TW202318106A - 用於微影設備中光罩熱調節之系統、方法、及裝置 - Google Patents

Abstract

本文中之實施例描述用於一微影設備處之圖案化裝置之熱調節的系統、方法及裝置。描述一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統，該冷卻系統包括：一熱調節器，其熱調節該圖案化裝置；及一控制器，其控制該熱調節器以判定該圖案化裝置之一溫度狀態，判定該微影設備之一生產狀態且基於該微影設備之該溫度狀態及一生產狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。

Description

用於微影設備中光罩熱調節之系統、方法、及裝置

本公開係關於用於微影設備中之熱調節及光罩冷卻的系統、方法及裝置。

微影設備為將所要圖案施加至基板上，通常施加至基板之目標部分上的機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)製造中。在彼情況下，替代地被稱作遮罩或光罩之圖案化裝置可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可經轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一個或若干晶粒之部分)上。通常經由成像至設置於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單個基板將含有經順次地圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來輻照各目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向同步地掃描目標部分來輻照各目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉印至基板。

為了將圖案投影於基板上，微影設備可使用電磁輻射。此輻射之波長判定可形成於基板上之特徵之最小大小。微影設備可使用具有在4至20 nm (例如，6.7 nm或13.5 nm)之範圍內之波長的極紫外線(EUV)輻射，或具有在約120至約400 nm (例如，193或248 nm)之範圍內之波長的深紫外線(DUV)輻射。

在DUV微影中，輻射光束可能會在光罩中引起熱回應。特定而言，光罩可自DUV輻射光束吸收大量熱能，此可使光罩變熱及膨脹。其他源，諸如整個光罩處置器及光罩載物台模組中之各種機電整合裝置，亦可促進光罩變熱。導致光罩之不均勻熱剖面的光罩變熱可為微影系統中之影像失真及疊對誤差的主要原因。因此，光罩冷卻方法可用以防止變形及疊對問題。在一些狀況下，利用定製噴嘴及出氣口之熱調節系統可實施於圖案化設備中，以在光罩及支撐結構之表面附近提供氣流用於光罩冷卻。然而，用於冷卻及控制光罩溫度之此類系統及方法可能需要定製部件及額外硬體，此會導致高成本及系統複雜度提高。

因此，需要降低DUV微影中之光罩冷卻及熱調節之複雜度的低成本解決方案。因此，本公開提供用於在微影設備中之圖案化裝置處置設備及支撐結構處之光罩熱調節的系統、方法及裝置。

在一些實施例中，描述一種用於熱調節微影設備之圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統。該冷卻系統包括經組態以熱調節圖案化裝置之熱調節器。該冷卻系統亦包括控制器，該控制器控制熱調節器以判定圖案化裝置之溫度狀態，判定微影設備之生產狀態且基於溫度狀態及生產狀態而熱調節圖案化裝置以用於曝光。

在一些實施例中，描述一種用於熱調節微影設備之圖案化裝置的方法。該方法包括：判定圖案化裝置之溫度狀態；判定微影設備之生產狀態；及藉由調節裝置基於溫度狀態及生產狀態而熱調節圖案化裝置以用於曝光。

下文參看隨附圖式詳細地描述本公開之其他特徵以及本公開之各種實施例的結構及操作。應注意，本公開不限於本文中所描述之特定實施例。本文中僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含的教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。

本說明書揭示併有本公開之特徵的一或多個實施例。所揭示實施例僅例示本公開。本公開之範圍不限於所揭示實施例。本公開係由附於此的申請專利範圍界定。

所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「一實施例」、「一實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括一特定特徵、結構或特性，但各實施例可能未必包括該特定特徵、結構或特性。此外，此類片語未必指同一實施例。另外，當結合一實施例來描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否明確地描述，結合其他實施例實現此特徵、結構或特性為熟習此項技術者所瞭解。

為易於描述，可在本文中使用諸如「在……之下」、「在……下方」、「下部」、「在……上方」、「在……上」、「上部」及其類似者的空間相對術語來描述如諸圖中所示出之一個元件或特徵與另一(些)元件或特徵的關係。除諸圖中所描繪的定向之外，空間相對術語意欲亦涵蓋裝置在使用或操作中的不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)且本文中所使用之空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。

如本文中所使用之術語「約」指示可基於特定技術而變化之給定數量的值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化的給定數量之值。

本公開之實施例可以硬體、韌體、軟體或其任何組合進行實施。本公開之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何媒體。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外線信號、數位信號等)及其他者。另外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為執行某些動作。然而，應瞭解，此等描述僅出於方便起見，且此等動作實際上由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等的其他裝置引起。

然而，在更詳細地描述此類實施例之前，有指導性的係呈現可供實施本公開之實施例的實例環境。

實例微影系統

圖1A及圖1B分別為可供實施本公開之實施例的微影設備100及微影設備100'之示意性圖示。微影設備100及微影設備100'各自包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線(DUV)輻射光束或極紫外線(EUV)輻射光束)；支撐結構(例如，遮罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，遮罩、光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100及100'亦具有投影系統PS，該投影系統經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射式的。在微影設備100'中，圖案化裝置MA及投影系統PS為透射式的。

照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100及100'中之至少一者之設計及諸如圖案化裝置MA是否固持於真空環境中之其他條件的方式固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為框架或台，例如其可視需要固定或可移動。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置處。

術語「圖案化裝置」 MA應被廣泛地解譯為係指可用以在輻射光束B之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。被賦予至輻射光束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之裝置中的特定功能層。

