KR20220155189A - 기판 처리장치 및 물품의 제조방법 - Google Patents

기판 처리장치 및 물품의 제조방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리장치는, 기판을 처리하는 기판 처리장치로서, 기판을 유지한 상태에서 이동가능한 이동체와, 빛을 조사함으로써 이동체의 위치를 계측하는 계측부와, 온도조절된 기체를 공급하는 공조기에 연통된 분출부를 갖고, 분출부는, 빛의 광로를 포함하는 이동체가 이동가능한 제1 영역에 기체를 공급하는 제1 분출부와, 상기 제1 영역과 연통하는 제2 영역에 기체를 공급하는 제2 분출부와, 제1 영역과 제2 영역 사이에 기체를 공급하는 제3 분출부를 구비한다.

Description

기판 처리장치 및 물품의 제조방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은, 기판 처리장치 및 물품의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스에 있어서의 집적 밀도의 향상에 따라, 한층 더 패턴의 미세화가 요구되고 있다. 노광장치에서는, 스테이지 등의 이동체의 정밀한 위치결정 성능이 요구되고 있어, 이동체의 위치를 고정밀도로 계측할 필요가 있다. 일반적으로 간섭계나 인코더 등의 계측부에 의해 빛이 조사됨으로써 이동체의 위치가 계측된다. 그러나, 이와 같은 계측부를 사용한 계측에서는 광로 주변의 환경변화에 의해 길이 측정 오차가 생기기 쉬워 고정밀도의 계측을 행하기 위해서는 광로 주변의 환경변화를 제어할 필요가 있다. 일본국 특개 2009-21555호 공보에는, 이동체의 동작에 근거하여 광로를 포함하는 이동체가 이동가능한 공간 영역(이하, 이동 영역) 내부를 온도조절하는 구성이 개시되어 있다.
노광장치에서는, 이동 영역 내의 온도조절과는 별도로 챔버 내의 공간 영역을 온도조절하기 위해, 챔버 상부로부터 기체가 공급된다. 챔버 상부로부터의 기체는, 복수의 유닛을 경유해서 이동체 주변으로 하강하여, 이동 영역 내에 침입하는 경우가 있다. 챔버 상부로부터의 기체의 온도는 이동체 주변에 있어서 공급시의 온도보다 높아지기 때문에, 챔버 상부로부터의 기체가 이동 영역 내에 침입하면 광로의 분위기를 교란하여, 이동체의 위치결정 정밀도가 악화하여 버린다.
일본국 특개 2009-21555호 공보의 구성에서는, 챔버 상부로부터의 기체의 이동 영역 내에의 침입을 억제하는 것은 곤란하다.
본 발명은, 이동체의 위치를 고정밀도로 계측가능한 기판 처리장치 및 물품의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 측면으로서의 기판 처리장치는, 기판을 처리하는 기판 처리장치로서, 기판을 유지한 상태에서 이동가능한 이동체와, 빛을 조사함으로써 이동체의 위치를 계측하는 계측부와, 온도조절된 기체를 공급하는 공조기에 연통된 분출부를 갖고, 분출부는, 빛의 광로를 포함하는 이동체가 이동가능한 제1 영역에 기체를 공급하는 제1 분출부와, 제1 영역과 연통하는 제2 영역에 기체를 공급하는 제2 분출부와, 제1 영역과 제2 영역 사이에 기체를 공급하는 제3 분출부를 구비한 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징은 첨부도면을 참조하는 이하의 실시형태의 설명으로부터 명백해질 것이다.
도1은 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치의 일례인 노광장치의 구성을 도시한 도면이다.
도2는 노광장치의 온도조절에 관한 구성을 도시한 도면이다.
도3은 제1실시형태의 노광장치의 개략도다.
도4는 제2실시형태의 노광장치의 개략도다.
도5는 반도체 디바이스의 제조 프로세스를 나타낸 플로우차트다.
도6은 웨이퍼 프로세스를 나타낸 플로우차트다.
이하, 본 발명의 실시예에 대해, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 각 도면에 있어서, 동일한 부재에 대해서는 동일한 참조번호를 붙이고, 중복하는 설명은 생략한다.
