TWI782643B - 有機發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種用於像素圖案化及有機發光顯示裝置之像素位置檢測的方法包含：在基板上使用第一遮罩形成對應第一像素圖案之第一顏色的薄膜層，並形成用於檢測第一像素的位置的第一像素位置圖案；將第一遮罩從與形成第一顏色之薄膜層相關聯的位置偏移一預定間距；相對基板對準偏移後的第一遮罩；以及在基板上使用第一遮罩形成對應第一像素圖案之第二顏色的薄膜層，並形成用於檢測第二像素的位置的第二像素位置圖案。

Description

有機發光顯示裝置及其製造方法
相關申請案之交互參照：本申請案係主張於2015年05月19日向韓國智慧財產局提出之韓國專利申請號第10-2015-0069351號之優先權及效益，其全部內容於此併入作為參考。
本案之例示性實施例係關於一種薄膜的形成，且更具體地，係關於一種遮罩及應用遮罩之沈積製程形成薄膜並檢測其位置精確度的方法。
氣相沈積通常需要從沈積源產生氣化物，並使氣化物附著於基板表面。例如，可將遮罩置於基板上(或上方)，並使來自沈積源之氣化物可通過遮罩中的孔洞沈積於基板上，而在基板上形成所需要的薄膜圖案。可利用該薄膜之生產技術形成薄膜圖案，組成如有機發光裝置(OLED)的平板顯示裝置。舉例而言，薄膜圖案可相當於薄膜像素圖案。
揭露於此先前技術之上述資料係僅用以增加對本發明概念之背景知識的了解，且因此，其可能包含不形成國內技術之通常知識者所了解的先前技術的資料。
例示性實施例提供一種遮罩，係以形成用於有機發光顯示裝置之薄膜像素圖案。
例示性實施例提供一種用於有機發光顯示裝置中之像素圖案化及像素位置檢測的方法。
其他態樣將在下方實施方式加以闡述，且可藉由該部分輕易了解本發明，或可藉由實作本發明之概念而理解。
根據一或多個例示性實施例，一種用於像素圖案化及有機發光顯示裝置之像素位置檢測的方法包含：使用第一遮罩在基板上形成相對於第一像素圖案的第一顏色之薄膜層，及第一像素位置圖案以檢測第一像素的位置；從形成第一顏色之薄膜層關聯的位置將第一遮罩偏移一預定間距；對應基板對準偏移後的第一遮罩；以及使用偏移後的第一遮罩在基板上形成相對於第一像素圖案的第二顏色之薄膜層，及用於檢查第二像素位置的另一個第一像素位置圖案。
根據一或多個例示性實施例，一種用於有機發光顯示裝置的像素圖案化遮罩包含：像素圖案；第一檢測圖案，以檢測第一像素位置，配置該第一檢測圖案係便於測量通過像素圖案形成於基板上的薄膜層之位置精確度；以及第二檢測圖案，以檢測第二像素位置，配置該第二檢測圖案係便於測量通過像素圖案形成於基板上的薄膜層之位置精確度。第二檢測圖案係形成於第一檢測圖案不同的位置。
上述之一般描述及下方之詳細說明係為示例性及解釋性的，並意在進一步解釋發明申請專利範圍。
100:沈積源單元
200:遮罩
210a:第一遮罩
210b:第二遮罩
211,213:主動區
212,214:虛擬區
300:基板
301,302,G1,R1,B,G2,R2:薄膜層
320_R,320_G,320_B:像素電極
321_R,321_G:電洞注入層
322:電洞傳輸層
323_R,323_G,323_B:發射層
324:電子傳輸層
325:電子注入層
326:反電極
330:緩衝層
331:半導體主動層
332:閘極絕緣層
333:閘極
334:層間絕緣層
335:源極
336:汲極
337:平坦化層
338:像素定義層
400:腔體400
C1,C2:中點
d:寬度
D1:第一方向
D2:第二方向
EL_R,EL_G,EL_B:有機發光裝置
G1’,R1’,G2’,R2’:圖案
M:標記
TFT_R,TFT_G,TFT_B:薄膜電晶體
附圖圖式係提供以進一步解釋本發明之概念，納入並構成本說明書的一部分，說明本發明之例示性實施例，並與實施方式一起解釋了本發明的原理。
