TWI803740B - 載台裝置、光刻裝置及物品之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供有利於高精度測量載台位置的技術即載台裝置、光刻裝置以及物品製造方法。載台裝置包括：載台，可移動；測量部，對上述載台照射光來測量上述載台的位置；供給部，向上述光的光路徑供給氣體，以便在上述光路徑形成朝向沿著上述光路徑的方向的氣體的氣流；以及控制部，控制上述供給部，以便根據上述方向上的上述載台的位置來變更從上述供給部向上述光路徑供給的氣體的流量。

Description

載台裝置、光刻裝置及物品之製造方法
本發明涉及載台裝置、光刻裝置以及物品之製造方法。
在半導體裝置或液晶面板等的製造所使用的光刻裝置中，設有具有能保持基板或原版等而移動的載台的載台裝置。在載台裝置中，隨著近年來的電路圖案的微細化，要求載台的定位精度的提高，為了實現這樣的要求，需要高精度地測量載台的位置。
在載台的位置的測量中，一般使用雷射干涉儀，而對於雷射干涉儀，因測量光路徑上的氣體的溫度或壓力、濕度等的波動(有時稱為“氣體的波動”)導致的測量光路徑中的折射率的變化可能成為測量誤差的主要原因。在專利文獻1中提出了以下裝置：通過使氣體沿著從雷射干涉儀射出的光(雷射束)的光路徑流動，降低該光路徑上的折射率的變化。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2011-133398號公報
[發明所要解決的課題]
對於沿著從雷射干涉儀射出的光的光路徑使氣體流動的方式，通過在朝向載台的方向被吹出的氣體與載台抵碰，在載台的周邊有氣體的氣流變化，有時會發生氣體的波動。這樣在載台的周邊產生的氣體的波動隨著氣體的吹出口與載台的距離變近而愈發顯著，因而會難以高精度地測量載台的位置。
因而，本發明的目的在於提供有利於高精度測量載台位置的技術。 [解決課題的技術手段]
為了達成前述目的，作為本發明的一方案的載台裝置包括：載台，其可移動；測量部，其對前述載台照射光來測量前述載台的位置；供給部，其向前述光的光路徑供給氣體，以便在前述光路徑形成朝向沿著前述光路徑的方向的氣體的氣流；以及控制部，其控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置來變更從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量。
本發明的其他目的或者其他方案將在以下通過參照圖式進行說明的優選實施方式而變得明瞭。 [發明功效]
根據本發明，例如可提供有利於高精度測量載台位置的技術。
以下，參照圖式對實施方式進行詳細說明。另外，以下的實施方式並不限定申請專利範圍所涉及的發明。實施方式記載了多個特徵，但這些特徵並非全部都是發明的必要技術特徵，另外多個特徵也可以任意組合。再者，在圖式中，對相同或相當的構成標注相同的參考符號，省略重複的說明。
在以下的實施方式中，對將本發明所涉及的載台裝置應用於對基板進行曝光的曝光裝置的例子進行說明，但是並不限定於此。例如，在利用模具來成形出基板上的組成物的成形裝置(壓印裝置、平坦化裝置)、或利用帶電粒子束在基板上形成圖案的刻畫裝置等其他光刻裝置中，也能應用本發明所涉及的載台裝置。另外，以下，將在與基板的面平行的面內相互正交的方向設為X方向以及Y方向，將與基板的面垂直的方向設為Z方向。
＜第1實施方式＞ 對本發明所涉及的第1實施方式的曝光裝置100進行說明。圖1是第1實施方式的曝光裝置100的整體概略圖。本實施方式的曝光裝置100是向例如液晶面板用玻璃基板那樣的大型的基板W轉印遮罩M(原版)的圖案的裝置，具有：進行基板W的曝光處理的曝光部10(主體部)、收容曝光部10的腔室30、以及控制部CNT。控制部CNT例如由包括CPU或記憶體等的電腦構成，對曝光裝置100的各部分進行控制。
