TWI814180B - 一併接合方式的多層電路基板製造方法 - Google Patents

一併接合方式的多層電路基板製造方法 Download PDF

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Abstract

一併接合方式的多層電路基板製造方法可包括：製作包括多個單元電 路基板的電路基板部的步驟；提供陶瓷基板部的步驟；一併接合電路基板部和陶瓷基板部的步驟，製作各個單元電路基板的步驟可包括：提供在一面形成有電路層的絕緣層的步驟；形成黏合在絕緣層的另一面的黏合層的步驟；去除電路層一部分，形成電路圖案的步驟；形成貫穿絕緣層和黏合層並與電路圖案的一面連接的過孔的步驟；在過孔填充傳導性糊劑的步驟。

Description

一併接合方式的多層電路基板製造方法
本發明的多種實施例涉及一併接合方式的多層電路基板以及製造多層電路基板的方法。
隨著半導體工藝的細微化和元件的高集成化，要求增加探針(probe pin)數量、減小焊盤大小以及小間距(fine pitch)化，因此需要開發多層(multi layer)基板。由於半導體元件電路的複雜性和密度的增加，而受到技術上、設計上的限制，因此為了擴大測試通道，增加電路層是不可避免的。
電路層的增加不僅成為製造消耗時間(TAT：turnaround time)以及產品製造難易度增加的原因，而且隨著電路層的增加，引起平坦度問題。
現有的多層電路基板製造方法是在陶瓷基板上依次形成液相聚醯亞胺或者聚醯亞胺膜，從而製造多層電路基板的方式。根據現有的製造方法，多層電路基板的各層可以是通過反復相同的過程來製造。製造多層電路基板的第一層之後，可以反復與第一層製造過程相同的過程，在第一層的上部形成第二層。可以反復所述方式，進一步製造第三、第四以及其以上的電路基板層。具體為，在製造各層的過程中，可以執行在陶瓷基板的一面塗敷液相聚醯亞胺、 熱接合工藝、鑽孔工藝、濺射(sputtering)工藝、利用乾膜光刻的電路圖案電鍍工藝、蝕刻工藝。
通過現有製造方法製作的多層電路基板難以實現各層平坦。根據現有的製造方法，在多層電路基板的各層的製造過程中，分別執行熱接合工藝。然而，在各個材料之間熱膨脹係數(CTE；coefficient of thermal expansion)存在差異，因此，各個材料被加熱時，在膨脹程度上存在差異，會產生因熱應力(thermal stress)引起的各個材料的彎曲(bending)。由於所述彎曲(bending)而部件發生變形，由此難以實現各層平坦。
另外，通過現有製造方法製造多層電路基板時，製作時間相對較長。如現有製造方法，通過在陶瓷基板上一層一層堆積液相聚醯亞胺的方式來製造電路基板時，總層數越高，則反復製造工藝的次數與層的數量一樣多，因此電路基板的製作時間變長。
根據本發明的一實施例的多層電路基板以及其製造方法，其目的在於，提供一種通過使熱接合工藝最少化而實現各層平坦的多層電路基板，縮短多層電路基板的製作時間。
根據本發明的一實施例的多層電路基板可以包括：陶瓷基板部；單元電路基板，形成在所述陶瓷基板部的一面，所述單元電路基板包括：絕緣層，在一面形成有電路圖案；黏合層，黏合在所述絕緣層的另一面；過孔，貫穿所述絕緣層和所述黏合層，與所述電路圖案的一面連接；以及傳導性糊劑， 填充在所述過孔內部。
根據本發明的一實施例的一併接合方式的多層電路基板製造方法，可以包括：製作包括多個所述單元電路基板的電路基板部的步驟；提供所述陶瓷基板部的步驟；以及一併接合所述電路基板部和所述陶瓷基板部的步驟，製作各個所述單元電路基板的步驟可以包括：提供在一面形成有電路層的所述絕緣層的步驟；形成黏合在所述絕緣層的另一面的所述黏合層的步驟；去除所述電路層的一部分，形成所述電路圖案的步驟；形成貫穿所述黏合層並與所述電路層的一面連接的過孔的步驟；以及在所述過孔填充所述傳導性糊劑的步驟。