圖案化裝置MA可為透射式的(如在圖1B之微影設備100'中)或反射式的(如在圖1A之微影設備100中)。圖案化裝置MA之實例包括光罩、遮罩、可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板。遮罩可包括諸如二元、交替相移或衰減式相移之遮罩類型，以及各種混合遮罩類型。在一個實例中，可程式化鏡面陣列可包括小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面之矩陣反射的輻射光束B中賦予圖案。

術語「投影系統」 PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統，或其任何組合。真空環境可用於EUV或電子束輻射，此係因為其他氣體可吸收過多輻射或電子。可因此藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。

微影設備100及/或微影設備100'可屬於具有兩個(雙載物台)或多於兩個基板台WT (及/或兩個或多於兩個遮罩台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可對一或多個台進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些態樣中，額外台可能不為基板台WT。

參看圖1A及圖1B，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束B。源SO及微影設備100、100'可為分開的物理實體，例如當源SO為準分子雷射時。在此類狀況下，不認為源SO形成微影設備100或100'之部分，且輻射光束B係藉助於包括例如合適的導向鏡面及/或擴束器之光束遞送系統BD (在圖1B中)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如在源SO為水銀燈時，源SO可為微影設備100、100'之整體部分。必要時，源SO及照射器IL連同光束遞送系統BD可被稱作輻射系統。

照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈的調整器AD (在圖1B中)。通常，可調整照明器之光瞳平面中的強度分佈之至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作「σ外部」及「σ內部」)。此外，照明器IL可包含各種其他組件(在圖1B中)，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL可用以調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均勻性及強度分佈。

參看圖1A，在操作中，輻射光束B入射於固持在支撐結構(例如，遮罩台) MT上之圖案化裝置(例如，遮罩) MA上，且由圖案化裝置MA進行圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化裝置(例如，遮罩) MA反射之後，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，該投影系統將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位圖案化裝置(例如，遮罩) MA。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，遮罩) MA與基板W。

參看圖1B，輻射光束B入射於固持在支撐結構MT (例如，遮罩台)上之圖案化裝置(例如，遮罩MA)上，且由圖案化裝置進行圖案化。在已橫穿遮罩MA的情況下，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。投影系統具有與照明系統光瞳IPU之光瞳共軛物PPU。輻射之部分自照明系統瞳IPU處之強度分佈發散且橫穿遮罩圖案而不受遮罩圖案處的繞射影響，且產生照明系統光瞳IPU處之強度分佈的影像。

藉助於第二定位器PW及位置感測器IF (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。類似地，第一定位器PM及另一位置感測器(圖1B中未展示)可用以相對於輻射光束B之路徑準確地定位遮罩MA (例如，在自遮罩庫之機械擷取之後或在掃描期間)。

一般而言，可藉助於形成第一定位器PM之部分的一長衝程模組(粗略定位)及一短衝程模組(精細定位)來實現支撐結構MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之部分的一長衝程模組及一短衝程模組來實現基板台WT之移動。在一步進器之狀況下(相對於一掃描器)，支撐結構MT可僅連接至一短衝程致動器，或可固定。可使用遮罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準遮罩MA與基板W。儘管基板對準標記(如所示出)佔據專用目標部分，但該等標記可位於目標部分之間的空間(被稱為切割道對準標記)中。類似地，在多於一個晶粒設置於遮罩MA上之情形中，遮罩對準標記可位於該等晶粒之間。

支撐結構MT及圖案化裝置MA可處於真空腔室V中，其中一真空內機器人IVR可用以將諸如遮罩之圖案化裝置移入及移出真空腔室。替代地，當支撐結構MT及圖案化裝置MA在真空腔室外部時，類似於真空內機器人IVR，一真空外機器人可用於各種輸送操作。需要校準真空內機器人及真空外機器人兩者以用於任何有效負載(例如，遮罩)至傳送站之固定運動安裝台的平滑傳送。

微影設備100及100'可用於以下模式中之至少一者中：

1. 在步進模式下，使支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT保持基本上靜止，同時將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)。接著，基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。

2. 在掃描模式下，同步地掃描支撐結構(例如，遮罩台) MT及基板台WT，同時將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來決定基板台WT相對於支撐結構(例如，遮罩台) MT之速度及方向。

3. 在另一模式下，固持可程式化圖案化裝置之支撐結構(例如，遮罩台) MT保持實質上靜止且在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時移動或掃描基板台WT。可使用一脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之每次移動之後或在掃描期間之順次輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用一可程式化圖案化裝置(諸如，一可程式化鏡面陣列)之無遮罩微影。

亦可使用所描述之使用模式的組合及/或變化或完全不同的使用模式。

在另一實施例中，微影設備100'包括經組態以產生用於DUV微影之DUV輻射光束的深紫外線(DUV)源。一般而言，DUV源經組態於輻射系統中，且對應照明系統經組態以調節DUV源之DUV輻射光束。

光罩處置設備之例示性實施例

一些微影設備包括交換圖案化裝置之圖案化裝置處置設備。為了將圖案化裝置裝載於微影設備之圖案化裝置支援件上，圖案化裝置處置設備之夾緊裝置例如藉由使用真空吸力與圖案化裝置耦接。接著，圖案化裝置處置設備將圖案化裝置移向圖案化裝置支撐件(例如，藉由繞轉台旋轉)以裝載圖案化裝置。