第1圖係根據一或多個例示性實施例的薄膜沈積設備之示意圖。
第2圖係根據一或多個例示性實施例的有機發光顯示裝置(可形成自第1圖之薄膜沈積設備)之單元像素結構的截面圖。
第3圖係根據一或多個例示性實施例之形成於基板上之標記及薄膜圖案的平面圖，標記及薄膜圖案可用來精確定位用於遮罩沈積且與像素相關的遮罩。
第4A~4D圖係根據一或多個例示性實施例說明使用第一遮罩將第一像素之發射層及第二像素之發射層圖案化的方法。
第5A~5D圖係根據一或多個例示性實施例說明使用第4A~4D圖之第一遮罩將第一像素之發射層及第一像素之輔助層圖案化的方法。
第6A~6D圖係根據一或多個例示性實施例說明使用第二遮罩將第三像素之發射層及第三像素之輔助層圖案化的方法。
為了解釋本發明，以下說明列出大量特定細節以提供完整解釋給多個例示性實施例。然而，顯而易見地，多個例示性實施例可不按照這些特定 細節或一至多個相同佈局實現。在其他案例中，用方塊圖式顯示已知結構及裝置以避免不必要的各種相似例示性實施例。
在附圖圖式中，層、膜、平面、區塊的尺寸及相對大小等等，可誇大以清楚描述本發明。另外，圖式中之相同的參考符號表示相同的元件。
當一元件或層被描述為在某物上、連接於某物、或耦合於其他元件或層時，其可為直接地位於某物上、連接某物、或耦合其他元件或層，或可存在有中間元件或層。然而，當一元件或層被描述為直接位於某物上、直接連接某物、或直接耦合某物其他元件或層時，不存在有中間元件或層。為了說明本發明，「至少一X、Y、及Z」和「從X、Y、及Z組成的集合中選擇至少一個」可被解釋成僅有X，僅有Y，僅有Z，或X、Y、及Z的二或多個任意組合，舉例而言，XYZ、XYY、YZ、及ZZ。整篇說明書中相同的參考符號表示相同的元件。在本文所使用的詞「及/或」包含一或多個所列舉物件之任意或全部組合。
雖然可在本文中使用詞「第一」、「第二」等等以說明各種元件、構件、區塊、層、及/或部分，這些元件、構件、區塊、層、及/或部分不應受限於這些詞。這些詞的用意是為區分一元件、構件、區塊、層、及/或部分和另一元件、構件、區塊、層、及/或部分。因此，以下所述之第一元件、構件、區塊、層、及/或部分可稱之為第二元件、構件、區塊、層、及/或部分，而不會違背本發明的教導。
本文可使用相對空間詞來說明，如「下方」、「以下」、「低於」、「上方」、「以上」等等，以描述如圖式中所顯示之一元件或功能與另一元件或功能的相對關係。除圖式中所描繪方向，相對空間詞可涵蓋使用中、操作、及/或製造設備的各種方向。例如，假設圖式中的設備被倒置，被描述為其他元 件或功能「以下」或「下方」的元件則可被重新定向為其他元件或功能「上方」。因此，例示性詞「以下」可涵蓋取向為以上及以下兩者。另外，設備可以不同方位配置(例如，旋轉90度或其他方向)，並以本文所用的相對空間符號解讀。
本文的各種用詞係用以解釋而非限制特定實施例。在本說明書中，單數型態「一」及「該」同時包含複數型態，除非有在上下文中另外說明。另外，在本說明書中的詞「包含」及/或「包括」係標明所述相關功能、整數、步驟、操作、元件、構件、及/或集合，但不排除其他一或多個相關功能、整數、步驟、操作、元件、構件、及/或集合。除非另有說明，可以不同於本說明書的流程執行特定程序。例如，所說明的兩個連續程序實質上可同時進行，或與說明流程相反進行。
在本文中的各種例示性實施例係參照理想例示性實施例及/或中間結構之示意截面圖來描述。因此，預期結果會因例如製造技術及/或允許誤差而有異於示意圖之形狀。又，本文所述之例示性實施例不應被解釋成限於所繪特定區塊之形狀，但應包含例如製造造成的形狀偏差。例如，繪示成矩形的植入區塊的邊緣通常將具有圓角或曲度特徵及/或注入濃度(implant concentration)之梯度，而非僅從植入到非植入區塊的二元變化(binary change)。同樣地，以埋植法形成的埋入區塊可能使埋入區塊與埋植穿過的表面之間的區塊發生埋植。因此，圖式中的繪示區塊僅為概念性示意圖，其形狀不意在說明及限制裝置區塊之實際形狀。
