TWI778247B - 多結晶矽棒的製造方法及反應爐 - Google Patents

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Abstract

根據西門子(Siemens)法的多晶矽棒的製造中，更大地改善來自氣體供給噴嘴的矽沉積用原料氣體的噴出量，藉此加強氣體流勢，鐘罩(bell jar)內的上部與下部中的原料氣體的循環性優異的狀態下，開發實施上述製造的方法。 多結晶矽棒的製造用反應爐，使用流量放大噴嘴，作為至少1個氣體供給噴嘴，包括供給至噴嘴的矽沉積用原料氣體流量增加再吹出的作用，進行上述多結晶矽棒的製造。

Description

多結晶矽棒的製造方法及反應爐
本發明，係多結晶矽棒的製造方法，詳細係關於反應爐內設置的矽心材上以化學氣相沉積法使多結晶矽沉積的多結晶矽棒的製造方法及用以實施此製造方法的反應爐。
一直以來，已知各種製造使用作為半導體或太陽光發電用晶圓的原料之矽的方法，已在工業上實施其中幾種。例如，其一係稱作西門子(Siemens)法的方法，在反應爐內部，設置矽心線，經由通電加熱矽心線至矽的沉積溫度，此狀態下供給反應室內三氯矽烷(SiHCl3 )、甲矽烷(SiH4 )等的矽烷化合物與還原氣體構成的矽沉積用原料氣體，根據化學氣相沉積法在矽心線上沉積矽。此方法的特徵係以棒的形態得到高純度多結晶矽，作為最一般的方法實施。
此西門子(Siemens)法，為了在工業上實施，上述反應爐是一般的，構造為第6圖所示。即，反應爐1，以鐘罩2與底板3密閉內部，上述底板3中，保持複數的矽心線4的同時，使用設置用以對上述矽心線4通電的電極對5的構造。又，上述底板3中，為了對鐘罩2的內部空間供給部矽沉積用原料氣體，複數的氣體供給噴嘴6分別形成前端噴射口朝上設置的構造(參照專利文件1、2)。又，第6圖只顯示1個氣體供給噴嘴6，但實際機器在底板3上面以大致均等的間隔設置複數的氣體供給噴嘴6。
在此，作為上述氣體供給噴嘴6的形態，內部的氣體流通路從供給口到上述前端噴出口之間，係相同口徑的直筒管型，或為了增加原料氣體的噴出壓，在上述噴出口附近的前端部中，廣泛應用少許勒緊其口徑的形態等(參照專利文件1，第4圖等)。
又，製造的多結晶矽棒的下端近旁，根據用於運送棒之形成吊具的鉤掛凹部的目的，在上述直筒管型噴嘴中，原料氣體的噴射口，不只設置在前端噴射口也設置在其噴嘴的周壁面(形成側壁噴射口的噴嘴)也是熟知的。即，由於形成相關的側壁噴射口，與底板上面平行的橫方向也吐出氣體，上述多結晶矽棒中，其下端近旁，形成上述吊具的鉤掛凹部的技術是眾所周知的(參照專利文件2，第6圖)。 [先行技術文件] [專利文件]
[專利文件1] 專利公開第2013-63884號公報 [專利文件2] 再公開第2010/098319號公報
上述習知的反應爐中，雖然以某程度的噴射壓從氣體供給噴嘴的前端噴射口排出矽沉積用原料氣體至上方空間，因為離鐘罩上壁有一定的距離，到達那裏為止的期間不能避免其流速相當下降。結果，原料氣體流到達上壁面後，即使反轉也沒達到有強度的下降流，鐘罩內的上部與下部原料氣體濃度容易變得不均勻。因此，原料氣體的利用效率變差，使伴隨製造的電力原單位、原料矽烷化合物的原單位惡化。又，得到的多結晶矽棒中，表面上也產生凹凸(爆米花)，又，棒的粗細變得不均勻，產生形狀不良。於是，這樣在表面上產生凹凸時，表面積增加，也成為不純物引起污染的原因。
為了抑制這些不良，盡量增大來自氣體供給噴嘴的前端噴射口的矽沉積用原料氣體噴出量，提高其氣體流速，在鐘罩內的上部與下部，要求提高原料氣體的循環性。但是，使用習知的直筒管型氣體供給噴嘴等的話，此改善本身有限度，不能得到可盡量滿足的效果。
又，這些不良，作為氣體供給噴嘴，除了上述前端噴射口，即使還使用形成側壁噴射口的噴嘴，也不能充分解除。詳細敘述的話，這樣的側壁噴射口，因為使原料氣體往橫方向噴射，鐘罩內下部某程度提高環境氣氛的攪拌效果，但從側壁噴射口噴出原料氣體的部分，來自噴嘴前端的噴射口的噴出量變少，其強度變弱，在鐘罩內的上部與下部的環境氣氛循環性下降。
根據這些，利用西門子(Siemens)法的多結晶棒的製造中，更大地改善來自氣體供給噴嘴的矽沉積用原料氣體的噴出量，而且更加強氣體流勢，鐘罩內的上部與下部中的原料氣體的循環性優異的狀態下，開發實施上述製造的方法，是大課題。
本發明者們，有鑑於上述課題繼續專心研究。結果，作為使用的氣體供給噴嘴，藉由使用具有供給至噴嘴的矽沉積用原料氣體流量增加再吹出的作用的流量放大噴嘴，發現可以解決上述課題，達到完成本發明。
即，本發明的多結晶矽棒的製造方法，使用反應爐，構造為以鐘罩與底板密閉內部，上述底板中，保持複數的矽心線的同時，設置用以對上述矽心線通電的電極對，還有用以對上述鐘罩的內部空間供給矽沉積用原料氣體的複數氣體供給噴嘴分別設置為前端噴射口朝上；邊對上述矽心線通電，邊使上述氣體供給噴嘴噴出矽沉積用原料氣體，藉此使上述矽心線沉積多結晶矽；其特徵在於： 作為至少1個上述氣體供給噴嘴，使用具有藉由供給噴嘴的矽沉積用原料氣體與導入噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合而使其增量吹出的作用的流量放大噴嘴。
又，本發明也提供多結晶矽棒製造反應爐，作為用以實施上述製造方法的反應爐，構造為以鐘罩與底板密閉內部，上述底板中，保持複數的矽心線的同時，設置用以對上述矽心線通電的電極對，還有用以對上述鐘罩的內部空間供給矽沉積用原料氣體的複數氣體供給噴嘴分別設置為前端噴射口朝上；其特徵在於：至少1個上述氣體供給噴嘴具有供給噴嘴的矽沉積用原料氣體與導入噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合而使其增量吹出的作用的流量放大噴嘴。
根據本發明的多結晶矽棒的製造方法，可以更大地改善來自氣體供給噴嘴的矽沉積用原料氣體的噴出量，藉此吹出的氣體流勢增加。因此，在鐘罩內的上部與下部的原料氣體循環性優異，提高原料氣體的利用效率的狀態下，可以製造多結晶矽棒。因此，可以大為改善伴隨多結晶矽棒製造的電力原單位、原料矽烷化合物的原單位。
又，得到的多結晶矽棒中，也難以產生對表面的凹凸，可以使棒的粗細穩定性也提高。因此，棒表面的平滑性優異，也可以有意義地降低表面積增大引起的不純物污染等。
1:反應爐
2:鐘罩
3:底板
4:矽心線
5:電極對
6:氣體供給噴嘴
7:多結晶矽
10:多結晶矽棒
11:噴嘴本體
12:矽沉積用原料氣體流通路
13:原料氣體供給口
14:前端噴出口
15:周壁開口部
16:噴嘴周壁
17:縮徑部
18:突出部
19:狹窄部
20:小開口
A1:內壁側開口面上端位
A2:內壁側開口面下端位
A3:擴徑開始處
H:水平面
α:角度
[第1圖]係本發明中使用的流量放大噴嘴的代表形態剖面圖(a)及一部分槽口立 體剖面圖(b)；[第2圖]係本發明使用的流量放大噴嘴的另一形態剖面圖(a)及一部分槽口立體剖面圖(b)；[第3圖]係本發明使用的流量放大噴嘴的又另一形態剖面圖(a)及一部分槽口立體剖面圖(b)；[第4圖]係本發明使用的流量放大噴嘴的又另一形態剖面圖(a)及一部分槽口立體剖面圖(b)；[第5圖]係本發明使用的流量放大噴嘴的又另一形態剖面圖(a)及一部分槽口立體剖面圖(b)；以及[第6圖]係顯示本發明應用的代表形態中多結晶矽棒製造反應爐的構造概略圖。
以下說明關於本發明的一實施形態，但本發明不限於此。本發明，不限定於以下說明的各構成，可以作各種變更。即，關於適當組合不同的實施形態中分別揭示的技術性手段得到的實施形態也包含在本發明的技術範圍內。又，本說明書中記載的專利文件，全部在本說明書中引用作為參考文件。又，本說明書中只要不特別記載，表示數值範圍的「A~B」，意味「A以上(包含A且比A大)B以下(包含B且比B小)」。
本發明中，根據所謂西門子(Siemens)法，實施多結晶矽棒的製造，使經由通電加熱至矽的沉積溫度的矽心線，接觸三氯矽烷(SiHCl3)、甲矽烷(SiH4)等的矽烷化合物與還原氣體構成的矽沉積用原料氣體，根據化學氣相沉積法使矽心線上沉積矽。反應爐，如上述第6圖所示，以鐘罩2與底板3密閉內部，上述底板3中，設置保持複數的矽心線4的同時用以通電至上述矽心線4之電極對5，還有採用的構造係用以供給上述鐘罩2的內部空間矽沉積用原料氣體之複數 的氣體供給噴嘴6分別設置為前端噴射口朝上的構造。對於這樣構造的反應爐1，邊對矽心線4通電，邊使上述氣體供給噴嘴6噴出矽沉積用原料氣體，藉此使上述矽心線4沉積多結晶矽7製造多結晶矽棒。
本發明的最大特徵在於使用以下詳述的流量放大噴嘴方面，設置在上述反應爐1中，作為至少1個氣體供給噴嘴6。在此，流量放大噴嘴，定義為具有藉由供給至噴嘴的矽沉積用原料氣體與導入噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合而使其增量吹出的作用的噴嘴。因此，使用這樣的流量放大噴嘴的話，多結晶矽棒的製造中，使供給至噴嘴的矽沉積用原料氣體，在噴嘴內與鐘罩內環境氣氛混合增量而增強強度，可以從前端噴出口噴出。結果，噴出的原料氣體，直到到達鐘罩內上部為止，保持快速的流速，到達上壁面後，也可以轉變成強的下降流，在鐘罩內的上部與下部可以大為提高原料氣體的循環性。
流量放大噴嘴，如果具有上述原料氣體的放大作用的話，怎樣的構造也可以適用，但一般使用的構造，係噴嘴周壁設置開口部，上述原料氣體流過噴嘴內的矽沉積用原料氣體流通路朝向前端噴出口之際，具有從上述周壁開口部吸入噴嘴周圍的環境氣氛至上述矽沉積用原料氣體流通路的作用。
在此，周壁開口部，作用為上述噴嘴周圍的環境氣氛吸引口或與此相反，作用為如上述專利文件2所示的流過矽沉積用原料氣體流通路的原料氣體之噴出口，根據上述周壁開口部的內壁面側開口部的壓力與外壁面側開口部的壓力哪邊大決定。即，上述專利文件2中周壁開口部的內壁側開口面下端位中，因為比起矽沉積用原料氣體流通路的內空剖面積，氣體供給噴嘴的前端噴出口剖面積較小，比起噴嘴周圍的環境氣氛，噴嘴內的壓力也變大，上述周壁開口部作用為原料氣體的噴出口。另一方面，流量放大噴嘴，因為在上述周壁開口部的內壁側開口面上端位中矽沉積用原料氣體流通路的內空剖面積比上述周壁開口部的內壁側開口面下端位近旁的同內空剖面積大的構造，急劇擴大流 過矽沉積用原料氣體流通路的原料氣體，比起噴嘴周圍的環境氣氛，噴嘴內的壓力變得較小，上述周壁開口部作用為環境氣體的吸引口。即，流量放大噴嘴根據Venturi(文氏管)效應及Bernoulli(白努力)定理，增大流量。
又，周壁開口部中，噴嘴周壁的內壁面與外壁面貫通，開口方向也重要，設置為從內壁面側開口向外壁面側開口朝下的開口。即，此開口方向從內壁面側開口向外壁面側開口水平或朝上的開口時，朝上流過矽沉積用原料氣體流通路的原料氣體與從上述開口流入的氣體衝突壓力損失變大，由於其影響吸引作用減少。
透過調整這些周壁開口部的形成條件，將此設置成作用為吸引口。第1圖，係本發明中適合使用的流量放大噴嘴的剖面圖，噴嘴本體11的內部空間，作用為矽沉積用原料氣體流通路12，設置連續性或階段性縮窄的縮徑部17。又，噴嘴本體11，一般係圓管，但角管等也可以。矽沉積用原料氣體，從噴嘴下端的原料氣體供給口13流入，從前端噴出口14噴射。
第1圖的流量放大噴嘴中，周壁開口部15對於噴嘴周壁16，以從內壁面側開口朝外壁側開口往下方向傾斜的形態設置。流過上述矽沉積用原料氣體流通路12內的矽沉積用原料氣體流在一定的快速度，周壁開口部15的開口徑，如果不過度大到損壞上述吸引作用，就從這吸入噴嘴周邊的鐘罩環境氣氛至矽沉積用原料氣體流通路12。結果，供給至噴嘴的矽沉積用原料氣體，將會與吸引至上述噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合增量噴出。
在此，因為周壁開口部15呈現充分吸引作用，流過矽沉積用原料氣體流通路12的矽沉積用原料氣體壓力，理想是至少在周壁開口部15的位置中比環境氣體的壓力低0.001~10000Pa，低於100~2000Pa特別理想。
要是使矽沉積用原料氣體流通路12的流路徑，成為與上述原料氣體的供給線口徑相同的直徑的直筒型，形成維持與上述供給速度相同的速度流 動的形態的話，上述原料氣體的壓力，也可能沒達到上述周壁開口部15的內壁側開口附近的合適壓力差。因此，矽沉積用原料氣體流通路12，從原料氣體供給口13到周壁開口部15的全區域或既定區域中，設置連續性或階段性縮窄其流路徑的縮徑部17是合適的形態。此時，因為上述周壁開口部15的內壁側開口面下端位(A2)近旁的流路徑可以縮小，流過此的矽沉積用原料氣體的流速變快，容易調整上述內壁開口附近的壓力差至上述合適的範圍內。有關的縮徑部17，最好設置使流路徑縮窄至原料氣體供給口13口徑的80%以下，5~60%更合適。
又，矽沉積用原料氣體流通路12，在周壁開口部15的內壁側開口面上端位(A1)中，理想是比周壁開口部15的內壁側開口面下端位(A2)擴徑的形態。換言之，理想是流量放大噴嘴的上述周壁開口部15的內壁側開口面上端位(A1)中矽沉積用原料氣體流通路12的內空剖面積，比上述周壁開口部的內壁側開口面下端位(A2)中的同內空剖面積大的構造。
如此的構造的話，流過矽沉積用原料氣體流通路12的原料氣體，由於相關的擴徑，內壁側開口面上端位(A1)附近體積膨脹暫時其壓力下降。結果，因為來自周壁開口部15的噴嘴周邊環境氣氛的吸引作用更提高，是理想的。但是，內壁側開口面上端位(A1)太過度大地擴徑時，此擴大的流路徑，在實質維持到前端噴出口14的情況下，引起噴嘴噴射的原料氣體流速下降。根據這樣的觀點，上述內壁側開口面上端位(A1)的內空剖面積，變得比上述周壁開口部15的內壁側開口面下端位(A2)中的內空剖面積大至1.1~4.0倍的比例，更進一步大至1.1~3.0倍的比例，特別是大至1.2~3.0倍的比例是理想的。
又，第1圖的形態，成為流量放大噴嘴的上述周壁開口部15的內壁側開口面上端位(A1)中矽沉積用原料氣體流通路12的內空剖面積比上述周壁開口部15的內壁側開口面下端位(A2)中的內空剖面積大的構造，原料氣體流通路12的擴徑，設置從上述周壁開口部的上述下端位(A2)到上端位(A1)。但是，上述 原料氣體的體積膨脹引起的壓力下降的效果，在周壁開口部15附近及從上周壁開口部15產生環境氣體的吸引的話，原料氣體流通路12的擴徑，設置在比上述周壁開口部15的內壁側開口面下端位(A2)少許流路的上流側(周壁開口部的內壁側開口面下端位方向)也可以。具體而言，如第2圖所示，矽沉積用原料氣體流通路12中，擴徑產生的流路徑增加部分為「h」，擴徑開始處(A3)到周壁開口部的內壁側開口面下端位(A2)的流路長度為「L」時，L≦15h，更適合是L≦10h的關係的話，在上述周壁開口部的內壁側開口面下端位近旁擴徑的構造也可以。
又，流量放大噴嘴中，上述周壁開口部15的開口方向，對於水平面H，從上述內壁面側開口向外壁面側開口理想是以5~90°的角度(第1圖中以”α”表示)往下方向傾斜，以10~60°的角度往下方向傾斜特別理想。
第3~5圖，顯示本發明中使用的流量放大噴嘴的又另一適合形態。第3圖，在第1圖的流量放大噴嘴中，矽沉積用原料氣體流通路12，不是設置縮徑部17在原料氣體供給口13到周壁開口部15之間，而是其間全區為直筒型的剖面圖。
又，上述第1圖的流量放大噴嘴中，周壁開口部15，對於噴嘴周壁16，以內壁面側開口向外壁面側開口往下方向傾斜的形態設置。改變如下，第4圖的流量放大噴嘴中，上述周壁開口部15，對於噴嘴周壁16，係朝正下方形成方面不同的形態。即，顯示角度α是90°的情況。噴嘴本體11的周壁16，從下端到上端的途中設置往水平方向擴徑的突出部18，在此周壁開口部15往正下方形成上述開口方向。此時，周壁開口部15的內壁側開口面成為水平。
又，第5圖，顯示本發明中使用的流量放大噴嘴的又另一形態。第5圖的形態，係在第1圖的流量放大噴嘴中，原料氣體供給口13到周壁開口部15的矽沉積用原料氣體流通路12的縮徑，不是以縮窄其流路徑進行，而是從周壁開口部15的下端，往流路的上流側設置部分堵塞上述原料氣體流通路的狹窄 部19的形態。此狹窄部19，設置使其上下面連通的複數小開口20，小開口部以外被閉塞。上述複數小開口20的內空剖面積的合計，比上述原料氣體供給口13的內空剖面積小，如同上述第1圖的形態，得到與利用縮窄其流路徑進行矽沉積用原料氣體流通路12的縮徑相同的狀態。
以上說明的流量放大噴嘴，供給噴嘴的矽沉積用原料氣體，與導入噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合增量。圖面所示的流量放大噴嘴，係在噴嘴周壁16設置開口部15，上述原料氣體朝向前端噴出口流過噴嘴內的矽沉積用原料氣體流通路之際，周壁開口部15內吸入噴嘴周圍的環境氣氛體現之類型。但是，流量放大噴嘴的構造，不限定於此構造。例如，從鐘罩內的排氣口取出一部分的鐘罩環境氣氛，將此加壓，通過氣體供給噴嘴的矽沉積用原料氣體流通路內插入的細管供給，與原料氣體混合的形態也可以。
這些流量放大噴嘴的材質，如果是不讓供給的原料反應氣體污染的材質，就不特別限制，例如可以舉出矽製、碳化矽製、石英製、石墨製或石墨表面以矽覆蓋的材質等。
這樣的流量放大噴嘴，在用以製造多結晶矽棒的反應爐中，可以設置複數的氣體供給噴嘴的至少1個。即，反應爐中，氣體供給噴嘴，為了可以對各矽心線平均供給原料氣體，分散至底板上面的大致全區，加以適當的間隔的同時設置複數個，但只要至少設置其中1個即可。根據最大限度發揮流量放大的效果之觀點來看，全部應用特別理想。
使用上述流量放大噴嘴的反應爐的多結晶矽棒製造，透過對矽心線通電，將此加熱至多結晶矽的沉積溫度約600℃以上實施。為了迅速沉積多結晶矽，一般理想是加熱900~1200℃左右的溫度。
矽沉積用原料氣體中，矽烷化合物，使用甲矽烷、三氯矽烷、四氯化矽、一氯甲矽烷(monochlorosilane)、二氯矽烷(dichlorosilane)等，一般適合 使用三氯矽烷。又，作為還原氣體，通常使用氫氣。例如，使用三氯矽烷作為矽烷化合物，以1000℃進行矽的沉積時，作為每一矽表面積的氯矽烷(chlorosilane)氣體供給量，適當以0.02~0.07mol/cm2．h(莫耳/平方厘米．時)的範圍供給。
透過使用流量放大噴嘴，供給噴嘴的矽沉積用原料氣體，與鐘罩內環境氣氛混合增量。因為鐘罩內環境氣氛中包含未反應的原料氣體，從噴嘴噴出的氣體中的原料氣體增量。結果，可以有效利用原料氣體，原料原單位提高。又，供給噴嘴的矽沉積用原料氣體的溫度，通常是室溫左右。因此，使前端噴出口近旁的矽棒表面溫度下降，矽的沉積變得不充分，棒徑不均勻等，可能產生爆米花。但是，透過使用流量放大噴嘴，供給噴嘴的原料氣體，吸引鐘罩內環境氣體。鐘罩內環境氣體已經足夠高溫。結果，與鐘罩內環境氣體混合的原料氣體溫度也上升，抑制矽棒表面溫度的過度下降，並且電力原單位也提高。
[實施例]
以下，為了具體說明本發明，舉出實施例、比較例說明，但本發明完全不受這些限制。
實施例1、比較例1
具有第6圖所示的構造，而且準備以下規格的反應爐。
鐘罩的容積：3m3(立方米)
底板上設置的矽心線：10條(逆U字型5對)
底板上設置的氣體供給噴嘴：6個(在底板上面的大致全區以均等的間隔分散配置)
在此，上述氣體供給噴嘴全部，構造為第1圖所示在周壁開口部15上端的內空剖面積是周壁開口部下端的同內空剖面積的1.3倍。流過那時的矽沉積用原料 氣體流通路12的矽沉積用原料氣體與環境氣體的壓力差是600Pa(帕)。
多結晶矽的製造，透過對矽心線通電，將此加熱至1000℃，使用三氯矽烷(trichlorosilane)與氫的混合氣體作為矽沉積用原料氣體，最大時以700Nm3/h(標準立方/時)供給混合氣體，根據西門子(Siemens)法實施100小時矽沉積反應。結果，得到粗細120mm(毫米)的多結晶矽棒10支。
作為比較例，上述多結晶矽的製造改變，使用的氣體供給噴嘴全部而不是流量放大噴嘴，使用周壁上不設置周壁開口部15的通常直筒型噴嘴，透過與鐘罩內環境氣氛混合，根據沒有增量吹出的作用的理由，變更矽沉積用原料氣體最大時的供給量為800Nm3/h(標準立方/時)以外，與此同樣地實施，得到多結晶矽棒10支。又，此製造中，矽的沉積時間經過100小時的時刻，形成的各多結晶矽棒的粗細，沒有如同上述製造生長到120mm，在那結束製造。
結果，使用流量放大噴嘴作為上述氣體供給噴嘴的製造，對比使用通常的直筒型噴嘴的比較製造，每1kg多結晶矽使用的電力量下降至98%，每1kg多結晶矽使用的三氯矽烷(trichlorosilane)量也下降至97%。又，觀察得到的各多結晶矽棒表面的結果，使用流量放大噴嘴作為上述氣體供給噴嘴製造的棒，在其全表面，產生爆米花狀凹凸的面積，比使用通常的直筒型噴嘴製造的棒中產生的同面積下降至73%。
11‧‧‧噴嘴本體
13‧‧‧原料氣體供給口
14‧‧‧前端噴出口
15‧‧‧周壁開口部
16‧‧‧噴嘴周壁
17‧‧‧縮徑部
A1‧‧‧內壁側開口面上端位
A2‧‧‧內壁側開口面下端位
H‧‧‧水平面
α‧‧‧角度

Claims (5)

  1. 一種多結晶矽棒的製造方法，使用反應爐，構造為以鐘罩與底板密閉內部，上述底板中，保持複數的矽心線的同時，設置用以對上述矽心線通電的電極對，還有用以對上述鐘罩的內部空間供給矽沉積用原料氣體的複數氣體供給噴嘴分別設置為前端噴射口朝上；邊對上述矽心線通電，邊使上述氣體供給噴嘴噴出矽沉積用原料氣體，藉此使上述矽心線沉積多結晶矽；其特徵在於：作為至少1個上述氣體供給噴嘴，使用具有藉由供給至上述噴嘴的矽沉積用原料氣體與導入上述噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合而使其增量吹出的作用的流量放大噴嘴。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的多結晶矽棒的製造方法，其中，上述流量放大噴嘴，在上述噴嘴的周壁設置周壁開口部，具有上述原料氣體流過上述噴嘴內的矽沉積用原料氣體流通路朝向前端噴出口之際、從上述周壁開口部吸入上述噴嘴周圍的環境氣氛至上述矽沉積用原料氣體流通路的作用。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的多結晶矽棒的製造方法，其中，上述流量放大噴嘴，係在上述周壁開口部的內壁側開口面上端位中矽沉積用原料氣體流通路的內空剖面積比上述周壁開口部的內壁側開口面下端位近旁的同內空剖面積大的構造。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中任一項所述的多結晶矽棒的製造方法，其中， 供給至上述噴嘴的矽沉積用原料氣體，與導入上述噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合，其容量增量至1.1~3.0倍。
  5. 一種多結晶矽棒的製造反應爐，構造為以鐘罩與底板密閉內部，上述底板中，保持複數的矽心線的同時，設置用以對上述矽心線通電的電極對，還有用以對上述鐘罩的內部空間供給矽沉積用原料氣體的複數氣體供給噴嘴分別設置為前端噴射口朝上；其特徵在於：至少1個上述氣體供給噴嘴是具有藉由供給至上述噴嘴的矽沉積用原料氣體與導入上述噴嘴內的鐘罩內環境氣氛混合而使其增量吹出的作用的流量放大噴嘴。
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