圖2描繪根據本公開之實施例的物件支撐件200及與圖案化裝置202耦接之物件處置設備的夾緊裝置210之透視圖。在一些實施例中，圖案化裝置202可為供用於微影設備中之圖案化裝置，例如遮罩或光罩，或用於與微影設備一起使用之基板(例如，晶圓)。在一些實施例中，物件支撐件200可為圖案化裝置支撐件、遮罩台或光罩載物台，或可為基板支撐件，例如晶圓台。在一些實施例中，夾緊裝置210可包含機器人臂，該機器人臂使用真空吸力來拾取光罩且將其定位於物件支撐件200之光罩載物台區域中。夾緊裝置210可包含一或多個真空單元212，該一或多個真空單元產生真空吸力以將光罩耦接至物件處置設備。

在一些實施例中，圖案化裝置支撐件200可包括可定位圖案化裝置202之圖案化區域203 (例如，光罩區域)。在一些實施例中，圖案化裝置支撐件200可包括經組態以沿著平面或在平面外移動圖案化裝置202 (例如，平移)的可移動組件204。舉例而言，如圖2及圖3中所示出，圖案化裝置202可沿著由x軸及y軸界定之平面(X-Y平面)平移。可移動組件204可沿著實質上平行於圖案化裝置202平移所在之平面的平面相對於第二組件(圖中未示)移動。在一些實施例中，第二組件可相對於例如框架或平衡質量塊(圖中未示)之參考物移動。

在一些實施例中，可移動組件204為短衝程組件，且第二組件(圖中未示)為長衝程組件。長衝程致動器(圖中未示)相對於參考物移動第二可移動組件。一或多個短衝程致動器(圖中未示)可相對於第二可移動組件移動可移動組件204。通常，短衝程致動器以相對較高的準確度相對於第二可移動組件定位可移動組件204。短衝程致動器具有有限的工作範圍。通常，長衝程致動器具有大工作範圍，例如圖案化裝置支撐件200之整個工作空間。長衝程致動器以相對較低的準確度定位第二可移動組件。在操作中，長衝程致動器及第二可移動組件將圖案化裝置202移動至在短衝程致動器之可工作範圍內的位置，其包括圖案化裝置202之所要位置。接著，短衝程致動器及可移動組件204將圖案化裝置202移動至所要位置。在一些實施例中，第一可移動組件204及第二組件可具有任何合適形狀。

在一些實施例中，圖案化裝置支撐件200可包括經組態以選擇性地且牢固地將圖案化裝置202耦接至可移動組件204之一或多個夾持界面。如圖2中所展示，例如，圖案化裝置支撐件200可包括第一夾持界面206a及第二夾持界面206b。各夾持界面206a及206b可經組態以選擇性地且實質上與圖案化裝置202耦接，以防止圖案化裝置202相對於可移動組件204之移動。

在一些實施例中，夾持界面206a及206b可包含真空墊。在一些實施例中，夾持界面206a及206b之真空墊可經組態以使得將由夾持界面206a或206b中之一者產生的真空力選擇性地減小或設定為等於約大氣壓，而由另一夾持界面206a或206b產生之真空力維持在大氣壓以上。

在一些實施例中，各夾持界面，例如夾持界面206a及206b，可與真空產生器流體連通，例如能夠在各夾持界面處產生負壓之任何合適裝置。在一些實施例中，夾持界面206a及206b可為產生例如洩漏真空密封之膜，該洩漏真空密封將圖案化裝置202牢固地耦接至可移動組件204。在此類膜實施例中，夾持界面206a及206b可包含一或多個開口，該一或多個開口用於允許流體流過以產生真空力，該真空力將圖案化裝置202拉向夾持界面206a及206b，從而將圖案化裝置202耦接至可移動組件204。真空力在圖案化裝置202與夾持界面206a及206b之間產生摩擦。此摩擦可防止圖案化裝置202之內部應力在夾緊裝置210釋放圖案化裝置202之後被部分地或完全解除。

在一些實施例中，將圖案化裝置202自圖案化裝置處置設備(圖2中未展示)之夾緊裝置210傳送或交換至圖案化裝置支撐件200且耦接至可移動組件204以供操作使用。在一些實施例中，圖案化裝置處置設備為轉台型處置設備。

在一些實施例中，當裝置處置設備將圖案化裝置202移動至接近圖案化裝置支撐件200時，夾緊裝置210將圖案化裝置202耦接至圖案化裝置處置設備(圖中未示)。圖案化裝置202可配置在與圖案化裝置支撐件200之夾持界面206a及206b的表面相距一距離處。在一些實施例中，圖案化裝置202可與夾緊裝置210解耦。舉例而言，可完全釋放由夾緊裝置210之真空單元212產生的真空以將圖案化裝置202解耦，且夾緊裝置210可移出與圖案化裝置202之接觸。

圖案化裝置202可選擇性地且牢固地耦接至圖案化裝置支撐件200。舉例而言，可例如藉由產生真空來啟動夾持界面206a及206b，該真空將圖案化裝置202耦接至圖案化裝置支撐件200之可移動組件204，從而實質上防止圖案化裝置202相對於可移動組件204之移動。

應瞭解，可使圖案化裝置在輻射(例如，DUV輻射及/或EUV輻射)期間變熱及膨脹。圖案化裝置之此變熱及膨脹可引起最終導致疊對誤差之變形。圖3描繪根據本公開之實施例的圖2之圖案化裝置支撐件的透視圖，其示出圖案化裝置溫度偏移之影響。根據一些實施例，圖案化裝置支撐件300可包括圖案化裝置202、夾持界面206a及206b，以及可移動組件204。根據一些實施例，圖案化裝置202可被曝光(例如，用DUV或EUV光312輻照)，藉此使圖案化裝置202之溫度316a以及圍繞其的周圍環境溫度316b升高。應瞭解，周圍環境溫度改變可歸因於當圖案化裝置202及透鏡314被DUV或EUV光312輻照時圖案化裝置202之曝光。根據一些實施例，圖案化裝置202之溫度改變可影響疊對且降低準確度。此等可包括環繞圖案化裝置202之空氣的折射率之局部改變，藉此使曝光影像失真。又，此等可包括圖案化裝置202之實體失真，從而引起不均勻的熱剖面且引起失真及疊對誤差。

