TWI804633B - 黏著薄片 - Google Patents

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Abstract

一種黏著薄片，其係將黏著薄片上之半導體元件密封時所使用之黏著薄片(10)，其具備基材(11)及包含抗靜電劑之黏著劑層(12)，於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著薄片(10)的黏著劑層(12)之表面電阻率未達1011 Ω/□。

Description

黏著薄片
本發明關於黏著薄片。
半導體裝置之製造步驟中，基於半導體晶圓之固定及半導體元件(例如半導體晶片等)之保護等為目的而使用黏著薄片。 黏著薄片係於特定處理步驟結束時剝離，但此時黏著薄片與半導體晶圓之間、或黏著薄片與半導體元件之間，有發生稱為剝離帶電之靜電的情況。此等靜電由於會成為破壞半導體晶圓、半導體元件及形成於該等之電路等的原因，故已檢討用以防止該破壞(以下亦稱為「靜電破壞」)之方法。 例如文獻1(日本特開2003-105278號公報)中，揭示電子零件補強用黏著薄片，其特徵係黏著劑層係分別以特定量含有下述成分之光聚合性組成物的光聚合物：(a)以特定之(甲基)丙烯酸烷酯為主成分、含有可與其共聚合之單乙烯性不飽和酸之單體混和物、(b)作為交叉結合劑之多官能(甲基)丙烯酸酯、(c)光聚合起始劑及(d)環氧樹脂。文獻1中，揭示該電子零件補強用黏著薄片之黏著劑層亦可含有抗靜電劑。 又，文獻2(日本特開2011-127130號公報)中，揭示黏著劑組成物，其特徵為包含(a)離子性液體、(b)以具有碳數4~12之烷基的(甲基)丙烯酸酯之1種以上為主成分之(甲基)丙烯酸系聚合物、及(c)分子中含有2個以上羥基之特定化合物，前述(甲基)丙烯酸系聚合物之重量平均分子量為30萬以上130萬以下。 又，揭示於支撐體之單面或雙面上形成使該黏著劑組成物交聯而成之黏著層之黏著薄片類。 然而，半導體裝置之製造步驟中，實施以密封材密封半導體元件之步驟時，黏著薄片有於高溫(例如150℃以上190℃以下)加熱之情況。經過如此加熱步驟後，黏著薄片自被黏著體剝離時，因剝離帶電而發生之靜電，電子零件(例如電子電路等)變更易被破壞，其結果，有半導體元件被破壞之情況。 上述文獻1、文獻2中，雖揭示亦可於黏著薄片之黏著劑層含有抗靜電劑，但為了更抑制靜電破壞，而必須選擇對應於用途及步驟之材料。尤其，實施密封步驟之半導體裝置之製造步驟中，必須選擇亦考慮黏著薄片於高溫加熱後之特性的材料。
本發明之目的在於藉由使用具有於經過於高溫(例如150℃以上190℃以下)加熱之步驟後，具有未達特定值之表面電阻率之黏著劑層的黏著薄片，而可提供即使自被黏著體剝離黏著薄片，亦可抑制半導體元件之靜電破壞之黏著薄片。 本發明之一態樣之黏著薄片係將黏著薄片上之半導體元件密封時所使用之黏著薄片，其具備基材，及包含抗靜電劑之黏著劑層，於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著薄片的前述黏著劑層之表面電阻率未達1011 Ω/□。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著薄片的前述黏著劑層之帶電壓未達0.1kV。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述抗靜電劑包含選自由碳材料及離子性材料所成之群中之至少1種。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述碳材料係選自由碳奈米管、石墨烯及碳黑所成之群中之至少1種。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述離子性材料係選自由離子性液體及離子聚合物所成之群中之至少1種。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述抗靜電劑係前述離子性液體，或前述離子性液體與前述碳材料之混合物。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述離子性液體包含陽離子及下述通式(1)表示之陰離子，
Figure 02_image001
通式(1)中，R1 及R2 分別獨立為氟原子或碳數1以上8以下之全氟烷基，R1 及R2 為相同或不同。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述離子性液體之含量，相對於前述黏著劑層全體，為0.01質量%以上10質量%以下。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述黏著劑層含有丙烯酸系黏著劑組成物，前述丙烯酸系黏著劑組成物包含以烷基之碳數為4以上12以下之(甲基)丙烯酸烷酯作為主單體之丙烯酸系共聚物。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述黏著薄片於100℃及30分鐘之條件加熱，接著於180℃及30分鐘之條件加熱，進而於190℃及60分鐘之條件加熱，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著劑層對於銅箔之黏著力為0.5N/25mm以上3.0N/25mm以下，且前述黏著劑層對於聚醯亞胺膜之黏著力為0.50N/25mm以上2.00N/25mm以下。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述基材之前述黏著劑層側之表面具有導電性。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後，前述基材之前述黏著劑層側之表面電阻率為10-7 Ω/□以上107 Ω/□以下。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述基材與前述黏著劑層之間具有導電層。 本發明之一態樣之黏著薄片中，較好前述黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後，前述導電層之前述黏著劑層側之表面電阻率為10-7 Ω/□以上107 Ω/□以下。 依據本發明，可提供藉由使用具有於經過於高溫(例如150℃以上190℃以下)加熱之步驟後，具有未達特定值之表面電阻率之黏著劑層的黏著薄片，而可提供即使自被黏著體剝離黏著薄片，亦可抑制半導體元件之靜電破壞之黏著薄片。
以下，針對本發明之一態樣之黏著薄片參考圖式加以說明。 [第一實施形態] 圖1顯示第一實施形態之黏著薄片10之剖面圖。 第一實施形態之黏著薄片10係基材11與黏著劑層12相接而成。 黏著薄片10係於密封黏著薄片10上之半導體元件時使用。 黏著薄片10上不只可黏貼半導體元件，亦可黏貼其他構件。本說明書中，包含半導體元件於其他構件有時稱為被黏著體。作為其他構件，舉例為例如框構件。框構件於例如以密封樹脂密封黏著薄片10上之半導體元件時，可用以防止伴隨密封樹脂之硬化收縮之黏著薄片10翹曲。 黏著薄片10具備基材11與包含抗靜電劑之黏著劑層12。基材11具有第一基材面11a及與第一基材面11a相反側之第二基材面11b。黏著劑層12具有第一黏著面12a及與第一黏著面12a相反側之第二黏著面12b。黏著薄片10中，於第一基材面11a上層合黏著劑層12。該黏著劑層12上黏貼半導體元件等之被黏著體。黏著劑層12於半導體裝置之製造步驟中將被黏著體保持於黏著薄片10上。 黏著薄片10之形狀可設為例如薄片狀、帶狀、標籤狀等之所有形狀。 本實施形態之黏著薄片10於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層12之表面電阻率未達1011 Ω/□。 以下，例如有時將150℃以上190℃以下稱為「高溫」，將於150℃以上190℃以下加熱稱為「高溫加熱」。 本發明人等發現藉由使用於高溫加熱後之黏著劑層之表面電阻率未達1011 Ω/□的黏著薄片，可抑制半導體元件之靜電破壞，因而完成本發明。 依據本實施形態之黏著薄片10，即使經過於高溫加熱之步驟後，自被黏著體剝離黏著薄片10，仍可抑制半導體元件之靜電破壞(以下亦稱「本實施形態之效果」)。 [達成手段] 作為用以獲得本實施形態之黏著薄片10(亦即於高溫加熱後之黏著劑層12之表面電阻率未達1011 Ω/□的黏著薄片10)之達成手段並未特別限定，但舉例為例如以下方法。亦可組合該等方法。 ・方法1：於黏著劑層12中包含特定抗靜電劑之方法 ・方法2：於黏著劑層12中包含特定抗靜電劑，並調整其抗靜電劑含量之方法 ・方法3：對基材11之黏著劑層12之側之表面賦予導電性之方法 ・方法4：於基材11與黏著劑層12之間設置導電層之方法 藉由使用以上手段，於高溫加熱後黏著劑層12之表面電阻率亦成為未達1011 Ω/□。因此，剝離黏著薄片10時產生之靜電通過形成於黏著劑層12之導電通路而容易被去除。又，前述靜電於黏著劑薄片10於基材11與黏著劑層12之間具有其他層(例如導電層及中間層之至少一者)時，容易通過於黏著劑層12及其他層形成之導電路徑而去除。 [高溫加熱後之黏著劑層之表面電阻率] 所謂黏著薄片10之黏著劑層12之表面電阻率係指自黏著劑層12之表面側(圖1之情況，係自第一黏著面12a側)測定之值。 於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著薄片10的黏著劑層12之表面電阻率較好未達1×1011 Ω/□，更好未達7×1010 Ω/□，又更好未達5×1010 Ω/□。 黏著劑層12之表面電阻率之下限值並未特別限定，但較好為1×104 Ω/□以上。 黏著劑層12之表面電阻率可如以下般測定。 於黏著薄片設置剝離膜時，以切割器等將該附剝離膜之黏著薄片之一部分切割成90mm×90mm的大小。其次，自切出之附剝離膜之黏著薄片剝離掉剝離膜，將黏著薄片之黏著劑層貼附於矽鏡面晶圓(直徑6吋，厚0.68mm，經鏡面2000號修飾)之鏡面。將其設為試驗片。 又，於黏著薄片未設置剝離膜時，使用未設置剝離膜之黏著薄片與上述同樣方法獲得試驗片。 其次，將試驗片導入環境式電爐(SKM-系列SKM-3035F，本山公司製)，將爐內抽真空5分鐘後，填充氮氣至常壓(1大氣壓)，進而將爐內抽真空5分鐘。 隨後，流通氮氣，使爐內成為氮環境後，邊吹拂氮氣(1.5L/min)邊以升溫速度2℃/min升溫至190℃，於190℃直接保持60分鐘。隨後將試驗片自爐內取出，放冷至室溫(25℃)，於23℃及50%RH之環境下放置24小時。放置24小時後之試驗片(附矽鏡面晶圓之黏著薄片)剝離黏著薄片，將其作為表面電阻率測定用試驗片。 使用該表面電阻率測定用試驗片，依據JIS K6911 (2006)，藉以下測定條件測定黏著劑層12之表面電阻率。 -測定條件- ・裝置：DIGITAL ELECTROMETER(ADVANTEST公司製) ・測定環境：23℃及50%RH ・測定電壓：100V ・電壓施加時間：1min [高溫加熱後之黏著劑層之帶電壓] 所謂黏著劑層12之帶電壓係指自黏著劑層12之表面側(圖1之情況，係自第一黏著面12a側)測定之值。 基於更展現本實施形態效果之觀點，黏著薄片10於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著薄片10的黏著劑層12之帶電壓較好未達0.1kV，更好未達0.07kV，又更好未達0.05kV。 黏著劑層12之帶電壓的下限值並未特別限定，較好為0.001kV以上。 作為用以獲得黏著劑層12之帶電壓未達0.1kV之黏著薄片10之達成手段並未特別限定，但舉例為例如前述之方法1至方法4。 黏著劑層12之帶電壓可如以下般測定。 