TWI781265B - 光學構件的包裝物的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明目的在於提供一種光學構件的包裝物的製造方法，該製造方法在將於偏光薄膜上至少設置有黏著劑層及表面保護薄膜的光學構件貼附於液晶單元等單元基板時不易發生捲曲。 本發明的光學構件的包裝物的製造方法之特徵在於，包括以下步驟：步驟A，在偏光件的單面或雙面透過接著劑層設置保護薄膜，以製作偏光薄膜；步驟B，在前述偏光薄膜上至少設置黏著劑層及表面保護薄膜，以製作光學構件；及步驟C，將前述光學構件進行包裝； 其中，在將從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的前述光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率設為X重量%時，在前述步驟C中，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Y重量%不小於前述平衡水分率X重量%的方式調整前述水分率Y重量%。

Description

光學構件的包裝物的製造方法
本發明涉及一種光學構件的包裝物的製造方法。前述光學構件可以形成液晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置。
發明背景 液晶顯示裝置等根據其影像形成方式而在液晶單元的兩側配置偏光元件是必不可少的，一般會黏附偏光薄膜。在將前述偏光薄膜貼附於液晶單元時，通常使用黏著劑。另外，關於偏光薄膜與液晶單元的接著，通常為了降低光的損失，而使用黏著劑使各自的材料密接。在所述情況下，由於具有無需乾燥步驟而使偏光薄膜固著等優點，因此一般使用的是黏著劑預先以黏著劑層的形式設置於偏光薄膜的單側之附黏著劑層的偏光薄膜。在附黏著劑層的偏光薄膜的黏著劑層上，通常貼附有脫模膜。
另外，為了保護前述附黏著劑層的偏光薄膜的偏光薄膜側表面免受在加工、運送時產生的損傷或汙物的影響，通常在前述附黏著劑層的偏光薄膜的偏光薄膜側表面透過黏著劑貼附有表面保護薄膜。
在偏光薄膜上設有前述黏著劑層及前述表面保護薄膜等的光學構件通常被切割為預定的大小，並以被積層的狀態進行包裝，或者以被捲繞成捲狀的狀態進行包裝，再配送至面板製造商。
而且，在面板製造商處，係在溫度及濕度被管理為恆定的氣體環境下進行將光學構件貼附於液晶單元等單元基板的操作，但此時，一旦光學構件有不必要的捲曲或無意的捲曲(捲曲係指翹曲的現象，例如係指：平板狀的光學構件整體向某一面側翹曲的現象、平板狀的光學構件整體翹曲成呈波狀起伏的現象等)，則存在發生光學構件的處理性變差、或在光學構件與單元基板之間咬入氣泡等不良情況的問題。
為了抑制偏光薄膜(偏光板)捲曲的發生，例如在專利文獻1中提出一種偏光板的製造方法，其包括如下步驟：將具有200g/m2 /24h以下的透濕度的第1透明保護薄膜貼合於偏光件的一面而形成積層體後，不將該積層體捲取，而在該偏光件的另一面貼合具有比該第1透明保護薄膜高的透濕度的第2透明保護薄膜。
另外，在專利文獻2中提出一種偏光板的製造方法，其特徵在於：在偏光件的單面利用接著劑貼合透明保護薄膜(A)，並且在另一面利用接著劑貼合透明保護薄膜(B)； 該製造方法中，偏光件的水分率為15～30重量%， 透明保護薄膜(A)及透明保護薄膜(B)為同質材料，透明保護薄膜(A)的厚度比透明保護薄膜(B)的厚度更厚，且透明保護薄膜(A)的水分率大於透明保護薄膜(B)的水分率。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開2005-309394號公報 專利文獻2：日本特開2008-122790號公報
發明概要 發明欲解決之課題 但是，即使在光學構件製造商處製作出無捲曲的光學構件，在面板製造商處將前述光學構件貼附於單元基板時，仍存在前述光學構件發生不需要的捲曲或無意的捲曲這樣的問題。
本發明是鑒於前述問題點而完成的發明，其目的在於提供一種在面板製造商處將光學構件貼附於液晶單元等單元基板時，前述光學構件不易發生捲曲的前述光學構件的包裝物的製造方法。 用於解決課題的手段
本發明人等進行了深入研究，結果發現利用下述的光學構件的包裝物的製造方法能夠解決上述課題，以至完成本發明。
