CN117546101A - 用于光刻设备中的掩模版的热调节的系统、方法和装置 - Google Patents

Abstract

本文中的实施例描述了用于对光刻设备处的图案形成装置进行热调节的系统、方法和装置。描述了一种用于对光刻设备的图案形成装置(202)进行热调节的图案形成装置冷却系统，所述冷却系统包括：热调节器，所述热调节器对所述图案形成装置进行热调节；和控制器，所述控制器控制所述热调节器以确定所述图案形成装置的温度状态，确定所述光刻设备的生产状态，以及基于所述温度状态和所述光刻设备的生产状态，对所述图案形成装置进行热调节。

Description

用于光刻设备中的掩模版的热调节的系统、方法和装置

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月23日递交的美国临时专利申请号63/213,898的优先权，所述美国临时专利申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本公开涉及用于光刻设备中的热调节和掩模版冷却的系统、方法和装置。

背景技术

光刻设备是一种将期望的图案施加至衬底(通常是在衬底的目标部分上)上的机器。例如，光刻设备可以用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将替代地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于产生待在IC的单层上形成的电路图案。可以将所述图案转印到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或若干个管芯)上。典型地，通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上进行图案的转印。通常，单个衬底将包含被连续地图案化的相邻目标部分的网络。已知的光刻设备包括所谓的步进器和所谓的扫描器，在步进器中，通过将整个图案一次曝光到目标部分上来照射每个目标部分，在扫描器中，通过在辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描图案的同时平行或反向平行于这个扫描方向同步地扫描所述目标部分来照射每个目标部分。也可以通过将图案压印到衬底上而将图案从图案形成装置转印到衬底上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定可以被形成在衬底上的特征的最小尺寸。光刻设备可以使用具有在4nm至20nm(例如6.7nm或13.5nm)的范围内的波长的极紫外(EUV)辐射，或者具有在大约120nm至大约400nm的范围内的(例如193nm或248nm的)波长的深紫外(DUV)辐射。

在DUV光刻术中，辐射束可能会在掩模版中引起热响应。特别地，所述掩模版可能从DUV辐射束吸收大量热能，这可能导致所述掩模版升温和膨胀。其它源，诸如遍及掩模版输送装置和掩模版平台模块中的各种机电装置，也可以有助于进行掩模版加热。导致掩模版的不均匀的热轮廓或热分布的掩模版加热可能充当在所述光刻系统中的图像变形和重叠误差的主要贡献因素。因而，可以利用掩模版冷却方法来防止变形和重叠问题。在一些情况下，利用定制喷嘴和气体出口的热调节系统可以在图案形成设备中被实施，以用于在支撑结构和掩模版的表面附近提供气流用于进行掩模版冷却。然而，这种用于冷却和控制掩模版温度的系统和方法可能必需定制部件和额外的硬件，这导致高成本和增加的系统复杂性。

发明内容

因此，可能需要降低在DUV光刻术中的掩模版冷却和热调节的复杂性的低成本方案。因此，本公开提供了用于在光刻设备中的图案形成装置输送设备和支撑结构处对掩模版进行热调节的系统、方法和装置。

在一些实施例中，描述了一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的图案形成装置冷却系统。所述冷却系统包括被配置成对所述图案形成装置进行热调节的热调节器。所述冷却系统也包括控制器，所述控制器控制所述热调节器以确定所述图案形成装置的温度状态，确定所述光刻设备的生产状态，以及基于所述温度状态和所述生产状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

在一些实施例中，描述了一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的方法。所述方法包括：确定图案形成装置的温度状态；确定所述光刻设备的生产状态；以及基于所述温度状态和所述生产状态，由调节装置对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

在下文中参考随附附图详细地描述本公开的另外的特征以及本公开的各个实施例的结构和操作。应注意，本发明不限于本公开描述的具体实施例。本文仅出于说明性的目的来呈现这样的实施例。基于本发明中包含的教导，额外的实施例将对于相关领域技术人员显而易见。

附图说明

被合并入本文中并且形成说明书的一部分的随附附图图示出本公开，并且与描述一起进一步用于解释本公开的原理并且使相关领域的技术人员能够完成和使用本公开。

图1A是根据本公开的实施例的反射型光刻设备的示意图。

图1B是根据本公开的实施例的透射型光刻设备的示意图。

图2描绘了根据本公开的实施例的与图案形成装置联接的图案形成装置输送设备的抓取装置和图案形成装置支撑件的透视图。

图3描绘了根据本公开的实施例的图2的图案形成装置支撑件的透视图，图示出图案形成装置温度偏移的影响。

图4图示出根据本公开的实施例的图案形成装置装载顺序和温度偏移源。

图5图示出根据本公开的实施例的图案形成装置调节状态模型。

图6图示出根据本公开的实施例的对热输入图案形成装置的灵敏度水平。

图7是根据本公开的实施例的用于提供对图案形成装置的热调节的示例性方法的流程图。

当与附图结合时，本公开的特征将从根据下文阐明的具体实施方式变得更加显而易见，在附图中相同的附图标记始终标识相应的元件。在附图中，相似的附图标记通常指示相同的、功能上类似的和/或结构上类似的元件。另外，通常，附图标记的最左边的数字标识其中所述附图标记第一次出现的附图。除非另有陈述，否则遍及本公开提供的附图不应被解释为成比例的附图。

具体实施方式

本说明书公开了并入本公开的特征的一个或更多个实施例。所公开的实施例的仅仅例证本公开。本公开的范围不限于所公开的实施例。本公开由随附于其的权利要求来限定。

所描述的实施例以及在说明书中提到的“一个实施例”、“实施例”、“示例实施例”等指示所描述的实施例可以包括具体的特征、结构或特性，但是每个实施例可以不一定包括所述具体的特征、结构或特性。此外，这样的短语不一定指同一实施例。另外，当结合实施例来描述具体的特征、结构或特性时，应理解，无论是否明确描述，与其它实施例相结合来实现这样的特征、结构或特性均在本领域技术人员的知识范围内。