首先，對曝光部10的構成進行說明。曝光部10例如可包括照明光學系統11、投影光學系統12、遮罩載台13、基板載台14、觀察光學系統15和測量部20。
照明光學系統11是包括透鏡、反射鏡、光學積分器等多種光學元件，由來自水銀燈等光源11a的光對遮罩M進行照明的光學系統。另外，投影光學系統12是將由照明光學系統11照明的遮罩M的圖案的像投影到基板W上的光學系統。在本實施方式的情況，投影光學系統12作為包括平面反射鏡、凹面反射鏡、凸面反射鏡等的反射鏡投射型的等倍成像光學系統而構成，但並不限於此，也可以應用放大成像光學系統或縮小成像光學系統等的其他類型的光學系統。
遮罩載台13包括遮罩夾具13a和遮罩驅動機構13b，構成為可保持遮罩M而在XY方向移動。遮罩夾具13a通過真空夾具或靜電夾具等保持遮罩M。遮罩驅動機構13b可構成為可支撐遮罩夾具13a而在XY方向移動。另外，基板載台14包括基板夾具14a和基板驅動機構14b，構成為可保持基板W而移動。基板夾具14a通過真空夾具或靜電夾具等保持基板W。基板驅動機構14b構成為可支撐基板夾具14a而在定盤16之上在XY方向移動。
觀察光學系統15是配置在遮罩載台13的上方，用於經由遮罩M以及投影光學系統12來觀察基板W的光學系統。在本實施方式的情況，觀察光學系統15例如可包括對為了進行遮罩M與基板W的對準而分別形成於遮罩M以及基板W的標記進行檢測的對準檢測系統(對準觀察器)。
測量部20例如由雷射干涉儀構成，對遮罩載台13以及基板載台14照射測量光(雷射)，實時地測量各載台的位置。在本實施方式的情況，測量部20例如可包括雷射頭21、分光鏡22和柱面反射鏡23、24。柱面反射鏡23安裝於遮罩載台13，柱面反射鏡24安裝於基板載台14。從雷射頭21射出的測量光ML(雷射)在分光鏡22被分支，一部分的測量光ML由反射鏡25反射而向遮罩載台13的柱面反射鏡23入射，剩下的測量光ML向基板載台14的柱面反射鏡24入射。由遮罩載台13的柱面反射鏡23反射的測量光ML和由基板載台14的柱面反射鏡24反射的測量光ML通過再次經過分光鏡22而相互干涉。因而，測量部20(雷射頭21)可基於該干涉圖案來測量遮罩載台13(遮罩M)和基板載台14(基板W)的相對位置。
在曝光裝置100中，由遮罩載台13保持的遮罩M和由基板載台14保持的基板W分別配置在經由投影光學系統12而光學共軛的位置(投影光學系統12的物面以及像面)。並且，控制部CNT可基於測量部20的測量結果，以對應於投影光學系統12的投影倍率的速度比相對地同步掃描遮罩載台13和基板載台14，由此將遮罩M的圖案向基板上轉印。
接下來，對收容曝光部10的腔室30的構成進行說明。腔室30可作為用於對配置有曝光部10的環境(空間)的溫度進行調節的空調機構來構成。例如，腔室30可包括進行氣體(空氣)的溫度調整的調溫機31、過濾微小異物而形成清潔空氣的均勻氣流的過濾箱32、以及用於將配置有曝光部10的環境與外部遮蔽開的隔間33。
調溫機31例如包括用於將有機物或無機物除去的化學過濾器31a、加熱器31b、送風機31c和溫度控制部31d。溫度控制部31d控制加熱器31b，以便隔間33內變成規定的溫度，並且控制送風機31c，以便以規定的流量從過濾箱32供給氣體。另外，過濾箱32設在曝光部10的上方以及側方，通過降流以及側流向隔間33內供給氣體。通過這樣向隔間33內供給氣體，可降低向隔間33內的氣體供給對由曝光部10的測量部20進行的遮罩載台13以及基板載台14的位置的測量帶來的影響。
在本實施方式的情況，腔室30是在收容有曝光部10的隔間33的內部使經過溫度調整以及流量調整的氣體循環的循環系統的空調機構。具體來講，經過化學過濾器31a的氣體在由加熱器31b進行了溫度調整之後，由送風機31c進行流量調整，從過濾箱32向隔間33內供給。被供給至隔間33內的氣體從取入口34再次被取入到調溫機31內而進行循環。在此，在腔室30中，將隔間33內相對於外部始終保持為正壓以防止微小異物向隔間33內的侵入，為此將循環空氣量的大約一成的氣體從外氣導入口35導入。