即，本發明涉及一種光學構件的包裝物的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟A，在偏光件的單面或雙面透過接著劑層設置保護薄膜，從而製作偏光薄膜；步驟B，在前述偏光薄膜上至少設置黏著劑層及表面保護薄膜，從而製作光學構件；及步驟C，將前述光學構件進行包裝； 其中，在將從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的前述光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率設為X重量%時， 在前述步驟C中，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Y重量%不小於前述平衡水分率X重量%的方式調整前述水分率Y重量%。
本發明人等對於在面板製造商處將光學構件貼附於單元基板時前述光學構件發生捲曲的原因進行了研究後，發現該原因在於：在從製作光學構件後到貼附於單元基板為止的期間，光學構件中的偏光薄膜的水分率低於將該光學構件貼合於單元基板時的氣體環境下的該光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率。而且發現：預先得知在面板製造商處將光學構件貼附於單元基板時的氣體環境下的該光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率，並在將前述光學構件進行包裝時，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率不小於前述平衡水分率的方式進行調整，由此在將前述光學構件貼附於單元基板時，前述光學構件變得不易發生捲曲。
在所製作的光學構件中的偏光薄膜的水分率低於在將前述光學構件貼合於單元基板時的氣體環境下的前述光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率的情況下，前述光學構件發生捲曲的理由尚不明確，但吾等認為其原因在於：在將光學構件貼合於單元基板時偏光薄膜的水分率上升，造成偏光薄膜膨潤，而在端部發生波狀捲曲等。
此外，平衡水分率係指在恆定溫度且恆定濕度的氣體環境下，進行放置至水分率的變化實質上不產生變化為止時的水分的重量比率。
在前述步驟C中，宜以使前述水分率Y與前述平衡水分率X之差為0～1重量%的方式來調整前述水分率Y。
又，在前述步驟C中，宜藉由對前述光學構件進行加濕來調整前述水分率Y。
又，宜包含步驟D，該步驟D係在從前述步驟B到前述步驟C為止之間，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Z不小於前述平衡水分率X的方式調整前述水分率Z。
又，在前述步驟D中，宜以使前述水分率Z與前述平衡水分率X之差為0～1重量%的方式調整前述水分率Z。
又，在前述步驟D中，宜藉由對前述光學構件進行加濕來調整前述水分率Z。
又，從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的操作宜在無塵室內進行。
又，前述無塵室宜被調整為處於15～25℃的溫度範圍內的恆定溫度且處於45～65%Rh的相對濕度內的恆定濕度。 發明效果
根據本發明的光學構件的包裝物的製造方法，在面板製造商處將光學構件貼附於液晶單元等單元基板時不易發生捲曲，因此光學構件的處理性良好，也不會發生在光學構件與單元基板之間咬入氣泡等的貼合的不良情況。
用以實施發明之形態 本發明的光學構件的包裝物的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟A，在偏光件的單面或雙面透過接著劑層設置保護薄膜，從而製作偏光薄膜；步驟B，在前述偏光薄膜上至少設置黏著劑層及表面保護薄膜，從而製作光學構件；及步驟C，將前述光學構件進行包裝； 在將從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的前述光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率設為X重量%時， 在前述步驟C中，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Y重量%不小於前述平衡水分率X重量%的方式調整前述水分率Y重量%。
(步驟A) 步驟A是在偏光件的單面或雙面透過接著劑層設置保護薄膜而製作偏光薄膜的步驟，可以採用公知的方法。
偏光件並無特別限制，通常使用的是使用聚乙烯醇系樹脂的偏光件。作為偏光件，可列舉例如：使聚乙烯醇系薄膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇系薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物系部分皂化薄膜等親水性高分子薄膜吸附碘或二色性染料的二色性物質並進行單軸延伸而得的偏光件；聚乙烯醇的脫水處理物、聚氯乙烯的脫鹽酸處理物等多烯系定向薄膜等。其中，宜為由聚乙烯醇系薄膜和碘等二色性物質構成的偏光件。偏光件的厚度並無特別限制，通常為5～300μm，宜為10～200μm，更宜為20～100μm。