도1은, 본 발명의 실시형태에 따른 기판 처리장치의 일례인 노광장치(10)의 구성을 도시한 도면이다. 본 실시형태에서는, 기판 처리장치의 일례로서, 기판을 노광해서 기판 위에 패턴을 형성하는 노광장치(10)에 대해 설명하지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 예를 들면, 몰드를 사용해서 기판 위에 임플린트재의 패턴을 형성하는 임플린트 장치나, 하전 입자선(전자선)을 기판에 조사해서 해당 기판에 패턴을 형성하는 묘화장치 등의 기판 처리장치에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 감광 매체를 기판의 표면 위에 도포하는 도포 장치나, 패턴이 전사된 감광 매체를 현상하는 현상장치 등의 기판 처리장치에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 성막장치(CVD장치 등), 가공장치(레이저 가공장치 등), 검사장치(오버레이 검사장치 등), 및 계측장치(마크 계측 장치 등) 등의 기판 처리장치에 있어서도 본 발명을 적용할 수 있다.
노광장치(10)는, 투영 광학계(14)를 거쳐 기판 W에 마스크 M의 패턴의 상을 투영해서 기판 W를 노광하는 노광장치로서, 반도체 집적회로 등의 반도체 디바이스, 및 마이크로머신이나 박막 자기헤드 등의 미세한 패턴이 형성된 디바이스의 제조에 이용된다. 또한, 노광장치(10)는, 본 실시형태에서는 스텝·앤드·리피트 방식을 채용하는 스텝퍼로서 설명하지만, 스텝 앤드 스캔 방식을 채용하는 스캐너이어도 된다. 여기에서, 투영 광학계(14)의 광축에 평행한 방향을 Z축 방향으로 하고, Z축 방향에 수직한 평면 내에서 서로 직교하는 2방향을 X축 방향 및 Y축 방향으로 한다.
또한, 노광장치(10)는, 광원(11)과, 조명 광학계(12)와, 마스크 스테이지(13)와, 투영 광학계(14)와, 기판 스테이지(이동체)(15)와, 주 제어부(16)를 갖는다. 또한, 노광장치(10)는, 마스크 스테이지(13)를 구동하는 제1 구동부(21)와, 투영 광학계(14)의 광학 소자(14a)를 구동하는 제2 구동부(22)와, 기판 스테이지(15)를 구동하는 제3 구동부(51)를 갖는다. 제1 구동부(21), 제2 구동부(22), 및 제3 구동부(51)는, 기판 W에 패턴을 형성하는 처리의 적어도 일부를 행하는 기구로서, 마스크 스테이지 제어부(31), 투영 제어부(32) 및 기판 스테이지 제어부(41)에 의해 각각 제어된다. 또한, 주 제어부(16)는, 예를 들면, CPU(처리부)와 기억장치 등을 갖고, 마스크 스테이지 제어부(31), 투영 제어부(32), 및 기판 스테이지 제어부(41)를 제어함으로써, 노광장치(10)의 전체(노광장치(10)의 각 부)를 제어한다.
광원(11)은, 노광 광을 출사한다. 조명 광학계(12)는, 광원(11)으로부터 출사된 빛을 사용해서 마스크 M을 조명한다. 마스크 스테이지(13)는, 마스크 M을 유지하는 동시에, 제1 구동부(21)에 의해, 예를 들면, 투영 광학계(14)의 광축에 직교하는 평면 내, 즉 XY 평면 내에서 이동가능하게 구성될 수 있다. 투영 광학계(14)는, 조명 광학계(12)에 의해 조명된 마스크 M의 패턴 상을 기판 W 위에 투영한다. 투영 광학계(14)는, 제2 구동부(22)에 의해 예를 들면 X축 방향으로 이동가능한 광학 소자(14a)를 포함한다. 기판 스테이지(15)는, 기판 W를 유지한 상태에서, 제3 구동부(51)에 의해 예를 들면 XY 평면 내에서 이동 가능 및 Z축 주위로 회전가능하게 구성될 수 있다.