另外，腔室30包括用於從曝光裝置100的外部進行基板W的轉交的介面開口部36和設於介面開口部36的閘板37。閘板37例如根據來自相對腔室30的外部搬入搬出基板W的機械手的基板轉交信號來控制開閉動作。
[第1供給部以及第2供給部的構成] 在曝光裝置100中，隨著近年來的電路圖案的微細化，要求提高遮罩載台13以及基板載台14的定位精度，為了實現該要求，需要由測量部20高精度地測量這些載台的位置。但是，對於構成測量部20的雷射干涉儀，因測量光路徑上的氣體的溫度或壓力、濕度等的波動(有時稱為“氣體的波動”)導致的測量光路徑中的折射率的變化會成為測量誤差的主要原因。例如，對於測量遮罩載台13以及基板載台14的位置的測量部20，要求30nm以下的測量精度(測量誤差)，為了實現該測量精度，需要將測量光路徑的溫度變化率設為1ppm/℃以下。
另外，近年來，液晶面板用的基板W正在大型化，隨之而來的是，在曝光裝置100中，基板載台14大型化，基板載台14的移動行程變長。因而，測量部20的測量光路徑長度也變長，例如達到大約3000mm。在該情況，為了實現30nm以下的測量精度，需要將測量光路徑的溫度變化抑制為0.01℃以下。
因而，在本實施方式的曝光裝置100中，針對從測量部20(雷射頭21)射出的測量光ML的光路徑(測量光路徑)，設有供給流量以及溫度被調整的氣體的第1供給部40以及第2供給部50。在第1供給部40以及第2供給部50，例如供給由調溫機31進行過溫度調整的氣體。具體來講，如圖1所示那樣，在調溫機31中，設有用於從工廠設備取入壓縮氣體的取入口38和用於送出調溫後的氣體的送出口39。從取入口38被取入到調溫機31內的壓縮氣體經過化學過濾器31a，由加熱器31b進行溫度調整，之後從送出口39送出。送出口39與第1供給部40以及第2供給部50連通，從送出口39送出的壓縮氣體向第1供給部40以及第2供給部50供給。另外，從工廠設備向調溫機31的取入口38供給的壓縮氣體可以是0.1MPa~0.8MPa左右的氣體壓力(空氣壓力)。
接下來，對本實施方式的曝光裝置100所應用的載台裝置的構成進行說明。載台裝置例如可作為包括測量部20、第1供給部40以及控制部CNT的構成來定義，但也可以作為除此以外還包括第2供給部50的構成來定義。圖2是示出載台裝置的構成的圖，是示出針對用於測量基板載台14的位置的測量部20(雷射頭21)的測量光路徑設置第1供給部40以及第2供給部50的例子的圖。以下，對針對用於測量基板載台14的位置的測量光路徑(雷射頭21與柱面反射鏡24之間的光路徑)設置第1供給部40以及第2供給部50的例子進行說明，但是並不限定於此。例如，如圖1所示那樣，也可以針對用於測量遮罩載台13的位置的測量光路徑(分光鏡22與柱面反射鏡23之間的光路徑)同樣地設置第1供給部40以及第2供給部50。
第1供給部40例如可包括流量調整部41(電動閥)、溫度調整部42和吹出部43，以在測量光路徑形成朝向沿著來自測量部20的測量光ML的光路徑的第1方向(光軸方向，例如-X方向)的氣體的氣流的方式，向該測量光路徑供給氣體。流量調整部41例如包括質流控制器，在控制部CNT的控制下，對從腔室30的調溫機31的送出口39經過管46a供給來的壓縮氣體的流量進行調整。溫度調整部42例如可包括加熱器或冷卻機構等，在控制部CNT的控制下，對從流量調整部41經由管46b供給來的氣體的溫度進行調整。在此，在圖2所示的例子中，溫度調整部42配置在流量調整部41的下游側，但並不限於此，流量調整部41也可以配置在溫度調整部42的下游側。另外，流量調整部41以及溫度調整部42優選設置在吹出部43的附近，但也可以設置在任意位置，例如可設在調溫機31的內部。