除非另有定義，本文使用的所有用詞(包含技術或科學用詞)都具有與本發明技術之通常知識者所認知的相同意義。如常用字典中所定義的， 解釋用詞之意義應與相關技術文章中之定義相同，除非另有說明，並不會以過於正式或理想的意義解釋。
第1圖係根據一或多個例示性實施例的薄膜沈積設備之示意圖。
如第1圖所示，薄膜沈積設備包含遮罩200以及沈積源單元100，遮罩200係用於在作為沉積標的之基板300上形成期望圖案。沈積源單元100可配置為在腔體400內來回移動，並對基板300噴散(或釋出)沈積氣體。因此，當沈積源單元100在腔體400內噴散沈積氣體時，沈積氣體可穿過形成於遮罩200的開口並沈積於基板300上，以形成預設圖案的薄膜。
第2圖係根據一或多個例示性實施例的有機發光顯示裝置(可藉由第1圖之薄膜沈積設備來形成)之單元像素結構的截面圖。例如，第1圖之基板300可為第2圖之有機發光顯示裝置之基板300。單元像素可包含三色子像素，如紅色(R)子像素、綠色(G)子像素、及藍色(B)子像素。然而，可利用本文說明的例示性實施例關聯構想以形成任意合適顏色及數量的子像素。為便於說明，單元像素的各種子像素將被稱為像素。
參照第2圖，單元像素可包含形成於基板300上的緩衝層330、設置在緩衝層330之表面(例如上表面)上的用於紅色子像素的薄膜電晶體TFT_R、用於綠色子像素的薄膜電晶體TFT_G，以及用於藍色子像素的薄膜電晶體TFT_B。每個薄膜電晶體TFT_R、TFT_G、及TFT_B可包含半導體主動層331、覆蓋半導體主動層331的閘極絕緣層332、以及設置於閘極絕緣層332上(例如閘極絕緣層332的上表面上)的閘極333。層間絕緣層334係形成以覆蓋閘極333。源極335和汲極336形成於層間絕緣層334之上部上。源極335和汲極336分 別透過形成於閘極絕緣層332及層間絕緣層334內相應的接觸孔接觸半導體主動層331的源極區和汲極區。
各有機發光裝置EL_R、EL_G、EL_B之相應像素電極320_R、320_G、320_B分別連接到色像素之源極335和汲極336。各像素電極320_R、320_G、320_B可形成於平坦化層337上。像素定義層338可覆蓋像素電極320_R、320_G、320_B。中間層包含發射層323_R、323_G、323_B，且輔助層形成於像素電極320_R、320_G、320_B上。反電極326形成於各中間層上。
輔助層包含電洞注入層321_R及321_G、電洞傳輸層322、電子傳輸層324、以及電子注入層325。如第2圖所示，電洞注入層321_R及321_G與藍色子像素無關聯地設置，但與紅色子像素及綠色子像素有關聯地設置。電洞注入層321_R和321_G與發射層323_R及323_G有關聯地設置。以此方式，發射層323_R及323_G重疊電洞注入層321_R及321_G。而反電極326、電洞傳輸層322、電子傳輸層324、及電子注入層325皆為與各像素區有關聯地形成之共用層。因此，反電極326、電洞傳輸層322、電子傳輸層324、及電子注入層325可透過不具任何特定圖案的開放遮罩形成，或換言之，可形成以覆蓋基板300上的底層之整體表面。紅色子像素之發射層323_R及藍色子像素之發射層323_B具有相同圖案，但彼此以對應紅色子像素與藍色子像素之間的距離間隔一段預設間距設置。
