TWI794942B - 電漿檢測裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的電漿檢測裝置可包括：測定部，具備用於測定腔室的內部的光量的照度感應器，以及檢測部，藉由分析所述光量來檢測在所述腔室的內部是否產生電漿。

Description

電漿檢測裝置
本發明關於一種電漿檢測裝置，其用於檢測腔室內是否產生電漿。
進行蝕刻製程（etching process）的半導體製造設備大多應用端點檢測器（End Point Detector；EPD）來分析從電漿（plasma）釋放的波長，由此確認是否已去除膜質部分，所述端點檢測器利用發射光譜（Optical Emission Spectroscopy；OES）分光法技術。
然而，在以去除殘留在晶圓（wafer）上的浮渣（scum）為目的而不是如全剝（full strip）設備以去除感光膠的膜質部分為目的的預處理（descum）設備中，EPD可以只用於單純確認是否產生電漿。換言之，在預處理設備中，EPD因利用率低而相比產品價格效率低。
因此，預處理設備大多不設有EPD。然而，在不確認是否產生電漿的設備的情況下，由發生器（generator）接收對於RF bias ON的輸入訊號並且在顯示菜單上為FF ON狀態，而實際上在腔室的內部沒有電漿釋放，此時存在難以即時確認的問題。
韓國核准專利公報第1764844號公開了如下技術：具備多個濾波器，使特定波長的光通過各濾波器，從而能夠準確檢測出蝕刻終點。
[先前技術文獻] [專利文獻] 韓國核准專利公報第1764844號。
[發明所要解決的問題]
本發明提供一種可藉由檢測在腔室的內部產生的光量來確認是否產生電漿的檢測裝置。
另一方面，本發明所要解決的技術問題不限於以上提及的技術問題，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可藉由以下描述明確理解其他未提及的技術問題。 [用於解決問題的手段]
根據本發明一實施例的檢測裝置包括：測定部，具備用於測定腔室的內部的光量的照度感應器；以及檢測部，藉由分析所述光量來檢測在所述腔室的內部是否產生電漿。
設置有支架和蓋子，所述支架設置於所述腔室的觀察口且在與所述觀察口相向的一面形成有開口部，所述蓋子用於覆蓋所述支架的開口部；所述測定部以能夠拆裝的方式形成在所述開口部的一側；所述蓋子形成為，其中間部位與所述開口部相向且邊緣部位與所述支架相向的板狀；在與所述蓋子的邊緣相向的所述支架的一面，設置有用於吸引所述蓋子的邊緣部位的吸引部；所述蓋子藉由所述吸引部安裝在所述開口部的另一側或從所述開口部的另一側拆卸；當所述測定部安裝到所述開口部的一側，所述蓋子安裝到所述開口部的另一側時，所述觀察口可與外部被光學遮擋。
所述開口部的一側被安裝到所述支架的所述測定部而封閉；開放的所述開口部的另一側形成為四邊形；在所述支架與所述四邊形的各邊角相向的部位，可分別設置有用於吸引所述蓋子的磁鐵。
設置有支架，所述支架設置於所述腔室的觀察口且在與所述觀察口相向的一面形成有開口部；所述支架形成為，可安裝到覆蓋整個所述開口部的端點檢測器；在排除所述端點檢測器的狀態下，所述測定部僅覆蓋所述開口部的一側；可設置有用於覆蓋被所述測定部覆蓋後剩餘的所述開口部部位的蓋子。
所述照度感應器藉由所述腔室的觀察口接收從所述腔室的內部產生的電漿釋放的光；所述照度感應器包括電流輸出型（current output type）的環境光感應器（ambient light sensor）；在所述測定部可設置有用於將所述環境光感應器的輸出值轉換為模擬電壓值的放大器和比較器。
設置有用於調節檢測點的調節單元，所述檢測點（detection point）用於檢測是否產生所述電漿；所述檢測部可藉由比較由所述調節單元調節的設定電壓值與表示在所述測定部測定的所述光量的測定電壓值來檢測是否產生所述電漿。
所述測定部輸出表示所述光量的測定電壓值；當所述測定電壓值為設定檢測點以上時，所述檢測部檢測為產生了所述電漿；初始設定時，所述檢測部可在確認現場設置的所述腔室的內部產生了電漿的狀態下，將由所述測定部測定的特定電壓值設為所述檢測點。