圖4示出根據本公開之實施例的圖案化裝置裝載序列及溫度偏移源。根據一些實施例，圖4示出微影設備內之組件之間的裝載序列400。此等組件可包括裝載埠402a及402b、傳送機器人404、調節裝置406、檢測設備408、傳送轉台410及光罩載物台412。根據一些實例，微影設備及/或微影設備之控制器可執行以下序列。應瞭解，以下裝載/調節序列僅為一個非限制性實例，且亦可執行其他序列。

根據一些實施例，微影設備可偵測圖案化裝置在裝載埠402a中之存在。偵測可屬於一或多個艙(pod)中之單個圖案化裝置或複數個圖案化裝置。根據一個實例，傳送機器人404可經組態以將圖案化裝置輸送至裝載埠402a/402b/自裝載埠輸送(步驟1及14)，輸送至調節裝置406/自調節裝置輸送圖案化裝置(步驟2、3、6、7、12、13)，輸送至檢測設備408/自檢測設備輸送(步驟4、5)，且輸送至傳送轉台410/自傳送轉台輸送(步驟8、11)。根據一些實施例，傳送轉台410可為傳送機器人404之部分。根據一些實施例，裝載序列可如下進行：作為初始步驟，可將圖案化裝置202傳送至調節裝置406。此使得微影設備能夠設定調節基線，此係因為圖案化裝置之起始條件可能最初未知。此後，可在圖案化曝光之前將圖案化裝置202傳送至檢測設備408以供檢測。應瞭解，圖案化裝置之溫度可能會由於傳送及檢測而經受改變。舉例而言，傳送機器人404可使圖案化裝置溫度在傳送期間升高，且類似地，由於檢測操作，檢測設備408可使圖案化裝置溫度升高。根據一個實施例，傳送機器人404可經組態以將圖案化裝置202傳回至調節設備406以將圖案化裝置調節(例如，將圖案化裝置冷卻)至所要溫度。應瞭解，所要溫度可取決於圖案化裝置之組成而變化。根據一些實施例，圖案化裝置之所要標稱溫度可為大約22℃。應瞭解，所要/標稱溫度可在範圍內且取決於與圖案化裝置自身相關之因素(例如，材料組成等)。下文將關於圖5進一步描述調節操作。

根據一些實施例，傳送機器人404可經組態以將經調節圖案化裝置(例如，圖案化裝置202)傳送至光罩載物台412及自光罩載物台傳送，以用於圖案化曝光(例如，步驟8、9、10、11)。在曝光之後，圖案化裝置202可返回至調節裝置406以供進一步調節。

根據一些實施例，調節裝置406可基於圖案化裝置之調節狀態、微影設備之裝載序列及微影設備之生產狀態而優先化調節操作。根據一些實施例，圖案化裝置之調節狀態可包括未經調節狀態、被動調節狀態、主動調節狀態、經調節狀態及非調節狀態。根據一些實施例，被動調節狀態為在圖案化裝置當前處於調節裝置之被動調節槽中時的狀態。根據一些實施例，主動調節狀態為在圖案化裝置處於調節裝置之主動調節槽中時的狀態。根據一些實施例，經調節狀態為圖案化裝置被認為處於所要最佳溫度的狀態。根據一些實施例，此可為圖案化裝置在自作用槽轉變至被動槽時或在其轉變出調節裝置時的狀態。根據一些實施例，非調節狀態可為經調節狀態與未經調節狀態之間的轉變狀態，其中圖案化裝置溫度升高。根據一些實施例，裝載序列可包括本文中描述於圖4中之裝載序列，其指示圖案化裝置在何處且圖案化裝置可被傳送至何處。舉例而言，裝載序列可反映圖案化裝置正自檢測操作或圖案化操作傳送。此類操作可包括不同曝光時間，且結果，可具有不同調節要求。根據一些實施例，微影設備之生產狀態可包括疊對聚焦狀態(例如，優先化調節之較慢產出率)或生產率聚焦狀態(例如，優先化生產率之較快產出率)。應瞭解，生產狀態亦可包括可變狀態，在該狀態中，基於操作者偏好、曝光類型及基於配方之持續時間以及其類似者而判定不同優先權。因此，此生產狀態可被稱作配方相依生產狀態，其中可基於額外因素而改變優先權。應瞭解，配方相依生產狀態可有助於判定首先調節圖案化裝置抑或首先運用掃描/圖案化操作處理圖案化裝置。

圖5示出根據本公開之實施例的圖案化裝置調節狀態模型500。根據一些實施例，圖案化裝置調節狀態可為(但不限於)未經調節狀態502、主動調節狀態504、被動調節狀態506、經調節狀態508及非調節狀態510。根據一些實施例，當圖案化裝置首先收納於例如微影設備處時，圖案化裝置之初始狀態可設定為未經調節狀態502。根據一些實施例，取決於微影設備之使用及操作狀態，可將圖案化裝置傳送至調節裝置406內之被動調節槽或調節裝置406內之主動調節槽。根據一些實施例，當判定圖案化裝置溫度在標稱溫度內之可接受臨限值內時或在判定圖案化裝置將不立即使用之情況下，可將圖案化裝置傳送至調節裝置406內之被動調節槽(例如，步驟2)。根據一些實施例，當例如最初收納圖案化裝置(例如，作為預設量測)時，可將圖案化裝置傳送至調節裝置406內之主動調節槽(例如，步驟1)。根據一些實施例，當判定圖案化裝置溫度在標稱溫度內之可接受臨限值內時或在判定圖案化裝置將立即使用之情況下，可將圖案化裝置傳送至調節裝置406內之主動調節槽。