根據本發明的一實施例的一併接合方式的多層電路基板製造方法，可以同時製作多層電路基板的各層，從而可以縮短多層電路基板的製作時間。另外，根據本公開的一實施例的一併接合方式的多層電路基板製造方法為同時製作各層之後一併接合的方式，因此可以將以往對各層執行的熱工藝僅在最終步驟中執行一次。可以通過使熱工藝最少化，緩和彎曲(bending)導致的問題，實現平坦的多層電路基板。
20:多層電路基板
200:單元電路基板
200A:第一面
200B:第二面
201:第一電路基板
201A:第一面
201B:第二面
202:第二電路基板
205:絕緣層
205A:第一面
205B:第二面
210:電路層
215:黏合層
215A:第一面
215B:第二面
220:電路圖案
225:過孔
230:傳導性糊劑
250:電路基板部
250A:第一面
250B:第二面
265:絕緣層
275:黏合層
280:電路圖案
285:過孔
290:傳導性糊劑
300:陶瓷基板部
300A:第一面
300B:第二面
305:陶瓷基板
305A:第一面
305B:第二面
310:陶瓷穿孔
310A:第一開口
310B:第二開口
315:上部導電層
320:下部導電層
325:電路圖案
S201:步驟
S202:步驟
S203:步驟
S204:步驟
S205:步驟
S21:步驟
S22:步驟
圖1是示出根據本公開的一實施例的單元電路基板的剖面圖。
圖2是示出根據本公開的一實施例的陶瓷基板部的剖面圖。
圖3a、3b以及圖3c是示出根據本公開的一實施例的多層電路基板的剖面圖。
圖4是示出根據本公開的一實施例的多層電路基板的製造方法的順序圖。
圖5a以及圖5b是示出製作根據本公開的一實施例的單元電路基板的過程的說明圖。
圖6是示出根據本公開的一實施例的電路基板部以及陶瓷基板部的剖面圖。
圖7是示出根據本公開的一實施例的電路基板部以及陶瓷基板部被熱壓接合的狀態的說明圖。
圖1是示出根據本公開的一實施例的單元電路基板200的剖面圖。
參考圖1，根據本公開的一實施例的單元電路基板200可以包括絕緣層205、黏合層215、電路圖案220、過孔225(via hole)和/或傳導性糊劑230(conductive paste)。
絕緣層205可以起到在單元電路基板200中成為結構的基礎的基板的作用。絕緣層205可以包括聚醯亞胺。聚醯亞胺具有高的耐熱性，且電性、化學穩定性等優秀，因此可以作為多層電路基板20(圖3b)的絕緣層205使用。
絕緣層205可以具有事先規定的厚度，可以形成為均勻的厚度。
在多種實施例中，絕緣層205可以在絕緣層205的至少一部分結合電路圖案220。可以是絕緣層205的第一面205A為絕緣層205的下部面，絕緣層205的第二面205B為絕緣層205的上部面。絕緣層205可以在絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)結合電路圖案220。
電路圖案220可以包括傳導性物質。電路圖案220可以由金、鎳、銅中的任一種金屬或者其合金構成。考慮到導電性、耐久性、經濟性等，電路圖案220可以優選由銅構成。
絕緣層205可以在絕緣層205的第一面205A(例如，絕緣層205的 下部面)結合黏合層215。黏合層215可以將多個單元電路基板200相互黏合或者黏合單元電路基板200和陶瓷基板部300(參考圖2)。
黏合層215可以包括熱固性材質。受熱之前的黏合層215可以包括流動性黏合物質。黏合層215可以以流動性狀態首先固定在絕緣層205的第一面205A(例如，絕緣層205的下部面)。在熱壓接合步驟(參考圖7)中，包括熱固性材質的黏合層215可以受熱而被二次固化。固化的黏合層215可以完全固定在絕緣層205上。
黏合層215可以以均勻的厚度形成在絕緣層205的第一面205A(例如，絕緣層205的下部面)。黏合層215可以具有事先規定的厚度。
單元電路基板200的黏合層215的厚度和絕緣層205的厚度可以被調節為符合使用單元電路基板200的裝置的特性。
絕緣層205和黏合層215可以在至少一部分包括過孔225。過孔225可以與形成在絕緣層205的一面的電路圖案220的全部或者一部分連接。