所述照度感應器將與設定光量值以上的光量值對應的輸出電壓值均轉換為設定電壓值，所述設定光量值可被設定為高於與檢測點對應的光量值，所述檢測點成為是否產生所述電漿的檢測標準。
所述照度感應器可在設定範圍的電壓值內線性示出在現場的所述腔室產生的最暗電漿到最亮電漿。
設置有選擇器、放大器、調節器、轉換器；所述選擇器選擇現場電漿製程條件；所述放大器根據與由所述選擇器選擇的所述製程條件對應的放大比，放大所述照度感應器的輸出值；所述調節器調節被放大的所述輸出值的增益；所述轉換器可將從所述調節器輸出的值轉換為滿足設定範圍的電壓值。
設置有放大比為10倍的第一放大器、放大比為40倍的第二放大器、放大比為500倍的第三放大器、選擇器；在射頻（radio frequency；RF）製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器的輸出端子連接到所述第一放大器，在使用氧氣的微波（micro wave；MW）製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器輸出端子連接到所述第二放大器，在使用氫氣或氮氣的微波製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器的輸出端子連接到所述第三放大器。 [發明的效果]
本發明的檢測裝置在預處理設備中檢測半導體製程時在腔室（chamber）的內部產生的光量，可以藉由光量的檢測結果確認是否產生電漿、是否存在電漿。
為了使基於來自電漿的照度（lux）量的電壓輸出值的噪聲最小，本發明的檢測裝置可以使用基於模擬電流輸出（Analog current output）的環境光感應器（ambient light sensor）。檢測裝置可使用放大器、比較器等藉由電路在預處理設備的整個製程配方（recipe）中有效檢測電漿。
本發明的檢測裝置可以使用照度感應器來代替高價的端點檢測器（end point detector；EPD）來檢測電漿。因此，根據本發明，可以改善生產率。
本發明的檢測裝置可以確認用於表示電漿的存在與否或產生與否的開關（on-off）。此外，在超出設定電壓範圍的情況下，檢測裝置發出通知，與製程狀態確認一同使用戶認知部件（part）更換週期（Preventive Maint；PM），並可以檢測出部分故障。
另一方面，本發明所獲效果不限於以上提及的效果，本發明所屬技術領域中具有通常知識者可藉由以下描述明確理解其他未提及的技術問題。
本發明的其他優點、特徵以及實現這些的方法將參照與隨附圖式一同詳細描述的實施例變得明確。然而，本發明並不限於以下公開的實施例，而是可以以各種不同的方式實施，本實施例僅用於使本發明的公開完整，並且本實施例為了向本領域技術人員充分告知本發明的範疇而提出，本發明僅藉由申請專利範圍的範疇定義。
即使未定義，本說明書所使用的所有術語（包括技術或科學術語）均與本發明所屬先前技術中的公知技術普遍接受的含義相同。
由通用詞典定義的術語可以被解釋為與相關技術和/或本發明的說明書具有相同的含義，即使在這裡沒有明確定義，也不應概念性地或過於形式性地解釋。
在本說明書中使用的術語用於說明實施例，並不用於限制本發明。在本說明書中，除非上下文另有明確規定，否則單數表達還包括複數表達。
說明書中使用的“包括”和/或該動詞的各種變化形式，例如“包括”、“所包括”、“包括~且”等，是指所提及的組分、成分、組件、步驟、動作和/或元素不排除一種以上其他組分、成分、組件、步驟、動作和/或元件的存在或添加。如本文所用，術語“和/或”是指所列結構中的每一個或它們的各種組合。
另一方面，貫穿本說明書使用的諸如“～部”、“～器”、“～塊/組”、“～模組”等術語可以意味著處理至少一個功能或動作的單位。例如，它可以指軟件、FPGA或ASIC等硬體組件。
然而，“～部”、“～器”、“～塊/組”、“～模組”等並不意味著僅限於軟件或硬體。“～部”、“～器”、“～/組”和“～模組”可被配置為位於可尋址儲存介質中，還可以被配置為再生一個或多個處理器。