도2는, 노광장치(10)의 온도조절에 관한 구성을 도시한 도면이다. 도2에서는, 설명을 간단하게 하기 위해, 온도조절에 불필요한 부재에 대해서는 생략하고 있다. 노광장치(10)는, 본체부(101), 온도조절부(102), 및 주 제어부(16)를 갖는다. 본체부(101)는, 마스크 스테이지(13), 투영 광학계(14), 기판 스테이지(15), 제3 구동부(51), 및 간섭계(116)(계측부)를 구비한다. 간섭계(116)는, 예를 들면, 레이저 간섭계이며, 기판 스테이지(15)에 배치된 미러(미도시)에 빛을 조사함으로써, 기판 스테이지(15)의 위치를 계측한다. 여기에서, 노광장치(10)는, 기판 스테이지(15)에 배치된 스케일(미도시)에 빛을 조사함으로써 기판 스테이지(15)의 위치를 계측하는 인코더(계측부)를 가져도 된다. 온도조절부(102)는, 후술하는 분출부, 챔버(118), 외기 흡입구(120), 베이스 가열기(130), 열교환기(131), 팬(132), 온도 조정기(133), 및 온도 센서(134)를 구비한다. 베이스 가열기(130), 열교환기(131), 팬(132), 온도 조정기(133), 및 온도 센서(134)에 의해, 온도조절된 기체를 공급하는 공조기가 구성된다.
챔버(118)의 유출구(회수구)(119)로부터 배출되는 기체 및 외기 흡입구(120)로부터 받아들이는 기체는, 베이스 가열기(130)에서 가열되고, 냉각기(미도시)에 의해 냉각된 냉매 가스와 열교환기(131)에서 열교환을 행하여 냉각되어, 팬(132)에 흡입된다. 온도 조정기(133)는, 팬(132)에 흡입된 기체의 온도를, 온도 센서(134)의 측정 결과에 근거해서 소정의 온도로 제어한다. 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)는, 공조기에 연통하고, 각각이 공조기에 의해 온도조절된 기체를 본체부(101) 및 챔버(118)에 공급한다. 또한, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)는, 기체를 분출하기 위한 1개 또는 복수의 분출구를 갖는다.
간섭계(116)는, 광로(117) 상의 온도 격차의 영향을 받기 쉽다. 제1 분출부(135)는, 광로(117)의 주변의 온도를 제어하기 위해, 광로(117)를 포함하는 기판 스테이지(15)가 이동가능한 공간 영역(본체부(101)의 내부의 공간 영역)에 기체를 공급한다. 또한, 제2 분출부(136)는, 챔버(118)의 내부의 공간 영역을 온도조절하기 위해, 챔버(118)의 내부의 공간 영역 중 본체부(101)의 내부의 공간 영역을 제외한 공간 영역에 기체를 공급한다. 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급된 기체는, 챔버(118)의 아래쪽으로 흘러, 유출구(119)로부터 배출된다. 이에 따라, 본체부(101) 및 챔버(118)의 발열원의 열이 제거, 회수된다.
주 제어부(16)는, 간섭계(116)로부터 취득한 현재의 기판 스테이지(15)의 위치와 기판 스테이지(15)의 목표 위치의 편차에 근거하여, 기판 스테이지(15)를 목표 위치로 구동하기 위한 전류 지령값을 기판 스테이지 제어부(41)에 출력한다. 기판 스테이지 제어부(41)는, 주 제어부(16)로부터의 전류 지령값에 따른 전류를 제3 구동부(51)에 공급하여, 기판 스테이지(15)를 구동한다.
[제1실시형태]
도3은, 본 실시형태의 노광장치(10)의 개략도다. 이때, 동일한 참조부호에 알파벳을 붙인 것은, 알파벳이 없는 참조부호로 총괄되는 것으로 한다.
제1 분출부(135)는, 간섭계(116A, 116B)의 각각의 광로(117A, 117B)를 포함하는 기판 스테이지(15)가 이동가능한 공간 영역(제1 영역)에 기체를 공급한다. 이에 따라, 제1 영역의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 즉, 제1 영역은, 제1 분출부(135)에 의해 온도조절되고 있다.
또한, 제2 분출부(136)는, 챔버(118)의 내부의 공간 영역 중 본체부(101)의 내부의 공간 영역을 제외한 공간 영역(제2 영역)에 기체를 공급한다. 이에 따라, 기판 스테이지(15)가 제2 영역의 온도를 일정하게 유지할 수 있다. 즉, 제2 영역은, 제2 분출부(136)에 의해 온도조절되고 있다.