吹出部43利用寬德效應，以在該測量光路徑形成朝向沿著測量光路徑的第1方向的氣體的氣流的方式，將從溫度調整部42經由管46c供給來的氣體向測量光路徑吹出。具體來講，吹出部43如圖3所示那樣可包括吹出口44和引導部件45。吹出口44與溫度調整部42連通，將從溫度調整部42經由管46c供給來的氣體(由箭頭α表示)向橫過測量光路徑的方向(例如-Z方向)吹出。引導部件45具有用於利用寬德效應將從吹出口44吹出的氣體引導成朝向沿著測量光路徑的第1方向(例如-X方向)的氣流的引導面45a。根據這樣的引導部件45的構成，可利用寬德效應使從吹出口44吹出的氣體沿著引導面45a流動，轉換成朝向沿著測量光路徑的第1方向的氣流。另外，若從吹出部43吹出氣體，則存在於吹出部43的周圍的氣體(由箭頭β表示)利用白努利效應而被從吹出部43吹出的氣體吸引。也就是說，從吹出部43吹出的氣體其流量被增幅至數倍~數十倍而向測量光路徑供給。
第2供給部50以在測量光路徑形成向著橫過測量光路徑的第2方向(例如-Z方向)的氣體的氣流的方式向該測量光路徑供給氣體。例如，第2供給部50具有沿著測量光路徑(例如-X方向)排列的多個吹出口，將從腔室30的調溫機31的送出口39經由管51供給來的壓縮氣體向橫過測量光路徑的方向(例如-Z方向)吹出。另外，在本實施方式的情況，第2供給部50可配置成對測量光路徑之中的比由第1供給部40供給氣體的部分靠測量部側(雷射頭21側)的部分供給氣體。
[氣體的流量以及溫度的控制] 在本實施方式中的第1供給部40的構成中，從第1供給部40供給到(吹出到)測量光路徑的氣體與基板載台14(或者柱面反射鏡24)抵碰。因而，在基板載台14的周邊的測量光路徑中，從第1供給部40供給來的氣體的氣流會變化。在該情況，捲入因基板載台14或是其周圍的熱源而受熱了的氣體，在測量光路徑上氣體的溫度或壓力、濕度等會產生波動(以下有時稱為“氣體的波動”)。這樣的氣體的波動由於使測量光路徑中的折射率變化，故而成為測量部20中的測量誤差的主要原因。另外，這樣的氣體的波動由於隨著基板載台14與第1供給部40的吹出部43(吹出口44)的距離A變近而愈發顯著，故而會難以高精度地測量基板載台14的位置。
因而，本實施方式的控制部CNT控制第1供給部40的流量調整部41，以便根據沿著測量光路徑的第1方向上的基板載台14的位置來變更從第1供給部40向測量光路徑供給的(吹出的)氣體的流量。例如，控制部CNT控制第1供給部40的流量調整部41，以便沿著測量光路徑的第1方向上的基板載台14與第1供給部40(吹出部43)的距離越短則從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量越少。
具體來講，對於第1方向上的基板載台14的位置相互不同的多個狀態，分別通過實驗等事先取得當從第1供給部40向測量光路徑供給了氣體時測量部20的測量誤差變成容許值以下的氣體的流量。由此，可獲得表示第1方向上的基板載台14的位置與應從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量的對應關係的資訊(以下有時稱為“第1資訊”)。控制部CNT基於事先取得的第1資訊和基板載台14的位置資訊來確定應從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量，基於確定出的氣體的流量來控制第1供給部40的流量調整部41。在本實施方式的情況，控制部CNT如圖2所示那樣，作為表示基板載台14的位置的資訊而使用測量部20的測量結果，但並不限於此，也可以使用從基板載台14的基板驅動機構14b獲得的信號值。
另外，若變更從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量，則會因絕熱膨脹產生氣體的溫度變化。例如，隨著從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量變少，會因絕熱膨脹引起該氣體的溫度降低。因而，本實施方式的控制部CNT可控制第1供給部40的溫度調整部42，以便對因從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量的變更導致的該氣體的溫度變化進行補償。
