TWI775423B - 共聚物與複合材料 - Google Patents

共聚物與複合材料 Download PDF

Info

Publication number
TWI775423B
TWI775423B TW110116352A TW110116352A TWI775423B TW I775423 B TWI775423 B TW I775423B TW 110116352 A TW110116352 A TW 110116352A TW 110116352 A TW110116352 A TW 110116352A TW I775423 B TWI775423 B TW I775423B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copolymer
product
monomer
ghz
polymer
Prior art date
Application number
TW110116352A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202244084A (zh
Inventor
丁文彬
莊貴貽
梁師堯
劉彥群
Original Assignee
財團法人工業技術研究院
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 財團法人工業技術研究院 filed Critical 財團法人工業技術研究院
Priority to TW110116352A priority Critical patent/TWI775423B/zh
Priority to CN202110695971.2A priority patent/CN115304709A/zh
Priority to US17/497,673 priority patent/US20220372189A1/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI775423B publication Critical patent/TWI775423B/zh
Publication of TW202244084A publication Critical patent/TW202244084A/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
    • C08F222/1025—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate of aromatic dialcohols
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D129/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Coating compositions based on hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D129/10—Homopolymers or copolymers of unsaturated ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/1006—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols
    • C08F222/102—Esters of polyhydric alcohols or polyhydric phenols of dialcohols, e.g. ethylene glycol di(meth)acrylate or 1,4-butanediol dimethacrylate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F216/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
    • C08F216/12—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an ether radical
    • C08F216/125—Monomers containing two or more unsaturated aliphatic radicals, e.g. trimethylolpropane triallyl ether or pentaerythritol triallyl ether
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/12—Esters of phenols or saturated alcohols
    • C08F222/20—Esters containing oxygen in addition to the carboxy oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/10—Esters
    • C08F222/12—Esters of phenols or saturated alcohols
    • C08F222/22—Esters containing nitrogen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F222/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical and containing at least one other carboxyl radical in the molecule; Salts, anhydrides, esters, amides, imides, or nitriles thereof
    • C08F222/36—Amides or imides
    • C08F222/40—Imides, e.g. cyclic imides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F236/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, at least one having two or more carbon-to-carbon double bonds
    • C08F236/02—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, at least one having two or more carbon-to-carbon double bonds the radical having only two carbon-to-carbon double bonds
    • C08F236/04—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, at least one having two or more carbon-to-carbon double bonds the radical having only two carbon-to-carbon double bonds conjugated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J5/00—Manufacture of articles or shaped materials containing macromolecular substances
    • C08J5/18—Manufacture of films or sheets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D135/00—Coating compositions based on homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least another carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Coating compositions based on derivatives of such polymers
    • C09D135/02—Homopolymers or copolymers of esters
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2329/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal, or ketal radical; Hydrolysed polymers of esters of unsaturated alcohols with saturated carboxylic acids; Derivatives of such polymer
    • C08J2329/10—Homopolymers or copolymers of unsaturated ethers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2335/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least one other carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2335/00—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by a carboxyl radical, and containing at least one other carboxyl radical in the molecule, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Derivatives of such polymers
    • C08J2335/02—Characterised by the use of homopolymers or copolymers of esters
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/38—Boron-containing compounds
    • C08K2003/382—Boron-containing compounds and nitrogen
    • C08K2003/385—Binary compounds of nitrogen with boron
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H05K1/0204—Cooling of mounted components using means for thermal conduction connection in the thickness direction of the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313—Organic insulating material
    • H05K1/0353—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0366—Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement reinforced, e.g. by fibres, fabrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/032—Materials
    • H05K2201/0329—Intrinsically conductive polymer [ICP]; Semiconductive polymer

Abstract

共聚物係由：(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成，其中芳香性單體的化學結構為
Figure 01_image001
。每一R 1各自為H或CH 3，且n=1-4，R 2係單鍵、-O-、
Figure 01_image003
、
Figure 01_image005
、
Figure 01_image007
、
Figure 01_image009
、
Figure 01_image011
、
Figure 01_image013
、
Figure 01_image015
、
Figure 01_image017
、
Figure 01_image019
、
Figure 01_image021
、或
Figure 01_image023
。每一R 3各自為
Figure 01_image025
或