因此，作為一例，“～部”、“～器”、“～塊/組”、“～模組”是包括軟件組件、面向對象的軟件組件、類組件及任務組件等的組件、進程、函數、屬性、程序、子例程、程序代碼段、驅動程式、固件、微代碼、電路、數據、數據庫、數據結構、表、數組及變量。
組件和“～部”、“～器”、“～塊/組”和“～模組”中提供的功能可以以更小數量的組件和“～部”、“～器”、“～塊/組”和“～模組”結合，或與附加組件進一步分成“～部”、“～器”、“～塊/組”和“～模組”。
以下，參照本說明書的隨附圖式詳細說明本發明的實施例。
圖1是示出本發明的檢測裝置的示意圖。
圖1示出的檢測裝置可包括測定部700以及檢測部800。
測定部700可具備用於測定腔室30的內部的光量的照度感應器770。
腔室30可形成為筒狀，其中形成有容納晶圓W的空間。
在腔室30的內部可設有用於固定半導體晶圓W的載物台31或夾頭。當晶圓W固定到載物台31時，可以藉由氣體注入部33向腔室30的內部注入原料氣體或反應氣體。之後，可以藉由高頻（RF）電源32或微波電源32向製程腔室30的內部施加電力。或者，由該電力生成的電磁場可形成在腔室30的內部。注入到腔室30的內部的反應氣體藉由施加到腔室30的內部的電力或形成在腔室30的內部的電磁場變為電漿狀態，並且可以實現對半導體晶圓W的電漿製程。電漿製程可包括沉積製程、蝕刻製程、清潔製程等。
當完成電漿製程時，腔室30的溫度控制器36可以使腔室30的內部的溫度下降。排氣裝置35可以藉由真空泵向外部排出腔室30的內部的反應氣體，從而為下一個電漿製程做準備。
在進行電漿製程期間，測定部700藉由設置於腔室30的側壁的觀察口70收集由電漿產生的光。所收集的光傳輸到照度感應器770或檢測部800，以用於在製程過程中檢測是否存在電漿或是否產生電漿。
觀察口70可形成為，形成在腔室30的側壁的開口被具有優異的透光率且預設數量的透明耐熱耐壓玻璃窗密閉的形狀。透明耐熱耐壓玻璃窗與腔室30之間可藉由耐熱矽膠等密封部件進行密閉處理。
在腔室30的外表面可設有連接到測定部700的連接部701。連接部701可包括支架703及蓋子705。
可具有設置於腔室30的外表面的支架703以及用於覆蓋形成在支架703的中間的通孔或開口部704的蓋子705。
圖2是示出支架703及蓋子705的示意圖。
支架703可設置於腔室30的觀察口70且在與觀察口70相向的一面形成有相當於通孔的開口部704。支架703可形成為，中間形成有通孔的四邊形環或圓環形狀。
測定部700可以可拆卸地形成在支架703的開口部704的一側。
作為一例，在與測定部700相向的支架703的一面可形成有用於插入螺釘的螺孔，所述螺釘用於連接測定部700與支架703。測定部700可以藉由穿過螺孔的緊固螺釘的緊固及拆卸來安裝到支架703或從支架703拆卸。
在測定部700可設有從支架703拆卸或安裝到支架703的拆裝單元790和設置於與支架703的開口部704相向的拆裝單元790的一面的鏡筒780。鏡筒780可包括收集腔室30的內部的光並傳輸到照度感應器770的透鏡等。在與支架703相向的拆裝單元790的一面可設有用於使螺釘藉由的通孔。通孔可以與形成在支架703的螺孔對齊。當將藉由通孔的螺釘旋入螺孔時，拆裝單元790可以被安裝到支架703。
與支架703的開口部704相向的測定部700的面積可小於開口部704。其結果，即使測定部700安裝到開口部704的一側，開口部704的另一側也能夠保持向外部開放的狀態。開口部704的另一側開放時，腔室30的外部的光可藉由開口部704的另一側流入測定部700。這樣流入的外部光相當於噪聲，因此為了減少噪聲，較佳將開口部704的另一側封閉。
為了覆蓋被測定部700覆蓋的開口部704的一側部位以外的剩餘部位可以使用蓋子705。
蓋子705可以形成為，其中間部位與支架703的開口部704相向並且邊緣部位與支架703相向的板狀。
在支架703的與蓋子705的邊緣相向的一面可設有用於吸引蓋子705的邊緣部位的吸引部708。
