TWI782114B - 質譜分析裝置及質譜分析方法 - Google Patents

Abstract

[課題]提供一種質譜分析裝置和質譜分析方法，其在不使裝置大型化的情況下提高對包含夾雜物等第2物質的第1物質的檢測精度，並且能夠縮短測定時間。 [解決手段]一種質譜分析裝置(110)，乃是對包含第1物質和1種以上的第2物質的試樣進行分析者，該第1物質利用有機化合物所構成，該第2物質利用有機化合物所構成且質譜的峰與第1物質重疊；其特徵在於：具備峰校正部(217)，該峰校正部基於各第2物質的標準物質的質譜的峰中與第1物質的質譜的峰不重疊的峰A、和與第1物質的峰重疊的峰B的非線性的強度的關係F，從試樣中的第1物質的質譜的峰C的強度中，減去由峰A的強度和關係F在每一規定時間間隔所算出的峰B的推定強度的總和，算出第1物質的質譜的淨值的峰D的強度。

Description

質譜分析裝置及質譜分析方法

本發明有關質譜分析裝置及質譜分析方法。

為了確保樹脂的柔軟性，在樹脂中含有鄰苯二甲酸酯等增塑劑，但根據歐洲危害性物質限制指令(RoHS)，對於4種鄰苯二甲酸酯限制其2019年以後的使用。因此，需要對樹脂中的鄰苯二甲酸酯進行鑑別和定量。 由於鄰苯二甲酸酯為揮發性成分，因此可以應用現有公知的逸出氣體分析(EGA；Evolved Gas Analysis)進行分析。該逸出氣體分析是利用氣相層析、質譜分析等的各種分析裝置對試樣加熱而逸出的氣體成分進行分析。 質譜分析裝置是公知的，例如還公開了為了測定同位素比而進行校正計算的技術(專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]專利第4256208號專利公報

[發明欲解決之課題]

在想要從含有作為鄰苯二甲酸酯的例如DBP、BBP、DEHP、DOTP的試樣中分別對作為限制對象物質的DBP、BBP、DEHP進行定量的情況下，通常由於DBP、BBP、DEHP、DOTP的分子量不同，因此可以區分開而進行質譜分析。 但是，例如取DBP的定量為例，在利用質譜分析裝置將從試樣逸出的氣體成分電離時，從DBP以外的BBP、DEHP、DOTP生成碎體離子，其質譜的峰有時與DBP重疊。從而，該情況下，難以準確地對DBP進行定量。 另一方面，也可以在質譜分析裝置的前段設置氣相層析，分離碎體離子後對DBP單體進行定量，但存在下述問題：加上氣相層析後裝置整體大型化，並且測定時間變長。

因此，本發明是為了解決上述課題而為之的創作，其目的在於提供一種質譜分析裝置和質譜分析方法，其係在不使裝置大型化的情況下提高對包含夾雜物等第2物質的第1物質的檢測精度，並且能夠縮短測定時間。 [解決課題之手段]

為了實現上述的目的，本發明的質譜分析裝置，乃是對包含第1物質和1種以上的第2物質的試樣進行分析者，該第1物質利用有機化合物所構成，該第2物質利用有機化合物所構成且質譜的峰與前述第1物質重疊；其特徵在於：具備峰校正部，該峰校正部基於各前述第2物質的標準物質的質譜的峰中與前述第1物質的質譜的峰不重疊的峰A、和與前述第1物質的前述峰重疊的峰B的非線性的強度的關係F，從前述試樣中的前述第1物質的質譜的峰C的強度中，減去由前述峰A的強度和前述關係F在每一規定時間間隔所算出的前述峰B的推定強度的總和，算出前述第1物質的質譜的淨值的峰D的強度。

根據該質譜分析裝置，基於非線性的強度的關係F，基於在第2物質中與第1物質的質譜的峰不重疊的峰A的強度，減去質譜的峰與第1物質重疊的第2物質的影響，因此能夠以良好的精度求出第1物質的質譜的淨值的峰D的強度。由此，即使峰A與峰B的強度的關係不為線性，也能夠基於關係F進行校正，能夠得到峰D的強度。 此時，與例如利用色譜等分離第1物質和第2物質而排除第2物質的影響的情況相比，裝置不會大型化，還能夠縮短測定時間。