具體來講，不進行溫度調整部42的溫度調整，關於從第1供給部40的吹出部43(吹出口44)供給的氣體的流量相互不同的多個狀態，分別通過實驗等事先測量從吹出部43供給的氣體的溫度。並且，關於各狀態，計算用於對從吹出部43吹出的氣體的溫度的測量值與基準溫度之差進行補償所需的加熱量(或者冷卻量)。基準溫度可任意地設定，例如可設定為腔室30的調溫機31的設定溫度。由此，可獲得表示從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量與溫度調整部42中的加熱量的對應關係的資訊(以下有時稱為“第2資訊”)。控制部CNT基於事先取得的第2資訊和由流量調整部41調整的氣體的流量，確定溫度調整部42中的氣體的加熱量，基於確定出的加熱量來控制溫度調整部42。
在此，對用於進行上述的控制的控制部CNT的構成的具體例進行說明。假設作為流量調整部41使用電動閥、作為溫度調整部42使用加熱器的情況。在該情況，控制部CNT具有用於控制電動閥的開度的脈衝控制器，通過驅動被搭載於電動閥的脈衝馬達而控制電動閥的開度，從而可控制從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量。另外，控制部CNT具有固態繼電器電路，通過高速地控制加熱器的開關，從而可控制從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的溫度。
接下來，參照圖4對根據基板載台14的位置的第1供給部40的控制例進行說明。圖4是示出根據基板載台14的位置的第1供給部40的控制例的圖。圖4的(a)示出基板載台14與第1供給部40的吹出部43的距離A，圖4的(b)示出應由流量調整部41調整的氣體的流量，圖4的(c)示出應由溫度調整部42賦予的加熱量。
區間101是以下區間：基板載台14(柱面反射鏡24)以離開第1供給部40的吹出部43的方式移動而距離A變大。在該區間101，控制部CNT控制流量調整部41，以便隨著距離A變大而從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量增加，並且控制溫度調整部42，以便氣體的加熱量增加。另外，區間102是保持距離A恆定最大的區間。在該區間102，控制部CNT控制流量調整部41以及溫度調整部42，以便氣體的流量以及氣體的加熱量分別恆定。
區間103是以下區間：基板載台14以接近第1供給部40的吹出部43的方式移動而距離A變小。在該區間103，控制部CNT控制流量調整部41，以便隨著距離A變小而從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量減少，並且控制溫度調整部42，以便氣體的加熱量減少。在此，控制部CNT也可以在基板載台14配置在第1供給部40的吹出部43的下方的情況使從第1供給部40向測量光路徑的氣體供給停止。
[第1供給部以及第2供給部的配置例] 接下來，對曝光部10中的第1供給部40以及第2供給部50的配置例進行說明。圖5是示出曝光部10中的第1供給部40以及第2供給部50的配置例的圖。第1供給部40(吹出部43)以及第2供給部50如圖5所示那樣配置在結構體17之下。結構體17是用於在基板載台14配置在最+X方向側時將被保持於基板載台14的基板W覆蓋的部件，例如可以是構成投影光學系統12的一部分的部件。另外，在測量光ML的光軸方向上的第1供給部40(吹出部43)與投影光學系統12之間設有檢測系統18。檢測系統18例如可包括對形成於基板W的標記進行檢測的所謂離軸觀察器。
