TWI795454B - 帶有增大的顯示區域的顯示小塊 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的是提供一種用於顯示小塊的框架,該框架的框架條(50)由具有第一熱膨脹係數的第一材料製成,並且借助粘合劑固定到由具有第二熱膨脹係數的第二材料製成的第一基板;框架分為三個部分:第一部分(51),其借助粘合劑膠粘到基板(1)的橫向側;第三部分(53),其用作為到另一結構的固定介面;以及第二部分(52),其定位在第一部分(51)和第三部分(53)之間以將第三部分(53)與第一部分(51)中的應變隔離;凹槽(8)形成在框架條(50)的第二部分(52)中,凹槽(8)是基本直的並且基本平行於第一基板,該框架的特徵在於,在刻蝕在金屬框架中的一個凹槽(521)中製造至少一個孔(522a、522b),以局部地調節金屬框架的彎曲剛度。
Description
本發明涉及用於顯示小塊的框架,該框架由具有第一熱膨脹係數的材料製成,並且借助粘合劑固定於由具有第二熱膨脹係數的第二材料製成的第一基板。
在以PCT公佈號WO2016/041907公佈的「帶有增大的顯示區域的顯示小塊(Display Tile with Increased Display Area)」中描述了一種用於顯示器或顯示小塊的框架、顯示器或顯示小塊本身或者構造用於這樣的顯示器或顯示小塊的框架的方法。
根據WO2016/041907,包括由具有第一熱膨脹係數的第一材料製成的框架的顯示小塊借助粘合劑、像是例如膠水或粘合帶等而固定於由具有第二熱膨脹係數的第二材料製成的基板。該框架的特徵在於,其分為三個部分:第一部分膠粘到基板的橫向側,第三部分用作為到像是例如背光元件或支承結構的另一結構的固定介面,而第二部分定位於第一部分與第三部分之間,以將第三部分與第一部分中的應變隔離,例如,作為應變釋放部。
可通過框架條中的一個或多個開口來確保將框架條的第三
部分與框架條的第一部分中的應變隔離。開口延伸穿過框架條的第一部分和第二部分,遠離基板。在圖1A和圖1B中示出框架、框架條和框架條的第一部分、第二部分和第三部分。
圖1A示出基板1、框架條2A、2B、……的分解圖,各框架條形成框架2以用於將基板1固定到例如背光結構(未示出)。
形成框架2的框架條2A、2B中的每一個具有開口5,並且能借助例如粘合帶3A、3B膠粘至基板1的橫向側1A、1B。
圖1B示出像是2A的框架條的三個區域21、22和23。
開口可例如是矩形的。矩形的角部可進行倒圓。
替代地,(框架)條的第三部分較佳地通過凹槽6與框架條的第一部分中的應變隔離,凹槽6例如通過在框架部分中刻蝕或衝壓或通過任何等同的方式來形成。這樣的凹槽6的一個示例在圖2中給出。
如圖3中所見,框架2可能必須適應基板1與第二基板7之間的錯開量M。
為了避免在將金屬框架或框架條2結合到基板1的橫向側的粘合劑層3、例如粘合帶3A、3B上施加應力,可能必需局部地減小框架條2的剛度。
通過減小框架的剛度,當具有平行於凹槽的方向的彎矩施加于框架條時,凹槽會減小板的面積二次矩(截面慣性矩)。如圖2所見,當基板的橫向側與基板借助框架固定到的框架的橫向側之間存在錯開量M時,這是有利的。
對材料並且具體是板進行加工以增加其柔性(即,減小其
彎曲剛度)在本領域中是已知的。
例如,已知木制梁中的鋸切凹口或截口將減小使該木制梁彎曲所需的扭矩。切口的深度(以及面積二次矩的最終改變)可緊密地進行控制。