根據一些實施例，調節裝置406可在任何及所有調節狀態下連續追蹤圖案化裝置之調節時間。舉例而言，主動調節狀態提供較密集的調節操作(例如，經由流體及空氣循環冷卻方法)。在預設時間間隔之後，可能不需要此密集調節狀態。在一個實例中，可在預設時間已過去之後將圖案化裝置自主動調節槽傳送至被動調節槽(例如，調節裝置406追蹤＜5分鐘、＜10分鐘、＜n分鐘的間隔)。應瞭解，被動調節槽可經組態以藉由提供具有恆定標稱溫度之環境來維持圖案化裝置之調節/經調節狀態。根據一些實施例，當偵測到主動調節逾時事件或偵測到被動調節逾時事件(例如，調節裝置406判定滿足經調節狀態之預設時間)時，將圖案化裝置自主動調節槽傳送至被動調節槽，或保持在被動調節槽中，如本文中所描述(例如，步驟3及4)。

根據一些實施例，當拾取圖案化裝置以供傳送時，可將圖案化裝置狀態自經調節狀態改變為非調節狀態510。若拾取圖案化裝置以供傳送至另一槽，則一旦將圖案化裝置置放於彼槽中，便將圖案化裝置返回至經調節狀態(例如，自作用槽傳送至被動槽-步驟7及8)。根據一些實施例，若傳送操作(藉由機器人404或轉台410)在調節裝置外部(例如，用於檢測或圖案化)，則圖案化裝置之調節狀態返回至未經調節狀態502。非調節狀態510與未經調節狀態502之間的此狀態改變可立即完成或可基於預設時間完成。舉例而言，若裝置保持在非調節狀態510中持續長於預設時間，則裝置調節狀態改變為未經調節狀態502。

圖6示出根據本公開之實施例的對進入圖案化裝置之熱的敏感度等級600。根據一些實施例，靈敏度圖表示出標稱溫度圖案化裝置602、溫圖案化裝置604及熱圖案化裝置606。如可示出，當圖案化裝置為標稱的時，疊對最小化，且當圖案化裝置偏離標稱時，疊對增加。根據一些實施例，當圖案化裝置為熱的時，疊對敏感度以指數方式增加。應瞭解，圖中所描述之溫度改變係說明性的，且可在判定溫及熱圖案化裝置時設定其他溫度增量。根據一些實施例，指數級敏感度可為圖案化裝置之折射率改變以及圖案化裝置膨脹的結果。應瞭解，此膨脹在某些點(例如，夾持界面206a及206b)處在圖案化裝置上提供某些壓力。根據一些實施例，曲線608、610、612及614表示基於在掃描/照明操作期間追蹤圖案化裝置之失真量度的不同熱模型的圖案化裝置之不同敏感度回應。應瞭解，該等模型示出圖案化裝置之溫度升高增加疊對誤差的關鍵點。根據一些實施例，由於圖案化裝置之熱膨脹及折射性質改變，誤差可以指數方式增加(例如，614)。

圖7為根據本公開之實施例的用於提供圖案化裝置之熱調節的例示性方法之流程圖。根據一些實施例，提供一種用於熱調節微影設備之圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統，該冷卻系統可包括熱調節圖案化裝置之熱調節器(例如，調節裝置406)及控制熱調節器以執行調節方法之控制器。根據一些實施例，控制器可判定圖案化裝置之溫度狀態，如步驟702中所展示。如本文中所描述，溫度狀態可為圖案化裝置之溫度。此可基於由控制器運行之模型而判定，以基於在圖案化裝置上執行之追蹤操作而估計圖案化裝置之溫度。另外或在替代例中，溫度可由一偵測器量測。根據一些實施例，圖案化裝置冷卻系統之控制器可經組態以將指示圖案化裝置之溫度狀態(例如，圖案化裝置裝載溫度)的資料傳輸至微影設備(例如，微影設備之一控制器)。微影設備之控制器可經組態以基於自圖案化裝置冷卻系統之控制器接收到的指示溫度狀態之資料而判定圖案化裝置之失真。根據一些實施例，圖案化裝置冷卻系統之控制器可經組態以自微影設備(例如，自微影設備之一控制器)接收指示圖案化裝置失真之資料。另外及/或替代地，圖案化裝置冷卻系統之控制器可經組態以自微影設備(例如，微影設備之一控制器)接收指示圖案化裝置之溫度的資料。圖案化裝置冷卻系統之控制器可經組態以基於自微影設備接收到之指示圖案化裝置失真的資料及/或指示圖案化裝置之溫度的資料而判定圖案化裝置之溫度狀態。應瞭解，圖案化裝置失真程度可與溫度升高之一位準相關，使得圖案化裝置之溫度可基於偵測到之失真而判定。

根據一些實施例，控制器亦可判定微影設備之生產狀態，如步驟704中所展示。如本文中所描述，微影設備之生產狀態可包括一疊對聚焦狀態、一生產聚焦狀態及/或一配方相依狀態。根據一些實施例，控制器可基於所判定之溫度狀態及生產狀態而控制調節裝置以調節圖案化裝置，如步驟706中所展示。