如上述那樣，本實施方式的曝光裝置100控制第1供給部40的流量調整部41，以便根據基板載台14的位置來變更從第1供給部40向測量光路徑供給的(吹出的)氣體的流量。另外，曝光裝置100可控制第1供給部40的溫度調整部42，以便對因從第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量的變更導致的該氣體的溫度變化進行補償。由此，在曝光裝置100中，可降低因基板載台14與第1供給部40(吹出部43)的距離A的變化導致的測量光路徑中的氣體的波動的變化，能高精度地測量基板載台14的位置。
＜第2實施方式＞ 對本發明所涉及的第2實施方式的曝光裝置進行說明。本實施方式的曝光裝置基本上繼承了第1實施方式的曝光裝置100的構成，但在設有多個第1供給部40這一點上不同。在本實施方式中，在沿著測量光路徑的第1方向上相互不同的測量光路徑中的位置上設有供給氣體的2個第1供給部40a、40b。圖6是示出本實施方式的載台裝置的構成的圖，是示出相對於用於測量基板載台14的位置的測量部20(雷射頭21)的測量光路徑設置第1供給部40a、40b以及第2供給部50的例子的圖。各第1供給部40a、40b的構成如第1實施方式所說明的那樣，可分別包括流量調整部41、溫度調整部42和吹出部43。另外，以下，為了易於理解說明，將圖6中的右側的第1供給部40a稱為“右供給部40a”，將左側的第1供給部40b稱為“左供給部40b”。
接下來，參照圖7對根據基板載台14的位置的右供給部40a、左供給部40b的控制例進行說明。圖7是示出根據基板載台14的位置的右供給部40a、左供給部40b的控制例的圖。圖7的(a)示出了基板載台14與右供給部40a的吹出部43a的距離A、以及基板載台14與左供給部40b的吹出部43b的距離B。另外，圖7的(b)示出了應由右供給部40a的流量調整部41a調整的氣體的流量，圖7的(c)示出了應由左供給部40b的流量調整部41b調整的氣體的流量。
區間104是以下區間：基板載台14(柱面反射鏡24)以離開右供給部40a(吹出部43a)的方式移動而距離A變大，但尚未在左供給部40b(吹出部43b)的下方配置測量光路徑。在該區間104，控制部CNT針對右供給部40a控制流量調整部41a，以便隨著距離A變大而使向測量光路徑供給的氣體的流量增加。另一方面，針對左供給部40b控制流量調整部41b，以便預先使向測量光路徑的氣體供給停止。
區間105是以下區間：在左供給部40b的吹出部43b的下方配置了測量光路徑的狀態下，基板載台14以離開右供給部40a(吹出部43a)以及左供給部40b(吹出部43b)的方式移動而距離A以及距離B變大。在該區間105，右供給部40a承擔氣體供給的測量光路徑(吹出部43a與吹出部43b之間的測量光路徑)的距離不變。因而，控制部CNT針對右供給部40a控制流量調整部41a，以便向測量光路徑供給的氣體的流量恆定。另一方面，針對左供給部40b控制流量調整部41b，以便隨著距離B變大而使向測量光路徑供給的氣體的流量增加。
區間106是保持距離A以及距離B恆定最大的區間。在該區間106，控制部CNT針對右供給部40a以及左供給部40b分別控制流量調整部41a以及流量調整部41b，以便向測量光路徑供給的氣體的流量恆定。
區間107是以下區間：在左供給部40b的吹出部43b的下方配置有測量光路徑的狀態下，基板載台14以接近右供給部40a(吹出部43a)以及左供給部40b(吹出部43b)的方式移動而距離A以及距離B變小。在該區間107，控制部CNT針對右供給部40a控制流量調整部41a，以便向測量光路徑供給的氣體的流量恆定。另一方面，針對左供給部40b控制流量調整部41b，以便隨著距離B變小而使向測量光路徑供給的氣體的流量減少。
區間108是以下區間：在左供給部40b(吹出部43b)的下方未配置測量光路徑的狀態下，基板載台14以接近右供給部40a(吹出部43a)的方式移動而距離A變小。在該區間108，控制部CNT針對右供給部40a控制流量調整部41a，以便隨著距離A變小而使向測量光路徑供給的氣體的流量減少。另一方面，針對左供給部40b控制流量調整部41b，以便預先使向測量光路徑的氣體供給停止。