替代地,可在框架條中刻蝕凹槽。刻蝕在本領域中已知用於以受控的方式去除材料,從而形成機械部件或對機械部件進行修改。
例如,如Kurt Petersen在IEEE會議論文集第420-457頁中的「矽作為機械材料(Silicon as a mechanical material)」中所描述的(卷:70,冊:5,1982年5月),已知的是,用KOH(氫氧化鉀)進行各向異性刻蝕(anisotropic etching)可用於選擇性地移除半導體材料、像是例如矽並且實現微機械結構、像是例如簡支梁。所刻蝕的材料的厚度可借助偏置的pn結以高精度進行控制,該偏置的pn結在半導體材料中實施,並且用作電化學的「刻蝕停止(件)」。
電化學的「刻蝕停止(件)」不能用於像鋼或鋁的金屬,並且刻蝕的材料的總量通過計時來確定。對刻蝕過程進行計時並不是非常精確的,並且金屬變得越薄,則剩餘的金屬的厚度的變化或公差就越大。因此,使用刻蝕技術來以較高的精度確定框架的第二區域中的面積二次矩以減小彎矩是困難的。
需要一個解決方案,並且技術上必須改進。
定義
截口:由鋸子或切割焊炬所造成的狹縫或槽口。切口的寬度由例如鋸子或切割焊炬造成。
刻蝕:通過使用像例如酸的腐蝕性試劑來侵蝕進入表面,以在金屬上產生設計或圖。
面積二次矩(second moment of area)
具有寬度b和厚度h的梁的面積二次矩I近似為:I=b h3/12.。
本發明的目的是提供一種用於顯示小塊的框架,框架由具有第一熱膨脹係數的第一材料製成,並且借助粘合劑固定到由具有第二熱膨脹係數的第二材料製成的第一基板;框架分為三個部分:第一部分,其借助粘合劑膠粘到基板的橫向側;第三部分,其用作為到另一結構的固定介面;以及第二部分,其定位在第一部分和第三部分之間以將第三部分與第一部分中的應變隔離;凹槽形成在框架的第二部分中,凹槽是基本直的並且基本平行於第一基板,該框架的特徵在於,從一個凹槽移除第一材料以局部地調節金屬框架的彎曲剛度。
移除的材料可以是第一材料中的穿孔或第一材料減小的厚度或是一個凹槽中的至少一個開口或者它們的任何組合。至少一個開口可通過任何合適的消減加工製程來製造,諸如鐳射切割、衝壓或沖孔或鑽孔。該至少一個開口可完全由第一材料圍繞。凹槽中的第一材料的厚度可通過
消減加工來減少,諸如通過對金屬框架進行化學加工、刻蝕或鐳射消融或磨削或銑削。
本發明的這方面的優點是,其增加了金屬框架的柔性,並且幫助防止在用於組裝框架和第一基板的粘合劑上的過大的應力。
在另一方面中,在框架的第二部分中製造成組的兩個或更多個開口,以用於將框架的第三部分與框架的第一部分中的應變隔離。該兩個或更多個開口可製造在框架的第一材料具有減少的厚度的部分中。該兩個或更多個開口可各自完全由第一材料圍繞。
本發明的該方面的優點是,其改進了對金屬框架的第三部分與金屬框架的第一部分中的應變的隔離。
在本發明的還有一方面中,設有兩組或更多組的兩個或更多個開口,其中,一組中的各開口相互對齊,並且兩組或更多組的兩個或更多個開口較佳地定位為相互平行。
在本發明的另一方面中,由框架支承的顯示小塊具有沿著第一基板的橫向側在與框架中的一個或多個開口對應的位置處定位的電氣接觸件。
本發明的實施例提供了一種製造用於顯示小塊的框架的方法,該方法包括以下步驟:用具有第一熱膨脹係數的第一材料製造框架,該框架借助粘合劑固定於由具有第二熱膨脹係數的第二材料製造的第一基板;將框架分為三個部分:第一部分,其借助粘合劑膠粘到第一基板的橫向側;第三部分,其用作為到另一結構的固定介面;以及第二部