過孔225可以在單元電路基板200內形成多個。形成多個的各個過孔225可以與形成在絕緣層205的第二面205B的電路圖案220的全部或者一部分連接。
過孔225可以包括可以填充傳導性糊劑230的空間。
傳導性糊劑230可以填充在過孔225內部。傳導性糊劑230可以包括傳導性物質。例如，傳導性糊劑230可以包括銅和錫合金物質。
圖2是示出根據本公開的一實施例的陶瓷基板部300的剖面圖。
根據本公開的一實施例的陶瓷基板部300可以包括陶瓷基板305、陶瓷穿孔310、上部導電層315和/或下部導電層320。
陶瓷基板305可以起到成為陶瓷基板部300結構的基礎的基板的作用。陶瓷基板305可以包括陶瓷物質。陶瓷物質可以是電絕緣性以及機械強度 優秀，且具有高的熱阻性以及對化學的穩定性。
陶瓷基板305的熱膨脹係數(CTE：coefficient of thermal expansion)與用於半導體的矽晶圓(silicon wafer)類似，因此可以作為檢查半導體的用途來使用。
陶瓷基板305可以包括陶瓷穿孔310。陶瓷穿孔310可以在陶瓷基板305內形成多個。陶瓷穿孔310可以起到將上部導電層315和下部導電層320電連接的作用。陶瓷穿孔310可以通過機械鑽孔加工來形成。
在多種實施例中，上部導電層315以及下部導電層320可以位於陶瓷基板305的至少一部分上。可以是陶瓷基板305的第一面305A為陶瓷基板305的下部面，陶瓷基板305的第二面305B為陶瓷基板305的上部面。下部導電層320可以位於陶瓷基板305中陶瓷基板305的第一面305A(例如，陶瓷基板305的下部面)。上部導電層315可以位於陶瓷基板305中陶瓷基板305的第二面305B(例如，陶瓷基板305的上部面)。
上部導電層315和下部導電層320可以包括電路圖案325。電路圖案325可以經過光刻工藝、電鍍工藝以及蝕刻工藝等來形成。
上部導電層315和下部導電層320可以包括傳導性物質。上部導電層315和下部導電層320可以由銅、鎳、金中的任一種金屬或者其合金構成，綜合考慮導電性、耐久性、經濟性等，可以優選由銅構成。
可以是陶瓷穿孔310的第一開口310A為陶瓷穿孔310的下部開口，第二開口310B為陶瓷穿孔310的上部開口。下部導電層320可以形成在陶瓷穿孔310的第一開口310A(例如，陶瓷穿孔310的下部開口)。上部導電層315可以形成在陶瓷穿孔310的第二開口310B(例如，陶瓷穿孔310的上部開口)。
圖3a、3b以及圖3c是示出根據本公開的一實施例的多層電路基板20的剖面圖。
圖3a是示出配置根據本公開的一實施例的單元電路基板200以及陶瓷基板部300的狀態的剖面圖。圖3b是示出配置根據本公開的一實施例的2個單元電路基板200以及陶瓷基板部300的狀態的剖面圖。圖3c是示出根據本公開的一實施例的包括多個單元電路基板200以及陶瓷基板部300的多層電路基板20的剖面圖。
參考圖3a，根據本公開的一實施例的多層電路基板20(參考圖3c)可以包括1個單元電路基板200以及陶瓷基板部300。
可以是單元電路基板200的第一面200A為單元電路基板200的下部面，單元電路基板200的第二面200B為單元電路基板200的上部面。陶瓷基板部300可以位於單元電路基板200中單元電路基板200的第一面200A(例如，單元電路基板200的下部面)。
參考圖3b，根據本發明的一實施例的多層電路基板20(參考圖3c)可以包括2個單元電路基板200(參考圖1)以及陶瓷基板部300。例如，多層電路基板20(參考圖3c)可以包括第一電路基板201、第二電路基板202以及陶瓷基板部300。
第一電路基板201可以包括絕緣層205、黏合層215、電路圖案220、過孔225(via hole)和/或傳導性糊劑230(conductive paste)。