本發明的質譜分析裝置中可以是，前述第2物質存在2種以上，前述峰校正部可以從前述峰C的強度中減去關於各前述第2物質的前述推定強度的總和。 根據該質譜分析裝置，即使第2物質存在2種以上，也能夠以良好的精度減去其影響。

本發明的質譜分析裝置中可以是，前述峰校正部在前述推定強度超過規定閾值的情況下，算出前述峰D的強度。 根據該質譜分析裝置，在檢測出的峰A為作為雜訊等的強度所設定的閾值以下的情況下，不會視為檢測出雜訊而不算出峰D的強度，因此能夠抑制峰D的校正不準確的情況。

本發明的質譜分析裝置中可以是，進一步具備將前述第1物質和前述第2物質電離的電離部，前述峰B可以歸屬於前述電離時由前述第2物質生成的碎體離子。 在將第2物質電離時，容易產生質譜的峰與第1物質重疊的峰B，所以本發明更為有效。

本發明的質譜分析裝置中可以是，進一步具備在每一時間將前述推定強度和前述峰B的強度重疊顯示於規定的顯示部的顯示控制部。 根據該質譜分析裝置，推定強度的時間變化的波形與峰B的強度的時間變化的波形越相近，越能夠在視覺上判定基於關係F準確地求出了推定強度。

本發明的質譜分析裝置中可以是，進一步具備在每一時間將前述推定強度和前述峰C的強度重疊顯示於規定的顯示部的顯示控制部。 根據該質譜分析裝置，在每一時間從峰C的強度減去推定強度而得到的餘值為淨值的峰D的強度，若它們的波形(峰高)不同，則視覺上能夠判定基於關係F準確地求出了推定強度。

本發明的質譜分析方法，乃是對包含第1物質和1種以上的第2物質的試樣進行分析者，前述第1物質利用有機化合物所構成，前述第2物質利用有機化合物所構成且質譜的峰與前述第1物質重疊；其特徵為：基於各前述第2物質的標準物質的質譜的峰中與前述第1物質的質譜的峰不重疊的峰A、和與前述第1物質的前述峰重疊的峰B的非線性的強度的關係F，從前述試樣中的前述第1物質的質譜的峰C的強度中，減去由前述峰A的強度和前述關係F在每一規定時間間隔所算出的前述峰B的推定強度的總和，算出前述第1物質的質譜的淨值的峰D的強度。 [發明效果]

根據本發明，在不使裝置大型化的情況下提高對包含夾雜物等第2物質的第1物質的質譜分析的檢測精度，並且能夠縮短測定時間。

以下，關於本發明之實施形態，參閱圖面來說明之。圖1是示出包含本發明的實施方式的質譜分析計(質譜分析裝置)110的逸出氣體分析裝置200的構成的立體圖，圖2是示出氣體逸出部100的構成的立體圖，圖3是示出氣體逸出部100的構成的沿著軸心O的縱剖視圖，圖4是示出氣體逸出部100的構成的沿著軸心O的橫剖視圖，圖5是圖4的部分放大圖。 逸出氣體分析裝置200具備：作為殼體的主體部202、安裝在主體部202的正面的箱型的氣體逸出部安裝部204、和對整體進行控制的電腦(控制部)210。電腦210具有：進行資料處理的CPU、存儲電腦程式和資料的記憶部218、監視器220、和鍵盤等輸入部等。

在氣體逸出部安裝部204的內部容納有：圓筒狀的加熱爐10、試樣支架20、冷卻部30、使氣體分支的分離器40、電離部50、惰性氣體流道19f一體化為組件的氣體逸出部100。另外，在主體部202的內部容納有：對試樣加熱而逸出的氣體成分進行分析的質譜分析計110。 電離部50相當於申請專利範圍中的「電離部」。

尚且，如圖1所示，從氣體逸出部安裝部204的上表面朝向前面設置開口204h，使試樣支架20移動到加熱爐10外側的排出位置(後述)時，其位於開口204h，因此能夠從開口204h將試樣取出或放入於試樣支架20。另外，在氣體逸出部安裝部204的前面，設置狹縫204s，透過使從狹縫204s露出於外部的開閉把手22H左右移動，使試樣支架20在加熱爐10的內外移動而將其設置於上述排出位置，從而將試樣取出或放入。 尚且，若利用例如由電腦210控制的步進馬達等使試樣支架20在移動軌條204L(後述)上移動，則能夠實現使試樣支架20在加熱爐10的內外移動的功能的自動化。