Description

共聚物與複合材料
本揭露關於導熱的共聚物，更特別關於共聚物的單體種類。
雲端、互聯、及物聯網的興起、4G、5G通訊技術與顯示技術提升，光電與半導體等產業所需之電路板與IC載板走向高速化、高密度化、密集化、與積層化，因此未來其特性需求除低介電、高絕緣性外，需兼具低介電損失、與高導熱性，以電路板為例，其結構中的銅箔基板之簡易結構為銅箔/介電層/銅箔，中間介電層之組成物多為導熱性差之樹脂、玻纖布、或絕緣紙，導致銅箔基板的導熱性差。
為解決上述問題，目前亟需新的導熱樹脂，以增加銅箔之間的介電層導熱性。
本揭露一實施例提供之共聚物，係由：(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成，其中芳香性單體的化學結構為
Figure 02_image001
，其中每一R 1各自為H或CH 3，且n=1-4；R 2係單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、
Figure 02_image021
、或
Figure 02_image023
，R 4係C 2-10的烷撐基；每一R 5各自為單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、或
Figure 02_image021
，且o係1-70；每一R 3各自為
Figure 02_image025
或
Figure 02_image027
，其中R 6係H或CH 3，且R 7係C 1-10的烷撐基。
在一些實施例中，芳香性單體之結構為
Figure 02_image031
、
Figure 02_image033
、
Figure 02_image035
、
Figure 02_image037
、或
Figure 02_image039
。
在一些實施例中，脂肪族單體係1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4,5-二乙基-1,3-辛二烯、
Figure 02_image041
、
Figure 02_image043
、或
Figure 02_image045
；其中R 8係C 1-12的烷撐基或環烷撐基；R 9係
Figure 02_image047
或
Figure 02_image049
，R 10係H或CH 3；R 11係C 2-5的烷撐基；R 12係H或CH 3；以及q=1-70。
在一些實施例中，脂肪族單體係1,3-丁二烯、
Figure 02_image051
、
Figure 02_image053
、或
Figure 02_image055
。
在一些實施例中，(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物與(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物的莫耳比例(A/B)為1:2至99:1。
本揭露一實施例提供之複合材料，包括：1重量分的共聚物；以及9至99重量分的無機粉體，其中共聚物係由：(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成，其中芳香性單體的化學結構為
Figure 02_image001
，其中每一R 1各自為H或CH 3，且n=1-4；R 2係單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、
Figure 02_image021
、或
Figure 02_image023
，R 4係C 2-10的烷撐基；每一R 5各自為單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、或
Figure 02_image021
，且o係1-70；每一R 3各自為
Figure 02_image025
或
Figure 02_image027
，其中R 6係H或CH 3，且R 7係C 1-10的烷撐基。
在一些實施例中，芳香性單體之結構為
Figure 02_image031
、
Figure 02_image033
、
Figure 02_image035
、
Figure 02_image037
、或
Figure 02_image039
。
在一些實施例中，脂肪族單體係1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4,5-二乙基-1,3-辛二烯、
Figure 02_image041
、
Figure 02_image043
、或
Figure 02_image058
；其中R 8係C 1-12的烷撐基或環烷撐基；R 9係
Figure 02_image047
或
Figure 02_image049
，R 10係H或CH 3；R 11係C 2-5的烷撐基；R 12係H或CH 3；以及q=1-70。
在一些實施例中，脂肪族單體係1,3-丁二烯、
Figure 02_image051
、
Figure 02_image053
、或
Figure 02_image055
。
在一些實施例中，(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物與(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物的莫耳比例(A/B)為1:2至99:1。
在一些實施例中，無機粉體包括氮化鋁、氮化硼、氧化鋁、氫氧化鎂、二氧化矽、或上述之組合。
本揭露一實施例提供之共聚物，係由(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成。芳香性單體的化學結構為
Figure 02_image001
，其中每一R 1各自為H或CH 3，且n=1-4；R 2係單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、
Figure 02_image021
、或
Figure 02_image023
，R 4係C 2-10的烷撐基；每一R 5各自為單鍵、-O-、
Figure 02_image003
、
Figure 02_image005
、
Figure 02_image007