如上述那樣，即使在設有多個第1供給部40的情況，也根據基板載台14的位置來變更從各第1供給部40向測量光路徑供給的氣體的流量。若這樣設置多個第1供給部40，則即便在基板載台14的移動行程大的情況，也能降低測量光路徑中的氣體的波動的變化，能高精度地測量基板載台14的位置。在此，在本實施方式中，也可以如第1實施方式所說明的那樣，控制各第1供給部40的溫度調整部42，以便對因向測量光路徑供給的氣體的流量的變更導致的該氣體的溫度變化進行補償。
＜第3實施方式＞ 對本發明所涉及的第3實施方式的曝光裝置進行說明。本實施方式的曝光裝置基本上繼承了第1實施方式的曝光裝置100的構成，但在從第1供給部40的吹出部43(吹出口44)吹出氣體的方向相對於測量光ML的光軸方向不垂直這一點上不同。如圖8所示那樣，即便在從吹出部43吹出而形成于測量光路徑的氣體的氣流不與沿著測量光路徑的第1方向(例如-X方向)平行的情況，從吹出部43吹出的氣體也會與基板載台14(柱面反射鏡24)抵碰。具體來講，從吹出部43吹出的氣體的氣流F由與第1方向垂直的分量Fx和與第1方向平行的分量Fy構成。分量Fy與基板載台14抵碰，產生測量光路徑中的氣體的波動的變化。因而，在本實施方式中，也可如第1實施方式所說明的那樣，通過根據基板載台14的位置來控制氣體的流量，使測量光路徑中的氣體的波動的變化降低，能高精度地測量基板載台14的位置。
＜物品製造方法的實施方式＞ 本發明的實施方式所涉及的物品製造方法例如適於製造半導體裝置等微型裝置或具有微細結構的元件等物品。本實施方式的物品製造方法包括：形成程序，對於塗敷於基板的感光劑使用上述的光刻裝置(曝光裝置)而在基板上形成圖案；以及加工程序，對在形成程序形成了圖案的基板進行加工。再者，該製造方法包括其他周知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、光刻膠剝離、切割、貼合、封裝等)。本實施方式的物品製造方法相比以往的方法在物品的性能、品質、生產率、生產成本中的至少一方面有利。
本發明並不限於上述實施方式，在不脫離發明的構思以及範圍的前提下可進行各種變更以及變形。因此，為了公開發明的範圍而附上了申請專利範圍。
10:曝光部 11:照明光學系統 12:投影光學系統 13:遮罩載台 14:基板載台 20:測量部 30:腔室 40:第1供給部 50:第2供給部
[圖1]是曝光裝置的整體概略圖。 [圖2]是示出第1實施方式的載台裝置的構成例的圖。 [圖3]是示出第1供給部的吹出部的構成例的圖。 [圖4]是示出第1實施方式中根據基板載台的位置的第1供給部的控制例的圖。 [圖5]是示出第1供給部以及第2供給部的配置例的圖。 [圖6]是示出第2實施方式的載台裝置的構成的圖。 [圖7]是示出第2實施方式中根據基板載台的位置的第1供給部的控制例的圖。 [圖8]是示出第1供給部的吹出部的變形例的圖。
10:曝光部
11:照明光學系統
11a:光源
12:投影光學系統
13:遮罩載台
13a:遮罩夾具
13b:遮罩驅動機構
14:基板載台
14a:基板夾具
14b:基板驅動機構
15:觀察光學系統
16:定盤
20:測量部
21:雷射頭
22:分光鏡
23:柱面反射鏡
24:柱面反射鏡
25:反射鏡
30:腔室
31a:化學過濾器
31b:加熱器
31c:送風機
31d:溫度控制部
32:過濾箱
33:隔間
34:取入口
35:外氣導入口
36:介面開口部
37:閘板
38:取入口
39:送出口
40:第1供給部
50:第2供給部
100:曝光裝置
M:遮罩
W:基板
CNT:控制部
ML:測量光

Claims (13)