接著，參閱圖2～圖6對氣體逸出部100的各部分的構成進行說明。 首先，加熱爐10以軸心O水平的方式安裝在氣體逸出部安裝部204的安裝板204a上，其具有軸心O在中心開口的近似圓筒狀的加熱室12、加熱塊狀體14和保溫套16。 在加熱室12的外周圍配置加熱塊狀體14，在加熱塊狀體14的外周圍配置有保溫套16。加熱塊狀體14由鋁構成，利用沿著軸心O延伸到加熱爐10的外部的一對加熱電極14a(參閱圖4)進行通電加熱。 尚且，安裝板204a在垂直於軸心O的方向上延伸，在加熱爐10上安裝有分離器40和電離部50。此外，電離部50由沿氣體逸出部安裝部204的上下延伸的支柱204b支承。

在加熱爐10中與開口側相反的一側(圖3的右側)連接有分離器40。另外，在加熱爐10的下側連接有載氣保護管18，在載氣保護管18的內部容納有與加熱室12的下表面連通而將載氣C導入至加熱室12的載氣流道18f。另外，在載氣流道18f中配置有對載氣C的流量F1進行調節的控制閥18v。 並且，詳細情況如後所述，在加熱室12中與開口側相反的一側(圖3的右側)的端面連通有混合氣體流道41，加熱爐10(加熱室12)中生成的氣體成分G與載氣C的混合氣體M在混合氣體流道41中流動。

另一方面，如圖3所示，在電離部50的下側連接有惰性氣體保護管19，在惰性氣體保護管19的內部容納有將惰性氣體T導入至電離部50的惰性氣體流道19f。另外，在惰性氣體流道19f中配置有對惰性氣體T的流量F4進行調節的控制閥19v。

試樣支架20具有在安裝於氣體逸出部安裝部204的內部上表面的移動軌條204L上移動的平臺22、安裝在平臺22上並向上下延伸的托架24c、安裝在托架24c的前面(圖3的左側)的絕熱材料24b、26、從托架24c沿軸心O方向延伸至加熱室12側的試樣保持部24a、埋設在試樣保持部24a的正下方的加熱器27、以及在加熱器27的正上方配置於試樣保持部24a的上表面並容納試樣的試樣皿28。 此處，移動軌條204L沿軸心O方向(圖3的左右方向)延伸，試樣支架20連同平臺22一起在軸心O方向上進退。另外，開閉把手22H沿垂直於軸心O方向的方向並安裝於平臺22上。

尚且，托架24c呈上部形成半圓形的長條狀，絕熱材料24b形成近似圓筒狀而安裝在托架24c上部的前面(參閱圖3)，加熱器27的電極27a貫穿絕熱材料24b而被取出至外部。絕熱材料26形成近似矩形狀，比絕熱材料24b更靠下方而安裝於托架24c的前面。另外，在托架24c的下方未安裝絕熱材料26，托架24c的前面露出，形成了接觸面24f。 托架24c的直徑形成得比加熱室12稍大，將加熱室12氣密封閉，試樣保持部24a被容納在加熱室12的內部。 然後，載置在加熱室12的內部的試樣皿28中的試樣在加熱爐10內被加熱，生成氣體成分G。

冷卻部30按照與試樣支架20的托架24c對置的方式配置在加熱爐10的外側(圖3的加熱爐10的左側)。冷卻部30具備近似矩形且具有凹部32r的冷卻塊32、連接於冷卻塊32的下表面的冷卻片34、以及連接於冷卻片34的下表面、使空氣與冷卻片34接觸的空冷片36。 然後，當試樣支架20在移動軌條204L上沿軸心O方向移動至圖3的左側而被排出至加熱爐10外時，托架24c的接觸面24f容納於冷卻塊32的凹部32r並發生接觸，藉由冷卻塊32奪走托架24c的熱，以使試樣支架20(特別是試樣保持部24a)冷卻。

如圖3、圖4所示，分離器40具備：與加熱室12連通的上述混合氣體流道41、與混合氣體流道41連通且向外部開放的支路42、連接在支路42的出側並對從支路42排出的混合氣體M的排出壓力進行調節的背壓調節器42a、混合氣體流道41的終端側開口於自身的內部的殼體部43、以及包圍殼體部43的保溫部44。 此外，在本例中，在支路42與背壓調節器42a之間配置有將混合氣體中的第2物質等除去的篩檢程式42b、流量計42c。也可以不設置背壓調節器42a等調節背壓的閥等而使支路42的端部保持剝出的配管的狀態。

如圖4所示，從上表面觀察時，混合氣體流道41與加熱室12連通並沿軸心O方向延伸後，垂直於軸心O方向彎曲，進而向軸心O方向彎曲而到達終端部41e，形成曲柄狀。另外，混合氣體流道41中垂直於軸心O方向而延伸的部位的中央附近擴徑而形成了分支室41M。分支室41M延伸至殼體部43的上表面，並嵌合有直徑比分支室41M稍小的支路42。 混合氣體流道41也可以為與加熱室12連通並沿軸心O方向延伸而到達終端部41e的直線狀，還可以根據加熱室12或電離部50的位置關係而為各種曲線或與軸心O具有角度的線狀等。

如圖3、圖4所示，電離部50具有殼體部53、包圍殼體部53的保溫部54、放電針56、以及保持放電針56的支柱55。殼體部53形成板狀，其板面沿著軸心O方向，並且在中央貫穿有小孔53c。並且，混合氣體流道41的終端部41e通過殼體部53的內部並面向小孔53c的側壁。另一方面，放電針56垂直於軸心O方向而延伸並面向小孔53c。

此外，如圖4、圖5所示，惰性氣體流道19f上下貫穿殼體部53，惰性氣體流道19f的前端面向殼體部53的小孔53c的底面，合流於混合氣體流道41的終端部41e而形成了合流部45。 然後，對於從終端部41e導入至小孔53c附近的合流部45的混合氣體M，從惰性氣體流道19f混合惰性氣體T，形成總氣體M+T並流動至放電針56側，利用放電針56使總氣體M+T中的氣體成分G電離。

電離部50為公知的裝置，在本實施方式中，採用了大氣壓化學電離(APCI)型裝置。APCI不易產生氣體成分G的碎片，不產生碎片峰，因此即使不利用色譜等進行分離也能夠對測定物件進行檢測，因而優選。 在電離部50被電離的氣體成分G與載氣C和惰性氣體T一起被導入至質譜分析計110中進行分析。 尚且，電離部50容納在保溫部54的內部。

圖6是示出利用逸出氣體分析裝置200進行的氣體成分的分析工作的方塊圖。 試樣S在加熱爐10的加熱室12內被加熱，生成氣體成分G。加熱爐10的加熱狀態(升溫速度、最高達到溫度等)由電腦210的加熱控制部212進行控制。 氣體成分G與導入至加熱室12的載氣C混合而成為混合氣體M，並被導入至分離器40中，混合氣體M的一部分從支路42排出至外部。 其餘的混合氣體M和來自惰性氣體流道19f的惰性氣體T作為總氣體M+T被導入至電離部50，氣體成分G被電離。

電腦210的檢測訊號判定部214從質譜分析計110的檢測器118(後述)接收檢測訊號。 流量控制部216對從檢測訊號判定部214接收的檢測訊號的峰強度是否為閾值的範圍外進行判定。並且，在為範圍外的情況下，流量控制部216對控制閥19v的開度進行控制，由此對在分離器40內從支路42向外部排出的混合氣體M的流量、以及從混合氣體流道41向電離部50導入的混合氣體M的流量進行調節，從而最佳地保持質譜分析計110的檢測精度。

質譜分析計110具備：將在電離部50被電離的氣體成分G導入的第1細孔111、與第1細孔111接續而使氣體成分G依序流入的第2細孔112、離子導向器114、四極濾質器116、以及對從四極濾質器116出來的氣體成分G進行檢測的檢測器118。 四極濾質器116係使所施加的高頻電壓發生變化，經此，能夠進行質譜掃描，生成四極電場，透過使離子在該電場內進行振動運動，而對離子進行檢測。四極濾質器116形成僅使處於特定質量範圍的氣體成分G透過的質量分離器，因此能夠利用檢測器118進行氣體成分G的鑑別和定量。

另外，在本例中，在支路42的下游側使惰性氣體T流入混合氣體流道41，由此成為抑制導入至質譜分析計110的混合氣體M的流量的流道阻力，從而對從支路42排出的混合氣體M的流量進行調節。具體而言，惰性氣體T的流量越多，從支路42排出的混合氣體M的流量也越多。 由此，在氣體成分大量逸出、氣體濃度變得過高時，增加從支路向外部排出的混合氣體的流量，抑制了超過檢測裝置的檢測範圍、檢測訊號超限而導致測定不準確的情況。

接著，參閱圖7～圖12對作為本發明的特徵部分的質譜的峰校正進行說明。尚且，將氯乙烯樹脂作為試樣，其中包含鄰苯二甲酸酯DBP、BBP、DEHP、DOTP作為增塑劑。並且，將作為鄰苯二甲酸酯的其中1種且為限制物質的DBP作為申請專利範圍中的「第1物質」。第1物質相當於測定對象物。 另外，圖7是DBP、BBP、DEHP、DOTP各自的標準物質的質譜。另外，圖7、圖8的縱軸的強度為相對值。 如圖7所示，DBP的質譜在質量電荷比(m/z)為280附近具有峰(淨值的峰D)，通常可以使用該峰D對DBP進行定量。另外，BBP和DEHP的質譜的峰具有與DBP的峰D不同的質量電荷比(m/z)，與DBP的峰D不重疊，因此不妨礙DBP的定量。

另一方面，DOTP在利用質譜分析裝置進行電離時裂解而生成碎體離子，如圖7所示，碎體離子之一顯現為與DBP的峰D重疊的峰B。因此，將DOTP作為申請專利範圍中的「第2物質」。第2物質相當於夾雜物。 這樣，由於峰D與峰B重疊，因此在對DBP和DOTP混雜的試樣的質譜進行測定時，如圖8所示，質量電荷比(m/z)為280附近的DBP的峰(以下稱為「峰C」)的強度為峰B和峰D的強度的總和，與試樣不含DOTP的情況下的淨值的DBP的峰D的強度相比變高。

此處，DOTP(的碎體離子)的質譜中，峰A與峰D不重疊。並且判斷出，DOTP裂解所生成的各碎體離子的生成比例隨時間而變化，如圖9所示，強度比(峰B)/(峰A)也隨時間而變化。例如，在圖9的示例中，與時間tx時的強度比R1相比，之後的時間ty時的強度比R2減少，再經過一段時間後的時間tz時的強度比R3與R2相比增大。

認為其原因如下。通常，在質譜的對象試樣的加熱工藝中氣體逸出量(離子濃度)根據從加熱開始起算的經過時間而有所不同。首先，在加熱初期的時間t1，熱未充分傳遞至試樣整體，氣體逸出量少。在加熱中期的時間t2，氣體逸出量達到最多。在加熱末期的時間t3，試樣中含有的氣體完全脫離，因此氣體逸出量減少。 並且，該傾向根據各碎體離子而有所不同，因此強度比(峰B)/(峰A)也隨時間而變化。

因此，若在每一相同時間求出峰A與峰B之間的強度的關係，並使其反映在從峰C的強度中減去峰B的強度的量中，則能夠對峰C的強度進行精度良好的校正。 此處，認為從加熱開始經過時間推移後，顯示出峰B的碎體離子的濃度超過閾值而增大，離子濃度與檢測強度之比偏離比例關係，產生所謂抑制的現象，上述強度比R2減少。即，峰A與峰B之間的強度的關係的時間變化可以替換為隨時間變化的峰A與峰B的強度的關係。

因此，如圖10所示，在每一相同時間對峰A與峰B的強度的關係進行作圖，結果判斷出在峰A、B之間存在非線性的強度的關係F。該關係F例如可以為圖10的圖的近似曲線，具體而言，除了例如由指數函數或多項式表示的非線性的關係式以外，還可以例示將具體的峰A與峰B的強度的數值對應的表。 然後，在具有規定時間間隔Δt的每一時刻t1、t2…測定峰A的強度，由峰A的強度和關係F能夠算出峰B的推定強度B1、B2。尚且，在關係F為表形式的情況下，在峰A的強度的實測值存在於表中記載的數值之間的情況下，透過外推等算出峰B的推定強度即可。

將該推定強度B1、B2的總和作為校正量，從峰C的強度中將其減去，則能夠算出淨值的峰D的強度。 特別是，例如相對於作為限制對象的鄰苯二甲酸酯的允許閾值為1000ppm，產生妨礙碎片的DOTP通常以100,000ppm級含有，因此，作為校正量的計算基礎的峰A與峰B的強度的關係即使與實際相比稍有偏離，校正量的誤差也會變大。因此，透過使用反映峰A與峰B的強度的時間變化的精度高的非線性的關係F，能夠以良好的精度求出校正量。

尚且，通常試樣中有時會存在2種以上的第2物質，因此該情況下，在計算淨值的峰D的強度時，要從峰C的強度中減去關於各第2物質的推定強度的總和。 另外，測定時，若將雜訊誤檢測為峰A，則校正自身有誤。因此，在推定強度超過規定的閾值(設想為雜訊的背景)的情況下算出峰D的強度即可。

接著，對峰校正部217所進行的具體的校正處理的一例進行說明。 首先，預先求出圖10所示那樣的峰A與峰B的非線性的強度的關係F。具體而言，利用質譜分析裝置對僅含有DOTP的試樣進行分析，在相同時刻按時間系列測定此時的DOTP中含有的峰A的強度和來源於由該DOTP裂解得到的碎體離子的峰B的強度。由此，得到圖9那樣的結果，因此能夠求出圖10所示那樣的峰A與峰B的非線性的強度的關係F。

然後，利用質譜分析裝置以規定的時間間隔Δt對實際的試樣進行分析，如圖10所示在規定的時間間隔Δt的每一時刻t1、t2、t3…測定峰A的強度，根據峰A的強度和關係F算出峰B的強度B1、B2、B3…，作為推定強度。 然後，從峰C的強度中減去該推定強度B1、B2、B3…的總和，算出峰D的強度。

圖11是示出從峰C的強度中減去推定強度B1、B2、B3…的總和的步驟的示例的示意圖。 首先，對於在規定的時間間隔Δt的每一時刻t1、t2、t3…的峰B的推定強度B1、B2、B3…，分別乘以時間間隔Δt，由此分別求出峰面積(圖11的陰影面積)。然後，將該峰面積的總和作為推定強度B1、B2、B3…的總和S2。 然後，從峰C的強度(圖11的峰C的面積)S1中減去總和S2，求出峰D的強度。

接著，對圖11的處理的具體例進行說明。 首先，峰校正部217按照式1算出推定強度。

式1中，a_i 為作為對象的第1物質的峰的強度(面積)，A_im 為下述式2，i、m為1以上的自然數，n為第1物質和第2物質的總數(成分數)。在圖7的例中，第1物質和第2物質各為1種，因此n=2。該情況下，i=m=1、即a₁ 為校正前的第1物質的峰C的強度，i=m=2、即A₂₂ 分配為校正前的僅第2物質的峰A的強度。

A_im 如式2所表示。

式2中，f(x;w)為擬合函數、x^(t) _m 為成分m在時間t的峰的強度、T₀ 為測定資料點數、w_im 為函數參數、Δ_t 為上述時間間隔。 此處，若i=1為第1物質DBP、i=2為第2物質DOTP，則在本例的情況下，式1變為下述二式。

即，式1中，使第1物質DBP與第2物質DOTP對稱，根據i、m的值來區分兩者。即，在要將第2物質DOTP作為第1物質的情況下，利用式1也能夠同時對第2物質DOTP進行定量。 這樣，透過在式1中使第1物質與第2物質對稱來處理，例如在物質的強度比因測定條件而變化的情況下，同時對彼此相互影響的第1物質和第2物質進行測定，有可能得到測定的最佳條件。

此處，在i=m的情況下，第1物質與第2物質相同，因此A₁₁ =A₂₂ =0，不算入校正，因此， 上述二式變為：

現在，只看與第1物質相關的前段式。尚且，若以第2物質為基準來考慮，則後段式與前段式是對稱的。 透過代入式2，前段式變為下述式3。

具體而言，式3變為下述式4。

此處，w₁₂ 為函數參數。另外，關於g×(峰C的強度)，若設定g=0.01，則為峰C的強度的1%，該值作為閾值。 如圖10所示，w₁₂ 是決定函數f(x;w)的形狀的參數，該函數f(x;w)與由i=2的第2物質DOTP的峰A求出峰B的值的關係F對應。f(x;w)是由變數x和參數w決定的函數形狀，參數的數量根據函數的形狀可以存在多個。例如，若為2次函數f(x;w)=w⁽⁰⁾ +w⁽¹⁾ x+w⁽²⁾ x² ，則參數的數量為3，w⁽⁰⁾ 、w⁽¹⁾ 、w⁽²⁾ 為函數參數w₁₂ 。為了將其標準化來表示，將w表現為向量。粗體的w為向量，表示包含多種成分。例如若為3種成分，則w=(w⁽⁰⁾ ,w⁽¹⁾ ,w⁽²⁾ )。

在圖10的例中，如下述式5所示，與關係F對應的函數的形狀由2種成分的參數來定義。參數的計算透過使用最小平方法等已知的演算法，與實測資料擬合來進行。

式5為下述式6的反函數。

在式5、6的例中，w⁽⁰⁾ 、w⁽¹⁾ 的上標與i、m不同，表示不同的函數參數。例如來看式5，利用指數函數對圖10的圖進行近似時的2個參數為w⁽⁰⁾ 、w⁽¹⁾ 。另外，式5、6中w表示向量，為免繁雜，省略了成分的表示w^im 。 尚且，擬合中，採用式6形式的反函數來代替式5時，能夠確實地進行擬合，因而優選。

g為截斷係數，在本例中設定了g=0.01。並且，g･a_i 為設想了雜訊強度的閾值。 T為截斷函數，由下述式7表示。

如圖12所示，T在數值x(式2的A_im )超過閾值t(式1的g･a_i )時返回數值x，在數值x為閾值t以下時返回0。

因此，關於式7的T(截斷函數)，基於式2，若Σ_t {f(x₂ ^(t) ;w₁₂ )Δ_t }＞{閾值g×(峰C的強度)}，則將Σ_t {f(x₂ ^(t) ;w₁₂ )Δ_t }的值視為非雜訊的真值，將Σ_t {f(x₂ ^(t) ;w₁₂ )Δ_t }的值輸出。另一方面，若Σ_t {f(x₂ ^(t) ;w₁₂ )Δ_t }≦{閾值g×(峰C的強度)}，則將峰A視為雜訊並返回0，不進行校正。

接著，參閱圖6對上述峰校正處理進行說明。 非線性的強度的關係F(函數參數w₁₂ )預先存儲在硬碟等記憶部218中。首先，例如作業者由鍵盤等指定第1物質和第2物質，設置包含第1物質和第2物質的試樣。 電腦210的檢測訊號判定部214在每一時間間隔Δ_t 獲取與第1物質和第2物質對應的質譜的峰(本例中為峰A、峰C)。 電腦210的峰校正部217從記憶部218讀取函數參數w₁₂ ，同時從檢測訊號判定部214在每一時間間隔Δ_t 獲取峰A、峰C，基於式1～7，如上所述算出淨值的峰D的強度。尚且，式1～7例如作為電腦程式預先存儲在記憶部218中。

另外，根據需要，峰校正部217可以藉由顯示控制部219將峰D顯示於監視器(顯示部)220上。

如圖13所示，顯示控制部219可以在每一時間將推定強度和峰B的強度重疊顯示於監視器220上。 這樣，推定強度的時間變化的波形與峰B的強度的時間變化的波形越相近，越能夠在視覺上判定基於關係F準確地求出了推定強度。

如圖14所示，顯示控制部219可以在每一時間將推定強度和峰C的強度重疊顯示於監視器220上。 這樣，在每一時間從峰C的強度減去推定強度而得到的餘值為淨值的峰D的強度，若它們的波形(峰高)不同，則視覺上能夠判定基於關係F準確地求出了推定強度。 尚且，圖13、圖14的時間可以與時間間隔Δ_t 相同，也可以為間隔與Δ_t 不同的時間。

本發明並不限定於上述實施方式，當然可以實現在本發明的思想和範圍中包含的各種變形和均等物。 第1物質和第2物質不限於上述實施方式，第2物質可以為多種。 峰A、峰B也不限於1個。例如，在第2物質具有2個峰A且具有1個峰B的情況下，可以將峰A中的任一個峰與峰B的關係F用於校正，例如也可以將2個峰A的平均與峰B的關係F用於校正。 另一方面，在第2物質具有1個峰A且具有2個峰B的情況下，將峰A與峰B中的一個峰的關係F用於該一個峰B的校正。並且，將峰A與峰B中的另一個峰的關係F用於該另一個峰B的校正。