、
Figure 02_image009
、
Figure 02_image011
、
Figure 02_image013
、
Figure 02_image015
、
Figure 02_image017
、
Figure 02_image019
、或
Figure 02_image021
，且o係1-70；每一R 3各自為
Figure 02_image025
或
Figure 02_image027
，其中R 6係H或CH 3，且R 7係C 1-10的烷撐基。
舉例來說，芳香性單體之結構可為
Figure 02_image031
、
Figure 02_image033
、
Figure 02_image035
、
Figure 02_image037
、
Figure 02_image039
、或其他合適的芳香性單體。
在一些實施例中，脂肪族單體係1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4,5-二乙基-1,3-辛二烯、
Figure 02_image041
、
Figure 02_image043
、或
Figure 02_image045
；其中R 8係C 1-12的烷撐基或環烷撐基；R 9係
Figure 02_image047
或
Figure 02_image049
，R 10係H或CH 3；R 11係C 2-5的烷撐基；R 12係H或CH 3；以及q=1-70。
舉例來說，脂肪族單體可為1,3-丁二烯、
Figure 02_image051
、
Figure 02_image053
、或
Figure 02_image055
。
在一些實施例中，(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物與(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物的莫耳比例(A/B)為1:2至99:1。若(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物的比例過 低，則聚合物的傳熱性不足(比如傳熱係數(W/mK)低於0.3)。
本揭露一實施例提供之複合材料，包括：1重量分的上述共聚物；以及9至99重量分的無機粉體。複合材料中的共聚物可與前述的共聚物類似，在此不贅述。若無機粉體的比例過高，則 粉體不易均勻分散在共聚物中。在一些實施例中，無機粉體包括氮化鋁、氮化硼、氧化鋁、氫氧化鎂、二氧化矽、或上述之組合。
在一實施例中，上述共聚物或複合材料可用於接著劑或封裝材料。在一實施例中，可將含共聚物或複合材料的塗料(含有機溶劑)塗佈至載體上，接著烘乾塗料以形成塗層。在一些實施例中，載體可為銅箔、聚合物膜(如聚醯亞胺膜、聚對苯二甲酸乙二酯膜、或其他聚合物膜)、或類似物。上述塗層具有熱傳導性高(傳熱係數(W/mK)≥0.3，甚至傳熱係數(W/mK)≥0.4)、高頻介電常數低(Dk @10 GHz ≤3.2甚至Dk @10 GHz ≤2.8)、以及高頻介電損失低(Df @10 GHz ≤ 0.003甚至Df @10 GHz ≤ 0.0027)等特性。
在一實施例中，可將含有塗層於其上的載體對向壓合，且塗層彼此接觸。當載體為銅箔時，壓合後的結構即所謂的銅箔基板。在一實施例中，上述壓合製程的壓力介於5Kg至50Kg之間，溫度介於150℃至250℃之間，且歷時1小時至10小時之間。
在一實施例中，可將補強材含浸於塗料中(A-stage)，接著將含浸後的補強材置入50.0℃至500.0℃的烘箱，烘乾塗料以形成膠片(B-stage)。在一實施例中，補強材包括玻璃、陶瓷、碳材、樹脂、或上述之組合，且補強材之形狀為纖維、粉體、片狀物、編織物、或上述之組合。舉例來說，補強材可為玻纖布。上述膠片具有熱傳導性高(傳熱係數(W/mK)≥ 0.3，甚至傳熱係數(W/mK)≥0.4)、高頻介電常數低(Dk @10 GHz ≤ 3.2甚至Dk @10 GHz ≤2.8)、以及高頻介電損失低(Df @10 GHz ≤ 0.003甚至Df @10 GHz ≤ 0.0027)等特性。在一實施例中，可將一或多個膠片夾設於銅箔之間，再壓合成銅箔基板，在一實施例中，壓合製程的壓力介於5Kg至50Kg之間，溫度介於150℃至250℃之間，且歷時1小時至10小時之間。
為讓本揭露之上述內容和其他目的、特徵、和優點能更明顯易懂，下文特舉出較佳實施例，作詳細說明如下： [實施例]
在下述實施例中，傳熱係數(W/mK)的量測標準為ASTMD5470，高頻介電常數(Dk@10 GHz)的量測標準為ASTM D150-11，高頻介電損耗(Df@10 GHz)的量測標準為ASTM D150-11。
合成例a-1 取4,4’-二羥基聯苯(186 g，1 mol)、甲基丙烯酸酐(370 g，2.4 mol)、碳酸氫鈉(17g，0.2 mol)於氮氣下加熱至80℃並反應2小時。反應完成後加入2M氫氧化鈉水溶液1公升，攪拌隔夜後過濾產物，水洗後烘乾。得產物312克，其氫譜如下： 1H NMR (400 MHz, CDCl 3): 7.58 (d, 4H, J=8.0 Hz), 7.19 (d, 4H, J=8.0 Hz), 6.37 (s, 2H),5.77 (s, 2H), 2.08(s, 6H)。上述產物之結構如下：
Figure 02_image031
合成例a-2 取4,4’-二羥基苯乙酮(214 g，1 mol)、甲基丙烯酸酐(370 g，2.4 mol)、碳酸氫鈉(17g，0.2 mol)，於氮氣下加熱至80°C並反應2小時。反應完成後加入2M氫氧化鈉水溶液1公升，攪拌隔夜後過濾產物，水洗後烘乾得產物(345 g)，其氫譜如下： 1H NMR (400 MHz, d 6-DMSO): 7.83 (d, 4H, J=8.0 Hz), 7.39 (d, 4H, J=8.0 Hz), 6.30 (s, 2H), 5.95 (s, 2H), 2.02(s, 6H)。上述產物之結構如下：
Figure 02_image033