在多種實施例中，第一電路基板201可以在第一電路基板201的至少一部分結合有第二電路基板202或者陶瓷基板部300。可以是第一電路基板201的第一面201A為第一電路基板201的下部面，第一電路基板201的第二面201B為第一電路基板201的上部面。第二電路基板202可以位於第一電路基板201中第一電路基板201的第二面201B(例如，第一電路基板201的上部面)。陶瓷基板部300可以位於第一電路基板201中第一電路基板201的第一面201A(例如，第一電路基板201的下部面)。
第二電路基板202可以包括絕緣層265、黏合層275、電路圖案280、過孔285(via hole)和/或傳導性糊劑290(conductive paste)。
第二電路基板202的絕緣層265、黏合層275、電路圖案280、過孔285以及傳導性糊劑290各自可以與第一電路基板201的絕緣層205、黏合層215、電路圖案220、過孔225以及傳導性糊劑230的功能相同。
參考圖3c，根據本公開的一實施例的多層電路基板20可以包括多個單元電路基板200以及陶瓷基板部300。
參考圖3c，電路基板部250可以包括第一電路基板201、第二電路基板202以及附加的單元電路基板200。即，根據本公開的一實施例的電路基板部250可以包括多個單元電路基板200。
在多種實施例中，電路基板部250可以在電路基板部250的至少一部分結合陶瓷基板部300。可以是電路基板部250的第一面250A為電路基板250的最下部面，第二面250B為電路基板部250的最上部面。陶瓷基板部300可以結合在電路基板部250中電路基板部250的第一面250A(例如，電路基板部250的最下部面)。
單元電路基板200可以層疊配置多個。在多種實施例中，單元電路基板200可以在單元電路基板200的至少一部分結合其他單元電路基板200。可以是單元電路基板200的第一面200A為單元電路基板200的下部面，單元電路基板200的第二面200B為單元電路基板200的上部面。其他單元電路基板200可以結合在單元電路基板200中單元電路基板200的第一面200A(例如，單元電路基板200的下部面)或者第二面200B(例如，單元電路基板200的上部面)。
圖3c中示出各個單元電路基板200包括一個過孔225以及傳導性糊劑230，然而過孔225以及傳導性糊劑230的數量不限於此。即，各個單元電路基板200可以包括多個過孔225以及傳導性糊劑230。
傳導性糊劑230可以形成在與各個單元電路基板200中包含的電路圖案220的全部或者一部分相遇的位置。例如，傳導性糊劑230可以形成在與形成在單元電路基板200的第二面200B(上部面)的電路圖案220以及位於單元電路基板200的第一面200A(下部面)的其他單元電路基板200的電路圖案220相遇的位置。傳導性糊劑230和電路圖案220可以接觸，從而將各個單元電路基板200電連接。
陶瓷基板部300的上部導電層315可以形成在與電路基板部250的第一面250A(例如，電路基板部250的下部面)中包含的傳導性糊劑230相遇的位置。傳導性糊劑230和上部導電層315可以接觸，從而將陶瓷基板部300和電路基板部250電連接。
圖4是示出根據本公開的一實施例的多層電路基板20(參考圖3c)的製造方法的順序圖。
參考圖4，根據本公開的一實施例的多層電路基板20(參考圖3c)的製造方法包括：製作電路基板部250(參考圖3c)，提供陶瓷基板部300(參考圖2)的步驟S21；一併接合電路基板部250(參考圖3c)以及陶瓷基板部300(參考圖2)的步驟S22。
在步驟S21中，可以製作電路基板部250(參考圖3c)。電路基板部250包括多個單元電路基板200(參考圖1)，因此可以通過反復製作單元電路基板200(參考圖1)的過程(參考圖5a、圖5b)來製作電路基板部250(參考圖3c)。
在步驟S21中，可以提供陶瓷基板部300(參考圖2)。陶瓷基板部300(參考圖2)可以包括陶瓷基板305(參考圖2)、陶瓷穿孔310(參考圖2)、上部導電層315(參考圖2)和/或下部導電層320(參考圖2)。