본체부(101)에는, 투영 광학계(14) 등의 구조물을 지지하기 위한 지주(101A, 101B, 101C)가 배치되어 있다. 기판 스테이지(15)가 이동가능한 공간 영역(제1 영역)은, 지주 101A, 101B의 사이, 및 지주 101A, 101C의 사이의 공간을 거쳐, 제2 분출부(136)에 의해 온도조절되고 있는 공간 영역(제2 영역)과 연통하고 있다. 그 때문에, 제1 분출부(135)에 의해 온도조절되고 있는 공간 영역(제1 영역)에 제2 분출부(136)로부터의 기체가 유입해 버린다.
따라서, 본 실시형태에서는, 공조기에 연통하고, 제1 영역과 제2 영역 사이에 공조기에 의해 온도조절된 기체를 공급하는 제3 분출부(137)가 설치되어 있다. 제3 분출부(137)는, 공조기에 연통하고, 공조기에 의해 온도조절된 기체를 제1 영역과 제2 영역 사이에 공급한다. 또한, 제3 분출부(137)는, 기체를 분출하기 위한 1개 또는 복수의 분출구를 갖는다. 제3 분출부(137)가 기체를 공급함으로써, 제1 영역과 제2 영역 사이에 기체층이 형성되어, 제1 영역으로의 제2 분출부(136)로부터의 기체의 유입을 억제가능하다.
제1 영역과 제2 영역 사이에 차폐부재를 배치해도 제1 영역으로의 제2 분출부(136)로부터의 기체의 유입을 억제가능하지만, 본체부(101) 내에의 액세스성이 악화하여 버린다. 한편, 본 실시형태에서는, 물리적인 부재가 아니라, 제3 분출부(137)로부터 공급된 기체를 사용해서 제1 영역에의 제2 분출부(136)로부터의 기체의 유입을 억제하기 때문에, 본체부(101) 내에의 액세스성을 악화시키는 일은 없다.
또한, 본 실시형태에서는, 제3 분출부(137)는, 제1 분출부(135)에 인접해서 배치되어 있다. 그 때문에, 차폐부재를 배치하는 경우에 비해, 노광장치(10)의 대형화를 억제가능하다.
본 실시형태에서는, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속보다도 빠르지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속에 대해 속도차를 갖고 있으면 된다. 단, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속이 상기 제1 분출부(135) 또는 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속보다도 느린 경우, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은 소정의 속도 이상인 것이 바람직하다.
제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체는, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체와 마찬가지로, 유출구(119)에 의해 회수된다.
이때, 본 실시형태에서는, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 방향은, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 방향과 다르지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 방향은, 제1 분출부(135) 또는 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 방향과 같아도 된다.
[제2실시형태]
도4는, 본 실시형태의 노광장치(10)의 개략도다. 본 실시형태에서는, 제1 실시형태와의 차이(제3 분출부(137)의 구성)에 대해서만 설명한다.
본 실시형태에서는, 제3 분출부(137)는, 본체부(101)의 상부의 양 측면에 배치되어 있다. 제3 분출부(137)는, 지주 101A와 지주 101B, 101C의 적어도 한쪽의 사이를 차폐하도록 본체부(101)의 상부로부터 하부에 기체를 공급한다. 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체는, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)와 마찬가지로 공조기에 의해 온도조절되고 있다.
본 실시형태에서는, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속보다도 빠르지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않는다. 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은, 제1 분출부(135) 및 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속에 대해 속도차를 갖고 있으면 된다. 단, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속이 상기 제1 분출부(135)또는 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 유속보다도 느린 경우, 제3 분출부(137)로부터 공급되는 기체의 유속은 소정의 속도 이상인 것이 바람직하다.
또한, 본 실시형태에서는 제3 분출부(137)로부터 공급된 기체의 방향은, 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 방향과 같지만, 제2 분출부(136)로부터 공급되는 기체의 방향과 달라도 된다.
[기타 실시형태]
본 발명의 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세 구조를 갖는 소자나 플랫 패널 디스플레이 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 전술한 기판 처리장치를 사용해서 기판을 처리하는 공정과, 이 공정에서 처리된 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 포함한다. 또한, 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 주지의 공정(노광, 산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품의 제조방법은, 종래의 방법에 비해, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트의 적어도 1개에 있어서 유리하다.
이하, 물품의 일례인 반도체 디바이스의 구체적인 제조방법에 대해 설명한다.
도5는, 반도체 디바이스의 전체적인 제조의 플로우를 나타낸다. 스텝 S01(회로 설계)에서는 반도체 디바이스의 패턴 설계를 행한다. 스텝 S02(마스크 제작)에서는 설계한 패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 한편, 스텝 S03(웨이퍼 제조)에서는 실리콘 등의 재료를 사용해서 웨이퍼를 제조한다. 스텝 S04(웨이퍼 프로세스)는 전공정으로 불리고, 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여, 리소그래피 기술에 의해 웨이퍼 위에 실제의 회로를 형성한다. 스텝 S05(조립)는 후공정으로 불리고, 스텝 S04에 의해 제작된 웨이퍼를 사용해서 반도체칩화하는 공정이며, 어셈블리 공정(다이싱, 본딩), 패키징 공정(칩 봉입) 등의 조립공정을 포함한다. 스텝 S06(검사)에서는 스텝 S05에서 제작된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거쳐 반도체 디바이스가 완성되고, 이것을 출하(스텝 S07)한다. 전공정과 후공정은 각각 전용의 다른 공장에서 행하고, 이들 공장마다 원격 보수 시스템에 의해 보수가 행해진다. 또한, 전공정 공장과 후공정 공장 사이에서도, 인터넷 또는 전용선 네트워크를 거쳐 생산관리와 장치 보수를 위한 정보가 데이터 통신된다.
도6은, 상기 웨이퍼 프로세스의 상세한 플로우를 나타낸다. 스텝 S11(산화)에서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 스텝 S12(CVD)에서는 웨이퍼 표면에 절연막을 막형성한다. 스텝 S13(전극 형성)에서는 웨이퍼 위에 전극을 증착에 의해 형성한다. 스텝 S14(이온 주입)에서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 스텝 S15(레지스트 처리)에서는 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 스텝 S16(노광)에서는 노광장치에 의해 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 인화노광한다. 스텝 S17(현상)에서는 노광한 웨이퍼를 현상한다. 스텝 S18(에칭)에서는 현상한 레지스트 상 이외의 부분을 깎아낸다. 스텝 S19(레지스트 박리)에서는 에칭이 끝나 불필요하게 된 레지스트를 제거한다. 이들 스텝을 반복하여 행함으로써, 웨이퍼 위에 다중으로 회로 패턴을 형성한다. 각 공정에서 사용하는 제조기기는 상기 설명한 원격 보수 시스템에 의해 보수가 행해지고 있으므로, 트러블을 미연에 방지하는 동시에, 만약 트러블이 발생해도 신속한 복구가 가능해서, 종래에 비해 반도체 디바이스의 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기 실시예에 따르면, 이동체의 위치를 고정밀도로 계측가능한 기판 처리장치 및 물품의 제조방법을 제공할 수 있다.
이상, 본 발명의 바람직한 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이들 실시형태에 한정되지 않고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (8)

  1. 기판을 처리하는 기판 처리장치로서,
    상기 기판을 유지한 상태에서 이동가능한 이동체와,
    빛을 조사함으로써 상기 이동체의 위치를 계측하는 계측부와,
    온도조절된 기체를 공급하는 공조기에 연통된 분출부를 갖고,
    상기 분출부는,
    상기 빛의 광로를 포함하는 상기 이동체가 이동가능한 제1 영역에 상기 기체를 공급하는 제1 분출부와,
    상기 제1 영역과 연통하는 제2 영역에 상기 기체를 공급하는 제2 분출부와,
    상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이에 상기 기체를 공급하는 제3 분출부를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 분출부로부터 공급되는 상기 기체의 유속은, 상기 제1 분출부로부터 공급되는 기체의 유속에 대해 속도차를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 분출부로부터 공급되는 상기 기체의 유속은, 상기 제2 분출부로부터 공급되는 상기 기체의 유속에 대해 속도차를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 분출부로부터 공급되는 상기 기체를 회수하는 회수구를 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 온도조절된 기체를 공급하는 공조기를 더 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제3 분출부는, 상기 제1 분출부에 인접해서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리장치는 노광장치인 것을 특징으로 하는 기판 처리장치.
  8. 청구항 1 내지 6 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리장치를 사용해서 기판을 처리하는 공정과,
    처리된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조방법.
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