合成例a-3 取4-羥基苯乙酮(136 g，1 mol)、甲基丙烯酸酐(185 g，1.2 mol)、碳酸氫鈉(8.4 g，0.1 mol)，於氮氣下加熱至80°C反應2小時。反應完成後加入2M氫氧化鈉水溶液700毫升，攪拌隔夜後過濾產物，水洗後烘乾。得中間產物198克(收率97%)。將中間產物加入硫酸肼(64 g，0.49mol)、三乙胺(49 g，0.49mol)、與乙醇(200 g)後，迴流反應5小時。反應結束後降至室溫，待產物析出後以乙醇與去離子水清洗產物並烘乾得產物(120克)，其氫譜如下： 1H NMR (400 MHz, d 6-DMSO): 7.97 (d, 4H, J=8.0 Hz), 7.26 (d, 4H, J=8.0 Hz), 6.30 (s, 2H), 5.91 (s, 2H), 2.29 (s, 6H), 2.01(s, 6H)。上述產物之化學結構如下：
Figure 02_image035
合成例a-4 取4,4’-二羥基聯苯(47 g，0.25 mol)、碳酸鉀(53 g，0.5 mol)、與丙酮(100毫升)混合後加熱至迴流。另將1,3-二溴丙烷(20 g，0.1 mol)溶於丙酮(100 mL)，慢慢滴入迴流的混合物中。滴加完成後迴流反應二小時。反應結束後過濾去除鹽類，並濃縮濾液以去除溶劑，水洗後烘乾得產物(40 g)，其氫譜如下： 1H NMR (400 MHz, d 6-DMSO): 7.40 (d, 4H, J=8.0 Hz), 7.36 (d, 4H, J=8.0 Hz), 6.99 (d, 4H, J = 8.0 Hz), 6.78 (d, 4H, J = 8.0 Hz), 4.16 (t, 4H, J = 4.0 Hz), 2.20-2.16 (m, 2H)。上述產物之化學結構如下：
Figure 02_image037
合成例a-5 取4-羥基苯甲醛(122 g，1 mol)、1-溴丙烯(145 g，1.2 mol)、碳酸鉀(207 g，1.5 mol)與四氫呋喃(500 mL)，於氮氣下加熱迴流三小時。反應完成後過濾，迴旋濃縮去除溶劑，得產物4-丙烯基苯甲醛(154 g)。將4-丙烯基苯甲醛加入1,3-丙二醇雙(4-氨基苯甲酸酯)(31.4 g，0.1 mol)、氯化鋅催化劑(5 g)與乙醇(500 mL)，加熱迴流反應4小時。反應結束後降至室溫，過濾產物並用乙醇清洗後烘乾以得產物(55 g)，其氫譜如下： 1H NMR (400 MHz,d6-DMSO)：8.50(s,2H),7.95(d,4H,J=8.0Hz),7.86(d,4H,J=8.0Hz),7.24(d,4H,J=8.0Hz),7.06(d,4H,J=8.0Hz),6.10-6.02(m,2H),5.43(dd,2H,J=8.0,1.2Hz),5.29(dd,2H,J=8.0,1.2Hz),4.66(d,4H,J=8.0Hz),4.45(t,4H,J=4.0Hz),2.23-2.18(m,2H)。上述產物之結構如下：
Figure 110116352-A0305-02-0016-1
實施例1
取322g之合成例a-1的產物、318g之雙馬來醯亞胺(購自大和化成工業株式會社之BMI-TMH)、與5g之自由基起始劑101(2,5-Bis(tert-butyl peroxy)-2,5-dimethylhexane，購自Aldrich)溶於1000mL的環己酮中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-1的產物與BMI-TMH的莫耳比為50：50。將上述共聚物塗佈成厚100μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.3，高頻介電常數(Dk@10GHz)為2.36，高頻介電損耗(Df@10GHz)為0.0021。此外，上述共聚物於THF的溶解度為67wt%。BMI-TMH之結構如下：
Figure 110116352-A0305-02-0016-2
實施例2
取635 g之合成例a-3的產物、304 g之聚乙二醇二甲基丙烯酸酯(購自Sigma-aldrich之PEGDMA，Mw=700)、與7 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的N-甲基吡咯烷酮(NMP)中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-3的產物與PEGDMA的莫耳比為55:35。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.34，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.42，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0023。此外，上述共聚物於THF的溶解度為65 wt%。PEGDMA之結構如下：
Figure 02_image055
實施例3 取602 g之合成例a-5的產物、159 g之BMI-TMH、與7.6 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的二甲基乙醯胺(DMAc)中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-5的產物與BMI-TMH的莫耳比為50:25。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.39，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.43，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0026。此外，上述共聚物於THF的溶解度為62 wt%。
實施例4 取492 g之合成例a-4的產物、53 g之環烷基二丙烯酸酯(購自日本化藥之R-684)、與5.5 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-4的產物與R-684的莫耳比為75:13。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.43，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.4，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0028。此外，上述共聚物於THF的溶解度為60 wt%。R-684的結構如下：