在步驟S22中，可以一併接合電路基板部250(參考圖6)、陶瓷 基板部300(參考圖6)。為了接合，可以配置電路基板部250(參考圖6)、陶瓷基板部300(參考圖6)。配置的電路基板部250(參考圖7)、陶瓷基板部300(參考圖7)可以是利用沖壓裝置(未圖示)進行熱壓接合，從而一併接合。
圖5a以及圖5b是示出根據本發明的一實施例的製作單元電路基板200的過程的說明圖。
圖5a是示出根據本發明的一實施例的單元電路基板200的製作過程的順序圖。圖5b是示出按照圖5a中圖示的順序製作單元電路基板200的過程的說明圖。
參考圖5a以及圖5b，根據本發明的一實施例的單元電路基板200的製作方法包括：提供在一面形成有電路層210的絕緣層205的步驟S201；在絕緣層205的另一面黏合黏合層215的步驟S202；通過蝕刻工藝去除電路層210的一部分，形成電路圖案220的步驟S203；形成貫穿絕緣層205和黏合層215並與電路圖案220連接的過孔225的步驟S204；以及在過孔225內部填充傳導性糊劑230的步驟S205。
在步驟S201中，可以提供在一面形成有電路層210的絕緣層205。絕緣層205可以包括聚醯亞胺。聚醯亞胺具有高的耐熱性，且電性、耐化學性等優秀，因此可以作為單元電路基板200的絕緣層205來使用。
絕緣層205可以在一面結合電路層210。例如，絕緣層205可以在絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)結合電路層210。
電路層210可以利用沖壓方式接合在絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)。沖壓方式中，可以利用施加熱和壓力的熱壓(hot press)方式。
電路層210可以由金、銀、銅、鋁中的任一種金屬或者其合金構成。綜合考慮導電性、耐久性、經濟性等，電路層210可以優選由銅構成。
電路層210可以以均勻的厚度形成在絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)。電路層210可以具有事先規定的厚度。
根據本發明的一實施例的單元電路基板200的製造方法，可以另外製作絕緣層205和黏合層215。所述方法相比在絕緣層205內部包含黏合物質進行製作的方法，可以具有可以彈性調整絕緣層205的厚度的優點。
在步驟S202中，絕緣層205可以在絕緣層205的第一面205A(例如，絕緣層205的下部面)結合黏合層215。
黏合層215可以包括熱固性材質。包括熱固性材質的黏合層215可以以半固化狀態首先黏合在絕緣層205的第一面205A之後，通過熱壓接合工藝二次固化，從而被完全黏合。
在步驟S203中，形成在絕緣層205的第二面205B的電路層210可以是電路層210的至少一部分被去除，從而形成電路圖案220。
電路圖案220可以通過光刻工藝以及蝕刻工藝形成。光刻工藝可以包括光刻膠塗層工藝、曝光工藝、顯影工藝。光刻膠塗層工藝可以包括在向電路層210照射光之前，向電路層210塗覆作為對光敏感的物質的光刻膠的工藝。曝光工藝可以包括將形成有圖案的掩膜覆蓋在電路層210之後，選擇性地照射光的工藝。顯影工藝可以包括向電路層210塗覆顯影液，區分照射光的部分和不照射光的部分的工藝。經過光刻工藝之後，電路層210可以通過蝕刻工藝去除除電路圖案220以外的部分，從而形成電路圖案220。
電路圖案220考慮到與可以配置在電路圖案220的一面的其他單元電路基板200的關係，可以事先設計準確的位置以及尺寸。
在步驟S204中，可以形成貫穿絕緣層205和黏合層215並與電路圖案220連接的過孔225。
在多種實施例中，黏合層215可以在黏合層215的至少一部分包括 過孔225。可以是黏合層215的第一面215A為黏合層215的下部面，黏合層215的第二面215B為黏合層215的上部面。過孔225可以通過鑽孔方式形成在黏合層215的第一面215A(例如，黏合層215的下部面)。