根據一些實施例，溫度狀態包含圖案化裝置之一經偵測溫度或一預測溫度。如本文中進一步所描述，微影設備之生產狀態為最佳化圖案化裝置之曝光產出率的生產優先狀態。替代地，微影設備之生產狀態為優先化圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態。根據一些實施例，控制器可控制熱調節器以判定圖案化裝置之調節狀態，且基於圖案化裝置之溫度狀態、生產狀態及調節狀態而熱調節圖案化裝置以用於曝光。根據一些實施例，可在標稱溫度下或接近標稱溫度調節一流體(例如，水或可用於冷卻之任何其他流體)，且在迴路中運行至光罩處置器以供用於調節光罩溫度。根據一些實施例，流體可通過調節裝置之壁以自外部熱源吸收能量。流體亦可用以在一系列熱交換器中將空氣調節至標稱溫度。根據一些實施例，除流體以外或替代流體，空氣可通過例如該系列熱交換器、過濾器、調整器、閥及一些平衡限制器，以在其到達圖案化裝置時使周圍環境溫度達到標稱溫度+/-0.05℃。根據一些實施例，在主動調節槽中，高流動速率之經調節空氣形成為數百衝擊射流，該等衝擊射流向下吹在圖案化裝置之頂面上以在短暫的預定時段(例如，＜10分鐘)內將其調節至標稱溫度。根據一些實施例，在被動調節槽中，低流動速率之空氣自後向前越過圖案化裝置(平行流)，以在不同預定時段中將經調節狀態維持於標稱溫度及/或調節至標稱溫度。不同預定時段可長於預定時段。根據一些實施例，可根據每種類型之槽中的持續時間、經調節空氣、流體之流動速率或此等參數之任何組合/變化來控制冷卻操作。

根據一些實施例，當在微影設備之裝載埠處偵測到圖案化裝置時，判定調節狀態。根據一些實施例，回應於圖案化裝置之調節狀態為未經調節狀態，控制器可控制熱調節器以將圖案化裝置置於熱調節器內之主動調節槽中，且將圖案化裝置之調節狀態改變為主動調節狀態。應瞭解，主動調節時槽可依賴於空氣及水冷卻方法。

根據一些實施例，當圖案化裝置達到預測溫度時，圖案化裝置之調節狀態可設定為經調節狀態。根據一些實施例，可基於預測模型來計算預測溫度。部署用於溫度判定之預測性模型化可減少對微影設備/調節設備內之硬體組件(如光罩溫度感測器及其類似者)的需要。另外，當調節狀態自主動調節狀態改變為經調節狀態時，隨後可將圖案化裝置傳送至熱調節器內之被動調節槽。

根據一些實施例，控制器可進一步控制調節裝置以回應於將圖案化裝置置放於主動調節狀態中持續預定時段而將圖案化裝置之調節狀態設定為經調節狀態，且回應於調節狀態自主動調節狀態改變為經調節狀態而將圖案化裝置傳送至熱調節內之被動調節槽。

儘管可在本文中特定地參考「光罩」，但應理解，此僅為圖案化裝置之一個實例且本文中所描述之實施例可適用於任何類型之圖案化裝置。另外，本文中所描述之實施例可用以提供對任何物件之安全支撐，以確保夾持故障不會使得物件掉落並損壞自身或其他裝備。

可使用以下條項進一步描述實施例： 1. 一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統，該冷卻系統包含： 一熱調節器，其經組態以熱調節該圖案化裝置；及 一控制器，其經組態以控制該熱調節器進行以下操作： 判定該圖案化裝置之一溫度狀態， 判定該微影設備之一生產狀態，及 基於該溫度狀態及該生產狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。 2. 如條項1之冷卻系統，其中該溫度狀態包含該圖案化裝置之一偵測溫度或一預測溫度。 3. 如條項2之冷卻系統，其中該微影設備之該生產狀態為優先化該圖案化裝置之曝光生產率的一生產率優先狀態。 4. 如條項2之冷卻系統，其中該微影設備之該生產狀態為相對於產出率優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態。 5. 如條項1之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 判定該圖案化裝置之一調節狀態，及 基於該圖案化裝置之該溫度狀態、該生產狀態及該調節狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。 6. 如條項5之冷卻系統，其中當在該微影設備之一裝載埠處偵測到該圖案化裝置時，判定該調節狀態。 7. 如條項6之冷卻系統，其中回應於該圖案化裝置之該調節狀態為一未經調節狀態，該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 將該圖案化裝置置放於該熱調節器內之一主動調節槽中，且將該圖案化裝置之該調節狀態改變為一主動調節狀態。 8. 如條項7之冷卻系統，其中該主動調節槽包含空氣及流體循環中之至少一者。 9. 如條項7之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 回應於將該圖案化裝置置放於該主動調節狀態中持續一預定時段而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至該熱調節器內之一被動調節槽。 10.   如條項1之冷卻系統，其中該微影設備之該生產狀態為一配方相依狀態，該配方相依狀態在優先化該圖案化裝置之曝光生產率的一生產率優先狀態與優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態之間改變該微影設備之一優先狀態。 11.   如條項1之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以進行以下操作： 將指示該溫度狀態之資料傳輸至該微影設備；及 自該微影設備接收指示圖案化裝置失真之資料，其中該控制器經組態以基於指示圖案化裝置失真之該資料而判定該溫度狀態。 12.   如條項1之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以進行以下操作： 將指示該溫度狀態之資料傳輸至該微影設備；及 自該微影設備接收指示該圖案化裝置之一溫度的資料，其中該控制器經組態以基於指示該圖案化裝置之該溫度的該資料而判定該溫度狀態。 13.   一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的方法，該方法包含： 判定一圖案化裝置之一溫度狀態； 判定該微影設備之一生產狀態；及 藉由一調節裝置基於該溫度狀態及該生產狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。 14.   如條項13之方法，其中判定該溫度狀態包含偵測該圖案化裝置之溫度或預測該溫度。 15.   如條項14之方法，其進一步包含： 回應於該微影設備之該生產狀態為一生產優先狀態而最佳化該圖案化裝置之曝光產出率。 16.   如條項14之方法，其進一步包含： 回應於該微影設備之生產狀態為一疊對優先狀態而優先化該圖案化裝置之調節。 17.   如條項13之方法，其進一步包含： 判定該圖案化裝置之一調節狀態；及 基於該圖案化裝置之該溫度狀態、該生產狀態及該調節狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。 18.   如條項17之方法，其進一步包含： 當在該微影設備之一裝載埠處偵測到該圖案化裝置時判定該調節狀態。 19.   如條項18之方法，其進一步包含： 回應於該圖案化裝置之該調節狀態為一未經調節狀態，將該圖案化裝置置放於一熱調節器內之一主動調節槽中，且將該圖案化裝置之該調節狀態改變為一主動調節狀態。 20.   如條項18之方法，其進一步包含： 藉由空氣及流體循環中之至少一者熱調節該圖案化裝置。 21.   如條項20之方法，其進一步包含： 回應於將該圖案化裝置置放於該主動調節狀態中持續一預定時段而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至一熱調節器內之一被動調節槽。 22.   如條項20之方法，其進一步包含： 回應於該圖案化裝置達到一預測溫度而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至該熱調節器內之一被動調節槽。 23.   如條項13之方法，其進一步包含： 回應於該微影設備之該生產狀態為一配方相依狀態而在優先化該圖案化裝置之曝光產出率的一生產優先狀態與優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態之間改變該微影設備之該生產狀態。

儘管在本文中可特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如整合式光學系統之製造、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景下，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用皆可被視為分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在例如塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層塗覆至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及的基板。在適用的情況下，可將本文中的揭示內容應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已含有多個經處理層之基板。

儘管上文可能已特定地參考本公開之實施例在光學微影之內容背景中的使用，但應瞭解，本公開可用於例如壓印微影之其他應用中，且在內容背景允許之情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定基板上所產生之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

應理解，本文中的片語或術語係出於描述而非限制的目的，使得本公開之術語或片語待由熟習相關技術者鑒於本文中的教示進行解譯。

如本文中所使用之術語「基板」描述上面經添加有材料層的材料。在一些實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上的材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。

儘管可在本文中特定地參考根據本公開之設備及/或系統在IC製造中的使用，但應明確理解，此設備及/或系統具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者應瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應被視為分別由更一般術語「遮罩」、「基板」及「目標部分」替換。

雖然上文已描述本公開之特定實施例，但應瞭解，可按與如所描述之方式不同的其他方式來實踐本公開。該描述並不意欲限制本公開。

應瞭解，實施方式章節而非發明內容及摘要章節意欲用以解譯申請專利範圍。發明內容及摘要章節可闡述如由一或多個發明人所預期的本公開之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式來限制本公開及隨附申請專利範圍。

上文已藉助於說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述本公開。為便於描述，本文中已任意地界定此等功能建置區塊的邊界。只要適當地執行指定功能及其關係，便可界定替代邊界。

對特定實施例之前述描述將如此充分地揭露本公開之一般性質而使得在不脫離本公開之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識而針對各種應用容易地修改及/或調適此類特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及指導，此類調適及修改意欲在所揭示實施例之等效物的含義及範圍內。

本公開之廣度及範圍不應由上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據以下申請專利範圍及其等效物進行界定。

100:微影設備 100':微影設備 200:物件支撐件/圖案化裝置支撐件 202:圖案化裝置 203:圖案化區域 204:可移動組件 206a:第一夾持介面 206b:第二夾持介面 210:夾緊裝置 212:真空單元 300:圖案化裝置支撐件 312:DUV或EUV光 314:透鏡 316a:溫度 316b:溫度 400:裝載序列 402a:裝載埠 402b:裝載埠 404:傳送機器人 406:調節裝置/調節設備 408:檢測設備 410:傳送轉台 412:光罩載物台 500:圖案化裝置調節狀態模型 502:未經調節狀態 504:主動調節狀態 506:被動調節狀態 508:經調節狀態 510:非調節狀態 600:敏感度等級 602:標稱溫度圖案化裝置 604:溫圖案化裝置 606:熱圖案化裝置 608:曲線 610:曲線 612:曲線 614:曲線 702:步驟 704:步驟 706:步驟 AD:調整器 B:輻射光束 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:聚光器 IF:位置感測器 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統/照明器 IN:積光器 IPU:照明系統光瞳 IVR:真空內機器人 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化裝置/遮罩 MT:支撐結構(例如，光罩台) P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PPU:光瞳共軛物 PS:投影系統 PW:第二定位器 SO:脈衝式輻射源 V:真空腔室 W:基板 WT:基板台(例如，晶圓台)

併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本公開，且連同描述一起進一步用以解釋本公開之原理且使熟習相關技術者能夠進行及使用本公開。

圖1A為根據本公開之實施例的反射式微影設備之示意性圖示。

圖1B為根據本公開之實施例的透射式微影設備之示意性圖示。

圖2描繪根據本公開之實施例的圖案化裝置支撐件及與圖案化裝置耦接之圖案化裝置處置設備的夾緊裝置之透視圖。

圖3描繪根據本公開之實施例的圖2之圖案化裝置支撐件的透視圖，其示出圖案化裝置溫度偏移之影響。

圖4示出根據本公開之實施例的圖案化裝置裝載序列及溫度偏移源。

圖5示出根據本公開之實施例的圖案化裝置調節狀態模型。

圖6示出根據本公開之實施例的對進入圖案化裝置之熱的敏感度等級。

圖7為根據本公開之實施例的用於提供圖案化裝置之熱調節的例示性方法之流程圖。

本公開之特徵將自下文結合圖式闡述之實施方式變得更顯而易見，在圖式中，相同參考字元通篇識別對應元件。在該等圖式中，相同參考編號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，通常，參考編號之最左側數字識別首次出現該參考編號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本公開所提供之圖式不應解譯為按比例繪製的圖式。

202:圖案化裝置

204:可移動組件

206a:第一夾持介面

206b:第二夾持介面

300:圖案化裝置支撐件

312:DUV或EUV光

314:透鏡

316a:溫度

316b:溫度

Claims (15)

1. 一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的圖案化裝置冷卻系統，該冷卻系統包含： 一熱調節器，其經組態以熱調節該圖案化裝置；及 一控制器，其經組態以控制該熱調節器進行以下操作： 判定該圖案化裝置之一溫度狀態， 判定該微影設備之一生產狀態，及 基於該溫度狀態及該生產狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。
2. 如請求項1之冷卻系統，其中： 該溫度狀態包含該圖案化裝置之一經偵測溫度或一預測溫度；且 該微影設備之該生產狀態為優先化該圖案化裝置之曝光生產率的一生產率優先狀態。
3. 如請求項1之冷卻系統，其中： 該溫度狀態包含該圖案化裝置之一經偵測溫度或一預測溫度；且 該微影設備之該生產狀態為相對於產出率優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態。
4. 如請求項1之冷卻系統，其中： 該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 判定該圖案化裝置之一調節狀態，及 基於該圖案化裝置之該溫度狀態、該生產狀態及該調節狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光；且 當在該微影設備之一裝載埠處偵測到該圖案化裝置時判定該調節狀態。
5. 如請求項4之冷卻系統，其中回應於該圖案化裝置之該調節狀態為一未經調節狀態，該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 將該圖案化裝置置放於該熱調節器內之一主動調節槽中，且將該圖案化裝置之該調節狀態改變為一主動調節狀態。
6. 如請求項5之冷卻系統，其中： 該主動調節槽包含空氣及流體循環中之至少一者；且 該控制器經進一步組態以控制該熱調節器進行以下操作： 回應於將該圖案化裝置置放於該主動調節狀態中持續一預定時段而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至該熱調節器內之一被動調節槽。
7. 如請求項1之冷卻系統，其中該微影設備之該生產狀態為一配方相依狀態，該配方相依狀態在優先化該圖案化裝置之曝光生產率的一生產率優先狀態與優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態之間改變該微影設備之一優先狀態。
8. 如請求項1之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以進行以下操作： 將指示該溫度狀態之資料傳輸至該微影設備；及 自該微影設備接收指示圖案化裝置失真之資料，其中該控制器經組態以基於指示圖案化裝置失真之該資料而判定該溫度狀態。
9. 如請求項1之冷卻系統，其中該控制器經進一步組態以進行以下操作： 將指示該溫度狀態之資料傳輸至該微影設備；及 自該微影設備接收指示該圖案化裝置之一溫度的資料，其中該控制器經組態以基於指示該圖案化裝置之該溫度的該資料而判定該溫度狀態。
10. 一種用於熱調節一微影設備之一圖案化裝置的方法，該方法包含： 判定一圖案化裝置之一溫度狀態； 判定該微影設備之一生產狀態；及 藉由一調節裝置基於該溫度狀態及該生產狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光。
11. 如請求項10之方法，其中判定該溫度狀態包含偵測該圖案化裝置之溫度或預測該溫度，該方法進一步包含： 回應於該微影設備之該生產狀態為一生產優先狀態而最佳化該圖案化裝置之曝光產出率；及 回應於該微影設備之生產狀態為一疊對優先狀態而優先化該圖案化裝置之調節。
12. 如請求項10之方法，其進一步包含： 判定該圖案化裝置之一調節狀態； 基於該圖案化裝置之該溫度狀態、該生產狀態及該調節狀態而熱調節該圖案化裝置以用於曝光； 當在該微影設備之一裝載埠處偵測到該圖案化裝置時判定該調節狀態； 回應於該圖案化裝置之該調節狀態為一未經調節狀態，將該圖案化裝置置放於一熱調節器內之一主動調節槽中，且將該圖案化裝置之該調節狀態改變為一主動調節狀態；及 藉由空氣及流體循環中之至少一者熱調節該圖案化裝置。
13. 如請求項12之方法，其進一步包含： 回應於將該圖案化裝置置放於該主動調節狀態中持續一預定時段而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至一熱調節器內之一被動調節槽。
14. 如請求項12之方法，其進一步包含： 回應於該圖案化裝置達到一預測溫度而將該圖案化裝置之該調節狀態設定為一經調節狀態；及 回應於該調節狀態自該主動調節狀態改變為該經調節狀態而將該圖案化裝置傳送至該熱調節器內之一被動調節槽。
15. 如請求項10之方法，其進一步包含： 回應於該微影設備之該生產狀態為一配方相依狀態而在優先化該圖案化裝置之曝光產出率的一生產優先狀態與優先化該圖案化裝置之調節的一疊對優先狀態之間改變該微影設備之該生產狀態。

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