为了便于描述，在本文中可以使用空间相对术语，例如“下面”、“下方”、“较低”、“上方”、“上”、“较高”等，以描述如附图中图示的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。所述空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作时除了图中描绘的定向之外的不同定向。所述设备可以被另外定向(转动90度或处于其它定向)并且本文中使用的空间地相对描述语可以同样被相应地解释。

如本文中使用的术语“大约”指示与可以基于具体技术而变化的给定量相关的值。基于所述特定技术，术语“约”可以指示给定量的值，所述值在例如所述值的上下10–-30％(例如，所述值的±10％、±20％或±30％)内变化。

可以以硬件、固件、软件或其任何组合的方式实施本公开的实施例。本公开的实施例也可以被实施为存储在机器可读介质上的指令，所述指令能够由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以能够由机器(例如，计算装置)读取的形式存储或传输信息的任何机构。例如，机器可读磁存储介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁盘存储介质；光存储介质；闪速存储装置；电学、光学、声学或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等等。另外，本文中，可以将固件、软件、例程、和/或指令描述为执行某些动作。然而，应理解，这样的描述仅仅是为了方便，并且这些动作实际上由计算装置，处理器，控制器，或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置产生。

然而，在更详细地描述这样的实施例之前，呈现可以实施本公开的实施例的示例环境是有指导意义的。

示例光刻系统

图1A和图1B分别是可以实施本公开的实施例的光刻设备100和光刻设备100’的示意性图示。光刻设备100和光刻设备100’各自包括以下部件：照射系统(照射器)IL，所述照射系统配置成调节辐射束B(例如，深紫外(DUV)辐射束或极紫外(EUV)辐射束)；支撑结构(例如，掩模台)MT，所述支撑结构配置成支撑图案形成装置(例如，掩模、掩模版或动态图案形成装置)MA并连接至配置成准确地定位图案形成装置MA的第一定位器PM；和衬底台(例如，晶片台)WT，所述衬底台配置成保持衬底(例如，涂覆有抗蚀剂的晶片)W并连接至配置成准确地定位衬底W的第二定位器PW。光刻设备100和100’还具有投影系统PS，所述投影系统配置成将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分(例如，包括一个或更多个管芯)C上。在光刻设备100中，图案形成装置MA和投影系统PS是反射型的。在光刻设备100’中，图案形成装置MA和投影系统PS透射型的。

所述照射系统IL可以包括各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、反射折射性型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或者它们的任何组合，用于对所述辐射束B进行引导、成形或控制。

所述支撑结构MT以依赖于所述图案形成装置MA相对于参考系的定向、所述光刻设备100和100’中的至少一个光刻设备的设计、和其它条件(诸如所述图案形成装置MA是否保持在真空环境中)来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以采用机械的、真空的、静电的、或其它夹紧技术来保持所述图案形成装置MA。所述支撑结构MT可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。通过使用传感器，所述支撑结构MT可以确保所述图案形成装置MA例如相对于所述投影系统PS位于期望的位置。

术语“图案形成装置”MA被广义地解释为表示能够用于在辐射束B的横截面中向所述辐射束B赋予图案、以便在衬底W的目标部分C中产生图案的任何装置。赋予所述辐射束B的图案可以与在所述目标部分C中产生以形成集成电路的器件的特定功能层相对应。

所述图案形成装置MA可以是透射型的(如图1B的光刻设备100’中那样)或反射型的(如图1A的光刻设备100中那样)。图案形成装置的示例MA包括掩模版/掩模、可编程反射镜阵列或可编程LCD面板。掩模可以包括诸如二元掩模、交替相移掩模、或衰减相移掩模、以及各种混合掩模类型的掩膜类型。在一个示例中，可编程反射镜阵列的一个示例可以包括小反射镜的矩阵布置，每个小反射镜可以单独地倾斜以便在不同方向反射入射的辐射束。被倾斜的反射镜将图案赋予由小反射镜的矩阵反射的所述辐射束B。

在本文中所使用的术语“投影系统”PS包括任何类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型以及静电型光学系统或者它们的任何组合，如对于所使用的曝光辐射或者诸如在衬底W上使用浸没液体或使用真空等其它因素所适合的。真空环境可以用于EUV或电子束辐射，因为其它气体可能吸收过多的辐射或电子。真空环境可能因此借助于真空壁和真空泵而被提供至整个束路径。

光刻设备100和/或光刻设备100’可以是具有两个(双平台)或更多个衬底台WT(和/或两个或更多掩模台)的类型。在这样的“多平衬底台”机器中，可以并行地使用额外的衬底台WT，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它衬底台WT用于曝光。在一些方面中，额外的台可以不是衬底台WT。

参考图1A和图1B，所述照射器IL接收来自辐射源SO的辐射束B。当源SO是准分子激光器时，源SO和光刻设备100、100’可以是分立的物理实体。在这种情况下，不认为所述源SO构成光刻设备100或100’的一部分，并且所述辐射束借助于包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD(在图1B中)而从所述源SO传递至所述照射器IL。在其它情况下，源SO可以是光刻设备100、100’的组成部分--例如，当源SO是汞灯时。可以将所述源SO和照射器IL以及需要时设置的束传递系统BD一起称作辐射系统。

所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD(在图1B中)。通常，至少可以调整所述照射器的光瞳平面中的强度分布的外部径向范围及/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)。此外，照射器IL可以包括各种其它部件(在图1B中)，诸如积分器IN和聚光器CO。可以将照射器IL用于调整辐射束B，以便在其截面中具有期望的均一性和强度分布。

参考图1A，在操作中，辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台)MT上的图案形成装置(例如，掩模)MA上，并且由图案形成装置MA进行图案化。在光刻设备100中，所述辐射束B从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射。在已从所述图案形成装置(例如，掩模)MA反射之后，辐射束B传递通过投影系统PS，投影系统PS将所述辐射束B聚焦B到衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器IF2(例如，干涉仪装置、线性编码器、2D编码器或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT(例如，以将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中)。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器IF1可以用来相对于所述辐射束B的路径准确地定位所述图案形成装置(例如，掩模)MA。图案形成装置(例如，掩模)MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准。