根據一或多個例示性實施例，提供以精確圖案化及精確重疊條件在精確位置上形成發射層323_R、323_G及323_B以及電洞注入層321_R、321_G、321_B的方法。以此方式，形成發射層323_R、323_B所使用的遮罩可不同於形成發射層323_G使用的遮罩。另外，當藍色子像素不包含電洞注入層，形成電洞注入層321_R及321_G所使用的一或多個遮罩可不用來形成藍色子像素的 部分。為此，發射層323_R、323_G及323_B以及電洞注入層321_R及321_G應於各像素中以精確位置進行圖案化。然而，當遮罩不在精確位置上時，沈積於基板300上的薄膜位置可能與期望位置有所偏差，從而降低像素的顯示畫質。為了避免(或至少減少)遮罩的這種偏差的可能性，此方法可包含精確測量像素位置之流程，以能於期望位置精確沈積薄膜。
第3圖係根據一或多個例示性實施例之形成於基板上之標記及薄膜圖案的平面圖，標記及薄膜圖案可用來精確定位用於遮罩沈積且與像素相關的遮罩
為測量沈積位置精確度，標記M(如第3圖所示)可形成於基板300之第一側，且圖案G1’、R1’、G2’及R2’(如第4A及6A圖所示)可用以形成薄膜層G1、R1、B、G2及R2以作檢測。薄膜層G1、R1、B、G2及R2可形成在從標記M沿第一方向D1之虛擬延伸線對準的參考中點C1上。以此方式，當發射層323_R、323_G及323_B及電洞注入層321_R及321_G形成時，薄膜層G1、R1、B、G2及R2為作檢測亦可沈積並形成於基板300上。因此，當遮罩精確定位時，薄膜層G1、R1、B、G2及R2之中點C2為作檢測將重合與標記M相關聯的參考中點C1。然而，當遮罩例如沿第二方向D2偏移而未被精確定位時，用於檢測之薄膜層G1、R1、B、G2及R2之中點C2將不會與標記M相關聯的參考中點C1重合。另外，如第3圖所例示，沿第二方向D2之空隙間隔將存在於參考中點C1與中點C2之間。空隙間隔可量測作為遮罩的偏移失準。可利用所測得的空隙間隔重新沈積遮罩，以為下次的沈積製程消除偏移。
雖然未顯示出，亦可考量將一或多個標記形成於與基板300之第一側垂直的基板300之第二側上(或形成在基板之另一部分上)，以測量並調整 與第一方向D1相關聯的定位準度。即是，亦可根據參考中點C1之偏移及沿第一方向D1之中點C2來沿著第一方向D1測量空隙間隔。以此方式，在第一方向D1及第二方向D2皆可精確定位標記。
形成發射層323_R、323_G及323_B、電洞注入層321_R及321_G、以及用於檢測的各薄膜層G1、R1、B、G2及R2之例示性方法將參照第4A~4D、5A~5D、6A~6D圖說明。
第4A~4D圖係根據一或多個例示性實施例說明使用第一遮罩將第一像素之發射層及第二像素之發射層圖案化的方法。例如，第一像素的發射層可為紅色子像素之發射層323_R，且第二像素的發射層可為藍色子像素之發射層323_B。為此，第一遮罩將被稱為遮罩210a。
如第4A及4B圖所示，第一遮罩210a可包含位於主動區211中的第一像素圖案及設置於主動區211外的虛擬區212、檢測第一像素位置的圖案R1’，以及檢測第二像素位置的圖案R2’。主動區211為用於實際形成發射層323_R、323_G及323_B以及電洞注入層321_R、321_G的圖案區塊。虛擬區212為設置於主動區211外(例如包圍主動區211)的邊緣圖案區塊。用於檢測第一像素位置的圖案R1’為用於形成薄膜層R1的圖案，且薄膜層R1係用於第一檢測，如第4C圖所示。圖案R1’係形成於紅色子像素之發射層323_R形成時。用於檢測第二像素位置的圖案R2’為用於形成薄膜層R2的圖案，且薄膜層R2係用於第三檢測，如第4C及4D圖所示。
根據一或多個例示性實施例，在形成紅色子像素之發射層323_R及藍色子像素之發射層323_B的過程中可不使用用於檢測第二像素位置的圖案R2’。例如，用於檢測第二像素位置的圖案R2’可為形成於第一遮罩210a中的開 口，並且因此，用於第三檢測的薄膜層R2在沈積製程中形成於基板300上，如第4C、4D圖中。然而應注意的是，用於第三檢測的薄膜層R2形成於與標記M不同的位置，使得用於第三檢測的薄膜層R2並未用於第一檢測。進一步地，薄膜層R2將不會干擾第一檢測。