與黏著劑層12之表面電阻率之測定方法同樣，獲得試驗片及帶電壓測定用試驗片。 但，以切割器等將附剝離膜之黏著薄片之一部分或黏著薄片之一部分切割時之大小設為40mm×40mm。 使用帶電壓測定用試驗片，依據JIS L1094(2014)，藉以下測定條件測定黏著劑層12之帶電壓。 -測定條件- ・裝置：STATIC HONESTMETER H-0110(SHISHIDO靜電公司製) ・測定環境：23℃及50%RH ・施加電壓：10kV ・電壓施加時間：1min [高溫加熱後之黏著劑層對銅箔及聚醯亞胺膜之黏著力] ＜對銅箔之黏著力＞ 基於更展現本實施形態效果之觀點，黏著薄片10在100℃及30分鐘之條件下加熱，接著在180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及60分鐘之條件下加熱，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層12對銅箔之黏著力，較好為0.50N/25mm以上3.00N/ 25mm以下，更好為1.00N/25mm以上2.50N/25mm以下，又更好為1.50N/25mm以上2.00N/25mm以下。 黏著劑層12對銅箔之黏著力為0.50N/25mm以上時，因加熱使基材11或被黏著體變形時可防止黏著薄片10自被黏著體剝離。 黏著劑層12對銅箔之黏著力為3.00N/25mm以下時，剝離力不會過高，容易自被接著體剝離黏著薄片10。 作為用以獲得黏著劑層12對銅箔之黏著力為上述範圍之黏著薄片10之達成手段並未特別限定，但例如舉例為前述方法1至方法4。 黏著劑層12對銅箔之黏著力係如以下般測定。 於黏著薄片設置剝離膜時，以切割器等將該附剝離膜之黏著薄片之一部分切割成25mm×25mm的大小。其次，自切出之附剝離膜之黏著薄片剝離掉剝離膜，依據JIS Z 0237：2009將黏著薄片之黏著劑層貼附於銅箔(150mm×100mm，厚0.08mm，JIS H3100：2010 C1220R-H(延伸銅箔))。將其設為銅箔用試驗片。 又，於黏著薄片未設置剝離膜時，使用黏著薄片與上述同樣方法獲得銅箔用試驗片。 其次，將銅箔用試驗片導入環境式電爐(SKM-系列SKM-3035F，本山公司製)，於100℃及30分鐘之條件下加熱，接著於180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及1小時之條件下加熱。隨後，自爐內取出試驗片，放冷至常溫(25℃)，放冷後，於23℃及50%RH之環境下放置24小時。 使用該放置24小時後之銅箔用試驗片，藉以下測定條件測定黏著劑層12對銅箔之黏著力。 -測定條件- ・裝置：拉伸試驗機(島津製作所公司製，Autograph AG-IS500N) ・剝離角度：180度 ・剝離速度：300mm/min ・測定環境：23℃及50%RH ＜對聚醯亞胺膜之黏著力＞ 基於更展現本實施形態效果之觀點，黏著薄片10在100℃及30分鐘之條件下加熱，接著在180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及60分鐘之條件下加熱，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層12對聚醯亞胺之黏著力，較好為0.50N/25mm以上2.00N/ 25mm以下，更好為0.70N/25mm以上1.80N/25mm以下，又更好為1.00N/25mm以上1.50N/25mm以下。 黏著劑層12對聚醯亞胺之黏著力為0.05N/25mm以上時，可防止於因加熱使被黏著體變形時黏著薄片10自被黏著體剝離。 黏著劑層12對聚醯亞胺之黏著力為2.00N/25mm以下時，剝離力不會過高，容易自被接著體剝離黏著薄片10。 作為用以獲得黏著劑層12對聚醯亞胺之黏著力為上述範圍之黏著薄片10之達成手段並未特別限定，但例如舉例為前述方法1至方法4以及調整後述之黏著劑成分種類及含有率之方法等。 黏著劑層12對聚醯亞胺之黏著力係如以下般測定。 於不鏽鋼板以雙面膠帶貼附聚醯亞胺膜(150mm×70mm，厚50μm，東麗杜邦公司製，Kapton 200H)，將其設為被黏著體A。 於前述對於銅箔之黏著力之測定方法中，替代將黏著薄片10之黏著劑層12貼附於銅箔，而改貼附於被黏著體A之聚醯亞胺膜以外，以與黏著劑層12對於銅箔之黏著力之測定方法同樣的方法，測定黏著劑層12對聚醯亞胺膜之黏著力。 其次，針對本實施形態之黏著薄片10的構成加以說明。以下省略符號之記載。 ＜基材＞ 基材係支撐黏著劑層之構件。 作為基材可使用例如合成樹脂膜等之薄片材料等。作為合成樹脂膜舉例為例如聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜及聚醯亞胺膜等。此外，作為基材，亦可舉例為該等之交聯膜及層合膜等。 基材較好包含聚酯系樹脂，更好自以聚酯系樹脂為主成分之材料所成。本說明書中，所謂以聚酯系樹脂為主成分之材料意指構成基材之全體質量所佔聚酯系樹脂之質量比例為50質量%以上。 作為聚酯系樹脂較好為自例如聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚對苯二甲酸丁二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸丁二酯樹脂及該等樹脂之共聚合樹脂所成之群選出之任一種樹脂，更好為聚對苯二甲酸乙二酯樹脂。 作為基材11較好為聚對苯二甲酸乙二酯膜或聚萘二甲酸乙二酯膜，更好為聚對苯二甲酸乙二酯膜。作為聚酯膜中含有之寡聚物係源自聚酯形成性單體、二聚物及三聚物等。 本實施形態之黏著薄片中，基於加工性良好之觀點，基材之100℃下的儲存彈性模數較好為1×107 Pa以上。 基材之100℃下的儲存彈性模數之下限，基於加工時之尺寸安定性之觀點，較好為1×107 Pa以上，更好為1×108 Pa以上。基材之100℃下的儲存彈性模數之上限，基於加工適性之觀點，較好為1×1012 Pa以下。又，本說明書中，儲存彈性模數係使用動態黏彈性測定裝置，藉由扭轉剪切法於頻率1Hz測定之值。將測定之基材切斷為寬5mm，長20mm，使用黏彈性測定機器(TI Instrument公司製，DMAQ800)，藉由頻率1Hz、拉伸模式，測定100℃下的儲存彈性模數。 為了提高與第一基材面上形成之層(本實施形態為黏著劑層)之密著性，亦可對基材之第一基材面施以底塗處理、電暈處理及電漿處理等之至少任一表面處理。且，於第一基材面上經由例如中間層形成黏著劑層時，為了提高與中間層之密著性，亦可對第一基材面塗佈黏著劑施以黏著處理。作為該黏著處理所用之黏著劑舉例為例如丙烯酸系、橡膠系、矽氧系及胺基甲酸酯系等之黏著劑。 基於更展現本實施形態之效果之觀點，於基材之黏著劑層側之表面(圖1之情況，為第一基材面11a)較好具有導電性。基材亦可不僅其表面，而是基材全體具有導電性。藉此，認為可提高高溫加熱後之黏著劑層表面(圖1時，為第一黏著面12a)之抗靜電性能。 於基材之黏著劑層側之表面(以下亦稱為基材表面)具有導電性時，基於更展現本實施形態之效果之觀點，黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之基材表面之表面電阻率較好為10-7 Ω/□以上107 Ω/□以下，更好為10-7 Ω/□以上105 Ω/□以下，又更好為10-7 Ω/□以上104 Ω/□以下。 所謂基材之表面電阻率係指自基材之黏著劑層側之表面側(圖1之情況，為自第一基材面11a)測定之值。測定方法與前述黏著劑層之表面電阻率之測定方法相同。 作為測定用試驗片係使用自黏著薄片去除層合於基材上之層使基材表面露出者。 作為對基材表面賦予導電性之方法並未特別限定，但可舉例為例如於構成基材之材料中預先分散或混練有導電性材料(例如後述之抗靜電劑等)製作基材之方法、於基材表面塗佈導電性材料之方法、於基材表面形成由金屬或合金所成的層之方法等。作為於基材表面形成由金屬或合金所成的層之方法，可舉例為無電解鍍敷法、電解鍍敷法、蒸鍍法、濺鍍法等。 於基材表面不具有導電性時，基材之表面電阻率較好為104 Ω/□以上1016 Ω/□以下，更好為107 Ω/□以上1016 Ω/□以下，又更好為108 Ω/□以上1016 Ω/□以下。 基材之厚度較好為10μm以上300μm以下，更好為15μm以上200μm以下，又更好為20μm以上100μm以下。 ＜黏著劑層＞ 黏著劑層係由包含抗靜電劑之黏著劑組成物(以下簡稱為「黏著劑組成物」)形成之層。 (抗靜電劑) 作為黏著劑組成物中含有之抗靜電劑舉例為例如碳材料、離子性材料、金屬微粒子、金屬氧化物、金屬填料及界面活性劑。 基於更展現本實施形態之效果之觀點，抗靜電劑較好包含選自碳材料及離子性材料所成之群之至少1種。 ・碳材料 作為碳材料舉例為例如碳奈米管、碳奈米纖維、石墨烯、碳黑、磨碎碳纖維及石磨等。該等材料亦可使用市售品。 碳奈米管及石墨烯可為單層，亦可為多層。 作為碳黑舉例為例如科琴黑、爐黑及乙炔黑等。 該等碳材料可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 碳材料較好為選自碳奈米管、石墨烯及碳黑所成之群中之至少1種。 本實施形態之黏著薄片具有導電層(後述第二實施形態、第三實施形態、及第五實施形態之情況)或基材表面具有導電性時，碳材料之含量雖依據碳材料種類而定，但相對於黏著劑層全體，較好為1.0質量%以上且未達15.0質量%，更好為1.5質量%以上且未達13.0質量%，又更好為2.0質量%以上且未達10.0質量%。 碳材料之含量為1.0質量%以上時，容易展現抗靜電性能。 碳材料之含量未達15.0質量%時，容易抑制碳材料之凝集及分散不良發生。又，碳材料含量未達15質量%時，由於抑制黏著劑組成物之高黏度化，故容易獲得平滑塗佈面。 本實施形態之黏著薄片不具有導電層(第一實施形態及後述第四實施形態之情況)或基材表面不具有導電性時，碳材料之含量雖依據碳材料種類而定，但相對於黏著劑層全體，較好為2.5質量%以上且未達15.0質量%，更好為3.0質量%以上且未達13.0質量%，又更好為5.0質量%以上且未達10.0質量%。 碳材料之含量為2.5質量%以上時，容易展現抗靜電性能。 碳材料之含量未達15.0質量%時，容易抑制碳材料之凝集及分散不良發生。又，碳材料含量未達15質量%時，由於抑制黏著劑組成物之高黏度化，故容易獲得平滑塗佈面。 ・離子性材料 離子性材料較好為自離子性液體及離子聚合物所成之群中選擇之至少1種。 ・離子性液體 離子液體係由陽離子及陰離子構成之鹽。 作為離子性液體之陽離子，較好為非金屬離子，舉例為例如咪唑鎓系陽離子、吡啶鎓系陽離子、吡咯鎓系陽離子、4級銨系陽離子及4級鏻陽離子等。 作為離子性液體之陰離子，舉例為例如以下述通式(1)表示之陰離子、CF3 CO2 - 、CF3 (CF2 )3 SO3 - 、CF3 SO3 - 、(CF3 SO2 )3 C- 、CF3 (CF2 )2 CO2 - 、BF3 (CF3 )- 、BF3 (C2 F5 )- 、BF3 (C3 F7 )- 、BF2 (CF3 )2 - 、BF2 (CF3 )(C2 F5 )- 、PF5 (CF3 )- 、PF5 (C2 F5 )- 、PF5 (C3 F7 )- 、PF4 (CF3 )2 - 、PF4 (CF3 )(C2 F5 )- 、PF3 (CF3 )3 - 、B(C2 O4 )2 - 、CH3 CH2 OSO3 - 、CH3 CO2 - 等。 該等中，較好係凡德爾半徑為0.260nm以上之陰離子，更好為0.280nm之陰離子，又更好為0.300nm之陰離子。 若為凡德爾半徑係0.260nm以上之陰離子，則難以引起離子性液體之結晶化，離子性液體於常溫下容易以液體存在。亦即，離子性液體容易解離。包含此等陰離子之黏著劑層即使高溫加熱，黏著劑層亦不易劣化。其結果，更容易展現本實施形態之效果。 離子性液體較好包含陽離子與下述通式(1)表示之陰離子(以下亦稱為「特定醯亞胺陰離子」)。 離子性液體之陰離子為特定醯亞胺陰離子時，由於凡德爾半徑變大(由於較好為0.260nm以上)，故基於與上述同樣理由，更容易展現本實施形態之效果。 又，本說明書中，所謂凡德爾半徑係指基於下述文獻之值。M.Ue, J. Electrochem. Soc.,141,3336(1994)･M.Ue, A. Murakami, S. Nakamura, J. Electrochem. Soc.,149, A1385(2002)
Figure 02_image003
通式(1)中，R1 及R2 分別獨立為氟原子或碳數1以上8以下之全氟烷基，R1 及R2 可相同或不同。 通式(1)中，R1 及R2 較好分別獨立為碳數1以上8以下之全氟烷基，更好為碳數1以上6以下之全氟烷基，又更好為碳數1以上4以下之全氟烷基。 又，R1 及R2 較好為相同。 離子性液體之含量係根據離子性液體種類而定，但相對於黏著劑層全體，較好為0.01質量%以上10質量%以下，更好為0.05質量%以上8質量%以下，又更好為0.1質量%以上5質量%以下。 離子性液體含量為0.01質量%以上時，容易展現抗靜電性能。 離子性液體含量為10質量%以下時，容易抑制因滲出而汙染被黏著體，且容易確保黏著力。 基於更展現本實施形態之效果之觀點，抗靜電劑較好為離子性液體，或離子性液體與碳材料之混合物。 抗靜電劑為離子性液體與碳材料之混合物時，展現同樣表面電阻率時，由於以比以單體使用一種抗靜電劑時更少的抗靜電劑總含量即可展現特定之抗靜電性能，故可抑制黏著力伴隨黏著劑成分含有率之降低而降低故而較佳。 抗靜電劑為離子性液體與碳材料之混合物時，抗靜電劑之總含量(離子性液體及碳材料之總含量)，相對於黏著劑層全體，較好為0.01質量%以上8質量%以下，更好為0.05質量%以上7質量%以下，又更好為0.1質量%以上6質量%以下。 抗靜電劑為離子性液體與碳材料之混合物時，離子性液體之含量Iw與碳材料之含量Cw的質量比(Iw/Cw)較好為0.01/15以上10/2以下，更好為0.05/13以上8/3以下，又更好為0.10/10以上5/5以下。 前述質量比(Iw/Cw)為0.01/15以上時，離子性液體之比例為適量可抑制帶電壓之上升。藉此，容易抑制黏著薄片剝離時之帶電發生。 前述質量比(Iw/Cw)為10/2以下時，由於可抑制離子性液體之比例變過量，故於黏著薄片剝離時，不易發生源自離子性液體之成分朝被黏著體表面之移行。 ・離子聚合物 作為離子聚合物舉例為例如具有離子性官能基及能量線硬化性基之聚合物。 離子性官能基係包含陽離子性基(以下亦簡稱為「陽離子」)與陰離子性基(以下亦簡稱為「陰離子」)之概念。亦即，離子聚合物係包含陽離子與對於其之陰離子的聚合物，係可藉陽離子與陰離子形成離子鍵之聚合物。 離子聚合物藉由含有離子性官能基，而發揮抗靜電性。 離子聚合物只要於主鏈或側鏈具有陽離子即可，但較好於側鏈具有陽離子。 ・離子性官能基(陽離子、陰離子) 作為離子聚合物所含之陽離子舉例為例如4級銨陽離子、鏻陽離子、鋶陽離子、氧鎓陽離子、重氮鎓陽離子、氯鎓陽離子、錪陽離子及吡啶鎓陽離子等。該等陽離子可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 該等中，作為陽離子，特佳為抗靜電性能優異之4級銨陽離子。 此處，所謂4級銨陽離子意指氮之鎓陽離子，包含如咪唑鎓、吡啶鎓之雜環鎓離子。作為4級銨陽離子舉例為烷基銨陽離子(此處所稱之「烷基」除碳原子數1~30之烴基以外，亦包含經羥基烷基及烷氧基烷基取代者)；吡咯烷鎓陽離子、吡咯鎓陽離子、咪唑鎓陽離子、吡唑鎓陽離子、吡啶鎓陽離子、哌啶鎓陽離子、哌嗪鎓陽離子等之雜單環陽離子；吲哚鎓陽離子、苯并咪唑鎓陽離子、咔唑鎓陽子、喹啉鎓陽離子等之縮合雜環陽離子；等。任一者均包含於氮原子及/或環上鍵結有碳原子數1~30(例如碳原子數1~10)之烴基、羥基烷基或烷氧基烷基者。本說明書中，使用「~」表示之數值範圍意指包含以「~」之前記載之數值作為下限值，以「~」之後記載之數值作為上限值之範圍。 作為離子聚合物中所含之上述陰離子除了具有鹵原子之陰離子以外，又舉例有羧酸、磺酸、磷酸等之含氧酸之衍生物(例如硫酸氫、甲烷磺酸酯、乙基硫酸酯、二甲基磷酸酯、2-(2-甲氧基乙氧基)乙基硫酸酯、雙氰胺等)等，但其中較好為具有鹵原子之陰離子。具體而言，可較好地例示(FSO2 )2 N- (雙{(氟)磺醯基}醯亞胺陰離子)、(CF3 SO2 )2 N- (雙{(三氟甲基)磺醯基}醯亞胺陰離子)、(C2 F5 SO2 )2 N- (雙{(五氟乙基)磺醯基}醯亞胺陰離子)、CF3 SO2 -N-COCF3 - 、R-SO2 -N-SO2 CF3 - (R為脂肪族基)、ArSO2 -N-SO2 CF3 - (Ar為芳香族基)等之具有氮原子之陰離子；Cn F2n+1 CO2 - (n為1~4之整數)、(CF3 SO2 )3 C- 、Cn F2n+1 SO3 - (n為1~4之整數)、BF4 - 、PF6 - 等之具有氟原子作為鹵原子之陰離子。該等中，特佳為雙{(氟)磺醯基}醯亞胺陰離子、雙{(三氟甲基)磺醯基}醯亞胺陰離子、雙{(五氟乙基)磺醯基}醯亞胺陰離子、2,2,2-三氟-N-{(三氟甲基)磺醯基}乙醯亞胺陰離子、四氟硼酸根陰離子及六氟磷酸根陰離子。 該等陰離子可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。 ・能量線硬化性基 離子聚合物因於側鏈具有能量線硬化性基，故而對於黏著劑層照射能量線時，離子聚合物彼此或離子聚合物與後述黏著劑組成物中之黏著劑反應並交聯。因此，可抑制離子聚合物自黏著劑層之滲出，並且於自被黏著體剝離黏著薄片時難以發生黏著劑之殘渣物(顆粒)，可抑制被黏著體之汙染。 能量線硬化性基係包含例如能量線硬化性之碳-碳雙鍵的基。具體而言，舉例為(甲基)丙烯醯基及乙烯基等，其中較好為(甲基)丙烯醯基，特佳為甲基丙烯醯基。 離子聚合物之每單位質量的能量線硬化性基之含量較好為5×10-5 ~2×10-3 莫耳/g，特佳為1×10-4 ~1.5×10-3 莫耳/g，又較好為3×10-4 ~1×10-3 莫耳/g。 離子聚合物可藉由例如使具有離子性官能基之聚合性單體(較好為具有4級銨陽離子之聚合性單體)與具有反應性官能基之聚合性單體，以及根據需要之具有醚鍵之聚合性單體及其他聚合性單體(較好為丙烯酸系聚合性單體)共聚合後，與含有與前述反應性官能基反應之取代基及能量線硬化性基之含硬化性基化合物(以下亦稱為「能量線硬化性化合物」)反應而得。 「具有4級銨陽離子之聚合性單體」較好為由具有聚合性基之4級銨陽離子及對於其之陰離子而構成。 作為聚合性基舉例為例如(甲基)丙烯醯基、乙烯基、烯丙基等之碳-碳不飽和基、環氧基、氧雜環丁基等之環狀醚類、四氫噻吩等之環狀硫醚類及異氰酸酯基等，其中較好為(甲基)丙烯醯基及乙烯基。 離子聚合物全體質量中所佔之源自「具有4級銨陽離子之聚合性單體」之構造部分的質量比例較好為20質量%以上80質量%以下，更好為25質量%以上75質量%以下，又更好為35質量%以上60質量%以下。 源自「具有4級銨陽離子之聚合性單體」之構造部分的質量比例若為20質量%以上，則離子聚合物發揮充分之抗靜電性。 源自「具有4級銨陽離子之聚合性單體」之構造部分的質量比例若為80質量%以下，則可將源自其他單體之構造部分的質量比例控制於較佳範圍。 作為「具有反應性官能基之聚合性單體」除了(甲基)丙烯酸以外，舉例為具有羧基、羥基、胺基、取代胺基、環氧基等之官能基之(甲基)丙烯酸酯單體，其中較好為(甲基)丙烯酸。 離子聚合物全體質量中所佔之源自「具有反應性官能基之聚合性單體」之構造部分的質量比例較好為1質量%以上35質量%以下，更好為3質量%以上20質量%以下，又更好為3質量%以上10質量%以下。 源自「具有反應性官能基之聚合性單體」之構造部分的質量比例若為上述範圍內，則可將能量線硬化性化合物具有之能量線硬化性基對於離子聚合物之導入量控制於較佳範圍。 又，離子聚合物亦較好於側鏈具有含有醚鍵之構成單位。該情況下，使用「具有醚鍵之聚合性單體」作為離子聚合物之原料。作為「具有醚鍵之聚合性單體」，舉例為例如具有醚鍵之(甲基)丙烯酸酯。 離子聚合物全體質量中所佔之源自「具有醚鍵之聚合性單體」之構造部分的質量比例較好為5質量%以上70質量%以下，特佳為10質量%以上50質量%以下，又更好為15質量%以上40質量%以下。 源自「具有醚鍵之聚合性單體」之構造部分的質量比例若為上述範圍內，則更容易獲得黏著劑層之抗靜電性能提高效果。 作為「其他聚合性單體」較好為丙烯酸系之聚合性單體。 作為「其他聚合性單體」較好舉例為(甲基)丙烯酸酯。作為(甲基)丙烯酸酯舉例為(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等之具有鏈狀骨架之(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸環己酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸二環戊酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、醯亞胺丙烯酸酯等之具有環狀骨架之(甲基)丙烯酸酯等。又，(甲基)丙烯酸酯為(甲基)丙烯酸烷酯時，其烷基之碳數較好為1~18之範圍。 作為「能量線硬化性化合物」之例若為具有能量線硬化性基則未特別限制，但基於廣泛利用性之觀點，較好為低分子量化合物(單官能、多官能之單體及寡聚物)。作為低分子量之能量線硬化性化合物(A2)之具體例舉例為三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯或1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、二環戊二烯二甲氧基二(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯等之含環狀脂肪族骨架之(甲基)丙烯酸酯、寡聚酯(甲基)丙烯酸酯、胺基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物、環氧改質(甲基)丙烯酸酯等之丙烯酸酯系化合物。 「能量線硬化性化合物」與「具有反應性官能基之聚合性單體」較好以莫耳當量成為等量程度之方式反應。 離子聚合物之重量平均分子量，基於更展現本實施形態之效果之觀點，較好為500~20萬，特佳為800~10萬，又更好為800~5萬。 又，離子聚合物之重量平均分子量係藉由凝膠滲透層析(GPC)法，藉以下測定條件測定之標準聚甲基丙烯酸甲酯換算之值。 -測定條件- ・管柱：Shodex HFIP-LG、HFIP-806M(2根)依序聯結者。 ・溶劑：六氟異丙醇(添加5mM三氟乙酸鈉) ・測定溫度：40℃ ・流速：0.5ml/min ・檢測器：示差折射計 ・標準試料：聚甲基丙烯酸甲酯 離子聚合物之含量係隨離子聚合物所含之離子性官能基種類而定，但相對於黏著劑層全體，較好為0.01質量%以上20質量%以下，更好為0.05質量%以上18質量%以下，又更好為0.10質量%以上15質量%以下。 離子聚合物之含量若為0.01質量%以上，則容易展現抗靜電性能。 離子聚合物之含量若為20質量%以下，則由於能量線照射前之黏著劑層之凝集力維持為較高，故容易抑制黏著薄片剝離時對被黏著體面之殘糊。 ・金屬微粒子、金屬氧化物、金屬填料及界面活性劑 作為金屬微粒子及金屬填料舉例為例如鋁、銅、鈦、鐵及鎳等。 作為金屬氧化物舉例為ITO(氧化銦錫)、ZnO(氧化鋅)、IZO(氧化鋅銦)、AZO(氧化鋅鋁)、GZO(氧化鋅鎵)、IGZO(氧化銦鎵鋅)及ATO(氧化錫銻)等。 作為界面活性劑可使用習知者。 (黏著劑組成物) 作為包含抗靜電劑之黏著劑組成物中所含之黏著劑並未特別限定，於黏著劑層可應用各種類之黏著劑。作為黏著劑層12中所含之黏著劑舉例為例如橡膠系、丙烯酸系、矽氧系、聚酯系及胺基甲酸酯系。又，黏著劑之種類係考慮用途及被黏著之被黏著體種類等而選擇。黏著劑層12較好含有丙烯酸系黏著劑組成物或矽氧系黏著劑組成物。 ・丙烯酸系黏著劑組成物 丙烯酸系黏著劑組成物較好包含以烷基之碳數為4以上12以下之(甲基)丙烯酸烷酯(以下亦稱為「特定(甲基)丙烯酸烷酯」)為主要單體之丙烯酸系共聚物。 本說明書中，「(甲基)丙烯酸」係表示「丙烯酸」及「甲基丙烯酸」兩者之情況所用之表述，關於其他類似用語亦相同。 本說明書中，所謂以「特定(甲基)丙烯酸烷酯」為主要單體意指丙烯酸系共聚物之質量所佔之源自特定(甲基)丙烯酸烷酯之共聚物成分的質量比例為50質量%以上。 特定(甲基)丙烯酸烷酯中烷基之碳數較好為4以上12以下，更好為4以上10以下，又更好為4以上8以下。 特定(甲基)丙烯酸烷酯中之烷基可為直鏈狀、分支狀及環狀之任一者，但較好為分支狀。 特定(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用，亦可組合2種以上使用，但主要單體較好單獨使用。 特定(甲基)丙烯酸烷酯較好為丙烯酸2-乙基己酯。亦即，丙烯酸系黏著劑組成物較好包含以丙烯酸2-乙基己酯為主要單體之丙烯酸系共聚物。 本實施形態中，丙烯酸系共聚物中之源自特定(甲基)丙烯酸烷酯(較好為丙烯酸2-乙基己酯)之共聚物成分的比例較好為50質量%以上95質量%以下，更好為60質量%以上95質量%以下，又更好為80質量%以上95質量%以下，再更好為85質量%以上93質量%以下。 源自特定(甲基)丙烯酸烷酯(較好為丙烯酸2-乙基己酯)之共聚物成分的比例若為50質量%以上，則加熱後黏著力不會過高，更容易自被黏著體剝離黏著薄片，若為80質量%以上則進而容易剝離。源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例若為95質量%以下，則可防止初期密著力不足、加熱時基材變形、因該變形而黏著薄片自被黏著體剝離。 又，黏著劑層包含丙烯酸系黏著劑組成物時，較好包含抗靜電劑、丙烯酸系共聚物及黏著助劑。丙烯酸系共聚物較好為以特定(甲基)丙烯酸烷酯(較好為丙烯酸2-乙基己酯)為主要單體之共聚物。黏著助劑較好包含具有反應性基之橡膠系材料作為主成分。 丙烯酸系共聚物中之特定(甲基)丙烯酸烷酯(較好為丙烯酸2-乙基己酯)以外之共聚物成分之種類及數量並未特別限定。例如作為第二共聚物成分，較好為具有反應性官能基之含官能基單體。作為第二共聚物成分之反應性官能基，於使用後述之交聯劑時，較好為可與該交聯劑反應之官能基。該反應性官能基較好為選自羧基、羥基、胺基、取代胺基及環氧基所成之群中之至少任一取代基，更好為羧基及羥基之至少任一取代基，又更好為羧基。 作為具有羧基之單體(含羧基單體)，舉例為例如丙烯酸、甲基丙烯酸、巴豆酸、馬來酸、依康酸及檸康酸等之乙烯性不飽和羧酸。含羧基單體中，基於反應性及共聚合性之觀點，較好為丙烯酸。含羧基單體可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 作為具有羥基之單體(含羥基單體)舉例為例如(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羥基丁酯及(甲基)丙烯酸4-羥基丁酯等之(甲基)丙烯酸羥基烷酯等。含羥基單體中，基於羥基之反應性及共聚合性之觀點，較好為(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯。含羥基單體可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 作為具有環氧基之丙烯酸酯舉例為例如丙烯酸縮水甘油酯及甲基丙烯酸縮水甘油酯等。 丙烯酸系共聚物中之主要單體為1種特定(甲基)丙烯酸烷酯(較好為丙烯酸2-乙基己酯)時，作為該主要單體以外之其他共聚合物成分舉例為烷基之碳數為2以上20以下之(甲基)丙烯酸烷酯。作為(甲基)丙烯酸烷酯舉例為例如(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正-十二烷酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕櫚酯及(甲基)丙烯酸硬脂酯等。該等(甲基)丙烯酸烷酯中，基於更提高黏著性之觀點，較好為烷基之碳數為2以上4以下之(甲基)丙烯酸酯，更好為(甲基)丙烯酸正丁酯。(甲基)丙烯酸烷酯可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 作為丙烯酸系共聚物中之其他共聚合物成分，舉例為例如源自由含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯、具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯、具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯、非交聯性丙烯醯胺、具有非交聯性之3級胺基之(甲基)丙烯酸酯、乙酸乙烯酯及苯乙烯所成之群中選擇之至少任一單體之共聚物成分。 作為含烷氧基烷基之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯及(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯。 作為具有脂肪族環之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸環己酯。 作為具有芳香族環之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸苯酯。 作為非交聯性丙烯醯胺舉例為例如丙烯醯胺及甲基丙烯醯胺。 作為具有非交聯性之3級胺基之(甲基)丙烯酸酯舉例為例如(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)乙酯、(甲基)丙烯酸(N,N-二甲基胺基)丙酯。 作為丙烯酸系共聚物中之其他共聚合物成分，基於提高黏著劑極性、提高密著性及黏著力之觀點，亦較好為源自具有含氮原子之環的單體之共聚物成分。 作為具有含氮原子之環的單體舉例為N-乙烯基-2-吡咯啶酮、N-甲基乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基哌嗪、N-乙烯基吡嗪、N-乙烯基吡咯、N-乙烯基咪唑、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺及N-(甲基)丙烯醯基嗎啉等。作為具有含氮原子之環的單體較好為N-(甲基)丙烯醯基嗎啉。 該等單體可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 本實施形態中，作為第二共聚物成分，較好為含羧基單體或含羥基單體，更好為丙烯酸。丙烯酸系共聚物包含源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分及源自丙烯酸之共聚物成分時，丙烯酸系共聚物全體之質量中所佔之源自丙烯酸之共聚物成分之質量比例較好為1質量%以下，更好為0.1質量%以上0.5質量%以下。丙烯酸之比例若為1質量%以下，則可防止黏著劑組成物中包含交聯劑時之丙烯酸系共聚物之交聯過早進行。 丙烯酸系共聚物亦可含有2種以上之源自含官能基單體之共聚物成分。例如丙烯酸系共聚物可為三元系共聚物。丙烯酸系共聚物為三元共聚物時，較好為使丙烯酸2-乙基己酯、含羧基單體及含羥基單體共聚合而得之丙烯酸系共聚物，該含羧基單體較好為丙烯酸，含羥基單體較好為丙烯酸2-羥基乙酯。較好丙烯酸系共聚物中之源自丙烯酸2-乙基己酯之共聚物成分的比例為80質量%以上95質量%以下，源自丙烯酸之共聚物成分的質量比例為1質量%以下，其餘部分為源自丙烯酸2-羥基乙酯之共聚物成分。 丙烯酸系共聚物之重量平均分子量(Mw)較好為30萬以上200萬以下，更好為60萬以上150萬以下，又更好為80萬以上120萬以下。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為30萬以上，則可對被黏著體無黏著劑殘渣地剝離。丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw若為200萬以下，則可對被黏著體確實貼附。 丙烯酸系共聚物之重量平均分子量Mw係藉凝膠滲透層析(Gel Permeation Chromatography；GPC)法測定之標準聚苯乙烯換算值。 丙烯酸系共聚物可使用前述各種原料單體，依據以往習知方法製造。 丙烯酸系共聚物之共聚合形態並未特別限制，可為嵌段共聚物、無規共聚物或接枝共聚物之任一者。 本實施形態中，黏著劑組成物中之丙烯酸系共聚物之含有率較好為40質量%以上90質量%以下，更好為50質量%以上90質量%以下。 黏著助劑較好包含以具有反應性基之橡膠系材料作為主成分。黏著劑組成物含有反應性黏著助劑時，可減少殘糊。黏著劑組成物中之黏著助劑含有率較好為3質量%以上50質量%以下，更好為5質量%以上30質量%以下。黏著劑組成物中之黏著助劑含有率若為3質量%以上，則可抑制殘糊發生，若為50質量%以下，則可抑制黏著力降低。 本說明書中，包含以具有反應性基之橡膠系材料為主成分意指黏著助劑全體之質量所佔之具有反應性基之橡膠系材料之質量比例超過50質量%。本實施形態中，黏著助劑中具有反應性基之橡膠系材料之比例較好超過50質量%，更好為80質量%以上。黏著助劑亦較好實質上由具有反應性基之橡膠系材料所成。 作為反應性基較好為由羥基、異氰酸酯基、胺基、氧矽烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群中選擇之一種以上的官能基，更好為羥基。橡膠系材料具有之反應性基可為1種，亦可為2種以上。具有羥基之橡膠系材料亦可進而具有前述反應性基。又，反應性基數於構成橡膠系材料之1分子中可為1個亦可為2個以上。 作為橡膠系材料並未特別限定，但較好為聚丁二烯系樹脂及聚丁二烯系樹脂之氫化物，更好為聚丁二烯系樹脂之氫化物。 作為聚丁二烯系樹脂舉例為具有1,4-重複單位之樹脂、具有1,2-重複單位之樹脂、及具有1,4-重複單位及1,2-重複單位兩者之樹脂。本實施形態之聚丁二烯系樹脂之氫化物亦包含具有該等重複單位之樹脂的氫化物。 聚丁二烯系樹脂及聚丁二烯系樹脂之氫化物較好為兩末端各具有反應性基。兩末端之反應性基可為相同亦可不同。兩末端之反應性基較好為自羥基、異氰酸酯基、胺基、氧矽烷基、酸酐基、烷氧基、丙烯醯基及甲基丙烯醯基所成之群選擇之一種以上之官能基，更好為羥基。聚丁二烯系樹脂及聚丁二烯系樹脂之氫化物中，更好兩末端為羥基。 本實施形態之黏著劑組成物除了前述丙烯酸系共聚物及黏著助劑以外，較好進而包含使調配有交聯劑之組成物交聯所得之交聯物。又，黏著劑組成物之固形分亦較好實質上由前述丙烯酸系聚合物、黏著助劑與交聯劑交聯所得之交聯物所成。此處，所謂實質上，意指除不可避免混入於黏著劑中之微量雜質以外，黏著劑組成物之固形分僅由該交聯物所成。 本實施形態中，作為交聯劑舉例為例如異氰酸酯系交聯劑、環氧系交聯劑、氮丙啶系交聯劑、金屬螯合劑系交聯劑、胺系交聯劑胺基樹脂系交聯劑。該等交聯劑可單獨使用，亦可組合2種以上使用。 本實施形態中，基於提高黏著劑組成物之耐熱性及黏著力之觀點，該等交聯劑中，較好為含有具有異氰酸酯基之化合物作為主成分之交聯劑(異氰酸酯系交聯劑)。