13所述的畫素電路，其中該發光驅動區塊更包括：一第十四電晶體，具有耦接該第十二電晶體的該第二端的一第一端、接收一脈寬發射信號的一控制端、以及耦接該發光二極體的該陽極的一第二端。
- 如請求項13所述的畫素電路，其中該第十二電晶體及該第十三電晶體於單一畫面期間中多次開關。
- 如請求項13所述的畫素電路，其中該第十二電晶體及該第十三電晶體於多個畫面期間中多次開關。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中對於同一灰階值，該電流資料電壓應用於具有不同發光色彩的該發光二極體的狀態下具有不同的電壓準位。
- 如請求項1所述的畫素電路，其中該發光二極體包括一微型發光二極體。
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| TW111131314A TWI816519B (zh) | 2022-08-19 | 2022-08-19 | 畫素電路 |
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