分,其定位在第一部分與第三部分之間,以將第三部分與第一部分中的應變隔離,其中,在框架的第二部分中形成凹槽,凹槽是基本上直的並且基本上平行於第一基板,其中,從一個凹槽移除第一材料以減小該一個凹槽中的第一材料的厚度,並且在一個凹槽中對第一材料進行穿孔以局部地調節金屬框架的彎曲剛度。
穿孔可形成為在一個凹槽中的第一材料的減少的厚度中的一個開口。第一材料的減少的厚度可通過在金屬框架中刻蝕來形成。
成組的兩個或更多個開口可在框架的第二部分中製造,以用於將框架的第三部分與框架的第一部分中的應變隔離。可設置兩組兩個或更多個開口,其中,一組的開口相互對齊,並且兩組或更多組的兩個或更多個開口較佳地形成為相互平行。
顯示小塊的電氣接觸件可沿著第一基板的橫向側定位在與框架中的一個或多個開口對應的位置處。
至少一個開口可通過消減加工製程來製造。例如,消減加工可以是鐳射切割、衝壓或沖孔或鑽孔中的任一個。
該至少一個開口可形成為完全由第一材料圍繞。凹槽中的第一材料的厚度可通過消減加工來減少。消減加工可包括對金屬框架的化學加工、刻蝕或鐳射剝蝕或磨削或銑削中的任一個。
1:基板、面板
1A:橫向側
1B:橫向側
2:框架、金屬框架條
2A:框架條
2B:框架條
21:區域
22:區域
23:區域
3:粘合劑層、粘合帶
3A:粘合帶
3B:粘合帶
40:框架條
41:面板、液晶面板
42:硼矽玻璃基板
47:背光單元
410:第一部分
420:第二部分
430:第三部分
450:厚度
460:轉折部、鉸鏈部
5:開口
5A:第一開口
5B:第二開口
50:框架條
51:第一部分
52:第二部分
53:第三部分
510:舌部、突出部
520a:開口
520b:開口
520c:開口
520d:開口
520e:開口
520f:開口
520g:開口
521:凹槽
522a:孔
522b:孔
6:凹槽
61:液晶面板、面板
61a:橫向側、側壁
63:粘合劑層
64:粘合劑層
67:背光單元
67a:橫向側、側壁
68:中間玻璃板
7:第二基板
71:轉折部
72:轉折部
C1:第一組接觸件
C2:第二組接觸件
S1:空間
S2:空間
S3:空間
M:錯開量
α:角度
b:寬度
h:厚度
參照實施例的示例中的任一個或參照附圖中的任一個描述了本發明的其它方面、產品或方法。
圖1A示出根據現有技術的金屬框架和支承其的基板的分解圖;圖1B示出框架條的各部分;圖2示出開口與凹槽的組合,其將框架條的第三部分與在框架條的第一部分中的應變隔離;圖3示出在借助例如粘合帶3膠粘到金屬框架條2的基板的橫向側之間存在錯開量M時根據現有技術的金屬框架的橫截面;圖4示出根據本發明的一實施例的金屬框架和基板的橫截面,金屬框架固定到該基板以用於組裝到背光單元;圖5示出根據本發明的一實施例的金屬框架條;圖6示出根據本發明的一實施例的、在基板的側壁和其固定到的背光單元的側壁不共面時,金屬框架條以及框架條的第一部分和框架條的第三部分之間的錯開量M的立體圖;圖7示出根據本發明的一實施例的、基板的側壁與背光單元的側壁既不共面也不平行的情況下的示意橫截面;圖8示出根據本發明的一實施例的框架條的細節;圖9示出根據本發明的一實施例的在轉折部附近的金屬條的橫截面;圖10示出在根據本發明的一實施例的金屬條中的轉折部的柔性將如何根據影響在框架條中刻蝕的凹槽和框架條中的開口的深度的公差而變化;圖11示出根據本發明的一實施例的開口的型式,其可改進對金屬框架的第三部分與金屬框架的第一部分中的應變的隔離;以及圖12示出根據本發明的一實施例的框架條的第一部分中的開口,其可用於接觸液晶屏而不增大接縫的寬度。