將試樣導入質譜分析裝置中的方法不限於上述在加熱爐中將試樣熱分解而產生氣體成分的方法，例如也可以是導入包含氣體成分的溶劑、一邊使溶劑揮發一邊產生氣體成分的溶劑提取型的GC/MS或者LC/MS等。 電離部50也不限於APCI型。

50‧‧‧電離部 110‧‧‧質譜分析計(質譜分析裝置) 217‧‧‧峰校正部

[圖1]是示出包含本發明的實施方式的質譜分析裝置的逸出氣體分析裝置的構成的立體圖。 [圖2]是示出氣體逸出部的構成的立體圖。 [圖3]是示出氣體逸出部的構成的縱剖視圖。 [圖4]是示出氣體逸出部的構成的橫剖視圖。 [圖5]是圖4的部分放大圖。 [圖6]是示出利用逸出氣體分析裝置進行的氣體成分的分析工作的方塊圖。 [圖7]是示出DBP、BBP、DEHP、DOTP各自的標準物質的質譜的圖。 [圖8]是示出DBP與DOTP混雜的試樣的質譜的圖。 [圖9]是示出DOTP的峰A和峰B的強度的時間變化的圖。 [圖10]是示出DOTP的峰A與峰B的強度的關係的圖。 [圖11]是示出從峰C的強度中減去峰B的推定強度的總和的步驟的圖。 [圖12]是示出T函數的圖。 [圖13]是示出在每一時間將推定強度和峰B的強度進行重疊顯示的示例的圖。 [圖14]是示出在每一時間將推定強度和峰C的強度進行重疊顯示的示例的圖。

Claims (7)

1. 一種質譜分析裝置，乃是對包含第1物質和1種以上的第2物質的試樣進行分析者，該第1物質利用有機化合物所構成，該第2物質利用有機化合物所構成且質譜的峰與前述第1物質重疊；其特徵在於：具備峰校正部，該峰校正部基於各前述第2物質的標準物質的質譜的峰中與前述第1物質的質譜的峰不重疊的峰A、和與前述第1物質的前述峰重疊的峰B的非線性的強度的關係F，從前述試樣中的前述第1物質的質譜的峰C的強度中，減去由前述峰A的強度和前述關係F在每一規定時間間隔所算出的前述峰B的推定強度的總和，算出前述第1物質的質譜的淨值的峰D的強度。
2. 如請求項1的質譜分析裝置，其中，前述第2物質存在2種以上，前述峰校正部從前述峰C的強度中減去關於各前述第2物質的前述推定強度的總和。
3. 如請求項1或2的質譜分析裝置，其中，前述峰校正部在前述推定強度超過規定閾值的情況下，算出前述峰D的強度。
4. 如請求項1或2的質譜分析裝置，其中，進一步具備將前述第1物質和前述第2物質電離的電離部；前述峰B歸屬於前述電離時由前述第2物質生成的碎體離子。
5. 如請求項1或2的質譜分析裝置，其中，進一步具備在每一時間將前述推定強度和前述峰B的強度重疊顯示於規定的顯示部的顯示控制部。
6. 如請求項1或2的質譜分析裝置，其中，進一步具備在每一時間將前述推定強度和前述峰C的強度重疊顯示於規定的顯示部的顯示控制部。
7. 一種質譜分析方法，乃是對包含第1物質和1種以上的第2物質的試樣進行分析者，前述第1物質利用有機化合物所構成，前述第2物質利用有機化合物所構成且質譜的峰與前述第1物質重疊；其特徵為：基於各前述第2物質的標準物質的質譜的峰中與前述第1物質的質譜的峰不重疊的峰A、和與前述第1物質的前述峰重疊的峰B的非線性的強度的關係F，從前述試樣中的前述第1物質的質譜的峰C的強度中，減去由前述峰A的強度和前述關係F在每一規定時間間隔所算出的前述峰B的推定強度的總和，算出前述第1物質的質譜的淨值的峰D的強 度。

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