當使用第一遮罩210a形成紅色子像素之發射層323_R時，在基板300上對準第一遮罩210a並進行沈積，如第4A圖所示。以此方式，紅(R)色(下文稱為第一顏色)之薄膜層301、302、R1及R2係形成於基板300上，如第4C圖所示。第一顏色之薄膜層的主動區及虛擬區係分別形成於基板300上對應第一遮罩210a之主動區211及虛擬區212中的第一像素圖案的區域上。用於第一檢測及第三檢測的薄膜層R1及R2係分別形成於對應於圖案R1’及R2’的區域上，且圖案R1’及R2’係用於檢測第一遮罩210a之第一像素位置及第二像素位置。對應主動區的薄膜層301將成為紅色子像素之發射層323_R。
為檢測包含紅色子像素之發射層323_R的第一顏色的薄膜層301、302、R1及R2是否精確形成，參照第3圖說明比較第一檢測之薄膜層R1及與標記M相關聯的中點C1及C2的位置。當判定第一遮罩210a之偏移存在作為比較結果時，調整第一遮罩210a之位置，使得於下次形成第一顏色之薄膜層301、302、R1及R2時，可消除(或至少減少)偏移。
根據一或多個例示性實施例，用於形成紅色子像素之發射層323_R的第一遮罩210a也可在形成藍色子像素之發射層323_B時使用。然而，亦可考量將第一遮罩210a用來形成紅色子像素之發射層323_R，而非用來形成藍色子像素之發射層323_B。在這種狀況下，可使用另一個第一遮罩210a。
如第4A圖所示，第一遮罩210a設置於基板300上，且如第4B圖所示，第一遮罩210a(至少一部分)基於紅色子像素之發射層323_R之形成來偏移一段預定間距，並對準基板300。亦即，由於紅色子像素之發射層323_R及藍色子像素之發射層323_B具有將會重疊之相同圖案，若紅色子像素之發射層323_R被移動的預定間距大於藍色子像素之發射層323_B，則第一遮罩210a可以預定間距移動以形成藍色子像素之發射層323_B。因此，當用以形成紅色子像素之發射層323_R的第一遮罩210a被偏移預定間距時，藍色子像素之發射層323_B的圖案可形成如紅色子像素之發射層323_R。考慮預定間距，偏移距離可調整單一間距(pitch)及三倍間距等。為此，需注意的是第一遮罩210a的偏移應在虛擬區之寬度d以內沿著偏移方向進行。
因此，如第4B圖所示，當第一遮罩210a相對基板300移動預定間距，主動區211及虛擬區212之第一像素圖案以及用於檢測第一和第二像素位置的圖案R1’、R2’將偏移並對準。因此，當進行沈積製程時，形成藍(B)色(以下稱第二顏色)之薄膜層301、302、B、及R2並從第一顏色之薄膜層偏移預定間距，比較第4C、4D圖所示。第二顏色的薄膜層之主動區及虛擬區係分別形成於基板300上對應第一遮罩210a之主動區211及虛擬區212的第一像素圖案。為此，用於第二檢測的薄膜層B及第三檢測的薄膜層R2係分別形成於對應第一及第二像素位置的圖案R1’、R2’的區域。以此方式，相對主動區的薄膜層301將成為藍色子像素之發射層323_B。
為檢測第二顏色之薄膜層301、302及R2及藍色子像素之發射層323_B是否精確形成，參照第3圖之說明並互相比對第二檢測之薄膜層B的位置及相關標記M的中點C1及C2。當比對結果判定第一遮罩210a之偏移存在時，可調 整第一遮罩210a之位置以在下次形成第二顏色之薄膜層301、302、B、及R2時抵銷(或至少減少)該偏移。
第一遮罩210a可用以形成紅色子像素之輔助層，即電洞注入層321_R。
第5A~5D圖係根據一或多個例示性實施例以說明使用第4A~4D圖之第一遮罩圖案化第一像素之發射層及第一像素之輔助層的方法。如先前所提及，第一像素可為紅色子像素，使得第一像素之發射層可為紅色子像素之發射層323_R而第一像素之輔助層可為紅色子像素之電洞注入層321_R。