作為異氰酸酯系交聯劑，舉例為例如2,4-甲苯二異氰酸酯、2,6-甲苯二異氰酸酯、1,3-二甲苯二異氰酸酯、1,4-二甲苯二異氰酸酯、二苯基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二苯基甲烷-2,4’-二異氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二異氰酸酯、六亞甲基二異氰酸酯、異佛酮二異氰酸酯、二環己基甲烷-4,4’-二異氰酸酯、二環己基甲烷-2,4’-二異氰酸酯及離胺酸異氰酸酯等之多元異氰酸酯化合物。 且，多元異氰酸酯化合物亦可為三羥甲基丙烷加成物型改質體、與水反應之縮脲型改質體或具有異氰脲酸酯環之異氰脲酸酯型改質體。 本說明書中，所謂以具有異氰酸酯基之化合物作為主成分之交聯劑，意指於構成交聯劑之成分全體之質量所佔之具有異氰酸酯基之化合物的質量比例為50質量%以上。 本實施形態中，黏著劑組成物中之交聯劑含量，相對於丙烯酸系共聚物100質量份，較好為0.1質量份以上20質量份以下，更好為1質量份以上15質量份以下，又更好為5質量份以上10質量份以下。黏著劑組成物中之交聯劑含量若為此等範圍內，則可提高包含黏著劑組成物之層(黏著劑層)與被黏著體(例如基材)之接著性，可縮短黏著薄片製造後用以使黏著特性安定化之養生期間。 本實施形態中，基於黏著劑組成物之耐熱性之觀點，異氰酸酯系交聯劑進而較好為具有異氰脲酸酯環之化合物(異氰脲酸酯型改質體)。具有異氰脲酸酯環之化合物相對於丙烯酸系共聚物之羥基當量較好調配0.7當量以上1.5當量以下。具有異氰脲酸酯環之化合物調配量若為0.7當量以上，則加熱後黏著力不會過高，黏著薄片10容易剝離，可減少殘糊。具有異氰脲酸酯環之化合物之調配量若為1.5當量以下，可防止初期黏著力過低，可防止貼附性之降低。 本實施形態之黏著劑組成物含有交聯劑時，黏著劑組成物較好進而含有交聯促進劑。交聯促進劑可對應於交聯劑種類，適當選擇使用。例如，黏著劑組成物含有聚異氰酸酯化合物作為交聯劑時，較好進而包含有機錫化合物等之有機金屬化合物系之交聯促進劑。 ・矽氧系黏著劑組成物 黏著劑層包含矽氧系黏著劑組成物時，矽氧系黏著劑組成物較好包含加成聚合型矽氧樹脂。本說明書中，包含加成聚合型矽氧樹脂之矽氧系黏著劑組成物稱為加成反應型矽氧系黏著劑組成物。 加成反應型矽氧系黏著劑組成物含有主劑及交聯劑。加成反應型矽氧系黏著劑組成物具有僅於低溫一次硬化即可使用，不需要於高溫之二次硬化的優點。附帶說明，以往之過氧化物硬化型矽氧系黏著劑必須於如150℃以上之高溫之二次硬化。 因此，藉由使用加成反應型矽氧系黏著劑組成物，而可在較低溫製造黏著薄片，能量經濟性優異，且亦可使用耐熱性比較低的基材製造黏著薄片。又，由於不產生如過氧化物硬化型矽氧系黏著劑硬化時之副產物，故亦無臭味及腐蝕等之問題。 加成反應型矽氧系黏著劑組成物通常係由由矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分之混合物所成之主劑、及含氫矽烷基(SiH基)之交聯劑以及根據需要使用之硬化觸媒而成。 矽氧樹脂成分係藉由使有機氯矽烷或有機烷氧基矽烷水解後進行脫水縮合反應而獲得之網狀構造之有機聚矽氧烷。 矽氧橡膠成分係具有直鏈構造之二有機聚矽氧烷。 作為矽氧樹脂成分及矽氧橡膠成分中之有機基，舉例為甲基、乙基、丙基、丁基、苯基等。前述有機基可一部分經如乙烯基、己烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基、辛烯基、(甲基)丙烯醯基、(甲基)丙烯醯基甲基、(甲基)丙烯醯基丙基及環己烯基等之不飽和基取代。較好為工業上容易取得之具有乙烯基之有機基。加成反應型矽氧系黏著劑組成物中，藉由不飽和基與氫矽烷基之加成反應進行交聯而形成網狀構造，而展現黏著性。 如乙烯基之不飽和基之數，相對於有機基100個，通常為0.05個以上3.0個以下，較好為0.1個以上2.5個以下。藉由相對於有機基100個之不飽和基數為0.05個以上，可防止與氫矽烷基之反應性降低而不易硬化，可賦予適當黏著力。藉由相對於有機基100個之不飽和基數為3.0個以下，可防止黏著劑之交聯密度變高而黏著力及凝集力變大對被黏著面造成不良影響。 作為前述之有機聚矽氧烷，具體而言，有信越化學工業股份有限公司製之KS-3703(乙烯基數相對於甲基100個為0.6個者)、東麗道康寧股份有限公司製之BY23-753(乙烯基數相對於甲基100個為0.1個者)及BY24-162(乙烯基數相對於甲基100個為1.4個者)等。又，亦可使用東麗道康寧股份有限公司製之SD4560PSA、SD4570PSA、SD4580PSA、SD4584PSA、SD4585PSA、SD4587L及SD4592PSA等。 如前述，矽氧樹脂成分的有機聚矽氧烷，通常與矽氧橡膠混合使用，作為矽氧橡膠成分有信越化學工業股份有限公司製之KS-3800(乙烯基數相對於甲基100個為7.6個者)、東麗道康寧股份有限公司製之BY24-162(乙烯基數相對於甲基100個為1.4個者)、BY24-843(不具有不飽和基)及SD-7292(乙烯基數相對於甲基100個為5.0個者)等。 如前述之加成聚合型矽氧樹脂之具體例記載於例如日本特開平10-219229號公報中。 交聯劑對於矽氧樹脂成分及矽氧橡膠成分之如乙烯基之不飽和基1個，通常以鍵結於矽原子之氫原子為0.5個以上10個以下，較好1個以上2.5個以下之方式調配。藉由設為0.5個以上，防止如乙烯基之不飽和基與氫矽烷基之反應不完全進行而成為硬化不良。藉由設為10個以下，可防止交聯劑未反應而殘存對被黏著面造成不良影響。 加成反應型聚矽氧系黏著劑組成物亦較好含有前述加成反應型矽氧成分(由矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分所成之主劑)及交聯劑，以及硬化觸媒。 該硬化觸媒係用以促進矽氧樹脂成分及矽氧橡膠成分中之不飽和基與交聯劑中之Si-H基之氫矽烷化反應所使用者。 作為硬化觸媒舉例為鉑系觸媒，亦即氯化鉑酸、氯化鉑酸之醇溶液、氯化鉑酸與醇溶液之反應物、氯化鉑酸與烯烴化合物之反應物、氯化鉑酸與含乙烯基矽氧烷化合物之反應物、鉑-烯烴錯合物、鉑-含乙烯基矽氧烷錯合物、及鉑-磷錯合物等。如前述之硬化觸媒之具體例記載於例如日本特開2006-28311號公報及日本特開平10-147758號公報。 更具體而言，作為市售品舉例為例如東麗道康寧股份有限公司製之SRX-212及信越化學工業股份有限公司製之PL-50T等。 硬化觸媒之調配量，以鉑量計，相對於矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分之合計量，通常為5質量ppm以上2000質量ppm以下，較好為10質量ppm以上500質量ppm以下。藉由設為5質量ppm以上，可防止硬化性降低，交聯密度降低，亦即防止黏著力及凝集力(保持力)降低，藉由設為2000質量ppm以下，可防止成本上升並且可保持黏著劑層之安定性，且可防止過度使用之硬化觸媒對被黏著面造成不良影響。 加成反應型矽氧系黏著劑組成物中，藉由摻合前述各成分而於常溫(25℃)亦可展現黏著力，但較好於基材11或後述之剝離薄片上塗佈加成反應型矽氧系黏著劑組成物，使基材與剝離薄片貼合後，加熱或照射活性能量線，而促進利用交聯劑使矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分之交聯反應，此就黏著力之安定性而言係較佳。 藉加熱促進交聯反應時之加熱溫度通常為60℃以上140℃以下，較好為80℃以上130℃以下。藉由於60℃以上加熱，可防止矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分之交聯不足而使黏著力不充分，藉由於140℃以下加熱，可防止基材產生熱收縮，防止劣化、變色。 照射活性能量線促進交聯反應時，可利用電磁波或帶電粒子束中具有能量量子之活性能量線，亦即紫外線等之活性光或電子束等。照射電子束而交聯時，並不需要光聚合起始劑，但照射紫外線等之活性光而交聯時，較好存在光聚合起始劑。 作為藉由紫外線照射時之光聚合起始劑並未特別限制，可自以往紫外線硬化型樹脂所慣用之光聚合起始劑中，適當選擇任意光聚合起始劑而使用。作為該光聚合起始劑舉例為例如苯偶因類、二苯甲酮類、苯乙酮類、α-羥基酮類、α-胺基酮類、α-二酮類、α-二酮二烷基縮醛類、蒽醌類、噻噸酮類及其他化合物等。 該等光聚合起始劑可單獨使用，亦可組合兩種以上使用。又，其使用量，對於作為主劑使用之前述加成反應型矽氧成分與交聯劑之合計量100質量份，通常於0.01質量份以上30質量份以下，較好於0.05質量份以上20質量份以下之範圍內選定。 藉由加熱或照射活性能量線而交聯，獲得具有安定黏著力之黏著薄片。 照射活性能量線之一的電子束而交聯時之電子束之加速電壓一般為130kV以上300kV以下，較好為150kV以上250kV以下。藉由以130kV以上之加速電壓照射，可防止矽氧樹脂成分與矽氧橡膠成分之交聯不足而使黏著力不充分，藉由以300kV以下之加速電壓照射，可防止黏著劑層12及基材11劣化、變色。電子束電流之較佳範圍為1mA以上100mA以下。 所照射之電子束束量較好為1Mrad以上70Mrad以下，更好為2Mrad以上20Mrad以下。藉由以1Mrad以上之束量照射，可防止黏著劑層及基材劣化、變色，可防止因交聯不足而使黏著力不充分。藉由以70Mrad以下之束量照射，可防止因黏著劑層劣化、變色而使凝集力降低，可防止基材劣化、收縮。 作為紫外線照射時之照射量係適當選擇，但較好光量為100mJ/cm2 以上500mJ/cm2 以下，照度為10mW/cm2 以上500mW/cm2 以下。 加熱及活性能量線之照射，為了防止因氧所致之反應阻礙，較好在氮氣環境下進行。 ・黏著劑層厚度 黏著劑層厚度係對應於黏著薄片之用途適當決定。本實施形態中，黏著劑層厚度較好為5μm以上60μm以下，更好為10μm以上50μm以下。 黏著劑層厚度若為5μm以上，則例如黏著劑層容易追隨半導體晶片之電路面的凹凸。藉此，由於黏著劑層及半導體晶片間不易產生間隙，故可抑制於該間隙中進入例如層間絕緣材及密封樹脂等。其結果，可抑制晶片電路面之配線連接用的電極焊墊被堵塞。 黏著劑層厚度若為60μm以下，則例如可抑制半導體晶片沉入黏著劑層中。藉此，不易產生半導體晶片部分與密封半導體晶片之樹脂部分間之階差，其結果，可抑制再配線時之配線斷線。 ・其他成分 本實施形態中，黏著劑組成物中，在不損及本發明效果之範圍內，亦可含有其他成分。作為黏著劑組成物中可含之其他成分舉例為例如難燃劑、黏著賦予劑、紫外線吸收劑、光安定劑、抗氧化劑、防腐劑、防黴劑、可塑劑、消泡劑、著色劑、填料及濡濕性調整劑等。 加成反應型矽氧系黏著劑組成物中，亦可含有如聚二甲基矽氧烷及聚甲基苯基矽氧烷之非反應性聚有機矽氧烷作為添加劑。 [黏著薄片之製造方法] 作為黏著薄片之製造方法，舉例為例如於基材之第一基材面上塗佈黏著劑組成物形成黏著劑層之方法，於基材之第一基材面上塗佈根據需要用以形成中間層或導電層之組成物(例如寡聚物密封層用組成物、底塗層形成用組成物、導電層形成用組成物等)，形成中間層或導電層後，塗佈黏著劑組成物形成黏著劑層之方法等。 作為製造具有剝離薄片之黏著薄片之方法，舉例為例如於後述之剝離薄片上形成黏著劑層，將該剝離薄片上之黏著劑層與形成於基材上之前述寡聚物密封層或前述導電層貼合之方法。 關於具有剝離薄片之黏著薄片之製造方法之細節將於後述。 塗佈黏著劑組成物形成黏著劑層時，較好以有機溶劑稀釋黏著劑組成物，調製塗佈液而使用。形成中間層及導電層之情況亦相同。 作為調製塗佈液所用之有機溶劑並未特別限定。作為有機溶劑舉例為例如芳香族系溶劑、脂肪族系溶劑、酯系溶劑、酮系溶劑及醇系溶劑。作為芳香族系溶劑舉例為例如苯、甲苯、二甲苯。作為脂肪族系溶劑舉例為例如正己烷及正庚烷。作為酯系溶劑舉例為例如乙酸乙酯及乙酸丁酯。作為酮系溶劑舉例為例如甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮及環庚酮。作為醇系溶劑舉例為例如異丙醇及甲醇。 作為塗佈方法舉例為例如旋轉塗佈法、噴霧塗佈法、棒塗佈法、刮刀塗佈法、輥刀塗佈法、輥塗佈法、刮板塗佈法、模嘴塗佈法及凹版塗佈法等。 為了防止有機溶劑及低沸點成分殘留於黏著劑層、中間層及導電層，將塗佈液塗佈於基材後，較好加熱塗膜而乾燥。 [第二實施形態] 第二實施形態之黏著薄片就於基材與黏著劑層之間具有導電層之方面與第一實施形態之黏著薄片不同。其他方面由於與第一實施形態相同，故省略或簡化說明。 亦即，第二實施形態之黏著薄片係依序具有基材、導電層與黏著劑層之黏著薄片。 ＜導電層＞ 導電層係包含導電材料之層。導電層較好由包含導電材料之樹脂組成物而形成。 作為導電材料並未特別限定，但舉例為例如抗靜電劑之項中例示之材料(碳材料、離子性材料(離子性液體、離子聚合物)、金屬微粒子、金屬氧化物、金屬填料及界面活性劑)、前述具有離子性官能基之化合物以及合金。又，導電材料亦可為導電性高分子。 導電材料為導電性高分子時，導電層係由包含導電性高分子之樹脂組成物(以下亦稱為「導電層形成用組成物」)形成。 導電層形成用組成物中所含之樹脂較好含有自聚酯樹脂、胺基甲酸酯及丙烯酸樹脂所成之群中選擇之至少1種(以下亦稱為「特定樹脂」)作為主成分。 所謂主成分意指導電層形成用組成物中所含之樹脂全體質量中所佔之前述特定樹脂總質量之比例為50質量%以上。 導電層形成用組成物中所含之樹脂可單獨使用1種，亦可組合不同的2種而使用。其中基材由聚酯系材料所成時，基於與基材之密著性之觀點，作為構成導電層之主成分，較好含有聚酯樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂。導電層形成用組成物所含之樹脂為聚酯樹脂單體時，與聚酯系之基材的密著性雖充分，但由於係比較脆的樹脂，故裁斷時容易產生凝集破壞，另一方面，與聚酯系之基材的密著性差。藉由如上述含有共聚合聚酯樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂，而可解決該等問題，可獲得對於聚酯系之基材的密著性優異，並且裁斷時亦難以破壞之樹脂層。又，所謂「含有共聚合聚酯樹脂及聚胺基甲酸酯樹脂」意指以單體含有於一分子包含聚酯構造及聚胺基甲酸酯構造之聚合物。 (導電性高分子) 作為導電性高分子舉例為例如聚噻吩系、聚苯胺系及聚吡咯系之導電性高分子。 作為聚噻吩系之導電性高分子舉例為例如聚噻吩、聚(3-烷基噻吩)、聚(3-噻吩-β-乙烷磺酸)、聚伸烷二氧基噻吩與聚苯乙烯磺酸酯之混合物等。又，作為聚伸烷二氧基噻吩舉例為聚乙二氧基噻吩、聚丙二氧基噻吩、聚(伸乙基/伸丙基)二氧基噻吩等。 作為聚苯胺系之導電性高分子舉例為例如聚苯胺、聚甲基苯胺、聚甲氧基苯胺等。 作為聚吡咯系之導電性高分子舉例為例如聚吡咯、聚3-甲基吡咯、聚3-辛基吡咯等。該等導電性高分子化合物可單獨使用1種，亦可組合使用2種以上。又，該等導電性高分子較好以於水中分散之水溶液形態使用。 導電層中之導電性高分子含量，以固形分換算，較好為0.1質量%以上50質量%以下，更好為0.3質量%以上30質量%以下。 導電性高分子含量若為0.1質量%以上，則容易展現抗靜電性能。 導電性高分子含量若為50質量%以下，則導電層之強度高，不易產生凝集破壞，容易確保黏著劑層之密著性。 導電層厚度為30nm以上290nm以下，較好為30nm以上250nm以下。 導電層厚度為30nm以上時，對基材表面之造膜性良好，不易因彈開而發生針孔。 導電層厚度為290nm以下時，不易產生導電層的凝集破壞，容易確保黏著劑層之密著性。 形成導電層時，只要於基材之黏著劑層之側的面(圖2之情況，為第一基材面11c)塗佈導電層形成用組成物後乾燥即可。 作為塗佈方法舉例為於黏著薄片之製造方法項中記載之塗佈方法。 導電層形成用組成物亦可含有可溶解或分散該導電層形成用組成物中之各成分的有機溶劑。作為有機溶劑較好為醚系溶劑、醇系溶劑、醇系溶劑與純化水之混合溶劑等。 圖2中顯示第二實施形態之黏著薄片10A之剖面圖。 黏著薄片10A係於基材11A與黏著劑層12A之間具有導電層13。亦即黏著薄片10A依序具有基材11A、包含導電材料之導電層13及黏著劑層12A。 基材11A具有第一基材面11c及與第一基材面11c相反側之第二基材面11d。黏著劑層12A具有第一黏著面12c及與第一黏著面12c相反側之第二黏著面12d。 黏著薄片10A中，於第一基材面11c層合導電層13。 黏著薄片10A於高溫加熱後之黏著劑層12A之第一黏著面12c的表面電阻率未達1011 Ω/□。 依據第二實施形態之黏著薄片10A，由於基材11A與黏著劑層12A之間具有導電層13，故認為可提高高溫加熱後之黏著劑層12A之第一黏著面12c的抗靜電性能。 因此，依據第二實施形態，經過於高溫加熱之步驟後，即使自被黏著體剝離黏著薄片10A，亦可更抑制半導體元件之靜電破壞。 [第三實施形態] 第三實施形態之黏著薄片就於基材與導電層之間具有中間層之方面與第二實施形態之黏著薄片不同。其他方面由於與第二實施形態相同，故省略或簡化說明。 亦即，第三實施形態之黏著薄片係依序具有基材、中間層、導電層與黏著劑層之黏著薄片。 ＜中間層＞ 中間層係設於基材與導電層之間。中間層較好具有根據期望目的之功能。作為中間層，舉例為例如寡聚物密封層、底塗層及硬塗層等。例如藉由設置中間層(例如寡聚物密封層、底塗層及硬塗層)，可提升基材與導電層之密著性、抑制寡聚物朝基材表面之析出、及加熱步驟中之基材收縮中之至少一者。 此處，所謂寡聚物密封層，於第三實施形態時，係用以防止寡聚物侵入黏著劑層及導電層之層。黏著薄片暴露於高溫條件下時，基材中所含之寡聚物有因加熱而吸出於基材表面之情況。因此，藉由黏著薄片具有寡聚物密封層，而可抑制基材中所含之寡聚物朝黏著劑層及導電層之浸入。藉此，可抑制寡聚物成分自基材移動，故於黏著劑層與導電層之界面產生剝離，黏著薄片更不易自被黏著體剝落。 又，寡聚物密封層較好於180℃以上200℃以下之高溫條件下，亦可防止寡聚物朝黏著劑層之浸入。 以下針對寡聚物密封層加以說明。 (寡聚物密封層) 寡聚物密封層之材質若為可防止基材中之寡聚物浸入至黏著劑層及導電層，則未特別限制。 例如寡聚物密封層較好為使寡聚物密封層用組成物硬化之硬化皮膜。寡聚物密封層用組成物較好包含由(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物所成之群中選擇之至少一種，更好包含(A)環氧化合物、(B)聚酯化合物、及(C)多官能胺基化合物。 寡聚物密封層用組成物為了促進硬化反應，亦可進而包含(D)酸性觸媒。 ・(A)環氧化合物 (A)環氧化合物較好為雙酚A型環氧化合物。作為雙酚A型環氧化合物可舉例為雙酚A二縮水甘油醚等。 ・(B)聚酯化合物 作為(B)聚酯化合物並未特別限制，可自習知聚酯化合物中適當選擇使用。作為聚酯化合物具體而言舉例為可藉由使多元醇與多元酸之縮合反應而得之樹脂、二元酸與二元醇之縮合物或以不乾性油脂肪酸等改質之化合物的不轉化性聚酯化合物、及二元酸與三元以上之醇的縮合物的轉化性聚酯化合物等。 作為(B)聚酯化合物的原料使用之多元醇及多元酸，可適當選擇習知多元醇及多元酸而使用。 ・(C)多官能胺基化合物 作為(C)多官能胺基化合物可使用例如三聚氰胺化合物、脲化合物、苯胍胺化合物及二胺類。 作為三聚氰胺化合物舉例為例如六甲氧基甲基三聚氰胺、甲基化三聚氰胺化合物及丁基化三聚氰胺化合物。 作為脲化合物舉例為例如甲基化脲化合物及丁基化脲化合物。 作為苯胍胺化合物舉例為例如甲基化苯胍胺化合物及丁基化苯胍胺化合物。 作為二胺類舉例為例如乙二胺、四亞甲基二胺、六亞甲基二胺、N,N-二苯基乙二胺及對-二甲苯二胺。 基於硬化性之觀點，作為(C)多官能胺基化合物較好為六甲氧基甲基三聚氰胺。 ・(D)酸性觸媒 作為(D)酸性觸媒舉例為例如鹽酸及對-甲苯磺酸。 ・硬化皮膜 本實施形態中，寡聚物密封層較好為(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物及(C)多官能胺基化合物分別以(A)50質量%以上80質量%以下、(B)5質量%以上30質量%以下、及(C)10質量%以上40質量%以下之調配率含有之寡聚物密封層用組成物予以硬化之硬化皮膜。於寡聚物密封層用組成物中調配(D)酸性觸媒時，(D)成分之含量較好為1質量%以上5質量%以下。 依據前述範圍之調配率之寡聚物密封層用組成物予以硬化之硬化皮膜，可提高藉由寡聚物密封層防止寡聚物朝黏著劑層浸入之效果。 ・中間層之膜厚 中間層之膜厚較好為50nm以上500nm以下，更好為80nm以上300nm以下。 中間層之厚度若為50nm以上，則容易獲得基材與導電層之良好密著性。 第三實施形態中，尤其中間層為寡聚物密封層時，可有效防止基材中所含之寡聚物朝黏著劑層及導電層之浸入。 中間層之厚度若為500nm以下，則例如將黏著薄片以捲筒狀捲取於芯材時容易捲取。作為芯材之材質舉例為例如紙製、塑膠製及金屬製。 圖3顯示第三實施形態之黏著薄片10B之剖面圖。基材11B與導電層13A之間具有作為中間層之寡聚物密封層14。 亦即，黏著薄片10B依序具有基材11B、寡聚物密封層14、導電層13A、黏著劑層12B。 基材11B具有第一基材面11e及與第一基材面11e相反側之第二基材面11f。黏著劑層12B具有第一黏著面12e及與第一黏著面12e相反側之第二黏著面12f。黏著薄片10B中，於第一基材面11e層合寡聚物密封層14，於寡聚物密封層14上依序層合導電層13A及黏著劑層12B。 黏著薄片10B於高溫加熱後之黏著劑層12B之第一黏著面12e的表面電阻率未達1011 Ω/□。 依據第三實施形態之黏著薄片10B，由於與第二實施形態同樣具有導電層13A，故認為可提高黏著劑層12B之第一黏著面12e的抗靜電性能。 因此，依據第三實施形態，經過於高溫加熱之步驟後，即使自被黏著體剝離黏著薄片10B，亦可更抑制半導體元件之靜電破壞。 再者，依據第三實施形態之黏著薄片10B，由於基材11B與導電層13A之間具有寡聚物密封層14，故亦可防止基材11B中所含之寡聚物朝黏著劑層12B及導電層13A之侵入。 [第四實施形態] 第四實施形態之黏著薄片就於基材與黏著劑層之間包含中間層替代導電層之方面與第二實施形態之黏著薄片不同。其他方面由於與第二實施形態相同，故省略或簡化說明。 圖4顯示第四實施形態之黏著薄片10C之剖面圖。於基材11C與黏著劑層12C之間具有寡聚物密封層14A作為中間層。 亦即，黏著薄片10C依序具有基材11C、寡聚物密封層14A及黏著劑層12C。 此處，所謂寡聚物密封層14A於第四實施形態之情況，係用以防止寡聚物浸入黏著劑層之層。 基材11C具有第一基材面11g及與第一基材面11g相反側之第二基材面11h。黏著劑層12C具有第一黏著面12g及與第一黏著面12g相反側之第二黏著面12h。黏著薄片10C中，於第一基材面11g層合寡聚物密封層14A。 黏著薄片10C於高溫加熱後之黏著劑層12C之第一黏著面12g的表面電阻率未達1011 Ω/□。 因此，依據第四實施形態，經過於高溫加熱之步驟後，即使自被黏著體剝離黏著薄片10C，亦可更抑制半導體元件之靜電破壞。 再者，依據第四實施形態之黏著片10C，由於基材11C與黏著劑層12C之間具有寡聚物密封層14A，故亦可防止基材11C中所含之寡聚物朝黏著劑層12C之侵入。藉此，黏著薄片10C更不易自被黏著體剝落。 [第五實施形態] 第五實施形態之黏著薄片就於基材與黏著劑層之間之基材側進而包含導電層之方面、及中間層係底塗層之方面與第四實施形態之黏著薄片不同。其他方面由於與第四實施形態相同，故省略或簡化說明。 圖5顯示第五實施形態之黏著薄片10D之剖面圖。 黏著薄片10D依序具有基材11D、導電層13B、底塗層14B及黏著劑層12D。 基材11D具有第一基材面11i及與第一基材面11i相反側之第二基材面11j。黏著劑層12D具有第一黏著面12i及與第一黏著面12i相反側之第二黏著面12j。黏著薄片10D中，於第一基材面11i層合導電層13B。 黏著薄片10D於高溫加熱後之黏著劑層12D之第一黏著面12i的表面電阻率未達1011 Ω/□。 因此，依據第五實施形態，經過於高溫加熱之步驟後，即使自被黏著體剝離黏著薄片10D，亦可更抑制半導體元件之靜電破壞。 再者，依據第五實施形態之黏著片10D，由於黏著劑層12D與導電層13B之間具有底塗層14B，故可提高黏著劑層12D與導電層13B之密著性。藉此，容易抑制黏著薄片剝離後對被黏著體之殘糊。 [第六實施形態] ＜黏著薄片之使用＞ 上述實施形態(第一實施形態至第五實施形態之任一)黏著薄片係於密封半導體元件時使用。黏著薄片較好不搭載於金屬製導線框架上，而是於將貼著於黏著薄片上之狀態的半導體元件密封時使用。具體而言，上述實施形態之黏著薄片並非於將搭載於金屬製導線框架之半導體元件密封時使用，而較好於將貼著於黏著劑層之狀態的半導體元件密封時使用。作為不使用金屬製導線框架而封裝半導體元件之形態，舉例為平板等級封裝(Panel Scale Package；PSP)及晶圓等級封裝(Wafer Level Package；WLP)等。 黏著薄片較好於具有下述步驟之製程中使用：於黏著薄片上貼著形成有複數開口部之框構件之步驟；於前述框構件之開口部露出之黏著劑層上貼著半導體晶片(半導體元件之一例)之步驟；以密封樹脂覆蓋前述半導體晶片之步驟；使前述密封樹脂熱硬化之步驟。 [實施形態之變化] 本發明不限定於前述實施形態，於可達成本發明目的之範圍的變化及改良等包含於本發明。又，以下說明中，若與前述實施形態中說明之構件等相同，則標註相同符號並省略或簡化其說明。 黏著薄片可為單片，亦可以複數片黏著薄片層合之狀態提供。 黏著薄片可為長條狀之薄片，亦可以捲取為捲筒狀之狀態提供。捲取為捲筒狀之黏著薄片可自捲筒捲出並切斷為期望尺寸等而使用。 黏著薄片之黏著劑層亦可藉由剝離薄片覆蓋。作為剝離薄片並未特別限定。例如，基於處理容易性之觀點，剝離薄片較好具備剝離基材與將剝離劑塗佈於剝離基材上而形成之剝離劑層。又，剝離薄片可僅於剝離基材之單面具備剝離劑層，亦可於剝離基材之兩面具備剝離劑層。作為剝離基材舉例為例如紙基材、於該紙基材上層合聚乙烯等之熱塑性樹脂之層合紙，及塑膠膜等。作為紙基材舉例為玻璃紙、銅版紙及鑄造塗佈紙等。作為塑膠膜舉例為聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯及聚萘二甲酸乙二酯等之聚酯膜，以及聚丙烯及聚乙烯等之聚烯烴膜等。作為剝離劑舉例為例如烯烴系樹脂、橡膠系彈性體(例如丁二烯系樹脂及異戊二烯系樹脂等)、長鏈烷基系樹脂、醇酸系樹脂、氟系樹脂以及矽氧系樹脂等。 又，本說明書中之薄片不僅是一般稱為薄片者，亦包含一般稱為膜者之概念。 剝離薄片之厚度並未特別限定。剝離薄片之厚度通常為20μm以上200μm以下，較好為25μm以上150μm以下。 剝離劑層厚度並未特別限定。塗佈包含剝離劑之溶液形成剝離劑層時，剝離劑層之厚度較好為0.01μm以上2.0μm以下，更好為0.03μm以上1.0μm以下。 使用塑膠膜作為剝離基材時，該塑膠膜厚度較好為3μm以上50μm以下，更好為5μm以上40μm以下。 具有剝離薄片之黏著薄片例如經過如下步驟而製造。 首先，於剝離薄片上塗佈黏著劑組成物，形成塗膜。接著，使該塗膜乾燥，形成黏著劑層。隨後，將剝離薄片上之黏著劑層與基材貼合。 黏著薄片具有例如寡聚物密封層作為中間層時，預先於基材之第一基材面形成寡聚物密封層。其次，貼合剝離薄片上之黏著劑層與基材上之寡聚物密封層。 黏著薄片藉由與具有導電層時同樣的方法，於基材之第一基材面或前述寡聚物密封層上形成導電層後，貼合剝離薄片上之黏著劑層與基材上之導電層。 前述實施形態雖舉例熱硬化性樹脂作為密封樹脂之材質為例加以說明，但本發明不限定於該等態樣。 實施例 以下，列舉實施例進一步詳細說明本發明。本發明不限定於該等實施例。 [黏著薄片之製作] (實施例1) (1)塗佈用寡聚物密封劑液之調製 調配下述(A)雙酚A型環氧化合物、(B)聚酯化合物、(C)多官能胺基化合物及(D)酸性觸媒，充分攪拌，調製塗佈用寡聚物密封劑液(寡聚物密封層用組成物)。 (A)雙酚A型環氧化合物 DIC公司製「EPICLON H-360」(商品名)，固形分濃度：40質量%，重量平均分子量：25000 (B)聚酯化合物 東洋紡績公司製「BYRON GK680」(商品名)，數平均分子量：6000，玻璃轉移溫度：10℃ (C)多官能胺基化合物 六甲氧基甲基三聚氰胺，日本CYTEC INDUSTRUMENTS公司製「CYMEL 303」(商品名) (D)酸性觸媒 對-甲苯磺酸之甲醇溶液(固形分濃度50質量%) 具體而言，於上述(A)雙酚A型環氧化合物100質量份中，添加上述(B)聚酯化合物之甲苯稀釋溶液(固形分濃度：30%)14.29質量份及上述(C)六甲氧基甲基三聚氰胺11.4質量份，進而以甲苯/甲基乙基酮=50質量%/50質量%之混合溶劑稀釋為固形分成為3質量%，並攪拌。於攪拌後之溶液中添加(D)對-甲苯磺酸之甲醇溶液(固形分濃度50質量%)2.9質量份(相對於(A)雙酚A型環氧化合物100質量份)，獲得塗佈用寡聚物密封劑液。 (2)寡聚物密封層之製作 準備雙軸延伸之聚對苯二甲酸乙二酯(三菱樹脂公司製「DIAFOIL T-100」(商品名)，厚50μm，100℃下之儲存彈性模數3.2×109 Pa，以下亦稱為「膜」)作為基材。 所調製之塗佈用寡聚物密封劑液藉由缺角輪棒塗佈法均一塗佈於所準備之膜的一面上。塗佈後之膜通過烘箱內部，使塗膜熱硬化，獲得作為中間層之厚150nm之寡聚物密封層。作為烘箱中之熱風吹出條件係溫度設為150℃，風速設為8m/min，作為烘箱之加工速度係調整為塗佈後之膜以20秒通過烘箱內部。 (3)導電層之製作 於包含共聚合聚酯及聚胺基甲酸酯之混合樹脂乳液中，混合合計1.0質量%之導電性高分子的聚乙二氧基噻吩(PEDOT)及聚苯乙烯硫酸酯(PSS)之樹脂組成物(中京油脂公司製；P-973，固形分10質量%)以異丙醇及純化水之混合液(混合比率1：1)稀釋為固形分1.0質量%，將其作為導電層形成用組成物。該導電層形成用組成物均一塗佈於上述(2)製作之寡聚物密封層上，於120℃乾燥1分鐘，製作厚100nm之導電層。 (4)黏著劑組成物A1之調製 調配以下材料，充分攪拌，調製作為塗佈用黏著劑液之黏著劑組成物A1。 具體而言，相對於聚合物(X)100質量份，添加作為抗靜電劑之科琴黑1.5質量份，使用分散機，將科琴黑分散於聚合物(X)中。 其次，對於分散有科琴黑之聚合物(X)，添加黏著助劑12.5質量份(固形分)及交聯劑8.75質量份(固形分)，使用甲基乙基酮，調製固形分濃度30質量%之黏著劑組成物A1。 -黏著劑組成物A1之調製所用之材料- ・聚合物(X)：丙烯酸酯共聚物100質量份(固形分) 丙烯酸酯共聚物係使丙烯酸2-乙基己酯92.8質量%與丙烯酸2-羥基乙酯7.0質量%與丙烯酸0.2質量%共聚合而調製。 ・抗靜電劑：科琴黑[Lion Specially Chemicals公司製，ED-600JD] 1.5質量份 ・黏著助劑：兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製；GI-1000] 12.5質量份(固形分) ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族異氰酸酯(六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體)[日本聚胺基甲酸酯工業(股)製：CORONATE HX] 8.75質量份(固形分) ・稀釋溶劑：甲基乙基酮 (5)黏著劑層之製作 準備設有矽氧系剝離層之透明聚對二甲酸乙二酯[LINTEC(股)製；SP-PET382150，厚38μm]作為剝離膜。 將調製之黏著劑組成物A1使用缺角輪塗佈器(註冊商標)塗佈於剝離膜之剝離層面側，進行90℃及90秒之加熱，接著進行115℃及90秒之加熱，使塗膜乾燥，製作厚50μm之黏著劑層。 (6)層合體之製作 將於剝離膜之剝離層面側所製作之黏著劑層與基材上透過寡聚物密封層而製作之導電層予以貼合，獲得由基材、寡聚物密封層、導電層、黏著劑層及剝離膜所成之層合體。 隨後，自層合體剝落剝離膜，獲得實施例1之黏著薄片。 (實施例2) 於黏著劑組成物A1之調製中，替代科琴黑，而添加碳奈米管(Kumho Petrochemical公司製；K-Nanos 100P)2.0質量份，調製黏著劑組成物A2。 除了使用該黏著劑組成物A2製作黏著劑層以外，與實施例1同樣獲得實施例2之黏著薄片。 (實施例3) 於黏著劑組成物A1之調製中，替代科琴黑，而添加離子性液體(1)(1-乙基-3-甲基吡啶鎓雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺)1.0質量份，調製黏著劑組成物A3。 除了使用該黏著劑組成物A3製作黏著劑層以外，與實施例1同樣獲得實施例3之黏著薄片。 (實施例4) 代替該黏著劑組成物A1，而使用下述該黏著劑組成物A4，與實施例1同樣，獲得由基材、寡聚物密封層、導電層、黏著劑層及剝離膜所成之層合體。 其次，自黏著薄片之越過剝離膜側，使用EYE GRAPHIC公司製高壓水銀燈作為紫外線照射裝置，以照度200mW/cm2 、累積照射量200mJ/cm2 之條件照射紫外線。 隨後，自層合體剝除剝離膜，獲得實施例4之黏著薄片。 ・黏著劑組成物A4之調製 調配以下材料，充分攪拌，調製作為塗佈用黏著劑液之黏著劑組成物A4。 具體而言，相對於聚合物(X)90質量份(固形分)及作為抗靜電劑之離子聚合物10.0質量份(固形分)混合成之聚合物，添加黏著助劑12.5質量份(固形分)、交聯劑8.75質量份(固形分)及光聚合起始劑(IGM Resins公司製；Omnirad-127)1.0質量份(固形分)，使用甲基乙基酮，調製固形分濃度30質量%之黏著劑組成物A4。 -黏著劑組成物A4之調製所用之材料- ・聚合物(X)：丙烯酸酯共聚物(與黏著劑組成物A1調製所用之聚合物(X)相同)90質量份(固形分) ・黏著助劑：兩末端羥基氫化聚丁二烯[日本曹達(股)製；GI-1000] 12.5質量份(固形分) ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族異氰酸酯(六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體)[日本聚胺基甲酸酯工業(股)製：CORONATE HX] 8.75質量份(固形分) ・光聚合起始劑：2-羥基-1-[4-(4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基)苯基]-2-甲基丙烷-1-酮[IGM Resins公司製；Omnirad-127] 1.0質量份(固形分) ・稀釋溶劑：甲基乙基酮 ・抗靜電劑：離子聚合物(對含四級銨陽離子之聚合物加成甲基丙烯醯基之材料)10.0質量份(固形分) 離子聚合物係藉以下方法製作。 作為「具有四級銨陽離子之聚合性單體」之[2-(甲基丙烯醯氧基)乙基]三甲基銨雙(三氟甲基磺醯基)醯亞胺、作為具有反應性官能基之聚合性單體之甲基丙烯酸、及作為聚合性單體之丙烯酸2-乙基己酯及丙烯酸2-羥基乙酯以重量比為具有四級銨陽離子之聚合性單體：甲基丙烯酸：丙烯酸2-乙基己酯：丙烯酸2-羥基乙酯=44.27：4.68：40.24：4.63之方式共聚合。 使所得聚合物與作為能量線硬化性化合物之甲基丙烯酸縮水甘油酯(以上述質量比換算為6.18)反應，獲得離子聚合物(於側鏈具有甲基丙烯醯基及4級銨陽離子)。 