蓋子705可藉由吸引部708安裝到開口部704的另一側或從開口部704的另一側拆卸。
當測定部700安裝到開口部704的一側，蓋子705安裝到開口部704的另一側時，觀察口70與外部可以被光學遮擋。換言之，藉由與開口部704相向的測定部700的一面和蓋子705，整個開口部704可以與外部封閉。
在排除另設的緊固螺釘等的狀態下使用吸引部708時，用戶可以容易地將蓋子705安裝到開口部的另一側或從開口部的另一側拆卸蓋子705。用戶可以打開蓋子705直接肉眼確認腔室30的內部。或者，用戶藉由蓋上蓋子705來提高測定部700的測定精度。
開口部704的一側可以藉由安裝在支架703的測定部700封閉。
開放的開口部704的另一側可形成為四邊形形狀。在支架703的與四邊形形狀的各邊角相向的部位分別設置有用於吸引蓋子705的磁鐵。換句話說，與開放的開口部704的另一側的對角線的端部相向的每個點上可設置有磁鐵。蓋子705可形成為四邊形的板狀。根據本實施例，由於蓋子705的每個邊角均與設置於支架703的磁鐵相向，可藉由磁力可靠地安裝到支架703。當然，在與磁鐵相向的蓋子705的各邊角可設置有響應磁力的磁性材料，或者蓋子705本身可以由磁性材料形成。
設置於腔室30的觀察口70且在與觀察口70相向的一面形成有開口部704的支架703可以形成為可安裝到覆蓋整個開口部704的端點檢測器（End Point Detector；EPD）上。此時，在排除EPD的狀態下，測定部700可以僅覆蓋開口部704的一側。被測定部700覆蓋後的開口部704的剩餘部位可以被蓋子705覆蓋。根據本實施例，支架703可以共同用於EPD和測定部700。
EPD可以藉由對基於電漿製程中產生的電漿的光進行接收並計算物質固有波長的變化量，來確定電漿製程，例如蝕刻製程的終點。在使用EPD的情況下，雖然可以掌握是否存在電漿或是否產生電漿，但僅用於確定是否產生電漿，這從功能上或成本方面考慮都不合理。因此，區分使用應用EPD的腔室30和應用本發明的測定部700的腔室30將是有利的。此時，根據使用另設的蓋子705的本實施例，與腔室30的種類無關地，可以在腔室30設置相同規格的支架703。若特定腔室30需要EPD，則可以在相應支架703上安裝EPD。若特定腔室30需要測定部700，則可以在相應支架703的一側安裝測定部700並且在相應支架703的另一側安裝蓋子705。
照度感應器770可藉由腔室30的觀察口70接收由在腔室30的內部產生的電漿發出的光。
在電漿被激發的狀態或產生電漿的狀態下，與在腔室30的內部間歇地產生的火花（spark）引起的光相比，在腔室30的內部產生的電漿本身引起的光的光量非常少。
藉由相當於障礙物的觀察口70接收少量的光量的光的照度感應器770可包括電流輸出型的環境光感應器，所述環境光感應器區別於用於檢測在腔室30的內部產生的火花的一般光感應器。
電流輸出型的環境光感應器耐環境噪聲，可以檢測微弱的光的光量。
在測定部700可設置有將電流輸出型的環境光感應器的輸出值轉換為模擬電壓值的放大器720和比較器。即使藉由電流輸出型的環境光感應器檢測到腔室30內微弱的光，該檢測結果也可能小於用於檢測是否產生電漿所需的光量值或與之對應的電壓值。為了轉換成用於檢測是否產生電漿的等級（scale），可以使用放大器720或比較器。
放大器720可以以設定放大比放大環境光感應器的檢測結果值。比較器可將檢測結果值區分為高（high）、低（low）。本發明的檢測裝置的主要目的在於檢測在腔室30內是否存在電漿，而不是獲得腔室30內部的電漿的強度。因此，如果可以明確區分表示在腔室30內存在電漿的訊號例如高和表示在腔室30內未存在電漿的訊號例如低，則可以充分實現本發明的目的。因此，藉由比較器也可以充分操作本發明的檢測裝置。
或者，比較器可用於照度感應器770的測定值與設定檢測點之間的比較。
可設置有用於調節檢測點的調節單元，所述檢測點用於檢測是否產生電漿。作為一例，調節單元可包括可變電阻器。檢測部800可藉由比較由調節單元調節的設定電壓值與表示由測定部700測定的光量的測定電壓值來檢測是否產生電漿。為了使調節單元正常工作，在初始階段的電壓值的設定過程會重要。