圖4示出根據本發明的一實施例的顯示小塊的橫截面。圖4示出根據本發明的一實施例的金屬框架和基板的橫截面,該金屬框架固定到該基板以用於組裝到背光單元。
框架條40固定到基板,諸如液晶面板41和背光單元47。框架條40借助粘合劑層(未示出)固定到面板41的橫向側。框架條40也例如借助粘合劑層(未示出)固定到背光單元47的橫向側。諸如硼矽玻璃基板42之類的擴散基板可用作用於使光離開背光單元47的擴散器。框架條40具有本領域已知的三個部分或區域:第一部分410,其膠粘到像是例如液晶顯示面板41的基板的橫向側;第三部分430,其用作為到像是例如背光單元47的另一結構的固定介面。在框架條40的第二部分420引入由厚度450方面的變化所形成的轉折部之類的順應性裝置,以允許將第三部分430與應變隔離。第二部分420定位在第一部分與第三部分之間,並且給第一部分提供諸如應變釋放部之類的順應性裝置。該應變釋放部部分地由框架條40的至少示出為厚度450方面的變化來實現,其至少形成「轉折部(或稱「鉸鏈部」)」460。「轉折部」460是框架條40的足夠柔韌以適應錯開量的區域。框架條40的第一部分410可包括若干狹窄的突出部或舌部,像是圖8中的510(圖4中未示出)。在轉折部460中厚度450的局部減少等同於減小這樣的舌部的寬度,並且由此以良好受控的方式使面積二次矩減少。可在圖4所示的第二部分420中製造如圖9所示的孔(522a和522b)以進一步減小剛度。
圖5示出根據本發明的一實施例的框架條的示例。
框架條50具有本領域已知的三個部分或區域:第一部分51,其膠粘到像是例如液晶顯示器的基板的橫向側,第三部分53,其用作為到像是例如背光元件或支承結構的另一結構的固定介面,以及第二部分52,其定位於第一部分與第三部分之間,以將第三部分與第一部分中的應變隔離,例如,作為應變釋放部。
圖6示出固定到液晶面板61和背光單元67的框架條50的立體圖。框架條50借助粘合劑層63固定到面板61的橫向側61a。框架條50也借助粘合劑層64固定到背光單元67的橫向側67a。
在框架條50的第二部分52中引入諸如凹槽之類的順應性裝置,以允許第一部分51和第三部分53定位在不同平面中。例如,在框架條50的第二部分52中可通過凹槽或波紋引入順應,該凹槽或波紋允許第一部分51和第三部分53定位在不同的平面中。在圖6中,條的第一部分和第三部分所位於的平面相互平行並且隔開一段距離或錯開量M。
如圖7中所見,框架條50的第一部分51和第三部分53所在的平面不一定相互平行。這可例如是這樣的情況,即,背光單元67的橫向壁與包含液晶面板61的側壁61a的平面形成角度α,框架條50的第一部分51膠粘到該側壁61a。圖7也示出在液晶面板61與背光單元67之間的中間玻璃板68。
「轉折部」71和72是框架條足夠柔韌以適應基板61的側壁61a與背光單元67的側壁67a之間的錯開量M和角度α的區域。如果轉折部71和72剛度過大,則這會導致在像是例如膠水的結合裝置上的應力,該接合裝置用於將框架條50和側壁61a、67a保持在一起。
轉折部71和72可通過例如化學加工來實現,諸如在框架條50中刻蝕凹槽或在框架條50中形成波紋。
對金屬進行刻蝕並不是非常精確的製程。