此離子聚合物之分子量以已述及方法測定後，重量平均分子量為170,000。 (實施例5) 於黏著劑組成物A1之調製中，替代科琴黑，而添加爐黑(三菱化學公司製；製品名#3030B)5質量份及離子性液體(1)0.5質量份之混合物，調製黏著劑組成物A5。 除了使用該黏著劑組成物A5製作黏著劑層以外，與實施例1同樣獲得實施例5之黏著薄片。 (實施例6) 於黏著劑組成物A1之調製中，添加科琴黑2.5質量份，調製黏著劑組成物A6。 除了使用該黏著劑組成物A6製作黏著劑層及未製作導電層以外，與實施例1同樣獲得實施例6之黏著薄片。 (實施例7) 除了代替黏著劑組成物A1，使用下述黏著劑組成物B1以外，與實施例3同樣獲得實施例7之黏著薄片。 ・黏著劑組成物B1之調製 調配以下材料，充分攪拌，調製作為塗佈用黏著劑液之黏著劑組成物B1。 具體而言，相對於聚合物(X)100質量份(固形分)，添加作為抗靜電劑之離子性液體(1)1.0質量份(固形分)、交聯劑7.4質量份(固形分)、具有反應性官能基之低分子化合物23.3質量份(固形分)、光聚合起始劑4.1質量份(固形分)，使用乙酸乙酯，調製固形分濃度30質量%之黏著劑組成物B1。 -黏著劑組成物B1之調製所用之材料- ・聚合物(X)：丙烯酸酯共聚物(與黏著劑組成物A1調製所用之聚合物(X)相同)100質量份(固形分) ・抗靜電劑：離子性液體(1)(1-乙基-3-甲基吡啶鎓雙(三氟甲烷磺醯基)醯亞胺) ・交聯劑：具有六亞甲基二異氰酸酯之脂肪族異氰酸酯(六亞甲基二異氰酸酯之異氰脲酸酯型改質體)[日本聚胺基甲酸酯工業(股)製：CORONATE HX] 7.4質量份(固形分) ・具有反應性官能基之低分子化合物：丙氧化雙酚A二丙烯酸酯[新中村化學(股)公司製；A-BPP] ・光聚合起始劑：2-羥基-1-[4-(4-(2-羥基-2-甲基-丙醯基)-苄基)苯基]-2-甲基丙烷-1-酮[IGM Resins公司製；Omnirad-127] 4.1質量份(固形分) ・稀釋溶劑：乙酸乙酯 (實施例8) 相對於聚合物(X)90質量份(固形分)，添加作為抗靜電劑之離子聚合物10.0質量份、交聯劑7.4質量份(固形分)、具有反應性官能基之低分子化合物23.3質量份(固形分)、光聚合起始劑4.1質量份(固形分)，使用乙酸乙酯，調製固形分濃度30質量%之黏著劑組成物B2。 又，離子聚合物與黏著劑組成物A4之調製所用之離子聚合物相同。交聯劑、具有反應性官能基之低分子化合物及光聚合起始劑與黏著劑組成物B1之調製所用材料相同。 除了使用該黏著劑組成物B2製作黏著劑層以外，與實施例7同樣獲得實施例8之黏著薄片。 (比較例1) 於黏著劑組成物A1之調製中，添加科琴黑2.0質量份，調製黏著劑組成物A7。 除了使用該黏著劑組成物A7製作黏著劑層及未製作導電層以外，與實施例1同樣獲得比較例1之黏著薄片。 (比較例2) 於黏著劑組成物A1之調製中，替代科琴黑，添加離子性液體(1)1.0質量份，調製黏著劑組成物A8。 除了使用該黏著劑組成物A8製作黏著劑層及未製作導電層以外，與實施例1同樣獲得比較例2之黏著薄片。 (比較例3) 於黏著劑組成物A1之調製中，替代科琴黑，添加離子性液體(2)(1-丁基-4-甲基吡啶鎓六氟磷酸酯)1.0質量份，調製黏著劑組成物A9。 除了使用該黏著劑組成物A9製作黏著劑層以外，與實施例1同樣獲得比較例3之黏著薄片。 (比較例4) 於黏著劑組成物A1之調製中，不添加抗靜電劑，調製黏著劑組成物A10。 除了使用該黏著劑組成物A10製作黏著劑層以外，與實施例1同樣獲得比較例4之黏著薄片。 表1顯示各例所得之黏著薄片之構成。 使用各例所得之黏著薄片進行以下評價。結果示於表1。 [帶電特性評價] (表面電阻率) 藉由已述及方法，測定將黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層之表面電阻率。 (帶電壓) 藉由已述及方法，測定將黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層之帶電壓。 [黏著力評價] (對於銅箔及聚醯亞胺膜之黏著力) 藉由已述及方法，分別測定將黏著薄片在100℃及30分鐘之條件下加熱，接著在180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及60分鐘之條件下加熱，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之黏著劑層對銅箔之黏著力及對於聚醯亞胺之黏著力。 [殘渣物評價] 將銅箔(150mm×100mm，厚0.08mm，JIS H3100：2010 C1220R-H(延伸銅箔))表面已#800之水銼刀研磨，以銅箔之算術平均粗糙度Ra成為0.2±0.1μm之方式賦予研磨傷。對該銅箔貼附切成25mm×100mm之黏著薄片。又，貼附係依據JIS Z 0237：2009進行。隨後，與上述黏著力評價同樣地，將黏著薄片在100℃及30分鐘之條件下加熱，接著在180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及60分鐘之條件下加熱，放置至成為室溫(25℃)。 放冷後之黏著薄片(附銅箔之黏著薄片)使用Autograph(島津製作所公司製，Autograph AG-IS 500N)，以剝落方向90度及剝離速度3mm/min剝離，以數位顯微鏡(KEYENCE公司製：數位顯微鏡，VHX-1000)觀察剝離後的銅箔及黏著薄片，確認有無殘糊。觀察倍率設為500倍。 無殘糊時判定為「A」，部分有殘糊時判定為「B」。
Figure 02_image005
(表1之說明) ・「聚合物類型」意指離子聚合物。 ・「有」意指有導電層，「無」意指無導電層。 ・「CNT」意指碳奈米管。 ・「離子液體1」意指離子性液體(1)。 ・「離子液體2」意指離子性液體(2)。 實施例1~8之黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘後，黏著劑層之表面電阻率仍未達1011 Ω/□。 另一方面，比較例1~4之黏著薄片，於高溫加熱後，黏著劑層之表面電阻率為1011 Ω/□以上。 藉由實施例3與比較例3之比較，可知使用作為抗靜電劑之離子性液體(1)的實施例3之黏著薄片，與使用離子性液體(2)的比較例3之黏著薄片相比，大幅抑制了高溫加熱後之表面電阻率的上升率(加熱後/加熱前)。 藉由實施例1與比較例1之比較，及實施例3與比較例2之比較，可知具有導電層之實施例1、3之黏著薄片，與不具有導電層之比較例1、2之黏著薄片相比，大幅抑制了高溫加熱後之表面電阻率的上升率(加熱後/加熱前)。 又，實施例1~8之黏著薄片即使高溫加熱後，黏著劑層之帶電壓亦未達0.1kV。 再者，實施例1~8之黏著薄片在100℃及30分鐘之條件下加熱，接著在180℃及30分鐘之條件下加熱，進而於190℃及60分鐘之條件下加熱，黏著劑層對於銅箔之黏著力及對於聚醯亞胺之黏著力均可確保。殘渣物評價亦良好。 因此，依據本實施例之黏著薄片，經過高溫之加熱步驟後，即使自被黏著體剝離黏著薄片，亦可抑制半導體元件之靜電破壞。
10、10A、10B、10C、10D‧‧‧黏著薄片 11、11A、11B、11C、11D‧‧‧基材 11a、11c、11e、11g、11i‧‧‧第一基材面 11b、11d、11f、11h、11j‧‧‧第二基材面 12、12A、12B、12C、12D‧‧‧黏著劑層 12a、12c、12e、12g、12i‧‧‧第一黏著面 12b、12d、12f、12h、12j‧‧‧第二黏著面 13、13A、13B‧‧‧導電層 14、14A‧‧‧寡聚物密封層 14B‧‧‧底塗層
圖1係第一實施形態之黏著薄片之剖面圖。 圖2係第二實施形態之黏著薄片之剖面圖。 圖3係第三實施形態之黏著薄片之剖面圖。 圖4係第四實施形態之黏著薄片之剖面圖。 圖5係第五實施形態之黏著薄片之剖面圖。
10‧‧‧黏著薄片
11‧‧‧基材
11a‧‧‧第一基材面
11b‧‧‧第二基材面
12‧‧‧黏著劑層
12a‧‧‧第一黏著面
12b‧‧‧第二黏著面

Claims (10)

  1. 一種黏著薄片，其係將黏著薄片上之半導體元件密封時所使用之黏著薄片，其具備基材，及包含抗靜電劑之黏著劑層，前述基材係聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚對苯二甲酸丁二酯膜、聚胺基甲酸酯膜、乙烯乙酸乙烯酯共聚物膜、離子聚合物樹脂膜、乙烯．(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯．(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚醯亞胺膜、或該等之交聯膜或層合膜，前述抗靜電劑係選自由離子性液體及離子聚合物所成之群中之至少1種，或前述離子性液體與碳材料之混合物，前述碳材料係選自由碳奈米管、石墨烯及碳黑所成之群中之至少1種，若前述抗靜電劑為前述離子性液體時，前述離子性液體之含量，相對於前述黏著劑層全體，為0.1質量%以上10質量%以下，若前述抗靜電劑為前述離子聚合物時，前述離子聚合物之含量，相對於前述黏著劑層全體，為0.10質量%以上20質量%以下， 若前述抗靜電劑為前述離子性液體與前述碳材料之混合物時，前述抗靜電劑之總含量，相對於前述黏著劑層全體，為0.1質量%以上8質量%以下，於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著薄片的前述黏著劑層之表面電阻率未達1011Ω/□。
  2. 如請求項1之黏著薄片，其中於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著薄片的前述黏著劑層之帶電壓未達0.1kV。
  3. 如請求項1之黏著薄片，其中前述離子性液體包含陽離子及下述通式(1)表示之陰離子，
    Figure 108119868-A0305-02-0077-1
     (通式(1)中，R1及R2分別獨立為氟原子或碳數1以上8以下之全氟烷基，R1及R2為相同或不同)。
  4. 如請求項1之黏著薄片，其中前述離子性液體之含量，相對於前述黏著劑層全體，為0.01質量%以上10質量%以下。
  5. 如請求項1之黏著薄片，其中前述黏著劑層含有丙烯酸系黏著劑組成物，前述丙烯酸系黏著劑組成物包含以烷基之碳數為4以上12以下之(甲基)丙烯酸烷酯作為主單體之丙烯酸系共聚物。
  6. 如請求項1之黏著薄片，其中前述黏著薄片於100℃及30分鐘之條件加熱，接著於180℃及30分鐘之條件加熱，進而於190℃及60分鐘之條件加熱，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後之前述黏著劑層對於銅箔之黏著力為0.5N/25mm以上3.0N/25mm以下，且前述黏著劑層對於聚醯亞胺膜之黏著力為0.50N/25mm以上2.00N/25mm以下。
  7. 如請求項1之黏著薄片，其中前述基材之前述黏著劑層側之表面具有導電性。
  8. 如請求項7之黏著薄片，其中前述黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後，前述基材之前述黏著劑層側之表面電阻率為10-7Ω/□以上107Ω/□以下。
  9. 如請求項1至8中任一項之黏著薄片，其中前述基材與前述黏著劑層之間具有導電層。
  10. 如請求項9之黏著薄片，其中前述黏著薄片於氮氣環境下於190℃加熱60分鐘，其次在23℃及50%RH之環境下放置24小時後，前述導電層之前述黏著劑層側之表面電阻率為10-7Ω/□以上107Ω/□以下。
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