  1. 一種載台裝置，包括：載台，其可移動；測量部，其對前述載台照射光來測量前述載台的位置；供給部，其向前述光的光路徑供給氣體，以便在前述光路徑形成朝向沿著前述光路徑的方向的氣體的氣流；以及控制部，其控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置來變更從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量；前述供給部，包括對向前述光路徑供給的氣體的溫度進行調整的溫度調整部，前述控制部，控制前述溫度調整部，以便根據前述方向上的前述載台的位置來調整從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的溫度。
  2. 如請求項1的載台裝置，其中，前述控制部，控制前述溫度調整部，以便從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量來調整從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的溫度。
  3. 如請求項1的載台裝置，其中，前述供給部具有吹出氣體的吹出部，前述控制部控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置來變更從前述吹出部吹出的氣體的流量。
  4. 如請求項1的載台裝置，其中，前述控制部控制前述供給部，以便前述方向上的前述載台與前述供給部的距離越短則從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量就越少。
  5. 如請求項1的載台裝置，其中，前述控制部控制前述供給部，以便基於由前述測量部獲得的前述載台的位置的測量結果來變更從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量。
  6. 如請求項1的載台裝置，其中，前述控制部控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置而使從前述供給部向前述光路徑的氣體的供給停止。
  7. 如請求項1的載台裝置，其中，前述控制部控制前述溫度調整部，以便對因從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量的變更導致的該氣體的溫度變化進行補償。
  8. 如請求項1的載台裝置，其包括多個前述供給部，該多個前述供給部在前述方向上相互不同的前述光路徑中的位置供給氣體。
  9. 如請求項1的載台裝置，其中，前述載台裝置還包括第2供給部，該第2供給部向前述光路徑供給氣體，以便在前述光路徑形成朝向橫過前述光路徑的方向的氣體的氣流。
  10. 如請求項9的載台裝置，其中，前述第2供給部向前述光路徑之中的比由前述供給部供給氣體的部 分靠前述測量部側的部分供給氣體。
  11. 一種載台裝置，包括：載台，其可移動；測量部，其對前述載台照射光來測量前述載台的位置；供給部，其向前述光的光路徑供給氣體，以便在前述光路徑形成朝向沿著前述光路徑的方向的氣體的氣流；以及控制部，其控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置來變更從前述供給部向前述光路徑供給的氣體的流量；前述控制部，控制前述供給部，以便根據前述方向上的前述載台的位置而使從前述供給部向前述光路徑的氣體的供給停止。
  12. 一種光刻裝置，其為在基板上形成圖案者，前述光刻裝置包括載台裝置，該載台裝置具有可保持前述基板而移動的如請求項1~11中任一項的載台裝置。
  13. 一種物品製造方法，包括：使用如請求項12的光刻裝置在基板上形成圖案的形成程序、和對在前述形成程序中形成有圖案的前述基板進行加工的加工程序，由在前述加工程序被加工的前述基板製造物品。
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