例如,框架條可在具有250μm厚度的金屬薄板中實現。凹槽可刻蝕到較佳地為180μm的深度,由此將該金屬薄板的厚度在凹槽的底部處減小到70μm。這在轉折部71和72中會導致,其對於元件的長期可靠性剛度過大(特別是在金屬薄板由奧氏體不銹鋼製成時,例如像是用於形成壓力加工產品的AISI301)。
刻蝕製程的可變性或公差可高達30μm。這意味著如果金屬薄板的名義厚度在凹槽的底部處是70μm,則實際厚度可低至40μm和高達100μm。
為了評估在凹槽的底部處的板的厚度的可變性或公差對轉折部71和72的剛度的影響,觀察具有與在凹槽的底部處的框架條50相同的厚度的板的面積二次矩。具有厚度h的板的面積二次矩和抗彎剛度與h3(厚度的立方)成正比。如果h可從40μm變化到100μm,則面積二次矩和抗彎剛度將以>15的係數(即,比值100/40的立方)來變化。
如果在金屬板中將凹槽刻蝕得更深以在轉折部72和72處進一步減少框架的剛度,則抗彎剛度的可變性或公差將會更高。此外,使框架條的厚度減小過多會損害其完整性,並且減小其承受液晶面板61的載荷的能力。
在本發明的一實施例中,框架條的面積二次矩和抗彎剛度局部借助消減加工(substractive machining)來減小,諸如用鐳射消融、磨削、
銑削、鐳射切割、鑽孔或沖孔或衝壓穿孔在框架條中形成孔或開口之類。這可在框架條的厚度已減小的區域中製造。
這在圖8和圖9中示出,其中給出轉折部71的細節。
轉折部71定位為靠近框架條50的第一部分51與第二部分52之間的邊界。轉折部71可完全在第一部分51中,完全在第二部分52中或重迭於第一部分51和第二部分52。
在圖8的示例中,板的抗彎剛度通過形成,例如沖孔或衝壓兩個孔522a和522b來局部地減少。孔可例如形成、衝壓或沖孔在較大的凹槽521的底部處。
孔522a和522b的橫向尺寸比起在刻蝕的凹槽521的底部處的金屬板的厚度可更好地受到控制。
例如,凹槽521可以是1.35mm寬,而在凹槽521的底部處的金屬板可以是100μm厚。
圖9示出沿著圖8所示的軸線AB的框架條的橫截面。
框架條50的第一部分51可包括若干狹窄的突出部或舌部,像是圖8中的510。舌部的面積二次矩可近似為梁的面積二次矩。眾所周知,在梁的寬度是b且梁的厚度是h的情況下,梁的面積二次矩是b x h3/12。
在一次近似中,移除凹槽521中的材料等同於減小舌部510的寬度b,並且由此以良好受控的方式減小了面積二次矩。如果,如圖9所示,孔522a和522b具有寬度W1,則梁的總寬度為b-2W1,並且面積二次矩變成近似為:I=(b-2 W1)h3/12
因此,當將刻蝕製程與消減加工製程,諸如製孔製程,例如沖孔或衝壓製程、鐳射切割製程或鑽孔製程組合時,能夠補償刻蝕製程的局限。
刻蝕製程可用於減小框架條50(具體是在機械舌部510附近)的厚度,而消減加工製程,諸如製孔製程,例如衝壓或沖孔製程、鐳射切割製程或鑽孔製程,用於減小機械舌部510的有效寬度(即,有助於彎曲剛度的寬度)。
在厚度到達最小閾值th1之前,停止刻蝕製程,在該最小閾值以下,影響厚度的可變性或公差會比所期望的更高。
然後,通過消減加工製程,諸如穿孔或製孔製程,例如鐳射切割製程或鑽孔製程或沖孔或衝壓製程來形成開口,以進一步以更受控的方式減小面積二次矩。
在圖10所示的表中總結了技術上的優點。
在圖9所示的示例中,在名義長度1.35mm上將舌部510的金屬刻蝕至例如70μm的名義厚度。