調節單元可在現場直接設定檢測點。作為一例，測定部700可輸出表示光量的測定電壓值。當測定電壓值為設定檢測點以上時，檢測部800可以檢測到產生電漿。
當初始設定時，在確認到現場設置的腔室30的內部產生電漿的狀態下，檢測部800可以將藉由測定部700測定的特定電壓值設為檢測點。作為一例，當初始設定時，用戶可以在支架703設置測定部700，並在開放蓋子705的狀態下，藉由觀察口70肉眼確認在腔室30的內部是否產生電漿。在用戶肉眼確認電漿的產生後，蓋上蓋子705後，按下設定按鈕時，檢測部800可以將由測定部700測定到的特定電壓值設為檢測點。作為另一例，將腔室30的各種環境信息，例如，將供給到產生電漿的天線的功率值、注入腔室30的內部的反應氣體的種類等與查找表進行比較，並可將與查找表匹配的特定電壓值設為檢測點。
每個作業現場的檢測點可能不同。因此，即使是相同的檢測裝置，用於檢測產生電漿的光量可因現場而異。
圖3是示出光量值與電壓值之間的關係的曲線圖。
圖3的（a）部分可以示出將腔室30內是否產生電漿數字化的結構。
照度感應器770或測定部700可以將與設定光量值以上的光量值對應的所有輸出電壓值轉換為設定電壓值。
設定光量值可以設定為高於作為是否產生電漿的檢測標準的檢測點對應的光量值。
根據圖3的（a）部分，照度感應器770可檢測0~1.6lux對應範圍的光量。照度感應器770或測定部700可以設計成，將與16lux以上的光量值對應的輸出值均轉換為10V。在這種情況下，可對於以檢測點0.5V為基準獲取的電壓值，將腔室30內的電漿的開/關狀態數字化並示出。電漿的開（on）狀態可以表示存在或產生電漿的狀態，電漿的關（off）狀態可以表不存在或未產生電漿的狀態。換言之，電漿的關狀態可以表示沒有電漿的狀態。
圖3的（b）部分可以示出線性表示腔室30內是否產生電漿的結構。
照度感應器770或測定部700可在設定範圍的電壓值內線性示出在現場腔室30產生的最暗電漿到最亮電漿（Brightly Plasma）。
根據圖3的（b）部分，最暗電漿可以表現出與檢測點相同的測定電壓值。在圖3的（b）部分中，當檢測點為1V時，可以使用能夠在檢測點到檢測點的10倍範圍內線性測定光量的照度感應器770。根據本實施例，照度感應器770或測定部700可以以模擬輸出示出腔室30內的電漿光量。檢測部800可以實時監測腔室30內的電漿光量。
本發明的檢測裝置可藉由如圖3的（b）部分的模擬電壓輸出檢測電漿製程的穩定性。
作為一例，按A客戶、B客戶、C客戶，製程配方可能會互不相同。
A客戶所需光量可以是3V。對於A客戶，檢測裝置以3V為準，只要落入0.5V的誤差範圍（2.5V＜與測定光量值對應的電壓值＜3.5V）時，判斷電漿製程數據有效。此時，可以將2.5V＜與測定光量值對應的電壓值＜3.5V設定為對於A客戶的適宜範圍的電壓值。當超出該誤差範圍時，檢測裝置藉由設備聯鎖（interlock）通知當前電漿狀態不穩定。
如上所述，本發明的測定部700需要測定電漿本身引發的光量，與火花相比，所述光量具有非常少的光量。由於與測定結果相應的電壓值在物理上很小，因此可能達不到檢測部800所需數值。為了減少對於微小測定結果的噪聲干擾概率，需要大幅度轉換測定結果值。為此，測定部700還可以設有選擇器710、放大器720、調節器730、轉換器740。
選擇器710可以選擇現場電漿製程條件。作為一例，在選擇器710上可設有第一變換器713、第一開關711、第二變換器714、第二開關712。
電漿製程條件可包括RF製程條件（第一條件）、使用氧氣的MW製程條件（第二條件）、使用氫氣或氮氣的MW製程條件（第三條件）。
第一開關711可以切換是否選擇使用氫氣或氮氣的MW製程條件（第三條件）。
在未選擇第三條件的狀態下，第二開關712可以切換RF製程條件（第一條件）和使用氧氣的MW製程條件（第二條件）。
第一變換器713可包括第一辨別單元，所述第一辨別單元分析由用戶操作的開關或腔室30的控制系統提供的數據並辨別是否滿足第三條件。第一變換器713可根據用戶的手動操作或是否滿足第三條件來控制第一開關711的切換動作。