Figure 02_image053
實施例5 取347 g之合成例a-2的產物、2 g之PEGDMA、與3.5 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的環己酮中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-2的產物與PEGDMA的莫耳比為99:1。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.45，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.38，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0029。此外，上述共聚物於THF的溶解度為60 wt%。
實施例6 取161 g之合成例a-1的產物、175 g之合成例a-2的產物、318 g之BMI-TMH、與4 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的環己酮中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-1的產物及合成例a-2的產物」與BMI-TMH的莫耳比為50:50。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.3，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.39，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0022。此外，上述共聚物於THF的溶解度為67 wt%。
實施例7 取100 g之合成例a-2的產物、140 g之合成例a-4的產物、57 g之PEGDMA、與3 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-2的產物及合成例a-4的產物」與PEGDMA的莫耳比為50:25。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.38，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.36，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0024。此外，上述共聚物於THF的溶解度為63 wt%。
實施例8 取100 g之合成例a-3的產物、149 g之合成例a-5的產物、2 g之R-684、與2.5 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-3的產物及合成例a-5的產物」與R-684的莫耳比為99:1。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.42，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.39，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0028。此外，上述共聚物於THF的溶解度為60 wt%。
實施例9 取100 g之合成例a-2的產物、140 g之合成例a-4的產物、57 g之PEGDMA、與3 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-2的產物及合成例a-4的產物」與PEGDMA的莫耳比為50:25。將300g的氮化硼與上述共聚物混合後塗佈成厚100 μm的膜，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為2.41，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為3.08，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0025。上述塗層中的氮化硼含量約為50 wt%。
實施例10 取100 g之合成例a-2的產物、140 g之合成例a-4的產物、57 g之PEGDMA、與3 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-2的產物及合成例a-4的產物」與PEGDMA的莫耳比為50:25。將700g的氮化硼與上述共聚物混合後塗佈成厚100 μm的膜，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為3.24，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為3.36，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0026。上述塗層中的氮化硼含量約為70 wt%。
實施例11 取100 g之合成例a-2的產物、140 g之合成例a-4的產物、57 g之PEGDMA、與3 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-2的產物及合成例a-4的產物」與PEGDMA的莫耳比為50:25。將1700g的氮化硼與上述共聚物混合後塗佈成厚100 μm的膜，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為4.85，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為3.49，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0028。上述塗層中的氮化硼含量約為85 wt%。