如圖10所見,可通過將板的厚度減少至第一厚度h1和具有由厚度的公差所導致的較大的面積二次矩的變化的第一寬度b1來實現所期望的名義面積二次矩I0(其中,△h/h1=r1)。h1必須大於最小高度h最小以避免由於刻蝕製程變化而刻蝕去除金屬的整個厚度(即,如果刻蝕製程的公差是30μm,則h最小將大於30μm,例如50μm或70μm)。
也可通過將板的厚度減少至第二厚度h2>h1和具有由厚度的公差所導致的較小的面積二次矩的變化的第一寬度b2<b1來實現所期望
的名義面積二次矩I0(其中,△h/h1=r2<r1)。實際上,當h變化時,面積二次矩的相對的變化△I0/I0可由3△h/h來近似。h越高,則△h/h將會越低。
b的可變性或公差比h好很多,它們將幾乎不影響I0。
相同的技術可用於調節框架條的轉折部72的剛度。
在本發明的另一方面中,對於開口採用特定的型式,開口製成為穿過框架條50的第二部分52。
如在背景技術中所描述的,可通過框架條中的一個或多個開口來確保將框架條50的第三部分53與框架條的第一部分51中的應變隔離。開口可例如是矩形的。矩形的角部可進行倒圓。開口可結合如圖2中所示的波紋使用。
圖11示出提升金屬框架的性能的開口的組合的一實施例。
如圖5所示的示例中所見的,在連續的金屬「舌部」510之間可重複相同的型式。
型式的一個示例由三組開口構成:{520b、520f、...}、{520a、520d、520g...}、{520c、520e、...}。每個開口具有第一尺寸的寬度和第二尺寸的長度。開口的長度較佳地是其寬度的至少五倍。在另一實施例中,開口的長度較佳地是其寬度的至少十倍。在另一實施例中,開口的長度較佳地是其寬度的至少二十倍。開口可與如圖5和圖11所示的在形狀和尺寸方面相同。一組中兩個連續的開口之間的距離小於開口的長度。兩個連續的開口之間的距離可以對於三組開口是相同的。
各開口可相互平行。一組的各開口對齊。如圖5和圖11所
見,開口520b、520f形成在同一直線CD上。類似地,開口520a、520d、520g沿著平行於CD的直線對齊,而開口520c、520e...沿著平行於CD的另一條直線對齊。
如圖5和圖11中所見,三組開口是偏移的,即兩個相繼的開口之間的空間(像是例如圖11所示的S1、S2和S3)不面向彼此。
框架條50的第一部分51中的開口可用於接觸液晶顯示器而不增大接縫的寬度。這在圖12中示出。
如圖12中可見的,如果兩個相繼的舌部510之間的空間沒有大到足以容納操作液晶面板所需要的所有接觸件,則這些接觸件可分成兩組或更多組,每組定位在兩個相繼的舌部之間。第一組接觸件C1定位在液晶面板1的橫向側1A上、在第一開口5A中,而第二組接觸件C2定位在液晶面板1的橫向側1A上、在第二開口5B中。
在圖12示出的具體情況中,接觸件分為定位在兩個相繼的開口5中的兩組。用於接觸件到驅動電子件的電氣連接的柔性連接器可例如是Y形的。通過定位在像是5A和5B的開口中,柔性連接器不需要定位在LC面板1的橫向側1A和金屬框架之間,由此減少了液晶面板1周圍的非顯示區域。
在本發明的另一方面中,對於製成為穿過框架條50的第二部分52的開口採用可減少應變或應力集中的形狀。
50:框架條
51:第一部分
52:第二部分
53:第三部分
510:舌部
Claims (15)