參照第5A~5D圖，藉由設置第一遮罩210a於基板300上並執行沈積製程以形成第一顏色之薄膜層301、302、R1及R2，如第5A及5C圖所示。在第一顏色之薄膜層301、302、R1及R2形成後，比對用於第一檢測之薄膜層R1的位置與標記M相關聯的中點C1及C2以進行校正偏移之程序。校正程序係相同於第4A及4C圖所說明的，且因此省略重複的說明以避免模糊例示性實施例。
第一遮罩210a係用以形成紅色子像素之輔助層(以下稱第一輔助層)，即電洞注入層321_R。然而應注意的是，用以形成紅色子像素之發射層323_R之第一遮罩210a的部分係不同於用以形成紅色子像素之電洞注入層321_R之第一遮罩210a的部分。另外值得探討的是，可使用不同的第一遮罩以形成紅色子像素之電洞注入層321_R。
如第5A圖所示，第一遮罩210a設置於基板300上。從與形成紅色子像素之發射層323_R相關聯的位置將第一遮罩210a轉動180度。為此，第一遮罩210a之轉動配置係相對基板300對準。亦即，因為紅色子像素之發射層323_R及紅色子像素之電洞注入層321_R係為在相同位置上形成的相同圖案之薄膜 層，因此可使用與形成紅色子像素之發射層323_R相同類型的第一遮罩210a。也因為重複形成用於形成紅色子像素之發射層323_R的相同形狀的圖案，即使第一遮罩210a被轉動180度，圖案可維持不變。然而值得注意的，可能發生少許偏移，但該偏移可被判讀出並透過下次偏移校正程序調整。
當第一遮罩210a被轉動180度時，上述用於檢測第二像素的第二圖案R2’對應於一位置，該位置係可與基板300上的標記M進行比對。以此方式，當進行沈積時，形成與第一輔助層相關聯的薄膜層301、302、R1及R2，如第5D圖所示。對應主動區的薄膜層301將成為紅色子像素的電洞注入層321_R。
為檢測包含紅色子像素之電動注入層321_R的第一輔助層之薄膜層301、302、R1及R2是否精確形成，可將第三檢測之薄膜層R2的位置及標記M之中點C1及C2互相比較，如參照第3圖所述。當判定第一遮罩210a之偏移存在而作為比對結果時，可調整第一遮罩210a之位置以在下次第一輔助層之薄膜層301、302、R1及R2形成時消除(或至少減少)該偏移。
雖然為便於說明，先描述紅色子像素之發射層323_R的形成，基於相關第2圖所描述的堆疊順序，紅色子像素之電洞注入層321_R的形成早於紅色子像素之發射層323_R。以此方式，因為紅色子像素之發射層323_R、藍色子像素之發射層323_B、及紅色子像素之電洞注入層321_R可利用相同的第一遮罩210a而形成，誤差的可能性下降，並可降低製造成本和時間。另外，較易於管理整體製程。
根據一或多個例示性實施例，第6A~6D圖說明使用第二遮罩將第三像素之發射層及第三像素之輔助層進行圖案化。舉例而言，第三像素之發射 層可為綠色子像素之發射層323_G，且第三像素之輔助層可為綠色子像素之電洞注入層321_G。第二遮罩將被稱為遮罩210b。
考慮到綠色子像素之發射層323_G及電洞注入層321_G具有不同於紅色子像素及藍色子像素的圖案，發射層323_G及電洞注入層321_G並未藉由偏移或轉動第一遮罩210a形成，而是在主動區213及虛擬區214中使用具有第二像素圖案的第二遮罩210b形成、以及使用用於檢測綠色子像素之第三及第四像素位置的圖案G1’及G2’形成。
根據一或多個例示性實施例，第二遮罩210b係於基板300上對準並進行沈積，如第6A圖所示。綠(G)色(以下稱為第三顏色)之薄膜層303、304、G1、及G2係形成於基板300上，如第6C圖所示。第三顏色的薄膜層之主動區及虛擬區係分別形成於對應第二遮罩210b之主動區213及虛擬區214中的第二像素圖案的區域上。形成第四及第五檢測之薄膜層G1、G2係分別形成於對應第二遮罩210b之第三及第四像素位置的圖案G1’、G2’的區域上。對應主動區之薄膜層303將成為綠色子像素之發射層323_G。