或者，第一變換器713可以將照度感應器770的輸出信息轉換為第一開關711的輸入端所要求的形式。
第二變換器714可包括第二辨別單元，所述第二辨別單元分析由用戶操作的開關或腔室的控制系統提供的數據並辨別是否滿足第一條件或第二條件。第二變換器714可根據用戶的手動操作或是否滿足第一條件/第二條件來控制第二開關712的切換動作。
或者，第二變換器714可以將從第一開關711的輸出端輸出的輸出信息轉換為第二開關712的輸入端所要求的形式。
放大器720可以根據與由選擇器710選擇的製程條件對應的放大比，放大照度感應器770的輸出值。
作為一例，在放大器720上可設有放大比為10倍的第一放大器721、放大比為40倍的第二放大器722、放大比為500倍的第三放大器723。
如果是RF製程（第一條件），則選擇器710可以將照度感應器770的輸出端子連接到第一放大器721。
如果是使用氧氣的MW製程（第二條件），則選擇器710可以將照度感應器770輸出端子連接到第二放大器722。
如果是使用氫氣或氮氣的MW製程（第三條件），選擇器710可以將照度感應器770的輸出端子連接到第三放大器723。
調節器730可以調節所放大的輸出值的增益。調節器730可以利用藉由測定部700測定的參考測定值，例如利用檢測點來執行所謂的場自適應調諧（tuning）操作。可分別設有：第一調節器731，用於對輸出到第一放大器721的信息進行調諧；第二調節器732，用於對從第二放大器722輸出的信息進行調諧；以及第三調節器733，用於對從第三放大器723輸出端信息進行調諧。
轉換器740可以將從調節器730輸出的值轉換為滿足設定範圍的電壓值。轉換器740可設有第三開關741、換算（scale）單元742、均衡器743。
第三開關741可對應選擇器710的動作來被切換（switching）。
在第一條件下，第三開關741可以切換成連接到第一調節器731的輸出端。
在第二條件下，第三開關741可以切換成連接到第二調節器732的輸出端。
在第三條件下，第三開關741可以切換成連接到第三調節器733的輸出端。
換算單元742可以將從第三開關741輸出的信息轉換為滿足設定電壓的特定電壓值。
均衡器743可以校正從換算單元742輸出的信息的特性或去除從換算單元輸出的信息中所含噪聲。
以上，藉由實施例對本發明進行了說明，但上述事實僅用於說明本發明的思想，本發明並不限於此。本領域技術人員應理解可以對上述實施例進行各種修改。本發明的範圍僅藉由申請專利範圍的解釋來確定。
30:腔室 31:載物台 32:電源 33:氣體注入部 35:排氣裝置 36:溫度控制器 70:觀察口 700:測定部 701:連接部 703:支架 704:開口部 705:蓋子 708:吸引部 710:選擇器 711:第一開關 712:第二開關 713:第一變換器 714:第二變換器 720:放大器 721:第一放大器 722:第二放大器 723:第三放大器 730:調節器 731:第一調節器 732:第二調節器 733:第三調節器 740:轉換器 741:第三開關 742:換算單元 743:均衡器 770:照度感應器 780:鏡筒 790:拆裝單元 800:檢測部 W:晶圓
圖1是示出本發明的檢測裝置的示意圖。
圖2是示出支架及蓋子的示意圖。
圖3是示出光量值與電壓值之間的關係的曲線圖。
圖4是示出測定部的示意圖。
30:腔室
31:載物台
32:電源
33:氣體注入部
35:排氣裝置
36:溫度控制器
70:觀察口
700:測定部
701:連接部
800:檢測部
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種電漿檢測裝置，包括：測定部，具備用於測定腔室的內部的光量的照度感應器；以及檢測部，藉由分析所述光量來檢測在所述腔室的內部是否產生電漿；其中，設置有用於調節檢測點的調節單元，所述檢測點用於檢測是否產生所述電漿，所述檢測部藉由比較由所述調節單元調節的設定電壓值與表示在所述測定部測定的所述光量的測定電壓值來檢測是否產生所述電漿。