實施例12 取20 g之合成例a-1的產物、4 g之聚(1,3-丁二烯) (購自日本曹達之NiSSO-PB B1000)、與0.24 g之自由基起始劑101溶於10 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-1的產物與B1000的莫耳比為19:1。將上述共聚物塗佈成厚150μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.32，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.24，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0026。此外，上述共聚物於THF的溶解度為65 wt%。
比較例1 取20 g之合成例a-1的產物、174 g之PEGDMA、與1.8 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的環己烷中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-1的產物與PEGDMA的莫耳比為20:80。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.221，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.44，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0031。此外，上述共聚物於THF的溶解度為66 wt%。
比較例2 取17 g之合成例a-4的產物、40 g之BMI-TMH、與0.5 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。合成例a-4的產物與BMI-TMH的莫耳比為20:80。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.227，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.46，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0034。此外，上述共聚物於THF的溶解度為62 wt%。
比較例3 取10 g之合成例a-3的產物、7 g之合成例a-5的產物、與120 g之R-864、與1.3 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。「合成例a-3的產物及合成例a-5的產物」與R-864的莫耳比為20:80。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.223，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.48，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0036。此外，上述共聚物於THF的溶解度為61 wt%。
比較例4 取207 g之市售PPE-acrylate (購自六和化工之Sabic SA9000)、12 g之聚(1,3-丁二烯) (購自日本曹達之NiSSO-PB B1000)、與2 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。PPE-acrylate與聚(1,3-丁二烯)的莫耳比為90:10。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.221，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.44，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0042。此外，上述共聚物於THF的溶解度為65 wt%。
比較例5 取184 g之市售PPE-acrylate (購自六和化工之Sabic SA9000、24 g之聚(1,3-丁二烯) (購自日本曹達之NiSSO-PB B1000)、與2 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。PPE-acrylate與B1000的莫耳比為80:20。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.217，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.46，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0037。此外，上述共聚物於THF的溶解度為65 wt%。
比較例6 取161 g之市售PPE-acrylate (購自六和化工之Sabic SA9000)、36 g之B1000、與2 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。PPE-acrylate與B1000的莫耳比為70:30。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.203，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.48，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0034。此外，上述共聚物於THF的溶解度為65 wt%。
比較例7 取200 g之市售之液晶高分子E5204L (購自Sumitomo)、24 g之B1000、與2 g之自由基起始劑101溶於1000 mL的NMP中，迴流反應2小時以得共聚物。E5204L與B1000的莫耳比為70:30。將上述共聚物塗佈成厚100 μm的膜後，烘乾形成的塗層之傳熱係數(W/mK)為0.23，高頻介電常數(Dk@10 GHz)為2.8，高頻介電損耗(Df@10 GHz)為0.0045。此外，上述共聚物於THF的溶解度為5 wt%。
雖然本揭露已以數個實施例揭露如上，然其並非用以限定本揭露，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本揭露之精神和範圍內，當可作任意之更動與潤飾，因此本揭露之保護範圍當視後附之請求項所界定者為準。
無。
無。
Figure 01_image001
無。