根據本公開的一實施例的過孔225可以利用鐳射鑽孔來形成。為了形成細微的過孔225，可以使用UV(ultra violet；紫外光)鐳射鑽孔。
絕緣層205可以包括形成在黏合層215的過孔225。即，過孔225可以形成為從黏合層215的第一面215A(例如，黏合層215的下部面)開始並連接到絕緣層205的形態。
過孔225可以與位於絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)的電路圖案220連接。過孔225可以與電路圖案220的全部或者一部分連接。
過孔225可以包括可以填充傳導性糊劑230的空間。在過孔225填充作為傳導性物質的傳導性糊劑230時，各個單元電路基板200可以被電連接。
單元電路基板200可以包括多個過孔225。圖5b中示出單元電路基板200包括3個過孔225，然而過孔225的數量不限於此。
根據本公開的一實施例的單元電路基板200製造方法可以包括在形成過孔225之後，清洗過孔225內部的工藝。為了清洗過孔225內部，可以使用利用等離子體(plasma)的清洗工藝。清洗工藝可以是通過去除形成過孔225的過程中生成的灰塵等，從而在步驟S205中在過孔225內部容易填充傳導性糊劑230。
在步驟S205中，傳導性糊劑230可以填充在過孔225內部。
傳導性糊劑230可以包括具有傳導性的物質。傳導性糊劑230可以形成在與形成在各個單元電路基板200的電路圖案220連接的位置，從而將各個單元電路基板200的電路圖案220之間電連接。
傳導性糊劑230可以通過向過孔225內部推進傳導性糊劑230的方式進行填充。為了將傳導性糊劑230推進過孔225內部，可以使用如壓榨機(squeezer，未圖示)能夠向傳導性糊劑230施加壓力的部件。
將步驟S201、S202、S203、S204以及S205的製作工藝全部執行時，可以製作出圖4的步驟S205中圖示的單元電路基板200。單元電路基板200可以包括絕緣層205和黏合層215。單元電路基板200可以在絕緣層205的第二面205B(例如，絕緣層205的上部面)包括電路圖案220。絕緣層205和黏合層215可以包括過孔225。傳導性糊劑230可以填充在過孔225內部。
圖6是示出根據本公開的一實施例的電路基板部250以及陶瓷基板部300的剖面圖。
在多種實施例中，單元電路基板200可以隔開間隔配置多個。可以是單元電路基板200的第一面200A為單元電路基板200的下部面，單元電路基板200的第二面200B為單元電路基板200的上部面。其他單元電路基板200可以隔開間隔位於單元電路基板200中單元電路基板200的第一面200A(例如，單元電路基板200的下部面)或者第二面200B(例如，單元電路基板200的上部面)。
圖6中示出各個單元電路基板200僅包括一個過孔225以及傳導性糊劑230，然而，過孔225以及傳導性糊劑230的數量不限於此。
傳導性糊劑230可以形成在可以與各個單元電路基板200中包含的電路圖案220的全部或者一部分相遇的位置。例如，傳導性糊劑230可以形成在可以與形成在單元電路基板200的第二面200B(上部面)的電路圖案220以及隔開間隔位於單元電路基板200的第一面200A(下部面)的其他單元電路基板200的電路圖案220相遇的位置。
在多種實施例中，電路基板部250可以包括隔開間隔配置的多個單元電路基板200。可以是電路基板部250的第一面250A為電路基板部250的最下 部面，第二面250B為電路基板部250的最上部面。陶瓷基板部300可以隔開間隔位於電路基板部250中電路基板部250的第一面250A(例如，電路基板部250的最下部面)。
陶瓷基板部300的上部導電層315可以形成在可以與連接在電路基板部250的第一面250A(例如，電路基板部250的最下部面)的傳導性糊劑230接觸的位置。
各個單元電路基板200以及陶瓷基板部300的位置可以利用支撐部件(未圖示)被臨時固定。可以在各個單元電路基板200以及陶瓷基板部300的一側和另一側形成有用於臨時結合所述支撐部件(未圖示)的孔(未圖示)。所述支撐部件(未圖示)可以臨時結合在所述孔(未圖示)中，從而將各個單元電路基板200以及陶瓷基板部300隔開間隔對齊。
圖7是示出根據本發明的一實施例的電路基板部250以及陶瓷基板部300被熱壓接合的狀態的說明圖。
沖壓裝置(未圖示)可以位於電路基板部250的第二面250B(例如，電路基板部250的最上部面)以及陶瓷基板部300的第一面300A(例如，陶瓷基板部300的下部面)。
所述沖壓裝置(未圖示)可以為熱壓(hot press)裝置，可以起到向電路基板部250的第二面250B(最上部面)以及陶瓷基板部300的第一面300A(下部面)施加熱和壓力的作用。在所述沖壓裝置(未圖示)產生的熱和壓力可以被傳遞至各個單元電路基板200。可以通過被傳遞的熱和壓力，消除各個單元電路基板200之間的間距並被壓縮接合。
黏合層215可以受到熱和壓力而被固化，從而完全黏合各個單元電路基板200以及陶瓷基板部300。
傳導性糊劑230可以接收熱和壓力，起到燒結(sintering)作用。 即，通過沖壓裝置(未圖示)中產生的熱和壓力，傳導性糊劑230可以從粉末狀態轉化為合金狀態，由此，可以具有多層電路基板20的構成中所需的機械強度。
通過沖壓裝置完成熱壓接合之後，可以去除在各個單元電路基板200以及陶瓷基板部300的一側和另一側臨時結合的支撐部件(未圖示)。
以上，舉出實施例說明了本發明，然而並不一定限定於此，可以在本發明的技術思想的範疇內實施任何修改以及變形。
20:多層電路基板
200:單元電路基板
200A:第一面
200B:第二面
201:第一電路基板
202:第二電路基板
220:電路圖案
225:過孔
230:傳導性糊劑
250:電路基板部
250A:第一面
250B:第二面
300:陶瓷基板部
315:上部導電層

Claims (9)

  1. 一種一併接合方式的多層電路基板製造方法，其包括：製作包括多個單元電路基板的一電路基板部的步驟；提供一陶瓷基板部的步驟；以及一併接合所述電路基板部和所述陶瓷基板部的步驟，其中，製作各個所述單元電路基板的步驟包括：提供在一面形成有一電路層的一絕緣層的步驟；將一黏合層黏合在所述絕緣層的另一面的步驟；去除所述電路層的一部分，形成一電路圖案的步驟；形成同時貫穿所述絕緣層和與所述絕緣層黏合的所述黏合層並與所述電路圖案的一面連接的一過孔的步驟；以及在所述過孔填充傳導性糊劑的步驟。
  2. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述絕緣層由聚醯亞胺構成。
  3. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述絕緣層的厚度可以調整。
  4. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述電路層由銅構成。
  5. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，為了去除所述電路層的一部分，在光刻工藝之後，利用蝕刻工藝。
  6. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述單元電路基板包括多個所述過孔。
  7. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述過孔是利用鐳射鑽孔來形成。
  8. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，在形成所述過孔的步驟之後，還包括清洗所述過孔的步驟。
  9. 如請求項1所述的一併接合方式的多層電路基板製造方法，其中，所述一併接合步驟包括：將所述電路基板部的一面和所述陶瓷基板部的一面進行加熱以及加壓，從而接合所述電路基板部和所述陶瓷基板部的步驟。
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