  2. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，設置有支架以及蓋子，所述支架設置於所述腔室的觀察口且在與所述觀察口相向的一面形成有開口部，所述蓋子用於覆蓋所述支架的所述開口部，所述測定部以能夠拆裝的方式形成在所述開口部的一側，所述蓋子形成為：其中間部位與所述開口部相向且其邊緣部位與所述支架相向的板狀，在與所述蓋子的邊緣相向的所述支架的一面設置有用於吸引所述蓋子的所述邊緣部位的吸引部，所述蓋子藉由所述吸引部安裝到所述開口部的另一側或從所述開口部的另一側拆卸，當所述測定部安裝到所述開口部的一側，所述蓋子安裝到所述開口部的另一側時，所述觀察口與外部被光學遮擋。
  3. 如請求項2所述之電漿檢測裝置，其中，所述開口部的一側被安裝到所述支架的所述測定部而封閉；開放的所述開口部的另一側形成為四邊形，在所述支架的與所述四邊形的各邊角相向的部位，分別設置有用於吸引所述蓋子的磁鐵。
  4. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，設置有支架，所述支架設置於所述腔室的觀察口且在與所述觀察口相向的一面形成有開口部，所述支架形成為：能夠安裝到覆蓋整個所述開口部的端點檢測器，在排除所述端點檢測器的狀態下，所述測定部僅覆蓋所述開口部的一側，設置有用於覆蓋被所述測定部覆蓋後剩餘的所述開口部之部位的蓋子。
  5. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，所述照度感應器藉由所述腔室的觀察口接收在所述腔室的內部產生的電漿釋放的光，所述照度感應器包括電流輸出型的環境光感應器，在所述測定部設置有用於將所述環境光感應器的輸出值轉換為模擬電壓值的放大器和比較器。
  6. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，所述測定部輸出用於表示所述光量的測定電壓值，當所述測定電壓值為設定的檢測點以上時，所述檢測部檢測為產生了所述電漿，在初始設定時，所述檢測部在確認現場設置的所述腔室的內部產生了所述電漿的狀態下，將由所述測定部測定的特定電壓值設定為所述檢測點。
  7. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，所述照度感應器將與設定光量值以上的光量值對應的輸出電壓值均轉換為設定電壓值，所述設定光量值被設定為高於與檢測點對應的光量值，所述檢測點成為是否產生所述電漿的檢測標準。
  8. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，所述照度感應器在設定範圍的電壓值內線性示出在現場的所述腔室產生的最暗電漿到最亮電漿。
  9. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，設置有選擇器、放大器、調節器、轉換器，所述選擇器選擇現場電漿製程條件， 所述放大器根據與由所述選擇器選擇的所述製程條件對應的放大比，放大所述照度感應器的輸出值，所述調節器調節被放大的所述輸出值的增益，所述轉換器將從所述調節器輸出的值轉換為滿足設定範圍的電壓值。
  10. 如請求項1所述之電漿檢測裝置，其中，設置有放大比為10倍的第一放大器、放大比為40倍的第二放大器、放大比為500倍的第三放大器以及選擇器，在射頻製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器的輸出端子連接到所述第一放大器，在使用氧氣的微波製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器輸出端子連接到所述第二放大器，在使用氫氣或氮氣的微波製程的情況下，所述選擇器將所述照度感應器的輸出端子連接到所述第三放大器。
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