参考图1B，辐射束B入射到保持在支撑结构MT(例如，掩模台)上的图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且由图案形成装置进行图案化。在已横穿所述掩模MA的情况下，所述辐射束B穿过所述投影系统PS，所述投影系统将所述束聚焦至所述衬底W的目标部分C上。所述投影系统具有与所述照射系统光瞳IPU共轭的光瞳PPU。辐射的部分源自在所述照射系统光瞳IPU处的强度分布，并横穿所述掩模图案而不受所述掩模图案处的衍射的影响，并产生在所述照射系统光瞳IPU处的强度分布的图像。

借助第二定位器PW和位置传感器IF(例如干涉装置、线性编码器、或电容传感器)，可以准确地移动衬底台WT，例如，以便将不同的目标部分C定位在辐射束B的路径中。类似地，(例如在从掩模库的机械获取之后或在扫描期间)可以将第一定位器PM和另一位置传感器(未在图1B中示出)用于相对于辐射束B的路径准确地定位掩模MA。

通常，可以借助于构成所述第一定位器PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)来实现所述支撑结构MT的移动。类似地，可以采用构成第二定位器PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进器的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。掩模MA和衬底W可以使用掩模对准标记M1、M2，和衬底对准标记P1、P2来对准。虽然图示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于多个目标部分之间的空间(这些被称为划线对准标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在掩模MA上的情况下，图案形成装置对准标记可以位于这些管芯之间。

支撑结构MT和图案形成装置MA可以位于真空腔室中，其中真空内机器人IVR可以被用于将图案形成装置(诸如掩模或掩模版)移入和移出真空腔室。替代地，当支撑结构MT和图案形成装置MA处于真空腔室以外时，真空外机器人可以类似于真空内机器人IVR那样用于各种运输操作。处于真空和真空外机器人两者都需要被校准以将任何有效负载(例如，掩模)流畅地传送至传送站的固定的运动学安装件。

光刻设备100和100’可以用于以下模式中的至少一种：

1.在步进模式，支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT基本上保持静止，而赋予到辐射束B的整个图案被一次投射到目标部分C上(即，一次静态曝光)。然后，衬底台WT在X和/或Y方向上移动，使得可以曝光不同的目标部分C。

2.在扫描模式，同步扫描支撑结构(例如，掩模台)MT和衬底台WT，同时赋予到辐射束B的图案被投射到目标部分C上(即，单次动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构(例如，掩模台)MT的速度和方向，可以通过投射系统PS的(缩小)放大率和图像反转特性来确定。

3.在另一模式中，在将保持可编程图案形成装置的支撑结构(例如，掩模台)MT保持为大致固定且所述衬底台WT是移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束B的图案投影到目标部分C上。可以采用脉冲辐射源SO，并且在衬底台WT的每次移动之后或在扫描期间的连续辐射脉冲之间根据需要更新可编程图案形成装置。这种操作模式可以易于被应用于利用可编程图案形成装置(诸如，可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。

也可以采用所描述的使用模式或完全不同的使用模式的组合和/或变型。

在另一实施例中，光刻设备100’包括深紫外(DUV)源，所述DUV源被配置成产生用于DUV光刻术的EUV辐射束。通常，DUV源配置在辐射系统中，并且相应的照射系统配置成调整DUV源的DUV辐射束。

掩模版输送设备的示例性实施例

一些光刻设备包括交换图案形成装置的图案形成装置输送设备。为了将图案形成装置装载在光刻设备的图案形成装置支撑件上，图案形成装置输送设备的抓取装置例如通过使用真空吸力与图案形成装置联接。然后，图案形成装置输送设备使图案形成装置朝向图案形成装置支撑件移动(例如，通过绕转台旋转)以装载图案形成装置。

图2描绘了根据本公开的实施例的与图案形成装置202联接的物体输送设备的抓取装置210和物体支撑件200的透视图。在一些实施例中，图案形成装置202可以是用于光刻设备中的图案形成装置，例如掩模或掩模版，或者是用于光刻设备的衬底(例如，晶片)。在一些实施例中，物体支撑件200可以是图案形成装置支撑件、掩模台或掩模版平台，或者可以是衬底支撑件，例如晶片台。在一些实施例中，抓取装置210可以包括机械臂，所述机械臂使用真空吸力来拾取和定位物体支撑件200的掩模版平台区域中的掩模版。抓取装置210可以包括一个或更多个真空单元212，所述一个或更多个真空单元产生真空吸力以将掩模版联接到物体输送设备。

在一些实施例中，图案形成装置支撑件200可以包括其中可以定位有图案形成装置202的图案形成区域203(例如，掩模版区域)。在一些实施例中，图案形成装置支撑件200可以包括可移动部件204，所述可移动部件被配置成使图案形成装置202移动，例如沿平面平移或移出平面。例如，如图2和图3中图示的，图案形成装置202可以沿由x轴和y轴限定的平面(X-Y平面)平移。可移动部件204可以是能够相对于第二部件(未示出)沿与图案形成装置202平移的平面大致平行的平面移动。在一些实施例中，所述第二部件能够相对于参考物(例如框架或平衡质量(未示出))移动。

在一些实施例中，可移动部件204是短行程部件，并且第二部件(未示出)是长行程部件。长行程致动器(未示出)使所述第二可移动部件相对于参考物移动。一个或更多个短行程致动器(未示出)可以使可移动部件204相对于第二可移动部件移动。通常，短行程致动器相对于第二可移动部件以相对高的精度定位可移动部件204。所述短行程致动器具有有限的工作范围。典型地，长行程致动器具有大的工作范围，例如，图案形成装置支撑件200的整个工作空间。所述长行程致动器以相对低的精度定位所述第二可移动部件。在操作中，所述长行程致动器和所述第二可移动部件将所述图案形成装置202移动到所述短行程致动器的可工作范围内的位置，所述位置包括图案形成装置202的期望位置。然后，所述短行程致动器和所述可移动部件204将图案形成装置202移动到期望位置。在一些实施例中，第一可移动部件204和第二部件可以具有任何合适的形状。

在一些实施例中，图案形成装置支撑件200可以包括一个或更多个夹持接口，所述一个或更多个夹持接口被配置成选择性地且牢固地将图案形成装置202联接到可移动部件204。如图2中示出的，例如，图案形成装置支撑件200可以包括第一夹持接口206a和第二夹持接口206b。每个夹持接口206a和206b可以被配置成选择性地且大致与图案形成装置202联接，以防止图案形成装置202相对于可移动部件204移动。

在一些实施例中，夹持接口206a和206b可以包括真空垫。在一些实施例中，夹持接口206a和206b的真空垫可以被配置成使得由夹持接口206a或206b中的一个所产生的真空力被选择性地降低或设置成大约等于大气压，而由另一个夹持接口206a或206b所产生的真空力被维持在大气压以上。

在一些实施例中，每个夹持接口，例如夹持接口206a和206b，可以与真空产生器成流体连通，所述真空产生器是例如能够在每个夹持接口处产生负压的任何合适的装置。在一些实施例中，夹持接口206a和206b可以是隔膜，所述隔膜产生例如防泄漏真空密封件，所述防泄漏真空密封件将图案形成装置202牢固地联接到可移动部件204。在这种隔膜实施例中，夹持接口206a和206b可以包括一个或更多个开口，以用于允许流体流动穿过那里以产生真空力，所述真空力牵拉图案形成装置202抵靠所述夹持接口206a和206b，从而将图案形成装置202联接到可移动部件204。所述真空力在图案形成装置202与夹持接口206a和206b之间产生摩擦。这种摩擦可以防止在抓取装置210释放图案形成装置202之后图案形成装置202的内应力被部分地或全部释放。

在一些实施例中，图案形成装置202从图案形成装置输送设备(图2中未示出)的抓取装置210传送或交换到图案形成装置支撑件200，并且联接到可移动部件204以供操作使用。在一些实施例中，所述图案形成装置输送设备是转台型输送设备。

在一些实施例中，当器件处理装置移动图案形成装置202靠近图案形成装置支撑件200时，抓取装置210将图案形成装置202联接到图案形成装置输送设备(未示出)。所述图案形成装置202可以被布置成与图案形成装置支撑件200的夹持接口206a和206b的表面相距一定距离处。在一些实施例中，图案形成装置202可以与抓取装置210脱离联接即分离。例如，由抓取装置210的真空单元212所产生的真空可以被完全释放以将图案形成装置202脱离联接即分离，并且抓取装置210可以被移出与图案形成装置202的接触。

图案形成装置202可以被选择性地且牢固地联接到图案形成装置支撑件200。例如，夹持接口206a和206b可以例如通过产生真空来激活，所述真空将图案形成装置202联接到图案形成装置支撑件200的可移动部件204，从而基本上防止图案形成装置202相对于可移动部件204移动。

可以理解，在辐射(例如，DUV辐射和/或EUV辐射)期间，可以导致所述图案形成装置升温和膨胀。所述图案形成装置的这种加热和膨胀可能引起最终导致重叠误差的变形。图3描绘了根据本公开的实施例的图2的图案形成装置支撑件的透视图，图示出图案形成装置温度偏移的影响。根据一些实施例，图案形成装置支撑件300可以包括图案形成装置202、夹持接口206a和206b、以及可移动部件204。根据一些实施例，图案形成装置202可以被暴露于光(例如，利用DUV或EUV光312照射)，由此增加所述图案形成装置202的温度以及其周围的环境温度316a和316b。可以理解，当图案形成装置202和透镜314被DUV或EUV光312照射时，环境温度改变可以是由于所述图案形成装置202的暴露或曝光。根据一些实施例，所述图案形成装置202的温度改变可能影响重叠并且降低精度。这些可以包括所述图案形成装置202周围的空气的折射率的局部改变，由此使经曝光图像变形。此外，这些可以包括所述图案形成装置202的物理变形，从而导致不均匀的热分布并且导致变形和重叠误差。

图4图示出根据本公开的实施例的图案形成装置装载顺序和温度偏移源。根据一些实施例，图4图示出光刻设备内的部件之间的装载顺序400。这些部件可以包括装载端口402a和402b、传送机器人404、调节装置406、检查设备408、传送转台410和掩模版平台412。根据一些示例，光刻设备和/或光刻设备的控制器可以执行以下序列。可以理解，以下装载/调节序列只是一个非限制性示例，并且也可以执行其它序列。

根据一些实施例，所述光刻设备可以检测装载端口402a中图案形成装置的存在。所述检测可以是单个图案形成装置或一个或更多个舱中的多个图案形成装置。根据一个示例，传送机器人404可以被配置成将所述图案形成装置传送到装载端口402a/402b或者从装载端口402a/402b传送(步骤1和14)，传送到调节装置406或者从调节装置406传送(步骤2、3、6、7、12、13)，传送到检查设备408或者从检查设备408传送(步骤4、5)，以及传送到转台410或者从到转台410传送(步骤8、11)。根据一些实施例，传送转台410可以是传送机器人404的一部分。根据一些实施例，装载顺序可以如下进行：作为初始步骤，图案形成装置202可以被传送到调节装置406。这使得所述光刻设备能够设置调节基线，因为最初可能不知道所述图案形成装置的初始条件。此后，所述图案形成装置202可以被传送到检查设备408，以用于在图案化曝光之前进行检查。可以理解，由于传送和检查，所述图案形成装置的温度可能发生改变。例如，传送机器人404可以在传送期间导致图案形成装置温度增加，并且类似地，检查设备408可以由于检查操作而导致图案形成装置温度增加。根据一个实施例，传送机器人404可以被配置成将图案形成装置202返回到调节设备406，以将所述图案形成装置调节(例如，将所述图案形成装置冷却)到期望的温度。可以理解，期望的温度可以取决于所述图案形成装置的组成而变化。根据一些实施例，所述图案形成装置的期望名义温度可以是大约22℃。可以理解，期望/名义温度可以变动并且取决于与所述图案形成装置本身相关的因素(例如，材料组成等)。下面将参考图5进一步描述调节操作。

根据一些实施例，传送机器人404可以被配置成将经调节的图案形成装置(例如，图案形成装置202)传送到掩模版平台412和从掩模版平台传送以用于图案化曝光(例如，步骤8、9、10、11)。在曝光后，所述图案形成装置202可以返回到调节装置406以供进行进一步调节。

根据一些实施例，调节装置406可以基于所述图案形成装置的调节状态、所述光刻设备的装载顺序、以及所述光刻设备的生产状态来对所述调节操作进行优先级排序。根据一些实施例，所述图案形成装置的所述调节状态可以包括未被调节状态、被动调节状态、主动调节状态、已被调节状态和非调节状态。根据一些实施例，被动调节状态是所述图案形成装置的一状态，在该状态中它当前处于所述调节装置的被动调节槽中。根据一些实施例，主动调节状态是所述图案形成装置处于所述调节装置的主动调节槽中的状态。根据一些实施例，已被调节状态是所述图案形成装置被认为处于期望的最优温度的状态。根据一些实施例，这可以是所述图案形成装置从主动槽过渡到被动槽时的状态，或者是从调节装置过渡出来时的状态。根据一些实施例，非调节状态可以是已被调节状态与未调节状态之间的过渡状态，其中图案形成装置温度正在增加。根据一些实施例，所述装载顺序可以包括本文中图4所描述的装载顺序，其指示所述图案形成装置在何处以及所述图案形成装置可以被传送到何处。例如，所述装载顺序可以反映所述图案形成装置正从检查操作或图案化操作被传送。这种操作可以包括不同的曝光时间，并且作为结果，可以具有不同的调节要求。根据一些实施例，所述光刻设备的所述生产状态可以包括聚焦于重叠的状态(例如，优先进行调节的较慢吞吐量)或聚焦于生产率的状态(例如，优先考虑生产率的较快吞吐量)。可以理解，所述生产状态也可以包括可变状态，其中基于操作者偏好、基于选配方案的曝光类型和持续时间等来确定不同的优先级。因此，这种生产状态可以被称为依赖于选配方案的生产状态，其中优先级可以基于另外的因素而改变。可以理解，依赖于选配方案的生产状态可以帮助确定图案形成装置是首先被调节还是首先利用扫描/图案化操作来处理。

图5图示出根据本公开的实施例的图案形成装置调节状态模型500。根据一些实施例，所述图案形成装置调节状态可以是(但不限于)未被调节状态502、主动调节状态504、被动调节状态506、已被调节状态508和非调节状态510。根据一些实施例，例如，当在所述光刻设备处第一次接收所述图案形成装置时，图案形成装置的初始状态可以被设置为未被调节状态502。根据一些实施例，取决于所述光刻设备的使用和操作状态，所述图案形成装置可以被传送到调节装置406内的被动调节槽或调节装置406内的主动调节槽。根据一些实施例，当所述图案形成装置温度被确定为在名义温度内的可接受阈值内时，或者如果确定所述图案形成装置将不会立即使用时，图案形成装置可以被传送到调节装置406内的被动调节槽(例如，步骤2)。根据一些实施例，例如，当初始地接收所述图案形成装置时(例如，作为默认措施)，图案形成装置可以被传送到调节装置406内的主动调节槽(例如，步骤1)。根据一些实施例，当图案形成装置温度被确定为不在名义温度内的可接受阈值内时，或者如果确定所述图案形成装置将会立即使用时，则图案形成装置可以被传送到调节装置406内的主动调节槽。

根据一些实施例，调节装置406可以在任何和所有调节状态下连续地跟踪所述图案形成装置的调节时间。例如，主动调节状态提供更密集的调节操作(例如，通过流体和空气循环冷却方法)。在预设时间间隔之后，可能不需要这种密集的调节状态。在一个示例中，在预设时间已过去之后(例如，由调节装置406跟踪<5分钟、<10分钟、<n分钟的间隔)，所述图案形成装置可以从主动调节槽传送到被动调节槽。可以理解，所述被动调节槽可以被配置成通过提供具有恒定名义温度的环境来维持所述图案形成装置的调节/已被调节状态。根据一些实施例，当检测到主动调节超时事件，或者检测到被动调节超时事件时(例如，所述调节装置406确定满足已被调节状态的预设时间)，所述图案形成装置从主动调节槽被传送到被动调节槽，或如本文中描述的那样保持在所述被动调节槽中(例如，步骤3和4)。

根据一些实施例，当图案形成装置被拾取以供传送时，图案形成装置状态可以从已被调节状态改变到非调节状态510。如果所述图案形成装置被拾取以供传送到另一槽，则一旦所述图案形成装置被放置在该槽中，所述图案形成装置就被返回到已被调节状态(例如，从主动槽传送到被动槽——步骤7和8)。根据一些实施例，如果(由机器人404或转台410进行的)传送操作在所述调节装置之外(例如，用于检查或图案化)，则所述图案形成装置的调节状态被返回到未被调节状态502。非调节状态510与未被调节状态502之间的状态的这种改变可以立即进行，或者可以基于预设时间进行。例如，如果器件保持在非调节状态510超过预设时间，则器件调节状态被改变到未被调节状态502。

图6示出了根据本公开的实施例的对热输入图案形成装置的灵敏度水平600。根据一些实施例，灵敏度图图示出名义温度图案形成装置602、温图案形成装置604和热图案形成装置606。如可以图示的，当所述图案形成装置是名义温度图案形成装置时，重叠被最小化，并且当所述图案形成装置偏离名义温度图案形成装置时，重叠增大。根据一些实施例，当所述图案形成装置是热的时，重叠灵敏度呈指数增加。可以理解，图中所描述的温度的改变是说明性的，并且当确定了温图案形成装置和热图案形成装置时，可以设置其它温度增量。根据一些实施例，灵敏度的指数水平可以是所述图案形成装置的折射率的改变以及所述图案形成装置的膨胀的结果。可以理解，这种膨胀在某些点(例如，夹持接口206a和206b)处对所述图案形成装置提供了某些压力。根据一些实施例，曲线图608、610、612和614表示基于在扫描/照射操作期间跟踪所述图案形成装置的变形度量的不同热模型的所述图案形成装置的不同灵敏度响应。可以理解，这些模型说明了所述图案形成装置的温度升高会增加重叠误差的首要点。根据一些实施例，由于所述图案形成装置(例如614)的热膨胀和折射特性的改变，误差可能以指数方式增加。

图7是根据本公开的实施例的用于提供对图案形成装置的热调节的示例性方法的流程图。根据一些实施例，提供了一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的图案形成装置冷却系统，所述图案形成装置冷却系统可以包括对所述图案形成装置进行热调节的热调节器(例如，调节装置406)和控制所述热调节器以执行调节方法的控制器。根据一些实施例，所述控制器可以确定所述图案形成装置的温度状态，如步骤702中所示。如本文中描述的，温度状态可以是所示图案形成装置的温度。这可以基于由所示控制器运行的模型来确定，以基于对所述图案形成装置所执行的跟踪操作来估计所述图案形成装置的温度。另外或替代地，温度可以由检测器测量。根据一些实施例，所述图案形成装置冷却系统的所述控制器可以被配置成将指示图案形成装置的温度状态(例如，图案形成装置装载温度)的数据传输到所述光刻设备(例如，所述光刻设备的控制器)。所述光刻设备的所述控制器可以被配置成基于从所述图案形成装置冷却系统的所述控制器接收的指示所述温度状态的数据来确定所述图案形成装置的变形。根据一些实施例，所述图案形成装置冷却系统的所述控制器可以被配置成从所述光刻设备(例如，从所述光刻设备的控制器)接收指示图案形成装置变形的数据。另外和/或替代地，所述图案形成装置冷却系统的所述控制器可以被配置成从所述光刻设备(例如，所述光刻设备的控制器)接收指示所述图案形成装置的温度的数据。所述图案形成装置冷却系统的所述控制器可以被配置成基于指示图案形成装置变形的数据和/或指示从光刻设备所接收的所述图案形成装置的温度的数据来确定所述图案形成装置的温度状态。可以理解，图案形成装置变形的水平可以与温度升高的水平相关联，使得可以基于所检测的变形来确定所述图案形成装置的温度。

根据一些实施例，所述控制器也可以确定所述光刻设备的生产状态，如步骤704中所示出的。如本文中描述的，所述光刻设备的生产状态可以包括聚焦于重叠的状态、聚焦于生产的状态和/或依赖于选配方案的状态即与选配方案相关的状态。根据一些实施例，所述控制器可以控制所述调节装置，以基于所确定的温度状态和生产状态来调节所述图案形成装置，如步骤706中示出的。

根据一些实施例，所述温度状态包括所述图案形成装置的检测温度或预测温度。如本文中另外描述的，所述光刻设备的所述生产状态是优化所述图案形成装置的曝光吞吐量的生产优先状态。替代地，所述光刻设备的所述生产状态是优先进行调节所述图案形成装置的重叠优先状态。根据一些实施例，所述控制器可以控制所述热调节器以确定所述图案形成装置的调节状态，以及基于所述图案形成装置的温度状态、生产状态和调节状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。根据一些实施例，流体(例如，水或可以被用于冷却的任何其它流体)可以在名义温度或接近名义温度的情况下被调节，并且在回路中行进到掩模版处理器，以用于调节掩模版温度。根据一些实施例，流体可以被传递穿过所述调节装置的壁以吸收来自外部热源的能量。所述流体也可以被用于在一系列热交换器中将空气调节到名义温度。根据一些实施例，除了流体之外或替代流体，空气可以被传递穿过例如一系列热交换器、过滤器、调节器、阀和一些平衡限制器，以在空气到达所述图案形成装置时将环境温度带到名义温度+/-0.05℃。根据一些实施例，在主动调节槽中，高流动速率的经调节空气被形成为数百个冲击射流，这些冲击射流在所述图案形成装置的顶面上向下吹，以在短暂的预定时间段(例如，<10分钟)内将其调节到名义温度。根据一些实施例，在被动调节槽中，低流动速率的空气从后向前传递经过所述图案形成装置(平行流)，以在不同的预定时间段内维持处于名义温度的已被调节状态和/或调节至名义温度。不同的预定时间段可以比所述预定时间段更长。根据一些实施例，可以通过每种类型的槽中的持续时间，经调节空气、流体的流动速率，或这些参数的任意组合/变化来控制冷却操作。

根据一些实施例，当在所述光刻设备的装载端口处检测所述图案形成装置时，确定所述调节状态。根据一些实施例，响应于所述图案形成装置的调节状态为未调节状态，所述控制器可以控制所述热调节器将所述图案形成装置放置在所述热调节器内的主动调节槽中，以及将所述图案形成装置的调节状态改变为主动调节状态。可以理解，所述主动调节槽可以依赖于空气和水冷却方法。

根据一些实施例，当所述图案形成装置达到预测温度时，所述图案形成装置的所述调节状态可以被设置为已被调节状态。根据一些实施例，可以基于预测模型来计算所述预测温度。部署用于温度确定的预测模型可以减少对光刻设备/调节设备内的硬件部件(如掩模版温度传感器等)的需求。另外，当所述调节状态从主动调节状态改变为已被调节状态时，所述图案形成装置可以随后被传送到所述热调节器内的被动调节槽。

根据一些实施例，所述控制器还可以控制所述调节装置，以响应于所述图案形成装置被置于主动调节状态持续一预定时间段来将所述图案形成装置的调节状态设置成已被调节状态，并且响应于所述调节状态从主动调节状态改变到已被调节状态来将所述图案形成装置传送到所述热调节件内的被动调节槽。

虽然在本文中具体提及“掩模版”，但是应理解，这仅是图案形成装置的一个示例并且本文中所描述的实施例可以适用于任何类型的图案形成装置。另外，本文中描述的实施例可以被用于为任何物体提供安全支撑，以确保夹持故障不会使所述物体落下并损坏其本身或其它装备。

可以使用以下方面进一步描述这些实施例：

1.一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的图案形成装置冷却系统，所述冷却系统包括：

热调节器，所述热调节器被配置成对所述图案形成装置进行热调节；和

控制器，所述控制器被配置成控制所述热调节器以：

确定所述图案形成装置的温度状态，

确定所述光刻设备的生产状态，以及

基于所述温度状态和所述生产状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

2.根据方面1所述的冷却系统，其中，所述温度状态包括所述图案形成装置的检测温度或预测温度。

3.根据方面2所述的冷却系统，其中，所述光刻设备的所述生产状态是优先进行所述图案形成装置的曝光生产率的生产率优先状态。

4.根据方面2所述的冷却系统，其中，所述光刻设备的所述生产状态是与吞吐量相比优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态。

5.根据方面1所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

确定所述图案形成装置的调节状态，和

基于所述图案形成装置的所述温度状态、所述生产状态和所述调节状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

6.根据方面5所述的冷却系统，其中，当在所述光刻设备的装载端口处检测到所述图案形成装置时，确定所述调节状态。

7.根据方面6所述的冷却系统，其中，响应于所述图案形成装置的所述调节状态为未被调节状态，所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

将所述图案形成装置放置在所述热调节器内的主动调节槽中，并且将所述图案形成装置的所述调节状态改变到主动调节状态。

8.根据方面7所述的冷却系统，其中，所述主动调节槽包括空气和流体循环中的至少一种。

9.根据方面7所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

响应于所述图案形成装置被置于所述主动调节状态持续一预定时间段，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

10.根据方面1所述的冷却系统，其中，所述光刻设备的所述生产状态是依赖于选配方案的状态，所述依赖于选配方案的状态使所述光刻设备的优先状态在优先进行所述图案形成装置的曝光生产率的生产率优先状态与优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态之间改变。

11.根据方面1所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成：

向所述光刻设备发送指示所述温度状态的数据；和

接收来自所述光刻设备的指示图案形成装置变形的数据，其中所述控制器被配置成基于指示图案形成装置变形的所述数据来确定所述温度状态。

12.根据方面1所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成：

向所述光刻设备发送指示所述温度状态的数据；和

接收来自所述光刻设备的指示所述图案形成装置的温度的数据，其中所述控制器被配置成基于指示所述图案形成装置的温度的所述数据来确定所述温度状态。

13.一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的方法，所述方法包括：

确定图案形成装置的温度状态；

确定所述光刻设备的生产状态；以及

基于所述温度状态和所述生产状态，由调节装置对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

14.根据方面13所述的方法，其中，确定所述温度状态包括检测所述图案形成装置的所述温度或预测所述图案形成装置的所述温度。

15.根据方面14所述的方法，还包括：

响应于所述光刻设备的所述生产状态是生产优先状态，优化所述图案形成装置的曝光吞吐量。

16.根据方面14所述的方法，还包括：

响应于所述光刻设备的生产状态是重叠优先状态，优先进行对所述图案形成装置的调节。

17.根据方面13所述的方法，还包括：

确定所述图案形成装置的调节状态；和

基于所述图案形成装置的所述温度状态、所述生产状态和所述调节状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

18.根据方面17所述的方法，还包括：

当在所述光刻设备的装载端口处检测到所述图案形成装置时，确定所述调节状态。

19.根据方面18所述的方法，还包括：

响应于所述图案形成装置的所述调节状态为未被调节状态，将所述图案形成装置放置在所述热调节器内的主动调节槽中，并且将所述图案形成装置的所述调节状态改变到主动调节状态。

20.根据方面18所述的方法，还包括：

通过空气和流体循环中的至少一种，对所述图案形成装置进行热调节。

21.根据方面20所述的方法，还包括：

响应于所述图案形成装置被置于所述主动调节状态持续一预定时间段，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

22.根据方面20所述的方法，还包括：

响应于所述图案形成装置达到预测温度，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

23.根据方面13所述的方法，还包括：

响应于所述光刻设备的所述生产状态是依赖于选配方案的状态，使所述光刻设备的所述生产状态在优先进行所述图案形成装置的曝光吞吐量的生产优先状态与优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态之间改变。

虽然本文具体提及的是光刻设备用于集成电路的制造中，但是，应理解，这里所述的光刻设备可以具有其它应用，例如集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。本领域技术人员将理解，在这种替代应用的上下文中，这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”可以被认为分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。本文中提及的衬底可以在曝光之前或之后例如在轨道单元或涂覆显影系统单元(一种典型地将抗蚀剂层施加到衬底上并且对曝光后的抗蚀剂进行显影的工具)、量测单元和/或检查单元中进行处理。在适用时，可以将本文中的公开内容应用于这样的衬底处理工具和其它衬底处理工具。另外，可以将衬底处理一次以上，例如以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含多个处理后的层的衬底。

虽然上文已经在光学光刻术的情境下使用本公开的实施例进行具体参考，但是将理解，本公开可以用于其它应用，例如压印光刻术，并且在情境允许的情况下，不限于光学光刻术。在压印光刻术中，图案形成装置中的形貌限定了产生在衬底上的图案。图案形成装置的形貌可以被压印到供给至所述衬底的抗蚀剂层中，由此所述抗蚀剂通过应用电磁辐射、热、压力或其组合而被固化。在抗蚀剂被固化之后所述图案形成装置被移出所述抗蚀剂，从而在其中留下图案。

应理解，本文中的措辞或术语是出于描述而非限制性目的，使得本公开中的术语或措辞将由相关领域技术人员按照本文中的教导来解释。

如本文中使用的术语“衬底”描述其上添加有各材料层的材料。在一些实施例中，所述衬底其本身可以被图案化，并且添加在其顶部的材料还可以被图案化，或者可以保持不被图案化。

虽然在本文中可以对根据本公开的设备和/或系统在IC的制造中的使用进行具体参考，但是应明确地理解，这样的设备和/或系统可以具有许多其它可能的应用。例如，这样的设备和/或系统可以被用于集成光学系统的制造、磁畴存储器的引导和检测图案、LCD面板、薄膜磁头等。技术人员将理解，在这种替代应用的情境下，在这种情境下术语“掩模版”、“晶片”或“管芯”的任何使用应被认为分别被更上位的术语“掩模”、“衬底”和“目标部分”替换。

虽然上文已经描述了本公开的具体实施例，但是将理解，可以以与所描述的不同的方式来实践本公开。本说明书并不旨在限制本公开。

将理解，具体实施方式章节而不是发明内容章节和说明书摘要章节被旨在用于解释权利要求。如由发明者考虑到的，发明内容章节和说明书摘要章节可以阐明本公开的一个或更多个而不是所有示例性实施例，并且因此不旨在以任何方式限制本公开和随附权利要求。

上文已经借助于图示出指定功能的实施方式及其相互关系的功能性构件块描述了本公开。为了描述方便，在本文中已经任意地限定了这些功能性构造块的边界。只要适当地执行指定功能及其关系，就可以定义替换的边界。

特定实施例的前述描述将如此充分地揭示本公开的一般性质，在不背离本公开的整体构思且不进行过度实验的情况下，他人可以通过应用本领域技术范围内的知识容易地修改和/或调适例如这些特定实施例的各种应用。因此，基于本文中提出的教导和指导，这样的适应和修改旨在落入所公开的实施例的等同物的含义和范围内。

本公开的广度和范围不应受到上文描述的任何的示例性实施例的限制，而应仅由随附的权利要求及其等同物来限定。

Claims (15)

1.一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的图案形成装置冷却系统，所述冷却系统包括：

热调节器，所述热调节器被配置成对所述图案形成装置进行热调节；和

控制器，所述控制器被配置成控制所述热调节器以：

确定所述图案形成装置的温度状态，

确定所述光刻设备的生产状态，以及

基于所述温度状态和所述生产状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

2.根据权利要求1所述的冷却系统，其中：

所述温度状态包括所述图案形成装置的检测温度或预测温度；并且

所述光刻设备的所述生产状态是优先进行所述图案形成装置的曝光生产率的生产率优先状态。

3.根据权利要求1所述的冷却系统，其中：

所述温度状态包括所述图案形成装置的检测温度或预测温度；并且

所述光刻设备的所述生产状态是与吞吐量相比优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态。

4.根据权利要求1所述的冷却系统，其中：

所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

确定所述图案形成装置的调节状态，和

基于所述图案形成装置的所述温度状态、所述生产状态和所述调节状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光；并且

当在所述光刻设备的装载端口处检测到所述图案形成装置时，确定所述调节状态。

5.根据权利要求4所述的冷却系统，其中，响应于所述图案形成装置的所述调节状态为未被调节状态，所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

将所述图案形成装置放置在所述热调节器内的主动调节槽中，并且将所述图案形成装置的所述调节状态改变到主动调节状态。

6.根据权利要求5所述的冷却系统，其中：

所述主动调节槽包括空气和流体循环中的至少一种；并且

所述控制器还被配置成控制所述热调节器，以：

响应于所述图案形成装置被置于所述主动调节状态持续一预定时间段，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

7.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述光刻设备的所述生产状态是依赖于选配方案的状态，所述依赖于选配方案的状态使所述光刻设备的优先状态在优先进行所述图案形成装置的曝光生产率的生产率优先状态与优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态之间改变。

8.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成：

向所述光刻设备发送指示所述温度状态的数据；和

接收来自所述光刻设备的指示图案形成装置变形的数据，其中所述控制器被配置成基于指示图案形成装置变形的所述数据来确定所述温度状态。

9.根据权利要求1所述的冷却系统，其中，所述控制器还被配置成：

向所述光刻设备发送指示所述温度状态的数据；和

接收来自所述光刻设备的指示所述图案形成装置的温度的数据，其中所述控制器被配置成基于指示所述图案形成装置的温度的所述数据来确定所述温度状态。

10.一种用于对光刻设备的图案形成装置进行热调节的方法，所述方法包括：

确定图案形成装置的温度状态；

确定所述光刻设备的生产状态；以及

基于所述温度状态和所述生产状态，由调节装置对所述图案形成装置进行热调节以供曝光。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，确定所述温度状态包括检测所述图案形成装置的所述温度或预测所述图案形成装置的所述温度，所述方法还包括：

响应于所述光刻设备的所述生产状态是生产优先状态，优化所述图案形成装置的曝光吞吐量；和

响应于所述光刻设备的生产状态是重叠优先状态，优先进行对所述图案形成装置的调节。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：

确定所述图案形成装置的调节状态；

基于所述图案形成装置的所述温度状态、所述生产状态和所述调节状态，对所述图案形成装置进行热调节以供曝光；

当在所述光刻设备的装载端口处检测到所述图案形成装置时，确定所述调节状态；

响应于所述图案形成装置的所述调节状态为未被调节状态，将所述图案形成装置放置在所述热调节器内的主动调节槽中，并且将所述图案形成装置的所述调节状态改变到主动调节状态；以及

通过空气和流体循环中的至少一种，对所述图案形成装置进行热调节。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括：

响应于所述图案形成装置被置于所述主动调节状态持续一预定时间段，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

14.根据权利要求12所述的方法，还包括：

响应于所述图案形成装置达到预测温度，将所述图案形成装置的所述调节状态设置成已被调节状态；和

响应于所述调节状态从所述主动调节状态改变到所述已被调节状态，将所述图案形成装置传送到所述热调节器内的被动调节槽。

15.根据权利要求10所述的方法，还包括：

响应于所述光刻设备的所述生产状态是依赖于选配方案的状态，使所述光刻设备的所述生产状态在优先进行所述图案形成装置的曝光吞吐量的生产优先状态与优先进行对所述图案形成装置的调节的重叠优先状态之间改变。