將聚乙烯醇系薄膜用碘染色並進行單軸延伸而得的偏光件，例如可以透過以下方式來製作：藉由將聚乙烯醇系薄膜浸漬於碘的水溶液中進行染色，再延伸至原長的3～7倍。可以根據需要包含硼酸或硫酸鋅、氯化鋅等，也可以浸漬於碘化鉀等的水溶液中。也可以進一步根據需要在染色前將聚乙烯醇系薄膜浸漬於水中進行水洗。藉由將聚乙烯醇系薄膜進行水洗，可以洗淨聚乙烯醇系薄膜表面的汙物或抗黏結劑，而且還具有藉由使聚乙烯醇系防黏連膜膨潤來防止染色不均等不均勻的效果。延伸可以在用碘進行染色後進行，也可以邊染色邊進行延伸，另外，還可以在延伸後用碘進行染色。即使在硼酸或碘化鉀等的水溶液或水浴中也能進行延伸。
作為構成保護薄膜的材料，宜為透明性、機械強度、熱穩定性、水分隔絕性、各向同性等優異的材料。可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙二酯等聚酯系聚合物、二乙醯基纖維素或三乙醯基纖維素等纖維素系聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯等丙烯酸系聚合物、聚苯乙烯或丙烯腈-苯乙烯共聚物(AS樹脂)等苯乙烯系聚合物、聚碳酸酯系聚合物等。另外，還可列舉例如：聚乙烯、聚丙烯、環系或具有降莰烯結構的聚烯烴、乙烯-丙烯共聚物之類的聚烯烴系聚合物、氯乙烯系聚合物、尼龍或芳香族聚醯胺等醯胺系聚合物、醯亞胺系聚合物、碸系聚合物、聚醚碸系聚合物、聚醚醚酮系聚合物、聚苯硫醚系聚合物、乙烯醇系聚合物、二氯亞乙烯系聚合物、乙烯基縮丁醛系聚合物、芳酯系聚合物、聚甲醛系聚合物、環氧系聚合物或是上述聚合物的摻混物等，作為形成上述保護薄膜的聚合物的例子。
此外，在保護薄膜中可以包含1種以上任意適當的添加劑。作為添加劑，可列舉例如：紫外線吸收劑、抗氧化劑、潤滑劑、塑化劑、脫模劑、防著色劑、阻燃劑、成核劑、抗靜電劑、顏料、著色劑等。保護薄膜中的上述熱塑性樹脂的含量宜為50～100重量%，更宜為50～99重量%，進一步宜為60～98重量%，特別宜為70～97重量%。在保護薄膜中的上述熱塑性樹脂的含量為50重量%以下的情況下，存在無法充分體現熱塑性樹脂本來具有的高透明性等的風險。
作為前述保護薄膜，也可以使用相位差薄膜、增亮薄膜、擴散薄膜等。作為相位差薄膜，可列舉：具有正面相位差為40nm以上及/或厚度方向相位差為80nm以上的相位差的相位差薄膜。正面相位差通常被控制為40～200nm的範圍，厚度方向相位差通常被控制為80～300nm的範圍。在使用相位差膜作為保護薄膜的情況下，該相位差薄膜也作為偏光件保護薄膜發揮功能，因此能夠實現薄型化。
作為相位差薄膜，可列舉將熱塑性樹脂薄膜進行單軸或雙軸延伸處理而成的雙折射性薄膜。上述延伸的溫度、延伸倍率等根據相位差值、薄膜的材料、厚度進行適當設定。
保護薄膜的厚度可以適當地決定，一般從強度、處理性等操作性、薄層性等方面出發，為1～500μm左右。特別宜為1～300μm，更宜為5～200μm，並且，特別適合於5～150μm、尤其是20～100μm的薄型的情況。
在前述保護薄膜之不接著偏光件的面上可以設置硬塗層、防反射層、防黏附層、擴散層或防眩光層等功能層。此外，上述硬塗層、防反射層、防黏附層、擴散層、防眩光層等功能層除了可以設置在保護薄膜本身以外，還可以另行設置成與保護薄膜分開的個體。
前述保護薄膜和偏光件透過接著劑層進行積層。
接著劑層利用接著劑來形成。接著劑的種類並無特別限制，可以使用各種接著劑。前述接著劑層只要光學上透明則並無特別限制，作為接著劑，可使用水系、溶劑系、熱熔系、活性能量射線硬化型等各種形態的接著劑，惟適合為水系接著劑或活性能量射線硬化型接著劑。
作為水系接著劑，可例示異氰酸酯系接著劑、聚乙烯醇系接著劑、明膠系接著劑、乙烯基系乳膠系、水系聚酯等。水系接著劑通常以由水溶液構成的接著劑的形式來使用，且通常含有0.5～60重量%的固體成分而成。
活性能量射線硬化型接著劑是利用電子射線、紫外線(自由基硬化型、陽離子硬化型)等活性能量射線進行硬化的接著劑，例如可以以電子射線硬化型、紫外線硬化型的樣態來使用。活性能量射線硬化型接著劑例如可以使用光自由基硬化型接著劑。在將光自由基硬化型的活性能量射線硬化型接著劑以紫外線硬化型接著劑形式使用的情況下，該接著劑含有自由基聚合性化合物及光聚合引發劑。
接著劑的塗敷方式根據接著劑的黏度和目標厚度進行適當選擇。作為塗敷方式的例子，可列舉例如：反向塗佈機、凹版塗佈機(直接(direct)、逆轉輥(reverse)或膠版(offset))、棒式逆轉輥塗佈機、輥塗機、模塗機、棒塗機、桿式塗佈機等。此外，塗敷可以適宜使用浸漬方式等方式。