為檢測包含綠色子像素之發射層323_G的第三顏色之薄膜層303、304、G1、及G2是否精確形成，參照第3圖說明，將第四檢測之薄膜層G1及與標記M相關聯的中點C1及C2的位置進行比較。當判定第二遮罩210b之偏移存在作為比較結果時，可在下次形成第三顏色之薄膜層303、304、G1及G2時調整第二遮罩210b之位置以抵消(或至少減少)偏移。
第二遮罩210b也可用來形成電洞注入層321_G，其即是綠色子像素之輔助層(以下稱第二輔助層)。然而，考量在綠色子像素之發射層321_G形 成時使用的第二遮罩210b可能不在綠色子像素之電洞注入層321_G形成時使用，而可使用另一第二遮罩210b。
如第6A圖所示，第二遮罩210b係設置於基板300上。從形成綠色子像素之發射層323_G的位置將第二遮罩210b轉動180度並相對基板300對準。即，因為綠色子像素之發射層323_G和綠色子像素之電洞注入層321_G為在相同位置具有相同圖案的薄膜層，可使用第二遮罩210b。另外，因為重複形成相同形狀的圖案，即使第二遮罩210b被轉動180度，圖案可維持不變。然而應注意的，可能發生些許偏移，但此偏移可透過下次偏移校正程序調整。
並且，當第二遮罩210b被轉動180度時，用於檢測第五像素位置的上述圖案G2’對應於一位置，且該位置可與基板300上的標記M之位置進行比較。以此方式，當進行沈積時，第二輔助層之薄膜層303、304、G1及G2可形成如第6D圖所示。對應主動區的薄膜層303將成為綠色子像素之電洞注入層321_G。
為檢測包含綠色子像素之電動注入層321_G之第二輔助層的薄膜層303、304、G1、G2是否精確形成，第五檢測之薄膜層G2及與標記M相關聯的中點C1、C2之位置可參照第3圖之描述來彼此比較。當判定第二遮罩210b之偏移存在作為比對結果時，可調整第二遮罩210b之位置，使得在下次形成第二輔助層之薄膜層303、304、G1、G2時抵消(或至少減少)偏移。
雖然為便於說明，已先說明綠色子像素之發射層323_G的形成，基於相關第2圖所顯示的堆疊順序，綠色子像素之電洞注入層321_G的形成係早於綠色子像素之發射層323_G。以此方式，因為綠色子像素之發射層323_G及綠 色子像素之電洞注入層321_G可使用同一第二遮罩210b形成，可降低誤差的可能性，並減少製造時間和成本。另外，較易於管理整體製程。
因此，紅色、綠色及藍色子像素之全部發射層323_R、323_G及323_B，以及紅色及綠色子像素之電洞注入層321_R及321_G可使用兩個遮罩(例如第一遮罩210a及第二遮罩210b)沿不同之兩方向形成。以此方式，例示性實施例可減少誤差的可能，並降低製造成本和時間。另外，較易於管理整體製程並提升生產力。
雖然已在本發明中說明特定例示性實施例及實施方式，從本文可明顯看出其他實施例及修改版。因此，本發明原則上不是限於該實施例，而是所呈現的發明申請專利範圍之較廣範疇及各種明顯修改版及等效配置。
100:沈積源單元
200:遮罩
300:基板
400:腔體

Claims (18)

  1. 一種有機發光顯示裝置之製造方法，包含：在一有機發光顯示裝置之一主動區中形成一像素電極；以一第一遮罩之一第一部份在該像素電極上形成一第一層；以及將該第一遮罩之位置加以偏移，以利用相同之該第一遮罩之一第二部分在該第一層上形成一第一顏色發射層；其中，該第一層與該第一顏色發射層位於該像素電極上或其上方。
  2. 如請求項1所述之製造方法，其中該第一顏色發射層係形成以包含一紅色發射層。
  3. 如請求項1所述之製造方法，其中該第一顏色發射層係形成以包含一綠色發射層。
  4. 如請求項1所述之製造方法，其中該第一層係該第一顏色發射層之一輔助層。
  5. 如請求項1所述之製造方法，其中該第一層係位於該第一顏色發射層與該像素電極之間。
  6. 如請求項1所述之製造方法，其中該第一層係在形成該第一顏色發射層之前形成。
  7. 一種有機發光顯示裝置之製造方法，包含：在一有機發光顯示裝置之一主動區中形成一像素電極，該像素電極係形成於一基板上；以一第一遮罩之一第一部分在該像素電極上形成一第一層；以及 在該像素電極上形成該第一層之後，將該第一遮罩相對於該基板之配置加以調整，以利用該第一遮罩之一第二部分在該第一層上形成一第一顏色發射層；其中，該第一層與該第一顏色發射層位於該像素電極上或其上方。
  8. 一種有機發光顯示裝置，包含：一主動區，包含一第一顏色發射層；一第一輔助層，設置在該第一顏色發射層下方；一第一薄膜圖案，係設置於該主動區外，用於進行一檢測，該第一薄膜圖案包含與該第一顏色發射層相同之材料；以及一第二薄膜圖案，係設置於該主動區外並與該第一薄膜圖案間隔開，用於進行一檢測，該第二薄膜圖案包含與該第一輔助層相同之材料。
  9. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一標記，設置於該主動區外，其中該標記係設置於該第一薄膜圖案與該第二薄膜圖案之間。
  10. 如請求項8所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一第二顏色發射層，設置於該主動區且配置以發射與該第一顏色發射層不同顏色之光；以及一第三薄膜圖案，係設置於該主動區外並與該第一薄膜圖案及該第二薄膜圖案間隔開，用於進行一檢測，該第三薄膜圖案包含與該第二顏色發射層相同之材料。
  11. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，進一步包含： 一標記，設置於該主動區外，其中該標記係設置於該第二薄膜圖案與該第三薄膜圖案之間。
  12. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，其中該第一顏色發射層係一紅色發射層。
  13. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，其中該第二顏色發射層係一綠色發射層。
  14. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一第三顏色發射層，設置於該主動區且配置以發射與該第一顏色發射層及該第二顏色發射層不同顏色之光，其中該第三顏色發射層係一藍色發射層。
  15. 如請求項10所述之有機發光顯示裝置，其中該第二薄膜圖案與該第三薄膜圖案之間之距離係大於該第一薄膜圖案與該第三薄膜圖案之間之距離。
  16. 一種有機發光顯示裝置，包含：一基板；一第一像素電極，位於該基板上；一第一顏色發射層，位於該第一像素電極上；一第一輔助層，設置於該第一顏色發射層及該第一像素電極之間；一第二像素電極，設置於該基板上且與該第一像素電極間隔開；一第二顏色發射層，設置於該第二像素電極上且配置以發射與該第一顏色發射層不同顏色之光； 一第一薄膜圖案，用於進行一檢測，該第一薄膜圖案與該第一像素電極隔開且包含與該第一顏色發射層相同之材料；一第二薄膜圖案，用於進行一檢測，該第二薄膜圖案與該第一像素電極及該第一薄膜圖案隔開，該第二薄膜圖案包含與該第一輔助層相同之材料；以及一第三薄膜圖案，用於進行一檢測，該第三薄膜圖案與該第二像素電極、該第一薄膜圖案及該第二薄膜圖案隔開，該第三薄膜圖案包含與該第二顏色發射層相同之材料。
  17. 如請求項16所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一第一標記，設置於該第一薄膜圖案及該第二薄膜圖案之間。
  18. 如請求項16所述之有機發光顯示裝置，進一步包含：一第二標記，設置於該第二薄膜圖案及該第三薄膜圖案之間。
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