Claims (9)

  1. 一種共聚物，係由：(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成，其中芳香性單體的化學結構為
    Figure 110116352-A0305-02-0025-3
    ，其中每一R1各自為H或CH3，且n=1-4；R2係單鍵、-O-、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-4
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-5
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-6
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-7
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-8
     R4係C2-10的烷撐基；每一R5各自為單鍵、-O-、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-9
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-10
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-11
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0025-12
    Figure 110116352-A0305-02-0025-13
    、或
    Figure 110116352-A0305-02-0025-14
    ，且o係1-70； 每一R3各自為
    Figure 110116352-A0305-02-0026-15
    或
    Figure 110116352-A0305-02-0026-16
    ，其中R6係H或CH3，且R7係C1-10的烷撐基；其中(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物與(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物的莫耳比例(A/B)為1：2至99：1。
  2. 如請求項1所述之共聚物，其中芳香性單體之結構為
    Figure 110116352-A0305-02-0026-17
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0026-18
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0026-19
    Figure 110116352-A0305-02-0026-56
    Figure 110116352-A0305-02-0026-21
  3. 如請求項1所述之共聚物，其中脂肪族單體係1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4,5-二乙基-1,3-辛二烯、
    Figure 110116352-A0305-02-0026-22
     其中R8係C1-12的烷撐基或環烷撐基；R9係
    Figure 110116352-A0305-02-0027-23
    或
    Figure 110116352-A0305-02-0027-24
    ，R10係H或CH3；R11係C2-5的烷撐基；R12係H或CH3；以及q=1-70。
  4. 如請求項3所述之共聚物，其中脂肪族單體係1,3-丁二烯、
    Figure 110116352-A0305-02-0027-26
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0027-27
    、或
    Figure 110116352-A0305-02-0027-28
  5. 一種複合材料，包括：1重量分的共聚物；以及9至99重量分的無機粉體，其中該共聚物係由：(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物，以及(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物共聚而成， 其中芳香性單體的化學結構為
    Figure 110116352-A0305-02-0028-30
    ，其中每一R1各自為H或CH3，且n=1-4；R2係單鍵、-O-、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-31
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-32
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-33
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-34
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-35
     R4係C2-10的烷撐基；每一R5各自為單鍵、-O-、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-36
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-37
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-38
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0028-40
    Figure 110116352-A0305-02-0028-41
    、或
    Figure 110116352-A0305-02-0028-42
    ，且o係1-70；每一R3各自為
    Figure 110116352-A0305-02-0028-43
    或
    Figure 110116352-A0305-02-0028-44
    ，其中R6係H或CH3，且R7係C1-10的烷撐基；其中(A)芳香性單體、其寡聚物、或其聚合物與(B)脂肪族單體、其寡聚物、或其聚合物的莫耳比例(A/B)為1：2至99：1。
  6. 如請求項5所述之複合材料，其中芳香性單體之結構為
    Figure 110116352-A0305-02-0029-45
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0029-46
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0029-47
    Figure 110116352-A0305-02-0029-57
    Figure 110116352-A0305-02-0029-49
  7. 如請求項5所述之複合材料，其中脂肪族單體係1,3-丁二烯、異戊二烯、1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-戊二烯、2,3-二甲基-1,3-戊二烯、4,5-二乙基-1,3-辛二烯、
    Figure 110116352-A0305-02-0029-50
     其中R8係C1-12的烷撐基或環烷撐基；R9係
    Figure 110116352-A0305-02-0029-51
    或
    Figure 110116352-A0305-02-0029-52
    ，R10係H或CH3；R11係C2-5的烷撐基； R12係H或CH3；以及q=1-70。
  8. 如請求項5所述之複合材料，其中脂肪族單體係1,3-丁二烯、
    Figure 110116352-A0305-02-0030-53
    、
    Figure 110116352-A0305-02-0030-54
    、或
    Figure 110116352-A0305-02-0030-55
  9. 如請求項5所述之複合材料，其中該無機粉體包括氮化鋁、氮化硼、氧化鋁、氫氧化鎂、二氧化矽、或上述之組合。
TW110116352A 2021-05-06 2021-05-06 共聚物與複合材料 TWI775423B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110116352A TWI775423B (zh) 2021-05-06 2021-05-06 共聚物與複合材料
CN202110695971.2A CN115304709A (zh) 2021-05-06 2021-06-23 共聚物与复合材料
US17/497,673 US20220372189A1 (en) 2021-05-06 2021-10-08 Copolymer and composite material