另外，在使用水系接著劑等的情況下，前述接著劑的塗敷宜以使最終所形成的接著劑層的厚度達到30～300nm的方式來進行。前述接著劑層的厚度進一步宜為60～250nm。另一方面，在使用活性能量射線硬化型接著劑的情況下，宜以使前述接著劑層的厚度達到0.1～200μm的方式來進行。更宜為0.5～50μm，進一步宜為0.5～10μm。
此外，在偏光件與保護薄膜的積層時，在保護薄膜與接著劑層之間可以設置易接著層。易接著層例如可以利用具有聚酯骨架、聚醚骨架、聚碳酸酯骨架、聚胺甲酸乙酯骨架、聚矽氧系、聚醯胺骨架、聚醯亞胺骨架、聚乙烯醇骨架等的各種樹脂來形成。這些聚合物樹脂可以單獨使用1種或組合使用2種以上。另外，在易接著層的形成中可以添加其他添加劑。具體而言，可以進一步使用增黏劑、紫外線吸收劑、抗氧化劑、耐熱穩定劑等穩定劑等。
易接著層通常預先設置於保護薄膜，並且利用接著劑層將該保護薄膜的易接著層側與偏光件進行積層。易接著層的形成係透過在保護薄膜上利用公知的技術塗敷並乾燥易接著層的形成材料來進行。易接著層的形成材料通常被調整成考慮乾燥後的厚度、塗敷的順滑性等而稀釋成適當濃度的溶液。易接著層的乾燥後的厚度宜為0.01～5μm，進一步宜為0.02～2μm、進一步宜為0.05～1μm。此外，易接著層可以設置多層，但在該情況下，也宜使易接著層的總厚度達到前述範圍。
(步驟B) 步驟B是在前述偏光薄膜上至少設置黏著劑層及表面保護薄膜而製作光學構件的步驟，可以採用公知的方法。
當為偏光件的雙面設有保護薄膜的雙面保護偏光薄膜的情況下，係在雙面保護偏光薄膜的一面直接或隔著其他層設置表面保護薄膜，並且在雙面保護偏光薄膜的另一面直接或隔著其他層設置黏著劑層。
當為僅在偏光件的單面設有保護薄膜的單面保護偏光薄膜的情況下，係在單面保護偏光薄膜的保護薄膜側直接或隔著其他層設置表面保護薄膜，並且在單面保護偏光薄膜的偏光件側直接或隔著其他層設置黏著劑層。
前述其他層並無特別限制，可列舉設置在偏光薄膜上的公知的功能層或光學層等。作為光學層，可列舉例如反射板、半透射板、相位差板(包含1/2、1/4等波長板)、視角補償薄膜及增亮薄膜等。前述其他層可以設置1層，也可以設置2層以上。
為了將偏光薄膜貼合於液晶單元等單元基板，而在偏光薄膜的單面設置前述黏著劑層。
前述黏著劑層的厚度並無特別限定，例如為1～100μm左右，宜為2～50μm，更宜為2～40μm，進一步宜為5～35μm。
在前述黏著劑層的形成中可以使用適當的黏著劑，對其種類並無特別限制。作為黏著劑，可列舉：橡膠系黏著劑、丙烯酸系黏著劑、聚矽氧系黏著劑、胺甲酸乙酯系黏著劑、乙烯基烷基醚系黏著劑、聚乙烯醇系黏著劑、聚乙烯基吡咯啶酮系黏著劑、聚丙烯醯胺系黏著劑、纖維素系黏著劑等。
在這些黏著劑中，宜使用光學透明性優異、顯示適宜的潤濕性、凝集性和接著性的黏著特性、且耐候性及耐熱性等優異的黏著劑。作為顯示所述特徵的黏著劑，宜使用丙烯酸系黏著劑。
作為形成黏著劑層的方法，可列舉例如：將前述黏著劑塗佈於經剝離處理後的分離件等，乾燥除去聚合溶劑等而形成黏著劑層後，將其轉印於偏光薄膜的方法；或者，塗佈前述黏著劑，乾燥除去聚合溶劑等而在偏光薄膜上形成黏著劑層的方法等。此外，在黏著劑的塗佈時，可以適宜新添加除聚合溶劑以外的一種以上溶劑。
作為經剝離處理後的分離件，宜使用聚矽氧剝離襯墊。在所述襯墊上塗佈黏著劑並使其乾燥而形成黏著劑層的步驟中，作為使黏著劑乾燥的方法，可以根據目標適宜採用適當的方法。宜使用將前述塗佈薄膜過熱乾燥的方法。加熱乾燥溫度宜為40℃～200℃，進一步宜為50℃～180℃，特別宜為70℃～170℃。藉由設加熱溫度為上述的範圍，可以得到具有優異黏著特性的黏著劑。
乾燥時間可以適宜採用適當的時間。上述乾燥時間宜為5秒～20分鐘，進一步宜為5秒～10分鐘，特別宜為10秒～5分鐘。
作為黏著劑層的形成方法可使用各種方法。具體而言，可列舉例如：輥塗、接觸輥塗佈、凹版塗佈、逆轉輥塗佈、輥式刷塗、噴塗、浸漬輥塗、棒塗、刮刀塗佈、氣刀塗佈、淋塗、模唇塗佈、利用模塗機等的擠出塗佈法等方法。
在前述黏著劑層露出的情況下，可以經進行剝離處理的片材(分離件)保護黏著劑層直至供於實用之前。
作為分離件的構成材料，可列舉例如：聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚酯薄膜等塑膠薄膜；紙、布、無紡布等多孔質材料；網狀物、發泡片、金屬箔及該等層壓體等適當的薄片體等，惟從表面平滑性優異的方面出發，適合使用塑膠薄膜。
作為該塑膠薄膜，只要是可以保護前述黏著劑層的薄膜，則並無特別限定，可列舉例如：聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜、聚對苯二甲酸乙二酯薄膜、聚對苯二甲酸丁二酯薄膜、聚胺甲酸乙酯薄膜、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物薄膜等。
前述分離件的厚度通常為5～200μm，宜為5～100μm左右。對於前述分離件也可以根據需要進行：利用聚矽氧系、氟系、長鏈烷基系或脂肪酸醯胺系的脫模劑、二氧化矽粉等的脫模及防汙處理，或塗佈型、捏合型、蒸鍍型等的抗靜電處理。尤其是，藉由對前述分離件的表面適當進行聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理，可以進一步提高從前述黏著劑層剝離的剝離性。
前述表面保護薄膜通常具有基材薄膜及黏著劑層，並隔著該黏著劑層來保護偏光薄膜。
作為前述表面保護薄膜的基材薄膜，從檢查性及管理性等的觀點出發，選擇具有各向同性或接近各向同性的薄膜材料。作為該薄膜材料，可列舉例如：聚對苯二甲酸乙二酯薄膜等聚酯系樹脂、纖維素系樹脂、乙酸酯系樹脂、聚醚碸系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、聚醯胺系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚烯烴系樹脂、丙烯酸系樹脂之類的透明聚合物。該等中宜為聚酯系樹脂。基材薄膜也可以以1種或2種以上的薄膜材料的層壓體的形式來使用，另外，也可以使用前述薄膜的延伸物。基材薄膜的厚度一般為500μm以下，宜為10～200μm。
作為形成前述表面保護薄膜的黏著劑層的黏著劑，可以適當選擇使用以(甲基)丙烯酸系聚合物、聚矽氧系聚合物、聚酯、聚胺甲酸乙酯、聚醯胺、聚醚、氟系或橡膠系等的聚合物為基底聚合物的黏著劑。從透明性、耐候性、耐熱性等的觀點出發，宜為以丙烯酸系聚合物為基底聚合物的丙烯酸系黏著劑。黏著劑層的厚度(乾燥膜厚)係根據所需的黏著力來決定。通常為1～100μm左右，宜為5～50μm。
此外，對於表面保護薄膜，可以在基材薄膜之與設有黏著劑層的面相反之面，利用聚矽氧處理、長鏈烷基處理、氟處理等的低接著性材料設置剝離處理層。
在步驟B中，在前述偏光薄膜上設置前述黏著劑層及前述表面保護薄膜的順序並無特別限制，可以在設置前述黏著劑層後設置前述表面保護薄膜，也可以在設置前述表面保護薄膜後設置前述黏著劑層。
所製作的光學構件可以切割成預定的大小。
(步驟D) 在本發明中宜包含步驟D，該步驟D係在從前述步驟B到下述步驟C為止之間，以使所製作的光學構件中的偏光薄膜的水分率Z(重量%)不小於前述平衡水分率X(重量%)的方式調整前述水分率Z(重量%)。
調整前述水分率Z(重量%)的方法並無特別限制，但宜進行加濕處理，作為加濕處理的方法，可列舉例如：(1)在將所製作的光學構件捲取成捲材時，對光學構件吹送加濕空氣的方法；(2)將所製作的光學構件在加濕氣體環境內捲取成捲材的方法；(3)對切割後的光學構件吹送加濕空氣的方法；(4)將切割後的光學構件保存在加濕氣體環境內的方法等。此外，在前述水分率Z較前述平衡水分率X過大的情況下，為了減小前述水分率Z與前述平衡水分率X之差，可以進行除濕處理。
在前述步驟D中，宜以使前述水分率Z與前述平衡水分率X之差達到0～1重量%的方式調整前述水分率Z，更宜以使前述水分率Z與前述平衡水分率X之差達到0～0.5重量%的方式調整前述水分率Z。
加濕處理時的溫度及相對濕度需要基於前述平衡水分率X進行適當調整，通常，溫度為15～25℃左右，相對濕度為45～65%Rh左右。此外，光學構件的運送速度通常為1～40m/分鐘左右。
(步驟C) 步驟C是將前述光學構件進行包裝的步驟。在前述步驟C中，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Y(重量%)不小於前述平衡水分率X(重量%)的方式調整前述水分率Y(重量%)。作為調整前述水分率Y(重量%)的方法，可列舉在加濕氣體環境下將前述光學構件進行包裝的方法。
前述光學構件的包裝宜在被調溫調濕成前述水分率Y與前述平衡水分率X之差為0～1重量%的氣體環境下進行，更宜在被調溫調濕成前述水分率Y與前述平衡水分率X之差為0～0.5重量%的氣體環境下進行。
包裝時的溫度及相對濕度須基於前述平衡水分率X進行適當調整，通常，溫度為15～25℃左右，相對濕度為45～65%Rh左右。
面板製造商處係從包裝物取出前述光學構件後，在溫度及濕度被管理為恆定的氣體環境下將前述光學構件貼附於單元基板之操作。從將包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的操作宜在無塵室內進行。另外，前述無塵室宜被調整為處於15～25℃的溫度範圍內的恆定溫度且處於45～65%Rh的相對濕度內的恆定濕度。 實施例
以下，列舉實施例對本發明進行說明，但是，本發明並不受以下所示實施例的限制。此外，各例中的份及%均為重量基準。
(紫外線硬化型接著劑的製作) 將N-羥乙基丙烯醯胺(HEAA)40重量份、丙烯醯基
Figure 107146795-A0304-12-01
啉(ACMO)60重量份和光引發劑“IRGACURE 819”(BASF公司製)3重量份混合，調製成紫外線硬化型接著劑。
實施例1 ＜用於測定平衡水分率的偏光薄膜的製作＞ 在厚度40μm且具有內酯環結構的丙烯酸樹脂薄膜的易接著處理面實施了電暈處理的保護薄膜與相位差薄膜(ZEON公司製，商品名：ZB12-50135，厚度：52μm)的貼合面上，以硬化後的厚度達到0.7μm的方式塗佈上述紫外線硬化型接著劑後，用輥軋機貼合於偏光件(可樂麗公司製，商品名：PS4500，厚度：45μm)的雙面。之後，照射紫外線使接著劑硬化，製作出偏光薄膜。然後，利用下述的方法測定所製作的偏光薄膜的平衡水分率，結果在溫度20℃且相對濕度55%Rh的氣體環境下的平衡水分率X為2.5重量%。
(偏光薄膜的平衡水分率X的測定) 從所製作的偏光薄膜(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的樣品。將該樣品在溫度20℃且相對濕度55%Rh的氣體環境下放置24小時，之後，測定了樣品的重量W1。接著，使樣品在120℃下乾燥5小時，測定乾燥後的樣品的重量W0。樣品(偏光薄膜)在溫度20℃且相對濕度55%Rh的氣體環境下的平衡水分率係按照下述式來計算。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的平衡水分率的平均值設為平衡水分率X。 偏光薄膜的平衡水分率X(重量%)＝{(W1-W0)/W1}×100
＜偏光薄膜的製作＞ 利用與前述同樣的方法製作偏光薄膜。利用下述的方法測定所製作的偏光薄膜的水分率P，結果為2.9重量%。
(偏光薄膜的水分率P的測定) 從所製作的偏光薄膜(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的樣品。測定該樣品的乾燥前的重量W2。另外，使樣品在120℃下乾燥5小時，測定乾燥後的樣品的重量W0。所製作的樣品(偏光薄膜)的水分率係按照下述式來計算。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的水分率的平均值設為水分率P。 偏光薄膜的水分率P(重量%)＝{(W2-W0)/W2}×100
＜附黏著劑層的偏光薄膜的製作＞ (黏著劑組合物的調製) 向具備攪拌葉片、溫度計、氮氣導入管、冷卻器的四口燒瓶中饋入含有丙烯酸丁酯99份及丙烯酸4-羥丁酯1份的單體混合物。並相對於前述單體混合物(固體成分)100份，將作為聚合引發劑的2,2´-偶氮雙異丁腈0.1份與乙酸乙酯一起饋入，邊緩緩地攪拌，邊導入氮氣進行氮氣置換後，將燒瓶內的液溫保持在60℃附近，進行7小時聚合反應。之後，向所得的反應液中加入乙酸乙酯，調製出調整成固體成分濃度30%之重量平均分子量140萬的丙烯酸系聚合物的溶液。 相對於前述丙烯酸系聚合物溶液的固體成分100份，摻混乙基甲基吡咯啶鎓-雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺(東京化成工業製)0.2份及雙(三氟甲磺醯基)醯亞胺鋰(三菱材料電子化成公司製)1份後，再摻混三羥甲丙烷伸茬基二異氰酸酯(三井化學公司製：Takenate D110N)0.1份、過氧化二苯甲醯0.3份和γ-環氧丙氧基丙基甲氧基矽烷(信越化學工業公司製：KBM-403)0.075份，調製出丙烯酸系黏著劑溶液。
(黏著劑層的形成) 用噴注式塗佈機將前述丙烯酸系黏著劑溶液均勻地塗敷於經聚矽氧系剝離劑處理過的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(分離薄膜)的表面，並在155℃的空氣循環式恆溫烘箱中乾燥2分鐘，而在分離薄膜的表面形成厚度20μm的黏著劑層。
(附黏著劑層的偏光薄膜的製作) 一邊從捲材送出前述偏光薄膜，一邊在前述偏光薄膜的相位差薄膜上貼合前述分離薄膜的剝離處理面上所形成的黏著劑層，製作出附黏著劑層的偏光薄膜。從所製作的附黏著劑層的偏光薄膜(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的膜片。從該膜片除去黏著劑層及分離薄膜，得到用於測定水分率Q的樣品(偏光薄膜)。利用下述方法測定該樣品(偏光薄膜)的水分率Q，結果為2.6重量%。
(偏光薄膜的水分率Q的測定) 測定樣品(偏光薄膜)的乾燥前的重量W3。另外，使樣品(偏光薄膜)在120℃下乾燥5小時，測定乾燥後的樣品(偏光薄膜)的重量W0。樣品(偏光薄膜)的水分率Q係按照下述式來計算。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的水分率的平均值設為水分率Q。 偏光薄膜的水分率Q(重量%)＝{(W3-W0)/W3}×100
＜附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜(光學構件)的製作、及偏光薄膜的水分率Z1的調整＞ (表面保護薄膜的製作) 在PET薄膜(厚度：38μm)上形成丙烯酸系黏著劑層(厚度：23μm)，製作表面保護薄膜。 (附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜的製作) 一邊從捲材送出前述附黏著劑層的偏光薄膜，一邊在前述附黏著劑層的偏光薄膜的保護薄膜上貼合前述表面保護薄膜的黏著劑層，製作附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜。 (偏光薄膜的水分率Z1的調整) 在將所製作的附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜捲取成捲材時，一邊對附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜以500mL/h吹送溫度23℃且相對濕度65%Rh的加濕空氣，一邊捲取成捲材。然後，在24小時後，將附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜從捲材退捲，然後，從附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的膜片。從該膜片除去黏著劑層、分離薄膜及表面保護薄膜，得到用於測定水分率Z1的樣品(偏光薄膜)。利用下述方法測定該樣品(偏光薄膜)的水分率Z1，結果為2.5重量%。
(偏光薄膜的水分率Z1的測定) 測定樣品(偏光薄膜)的乾燥前的重量W4。另外，使樣品(偏光薄膜)在120℃下乾燥5小時，測定乾燥後的樣品(偏光薄膜)的重量W0。樣品(偏光薄膜)的水分率Z1係按照下述式來計算。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的水分率的平均值設為水分率Z1。 偏光薄膜的水分率Z1(重量%)＝{(W4-W0)/W4}×100
＜附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜的切割步驟、及偏光薄膜的水分率Z2的調整＞ (切割步驟) 一邊從捲材送出前述附黏著劑層及表面保護薄膜的偏光薄膜，一邊切割成MD長度400mm×TD寬度1200mm的大小，得到光學構件。 (偏光薄膜的水分率Z2的調整) 一邊運送經切割而得的光學構件，一邊對該光學構件以500mL/h吹送溫度23℃且相對濕度65%Rh的加濕空氣。之後，從光學構件(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的膜片。從該膜片除去黏著劑層、分離薄膜及表面保護薄膜，得到用於測定水分率Z2的樣品(偏光薄膜)。利用下述方法測定該樣品(偏光薄膜)的水分率Z2，結果為2.5重量%。
(偏光薄膜的水分率Z2的測定) 測定樣品(偏光薄膜)的乾燥前的重量W5。另外，使樣品(偏光薄膜)在120℃下乾燥5小時，測定乾燥後的樣品(偏光薄膜)的重量W0。樣品(偏光薄膜)的水分率Z2係按照下述式來計算。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的水分率的平均值設為水分率Z2。 偏光薄膜的水分率Z2(重量%)＝{(W5-W0)/W5}×100
＜光學構件的包裝＞ 將前述光學構件在溫度23℃且相對濕度65%Rh的加濕氣體環境內與加濕空氣一起進行包裝。之後，從包裝袋取出光學構件，從該光學構件(TD寬度1200mm)的TD寬度方向上的中央部及兩端部(從距離端部6.5cm的內側)切取3片10cm×10cm的大小的膜片。從該膜片除去黏著劑層、分離薄膜及表面保護薄膜，得到用於測定水分率Y的樣品(偏光薄膜)。利用與前述同樣的方法測定該樣品(偏光薄膜)的水分率Y，結果為2.5重量%。此外，將3片樣品(偏光薄膜)的水分率的平均值設為水分率Y。所包裝的光學構件中的偏光薄膜的水分率Y與前述平衡水分率X相同。
實施例2～5、比較例1～2 在實施例1中，如表1所示變更保護薄膜的種類及厚度、相位差薄膜的種類及厚度、以及加濕處理的有無，除此以外，與實施例1同樣地製作光學構件，並進行包裝。另外，與實施例1同樣地測定各偏光薄膜的水分率。
此外，實施例2的塗佈層係利用以下的方法來形成。 準備紫外線硬化型胺甲酸乙酯丙烯酸酯樹脂(日本合成化學工業(股)製，商品名「UV1700B」，固體成分100%)50重量份、及以新戊四醇三丙烯酸酯為主成分的多官能丙烯酸酯(大阪有機化學工業(股)製，商品名「VISCOAT#300」，固體成分100%)50重量份。相對於前述樹脂的樹脂固體成分每100重量份，混合作為粒子的丙烯酸與苯乙烯的共聚粒子(積水化成品工業(股)製，商品名「Techpolymer」，重量平均粒徑：3.0μm，折射率：1.520)2重量份、作為觸變賦予劑之有機黏土的膨潤石(Co-op chemical(股)製，商品名「Lucentite SAN」)1.5重量份、光聚合引發劑(BASF公司製，商品名「Irgacure 907」)3重量份、條平劑(DIC(股)製，商品名「PC4100」，固體成分10%)0.2份。此外，前述有機黏土用甲苯稀釋成固體成分達到6.0%後再使用。將該混合物用甲苯/MIBK(甲基異丁基酮)混合溶劑(重量比80/20)稀釋成固體成分濃度達到40重量%，而調製出塗敷液。使用逗點塗佈機將塗敷液塗佈於偏光薄膜的保護薄膜上形成塗膜。然後，一邊使形成有該塗膜的薄膜以約30°的角度傾斜，一邊向乾燥步驟運送。在乾燥步驟中，在100℃下加熱2分鐘，使前述塗膜乾燥。之後，用高壓汞燈照射累積光量為300mJ/cm2 的紫外線，將前述塗膜進行硬化處理，形成厚度7.5μm的塗佈層。
對上述實施例及比較例中所得的光學構件進行下述評估。將結果示於表1。 (捲曲量的評估方法) 從所製作的光學構件，如下圖使1個角部於MD方向上成為最前部，並從兩端(從距離端部6.5cm的內側)及中央的3處切取邊長150mm的正方形的樣品。並將其以因捲曲而向下凸起的方式放置於水平的測定台上，測定MD・TD方向的各角部(4點)距離測定台的高度，並將其最大值設為捲曲量(mm)。此外，將向分離件側捲曲的情況(向表面保護薄膜側凸起的狀態)設為負，且將其相反的情況設為正。
Figure 02_image001
[表1]
Figure 02_image003
表1中的薄膜如下。 丙烯酸樹脂薄膜：實施例1中使用的丙烯酸樹脂薄膜 TG60UL：FUJIFILM公司製 Cosmo Function：東洋紡公司製 ZB12-50135：ZEON公司製 KC4DR-1：Konica公司製 產業上之可利用性
本發明的光學構件可以其單獨或積層其的光學薄膜的形式用於液晶顯示裝置(LCD)、有機EL顯示裝置等影像顯示裝置中。
(無)

Claims (7)

  1. 一種光學構件的包裝物的製造方法，其特徵在於包含以下步驟：步驟A，在偏光件的單面或雙面透過接著劑層設置保護薄膜，從而製作偏光薄膜；步驟B，在前述偏光薄膜上至少設置黏著劑層及表面保護薄膜，從而製作光學構件；及步驟C，將前述光學構件進行包裝；前述包裝時的溫度為15~25℃，相對濕度為45~65%Rh；其中，在將從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的前述光學構件中的偏光薄膜的平衡水分率設為X重量%時，前述製造方法包含步驟D，該步驟D係在從前述步驟B到前述步驟C為止之間，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Z不小於前述平衡水分率X的方式調整前述水分率Z；前述步驟D之加濕處理的溫度為15~25℃，相對濕度為45~65%Rh；在前述步驟C中，以使前述光學構件中的偏光薄膜的水分率Y重量%不小於前述平衡水分率X重量%的方式調整前述水分率Y重量%。
  2. 如請求項1之光學構件的包裝物的製造方法，其中前述步驟C中，以使前述水分率Y與前述平衡水分 率X之差為0~1重量%的方式調整前述水分率Y。
  3. 如請求項1或2之光學構件的包裝物的製造方法，其中前述步驟C中，藉由對前述光學構件進行加濕來調整前述水分率Y。
  4. 如請求項1之光學構件的包裝物的製造方法，其中前述步驟D中，以使前述水分率Z與前述平衡水分率X之差為0~1重量%的方式調整前述水分率Z。
  5. 如請求項1或4之光學構件的包裝物的製造方法，其中前述步驟D中，藉由對前述光學構件進行加濕來調整前述水分率Z。
  6. 如請求項1或2之光學構件的包裝物的製造方法，其中從將前述包裝物拆開包裝到將前述光學構件貼合於單元基板為止的操作係在無塵室內進行。
  7. 如請求項6之光學構件的包裝物的製造方法，其中前述無塵室係調整為處於15~25℃的溫度範圍內的恆定溫度且處於45~65%Rh的相對濕度內的恆定濕度。
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