- 一種用於顯示小塊的框架,所述框架條(50)由具有第一熱膨脹係數的第一材料製成,並且適於借助粘合劑固定到由具有第二熱膨脹係數的第二材料製成的第一基板;所述框架分為三個部分:第一部分(51),所述第一部分借助粘合劑膠粘到第一基板(1)的橫向側;第三部分(53),所述第三部分用作為到另一結構的固定介面;以及第二部分(52),所述第二部分定位在所述第一部分(51)與所述第三部分(53)之間,以將所述第三部分(53)與所述第一部分(51)中的應變隔離,其中,在所述框架條(50)的所述第二部分(52)中形成凹槽(521),所述凹槽(521)是基本上直的並且基本上平行於所述第一基板,所述框架的特徵在於,在一個所述凹槽(521)中移除所述第一材料以在一個所述凹槽中減少所述第一材料的厚度,並且以在一個所述凹槽中對所述第一材料進行穿孔,從而局部地調節金屬框架的彎曲剛度。
- 如請求項1所述的用於顯示小塊的框架,其中,所述穿孔是形成在一個所述凹槽中的所述第一材料的減少的厚度中的至少一個孔(522a、522b)。
- 如請求項1所述的用於顯示小塊的框架,其中,所述第一材料的減少的厚度是通過在所述金屬框架中刻蝕來形成的。
- 如請求項1所述的用於顯示小塊的框架,其中,在框架的所述第二部分(52)中設置成組的兩個或更多個開口,用於將所述框架的所述第三部分(53)與所述框架的第一部分(51)中的應變隔離。
- 如請求項4所述的用於顯示小塊的框架,其中,兩組兩個或更多個開口相互平行。
- 一種由如請求項1所述的框架支承的顯示小塊,其中,所述顯示小塊的電氣接觸件位於沿著所述第一基板的橫向側與在所述框架中的一個或多個開口對應的位置處。
- 一種製造用於顯示小塊的框架的方法,所述方法包括以下步驟:用具有第一熱膨脹係數的第一材料製造框架條(50),所述框架條適於借助粘合劑固定於由具有第二熱膨脹係數的第二材料製造的第一基板;將所述框架分為三個部分:第一部分(51),所述第一部分借助粘合劑膠粘到第一基板(1)的橫向側;第三部分(53),所述第三部分用作為到另一結構的固定介面;以及第二部分(52),所述第二部分定位在所述第一部分(51)與所述第三部分(53)之間,以將所述第三部分(53)與所述第一部分(51)中的應變隔離,其中,在所述框架條(50)的所述第二部分(52)中形成凹槽(521),所述凹槽(521)是基本上直的並且基本上平行於所述第一基板,其中,在一個所述凹槽(521)中移除所述第一材料以在一個所述凹槽中減少所述第一材料的厚度,並且以在一個所述凹槽中對所述第一材料進行穿孔,用於局部地調節金屬框架的彎曲剛度。
- 如請求項7所述的方法,其中,包括形成穿孔,所述穿孔形成為在一個所述凹槽中在所述第一材料的減少的厚度中的一個開口。
- 如請求項7所述的方法,其中,所述第一材料的減少的厚度通過在金屬框架中刻蝕來形成。
- 如請求項7所述的方法,其中,在所述框架的所述第二部分(52)中製造成組的兩個或更多個開口,用於將所述框架的所述第三部分(53)與所述框架的所述第一部分(51)中的應變隔離。
- 如請求項10所述的方法,其中,兩組兩個或更多開口形成為相互平行。
- 如請求項7所述的方法,其中,顯示小塊的電氣接觸件沿著所述第一基板的橫向側定位在與所述框架中的一個或多個開口對應的位置處。
- 如請求項7所述的方法,其中,通過消減加工方法製造至少一個開口,其中,所述消減加工可選地是鐳射切割、衝壓或沖孔或鑽孔中的任一種。
- 如請求項7所述的方法,其中,至少一個開口完全由所述第一材料圍繞。
- 如請求項7所述的方法,其中,在所述凹槽中的所述第一材料的厚度通過消減加工來減少,其中,所述消減加工可選地包括對金屬框架進行化學加工、刻蝕或鐳射消融或磨削或銑削中的任一種。
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