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW110116352A TWI775423B (zh) 2021-05-06 2021-05-06 共聚物與複合材料

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TWI775423B true TWI775423B (zh) 2022-08-21
TW202244084A TW202244084A (zh) 2022-11-16

Family

ID=83807151

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW110116352A TWI775423B (zh) 2021-05-06 2021-05-06 共聚物與複合材料

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220372189A1 (zh)
CN (1) CN115304709A (zh)
TW (1) TWI775423B (zh)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040142287A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Hajime Nakagawa Photothermographic material and image forming method
TW200427806A (en) * 2003-05-22 2004-12-16 Zeon Corp Heat-conductive pressure sensitive adhesive composition, heat-conductive sheet-form shaped article, and process for producing the shaped article
CN105131164A (zh) * 2015-09-18 2015-12-09 北京化工大学 一步分散聚合制备雪人、哑铃、树莓状或核-壳结构的单分散聚合物微球的方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101974208B (zh) * 2010-08-20 2012-11-14 广东生益科技股份有限公司 高导热树脂组合物及使用其制作的高导热覆金属箔板
WO2013103153A1 (ja) * 2012-01-06 2013-07-11 シャープ株式会社 液晶表示装置、及び、その製造方法
TWI593749B (zh) * 2013-01-08 2017-08-01 聯茂電子股份有限公司 低介電材料
GB2554288A (en) * 2015-06-26 2018-03-28 Merck Patent Gmbh Liquid crystal medium containing polymerisable compounds
TWI703180B (zh) * 2019-01-04 2020-09-01 台燿科技股份有限公司 可撓性半固化片及其應用

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040142287A1 (en) * 2003-01-10 2004-07-22 Hajime Nakagawa Photothermographic material and image forming method
TW200427806A (en) * 2003-05-22 2004-12-16 Zeon Corp Heat-conductive pressure sensitive adhesive composition, heat-conductive sheet-form shaped article, and process for producing the shaped article
CN105131164A (zh) * 2015-09-18 2015-12-09 北京化工大学 一步分散聚合制备雪人、哑铃、树莓状或核-壳结构的单分散聚合物微球的方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN115304709A (zh) 2022-11-08
US20220372189A1 (en) 2022-11-24
TW202244084A (zh) 2022-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101642518B1 (ko) 열경화성 조성물 및 그를 이용하는 인쇄회로기판
JP4947989B2 (ja) ポリイミド前駆体溶液、ポリイミド多孔質フィルム、およびそれらの製造方法
JP2020172667A (ja) ポリアミック酸樹脂、ポリイミド樹脂およびこれらを含む樹脂組成物
JP2006199945A (ja) 低吸水性ポリイミド樹脂およびその製造方法
JP2010163595A (ja) ポリイミドフィルム
JP5027416B2 (ja) 芳香族ポリアミド酸及びポリイミド
WO2020215027A1 (en) High molecular weight flexible curable polyimides
JP2010090358A (ja) ポリイミド前駆体、その組成物及びポリイミド積層板
JP3653499B2 (ja) ポリ（イミド−ベンゾオキサゾール）コポリマー
KR20180093655A (ko) 폴리이미드계 필름, 폴리이미드계 필름 제조용 조성물, 이를 포함하는 표시 장치, 및 폴리이미드계 필름의 눌림 경도 평가 방법
TWI775423B (zh) 共聚物與複合材料
TWI792816B (zh) 共聚物、樹脂、與複合材料
JPH04239637A (ja) 可撓性両面金属張基板及びその製造方法
JPH01129025A (ja) ポリアミノビスイミド系樹脂組成物
TWI742945B (zh) 具低介電損失的軟性銅箔基板、其製備方法以及電子裝置
JP3438556B2 (ja) 接着性の改良されたポリイミドフィルム、その製法およびその積層体
KR20210124068A (ko) 금속-피복 폴리머 필름 및 전자 장치
JP6765093B2 (ja) ポリイミド
JP2005314630A (ja) 芳香族ポリアミド酸及びポリイミド
KR100522003B1 (ko) 플렉시블 동박적층판 및 그 제조방법
JPH08120040A (ja) 耐熱性電気絶縁材料およびそれを用いた耐熱性電気絶縁膜の製造方法
TWI733541B (zh) 含烯丙基樹脂及其應用
KR100590720B1 (ko) 플렉시블 인쇄 회로용 기판 및 그 제조방법
JP6462236B2 (ja) ポリイミドおよび耐熱性フィルム
JP4077621B2 (ja) 低誘電接着剤、フィルム状接合材、および接着性積層材

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent